JP2010524831A - メタライズされたセラミックボディを有するコンポーネント - Google Patents

Abstract

少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部で覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの場合、金属被覆部の耐久性および接着強度の問題が起こり得る。従って本発明により、セラミックボディの表面上の材料がメタライズ部の箇所で面全体または面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および／または結晶学的および／または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質されており、かつセラミックボディと接合される少なくとも０．００１ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも１つの緻密な層または多孔性の層を形成し、前記層は少なくとも１つの均質なまたは不均質な新規の材料から成ることが提案される。

Description

本発明は、少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われているセラミックボディを有するコンポーネントならびにそのようなコンポーネントの製造法に関する。

ＤＥ１９６０３８２２Ｃ２の中では、窒化アルミニウムセラミックからの少なくとも１つの層を有するセラミック支持体の製造法ならびにこの方法に従って製造されたセラミック支持体が記載される。メタライズ部の耐久性を高めるために、酸化アルミニウムからの補助層または中間層が作製され、それに関して、メタライズするために予定される表面側に、銅からのまたは酸化銅からのまたはその他の銅含有化合物からの層が備え付けられ、引き続き酸素含有雰囲気中で熱処理される。

少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの場合、金属被覆部の耐久性および接着強度の問題が起こり得る。

本発明の課題は、少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われており、かつ板状に形成されており、または立体的に構造化されているセラミックボディを有するコンポーネント、ならびにメタライズ部が特に良好に接着しているそのようなコンポーネントの製造法を提示するという点にある。

該課題は、特許請求項１の固有の特徴部を有するコンポーネントおよび特許請求項１９の固有の特徴部による方法に従って解決される。本発明の好ましい構成は従属請求項の中で提示される。

本発明によるコンポーネントは、少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われているセラミックボディから成る。セラミックボディは板状に形成されており、または立体的に構造化されている。それは例えばＥ形を有していてよい。そのような形を、例えばヒートシンクが持つ。

ヒートシンクとは、電気デバイスまたは電子デバイスまたは回路を有し、かつ該デバイスまたは該回路中で発生する熱を、該デバイスまたは該回路を損傷し得る蓄熱が発生しないように排出することができるように形作られているボディと理解される。担体ボディは、電気的に導電性ではなく、またはほぼ導電性ではなく、かつ良好な熱伝導率を有する材料からのボディである。そのようなボディのための理想的な材料はセラミックである。

ボディは一体となっており、かつ電子デバイスまたは回路の保護のために熱を排出または供給するエレメントを有している。有利には担体ボディは白金であり、かつ該エレメントは熱媒体または冷却媒体を送り込むことが可能なオリフィス、ダクト、リブおよび／または凹部である。媒体は液状またはガス状であってよい。担体ボディおよび／または冷却エレメントは、好ましくは、少なくとも１つのセラミック成分または種々のセラミック材料の複合体から成る。

セラミック材料は、主成分としてＺｒＯ₂／ＨｆＯ₂５０．１質量％〜１００質量％またはＡｌ₂Ｏ₃５０．１質量％〜１００質量％またはＡｌＮ５０．１質量％〜１００質量％またはＳｉ₃Ｎ₄５０．１質量％〜１００質量％またはＢｅＯ５０．１質量％〜１００質量％、ＳｉＣ５０．１質量％〜１００質量％または該主成分の少なくとも２つの組み合わせ物を任意の組み合わせにおいて上記の成分範囲内で含有し、ならびに副成分として少なくとも１つの酸化状態における元素のＣａ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂおよび／または化合物を≦４９．９質量％の割合で単独にまたは任意の組み合わせにおいて上記の成分範囲内で含有する。主成分および副成分は、≦３質量％の割合の不純物を差し引いて、任意の組み合わせにおいて１００質量％の全組成物となるように互いに組み合わせることが可能である。

例えばメタライズ部は、純粋な品質または工業的な品質におけるタングステン、銀、金、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウムまたは鋼または少なくとも２つの異なる金属の混合物から成っていてよい。例えばメタライズ部は、付加的にまたはそれ単独でも、反応はんだ、軟質はんだ、または硬質はんだから成っていてよい。

メタライズ部がコンポーネントのセラミックボディに良好に接着するように、セラミックボディの表面上の材料が面全体または面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および／または結晶学的および／または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質される。それによってセラミックボディ上の処理される箇所で、セラミックボディと接合される少なくとも０．００１ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する、少なくとも１つの均質なまたは不均質な新規の材料から成る少なくとも１つの緻密な層または多孔性の層が得られる。セラミックボディの残りの基材は変質されないままである。この新規の材料と面の一部分でまたは面全体で少なくとも１つのメタライズ部が接合され得る。

反応物質は、ＤＣＢ法（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の場合、本質的に金属、例えば銅または酸化銅であり、またはカルシウム化合物または酸化マンガンまたは酸素である。ＡＭＢ法（Ａｃｔｉｖｅ Ｍｅｔａｌ Ｂｒａｚｉｎｇ）の場合の活性金属成分は、例えばＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｙｔ、Ｔ、Ｎである。

上記の方法によって、金属酸化物セラミックの表面上に少なくとも面全体でまたは面の一部分で新規の材料が作製される。金属間相の層が形成され、それによって発泡、剥落およびその他の欠陥部分が、殊に熱負荷の場合にも生じることなく、メタライズ部がセラミックボディ上に施与され得る。

新規の材料から形成された層は、メタライズに依存して、少なくとも酸化アルミニウムまたは異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅またはこれらの固体化学的な混合物から成る混合層を包含していてよい。

形成された層は、メタライズに依存して、少なくとも酸化アルミニウムからまたは異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅またはこれらの固体化学的な混合物から成る中間層を包含していてよい。

少なくとも１つの中間層および少なくとも１つの混合層の組み合わせも可能である。

酸化アルミニウムからの中間層の作製のために、窒化アルミニウムからのセラミックボディの表面に面全体でまたは面の一部分で銅からのまたは酸化銅からのまたはその他の銅含有化合物からのまたはこれらの組み合わせ物からの層が０．００１ナノメートルの最小厚さで備え付けられ、引き続き酸素含有雰囲気中で７００℃〜１３８０℃の温度にて、０．０５〜８０マイクロメートルであってよい所望の厚さを有する中間層が形成されるまでの間処理される。中間層は少なくとも一部において、その厚さにわたり０．０１〜８０質量パーセントの割合の酸化銅を含有する。

窒化アルミニウムが酸素含有雰囲気により処理される場合、同時に酸化銅含有材料は気相を介して、形成される酸化アルミニウムと反応され得る。蒸気状の酸化銅の成分を有する酸素含有雰囲気中での処理は、０．０５〜８０マイクロメートルの層厚さが生じるまでの間行われる。

これらの中間層、混合層またはこれらの層の組み合わせ物は、セラミック材料とメタライズ部との間の安定な接合を可能にする。殊に銅でメタライズされる場合、酸化銅が載置された銅ホイルから溶融し、かつ形成される層と、欠陥のない、特に耐久性のある接合部を形成する。

少なくとも１つの層または中間層または混合層の組成は均質であり、または勾配を持っており、かつ少なくとも１つの勾配を１つ以上の方向で示す。それゆえ勾配を持った層内で酸化アルミニウムの濃度はセラミックボディの窒化アルミニウムに向かって上昇してよく、あるいは異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅の成分と酸化アルミニウムとの混合相の濃度は酸化アルミニウム層に向かって減少してよい。それによって中間層または混合層の組成を予定されたメタライズ部に適合させることが可能である。

メタライズ部上には、例えば電子コンポーネントとのはんだ付け接合部の製造のために、少なくとも１つの別の同じまたは同じでないメタライズ部が面全体でまたは面の一部分で施与され得る。

セラミックボディの表面の処理後、作製された中間層の少なくとも１つの上にメタライズ部が、酸化された金属ホイルまたは銅ホイルの使用下でＤＣＢ法によって金属層または銅層が面全体でまたは面の一部分で固定され得る。

セラミックボディの表面の処理後、作製された中間層の少なくとも１つの上にメタライズ部が、好ましくは銅、アルミニウムまたは鋼からの金属ホイルの使用下でＡＭＢ法によって面全体でまたは面の一部分で固定され得る。

少なくとも１つの同じまたは同じでないＤＣＢ支持体および／またはＤＣＢベースの回路または少なくとも１つの同じまたは同じでないＡＭＢ支持体および／またはＡＭＢベースの回路または少なくとも１つの支持体ベースの回路または白金または能動部品および／または受動部品および／または少なくとも１つの感覚エレメントが、少なくとも１つのメタライズ部と接合され得る。

実施例を手がかりにして、本発明をより詳細に説明する。

電子コンポーネントを有する、ＤＣＢ法に従ってメタライズされた本発明によるコンポーネントを示す図 電子コンポーネントを有する、ＡＭＢ法に従ってメタライズされた本発明によるコンポーネントを示す図

図１のコンポーネント１は、立体的に構造化されている窒化アルミニウムからのセラミックボディ２を有し、それはＥ形である。本実施例においてセラミックボディ２はヒートシンクである。セラミックボディ２の上側３および下側４は、それぞれ大きさの異なる表面を有する。下側４は冷却リブ５を有する。コンポーネント１の上側３は、本実施例において平らな表面を有する。上側３ならびに外部冷却リブ５のレッグにはメタライズされた領域６が存在し、該領域６には、例えば電子コンポーネントがはんだ付けされ得る。

本発明による方法によって、メタライズされているセラミックボディ２の箇所６にまず酸化アルミニウムからの中間層７を形成し、該中間層に混合層のさらに別の層を介してメタライズ部を接合している。本実施例ではメタライズをＤＣＢ法に従って行った。メタライズ部８は酸化銅層９を有する銅ホイルであり、該層９は層１０を介して中間層７と接合されている。層１０内には酸化銅および酸化アルミニウムの成分が存在している。

セラミックボディ２の上側３は回路担体である。上側３のメタライズ部８上には、電子コンポーネント、例えばチップ１１がはんだ付け接合部１２により固定されている。配線１３を介して、それはさらに別のメタライズされた領域６と接合されている。このチップ１１は熱源であり、その熱は冷却リブ７を介して排出される。

図２のコンポーネント１は、図１からの公知物と一致するセラミックボディ２を有する。従って一致する特徴部には、同一の引用符号が付けられている。セラミックボディは、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ジルコンまたは炭化物から成っていてよい。それは立体的に構造化されており、それはＥ形である。本実施例ではボディ２も同様にヒートシンクである。セラミックボディ２の上側３および下側４は、それぞれ大きさの異なる表面を有する。下側４は冷却リブ５を有する。コンポーネント１の上側３は、本実施例において平らな表面を有する。上側３ならびに外部冷却リブ５のレッグにはメタライズされた領域６が存在し、該領域６には、例えば電子コンポーネントがはんだ付けされ得る。

本実施例ではメタライズをＡＭＢ法により行った。その際、接合されるべき２つの部分、セラミックボディ２と、メタライズ部１５としての、例えば銅、アルミニウムまたは鋼からの金属ホイルとの間に金属充填材料がはんだとして充填され、該材料は、セラミックボディ２の表面と直接反応し得る活性金属添加剤を含有する。金属充填材料の合金は、活性金属成分として、例えばＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｙｔ、Ｔ、Ｎを含有する。残りはそれ以外の合金成分によって形成される。これらの合金は、好ましくはペーストの形でセラミックボディの表面上に適用される。硬ろう付け（Ｂｒａｚｉｎｇ）は、好ましくは真空中またはヘリウムまたはアルゴンからの不活性ガス雰囲気中で行われる。

硬ろう付けの場合、溶融される金属充填材料、はんだ１６は、セラミックボディ２のセラミック材料と接合部、層１７を形成し、該層１７内でセラミック材料が変質された。この層１７を介してメタライズ部１５はセラミックボディ２と接合されている。

セラミックボディ２の上側３は回路担体である。上側３のメタライズ部１５上には、電子コンポーネント、例えばチップ１１が、はんだ付け接合部１２により固定されている。配線１３を介して、それはさらに別のメタライズされた領域６と接合されている。このチップ１１は熱源であり、その熱は冷却リブ５を介して排出される。

１ コンポーネント、 ２ セラミックボディ、 ３ セラミックボディの上側、 ４ セラミックボディの下側、 ５ 冷却リブ、 ６ メタライズされた領域、 ７ 中間層、 ８ メタライズ部、 ９ 酸化銅層、 １０ 層、 １１ チッブ、 １２ はんだ付け結合部、 １３ 配線、 １５ メタライズ部、 １６ はんだ、 １７ 層

Claims (37)

1. 少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われているセラミックボディを有するコンポーネントであって、前記セラミックボディが板状にまたは立体的に構造化されていること、前記セラミックボディの表面上の材料が面全体でまたは面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および／または結晶学的および／または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質されており、かつ、前記セラミックボディと接合される少なくとも０．００１ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも１つの緻密な層または多孔性の層を形成し、前記層は少なくとも１つの均質なまたは不均質な新規の材料から成り、この新規の材料が面の一部分または面全体で少なくとも１つのメタライズ部と接合されていること、および前記セラミックボディの残りの基材は変質されていないことを特徴とする、少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われているセラミックボディを有するコンポーネント。
2. セラミック材料が、主成分としてＺｒＯ₂／ＨｆＯ₂５０．１質量％〜１００質量％またはＡｌ₂Ｏ₃５０．１質量％〜１００質量％またはＡｌＮ５０．１質量％〜１００質量％またはＳｉ₃Ｎ₄５０．１質量％〜１００質量％またはＢｅＯ５０．１質量％〜１００質量％、ＳｉＣ５０．１質量％〜１００質量％または前記主成分の少なくとも２つの組み合わせ物を任意の組み合わせにおいて上記の成分範囲内で含有し、ならびに副成分として少なくとも１つの酸化状態における元素のＣａ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂおよび／または化合物を≦４９．９質量％の割合で単独にまたは任意の組み合わせにおいて上記の成分範囲内で含有することを、および前記主成分および前記副成分が、≦３質量％の割合の不純物を差し引いて、任意の組み合わせにおいて１００質量％の全組成物となるように互いに組み合わせ可能であることを特徴とする、請求項１記載のコンポーネント。
3. メタライズ部が、好ましくは、純粋な品質または工業的な品質におけるタングステン、銀、金、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウムまたは鋼または少なくとも２つの異なる金属の混合物または、付加的にまたはそれ単独で、反応はんだ、軟質はんだ、または硬質はんだから成ることを特徴とする、請求項１または２記載のコンポーネント。
4. 反応物質が、新規の材料からの層を形成するために、カルシウム化合物または酸化マンガンまたは酸素であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載のコンポーネント。
5. ＤＣＢ法の場合の反応物質が、新規の材料からの層を形成するために、本質的に金属、例えば銅または酸化銅であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載のコンポーネント。
6. ＡＭＢ法の場合の反応物質が、新規の材料からの層を形成するために、本質的にＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｙｔ、Ｔ、Ｎの活性金属成分であることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載のコンポーネント。
7. 新規の材料から形成された層が、少なくとも酸化アルミニウムからまたは異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅またはこれらの固体化学的な混合物から成る混合層を包含することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載のコンポーネント。
8. 新規の材料から形成された層が、少なくとも酸化アルミニウムからまたは異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅からまたはこれらの固体化学的な混合物から成る中間層を包含することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載のコンポーネント。
9. 酸化アルミニウムからの中間層の作製のために、セラミックボディの面に、０．００１ナノメートルの最小厚さを有する銅からのまたは酸化銅からのまたはその他の銅含有化合物からのまたはこれらの組み合わせ物からの層が備え付けられていることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載のコンポーネント。
10. 中間層が０．０５〜８０マイクロメートルの層厚さを有することを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載のコンポーネント。
11. 中間層内の少なくとも一部において、その厚さにわたり酸化銅の割合が０．０１〜８０質量パーセントであることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載のコンポーネント。
12. 少なくとも１つの中間層および少なくとも１つの混合層の組み合わせ物が存在することを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項記載のコンポーネント。
13. 少なくとも１つの層または中間層または混合層の組成が均質であり、または勾配を持っており、かつ少なくとも１つの勾配を１つ以上の方向で示すことを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項記載のコンポーネント。
14. 勾配を持った層内で、酸化アルミニウムの濃度が、セラミックボディの窒化アルミニウムに向かって上昇することを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載のコンポーネント。
15. 異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅の成分と酸化アルミニウムとの混合相の濃度が、酸化アルミニウ層に向かって減少することを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項記載のコンポーネント。
16. メタライズ部上に少なくとも１つの別の同じまたは同じでないメタライズ部が面全体にまたは面の一部分に施与されていることを特徴とする、請求項１から１５までのいずれか１項記載のコンポーネント。
17. 少なくとも１つの同じまたは同じでないＤＣＢ支持体および／またはＤＣＢベースの回路または少なくとも１つの同じまたは同じでないＡＭＢ支持体および／またはＡＭＢベースの回路または少なくとも１つの支持体ベースの回路または白金または能動部品および／または受動部品および／または少なくとも１つの感覚エレメントが、少なくとも１つのメタライズ部と接合されていることを特徴とする、請求項１から１６までのいずれか１項記載のコンポーネント。
18. セラミックボディがセラミックヒートシンクであることを特徴とする、請求項１から１７までのいずれか１項記載のコンポーネント。
19. 少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われるセラミックボディを有するコンポーネント、殊に請求項１から１８までのいずれか１項記載のコンポーネントの製造法において、前記セラミックボディを板状に形成しまたは立体的に構造化すること、前記セラミックボディの表面上の材料を面全体でまたは面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および／または結晶学的および／または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質させ、かつ、前記セラミックボディと接合される少なくとも０．００１ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも１つの緻密な層または多孔性の層を形成させ、前記層は少なくとも１つの均質なまたは不均質な新規の材料から成り、この新規の材料を面の一部分または面全体で少なくとも１つのメタライズ部と接合させること、および前記セラミックボディの残りの基材は変質させないことを特徴とする、少なくとも１つの箇所でその表面がメタライズ部により覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの製造法。
20. セラミック材料を、主成分としてＺｒＯ₂／ＨｆＯ₂５０．1質量％〜１００質量％またはＡｌ₂Ｏ₃５０．１質量％〜１００質量％またはＡｌＮ５０．１質量％〜１００質量％またはＳｉ₃Ｎ₄５０．１質量％〜１００質量％またはＢｅＯ５０．１質量％〜１００質量％、ＳｉＣ５０．１質量％〜１００質量％または前記主成分の少なくとも２つの組み合わせ物を任意の組み合わせにおいて上記の成分範囲内で構成し、ならびに副成分として少なくとも１つの酸化状態における元素のＣａ、Ｓｒ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂおよび／または化合物を≦４９．９質量％の割合で単独にまたは任意の組み合わせにおいて上記の成分範囲内で構成することを、および前記主成分および前記副成分を、≦３質量％の割合の不純物を差し引いて、任意の組み合わせにおいて１００質量％の全組成物となるように互いに組み合わせることを特徴とする、請求項１９記載の方法。
21. コンポーネントのセラミックボディのメタライズ部を、純粋な品質または工業的な品質におけるタングステン、銀、金、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウムまたは鋼または少なくとも２つの異なる金属の混合物または、付加的にまたはそれ単独で、反応はんだ、軟質はんだ、または硬質はんだを用いて処理することを特徴とする、請求項１９または２０記載の方法。
22. 新規の材料からの層を形成するための反応物質として、カルシウム化合物または酸化マンガンまたは酸素を作用させることを特徴とする、請求項１９から２１までのいずれか１項記載の方法。
23. ＤＶＢ法の場合に新規の材料からの層を形成するための反応物質として、本質的に金属、例えば銅または酸化銅を作用させることを特徴とする、請求項１９から２２までのいずれか１項記載の方法。
24. ＡＭＢ法の場合に新規の材料からの層を形成するための反応物質として、本質的にＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｙｔ、Ｔ、Ｎの活性金属成分を作用させることを特徴とする、請求項１９から２３までのいずれか１項記載の方法。
25. 新規の材料から形成された層が、少なくとも酸化アルミニウムからまたは異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅またはこの固体化学的な混合物から形成される混合層を包含することを特徴とする、請求項１９から２４までのいずれか１項記載の方法。
26. 新規の材料から形成された層が、少なくとも酸化アルミニウムからまたは異なるまたは同じ酸化状態の酸化銅からまたはこれらの固体化学的な混合物から形成される中間層を包含することを特徴とする、請求項１９から２５までのいずれか１項記載の方法。
27. 少なくとも１つの中間層および少なくとも１つの混合層の組み合わせ物を作製することを特徴とする、請求項１９から２６までのいずれか１項記載の方法。
28. 窒化アルミニウムからのセラミックボディの表面上に、少なくとも面全体でまたは面の一部分で酸化アルミニウムからの少なくとも１つの中間層を作製し、そのためこの面に、０．００１ナノメートルの最小厚さを有する銅からのまたは酸化銅からのまたはその他の銅含有化合物からのまたはこれらの組み合わせ物からの層を備え付け、引き続き酸素含有雰囲気中で熱処理することを特徴とする、請求項１９から２７までのいずれか１項記載の方法。
29. 熱処理を７００℃〜１３８０℃の温度で行うことを特徴とする、請求項２８記載の方法。
30. 窒化アルミニウムの処理を酸素含有雰囲気中で、それぞれの中間層について０．０５〜８０マイクロメートルの層厚さが生じるまでの間行うことを特徴とする、請求項２８または２９記載の方法。
31. 窒化アルミニウムを酸素含有雰囲気により処理する場合、同時に酸化銅含有材料を、気相を介して、形成される酸化アルミニウムと反応させることを特徴とする、請求項１９から３０までのいずれか１項記載の方法。
32. 蒸気状の酸化銅の成分を有する酸素含有雰囲気中での処理を、０．０５〜８０マイクロメートルの厚さを有する酸化アルミニウムからの層が生じるまでの間行うことを特徴とする、請求項１９から３１までのいずれか１項記載の方法。
33. 中間層内の少なくとも一部において、その厚さにわたり０．０１〜８０質量パーセントの割合の酸化銅を作製することを特徴とする、請求項１９から３２までのいずれか１項記載の方法。
34. セラミックボディの表面の処理後に、少なくとも１つの作製された中間層上に、メタライズ部を酸化金属ホイルまたは銅ホイルの使用下でＤＣＢ法により平面状に固定することを特徴とする、請求項１９から３３までのいずれか１項記載の方法。
35. 窒化アルミニウムからのセラミックボディの表面の処理後に、少なくとも１つの中間層を作製すること、および少なくとも１つの中間層上にＤＣＢ法の使用下で金属層または銅層を施与することを特徴とする、請求項１９から３４までのいずれか１項記載の方法。
36. セラミックボディの表面の処理後に、少なくとも１つの作製された中間層上に、メタライズ部を、好ましくは銅、アルミニウムまたは鋼からの金属ホイルの使用下でＡＭＢ法により平面状に固定することを特徴とする、請求項１９から３５までのいずれか１項記載の方法。
37. セラミックボディの表面の処理後に、少なくとも１つの中間層を作製すること、および少なくとも１つの中間層上にＡＭＢ法の使用下で、好ましくは銅、アルミニウムまたは鋼からの金属ホイルを施与することを特徴とする、請求項１９から３６までのいずれか１項記載の方法。

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