JP6779188B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体製造装置100の斜視図である。図1において、X方向、Y方向およびZ方向は、互いに直交する。以下の図に示されるX方向、Y方向およびZ方向も、互いに直交する。
次に、本実施の形態における特徴的な構成について詳細に説明する。図1を参照して、カバー10は、前述の状態St1において、空間Sp1にフォーミングガスGs1を滞留させる滞留部C10を有する。すなわち、滞留部C10は、状態St1において、空間Sp1に存在するキャピラリ22の周辺にフォーミングガスGs1を滞留させる構成を有する。滞留部C10の存在により、状態St1において、フォーミングガスGs1内に、少なくとも、キャピラリ22の先端(下端)、および、金属ワイヤW1の先端(下端)が存在する。
以下においては、実施の形態1の構成を「構成Ct1」ともいう。また、以下においては、本変形例の構成を「構成Ctm1」ともいう。本変形例の構成Ctm1は、カバーを、トーチ棒ホルダ4およびガスノズル6に取り付けるための構成である。構成Ctm1は、構成Ct1(実施の形態1)に適用される。
以下においては、本変形例の構成を「構成Ctm2」ともいう。構成Ctm2は、カバーを、トーチ棒ホルダ4およびガスノズル6に取り付けるための別の構成である。構成Ctm2は、構成Ct1(実施の形態1)に適用される。
Claims (10)
- フォーミングガスが存在する状態でスパークを発生することにより、ワイヤボンディングを行う機能を有する半導体製造装置であって、
前記フォーミングガスを吹き出すガスノズルと、
金属ワイヤを排出するキャピラリと、
前記金属ワイヤに向けて、前記スパークを発生する機能を有するトーチ棒を保持しているトーチ棒ホルダと、
絶縁性を有するカバーと、を備え、
前記トーチ棒ホルダと前記ガスノズルとの間には、当該ガスノズルが前記フォーミングガスを吹き出すための空間が存在し、
前記キャピラリは前記空間内に存在し、
前記カバーが前記空間を囲むように、当該カバーは前記トーチ棒ホルダおよび前記ガスノズルに取り付けられており、
前記カバーは、前記空間に前記フォーミングガスを滞留させる滞留部を有する
半導体製造装置。 - 前記滞留部は、前記カバーの上端部に設けられている第1湾曲部を有する
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記第1湾曲部は、板状の第1部材が湾曲したものであり、
前記第1湾曲部の先端が前記空間に向くように、当該第1湾曲部は構成されている
請求項2に記載の半導体製造装置。 - 前記滞留部は、前記カバーの側端部に設けられている第2湾曲部を有する
請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記第2湾曲部は、板状の第2部材が湾曲したものであり、
前記第2湾曲部の先端が前記空間に向くように、当該第2湾曲部は構成されている
請求項4に記載の半導体製造装置。 - 前記トーチ棒が発生する前記スパークが到達する領域の最も高い位置より、前記カバーの上端が高い位置にあるように、当該カバーは構成されている
請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記カバーは、2つの突起部を有し、
前記トーチ棒ホルダには、前記2つの突起部の一方が嵌合する第1溝が形成されており、
前記ガスノズルには、前記2つの突起部の他方が嵌合する第2溝が形成されている
請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記カバーは、2つの嵌合部を有し、
前記2つの嵌合部の一方は、前記トーチ棒ホルダと嵌合しており、
前記2つの嵌合部の他方は、前記ガスノズルと嵌合している
請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記カバーの重さは、20グラムから200グラムの範囲の値である
請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記カバーの透過率は、50%以上である
請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
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