JP6764640B2 - Ｌｅｄデバイスにｍｅｍｓ製造を組み込んだ実装方法およびアセンブリ - Google Patents

Ｌｅｄデバイスにｍｅｍｓ製造を組み込んだ実装方法およびアセンブリ Download PDF

Info

Publication number
JP6764640B2
JP6764640B2 JP2015198874A JP2015198874A JP6764640B2 JP 6764640 B2 JP6764640 B2 JP 6764640B2 JP 2015198874 A JP2015198874 A JP 2015198874A JP 2015198874 A JP2015198874 A JP 2015198874A JP 6764640 B2 JP6764640 B2 JP 6764640B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
substrate
integrated manufacturing
led
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015198874A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016076705A5 (ja
JP2016076705A (ja
Inventor
ヘ グアン−ル
ヘ グアン−ル
イェ ジュイ−フン
イェ ジュイ−フン
ティ．ワイ． ファン ケヴィン
ティ．ワイ． ファン ケヴィン
チェン チィ−チュン
チェン チィ−チュン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of JP2016076705A publication Critical patent/JP2016076705A/ja
Publication of JP2016076705A5 publication Critical patent/JP2016076705A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6764640B2 publication Critical patent/JP6764640B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/63—Connectors not provided for in any of the groups H01L24/10 - H01L24/50 and subgroups; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/64—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/63—Connectors not provided for in any of the groups H01L24/10 - H01L24/50 and subgroups; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/65—Structure, shape, material or disposition of the connectors prior to the connecting process
    • H01L24/66—Structure, shape, material or disposition of the connectors prior to the connecting process of an individual connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/63—Connectors not provided for in any of the groups H01L24/10 - H01L24/50 and subgroups; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/68—Structure, shape, material or disposition of the connectors after the connecting process
    • H01L24/69—Structure, shape, material or disposition of the connectors after the connecting process of an individual connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L24/81 - H01L24/86
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68359—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68372—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support a device or wafer when forming electrical connections thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29194—Material with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/291 - H01L2224/29191
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4801—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/63—Connectors not provided for in any of the groups H01L2224/10 - H01L2224/50 and subgroups; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/64—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/80003—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H01L2224/80006—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus being a temporary or sacrificial substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/8085—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/8085—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/80855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/80862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/8085—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/80855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/80874—Ultraviolet [UV] curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84439—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84444—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84447—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/8438—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/84399—Material
    • H01L2224/844—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/84438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/84455—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85447—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85455—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/89—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using at least one connector not provided for in any of the groups H01L2224/81 - H01L2224/86
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は、ＬＥＤチップに向けたパッケージング及び実装構造であって、詳しくは、ＬＥＤチップ上に形成される伸縮可能な金属配線のパターンによって接続されるＬＥＤチップを形成する、及び、ＬＥＤチップをグループとして基板上に伸縮可能に実装することが可能になる、パッケージング及び実装構造並びに統合化（インテグレート）された製造方法に関する。
ＬＥＤは、サイズが小型で、消費電力が低く、温度が低く、長寿命であるため、従来のタングステンフィラメント電球や蛍光灯から徐々に交換するように、照明を提供するためにＬＥＤが一般的に利用されている。
ＬＥＤライトストリング又はフィラメントの製造のために、回路基板上に事前に決められた位置に従って、多数のＬＥＤチップが適切に配置される必要がある。
従来では、ピックアンドプレースプロセス（ｐｉｃｋ−ａｎｄ−ｐｌａｃｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）を使用するなどのアライメント法（整列方法）により、複数のＬＥＤチップは、回路基板上に個別に実装され、配置されている。その後、ＬＥＤチップ間の電気的接続を作製するためワイヤボンディングが実施される。ＬＥＤチップの実装方法は、ＬＥＤチップマウンタを用いて行うことができる。
従来のＬＥＤチップ実装と配置の方法は、個別にＬＥＤを実装するためのピックアンドプレースプロセスは、時間がかかり、タスクを実行するために高価な装置を必要とするという、欠点を含んでいる。また、ＬＥＤを電気的に接続するワイヤボンディング工程は、時間がかかる。したがって、従来の技術は改善の必要性がある。
本発明の１つの目的は、グループとして複数のＬＥＤチップを実装するための効率的な統合化（integrated）方法を容易にする、ＬＥＤチップパッケージアセンブリを提供することである。複数のＬＥＤチップは、伸縮可能な金属配線パターンを介して、相互に電気的に接続されるように予め配線されている。
本発明の別の目的は、ＬＥＤチップが伸縮可能な金属配線の既存のパターンを介して互いに既に電気的に接続されながら、グループとして複数のＬＥＤチップを同時に実装する方法を提供することである。これは、ピックアンドプレース実装工程によって、及び複数のＬＥＤチップのワイヤボンディング工程によって、個々のＬＥＤチップを夫々実装することの必要性に、取って代わる。
目的の１つを達成するために、ＭＥＭＳ技術下でのウェハレベル処理技術は、ＬＥＤチップの様々な接触パッドに接続されているだけでなく、中断されている平行な配線のパターンを形成するために利用される。
目的の１つを達成するために、複数のＬＥＤチップを接続するボンディングワイヤは、ばね状に作製することができる、平行な方向に構成される複数の伸縮可能な金属配線に形成されている。伸縮可能な金属配線の伸縮可能な性質により、使用中、及び実装中、伸縮可能な金属配線が、損傷を受けたり、断線することなく、ＬＥＤチップ間を接続する距離を広めたり縮めたりすることが可能になる。
目的の一つを達成するために、ＭＥＭＳ技術を使用することで、吊り下げられており、伸長又は/及び収縮が可能な、多数の伸縮可能な金属配線を、一つの基板又は１つのウェハ上に同時に、製造することを可能にする。したがって、本発明の実施形態は、効率的にＬＥＤチッププロセスの個別のワイヤボンディングに取って代わることができる。
個々のＬＥＤチップのための個別ピックアンドプレース実装方法を使用する必要性に取って代わる目的を達成するために、本発明の実施形態は、他のＬＥＤからの距離が事前に決められた距離に配置されるＬＥＤチップを利用して、ＬＥＤチップが一時的に接着しているテープを実質的に均一に拡張し伸長することを利用することなどによる、一定又は可変速度などの一貫性のある方法で、拡張し又は伸長することができる。これにより、ＬＥＤチップレイアウトの異なるサイズ要件の要求を満たすようにする。
本発明のこれらの及び他の目的は、種々の図及び図面に示されている好ましい実施形態の以下の詳細な説明を読んだ後、当業者には明らかになるであろう。
一態様によれば、ＬＥＤチップパッケージアセンブリは、グループとして複数のＬＥＤチップを実装するための効率的な一体化方法を容易にする。
本発明の第１の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第１の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第１の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第１の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第１の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第１の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第１の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第２の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図を例示である。 本発明の第３の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第３の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第３の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第３の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第３の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第３の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第３の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 図本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第４の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 本発明の第５の実施形態に係る一体化製造方法の概略的な断面図の例示である。 図３７に示す第５の実施形態において、隣接するボンディング端子を接続する透明基板と伸縮可能な金属配線のバネ構造上に配置されたＬＥＤチップを示す上面図である。 基板の各部分に複数のＬＥＤチップを含む複数の基板片に切断された基板を示す。
本発明は、例として示され、同じ参照符号が同様の要素を示している、添付の図面の図の構成に限定されるものではない。本開示の多くの側面は、より良い、以下の図面を参照して理解することができる。また、図面において同じ参照符号は、全体を通して対応する要素を指定している。可能な限り、同じ参照番号は、実施形態の同一または類似の要素を指すために図面全体を通して使用される。
本明細書に提示される例示の実施形態では、各ＬＥＤチップのｐパッド及びｎパッドは共にＬＥＤチップの同じ側にあるとし得る。
本発明の第１の実施形態に係る、複数のＬＥＤチップを、実装し、電気的に接続するための統合化された製造方法について、下記説明する。
図１を参照して、ＬＥＤチップ５及び複数の金属層１０，１５は両方ともＬＥＤウェハ１８の一方の面に形成されている。本実施形態では、金属層１０はチタンを含み金属層１５は銅を含む。最初にチタン（Ｔｉ）１０が堆積され、その次に銅層（Ｃｕ）１５が続くように、チタン層１０及び銅層１５は電子銃蒸着法によって堆積される。さらに、複数のボンディングパッド（接合パッド）２０がＬＥＤチップ５に形成される。
図２に示すように、フォトレジスト層２５は、金属層１０，１５（Ｔｉ／Ｃｕ）の上部を覆うように形成される。フォトレジスト層２５はネガ型レジストであって、使用される現像液は、有機溶媒であり得る。そして、フォトレジスト層２５は現像され、フォトマスクによって露光される、ネガ型フォトレジストの未露光領域は、溶剤によって溶解除去される。フォトマスク（不図示）は、複数の伸縮可能な金属配線及び複数の電極の（固体）パターンを有するように設計される。現像及び露光工程の後、後の処理において、パターニングされたフォトレジスト層２５がマスク自体として機能するように、フォトマスク（不図示）上のパターンは、パターニングされた（パターン化）フォトレジスト層２５へ転写される。パターン化フォトレジスト層２５の除去された部分は、開口部２７と呼ばれる。
他の実施形態では、フォトレジスト層２５はポジ型レジストであってもよく、フォトマスクは、拡張可能な金属配線及び開口部（露光領域）となる複数の接触電極のパターンで有り得る。 図２に示すように、パターン化フォトレジスト層２５を形成するためにフォトマスクを使用しながら、プラズマエッチングを行うことができる。
図３に示すように、パターン化フォトレジスト層２５をマスクとして使用し、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属材料２９は、エッチングされた開口部２７、又は、パターン化フォトレジスト層２５へ充填されることによって、伸縮可能な金属配線３０を形成する。伸縮可能な金属配線３０は、（ＬＥＤウェハ１８の上面に平行な平面の下に見て）バネ形状とすることができる。例えば、ボンディングパッド２０の上に位置するように複数の接触電極３５を形成する。また、メッキ層３７が、ボンディングパッド２０の上に位置する複数の接触電極３５の上面に形成される。メッキ層３７は、銅又は金の材料であり得る。
図４に示すように、第１のテープ４５は、複数のＬＥＤチップ５の複数のボンディングパッド２０に隣接し、さらに複数の伸縮可能な金属配線３０に隣接している、パターン化フォトレジスト層２５の一方の側に接続されている。本実施形態では、第１のテープ４５は担体（キャリア）として扱われ、第１のテープ４５はフレキシブル（柔軟）で、伸縮性がある、片面上に接着層がコーティングされた半透明のプラスチック材料である。第１のテープ４５に接続されたリング４６は、次の工程の間、第１のテープ４５を支持する、円形ブレースなどの、キャリア（不図示）の一部である。このキャリアの支持により、ソフトな第１のテープ４５が、幾何学的に固定された状態で拘束されて、安定した方法で伸長されることができる。さらに、リング４６は、第１のテープ４５上でしっかりと留めるように、及び次の製造プロセス中に同じ位置で第１のテープ４５を拘束するように構造を維持するために使用することができる。
図５に示すように、複数のスクライブ線（スクライブライン）４８が、ＬＥＤウェハ１８の他方の面４７上の、ＬＥＤチップ５に隣接する側で、形成される。これらは、ＬＥＤチップ５を分離して断片化するのに利用され得る。
図６に示すように、断片化（break-off）工程の間に第１のテープ４５がＬＥＤチップ５に接着した状態を保持しながら、ＬＥＤはスクライブ線４８に沿って裁断される。
断片化工程の後、第１のテープ４５が除去され得る。その後、第２のテープ５５は、ＬＥＤウェハ１８の他方の面４７に接着された後、第１のテープ４５が除去される。
本実施形態では、リング５６は、第２のテープ５５を支持するキャリアの一部である。上述のように、第２のテープ５５上にしっかりと留まる構造を維持し、続く製造工程において、第２のテープ５５を特定の位置で拘束するために、リング５６が使用されることができる。パターン化フォトレジスト層２５は、溶媒又は酸によるウェット・ストリッピング（stripping）あるいはプラズマガス・ストリッピングによって、除去される。
ＬＥＤウェハ１８に接続される金属層（Ｔｉ／Ｃｕ）１０，１５は、選択的にエッチングされる。したがって、銅金属層２９の一部は、接触電極３５に接合されたエッチングされていないチタン層１０とともに、ばねの一部、又は伸縮可能な金属配線３０の一部として、及び接触電極３５として、残る。
銅をエッチングすることなく、チタンをエッチングできるエッチング液を用いたウェットエッチングによって、チタン金属層１０を選択的にエッチングした後、（選択エッチング後の、元の銅金属層の左上部分の残りから、）複数のＬＥＤチップ５を接続する、複数の伸縮可能な金属配線３０のパターンが、形成される。その中で、伸縮可能な金属配線３０は、隣接するＬＥＤチップ５を互いに夫々接続する。
図２〜図６の示す本実施形態で行われている製造工程は、ＭＥＭＳの製造工程とみなすことができる。
図７に示すように、第２のテープ５５が加熱又はＵＶ光の照射を適用することによって除去されている間、接触電極３５は、拡張テーブル３８に、接続される又は取り付けられる。拡張テーブル３８は、ＬＥＤウェハ１８を保持するための中心膨張領域（不図示）を有する、複数の並進ステージ（Ｘ，Ｙ，Ｚ，ラジアル）からなる、製造された金属アセンブリである。拡張テーブル３８の中央拡張領域のサイズはウェハサイズに依存している。拡張テーブル３８は、ＬＥＤウェハ１８の側面を拡張するための中央の拡張領域を所定の間隔で囲むように構成される、複数の延伸アーム（不図示）をさらに含む。
ＬＥＤチップ５は既に取り外され、スクライブライン４８に沿って断片化されているので、様々なタイプの所望の基板上にＬＥＤチップ５を実装するために、所望の長さと幅にするために、第２のテープ５５を伸長させることで、ＬＥＤチップ５をさらに分離させることができる。一方、伸縮可能な金属配線３０は、収縮状態では、実質的に平行な方向に配列されたバネ形状の構造を有しているので、伸縮可能な金属配線の伸長状態において、ＬＥＤチップ５の伸長された接続は、互いに電気的な接続状態を維持している。
伸縮可能な金属配線３０は、拡張／拡大状態又は縮小／短縮状態のいずれでも導電性ワイヤとして機能することができる。
多数の伸縮可能な金属配線３０は、一枚のウェハに配置されるように製造され、多数のＬＥＤチップ、例えば、１つの６インチウエハ上に、９６０００個のＬＥＤチップを同時に接続するための特定のパターンに構成される。
伸縮可能な金属配線３０の伸縮物性によって、接続されたＬＥＤチップの一対の距離を変化させ、増加することができるので、伸縮可能な金属配線３０が短すぎたり絡まったりすることについて心配する必要がなく、ＬＥＤチップ５の配置及び実装の柔軟性に対応することを可能にするようになる。
本発明の第２の実施形態に係る、複数のＬＥＤチップを、実装し、電気的に接続するための統合化された製造方法について、下記説明する。
図８に示すように、金属シード層１００は、テンプレート基板１０５の一面１０６に形成されている。金属シード層１００は、チタンを含む。金属シード層１００は、電子銃蒸着によって堆積させることができる。
図９に示すように、フォトレジスト層１１０は、金属シード層１００の上部を覆うように形成され、フォトレジスト層１１０は、ポジ型レジストまたはネガ型レジストであり、そして、マスクとして機能するために、エッチングされる、又は露光される／現像される。
図１０に示すように、パターン化フォトレジスト層１１０をマスクとして用いて、銅（Ｃｕ）を含む金属層１１７を、パターン化フォトレジスト層１１０の開口部１１９内に充填することによって、バネ形状であることができる複数の伸縮可能な金属配線１２０を形成する、及び複数の接触電極１２５を形成する。伸縮可能な金属配線１２０は、テンプレート基板１０５を覆う、所定のパターン（不図示）を形成する。各伸縮可能な金属配線１２０は、隣接する接触電極１２５の対の両端に接続されている。
図１１〜図１２に示すように、パターン化フォトレジスト層１１０は、ウェット・ストリッピング（溶媒又は酸）あるいはプラズマガス・ストリッピングなどの方法により除去される。
そして、接触電極１２５に電気的に接続する伸縮可能な金属配線１２０がテンプレート基板１０５上に残るように、選択的なエッチングが実行される。
即ち、接触電極１２５の下にある金属シード層１００ｂの一部が残っている一方、伸縮可能な金属配線の下に配置された金属シード層１００ａの一部が選択なエッチングによって除去される。
図９〜図１２の示す本実施形態で行われている製造工程は、ＭＥＭＳの製造工程とみなすことができる。
図１３に示すように、第１のテープ１３０は、複数のＬＥＤチップ５の一方側に接続されており、各ＬＥＤチップ５は、一対の接触パッド（コンタクトパッド）１３５を備えている。第１のテープ１３０にボンディングされた各ＬＥＤチップ５の一対の接触パッド１３５は、図１０に示すように形成された、（テンプレート基板１０５に結合される）一対の接触電極１２５に対して位置合わせされる。
図１４に示すように、接触電極１２５は、一方の側で、対応する接触パッド１３５とボンディングされ、他方の側で、金属シード層１００ｂの対応する部分に接続されている。第１のテープ１３０はＬＥＤチップ５から除去されることで、中間ＬＥＤチップアセンブリ１４０を形成する。
図１５に示すように、加熱、ＵＶ光の照射、又は有機溶媒を使用すること等による方法によって、中間ＬＥＤチップアセンブリ１４０からテンプレート基板１０５を除去し、その間、ＬＥＤチップ５とともに中間ＬＥＤチップアセンブリ１４０は、最終基板１４５に接続され、チップオングラス（ＣＯＧ）又はチップオンボード（ＣＯＢ）構造となる。
ＣＯＧ構造は、支持体として、ガラス基板又は透明基板を含み、ＣＯＢ構造は支持体としてＰＣＢ基板を含んでいる。
本発明の第３の実施形態に係る、複数のＬＥＤチップを、電気的に接続するための統合化された製造方法について、下記説明する。図１６に示すように、１つのＬＥＤチップ５及び銅などの材料からなる複数のボンディングパッド２０が、基板１０３の一方の表面に形成されている。
図１７に示すように、金属層１１６は、例えば、電子銃蒸着のような方法によって堆積されることで、ＬＥＤチップ５やボンディングパッド２０を覆う。
図１８に示すように、フォトレジスト層１１０は、金属層１１６の上部を覆うように形成されている。次いで、フォトレジスト層１１０は、マスクとして機能するように、エッチングされる又はパターニングされる。
図１９に示すように、エッチングされた又はパターン化フォトレジスト層１１０は、マスクとして使用されて、銅（Ｃｕ）などの金属材料が、パターン化フォトレジスト層１１０の複数の開口部に充填されることで、複数の伸縮可能な金属配線１７０を形成する。
伸縮可能な金属配線１７０は、基板の上方に位置するＬＥＤチップ５のボンディングパッド２０の上方に位置する接触電極３５を形成するのと同様に、バネ形状を有するショートワイヤの形態であってもよい。
図２０に示すように、パターン化フォトレジスト層１１０は、ウェット・ストリッピング（溶媒又は酸）あるいはプラズマガス・ストリッピングなどの方法によって除去され、ディープスクライブレーザーを使用することを含むプロセスによって複数のスクライブ線４８が基板１０３上に形成される。
図２１に示すように、金属層１１６が選択的なエッチングによって除去されることで、ボンディングパッド２０と接触電極３５との間に接続されている金属層１１６の部分が残る。ＬＥＤチップ５に接続されたボンディングパッド２０が残る。残っている金属層は、伸縮可能な金属配線１７０及び接触電極３５のためのバネ構造として使用される。
チタン金属層の選択的なエッチングの後、複数のＬＥＤチップ５を接続する複数の伸縮可能な金属配線１７０のパターンが銅金属層から形成され、そこでは、隣接するＬＥＤチップ５が、伸縮可能な金属配線１７０によって、夫々互いに接続している。伸縮可能な金属配線１７０の下に位置する金属層は、選択的エッチングによって、実質的に除去される。
図２２に示すように、スクライブ線４８に沿って、既に切り離されたＬＥＤチップとともに、分離された個々のＬＥＤチップ５が上に形成された基板１０３がさらに、溝がつけられ（ｓｃｏｒｅｄ）又はスクライブされ（ｓｃｒｉｂｅｄ）、分離されることによって、スクライブされた基板のピース（スクライブ基板片）を形成する。このように、複数のＬＥＤチップアセンブリは、隣接する複数のＬＥＤチップ５を接続する伸縮可能な金属配線１７０のパターンを有している。
本発明の第３の実施形態に係る、複数のＬＥＤチップを基板と電気的に接続するための統合化された製造方法について、下記説明する。図２３に示すように、金属シード層１００は、透明基板３００の一方の側に形成される。金属シード層１００は、電子銃蒸着によって堆積させることができる。
図２４に示すように、フォトレジスト層１１０は、金属シード層１００の上部を覆うように形成される。次に、フォトレジスト層１１０は、マスクとして機能するように、エッチング又はパターニングされる。
図２５に示すように、パターン化フォトレジスト層１１０をマスクとして使用することで、銅などの金属材料を、パターン化フォトレジスト層１１０の開口部に充填させて、複数の伸縮可能な金属配線１２０を形成する。多数の伸縮可能な金属配線１２０は、ばねの形状を有している。
銅を含む金属材料１１７は、開口部１１９に充填されることで、複数の接触電極１２５が形成される。複数の伸縮可能な金属配線１２０は、透明基板３００を覆う所定のパターンを形成する。各伸縮可能な金属配線１２０は、その両端で、隣接する接触電極１２５の対に夫々接続されている。
図２６に示すように、フォトレジスト層１１０は、ウェット・ストリッピング（溶媒又は酸）あるいはプラズマガス・ストリッピングを含む方法によって除去されることで、開口部に充填して伸縮可能な金属配線１２０及び接触電極１２５を形成する金属が残る。各伸縮可能な金属配線１２０は、隣接する接触電極１２５の対に接続されている。さらに、複数の接触電極１２５を接続する伸縮可能な金属配線１２０のパターンは、透明基板３００上に形成される。
図２７に示すように、複数の接触電極１２５を接続する伸縮可能な金属配線１２０が透明基板３００の上方に残るように、金属シード層１００を除去する選択的なエッチングが実施される。
伸縮可能な金属配線１２０の下に位置する金属シード層１００は、選択的なエッチングによって、実質的に除去される。
図２４〜図２７に示す本実施形態で行われている製造工程は、ＭＥＭＳの製造工程とみなすことができる。
図２８に示すように、第１のテープ１３０は、複数のＬＥＤチップ５の一方の側にボンディングされており、複数のＬＥＤチップ５は夫々一対の接触パッド１３５を備えている。第１のテープ１３０に接着される各ＬＥＤチップ５の接触パッド１３５が、図２５に示すように形成される（透明基板にボンディングされる）接触電極１２５に対して、位置合わせされる。
図２９に示すように、コンタクトパッド１３５は、対応する接触電極１２５とボンディングされる。第１のテープ１３０がＬＥＤチップ５から除去されて、中間ＬＥＤチップアセンブリ１４０が形成される。
図３０に示すように、透明基板３００が切断され、折られる（ｂｒｅａｋ ｏｆｆ）。
図３１に示すように、伸縮可能な金属配線１２０によって接続されるＬＥＤチップ５は、（Ｙ軸に沿った）垂直方向に、及び、（Ｘ軸に沿った）水平方向に、移動可能及び／又は伸縮可能である。そのため、個々のＬＥＤチップ５、及びフレキシブル基板（不図示）に接続された透明基板３００の接続される個々の切片（基板片）を含む構成のための便利な使用が可能になる。
本発明の第４の実施形態に係る、複数のＬＥＤチップを電気的に接続するための統合化された製造方法について、下記説明する。
図３２に示すように、金属シード層１００は、透明基板３００の一方の側に形成される。金属シード層１００は、電子銃蒸着によって堆積させることができる。
図３３に示すように、フォトレジスト層１１０は、金属シード層１００の上部を覆うように形成される。次に、フォトレジスト層１１０は、マスクとして機能するように、エッチングされる。
図３４に示すように、エッチングされたフォトレジスト層１１０をマスクとして使用することで、銅などの金属材料を、パターン化フォトレジスト層１１０の開口部に充填させて、複数の伸縮可能な金属配線１２０を形成する。伸縮可能な金属配線１２０は、ばねの形状を有し得る。複数の伸縮可能な金属配線１２０は、透明基板３００に対応する、領域を覆う所定のパターンを形成する。各伸縮可能な金属配線１２０は、隣接する接触電極１２５の一対の両端に夫々接続されている。
図３５に示すように、エッチングされたフォトレジスト層１１０は、溶媒又は酸によるウェット・ストリッピングあるいはプラズマガス・ストリッピングを含む方法によって除去されるが、伸縮可能な金属配線１２０及びボンディング端子３１０を形成する金属が残る。各伸縮可能な金属配線１２０は、隣接するボンディング端子３１０の対に接続されている。さらに、多数のボンディング端子３１０を接続する伸縮可能な金属配線１２０のパターンは、透明基板３００上に形成される。
図３６に示すように、金属シード層１００を除去する選択的なエッチングが実施されることで、複数のボンディング端子３１０を接続する伸縮可能な金属配線１２０が透明基板３００の上方に残る。伸縮可能な金属配線１２０の下に位置する金属シード層１００は、選択的なエッチングによって、実質的に除去される。
図３３〜図３６に示す本実施形態で行われている製造工程は、ＭＥＭＳの製造工程とみなすことができる。
図３７に示すように、複数のＬＥＤチップ５は、複数のＬＥＤチップ５のボンディングパッド２０を介して、第１のテープ１３０上に形成されている。
次いで、加熱、ＵＶ光の照射、又は有機溶媒の利用等の方法によって、第１のテープ１３０及び第１のテープ１３０上に形成されたＬＥＤチップ５は、透明基板３００と接続される。ここで、ボンディング端子３１０と伸縮可能な金属配線１２０は、必要に応じて第１のテープ１３０へ取り付けることができる。
第５の実施形態では、図３８ａに示すワイヤボンディング構造１８０又は図３８ｂに示すような金属化（メタライゼーション）構造１９０のいずれかを、外部電源又は他のＬＥＤチップ５に接続する電気経路を形成するために、採用することができる。
図３８ａに示すように、透明基板３００は、複数の個々の透明基板片３００ａへと切断されて分割され、各基板片３００ａが１つのＬＥＤチップを保持する。ボンディング端子３１０の１つからＬＥＤチップ５のボンディングパッド２０の１つまでのワイヤボンディングを用いることで、電気接続が行われる。
一方、図３４及び図３５の工程で形成されるボンディング端子３１０と、伸縮可能な金属配線１２０とは互いに電気的に接続されている。
図３８ｂに示すように、透明基板３００が、複数の個々の透明基板片３００ｂへと切断されて分割され、各基板片３００ｂが、１つのＬＥＤチップ５を保持する／含む。
リソグラフィ及び金属化技術を使用することで、ボンディング端子３１０からＬＥＤチップ５のボンディングパッド２０の１つまで電気的な接続が行われる。
一方、図３４及び図３５の工程で形成されるボンディング端子３１０と、伸縮可能な金属配線１２０とは互いに電気的に接続されている。
図３９は、本発明の第５実施形態に係る、透明基板３００上のＬＥＤチップ５の配置と、及び図３７に示す隣接するボンディング端子３１０を接続する伸縮可能な金属配線１２０のバネ構造とを示す上面図を表している。
第１の実施形態〜第５の実施形態を含む図示の実施形態では、伸縮可能な金属配線の厚さｔは（第１の実施形態の図３に一例として示す）は、０ミクロン〜１００ミクロンの間とすることができる。別の実施形態では、厚さｔは７０ミクロン未満でありうる。
上記の実施形態のいくつかに示されるように、ＬＥＤチップを支持しているテープは、
伸縮可能な金属配線から所定距離離れていてもよく、或いは伸縮可能な金属配線に近接して／隣接していてもよい。上記実施形態で使用されるテープは、一方向以上の方向に、膨張及び拡張することができる。図示された実施形態の全てにおいて、伸縮可能な金属配線は、吊り下げられて（浮かんで）いることができる。上記実施形態において、テープは、接着層（不図示）によって被覆された薄膜層（不図示）で作製されている。接着剤層は、アクリル系組成物で製作されている。薄膜層は、ＰＶＣ組成物で製作されている。また、伸縮可能な金属配線は、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、または金（Ａｕ）などの他の金属で作製してもよい。
他の代替の実施形態では、ＬＥＤチップのパッドを、ＬＥＤチップの反対側の表面上または同一面上に形成してもよい。これにより、ｐパッドとｎパッドとを、ＬＥＤチップの異なる側に存在させることができる。
一実施形態では、基板５０は複数のＬＥＤチップ５を保持しており、基板５０は、複数の基板片５１へと切断されうる。各基板片５１は、図４０に示すように、１つ以上のＬＥＤチップ５を保持しうる。
本発明の実施形態での伸縮可能な金属配線の幅は、７０ｕｍ未満、例えば、５ｕｍ、１０ｕｍ、２７ｕｍ、５７ｕｍ又は６２ｕｍなどと、することができる。伸縮可能な金属配線の長さは、例えば、収縮時では２５５ｕｍ、伸長時に、１２００ｕｍとすることができる。一方、伸縮可能な金属配線の収縮したときの長さは、Ａとして定量化することができ、伸縮可能な金属配線の延長したときの長さは、４．０Ａ〜３．５Ａとして推定できる。
伸縮可能な金属配線の曲率半径（Ｒ）と厚さ（ｔ）との比＜ｔ／２Ｒ＞は、伸縮可能な金属配線の材料の降伏ひずみを超えることはできない。
なお、本実施形態およびその利点は、前述の説明から理解されると考えられている。また、実施形態の精神および範囲から逸脱またはその材料の利点のすべてを犠牲にすることなく、様々な変更がされ得ることが明らかであろう。

Claims (9)

  1. 複数のＬＥＤチップを電気的に接続する統合化製造方法であって、
    第１の電極を有する第１のＬＥＤチップと、第２の電極を有する第２のＬＥＤチップと、を有するＬＥＤウェハ上にチタン層及び銅層を形成する工程と、
    フォトレジスト層を形成する工程と、
    前記フォトレジスト層に銅材料を充填することによって、同一高さを持つ最上面を有した、複数の伸縮可能な金属配線及び複数の接触電極を形成する工程と、
    前記伸縮可能な金属配線に隣接する前記フォトレジスト層の一方の側に第１のテープを接着する工程と、
    前記ＬＥＤウェハの第１の表面上に複数のスクライブラインを形成する工程と、
    前記スクライブラインに沿って前記ＬＥＤウェハを断片化する工程と、
    前記ＬＥＤウェハの前記第１の表面に第２のテープを接着する工程と、
    前記第１のテープ及び前記フォトレジスト層を除去する工程と、
    前記チタン層及び前記銅層をエッチングすることによって、前記ＬＥＤチップに接続される前記複数の伸縮可能な金属配線のパターンを形成する工程と、
    拡張テーブルを提供する工程と、
    前記複数の接触電極を前記拡張テーブルへ取り付ける工程と、
    前記第２のテープを取り除く工程と、を有する統合化製造方法。
  2. 複数のＬＥＤチップを電気的に接続する統合化製造方法であって、
    第１の基板上に、チタン金属シード層及びフォトレジスト層を夫々形成する工程と、
    マスクとして機能するように前記フォトレジスト層をエッチングすることで、複数の開口部を生成する工程と、
    前記開口部に銅材料を充填することで、同一高さを持つ最上面を有した、複数の伸縮可能な金属配線及び複数の接触電極を形成する工程であって、前記伸縮可能な金属配線は前記第１の基板を覆い、各伸縮可能な金属配線は、該伸縮可能な金属配線の両端で、隣接する接触電極の対に接続される、工程と、
    前記フォトレジスト層を除去する工程と、
    前記接触電極に接続されている前記伸縮可能な金属配線と、前記接触電極の下にある前記チタン金属シード層の部分とが、それぞれ前記第１の基板上に残るように、前記チタン金属シード層を選択的にエッチングする工程と、
    前記複数のＬＥＤチップのうちの第１のＬＥＤチップ及び第２のＬＥＤチップにテープを接着する工程であって、前記第１のＬＥＤチップは、第１のコンタクトパッドを有し、前記第２のＬＥＤチップは、第２のコンタクトパッドを有し、これらコンタクトパッドの対が、一対の接触電極に対して位置合わせされる工程と、
    前記一対の接触電極へ前記コンタクトパッドの対を夫々接着する工程と、
    前記ＬＥＤチップから前記テープを取り除くことで、中間ＬＥＤチップアセンブリを形成する工程と、を有する統合化製造方法。
  3. 最終基板上に、前記中間ＬＥＤチップアセンブリを実装する工程と、
    前記中間ＬＥＤチップアセンブリから前記第１の基板を除去する工程と、をさらに有する、
    請求項２に記載の統合化製造方法。
  4. 前記第１の基板はテンプレート基板であり、
    前記最終基板はガラス基板又はＰＣＢ板である、
    請求項３に記載の統合化製造方法。
  5. 前記第１の基板を、切断して断片化することにより基板片とする工程をさらに有し、
    前記ＬＥＤチップは前記伸縮可能な金属配線によって接続され、
    前記ＬＥＤチップは垂直方向に移動可能であり、且つ水平方向に拡張可能であり、それにより、前記中間ＬＥＤチップアセンブリをフレキシブル基板へ実装することが可能になる、
    請求項２に記載の統合化製造方法。
  6. 前記第１の基板は透明基板である、
    請求項５に記載の統合化製造方法。
  7. 複数のＬＥＤチップを電気的に接続する統合化製造方法であって、
    透明基板上にチタン金属シード層を形成する工程と、
    前記チタン金属シード層上にフォトレジスト層を形成して、エッチングする工程と、
    伸縮可能な金属配線、第１のボンディング端子及び第２のボンディング端子を形成するために、前記フォトレジスト層の開口部に銅材料を充填する工程であって、前記伸縮可能な金属配線は、前記透明基板を覆い、前記伸縮可能な金属配線は、該伸縮可能な金属配線の両端で前記第１のボンディング端子及び前記第２のボンディング端子にそれぞれ接続される工程と、
    前記フォトレジスト層を除去する工程と、
    前記第１のボンディング端子及び前記第２のボンディング端子に接続された前記伸縮可能な金属配線が前記透明基板上に残るように、前記チタン金属シード層の実質的な部分を除去するために選択的にエッチングする工程と、
    前記複数のＬＥＤチップのうちの第１のＬＥＤチップ及び第２のＬＥＤチップの一方の側に、テープを接着する工程であり、前記第１のＬＥＤチップは、第１のボンディングパッドを有し、前記第２のＬＥＤチップは、第２のボンディングパッドを有する工程と、
    前記透明基板を、個々のピースへと切断して断片化し、且つ、前記伸縮可能な金属配線で前記ＬＥＤチップを接続する工程であって、前記透明基板の各ピースが１つのＬＥＤチップを保持する工程と、を有する統合化製造方法。
  8. 前記第１のボンディング端子から前記第１のボンディングパッドまで、ワイヤボンディングを用いて電気的接続を形成する工程、をさらに有する、請求項７に記載の統合化製造方法。
  9. 前記第１のボンディング端子から前記第１のボンディングパッドまで、リソグラフィおよびメタライゼーションを使用して電気的接続を形成する工程、をさらに有する、請求項７に記載の統合化製造方法。
JP2015198874A 2014-10-07 2015-10-06 Ｌｅｄデバイスにｍｅｍｓ製造を組み込んだ実装方法およびアセンブリ Active JP6764640B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/507,862 2014-10-07
US14/507,862 US10026882B2 (en) 2014-10-07 2014-10-07 Using MEMS fabrication incorporating into LED device mounting and assembly

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016076705A JP2016076705A (ja) 2016-05-12
JP2016076705A5 JP2016076705A5 (ja) 2018-11-22
JP6764640B2 true JP6764640B2 (ja) 2020-10-07

Family

ID=54266409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015198874A Active JP6764640B2 (ja) 2014-10-07 2015-10-06 Ｌｅｄデバイスにｍｅｍｓ製造を組み込んだ実装方法およびアセンブリ

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10026882B2 (ja)
EP (2) EP3471141B1 (ja)
JP (1) JP6764640B2 (ja)
KR (1) KR102153145B1 (ja)
CN (1) CN105489598B (ja)
TW (1) TWI697135B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105723528A (zh) * 2015-11-04 2016-06-29 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
US10217718B1 (en) * 2017-10-13 2019-02-26 Denselight Semiconductors Pte. Ltd. Method for wafer-level semiconductor die attachment
FR3087936B1 (fr) * 2018-10-24 2022-07-15 Aledia Dispositif electronique
CN111863690B (zh) * 2019-04-29 2023-10-20 成都辰显光电有限公司 批量转移头及其加工方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH036940Y2 (ja) * 1985-04-02 1991-02-21
US7456035B2 (en) * 2003-07-29 2008-11-25 Lumination Llc Flip chip light emitting diode devices having thinned or removed substrates
JP4468210B2 (ja) 2005-02-28 2010-05-26 株式会社東芝 Ｌｓｉパッケージ用インターフェイスモジュール及びｌｓｉ実装体
JP5059739B2 (ja) * 2005-03-11 2012-10-31 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ
KR100730072B1 (ko) * 2005-12-06 2007-06-20 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
DE102007028097B4 (de) * 2007-06-19 2015-02-12 Automotive Lighting Reutlingen Gmbh Beleuchtungsanordnung mit Halbleiterlichtquellen auf flexiblen Leiterplatten
CN101376490A (zh) 2007-08-29 2009-03-04 中国科学院微电子研究所 基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法
WO2009101551A1 (en) 2008-02-12 2009-08-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device
KR101013557B1 (ko) * 2008-11-06 2011-02-14 주식회사 하이닉스반도체 플랙시블 반도체 패키지 및 이를 제조하기 위한 와이어 본딩 장치
JP4724222B2 (ja) * 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
WO2010086033A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Stretchable electronic device
JP5549273B2 (ja) * 2009-02-27 2014-07-16 東芝ライテック株式会社 発光モジュール
US8912023B2 (en) * 2009-04-08 2014-12-16 Ledengin, Inc. Method and system for forming LED light emitters
TWI671811B (zh) * 2009-05-12 2019-09-11 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
JP5460374B2 (ja) 2010-02-19 2014-04-02 シチズン電子株式会社 半導体装置の製造方法
JP5390472B2 (ja) 2010-06-03 2014-01-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
KR101746614B1 (ko) * 2011-01-07 2017-06-27 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101634369B1 (ko) * 2011-12-27 2016-06-28 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
US8957429B2 (en) 2012-02-07 2015-02-17 Epistar Corporation Light emitting diode with wavelength conversion layer
US20140070235A1 (en) 2012-09-07 2014-03-13 Peter Scott Andrews Wire bonds and light emitter devices and related methods
US10497633B2 (en) * 2013-02-06 2019-12-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable electronic systems with fluid containment
JP6398222B2 (ja) * 2013-02-28 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US8927338B1 (en) * 2013-06-13 2015-01-06 International Business Machines Corporation Flexible, stretchable electronic devices
JP6497647B2 (ja) 2013-12-24 2019-04-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
US9380697B2 (en) * 2014-01-28 2016-06-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic device and manufacturing method for same
TWI656300B (zh) * 2014-03-06 2019-04-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3471141B1 (en) 2021-07-21
CN105489598B (zh) 2020-02-11
US20160099393A1 (en) 2016-04-07
US20180301609A1 (en) 2018-10-18
KR102153145B1 (ko) 2020-09-08
US10403804B2 (en) 2019-09-03
TWI697135B (zh) 2020-06-21
JP2016076705A (ja) 2016-05-12
KR20160041767A (ko) 2016-04-18
EP3007226B1 (en) 2018-12-05
US10026882B2 (en) 2018-07-17
CN105489598A (zh) 2016-04-13
EP3471141A1 (en) 2019-04-17
EP3007226A1 (en) 2016-04-13
TW201616690A (zh) 2016-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10403804B2 (en) Using MEMS fabrication incorporating into LED device mounting and assembly
JP2016076705A5 (ja)
KR101585554B1 (ko) 임베디드 트레이스 기판과 그의 범프 형성 방법
JP2008172125A (ja) チップ型ｌｅｄ発光装置及びその製造方法
KR101953396B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제작 방법
US8846422B2 (en) Method for manufacturing LED package struture and method for manufacturing LEDs using the LED packange struture
TW201528495A (zh) 可撓式顯示面板及可撓式顯示面板之製作方法
JP2014107282A (ja) 配列用マスク
KR20190112615A (ko) 마이크로 엘이디 검증용 기판과, 이의 제작 방법 및 이를 이용한 마이크로 엘이디 검증 방법
US8933474B2 (en) Light emitting diode package and manufacturing method thereof
TWI684250B (zh) 封裝基板及其製造方法以及半導體裝置
JP2016197766A (ja) 配列用マスク
TW201312808A (zh) 光學裝置封裝件及其製造方法
TWI467808B (zh) 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
JP6381322B2 (ja) 配列用マスク
JP2019212649A (ja) 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置
JP7064803B2 (ja) 統合された電子光学モジュール・アセンブリ
CN106324979B (zh) 一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法
US20220085265A1 (en) Micro led display and manufacturing method therefor
KR101776322B1 (ko) 칩 패키지 부재 제조 방법
KR101083711B1 (ko) 평판표시소자 검사용 점등 보드 및 그 제조방법
JP2017098315A (ja) 半導体装置用基板とその製造方法、および半導体装置
TW201639048A (zh) 導線架結構的製作方法
CN113079631A (zh) 表面芯片贴装应力缓冲结构和工艺
CN112420685A (zh) 一种led显示模块的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181005

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181005

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200324

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200818

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6764640

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250