JP6798311B2

JP6798311B2 - 電子装置、及び電子装置の製造方法

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Publication number: JP6798311B2
Application number: JP2016256726A
Authority: JP
Inventors: 遼菊池; 泰治酒井; 佐々木　真; 真佐々木
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2016-12-28
Publication date: 2020-12-09
Anticipated expiration: 2036-12-28
Also published as: JP2018110155A

Description

本発明は、電子装置と、電子装置の製造方法に関する。

携帯端末の小型化、ハイパフォーマンスコンピューティング（ＨＰＣ：High Performance Computing）の普及、サーバの高機能化などにより、依然として半導体素子や電子部品の微細化への要求は高い。トランジスタの微細化においては物理的な限界を迎えており、さらなる微細化による高性能化は期待できない。そのため、２．５次元実装、３次元実装といった高集積技術が注目されている。２．５次元実装や３次元実装では、パッケージ基板を介在させないでＬＳＩ（Large-Scale Integration：大規模集積回路）同士を積層方向に接続して実装密度を高める。高集積による熱密度の増大に伴い、放熱性能の低下が懸念されており、構造や材料などによる放熱性能の改善が望まれている。

封止された半導体パッケージにフッ化炭素化合物を充填した半導体素子用冷却パッケージが知られている（たとえば、特許文献１参照）

特開平３−２３５３５８号公報

車載向けの部品などでは、高耐熱と小型化への要求が高く、ファンやクーリングプレートなど外部の冷却機構を配置するスペースの確保が困難になっている。高密度実装された電子部品の端子間をアンダーフィルで冷却する場合、微細ピッチの端子間にアンダーフィル材が充填されることになり、フィラーの径や量を増大することによる熱伝導率の向上には限界がある。

本発明は、高密度実装された電子装置の放熱性を向上することを目的とする。

一つの態様では、電子装置は、
基板の上に第１のサイズの接合部で搭載された第１の電子部品と、
前記第１の電子部品の上に、前記第１のサイズと異なる第２のサイズの接合部で搭載された第２の電子部品と、
前記基板、前記第１の電子部品、及び前記第２の電子部品で形成される積層構造体の周囲を封止する封止層と、
前記封止層の内部に充填される電気絶縁性の液体と、
を有する。

一つの側面として、高密度実装された電子装置の放熱性を向上することができる。

実施形態の電子装置の概略図である。電子装置の製造工程図である。電子装置の製造工程図である。電子装置の製造工程図である。電子装置の製造工程図である。電子装置の製造工程図である。液体充填の別の例を示す図である。フィラー粒子捕捉用のフィルタの形状例を示す図である。

図１は、実施形態の電子装置１の概略図である。電子装置１は、たとえば複数の電子部品が基板と垂直な方向に積層された半導体パッケージである。図１の例では、回路基板３上に、第１の電子部品としてのインタポーザ基板１０と、第２の電子部品としての半導体チップ２０がこの順で積層されている。回路基板３とインタポーザ基板１０は、ピッチ及び径が比較的大きな接合部４で電気的に接続されている。インタポーザ基板１０と半導体チップ２０の間は、ピッチと径が接合部４よりも小さな接合部３２で電気的に接続されている。接合部４は、たとえばはんだボールを用いたＣ４（Control Collapse Chip Connection）バンプであり、１００〜１５０μｍピッチで配置されている。接合部３２は、半導体チップ２０の接続端子２３と、インタポーザ基板１０の上面側の接続端子１３がリフローによりはんだ層３１で接合されたマイクロバンプであり、たとえば４０〜５０μｍのピッチで配置されている。より高密度な実装では、接合部４のピッチを６０〜１００μｍ、接合部３２のピッチを４０μｍ以下としてもよい。インタポーザ基板１０は基板を貫通する貫通ビア配線を有し、半導体チップ２０の微細な接続端子２３のピッチを回路基板３の接続端子のピッチに変換する。

電子装置１は、封止層４３で周囲が密閉され、封止層４３の内部の空間に冷却用の液体４５が充填されている。液体４５は電気絶縁性の冷媒であり、回路基板３とインタポーザ基板１０の間、及びインタポーザ基板１０と半導体チップ２０の間を満たして、接合部３２と接合部４を冷却する。封止層４３の形成過程で、封止材たとえば封止用樹脂が回路基板３とインタポーザ基板１０の間に流れ込まないように、回路基板３の外周に沿ってダム４１が形成されている。同様に、封止材がインタポーザ基板１０と半導体チップ２０の間に流れ込まないようにインタポーザ基板１０の外周に沿ってダム４２が形成されている。

このように、異なるサイズの接合部４及び接合部３２で積層された積層体の間に冷却用の液体を気密封止することで、外部のファンやクーリングプレートを使用せずに、電子装置１自体に冷却機能を持たせることができる。この構成は、車載搭載用の電子機器等のように狭い空間内に配置される電子機器に有利である。

冷却用の液体４５に、半導体チップ２０の動作温度で液体４５よりも熱伝導率の高い絶縁性のフィラー６１が充填されていてもよい。フィラー６１は必須ではないが、液体４５よりも熱伝導率の高いフィラー６１を分散することで、より効率的に熱を分散することができる。電気絶縁性の液体４５としてパーフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテルなどのフッ素系の冷媒を用いる場合、フィラー６１としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、シリカ（ＳｉＯ₂）、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、ベーマイト、あるいはこれらの混合物等を用いることができる。

実施形態の特徴として、電子装置１で発熱源となる領域３０の近傍にフィルタ３５が配置されている。フィルタ３５は、冷却用の液体４５を発熱源の近くまで導入して電子装置１の内部で循環させる役割を果たす。フィラー６１が用いられる場合は、フィルタ３５はフィラー６１を捕捉または堆積させ、熱対流でフィラー６１を循環させる役割を果たす。フィルタ３５は、たとえばインタポーザ基板１０の表面と電極パッド１２を保護するパッシベーション膜３６に形成されている。フィルタ３５は、半導体チップ２０のインタポーザ基板１０と対向する面の発熱源の近傍に形成されていてもよい。接合部３２が微細になるほど電流密度が高くなり、発熱しやすい。また、インタポーザ基板１０や半導体チップ２０で配線が密に形成されている領域ほど発熱しやすい。そこで、パッシベーション膜３６あるいは半導体チップ２０の対向面のうち、ホットスポットに近接する領域にフィルタ３５を形成する。半導体チップ２０やインタポーザ基板１０が全面発熱型の場合は、パッシベーション膜３６の全面にわたってフィルタ３５を形成してもよい。必要に応じて、回路基板３の発熱源の近傍にフィルタ３５を設けてもよい。

半導体チップ２０の非動作時は、フィラー６１はフィルタ３５に捕捉されて、フィルタ３５内またはフィルタ３５上に堆積されている。発熱時には、フィラー６１が熱を吸収するとともに、液体４５の熱対流で液体４５とともに電子装置１の内部を循環し、局所的に発生した熱を分散する。これにより、放熱性が向上する。

フィラー６１は、粉状、粒状、球状、楕円、円柱状、繊維状などの形状をとることができる。繊維状のフィラー６１は比表面積が大きく、熱伝導効果が高い。フィラー６１は、対流により熱を分散して液体４５内を循環する。循環してフィルタ３５の近傍に戻ってきたフィラー６１は、フィルタ３５と接触することでフィルタ３５に捕捉されるが、熱対流により、循環を繰り返す。半導体チップ２０の非動作時は、フィラー６１がフィルタ３５周辺に集まり、捕捉される。電子部品（たとえば半導体チップ２０）の発熱によるフィラー６１の流動により、局所的に発生した熱を分散させ冷却効率を向上することができる。

フィルタ３５を配置する位置は、インタポーザ基板１０に限定されず、回路基板３の発熱が大きい箇所に配置されてもよい。たとえば、配線密度の高い領域に位置する接合部４の近傍にフィルタ３５を配置することで、回路基板３とインタポーザ基板１０の間に充填された液体４５の熱対流により、フィルタ３５に捕捉されたフィラー６１を循環させることができる。

図２〜図６は、電子装置１の製造工程図である。まず、フィルタ３５を有するインタポーザ基板１０を作製する。図２（Ａ）において、表面にＡｌ、Ａｕ、Ｃｕなどの良導体の電極パッド１２が形成された基板１０１の全面にパッシベーション膜３６を形成する。パッシベーション膜３６の所定の領域にフィルタ３５を形成し、また、電極パッド１２を露出する開口３９を形成する。パッシベーション膜３６の「所定の領域」とは、基板１０１の内部で配線が密に形成されている部分に対応する領域、半導体チップ２０の配線が密に形成されている領域と対向する領域などである。フィルタ３５は、たとえばパッシベーション膜３６に溝、孔等の凹部３７を形成することで作製される。パッシベーション膜３６をたとえば感光性ポリイミドで形成する場合は、露光と現像により所望の形状のフィルタ３５と開口３９を同時に形成することができる。

図２（Ｂ）で、全面に電界めっき用のシード層３８を形成する。これにより、パッシベーション膜３６、凹部３７の内壁、及び電極パッド１２の表面がシード層３８で覆われる。シード層３８の材料は、後工程で形成される接続端子１３の材料に応じて適切に選択され、たとえば銅（ＣＵ）のシード層３８を形成する。

図２（Ｃ）で、全面にめっきレジスト５１を塗布し、電極パッド１２が形成されている箇所に開口５２を形成する。

図３（Ａ）で、Ｃｕめっきにより開口５２内に接続端子１３となるＣｕ層を成長し、続いて、たとえばＳｎ-Ａｇめっきによりはんだ層５３を成長する。

図３（Ｂ）で、剥離液でめっきレジストを剥離する。

図４（Ａ）で、エッチング液によりシード層３８を除去することで、凹部３７を有するフィルタ３５が現れる。

図４（Ｂ）で、ウェットバック（リフロー）処理により、接続端子１３上のはんだ層５３を溶融させて、半球状のバンプ５４を形成する。この後、必要に応じてパッシベーション膜３６と基板１０１を貫通する孔１９を形成して、インタポーザ基板１０が完成する。孔１９は、樹脂封止後の電子装置１への液体４５の充填に用いられる。

図５（Ａ）で、インタポーザ基板１０を用いた積層構造体１０５を作製する。積層構造体１０５は、回路基板３の上に、インタポーザ基板１０と、半導体チップ２０がこの順で積層された構成を有する。半導体チップ２０には、あらかじめ基板を貫通する液体充填用の孔２５が形成されている。インタポーザ基板１０にも、液体充填用の孔１９が形成されている。

インタポーザ基板１０の外周に沿ってダム４２が設けられており、回路基板３の外周に沿ってダム４１が形成されている。インタポーザ基板１０上のダム４２を金属で形成する場合は、インタポーザ基板１０のはんだ工程（接続端子１３及びはんだ層５３の形成とリフロー）と同じ工程で形成することができる。ダム４２を樹脂で形成する場合は、たとえば、ドライフィルム、紫外線硬化樹脂などで積層構造体１０５を作製中または作製後に形成してもよい。回路基板３上のダム４１は、あらかじめはんだ印刷、ドライフィルム等で形成しておくことができる。

まず、半導体チップ２０の接続端子２３とインタポーザ基板１０の接続端子１３をはんだ層３１で接合する。半導体チップ２０の接続端子２３の先端には、あらかじめ図２〜図４と同様の方法ではんだバンプが形成されている。フリップボンダ等を用いて、半導体チップ２０のはんだバンプをインタポーザ基板１０のバンプ５４に位置合わせする。位置合わせされた状態でリフロー処理を行うことで、半導体チップ２０側のはんだバンプとインタポーザ基板１０側のバンプ５４を一体的に溶融させて、半導体チップ２０とインタポーザ基板１０を接合部３２で接続する。

次に、インタポーザ基板１０の裏面（接続端子１３と反対側の面）に形成されているはんだボールを回路基板３の接続パッドに位置合わせし、リフローにより接合する。これによりインタポーザ基板１０と回路基板３を電気的に接続する接合部４が形成され、積層構造体１０５が完成する。

図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の積層構造体１０５の上面図である。半導体チップ２０の所定の箇所に液体充填用の孔２５が形成されている。孔２５は、半導体チップ２０の素子領域に影響しないコーナー部分に形成されているのが望ましい。孔２５の数は１つに限定されず、対向するコーターの２箇所に形成されてもよい。孔２５の径は、たとえば１００μｍであり、レーザドリルによって形成され得る。インタポーザ基板１０を貫通する孔１９の径は、たとえば１００〜２００μｍである。

図６（Ａ）で、積層構造体１０５の周囲を取り込んで気密性の封止層４３を形成する。封止層４３は、たとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化樹脂、耐熱性フェノール樹脂、硬化剤成分が添加されたエポキシ樹脂など、積層構造体１０５に対する応力が小さく、硬化速度が速い材料を用いることができる。硬化前の封止層４３の材料は液状または半固体であるが、粘性が高く、ダム４１とダム４２の存在により積層構造体１０５の内部空間４７に液体が入り込むのを防止することができる。その後、封止層４３を硬化する。封止層４３の硬化により、封止層４３の内側に存在するダム４１とダム４２は、封止層４３と一体となって、積層構造体１０５の周囲を取り囲む。

図６（Ｂ）で、内部空間４７に冷却用の液体４５を注入し、注入口を密閉層４８で密閉して、電子装置１が完成する。この例では、冷却用の液体としてフロリナート（登録商標）を使用し、フィラー６１としてアルミナ粒子を液体中に分散させておく。フィラー６１を含む冷却用の液体４５は、半導体チップ２０にあらかじめ形成されている液体充填用の孔２５から注入される。孔２５の径は、半導体チップ２０の基板厚さにもよるが、一例として８０〜１２０μｍである。注入された液体４５は、インタポーザ基板１０にあらかじめ形成されている液体充填用の孔１９により、インタポーザ基板１０と回路基板３の間の空間に導入されて、接合部４から放出される熱を吸収する。孔１９の径は、インタポーザ基板１０の基板厚さにもよるが、一例として１００〜２００μｍである。孔２５をふさぐ密閉層４８として、樹脂、絶縁体、導体など、適切な材料を用いることができる。

上述したように、必要に応じて半導体チップ２０のインタポーザ基板１０との対向面、あるいは回路基板３の高発熱領域の近傍にフィルタ３５を設けてもよい。電子装置１の積層構造体１０５において、液体４５と接する少なくともひとつの面で発熱源の近傍にフィルタ３５を配置することで、冷却効果を高めることができる。フィラー６１が用いられる場合は、回路基板３に形成されたフィルタにフィラー６１を堆積し、電子装置１の動作時に熱伝導性の良いフィラー６１を循環させることで、局所的な発熱源の熱を分散させて放熱効率を高める。

図７は、冷却用の液体４５の充填の別の例を示す。図２〜図６では、積層される電子部品である半導体チップ２０とインタポーザ基板１０にあらかじめ液体注入用の孔２５と１９をそれぞれ形成しておいた。図７では、積層構造体の封止後に、封止層４３から冷却用の液体を注入する。

図７（Ａ）において、積層構造体１０５の周囲に、封止樹脂等の封止材料４３１を塗布する。この工程は、図６（Ａ）の封止樹脂の塗布と同じであるが、半導体チップ２０とインタポーザ基板１０に液体注入用の孔が形成されていない点が異なる。

図７（Ｂ）で、封止材料４３１が完全に硬化する前に、ダム４２と半導体チップ２０の底面との隙間４６に注入用のニードルまたはノズルを差し込んで、冷却用の液体４５を注入してもよい。同様に、ダム４１とインタポーザ基板１０の底面との隙間４６から、注入用のニードルまたはノズルで冷却用の液体４５を注入してもよい。液体４５の注入後に、注入用のニードルまたはノズルを引き抜いて、封止樹脂３４１を完全に硬化して封止層４３を形成する。これにより、電子装置１が完成する。

注入用のニードルまたはノズルとして、内径が２５〜５０μｍの金属またはモールド樹脂製のニードルまたはノズルを用いて、粒径が１μｍ〜５μｍ程度のアルミナのフィラー６１が分散した液体４５を注入することができる。図６の工程と異なり、硬化前の封止材料４３１にはニードルまたはノズルの刺孔は残らない。封止材料４３１の硬化により、液体４５は封止層４３の内部に密閉されるので、密閉層を形成しなくてもよい。

図８は、フィルタ３５の構成例を示す上面図である。パッシベーション膜３６に、フィラー６１をトラップするための凹部３７が形成されている。凹部３７の形状は、矩形（図８（Ａ）及び図８（Ｃ））、円形（図８（Ｂ））の他、菱形、楕円、多角形等でもよい。凹部３７の径は、フィラー６１のサイズに応じて適宜設計することができる。液体４５を発熱源の近くに導入して、フィラー６１を堆積し、熱循環させることができればよいので、局所的な発熱領域とその周辺に図８（Ｃ）のように比較的大きな開口を設けてもよい。

パッシベーション膜３６を感光性ポリイミドで形成する場合、フィルタ３５の開口パターンを露光と現像で容易に形成することができる。感光性ポリイミド以外に、ポリ（メタ）アクリル酸、スルホン化ポリアリールエーテル等の有機高分子材料、有機低分子材料、有機-無機ハイブリッド材料等のパッシベーション膜３６としてもよい。

電子装置１の積層構造体１０５としては、インタポーザ基板１０上に半導体チップ２０を積層する態様に限定されず、回路基板３上に２以上の半導体チップ２０が基板と垂直な方向に積層される構成にも適用できる。この場合も、異なるサイズの接合部で積層される基板と基板の間に、熱伝導率の高い絶縁性のフィラー６１が充填された電気絶縁性の液体４５が充填される。

実施形態の電子装置１は、それ自体が冷却機能を有しており、電子装置１や、電子装置１で用いられる電子部品（半導体チップ２０、インタポーザ基板１０など）が微細化しても放熱効果を発揮することができる。また、電子装置が狭い空間に配置され、外部のファンやクーリングプレートを使用できない場合に、特に効果的である。たとえば、スマートフォン、車載向けの電子機器、ウエアラブル電子デバイス等に適用することができる。

以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
基板の上に第１のサイズの接合部で搭載された第１の電子部品と、
前記第１の電子部品の上に、前記第１のサイズと異なる第２のサイズの接合部で搭載された第２の電子部品と、
前記基板、前記第１の電子部品、及び前記第２の電子部品で形成される積層構造体の周囲を封止する封止層と、
前記封止層の内部に充填される電気絶縁性の液体と、
を有することを特徴とする電子装置。
（付記２）
前記液体と接触する前記積層構造体の少なくともひとつの面に配置される液体循環用のフィルタ、をさらに有することを特徴とする付記１に記載の電子装置。
（付記３）
前記フィルタは所定の形状の凹部を有し、前記少なくともひとつの面でホットスポットの近傍に配置されていることを特徴とする付記２に記載の電子装置。
（付記４）
前記フィルタは、前記第１の電子部品の前記第２電子部品と対向する面に形成されたパッシベーション膜に形成されていることを特徴とする付記２または３に記載の電子装置。
（付記５）
前記封止層の内側で前記積層構造体の外周に沿って配置されているダム、
をさらに有することを特徴とする付記１〜４のいずれかに記載の電子装置。
（付記６）
前記第２の電子部品を貫通する孔と、
前記第２の電子部品の表面で前記孔を塞ぐ密閉層と、
をさらに有することを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の電子装置。
（付記７）
前記液体に含有され、前記液体の熱伝導率以上の熱伝導率を有する絶縁性のフィラー、
をさらに有することを特徴とする付記１〜６のいずれかに記載の電子装置。
（付記８）
前記フィラーは、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ、ＡｌＮ、またはこれらの混合から選択されることを特徴とする付記７に記載の電子装置。
（付記９）
前記フィラーは、粉状、粒状、球状、楕円球状、円筒状、または繊維状の形状を有することを特徴とする付記７または８に記載の電子装置。
（付記１０）
基板の上に第１の電子部品が第１のサイズの接合部で搭載され、前記第１の電子部品の上に第２の電子部品が前記第１のサイズと異なる第２のサイズの接合部で搭載された積層構造体を作製し、
前記積層構造体の外周を封止層で封止し、
前記封止層の内部に電気絶縁性の液体を封入する、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１１）
前記積層構造体の組み立て前に、前記電子部品に前記電子部品を貫通する孔をあらかじめ形成し、
前記封止層による封止後に、前記孔から前記液体を注入し、
注入後に、前記孔を密閉する、
ことを特徴とする付記１０に記載の電子装置の製造方法。
（付記１２）
前記積層構造体の外周を覆う液状または半固体の封止材料の層を形成し、
前記封止材料の硬化前に、前記封止材料の層にニードルまたはノズルを差し込んで前記封止材料の層の内側に前記液体を注入し、
前記液体の注入後に、前記封止材料を硬化させて前記封止層を形成する、
ことを特徴とする付記１０に記載の電子装置の製造方法。
（付記１３）
前記積層構造体の組み立て前に、前記基板、前記第１の電子部品、及び前記第２の電子部品の少なくともひとつの面に、前記液体を循環させるフィルタを形成するステップ、
を有することを特徴とする付記１０〜１２のいずれに記載の電子装置の製造方法。
（付記１４）
前記液体中に、前記液体の熱伝導率以上の熱伝導率を有する絶縁性のフィラーを含有するステップ、
を有することを特徴とする付記１０〜１３のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１５）
前記積層構造体の組み立て前に、前記基板と前記第１の電子部品の外周に沿ってダムを形成し、
前記封止層の形成時に、前記ダムにより封止材料が前記積層構造体の内部へ流入することを防止する。
ことを特徴とする付記１０〜１４のいずれかに記載の電子装置の製造方法。

１電子装置
３回路基板
４接合部（第１の接合部）
１０インタポーザ基板（第１の電子部品）
１９孔
２０半導体チップ（第２の電子部品）
２５孔
３２接合部（第２の接合部）
３５フィルタ
３６パッシベーション膜
４１、４２ダム
４３封止層
４５液体
４８密閉層
６１フィラー
４３１封止材料

Claims

基板の上に第１のサイズの接合部で搭載された第１の電子部品と、
前記第１の電子部品の上に、前記第１のサイズと異なる第２のサイズの接合部で搭載された第２の電子部品と、
前記基板、前記第１の電子部品、及び前記第２の電子部品で形成される積層構造体の周囲を封止する封止層と、
前記封止層の内部に充填される電気絶縁性の液体と、
前記液体と接触する前記積層構造体の少なくともひとつの面に配置される液体循環用のフィルタと、
を有することを特徴とする電子装置。
基板の上に第１のサイズの接合部で搭載された第１の電子部品と、
前記第１の電子部品の上に、前記第１のサイズと異なる第２のサイズの接合部で搭載された第２の電子部品と、
前記基板、前記第１の電子部品、及び前記第２の電子部品で形成される積層構造体の周囲を封止する封止層と、
前記封止層の内部に充填される電気絶縁性の液体と、
前記第２の電子部品を貫通する孔と、
前記第２の電子部品の表面で前記孔を塞ぐ密閉層と、
を有することを特徴とする電子装置。
前記封止層の内側で前記積層構造体の外周に沿って配置されているダム、
をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
前記液体に含有され、前記液体の熱伝導率以上の熱伝導率を有する絶縁性のフィラー、
をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
基板の上に第１の電子部品が第１のサイズの接合部で搭載され、前記第１の電子部品の上に第２の電子部品が前記第１のサイズと異なる第２のサイズの接合部で搭載された積層構造体を作製し、
前記積層構造体の外周を封止層で封止し、
前記封止層の内部に電気絶縁性の液体を封入し、
前記積層構造体の組み立て前に、前記第２の電子部品に前記第２の電子部品を貫通する孔をあらかじめ形成し、
前記封止層による封止後に、前記孔から前記液体を注入し、
注入後に、前記孔を密閉する、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
基板の上に第１の電子部品が第１のサイズの接合部で搭載され、前記第１の電子部品の上に第２の電子部品が前記第１のサイズと異なる第２のサイズの接合部で搭載された積層構造体を作製し、
前記積層構造体の外周を封止層で封止し、
前記封止層の内部に電気絶縁性の液体を封入し、
前記積層構造体の外周を覆う液状または半固体の封止材料の層を形成し、
前記封止材料の硬化前に、前記封止材料の層にニードルまたはノズルを差し込んで前記封止材料の層の内側に前記液体を注入し、
前記液体の注入後に、前記封止材料を硬化させて前記封止層を形成する、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。