JP2021165227A - 銅/セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅/セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ti,Zr,Nb,Hfから選択される1種又は2種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にAl及びCuが存在していることを特徴とする。
【選択図】なし
Description
例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時の発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。なお、絶縁回路基板としては、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して金属層を形成したものも提供されている。
また、特許文献2に開示されているように、活性金属ろう付け法によってセラミックス基板と銅板とを接合する場合には、接合温度が900℃と比較的高温とされていることから、やはり、セラミックス基板が劣化してしまうといった問題があった。
このため、従来よりも厳しい冷熱サイクルが負荷される用途であっても、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル負荷時にもクラックが生じない絶縁回路基板が求められている。
以上のことから、本発明の銅/セラミックス接合体によれば、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた銅/セラミックス接合体を得ることができる。
この場合、反応時にAl−Ag−Cu共晶液相が存在することになる。Al−Ag−Cu共晶はAl−Cu共晶よりも共晶温度が低く、系のエネルギーを低下させるため、反応がより促進することになる。
この場合、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ10μmから50μmまでの領域における最大押し込み硬さが70mgf/μm2以上とされているので、接合時に接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス部材と銅部材とが強固に接合されている。一方、前述の領域における最大押し込み硬さが135mgf/μm2以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。
この場合、セラミックス部材と銅部材との接合界面に、活性金属化合物層として窒化チタン層又は酸化チタン層が形成されることになり、セラミックス部材と銅部材とを強固に接合することが可能となる。
この場合、前記活性金属化合物層において、相対的に硬度の低い粒界領域(金属相)が占める増加し、前記活性金属化合物層の耐衝撃性が向上する。これにより、前記活性金属化合物層におけるクラックの発生を抑制し、銅部材とセラミックス部材の剥離や、セラミックス部材でのクラックの発生を抑制することができる。
以上のことから、本発明の絶縁回路基板によれば、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた絶縁回路基板を得ることができる。
この場合、反応時にAl−Ag−Cu共晶液相が存在することになる。Al−Ag−Cu共晶はAl−Cu共晶よりも共晶温度が低く、系のエネルギーを低下させるため、反応がより促進することになる。
この場合、前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ10μmから50μmまでの領域における最大押し込み硬さが70mgf/μm2以上とされているので、接合時に接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス基板と銅板とが強固に接合されている。一方、前述の領域における最大押し込み硬さが135mgf/μm2以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。
この場合、セラミックス基板と銅板との接合界面に、活性金属化合物層として窒化チタン層又は酸化チタン層が形成されることになり、セラミックス基板と銅板とを強固に接合することが可能となる。
この場合、前記活性金属化合物層において、相対的に硬度の低い粒界領域(金属相)が占める割合が増加し、前記活性金属化合物層の耐衝撃性が向上する。これにより、前記活性金属化合物層におけるクラックの発生を抑制し、銅板とセラミックス基板の剥離や、セラミックス基板でのクラックの発生を抑制することができる。
本実施形態に係る銅/セラミックス接合体は、セラミックスからなるセラミックス部材としてのセラミックス基板11と、銅又は銅合金からなる銅部材としての銅板22(回路層12)及び銅板23(金属層13)とが接合されてなる絶縁回路基板10である。図1に、本実施形態である絶縁回路基板10を備えたパワーモジュール1を示す。
接合層2は、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材で構成されている。
なお、本実施形態においては、ヒートシンク30と金属層13とが、はんだ材からなるはんだ層32によって接合されている。このはんだ層32は、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材で構成されている。
本実施形態においては、回路層12は、無酸素銅の圧延板からなる銅板22がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。
なお、回路層12となる銅板22の厚さは0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。
本実施形態においては、金属層13は、無酸素銅の圧延板からなる銅板23がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。
なお、金属層13となる銅板23の厚さは0.1mm以上1.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。
この活性金属化合物層41は、接合材に含まれる活性金属とセラミックス基板11とが反応することによって形成されたものである。
本実施形態では、活性金属としてTiが用いられており、セラミックス基板11が窒化アルミニウムで構成されていることから、活性金属化合物層41は、窒化チタン(TiN)層となる。
そして、図4に示すように、Al及びCu,Agは、活性金属化合物(本実施形態ではTiN)の粒界に凝集して存在している。
また、活性金属化合物(本実施形態ではTiN)の粒界近傍を線分析した結果、図5に示すように、粒界部分においてAl及びCu,Agの濃度が上昇していることが確認される。
さらに、本実施形態においては、図6に示すように、活性金属化合物層41における活性金属化合物粒子の最大粒子径が180nm以下とされていることが好ましい。すなわち、活性金属化合物層41においては、粒界領域(金属相)が多く存在していることが好ましい。図6においては、TiN粒子が存在し、このTiN粒子の最大粒子径が180nm以下とされている。なお、活性金属化合物層41における活性金属化合物粒子の最大粒子径は150nm以下であることがさらに好ましく、120nm以下であることがより好ましい。下限としては、例えば、4nm以上とするとよい。4nm未満の粒径とすることは製造上困難である。
なお、上述の最大押し込み硬さは75mgf/μm2以上であることがさらに好ましく、85mgf/μm2以上であることがより好ましい。一方、上述の最大押し込み硬さは130mgf/μm2以下であることがさらに好ましく、125mgf/μm2以下であることがより好ましい。
まず、窒化アルミニウム(AlN)からなるセラミックス基板11を準備し、図8に示すように、回路層12となる銅板22とセラミックス基板11との間、及び、金属層13となる銅板23とセラミックス基板11との間に、接合材としてAg−Ti系ろう材(Ag−Cu−Ti系ろう材)24を配設する。
なお、Ag−Ti系ろう材(Ag−Cu−Ti系ろう材)24としては、例えば、Cuを0mass%以上32mass%以下の範囲内、活性金属であるTiを0.5mass%以上20mass%以下の範囲で含み、残部がAg及び不可避不純物とされた組成のものを用いることが好ましい。また、Ag−Ti系ろう材(Ag−Cu−Ti系ろう材)24の厚さは、2μm以上10μm以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、セラミックス基板11及び銅板22,23を積層方向に加圧した状態で、真空またはアルゴン雰囲気の加熱炉内に装入して加熱して保持する。
ここで、低温保持工程S02における保持温度は、CuとAlの共晶点温度以上、かつ、AgとCuの共晶点温度未満の温度範囲とされている。また、この低温保持工程S02において、上述の保持温度における温度積分値は、30℃・h以上400℃・h以下の範囲内とする。
また、低温保持工程S02における加圧荷重は、0.098MPa以上2.94MPa以下の範囲内とすることが好ましい。
次に、銅板22、23とセラミックス基板11とを加圧した状態で、真空雰囲気の加熱炉内で加熱し、Ag−Ti系ろう材(Ag−Cu−Ti系ろう材)24を溶融する。
ここで、加熱工程S03における加熱温度は、AgとCuの共晶点温度以上850℃以下の範囲内とされている。なお、この加熱温度を低く抑えることにより、活性金属化合物層41における活性金属化合物粒子の最大粒子径を小さく抑えることが可能となる。加熱温度の上限は845℃以下とすることが好ましく、835℃以下とすることがより好ましく、825℃以下とすることがさらに好ましい。
また、この加熱工程S03において、上述の加熱温度における温度積分値は、4℃・h以上200℃・h以下の範囲内とする。好ましくは、4℃・h以上150℃・h以下の範囲内とするとよい。
また、この加熱工程S03における加圧荷重は、0.049MPa以上2.94MPa以下の範囲内とする。
そして、加熱工程S03の後、冷却を行うことにより、溶融したAg−Ti系ろう材(Ag−Cu−Ti系ろう材)24を凝固させる。
なお、この冷却工程S04における冷却速度は、特に限定はないが、2℃/min以上10℃/min以下の範囲内とすることが好ましい。
その結果、活性金属化合物(本実施形態ではTiN)の粒界にAl及びCu,Agは、が凝集して存在することになる。
次に、絶縁回路基板10の金属層13の他方の面側にヒートシンク30を接合する。
絶縁回路基板10とヒートシンク30とを、はんだ材を介して積層して加熱炉に装入し、はんだ層32を介して絶縁回路基板10とヒートシンク30とをはんだ接合する。
次に、絶縁回路基板10の回路層12の一方の面に、半導体素子3をはんだ付けにより接合する。
上述の工程により、図1に示すパワーモジュール1が製出される。
そして、低温保持工程S02において、反応によって生じた液相(Al−Cu共晶液相)を介して活性金属(Ti)がセラミックス基板11側に十分に拡散しているので、セラミックス基板11と回路層12(金属層13)とを強固に接合することができる。よって、冷熱サイクル信頼性を向上させることができる。
さらに、活性金属化合物層41における活性金属化合物粒子の最大粒子径が180nm以下とされている場合には、活性金属化合物層41において相対的に硬度の低い粒界領域(金属相)が占める割合が増加して、活性金属化合物層41の耐衝撃性が向上し、活性金属化合物層41におけるクラックの発生を抑制することが可能となる。よって、端子材等を回路層12(金属層13)へ超音波接合するために、絶縁回路基板10(銅/セラミックス接合体)に、超音波を負荷させた場合であっても、回路層12(金属層13)とセラミックス基板11の剥離や、セラミックス基板11でのクラックの発生を抑制することができる。
一方、上述の最大押し込み硬さが135mgf/μm2以下に抑えられている場合には、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板に半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板の回路層にLED素子を搭載してLEDモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
例えば、回路層とセラミックス基板とが本発明の銅/セラミックス接合体で構成されていれば、金属層の材質や接合方法に限定はなく、金属層がなくてもよいし、金属層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよく、銅とアルミニウムの積層体で構成されていてもよい。
一方、金属層とセラミックス基板とが本発明の銅/セラミックス接合体で構成されていれば、回路層の材質や接合方法に限定はなく、回路層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていてもよく、銅とアルミニウムの積層体で構成されていてもよい。
また、本実施形態では、セラミックス基板が窒化アルミニウム(AlN)で構成されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、酸化アルミニウム(Al2O3)等の他のアルミニウム含有セラミックスで構成されたものであってもよい。
まず、表1に示す材質からなるセラミックス基板(40mm×40mm×0.635mm)を準備した。
このセラミックス基板の両面に、無酸素銅からなる銅板(37mm×37mm×厚さ0.3mm)を、表1に示す活性金属を含むAg−Cu系ろう材(組成:Cu28mass%,活性金属1mass%、残部がAg及び不可避不純物、厚さ:6μm)を用いて、表1に示す条件で銅板とセラミックス基板とを接合し、絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)を得た。なお、接合時の真空炉の真空度は5×10−3Paとした。
活性金属化合物層における粒界を透過型電子顕微鏡 (FEI社製 Titan ChemiSTEM)を用いて加速電圧 200kV、倍率50万倍から70万倍で元素マッピングを取得し、AlとCuの共存する領域が存在した場合を、粒界に Al及びCuが「有」と判断した。
活性金属化合物層における粒界を透過型電子顕微鏡 (FEI社製 Titan ChemiSTEM)を用いて加速電圧 200kV、倍率50万倍から70万倍で、粒界を横切るようにライン分析を実施した。
セラミックス基板がAlNの場合には、Agの濃度がCu,Ag,Al,N及び活性金属元素の合計値を100原子%としてAgの濃度が0.4原子%以上のとき、粒界にAgが「有」と判断した。
セラミックス基板がAl2O3の場合には、Agの濃度がCu,Ag,Al,O及び活性金属元素の合計値を100原子%としてAgの濃度が0.4原子%以上のとき、粒界にAgが「有」と判断した。
銅板とセラミックス基板との接合界面から銅板側へ10μmから50μmまでの領域において、押し込み硬さ試験機(株式会社エリオニクス製ENT−1100a)を用いて、最大押し込み硬さを測定した。なお、図10に示すように、10μm間隔で測定を実施し、測定は50箇所で実施した。評価結果を表1に示す。
以下の雰囲気を通炉させた後、SAT検査により、銅板とセラミックス基板の接合界面を検査し、セラミックス割れの有無を判定した。
−78℃×2min←→350℃×2min
そして、割れ発生のサイクル数を評価した。6回未満で割れが確認されたものを「C」、6回以上8回未満で割れが確認されたものを「B」、8回以上でも割れが確認されなかったものを「A」と評価した。評価結果を表1に示す。
低温保持工程における温度積分値が0℃・hとされた比較例2においては、活性金属化合物層の粒界にAl及びCuが確認されず、冷熱サイクル信頼性が「C」となった。
加熱工程における温度積分値が1.5℃・hとされた比較例3においては、銅板とセラミックス基板とを十分に接合することができなかった。このため、その他の評価を中止した。
特に、銅板とセラミックス基板との接合界面から銅板側へ10μmから50μmまでの領域における最大押し込み硬さが70mgf/μm2以上135mgf/μm2以下の範囲内とされた本発明例1−6においては、冷熱サイクル信頼性が「A」となり、特に冷熱サイクル信頼性に優れていた。
表2に示す条件で、上述の実施例1と同様の手順により、銅板とセラミックス基板とを接合し、絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)を得た。
得られた絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)について、実施例1と同様の手順により、活性金属化合物層における粒界のAl及びCu、Agの有無、接合界面近傍の最大押し込み硬さ、を評価した。
また、活性金属化合物層における活性金属化合物粒子の最大粒子径、超音波接合性を、以下のようにして評価した。
活性金属化合物層を透過型電子顕微鏡 (FEI社製 Titan ChemiSTEM)を用いて倍率50万倍で観察し、HAADF像を得た。
このHAADF像の画像解析により、活性金属化合物粒子の円相当径を算出した。10視野における画像解析の結果から、観察された活性金属化合物粒子の最大の円相当径を、最大粒子径として表2に示した。
絶縁回路基板に対して、超音波金属接合機(超音波工業株式会社製:60C−904)を用いて、銅端子(6mm×20mm×1.5mm厚)を、荷重800N,コプラス量0.7mm,接合エリア3mm×3mmの条件で超音波接合した。なお、銅端子はそれぞれ50個ずつ接合した。
接合後に、超音波探傷装置(株式会社日立ソリューションズ製FineSAT200)を用いて、銅板とセラミックス基板の接合界面を検査した。50個中5個以上で銅板とセラミックス基板との剥離又はセラミックス割れが観察されたものを「D」、50個中3個以上4個以下で銅板とセラミックス基板との剥離又はセラミックス割れが観察されたものを「C」、50個中1個以上2個以下で銅板とセラミックス基板との剥離又はセラミックス割れが観察されたものを「B」、50個全てで銅板とセラミックス基板との剥離又はセラミックス割れが観察されなかったものを「A」と評価した。評価結果を表2に示す。
11 セラミックス基板(セラミックス部材)
12 回路層(銅部材)
13 金属層(銅部材)
41 活性金属化合物層
特に、銅板とセラミックス基板との接合界面から銅板側へ10μmから50μmまでの領域における最大押し込み硬さが70mgf/μm2以上112mgf/μm 2 以下の範囲内とされた本発明例1,3−6においては、冷熱サイクル信頼性が「A」となり、特に冷熱サイクル信頼性に優れていた。
Claims (10)
- 銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス部材とが接合されてなる銅/セラミックス接合体であって、
前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面においては、前記セラミックス部材側に、Ti,Zr,Nb,Hfから選択される1種又は2種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、
この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にAl及びCuが存在していることを特徴とする銅/セラミックス接合体。 - 前記活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にAgが存在していることを特徴とする請求項1に記載の銅/セラミックス接合体。
- 前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面から前記銅部材側へ10μmから50μmまでの領域における最大押し込み硬さが70mgf/μm2以上135mgf/μm2以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の銅/セラミックス接合体。
- 前記活性金属がTiであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の銅/セラミックス接合体。
- 前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が180nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の銅/セラミックス接合体。
- アルミニウム含有セラミックスからなるセラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、
前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面においては、前記セラミックス基板側に、Ti,Zr,Nb,Hfから選択される1種又は2種以上の活性金属の化合物を含む活性金属化合物層が形成されており、
この活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にAl及びCuが存在していることを特徴とする絶縁回路基板。 - 前記活性金属化合物層においては、活性金属化合物の粒界にAgが存在していることを特徴とする請求項6に記載の絶縁回路基板。
- 前記銅板と前記セラミックス基板との接合界面から前記銅板側へ10μmから50μmまでの領域における最大押し込み硬さが70mgf/μm2以上135mgf/μm2以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の絶縁回路基板。
- 前記活性金属がTiであることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の絶縁回路基板。
- 前記活性金属化合物層における前記活性金属化合物粒子の最大粒子径が180nm以下であることを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか一項に記載の絶縁回路基板。
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