JP6801578B2 - 電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、電子機器に関する。
特許文献1の半導体装置は、絶縁性の基板の表面に導電性の回路層が形成されている第1回路基板を備えている。第1回路基板の回路層には、MOSトランジスタ等の複数の半導体素子が実装されている。また、第1回路基板の回路層には、複数の端子部が実装されている。端子部は、第1回路基板上に配置されている長方形板状(帯状)の基部と、その基部の中央から上側に立設されている略円柱状の外部接続部とを備えている。
また、特許文献1の半導体装置は、第1回路基板の上側に配置された第2回路基板を備えている。第2回路基板における上側の面(第1回路基板とは反対側の面)には、コンデンサ等の電子部品が実装されている。第2回路基板には、当該第2回路基板を厚み方向に貫通する貫通孔が設けられている。第2回路基板の貫通孔には、第1回路基板に実装されている端子部の外部接続部が挿通されており、端子部の外部接続部の突出先端側の一部は、第2回路基板よりも上側へと突出している。また、端子部の基部は、第1回路基板と第2回路基板との間に位置している。
特開2014−011319号公報
特許文献1の半導体装置のような電子機器においては、第2回路基板における下側(第1回路基板側)の回路層が、端子部の基部や第1回路基板の回路層に接触して短絡することを防ぐ必要がある。そこで、端子部の基部と第2回路基板との間に、両者を絶縁するためのインシュレータを介在させることが考えられる。このようにインシュレータを介在させることによって、端子部の基部と第2回路基板とが直接接触することがなく、両者が絶縁される。また、インシュレータの厚みによって、第1回路基板と第2回路基板との間にある程度の間隔が確保され、第1回路基板の回路層と第2回路基板の回路層とが不用意に接触することが抑制される。
しかしながら、端子部の基部と第2回路基板との間にインシュレータが介在されている場合、インシュレータを含めた電子機器全体での部品点数が増加してしまう。そのため、第1回路基板に対してインシュレータや第2回路基板を組み付けるための製造工程が煩雑化するおそれがあり、好ましくない。
上記課題を解決するための電子機器は、表面に導電性の回路層を有している第1回路基板と、前記第1回路基板の前記回路層に実装されている端子部と、前記第1回路基板における前記端子部が実装されている側に対向配置されている第2回路基板とを備えている電子機器であって、前記端子部は、前記第1回路基板と前記第2回路基板との間に位置する基部を備え、前記基部及び前記第2回路基板の一方には、前記基部及び前記第2回路基板の他方側に向かって突出し、前記基部及び前記第2回路基板の他方に当接しているスペーサ部が設けられ、前記第2回路基板における前記第1回路基板側の表面には、前記スペーサ部を外側から囲むように絶縁部が設けられている。
上記構成によれば、第2回路基板と端子部の基部との間には、少なくともスペーサ部の突出長さ以上の間隔が確保される。したがって、第1回路基板と第2回路基板との間には、端子部の基部の厚み寸法にスペーサ部の突出長さを加算した長さ以上の間隔が確保できる。そのため、第1回路基板と第2回路基板との間に相応の間隔を確保して、第1回路基板の回路層と第2回路基板の回路層とが不用意に接触することを抑制できる。また、第2回路基板における第1回路基板側の面には、絶縁部がスペーサ部を囲むように設けられている。そのため、スペーサ部を介して端子部の基部と第2回路基板の回路層とが短絡することはなく、両者の間の絶縁性を確保できる。
そして、上記構成のスペーサ部は、端子部の基部又は第2回路基板から突出するものであり、端子部の基部及び第2回路基板のいずれか一方と一体的なものである。したがって、端子部の基部と第2回路基板との間の絶縁性や間隔を確保するための別体の部品を両者の間に介在させる構成に比べて電子機器全体での部品点数を抑制でき、第1回路基板に対してインシュレータや第2回路基板を組み付けるための製造工程が煩雑化することを抑制できる。
上記電子機器において、前記スペーサ部は、前記基部から前記第2回路基板側に向かって突出しているとともに、前記基部との一体成形物であることが好ましい。
上記構成によれば、端子部の形状を変更するのみで、第1回路基板や第2回路基板の形状や製造方法等を大きく変えなくても、上記スペーサ部に関する構成を採用できる。したがって、上記スペーサ部に関する構成を採用するにあたって必要となるコスト等を抑えることができる。
上記電子機器において、前記第2回路基板は、前記第1回路基板側の表面に導電性の回路層を備え、前記絶縁部は、前記第2回路基板の厚み方向において前記回路層と同一の層に位置している絶縁性の樹脂層であることが好ましい。
上記構成によれば、例えば、空隙(空気)によって絶縁性を確保するのに比べて、より確実な絶縁性を確保できる。また、上記構成によれば、例えば、第2回路基板の回路層を形成する過程で、絶縁部(樹脂層)も形成することができるため、絶縁部(樹脂層)を含めた第2回路基板の製造工程が煩雑化しにくい。
上記電子機器において、前記第1回路基板における前記第2回路基板とは反対側には支持ベースが配置されており、前記第2回路基板、前記基部、及び前記第1回路基板は、前記第2回路基板、前記基部、及び前記第1回路基板を貫通しているねじによって前記支持ベースに固定されており、前記基部には、前記第1回路基板側の面から前記第2回路基板側に向かって窪んだ凹部が設けられており、前記凹部の底面には、前記ねじが貫通されている挿通孔が開口しており、前記凹部の底面と当該底面に対して立ち上がる側面との境界部は、前記底面側に向かうほど前記挿通孔に近くなるように傾斜する傾斜面になっていてもよい。
上記構成では、ねじによる締結力が、端子部における基部にも作用する。特に、上記構成では、基部に凹部が設けられているため、当該凹部における底面とその底面から立ち上がる側面との境界部に、ねじによる締結力が集中して作用しやすい。上記構成によれば、この凹部の底面と側面との境界部が傾斜面となっているため、ねじによる締結力を傾斜面全体に分散して作用させることができる。そのため、凹部の特定の部分にねじによる締結力が集中して作用して基部が変形してしまうといった事態は生じにくい。
上記電子機器において、前記凹部における前記第1回路基板側の開口縁は、円弧状に延びていてもよい。
上記構成では、端子部の凹部の開口縁が円弧形状になっていて、尖った部分が存在しない。そのため、ねじによる締結力によって端子部における凹部の開口縁が第1回路基板に押し付けられても、第1回路基板が端子部における凹部の開口縁によって傷つけられることは抑制できる。
本発明によれば、端子部の基部と第2回路基板との間の絶縁性や間隔を確保するための別体の部品を両者の間に介在させる構成に比べて電子機器全体での部品点数を抑制でき、第1回路基板に対してインシュレータや第2回路基板を組み付けるための製造工程が煩雑化することを抑制できる。
電子機器の分解斜視図。 U相出力端子部の斜視図。 U相出力端子部の斜視図。 電子機器の部分断面図。
以下、本発明の電子機器を産業車両に搭載される半導体素子に具体化した一実施形態を図1〜図4にしたがって説明する。
図1に示すように、電子機器としての半導体装置10は、支持ベースとして、長方形板状のヒートシンク11を備えている。ヒートシンク11は、アルミニウム系金属や銅等で形成されている。このヒートシンク11の上面には、半導体モジュール20が支持されている。半導体モジュール20は、ヒートシンク11に固定されている略長方形板状の第1回路基板21を備えている。なお、本実施形態では、第1回路基板21の長辺方向を長さ方向とし、長辺方向に直交する短辺方向を幅方向として説明する。また、第1回路基板21の面方向に直交する方向を上下方向として説明する。
図4に示すように、第1回路基板21は、金属基板の上面に絶縁コーティングが施されている基板部22を備えている。なお、図4では、金属基板とその上面の絶縁コーティングとの積層構造を省略し、基板部22を一枚の板材として図示している。基板部22の上面には、銅又はアルミニウムから構成された導電性の回路層23が形成されている。
図1に示すように、第1回路基板21の回路層23には、複数の半導体素子31が実装されている。複数の半導体素子31はそれぞれ、四角形状であり、第1回路基板21の回路層23にはんだ付けにて実装されている。なお、本実施形態では、半導体素子31としてMOSトランジスタを採用している。
複数の半導体素子31は、6つの半導体素子群G1〜G6に分かれて配置されている。各半導体素子群G1〜G6において、各半導体素子31は、第1回路基板21の幅方向に沿って一列に並んでいる。半導体素子群G1〜G6は、第1回路基板21の長さ方向の一端側から他端側に向かって複数列(6列)並ぶように配設されている。
第1回路基板21の長さ方向の一端側には、アルミニウム製の正極側入力電極91が実装されている。正極側入力電極91は、第1回路基板21の回路層23に配置されている略板状の接続用電極部92を備えている。接続用電極部92の略中央からは、略円柱状の外部接続用電極部93が立設されている。
第1回路基板21の長さ方向の他端側には、アルミニウム製の負極側入力電極96が実装されている。負極側入力電極96は、第1回路基板21の回路層23に配置されている略板状の接続用電極部97を備えている。接続用電極部97の略中央からは、略円柱状の外部接続用電極部98が立設されている。
第1回路基板21における正極側入力電極91と負極側入力電極96との間には、産業車両の車載モータに接続されるアルミニウム製のU相出力端子部60、V相出力端子部70、及びW相出力端子部80が実装されている。すなわち、本実施形態では、3つの出力端子部が第1回路基板21の回路層23に実装されている。
U相出力端子部60は、第1半導体素子群G1と第2半導体素子群G2との間において、第1回路基板21の回路層23に実装されている。U相出力端子部60は、第1回路基板21の幅方向に沿って延びている略長方形板状(略帯状)の基部61を備えている。基部61の略中央からは、円柱状の外部接続部69が立設されている。
V相出力端子部70は、第3半導体素子群G3と第4半導体素子群G4との間において、第1回路基板21の回路層23に実装されている。V相出力端子部70は、第1回路基板21の幅方向に沿って延びている略長方形板状(略帯状)の基部71を備えている。基部71の略中央からは、円柱状の外部接続部79が立設されている。
W相出力端子部80は、第5半導体素子群G5と第6半導体素子群G6との間において、第1回路基板21の回路層23に実装されている。W相出力端子部80は、第1回路基板21の幅方向に沿って延びている略長方形板状(略帯状)の基部81を備えている。基部81の略中央からは、円柱状の外部接続部89が立設されている。
図1に示すように、第2半導体素子群G2と第3半導体素子群G3との間には、略長方形板状(略帯状)の負極側中継端子52が配設されている。負極側中継端子52は、第1回路基板21の幅方向に沿って延びている。第4半導体素子群G4と第5半導体素子群G5との間には、略長方形板状(略帯状)の正極側中継端子51が配設されている。正極側中継端子51は、第1回路基板21の幅方向に沿って延びている。
各半導体素子群G1〜G6の電気的な接続構造について説明する。第1半導体素子群G1のドレイン用の回路層23は、正極側入力電極91の接続用電極部92に電気的に接続されている。第4半導体素子群G4及び第5半導体素子群G5のドレイン用の回路層23は、正極側中継端子51を介して正極側入力電極91に電気的に接続されている。第2半導体素子群G2及び第3半導体素子群G3のソース用の回路層23は、負極側中継端子52を介して負極側入力電極96と電気的に接続されている。第6半導体素子群G6のソース用の回路層23は、負極側入力電極96の接続用電極部97と電気的に接続されている。
第1半導体素子群G1のソース電極は、U相出力端子部60の基部61に電気的に接続されている。第2半導体素子群G2のドレイン電極はU相出力端子部60の基部61に電気的に接続されている。第4半導体素子群G4のソース電極は、V相出力端子部70の基部71に電気的に接続されている。第3半導体素子群G3のドレイン電極はV相出力端子部70の基部71に電気的に接続されている。第5半導体素子群G5のソース電極は、W相出力端子部80の基部81に電気的に接続されている。第6半導体素子群G6のドレイン電極はW相出力端子部80の基部81に電気的に接続されている。
図1に示すように、半導体モジュール20の上側には、コンデンサモジュール40が配置されている。コンデンサモジュール40は、第1回路基板21と平行となるように対向配置されている略長方形板状の第2回路基板41を備えている。第2回路基板41は、第1回路基板21と略同じ形状になっており、第1回路基板21の長さ方向に沿って延びている。
図4に示すように、第2回路基板41は、金属基板の上面に絶縁コーティングが施されている基板部42を備えている。なお、第1回路基板21の基板部22と同様に、図4では、金属基板とその上面の絶縁コーティングとの積層構造を省略し、基板部42を一枚の板材として図示している。基板部42の上面には、銅又はアルミニウムから構成された導電性の上回路層43が形成されている。また、基板部42の下面には、銅又はアルミニウムから構成された導電性の下回路層44が形成されている。図1に示すように、第2回路基板41の上回路層43又は下回路層44には、半導体素子群G1〜G6に対応して複数のコンデンサCが実装されている。
図1に示すように、第2回路基板41には、当該第2回路基板41の厚み方向に貫通する貫通孔47が設けられている。貫通孔47は、U相出力端子部60、V相出力端子部70、及びW相出力端子部80に対応して3つ設けられており、第1回路基板21の長さ方向に並んでいる。また、第2回路基板41の長さ方向の両縁部には、第2回路基板41の長さ方向の内側中央側へ凹んだ切欠部48が形成されている。各切欠部48は、第2回路基板41における幅方向の中央域に位置している。
第2回路基板41の両切欠部48には、正極側入力電極91及び負極側入力電極96の外部接続用電極部93、98がそれぞれ配置されている。また、第2回路基板41の各貫通孔47には、第1回路基板21に実装されているU相出力端子部60の外部接続部69、V相出力端子部70の外部接続部79、及びW相出力端子部80の外部接続部89が挿通されている。U相出力端子部60の外部接続部69、V相出力端子部70の外部接続部79、及びW相出力端子部80の外部接続部89の突出先端側の一部は、第2回路基板41よりも上側へと突出している。U相出力端子部60の基部61、V相出力端子部70の基部71、及びW相出力端子部80の基部81は、第1回路基板21と第2回路基板41との間に位置している。
上記のように構成された半導体装置10においては、U相出力端子部60、V相出力端子部70、及びW相出力端子部80の外部接続部69、79、89が、制御回路に電気的に接続されている。この制御回路を通じた制御によって半導体装置10から車載走行モータに電力が供給される。
次に、U相出力端子部60の基部61、V相出力端子部70の基部71、及びW相出力端子部80の基部81の構成とその周辺構成とについてより具体的に説明する。なお、U相出力端子部60、V相出力端子部70、及びW相出力端子部80は同様の構成になっているため、U相出力端子部60の基部61を例にして説明し、V相出力端子部の基部71、及びW相出力端子部80の基部81の説明については省略する。
図2に示すように、U相出力端子部60における基部61の上面からは、上側(第2回路基板41側)に向かってスペーサ部66が突出している。この実施形態では、スペーサ部66は、基部61との一体成形物となっている。スペーサ部66は、基部61の長手方向において基部61の中央と端部との間に位置しており、外部接続部69を挟んで一対設けられている。スペーサ部66は、基部61を上側から平面視したときに略楕円形状になっている。図4に示すように、スペーサ部66の上面は、第2回路基板41の下面(下回路層44の下面)に当接している。
図3に示すように、U相出力端子部60における基部61には、基部61の下面(第1回路基板21側の面)から上側(第2回路基板41側)に向かって窪んだ凹部62が設けられている。凹部62は、スペーサ部66の下方に位置しており、スペーサ部66に対応して一対設けられている。凹部62は、基部61を下側から底面視したときに略楕円形状になっている。また、凹部62は、基部61の短手方向の一方の側面に開口しているとともに他方の側面にも開口している。すなわち、凹部62は、基部61の短手方向に開放したような形状になっている。また、凹部62における下側(第1回路基板21側)の縁である開口縁62dの端部は、基部61を下側から底面視したときにR面取りしたような形状になっている。すなわち、開口縁62dの全域は、略円弧状に延びていて、尖った角形状となる箇所が存在しないようになっている。また、凹部62の底面62aは基部61の下面に対して平行になっており、凹部62の側面62bは底面62aに対して略垂直に立ち上がっている。
図4に示すように、基部61及びスペーサ部66には、上下方向に貫通している挿通孔63が設けられている。挿通孔63は、スペーサ部66の中央に位置するとともに凹部62の中央に位置している。すなわち、凹部62の底面62aの中央には、挿通孔63が開口している。
図3及び図4に示すように、凹部62における底面62aと側面62bとの境界部には、傾斜面62cが設けられている。図4に示すように、凹部62の傾斜面62cは、底面62a側(上側)に向かうほど挿通孔63に近くなるように直線状に傾斜している。なお、傾斜面62cは、底面62aに対しておよそ45°の傾きとなっている。
図4に示すように、第1回路基板21には、当該第1回路基板21の厚み方向に貫通している挿通孔26が設けられている。挿通孔26は、U相出力端子部60の2つの挿通孔63に対応して、2つ設けられている。各挿通孔26は、U相出力端子部60の各挿通孔63の下方において、各挿通孔63に対して対向配置されている。なお、第1回路基板21の挿通孔26は、U相出力端子部60の挿通孔63、V相出力端子部70の挿通孔、及びW相出力端子部80の挿通孔に対応して合計6つ設けられている。
ヒートシンク11には、当該ヒートシンク11の上面から下面側に向かって窪んだねじ穴12が設けられている。ねじ穴12は、U相出力端子部60の各挿通孔63の下方に位置している。なお、ねじ穴12は、U相出力端子部60の挿通孔63、V相出力端子部70の挿通孔、及びW相出力端子部80の挿通孔に対応して合計6つ設けられている。
第2回路基板41には、当該第2回路基板41の厚み方向に貫通している挿通孔46が設けられている。挿通孔46は、U相出力端子部60の2つの挿通孔63に対応して、2つ設けられている。各挿通孔26は、U相出力端子部60の各挿通孔63の上方において、各挿通孔63に対して対向配置されている。なお、挿通孔46は、U相出力端子部60の挿通孔63、V相出力端子部70の挿通孔、及びW相出力端子部80の挿通孔に対応して合計6つ設けられている。
第2回路基板41の挿通孔46及びU相出力端子部60の挿通孔63には、ねじ用インシュレータ53が取り付けられている。ねじ用インシュレータ53は、絶縁性の樹脂材料により形成されている。ねじ用インシュレータ53は、円筒状の円筒部54を備えている。円筒部54の外径は挿通孔46及び挿通孔63の内径と略同じになっており、円筒部54は挿通孔46及び挿通孔63に嵌め込まれている。円筒部54の上縁からは、径方向外側に向かって板状のフランジ部55が延びている。フランジ部55の下面は、第2回路基板41の上回路層43の上面に当接している。ねじ用インシュレータ53の円筒部54の内部には、ねじ56が挿通されている。ねじ56は、第2回路基板41の挿通孔46、U相出力端子部60の挿通孔63、第1回路基板21の挿通孔26を貫通してヒートシンク11のねじ穴12に螺合されている。すなわち、第2回路基板41、U相出力端子部60の基部61、及び第1回路基板21は、ねじ56によってヒートシンク11に固定されている。なお、ねじ用インシュレータ53及びねじ56は、U相出力端子部60の挿通孔63、V相出力端子部70の挿通孔、及びW相出力端子部80の挿通孔に対応して合計6つ設けられている。
図4に示すように、第2回路基板41の下面(第1回路基板21側の面)には、下回路層44の一部であってスペーサ部66に当接している当接回路層44aが設けられている。当接回路層44aは、挿通孔63を囲む円環形状になっており、当接回路層44aの外径は略楕円形状であるスペーサ部66の楕円の長径と同じになっている。また、当接回路層44aの内径は、U相出力端子部60の挿通孔63の内径と同じになっている。
第2回路基板41の下面(第1回路基板21側の面)には、当接回路層44aの径方向外側に絶縁性の絶縁部45が設けられている。絶縁部45は、下回路層44のうちのスペーサ部66が当接していない回路パターン層44bと当接回路層44aとの間の隙間を埋める樹脂層として設けられている。すなわち、絶縁部45は、第2回路基板41の厚み方向において下回路層44と同一の層に位置している絶縁性の樹脂層である。この実施形態では、絶縁部45は、当接回路層44aを囲む円環形状になっており、U相出力端子部60のスペーサ部66を外側から囲っている。なお、第2回路基板41の下回路層44に実装されているコンデンサCは、下回路層44のうちの回路パターン層44bに実装されている。
次に、本実施形態の効果を作用とともに説明する。なお、以下の説明では、U相出力端子部60の効果等について説明するが、V相出力端子部70やW相出力端子部80についても同様のことがいえる。
(1)図4に示すように、第2回路基板41とU相出力端子部60の基部61との間には、スペーサ部66の突出長さ分の間隔が確保されている。したがって、第1回路基板21と第2回路基板41との間には、U相出力端子部60の基部61の厚み寸法にスペーサ部66の突出長さを加算した長さの間隔が確保できる。そのため、第1回路基板21と第2回路基板41との間に相応の間隔を確保して、第1回路基板21の回路層23と第2回路基板41の下回路層44とが不用意に接触することを抑制できる。
また、第2回路基板41の下面(第1回路基板21側の面)には、絶縁部45がスペーサ部66を囲むように設けられている。すなわち、絶縁部45によって、当接回路層44aと回路パターン層44bとが絶縁されている。そのため、スペーサ部66を介してU相出力端子部60の基部61と第2回路基板41における下回路層44の回路パターン層44bとが短絡することはなく、両者の間の絶縁性を確保できる。
ここで、U相出力端子部60の基部61と第2回路基板41における下回路層44の回路パターン層44bとを絶縁するための構成として、例えば、第2回路基板41とU相出力端子部60の基部61との間に板状のインシュレータを介在させる構成が考えられる。しかしながら、この構成の場合、インシュレータを含めた電子機器全体での部品点数が増加してしまう。そして、第1回路基板21に対してインシュレータや第2回路基板41を組み付けるための製造工程が煩雑化するおそれがある。
これに対して本実施形態においては、スペーサ部66は、U相出力端子部60の基部61から突出するものであり、U相出力端子部60の基部61と一体的なものである。よって、U相出力端子部60の基部61と第2回路基板41における下回路層44の回路パターン層44bとの間の絶縁性や間隔を確保するために両者の間に別体のインシュレータを介在させる構成に比べて電子機器全体での部品点数を抑制できる。そして、第1回路基板21に対してインシュレータや第2回路基板41を組み付けるための製造工程が煩雑化することを抑制できる。
(2)スペーサ部66は、U相出力端子部60の基部61から突出しており、U相出力端子部60の基部61との一体成形物である。そのため、第1回路基板21や第2回路基板41の形状や製造方法等を大きく変えなくても、U相出力端子部60の形状を変更することでスペーサ部66に関する構成を採用できる。したがって、スペーサ部66に関する構成を採用するにあたって必要となるコスト等を抑えることができる。
(3)絶縁部45は絶縁性の樹脂層であるため、例えば、空隙(空気)によって絶縁性を確保するのに比べて、より確実な絶縁性を確保できる。
(4)絶縁部45は、第2回路基板41の厚み方向において下回路層44と同一の層に位置している。そのため、第2回路基板41の下回路層44を形成する過程で、絶縁部45(樹脂層)も形成しやすい。例えば、第2回路基板41の下回路層44の製造工程において、第2回路基板41の下面の銅又はアルミニウムから構成された導電層のうちの下回路層44となる部分以外の部分をエッチングによって除去加工する。すなわち、この除去加工において絶縁部45が設けられる部分もエッチングによって除去加工される。そして、下回路層44における当接回路層44aと回路パターン層44bとの間の部分に樹脂材を充填することで、絶縁部45(樹脂層)を形成することができる。このような製造方法であれば、例えば、絶縁部45を有していない第2回路基板41を製造した後に、別体の絶縁部45を取り付ける場合に比較して、絶縁部45(樹脂層)を含めた第2回路基板41の製造工程が煩雑化しにくい。
(5)第2回路基板41、U相出力端子部60の基部61、及び第1回路基板21は、ねじ56によってヒートシンク11に固定されている。そのため、ねじ56による締結力は、U相出力端子部60の基部61にも作用する。特に、U相出力端子部60の基部61には凹部62が設けられているため、仮に傾斜面62cが設けられていない場合には、凹部62における底面62aと側面62bとの境界部にねじ56による締結力が集中して作用しやすい。
これに対して、凹部62における底面62aと側面62bとの境界部が傾斜面62cとなっているため、ねじ56による締結力を傾斜面62cに分散して作用させることができる。そのため、凹部62の特定の部分にねじ56による締結力が集中して基部61が変形してしまうといった事態は生じにくい。
(6)U相出力端子部60における凹部62の開口縁62dは円弧状になっていて、尖った部分が存在しない。そのため、ねじ56の締結力によってU相出力端子部60における凹部62の開口縁62dが第1回路基板21に押し付けられても、第1回路基板21がU相出力端子部60における凹部62の開口縁62dによって傷つけられることは抑制できる。
上記の実施形態は、以下のように変更できる。
○ 上記実施形態では、U相出力端子部60における基部61の上面から上側(第2回路基板41側)に向かってスペーサ部66が突出していたが、第2回路基板41の下面から下側(基部61側)にスペーサ部が突出していてもよい。この場合には、第2回路基板41とスペーサ部とが一体成形物となっていることが好ましい。
○ 第2回路基板41からスペーサが突出する構成の場合、例えば、第2回路基板41の下面に対して別体のスペーサ部を接着固定することで、両者を一体化してもよい。この場合、ねじ56によって第1回路基板21と第2回路基板41とを組み付ける作業よりも前に第2回路基板41とスペーサ部66とが一体となっていれば、第1回路基板21に第2回路基板41を組み付ける作業においては、製造工程が煩雑化することを抑制できる。
○ 上記実施形態では、絶縁部45が絶縁性の樹脂層であったが、これに限らない。例えば、下回路層44における当接回路層44aと回路パターン層44bとの間に樹脂を充填することなく、空気(空隙)によって絶縁部45を構成してもよい。
○ 配線基板においては、回路層に配線パターンを形成した後、電子部品をはんだ付けする箇所(ランド)以外の領域に、絶縁性の樹脂(レジスト)を塗布して、はんだ付け時の短絡を防止することがある。下回路層44における当接回路層44aと回路パターン層44bとの間に、上記絶縁性の樹脂(レジスト)が充填された場合には、この絶縁性の樹脂の一部が絶縁部45としても機能し得る。
○ 上記実施形態では、絶縁部45が円環形状になっていたが、絶縁部45が楕円環形状や多角形環形状になっていてもよい。この場合にも、絶縁部45がスペーサ部66を外側から囲むように設けられていればよい。
○ 上記実施形態では、スペーサ部66が第2回路基板41の当接回路層44aに当接していたが、これに限らない。例えば、第2回路基板41の当接回路層44aが設けられていない場合には、スペーサ部66が第2回路基板41の基板部42に当接してもよい。
○ 上記実施形態では、凹部62の開口縁62dが円弧状に延びていたが、これに限らない。例えば、ねじ56の締結力がそれほど強くなく、凹部62の開口縁62dによって第1回路基板21が傷つけられるおそれがなければ、凹部62の開口縁62dが直線状に延びていてもよい。
○ 上記実施形態では、傾斜面62cが底面62aに対しておよそ45°で傾いていたが、底面62aに対する傾斜面62cの傾きは適宜変更してもよい。
○ また、傾斜面62cは底面62aに対して直線状に傾斜していたが、傾斜面62cは底面62a側(上側)に向かうほど挿通孔63に近くなるように円弧状に傾斜していてもよい。
○ 上記実施形態では、凹部62に傾斜面62cが設けられていたが、傾斜面62cを省略してもよい。例えば、ねじ56の締結力がそれほど強くなく、基部61が過度に変形するおそれがないのであれば、傾斜面62cを省略できる。
○ 上記実施形態では、U相出力端子部60の基部61に凹部62が設けられていたが、凹部62を省略してもよい。
○ 上記実施形態では、3つの出力端子部が第1回路基板21の回路層23に実装されていたが、電子機器の種類等によっては、出力端子部の数は変わり得る。
○ 第1回路基板21や第2回路基板41は、絶縁性の基板と導電性の回路層とが複数層に亘って繰り返し配置された多層配線基板であってもよい。
C…コンデンサ、G1…第1半導体素子群、G2…第2半導体素子群、G3…第3半導体素子群、G4…第4半導体素子群、G5…第5半導体素子群、G6…第6半導体素子群、10…半導体装置、11…ヒートシンク、12…ねじ穴、20…半導体モジュール、21…第1回路基板、22…基板部、23…回路層、26…挿通孔、31…半導体素子、40…コンデンサモジュール、41…第2回路基板、42…基板部、43…上回路層、44…下回路層、44a…当接回路層、44b…回路パターン層、45…絶縁部、46…挿通孔、47…貫通孔、48…切欠部、51…正極側中継端子、52…負極側中継端子、53…ねじ用インシュレータ、54…円筒部、55…フランジ部、56…ねじ、60…U相出力端子部、61…基部、62…凹部、62a…底面、62b…側面、62c…傾斜面、62d…開口縁、63…挿通孔、66…スペーサ部、69…外部接続部、70…V相出力端子部、71…基部、79…外部接続部、80…W相出力端子部、81…基部、89…外部接続部、91…正極側入力電極、92…接続用電極部、93…外部接続用電極部、96…負極側入力電極、97…接続用電極部、98…外部接続用電極部。

Claims (5)

  1. 表面に導電性の回路層を有している第1回路基板と、前記第1回路基板の前記回路層に実装されている端子部と、前記第1回路基板における前記端子部が実装されている側に対向配置されている第2回路基板とを備えている電子機器であって、
    前記端子部は、前記第1回路基板と前記第2回路基板との間に位置する基部を備え、
    前記基部及び前記第2回路基板の一方には、前記基部及び前記第2回路基板の他方側に向かって突出し、前記基部及び前記第2回路基板の他方に当接しているスペーサ部が設けられ、
    前記第2回路基板における前記第1回路基板側の表面には、前記スペーサ部を外側から囲むように絶縁部が設けられており、
    前記スペーサ部は、前記基部から前記第2回路基板側に向かって突出しているとともに、前記基部との一体成形物である
    ことを特徴とする電子機器。
  2. 前記第2回路基板は、前記第1回路基板側の表面に導電性の回路層を備え、
    前記絶縁部は、前記第2回路基板の厚み方向において前記回路層と同一の層に位置している絶縁性の樹脂層である
    請求項1に記載の電子機器。
  3. 前記第1回路基板における前記第2回路基板とは反対側には支持ベースが配置されており、
    前記第2回路基板、前記基部、及び前記第1回路基板は、前記第2回路基板、前記基部、及び前記第1回路基板を貫通しているねじによって前記支持ベースに固定されており、
    前記基部には、前記第1回路基板側の面から前記第2回路基板側に向かって窪んだ凹部が設けられており、
    前記凹部の底面には、前記ねじが貫通されている挿通孔が開口しており、
    前記凹部の底面と当該底面に対して立ち上がる側面との境界部は、前記底面側に向かうほど前記挿通孔に近くなるように傾斜する傾斜面になっている
    請求項1又は請求項2に記載の電子機器。
  4. 表面に導電性の回路層を有している第1回路基板と、前記第1回路基板の前記回路層に実装されている端子部と、前記第1回路基板における前記端子部が実装されている側に対向配置されている第2回路基板とを備えている電子機器であって、
    前記端子部は、前記第1回路基板と前記第2回路基板との間に位置する基部を備え、
    前記基部及び前記第2回路基板の一方には、前記基部及び前記第2回路基板の他方側に向かって突出し、前記基部及び前記第2回路基板の他方に当接しているスペーサ部が設けられ、
    前記第2回路基板における前記第1回路基板側の表面には、前記スペーサ部を外側から囲むように絶縁部が設けられており、
    前記第1回路基板における前記第2回路基板とは反対側には支持ベースが配置されており、
    前記第2回路基板、前記基部、及び前記第1回路基板は、前記第2回路基板、前記基部、及び前記第1回路基板を貫通しているねじによって前記支持ベースに固定されており、
    前記基部には、前記第1回路基板側の面から前記第2回路基板側に向かって窪んだ凹部が設けられており、
    前記凹部の底面には、前記ねじが貫通されている挿通孔が開口しており、
    前記凹部の底面と当該底面に対して立ち上がる側面との境界部は、前記底面側に向かうほど前記挿通孔に近くなるように傾斜する傾斜面になっている
    ことを特徴とする電子機器。
  5. 前記凹部における前記第1回路基板側の開口縁は、円弧状に延びている
    請求項3又は請求項4に記載の電子機器。
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