JP6787592B2 - 半導体素子の駆動装置 - Google Patents
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Description
この特許文献1に記載された従来例は、IGBTを作り込んだ半導体基板と同一の半導体基板に温度検出用ツェナーダイオードを内蔵し、この温度検出用ツェナーダイオードのアノードを定電流源に接続し、カソードをGNDに接続し、定電流源及び温度検出用ツェナーダイオードの接続点の電圧を参照電圧と比較し、この比較結果に基づいてIGBTのゲートに供給する電流を制御し、検出温度に応じてIGBTの駆動能力を変更するようにしている。
しかしながら、パワートランジスタの駆動能力を切り換える際の駆動能力の上昇によって、パワートランジスタの高電位側電極を流れる電流のdi/dtが大きくなるため、パワートランジスタのスイッチング時間が短くなる。しかも、現在パワートランジスタを作り込んだ半導体チップが高温になるとICの遅れ時間も早くなってしまうという課題がある。
また、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体素子の駆動装置の他の態様は、電圧制御形半導体素子を形成した半導体チップと、この半導体チップの温度を検出する温度検出部と、この温度検出部の温度検出値に応じて電圧制御形半導体素子の駆動能力を調整する駆動能力調整部と、温度検出部の温度検出値に応じて電圧制御形半導体素子のスイッチング時間を調整するタイミング調整部とを備え、タイミング調整部は、駆動能力調整部の前段に接続されており、駆動能力調整部で調整される駆動能力に従って短縮されるスイッチング時間に対応させて、タイミング調整部は遅延時間を設定してスイッチング時間を調整する。
また、以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
本実施形態では、半導体素子として電圧制御型半導体素子を例にとり、半導体素子のゲート駆動装置を例にとって説明する。
まず、本発明に係る半導体素子のゲート駆動装置は、図1に示すように、半導体チップ10と、ICチップ20とを備えている。
ICチップ20は、温度検出用ダイオード12のアノード側電圧Vfを検出して温度検出信号を出力する温度検出部21と、この温度検出部21の検出信号に基づいてIGBT11のターンオン時の駆動能力を調整する駆動能力調整部22とを備えている。また、ICチップ20は、IGBT11のターンオン時のスイッチング時間を調整するタイミング調整部23と、IGBT11をターンオフさせる放電部24と、アラーム信号を生成するアラーム回路25とを備えている。
ここで、定電流回路21aは、一端に電源電圧源Vccに接続され、他端にカソードが接地された温度検出用ダイオード12のアノードが接続されている。
ここで、半導体チップ10の温度と駆動能力調整部22で調整する駆動能力を変化させた場合の、IGBT11をターンオンさせる際のスイッチング時間tonとの関係について図4(a)〜(c)を伴って説明する。スイッチング時間tonは、駆動信号Sdがオン状態からオフ状態となった時点からIGBT11がターンオンしてコレクタ電流Icが所定電流値に達するまでの時点である。
これに対して半導体チップ10の温度が高温領域である175℃まで上がり、且つ駆動能力が弱い状態であるときには、図4(b)に示すように、スイッチング時間はton=tbとなり通常温度範囲の場合に比較して0.1μs程度短くなる。
このため、遅延時間Td1を半導体チップ10が通常温度範囲で且つ駆動能力が弱い場合のスイッチング時間tonを維持する値に設定し、遅延時間Td2を半導体チップの温度使用限界に達する前の例えば中間温度領域(例えば100℃≦T<175℃)で且つ駆動能力が弱い場合のスイッチング時間tonの短縮時間Δt1に設定し、遅延時間Td3を半導体チップの高温度領域175℃で且つ駆動能力が強い場合のスイッチング時間tonの短縮時間Δt2に設定することが望ましい。
ここで、nチャネルMOSFET24bは、ドレインがタイミング調整部23とIGBT11のゲートとの接続点に接続され、ソースが接地されている。この放電部24では、駆動信号Sdがローレベルからハイレベルに反転したときに、nチャネルMOSFET24bがオン状態となり、IGBT11のゲート容量に蓄積されている電荷を放電してIGBT11をターンオフ動作させる。
アラーム回路25は、IGBT11が高温度領域に達したときに、温度検出部21の第2比較器21cから出力されるハイレベルの第2温度検出信号St2が入力されたときにアラーム信号Saを出力する。
今、半導体チップ10の温度が例えば100℃未満の通常温度範囲であるときには、IGBT11の駆動を開始すると、温度検出用ダイオード12のアノード側電圧Vfが比較的高く、第1閾値電圧Vth1より高い状態となっている。このため、温度検出部21の第1比較器21bから出力される第1温度検出信号St1及び第2比較器21cから出力される第2温度検出信号St2がともにローレベルとなっている。
一方、放電部24では、nチャネルMOSFET24bのゲートがハイレベルとなることからこのnチャネルMOSFET24bがオン状態となり、IGBT11のゲート容量を放電してIGBT11がオフ状態となっている。
このため、駆動信号Sdがハイレベルからローレベルに反転したときに、nチャネルFET23bがオン状態からオフ状態に切り換わり、定電流回路23aからの定電流によって充放電用コンデンサ23eを充電が開始される。したがって、充放電用コンデンサ23eの端子間電圧Vcが図3(b)に示すように直線状に増加を開始する。
このとき、駆動電流Sdiが立ち上がりに応じて充放電用コンデンサ23eの端子間電圧Vcが上昇を開始する。このとき、第1参照電圧Vref1から第2参照電圧Vref2に達するまでの遅延時間Td2が半導体チップ10の温度特性によるスイッチング時間tonの短縮時間Δt1に設定されている。このため、遅延時間Td2によって短縮時間Δt1を相殺し、スイッチング時間tonを半導体チップ10が通常温度範囲にある場合と同等のスイッチング時間とすることができる。このため、半導体チップ10を例えば電動機を駆動するインバータ回路に適用した場合に、スイッチング時間tonが短縮されることによる電動機回転速度が早くなることを抑制して回転速度変化を抑制することが可能となる。
このため、半導体チップ10の温度が高温度領域であり、且つ駆動能力が2倍とした駆動条件でもスイッチング時間tonを半導体チップ10が通常温度領域であって且つ駆動能力が半分である通常駆動条件と同等とすることができる。したがって、温度上昇及び駆動能力上昇によるターンオン時のスイッチング時間tonの短縮を抑制することができる。これによって、電動機を回転駆動するインバータ回路にIGBT11を適用した場合に、電動機の回転速度の変化を抑制することができる。
このように、上記第1の実施形態によると、半導体チップ10の温度変化及び半導体チップ10内のIGBT11の駆動能力変化に応じて変化するスイッチング時間tonの短縮時間Δt1及びΔt2に応じた最適な遅延時間Td1及びTd2を設定することができる。このため、半導体チップ10の温度変化やIGBT11の駆動能力変化に関わらずスイッチング時間tonの変動幅を抑制することができる。したがって、電動機を回転駆動するインバータ回路にIGBT11を適用した場合に、電動機の回転速度の変化を抑制することができる。
なお、上記第1の実施形態では、駆動能力調整部22で駆動能力を半導体チップ10の温度変化に対応させて2段階に変化させる場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図6に示すように、駆動能力を3段階以上の多段階に変化させるようにしてもよい。あるいは図7に示すように、駆動能力調整部22の駆動能力を温度上昇に応じて連続的に変化させ、これに応じてタイミング調整部23の遅延時間Tdを連続的に変化させることにより、スイッチング時間の変動幅をより狭くすることができる。
この第2の実施形態は、タイミング調整部を駆動能力調整部内に設けるようにしたものである。
すなわち、第2の実施形態では、図8に示すように、前述した第1の実施形態におけるタイミング調整部23を省略し、これに代えてタイミング調整部23を駆動能力調整部22のオアゲート22b及び第2駆動回路22d間に接続するようにしている。
さらに、タイミング調整部23が、図9に示すように変更されている。すなわち、入力端子23d及びインバータ23cとの間にインバータ23jが設けられている。また、タイミング調整部23の可変電圧源23gが省略され、これに代えて第3参照電圧Vref3のみを比較器23fに供給する参照電圧源23mが設けられ、さらにゲート回路23hが省略されて比較器23fの比較出力Scがインバータ23kを介して出力端子23iに出力される。
その後、半導体チップ10の温度が上昇して、高温度領域に達すると、温度検出部21の第2比較器21cから出力される第2温度検出信号St2がハイレベルとなることにより、駆動能力調整部22で第2駆動回路22dが選択され、この第2駆動回路22dからIGBT11の駆動能力が2倍となる駆動電流が出力される。
なお、上記第1の実施形態では、駆動能力調整部22を駆動能力の異なる2つの駆動回路を設ける場合について説明したがこれに限定されるものではない。例えばカレントミラー回路を使用してIGBT11に供給する駆動電流を切り換えるようにしてもよい。
Claims (4)
- 電圧制御形半導体素子を形成した半導体チップと、
該半導体チップの温度を検出する温度検出部と、
該温度検出部の温度検出値に応じて前記電圧制御形半導体素子の駆動能力を調整する駆動能力調整部と、
前記温度検出部の温度検出値に応じて前記電圧制御形半導体素子のスイッチング時間を調整するタイミング調整部と
を備え、
前記タイミング調整部は、前記駆動能力調整部と前記電圧制御形半導体素子との間に接続されており、前記駆動能力調整部で調整される前記駆動能力に従って短縮される前記スイッチング時間に対応させて、該タイミング調整部は遅延時間を設定して該スイッチング時間を調整することを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 電圧制御形半導体素子を形成した半導体チップと、
該半導体チップの温度を検出する温度検出部と、
該温度検出部の温度検出値に応じて前記電圧制御形半導体素子の駆動能力を調整する駆動能力調整部と、
前記温度検出部の温度検出値に応じて前記電圧制御形半導体素子のスイッチング時間を調整するタイミング調整部と
を備え、
前記タイミング調整部は、前記駆動能力調整部の前段に接続されており、前記駆動能力調整部で調整される前記駆動能力に従って短縮される前記スイッチング時間に対応させて、該タイミング調整部は遅延時間を設定して該スイッチング時間を調整することを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 前記タイミング調整部は、温度に応じて遅延時間を調整可能な可変遅延回路で構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体素子の駆動装置。
- 前記可変遅延回路は、定電流回路と入力信号に応じてオンオフ制御されるスイッチ素子との直列回路と、前記定電流回路及び前記スイッチ素子の接続点と接地との間に接続された充放電用コンデンサと、該充放電用コンデンサの端子間電圧が入力されて参照電圧と比較する比較器とを備え、前記比較器に供給される参照電圧が前記温度検出値に応じて段階的に又は連続的に変化されることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子の駆動装置。
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