JP6763239B2 - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、マザー基板を分割する工程を有する電気光学装置の製造方法、電気光学装置
、および電子機器に関するものである。

液晶装置等の電気光学装置は、枠状に設けられたシール材によって第１基板と第２基板
とが貼り合わされており、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内
に電気光学層が設けられている。かかる電気光学装置を製造するにあたっては、第１基板
を得るための第１マザー基板と第２基板を得るための第２マザー基板とをシール材によっ
て貼り合わせておき、第１マザー基板および第２マザー基板を各々、スクライブヘッドに
よって形成した溝に沿ってマザー基板を割断するブレイク処理や、ダイシングソーを用い
たダイシング処理等のメカニカルな処理が利用される（特許文献１、２参照）。

特開２０１０−１８１６９６号公報 特開２０１５−１３７８５号公報

しかしながら、ブレイク処理やダイシング処理等のメカニカルな処理では、基板の欠け
やバリ等が発生することがあり、かかる不具合の発生は、端子、配線、シール材等を損傷
させる原因となる。

以上の問題点に鑑みて、本発明は、マザー基板を分割する際の欠けやバリ等の不具合の
発生を抑制することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を
提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、枠状のシー
ル材によって第１マザー基板と第２マザー基板とが貼り合わされた複合基板を分割して電
気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記第１マザー基板を前記シー
ル材の外縁に沿って分割する第１分割工程と、前記第２マザー基板を前記シール材の外縁
に沿って分割する第２分割工程と、を備え、前記第１分割工程では、少なくとも、前記第
１マザー基板の前記第２マザー基板側の面である第１内面から前記第１マザー基板の前記
第２マザー基板とは反対側の面である第１外面に向かう途中位置までレーザスクライブに
より亀裂を形成する第１レーザスクライブ処理と、前記第１外面から前記亀裂までダイシ
ングソーにより前記第１マザー基板を切断するダイシング処理と、を行い、前記第２分割
工程では、前記第２マザー基板の前記第１マザー基板とは反対側の面である第２外面から
前記第２マザー基板の前記第１マザー基板側の面である第２内面までレーザスクライブに
より亀裂を形成する第２レーザスクライブ処理を行うことを特徴とする。

本発明では、第１マザー基板および第２マザー基板を分割するにあたって、レーザスク
ライブを利用するため、基板の欠けやバリ等が発生しにくい。従って、基板の欠けやバリ
等が原因で端子、配線、シール材等が損傷するという事態が発生しにくい。また、第２マ
ザー基板の分割にレーザスクライブを利用するにあたって、第１マザー基板の第１内面か
ら途中位置までレーザスクライブにより亀裂を形成し、第１外面から亀裂まではダイシン
グソーにより第１マザー基板を切断する。このため、第１マザー基板から分割された第１
基板にはダイシングソーによる切断面が存在し、かかる切断面は、位置や形状の精度が高
い。このため、電気光学装置を電子機器に搭載する際、ダイシングソーによる切断面を基
準に電気光学装置の位置を合わせることができる。

本発明において、前記第１分割工程では、さらに、前記第１外面に形成した溝を起点に
前記第１マザー基板を割断するブレイク処理を行う態様を採用してもよい。ブレイク処理
であれば、レーザスクライブより基板の切断を効率よく行うことができる。従って、端子
、配線、シール材等の損傷が発生しにくい個所の切断にブレイク処理を利用すれば、全て
をレーザスクライブによって切断した場合と比較して製造効率を高めることができる。

本発明において、前記第１外面に沿って延在する一つの方向を第１方向とし、前記第１
外面に沿って前記第１方向と交差する方向を第２方向としたとき、前記第１分割工程では
、前記シール材の前記第１方向の両側に位置する外縁に沿って前記第２方向に延在する第
１外形線に沿って前記ブレイク処理によって前記第１マザー基板を割断する第１工程と、
前記シール材の前記第２方向の両側に位置する外縁に沿って前記第１方向に延在する第２
外形線に沿って前記第１レーザスクライブ処理と前記ダイシング処理とによって前記第１
マザー基板を切断する第２工程と、前記シール材に対して前記第１方向の一方側で前記第
１外形線と前記シール材との間で前記シール材の前記第１方向の一方側に位置する外縁に
沿って前記第２方向に延在する第３外形線に沿って前記ブレイク処理によって前記第１マ
ザー基板を割断する第３工程と、を行い、前記第２分割工程では、前記シール材の前記第
１方向の両側に位置する外縁に沿って前記第２方向に延在する第４外形線に沿って前記第
２レーザスクライブ処理により前記第２マザー基板を切断する第４工程と、前記シール材
の前記第２方向の両側に位置する外縁に沿って前記第１方向に延在する第５外形線に沿っ
て前記第２レーザスクライブ処理により前記第２マザー基板を切断する第５工程と、を行
う態様を採用することができる。

本発明において、前記第２工程、前記３工程、前記第４工程、前記第５工程を行った後
、前記第１工程を行う際には、前記第１外面に粘着シートを貼っておき、前記第１外形線
に沿って前記第１マザー基板を割断した後、前記シール材に対して前記第１方向の他方側
の前記第１外形線、前記第２外形線、前記第３外形線、前記第４外形線および前記第５外
形線に沿って分割された電気光学装置を前記粘着シートから剥離し、前記第１マザー基板
において前記シール材に対して前記第１方向の一方側の前記第１外形線、前記第２外形線
および前記第３外形線によって分割された分割片を前記粘着シートに残す態様を採用する
ことができる。かかる構成によれば、分割片が飛び散らないという利点がある。

本発明において、前記第１工程では、ダイシングソーによって前記溝を形成し、前記第
１分割工程では、前記第３工程の後、前記第３外形線に沿ってダイシングソーによって溝
を形成する態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１マザー基板から分割
された第１基板の側面の全てにダイシングソーによる切断面が存在する。このため、電気
光学装置を電子機器に搭載する際、ダイシングソーによる切断面を基準に電気光学装置の
位置を合わせることができる。

本発明において、前記シール材は、全周で繋がっており、前記第１分割工程および前記
第２分割工程を行う前に、前記シール材で囲まれた領域内に液状の電気光学層を設けてお
く態様を採用することができる。かかる構成の場合、電気光学材料の廃棄が少ない等の利
用がある一方、第１分割工程や第２分割工程を行う際に液状の電気光学層からシール材に
圧力が加わりやすい。しかるに本発明によれば、シール材の損傷を防止することができる
ので、第１分割工程や第２分割工程を行う際に液状の電気光学層からシール材に圧力が加
わっていても、電気光学層の漏れが発生しにくい。

本発明において、前記第１マザー基板には、前記シール材で囲まれた領域内に、凹曲面
または凸曲面からなるレンズ面と、前記レンズ面を覆うレンズ層とが設けられている態様
を採用することができる。かかる態様の場合、光の利用効率を向上させることができる一
方、レンズ層を形成した分、シール材付近に厚い膜が形成されるので、ダイシング処理の
際にシール材付近に欠陥が発生しやすい。しかるに本発明によれば、シール材付近の膜が
厚くても、第１分割工程や第２分割工程の際にシール材付近の膜が損傷することを抑制す
ることができるので、電気光学層の漏れが発生しにくい。

本発明を適用した電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板と対向し、前記第１基板
から第１方向の一方側に向けて張り出した張り出し部に端子を有する第２基板と、前記第
１基板の側面である第１側面に沿って設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合
わせる枠状のシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と
、を備え、前記第１側面のうち、前記第１方向の両側に位置する面、および前記第１方向
に対して交差する第２方向の両側に位置する面のいずれかは、前記第１基板の前記第２基
板側の面である第１内面から前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面である第１外面
に向かう途中位置までの第１部分と、前記途中位置から前記第１外面までの第２部分と、
有し、前記第１部分を含む前記第１基板の外縁は、前記第２部分を含む前記第１基板の外
縁より平面サイズが大きいことを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置において、前記第２基板の側面である第２側面のうち、前記
第１方向の他方側に位置する面、および前記第２方向の両側に位置する面のいずれかは、
前記第１部分と平面視で重なる態様を採用することができる。

本発明において、前記第１部分は、スポット状の熱的改質部分が分布し、前記第２部分
は、前記熱的改質部分が分布せず、前記第２基板の側面である第２側面のうち、前記第１
方向の両側に位置する面、および前記第２方向の両側に位置する面のいずれかには、前記
第２基板の前記第１基板側の面である第２内面から前記第２基板の前記第１基板とは反対
側の面である第２外面まで前記熱的改質部分が分布している態様を採用することができる
。レーザスクライブでは、レーザスポットが照射された部分が熱的に改質され、その応力
によって亀裂が発生する。従って、第１基板および第２基板にスポット状の熱的改質部分
が存在すれば、第１マザー基板および第２マザー基板を分割するにあたって、レーザスク
ライブを利用したことが分かる。

本発明に係る電気光学装置において、前記第１側面のうち、前記第２方向の両側に位置
する面に前記第１部分および前記第２部分が存在し、前記第２側面において、前記第１方
向の両側に位置する面、および前記第２方向の両側に位置する面のいずれにも前記熱的改
質部分が分布している態様を採用することができる。

本発明に係る電気光学装置において、前記第１側面のうち、前記第１方向の両側に位置
する面は、前記第１外面から前記第１内面に向かう途中位置まで形成された第３部分と、
前記第３部分から前記第１内面まで前記第３部分より光散乱性が低い第４部分と、を備え
ている態様を採用することができる。ブレイク処理に形成された割断面は、ダイシング処
理により形成された切断面より光散乱性が低いことから、第３部分および第４部分が存在
すれば、第１外面からダイシングソーによって溝が形成されたことが分かる。

本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。かかる電子機器は、例
えば、前記電気光学装置に対して前記素子基板側から光を入射させる光源部を有している
。また、各種電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示
装置には、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によ
って変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。

本発明を適用した電気光学装置を第１基板の側から見た平面図である。 図１に示す電気光学装置のＹ０−Ｙ０′断面図である。 図１に示す電気光学装置のＹ方向の両側の端部を拡大して示す説明図である。 図１に示す電気光学装置のＸ方向の両側の端部を拡大して示す説明図である。 図１に示す電気光学装置の製造方法に用いられる複合基板の平面図である。 図５に示す複合基板の一部を拡大して示す平面図である。 図５に示す複合基板の一部を拡大して示す断面図である。 図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。

以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。
なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置を第１基板２０の側から見た平面図である、図
２は、図１に示す電気光学装置のＹ０−Ｙ０′断面図である。なお、以下の説明において
、Ｙ方向が本発明における「第１方向」であり、Ｘ方向が本発明における「第２方向」で
ある。また、Ｙ方向の一方側（第１方向の一方側）にＹ２を付し、Ｙ方向の他方側（第１
方向の他方側）にＹ１を付し、Ｘ方向の一方側（第２方向の一方側）にＸ２を付し、Ｘ方
向の他方側（第２方向の他方側）にＸ１を付してある。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、液晶装置であり、第１基板２０（対向基
板）と第２基板３０（素子基板）とが、第１基板２０の縁に沿って枠状に延在するシール
材６０によって貼り合わされている。シール材６０は、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、嫌
気硬化性樹脂等の接着剤からなる。電気光学装置１００において、第１基板２０と第２基
板３０との間には、シール材６０に囲まれた領域内に液晶材料からなる液状の電気光学層
５０が設けられており、シール材６０は、第１基板２０と第２基板３０とを貼り合わせる
とともに、電気光学層５０を封止している。シール材６０はギャップ材６９を含有してお
り、ギャップ材６９は第１基板２０と第２基板３０との間隔（電気光学層５０の厚さ）を
制御している。本形態では、電気光学層５０を設けるにあたって、液晶滴下注入法（ＯＤ
Ｆ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法）が用いられている。かかる方法では、例えば、第
２基板３０の側にシール材６０を枠状に設けた後、シール材６０の内側に液状の電気光学
材料を滴下し、その後、第１基板２０を第２基板３０と貼り合わせる。このため、シール
材６０は全周で繋がっている。なお、シール材６０の一部が途切れた状態で第１基板２０
を第２基板３０と貼り合わせ、その後、シール材６０の途切れ部分から液状の電気光学材
料を真空注入してもよい。この場合、シール材６０の途切れ部分を封止材によって塞ぐこ
とになる。

電気光学装置１００において、第１基板２０の基板本体２０ｗおよび第２基板３０の基
板本体３０ｗは、ガラスや石英基板等の透光性基板である。また、第１基板２０（基板本
体２０ｗ）および第２基板３０（基板本体３０ｗ）は、いずれも１ｍｍ未満程度の厚さで
ある。また、第１基板２０（基板本体２０ｗ）および第２基板３０（基板本体３０ｗ）は
、平面（ＸＹ平面）において四角形であり、４辺に側面を有する。第１基板２０の側面を
第１側面としたとき、第１基板２０は、Ｙ方向で対向する２つの第１側面２０ｅ、２０ｆ
と、Ｘ方向で対向する２つの第１側面２０ｇ、２０ｈとを備えている。また、第２基板３
０の側面を第２側面としたとき、第２基板３０は、Ｙ方向で対向する２つの第２側面３０
ｅ、３０ｆと、Ｘ方向で対向する２つの第２側面３０ｇ、３０ｈとを備えている。電気光
学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。

電気光学装置１００において、第１基板２０は第２基板３０より小さく、シール材６０
および第２基板３０は、第１基板２０においてＹ方向の他方側Ｙ１に偏った位置に設けら
れている。このため、第２基板３０は、第１基板２０から張り出した張り出し部３７を有
している。具体的には、第２基板３０は、第１基板２０の第１側面２０ｅから張り出して
おり、第２基板３０の第２側面３０ｅと第１基板２０の第１側面２０ｅとの間に張り出し
部３７を有している。これに対して、第１側面２０ｆおよび第２側面３０ｆはいずれも、
Ｙ方向の他方側Ｙ１でシール材６０の外縁６１と平面視で重なっている。第１側面２０ｇ
および第２側面３０ｇはいずれも、Ｘ方向の他方側Ｘ１でシール材６０の外縁６１と平面
視で重なっている。また、第１側面２０ｈおよび第２側面３０ｈはいずれも、Ｘ方向の一
方側Ｘ２でシール材６０の外縁６１と平面視で重なっている。

第２基板３０において、表示領域１０ａの外側領域では、Ｙ方向の一方側Ｙ２にデータ
線駆動回路３５ａおよび複数の端子３１が形成されており、端子３１は、張り出し部３７
において第２側面３０ｅに沿って配列されている。また、第２基板３０には、第２側面３
０ｇ、３０ｈの各々に沿って走査線駆動回路３５ｂが形成されている。端子３１には、フ
レキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第２基板３０には、フレキシブル配
線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。

第１基板２０は、第２基板３０側の面である第１内面２０ｓと、第２基板３０側とは反
対側の面である第１外面２０ｔとを有しており、第１内面２０ｓには共通電極２１が形成
されている。

第２基板３０は、第１基板２０側の面である第２内面３０ｓと、第２基板３０側とは反
対側の面である第２外面３０ｔとを有しており、第２内面３０ｓの側には、表示領域１０
ａに画素電極３８ａや、画素トランジスター（図示せず）等がマトリクス状に配列されて
いる。第２基板３０の第２内面３０ｓにおいて、表示領域１０ａと第１基板２０の第１側
面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈとに挟まれた領域には、画素電極３８ａと同時形成さ
れたダミー画素電極３８ｂが形成されている。ダミー画素電極３８ｂは、共通電位Ｖcom
が印加されており、表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。
なお、画素電極３８ａおよびダミー画素電極３８ｂの上層には配向膜３６が形成されてい
る。

第１基板２０において、共通電極２１は、表示領域１０ａの略全面あるいは複数の帯状
電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、表示
領域１０ａを含む矩形領域の全面に形成されている。第１基板２０の第１内面２０ｓには
、共通電極２１の下層に保護膜２８および遮光層２７が形成され、共通電極２１の表面に
は配向膜２６が積層されている。遮光層２７は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在す
る額縁部分２７ａとして形成されており、遮光層２７の内周縁によって表示領域１０ａが
規定されている。また、遮光層２７は、隣り合う画素電極３８ａにより挟まれた画素間領
域に重なるブラックマトリクス部２７ｂとしても形成されている。

第１基板２０の第１内面２０ｓの４つの角付近には基板間導通用電極２５が形成されて
おり、第２基板３０の第２内面３０ｓには、第１基板２０の基板間導通用電極２５と対向
する位置に基板間導通用電極３９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極
２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極３９と基板間導通用電極２５と
の間には、銀等の導電粒子を含んだ基板間導通材３９ａが配置されており、第１基板２０
の共通電極２１は、基板間導通用電極３９、基板間導通材３９ａおよび基板間導通用電極
２５を介して、第２基板３０側と電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、
第２基板３０側から共通電位Ｖcomが印加されている。

（レンズ２４の構成）
第１基板２０は、複数の画素電極３８ａの各々に対して平面視（第１基板２０のＸＹ平
面に対して垂直な方向からみた状態）で１対１の関係をもって重なる複数のレンズ２４が
形成されたレンズアレイ基板として構成されており、レンズ２４は、第２基板３０の開口
領域に有効に光を導く役割を果たしている。本形態では、基板本体２０ｗに凹凸面または
凸曲面からなるレンズ面２４０が形成され、レンズ面２４０にレンズ層２４１が積層され
ている。本形態において、レンズ面２４０が凹曲面からなる。また、レンズ層２４１は、
基板本体２０ｗより屈折率が大きい。このため、レンズ面２４０は、正のパワーを有する
レンズ２４として機能する。

本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極３８ａおよ
び共通電極２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜やＩＺＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型
の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、図２に矢印Ｌで示すように、第１基板
２０の第１外面２０ｔから入射した光が第２基板３０から出射される間に変調されて画像
を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は
、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極３８ａは、アルミニウ
ム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００
）では、第１基板２０の第１外面２０ｔから入射した光が第２基板３０で反射して出射さ
れる間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカ
ラー表示装置として用いることができ、この場合、第１基板２０には、カラーフィルター
（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いるこ
とができる。また、電気光学装置１００では、使用する電気光学層５０（液晶材料）の種
類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、
位相差フィルム、偏光板等が電気光学装置１００に対して所定の向きに配置される。さら
に、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、
ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装
置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の
光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（第１基板２０の第１側面２０ｅ〜２０ｈ等の構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００のＹ方向の両側の端部を拡大して示す説明図で
あり、Ｙ０−Ｙ０′断面に相当する。図４は、図１に示す電気光学装置１００のＸ方向の
両側の端部を拡大して示す説明図であり、Ｘ０−Ｘ０′断面に相当する。

図３および図４に示すように、本形態の電気光学装置１００は、図５から図９を参照し
て後述する方法で製造されていることから、第１基板２０の第１側面２０ｅ、２０ｆ、２
０ｇ、２０ｈ、および第２基板３０の第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈは、以下
の構成を有している。

まず、第１基板２０の第１側面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈは、シール材６０の外
縁６１に沿って延在している。かかる第１側面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈのうち、
Ｙ方向の両側に位置する第１側面２０ｅ、２０ｆ、およびＸ方向の両側に位置する第１側
面２０ｇ、２０ｈのいずれかには、第１内面２０ｓと厚さ方向の途中位置（第１内面２０
ｓから第１外面２０ｔに向かう途中位置）との間にレーザスクライブによるスポット状の
熱的改質部分Ｍが分布する第１部分２０７ａと、途中位置と第１外面２０ｔとの間で熱的
改質部分Ｍが分布しない第２部分２０７ｂとが存在し、第１部分２０７ａと第２部分２０
７ｂとの間に段部２０７ｃが形成されている。本形態では、Ｘ方向の両側に位置する第１
側面２０ｇ、２０ｈに第１部分２０７ａ、第２部分２０７ｂおよび段部２０７ｃが存在す
る。第１部分２０７ａは、レーザスクライブによって形成された亀裂からなり、かかる亀
裂は、レーザスクライブの際に照射されたレーザスポットの熱によってスポット状の熱的
改質部分Ｍが形成される際の応力によって発生する。第２部分２０７ｂは、ダイシングソ
ーによる切断面であるため、熱的改質部分Ｍが存在しない。また、第１部分２０７ａと第
２部分２０７ｂとの間には、ダイシングソーの厚さに起因する段部２０７ｃが形成され、
第１部分２０７ａは、第２部分２０７ｂより電気光学層５０とは反対側に突出している。
従って、第１基板２０は、第１部分２０７ａに相当する位置でのＸ方向のサイズが第２部
分２０７ｂに相当する位置でのＸ方向のサイズより大きい。すなわち、第１部分２０７ａ
を含む第１基板１０の外縁は、第２部分２０７ｂを含む第１基板１０の外縁より平面サイ
ズが大きい。

これに対して、Ｙ方向の両側に位置する第１側面２０ｅ、２０ｆには、第１外面２０ｔ
と厚さ方向の途中位置（第１外面２０ｔから第１内面２０ｓに向かう途中位置）との間で
微細な凹凸が存在する第３部分２０８ａと、第３部分２０８ａと第１内面２０ｓとの間で
第３部分２０８ａより光散乱性が低い第４部分２０８ｂとが存在し、第３部分２０８ａと
第４部分２０８ｂとの間には段部２０８ｃが形成されている。第３部分２０８ａは、ダイ
シングソーによる切断面であり、切断時のダイシングソーの痕が微細な凹凸として残って
いるため、光散乱性が高い。これに対して、第４部分２０８ｂは、ブレイク処理において
第１外面２０ｔに形成した溝を起点にして第１内面２０ｓに到達した割断面からなり、略
鏡面になっている。このため、第４部分２０８ｂは、第３部分２０８ａより光散乱性が低
い。また、第３部分２０８ａと第４部分２０８ｂとの間には、ダイシングソーの厚さに起
因する段部２０８ｃが形成され、第４部分２０８ｂは、第３部分２０８ａより電気光学層
５０とは反対側に突出している。従って、第１基板２０は、第４部分２０８ｂに相当する
位置でのＹ方向のサイズが第３部分２０８ａに相当する位置でのＹ方向のサイズより大き
い。すなわち、第４部分２０８ｂを含む第１基板１０の外縁は、第３部分２０８ａを含む
第１基板１０の外縁より平面サイズが大きい。

第２基板３０の側面である第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈのうち、Ｙ方向の
両側に位置する第２側面３０ｅ、３０ｆ、およびＸ方向の両側に位置する第２側面３０ｇ
、３０ｈのいずれかには、第２内面３０ｓから第２外面３０ｔまでの全体に熱的改質部分
Ｍが分布している。本形態では、第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈのいずれにお
いても、第２内面３０ｓから第２外面３０ｔまでの全体に熱的改質部分Ｍが分布する面３
０８になっている。すなわち、第２基板３０の第２側面３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈ
のいずれもがレーザスクライブによる切断面である。かかる第２側面３０ｅ、３０ｆ、３
０ｇ、３０ｈのうち、Ｙ方向の他方側Ｙ１に位置する面、および第２方向Ｙの両側に位置
する面のいずれかは、第１基板２０の第１部分２０７ａと平面視で重なっている。本形態
では、第２基板３０のＸ方向の両側（一方側Ｘ２および他方側Ｘ１）に位置する側面３０
ｇ、３０ｈは、第１基板２０の第１部分２０７ａと平面視で重なっている。また、第２基
板３０のＹ方向の他方側Ｙ１に位置する面３０ｆは、第１基板２０の第４部分２０８ｂと
平面視で重なっている。

（複合基板４００および外形線の構成）
図５は、図１に示す電気光学装置１００の製造方法に用いられる複合基板４００の平面
図である。複合基板４００は、第１マザー基板２００と第２マザー基板３００で構成され
る。図６は、図５に示す複合基板４００の一部を拡大して示す平面図である。図７は、図
５に示す複合基板４００の一部を拡大して示す断面図であり、図１等に示すＹ０−Ｙ０′
線における断面図に相当する。なお、図５では、第１マザー基板２００と第２マザー基板
３００を認識しやすいように各々の端部をずらして示してある。また、図６では、外形線
を認識しやすいように、外形線とシール材６０とを実際より離間させて示してある。

図１等を参照して説明した電気光学装置１００の製造工程では、図５に示すように、第
１基板２０を多数取りできる第１マザー基板２００と、第２基板３０を多数取りできる第
２マザー基板３００とを準備する。次に、第１マザー基板２００において第１基板２０と
して分割される複数の領域の各々に対して共通電極２１等を形成する一方、第２マザー基
板３００において第２基板３０として分割される複数の領域の各々に対して画素電極３８
ａ等を形成する。次に、第１マザー基板２００と第２マザー基板３００とをシール材６０
によって貼り合せる。その際、シール材６０を全周で繋がった枠状に形成し、シール材６
０で囲まれた領域に電気光学層５０を設けておく。従って、第１マザー基板２００におい
て第２マザー基板３００と対向する面である第１内面２００ｓが第１基板２０の第１内面
２０ｓに相当し、第１マザー基板２００において第２マザー基板３００とは反対側の面で
ある第１外面２００ｔが第１基板２０の第１外面２０ｔに相当する。また、第２マザー基
板３００において第１マザー基板２００と対向する面である第２内面３００ｓが第２基板
３０の第２内面３０ｓに相当し、第２マザー基板３００において第１マザー基板２００と
は反対側の面である第２外面３００ｔが第２基板３０の第２外面３０ｔに相当する。

以下、図５、図６および図７に示す外形線（第１外形線ＬＸ１、第２外形線ＬＹ２、第
３外形線ＬＸ３、第４外形線ＬＸ４、および第５外形線ＬＹ５）に沿って複合基板４００
を分割し、複数の電気光学装置１００に分割する。第１外形線ＬＸ１、第２外形線ＬＹ２
、第３外形線ＬＸ３、第４外形線ＬＸ４、および第５外形線ＬＹ５は、電気光学装置１０
０の第１基板２０および第２基板３０の外形を規定する仮想線からなる分割予定線である
。ここで、複合基板４００では、電気光学装置１００が分割される領域がＹ方向およびＸ
方向で隣接している。従って、以下の説明では、Ｙ方向に隣接する２つの領域（第１領域
４００ａおよび第２領域４００ｂ）を中心に説明する。

本形態において、第１外形線ＬＸ１は、第１マザー基板２００に対する切断予定線であ
り、シール材６０のＹ方向の両側に位置する外縁６１に沿ってＸ方向に延在している。第
２外形線ＬＹ２は、第１マザー基板２００に対する切断予定線であり、シール材６０のＸ
方向の両側に位置する外縁６１に沿ってＹ方向に延在している。第３外形線ＬＸ３は、第
１マザー基板２００に対する切断予定線であり、シール材６０に対してＹ方向の一方側Ｙ
２で第１外形線ＬＸ１とシール材６０との間でシール材６０のＹ方向の一方側Ｙ２に位置
する外縁６１に沿ってＸ方向に延在している。

第４外形線ＬＸ４は、第２マザー基板３００に対する切断予定線であり、シール材６０
のＹ方向の両側に位側に位置する外縁６１に沿ってＸ方向に延在している。第５外形線Ｌ
Ｙ５は、第２マザー基板３００に対する切断予定線であり、シール材６０のＸ方向の両側
に位側に位置する外縁６１に沿ってＹ方向に延在している。本形態において、第１外形線
ＬＸ１と第４外形線ＬＸ４とが平面視で重なり、第２外形線ＬＹ２と第５外形線ＬＹ５と
が平面視で重なっている。

（電気光学装置１００の製造方法）
図８および図９は、図１に示す電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である
。なお、図８および図９では、図面に向かって左側にＹ０−Ｙ０′断面を示し、図面に向
かって右側にＸ０−Ｘ０′断面を示してある。但し、図８および図９では、電気光学層５
０等の図示を省略してある。

本形態では、図８および図９を参照して以下に説明するように、第１マザー基板２００
をシール材６０の外縁６１に沿って分割する第１分割工程と、第２マザー基板３００をシ
ール材６０の外縁６１に沿って分割する第２分割工程とを行う。また、第１分割工程では
、少なくとも、第１マザー基板２００の第１内面２００ｓから第１外面２００ｔに向かう
途中位置までレーザスクライブにより亀裂を形成する第１レーザスクライブ処理と、第１
外面２００ｔから亀裂までダイシングソーにより第１マザー基板２００を切断するダイシ
ング処理とを行う。また、第１分割工程では、さらに、第１外面２００ｔに形成した溝を
起点に第１マザー基板２００を割断するブレイク処理を行う。より具体的には、図６に示
すように、第１分割工程では、第１外形線ＬＸ１に沿ってブレイク処理によって第１マザ
ー基板２００を割断する第１工程ＳＴ１０と、第２外形線ＬＹ２に沿って第１レーザスク
ライブ処理とダイシング処理とによって第１マザー基板２００を切断する第２工程ＳＴ２
０と、第３外形線ＬＸ３に沿ってブレイク処理によって第１マザー基板２００を割断する
第３工程ＳＴ３０とを行う。ここで、第１分割工程では、第１工程ＳＴ１０においてダイ
シングソーによってブレイク処理用の溝を形成する。また、第３工程ＳＴ３０の後、第３
外形線ＬＸ３に沿ってダイシングソーによって溝を形成する。第２分割工程では、第２マ
ザー基板３００の第２外面３００ｔから第２内面３００ｓまでレーザスクライブにより亀
裂を形成する第２レーザスクライブ処理を行う。より具体的には、図６に示すように、第
２分割工程では、第４外形線ＬＸ４に沿って第２レーザスクライブ処理により第２マザー
基板３００を切断する第４工程ＳＴ４０と、第５外形線ＬＹ５に沿って第２レーザスクラ
イブ処理により第２マザー基板３００を切断する第５工程ＳＴ５０とを行う。

より具体的には、まず、図８に示す工程ＳＴ１において、第１マザー基板２００を上向
きにし、第１マザー基板２００の第２外形線ＬＹ２に沿って第１内面２００ｓから第１外
面２００ｔに向かう途中位置まで、パルスレーザからなるレーザスポットＬｓを照射する
レーザスクライブを行い、亀裂２０２ｅを形成する（第１レーザスクライブ処理）。

次に、図８に示す工程ＳＴ２において、ダイヤモンドカッターや超硬カッターを備えた
スクライブヘッド７５１によって、第１マザー基板２００の第１外面２００ｔに第３外形
線ＬＸ３に沿って延在するスクライブ溝２０３ａを形成する。

次に、図８に示す工程ＳＴ３において、第２マザー基板３００を上向きにして、第２マ
ザー基板３００の第２外面３００ｔに第１粘着シート７０１を貼り付けた後、ブレイクバ
ー７５２によって、第１粘着シート７０１を介して第２マザー基板３００を押圧する。そ
の結果、第１マザー基板２００に負荷が加わって応力が発生し、スクライブ溝２０３ａを
起点に割断面２０３ｂが第１マザー基板２００の第１内面２００ｓまで到達する。従って
、第１マザー基板２００が第３外形線ＬＸ３に沿って割断される（第３工程ＳＴ３０）。

次に、図８に示す工程ＳＴ４において、第１マザー基板２００に対する第１外形線ＬＸ
１、第２外形線ＬＹ２および第３外形線ＬＸ３に対してダイシング処理を行う。より具体
的には、まず、図８に示す工程ＳＴ４においては、第１粘着シート７０１を除去した後、
第１マザー基板２００を上向きにし、第１マザー基板２００に対する第２外形線ＬＹ２で
のダイシング処理を行う。その際、第２外形線ＬＹ２において、ダイシングソー７５３を
第１マザー基板２００の第１外面２００ｔから亀裂２０２ｅまで進入させ、第１マザー基
板２００にダイシング溝２０２ｃを形成する。その結果、第１マザー基板２００が第２外
形線ＬＹ２に沿って切断される（第２工程ＳＴ２０）。

また、第１外形線ＬＸ１において、ダイシングソー７５３を第１マザー基板２００の第
１外面２００ｔから厚さ方向の途中位置まで進入させ、第１マザー基板２００を厚さ方向
の途中位置までダイシング溝２０１ｃを形成する。

また、第３外形線ＬＸ３において、ダイシングソー７５３を第１マザー基板２００の第
１外面２００ｔから厚さ方向の途中位置まで進入させ、第１マザー基板２００を厚さ方向
の途中位置までダイシング溝２０３ｃを形成する。

次に、図９に示す工程ＳＴ５において、第１マザー基板２００を上向きにして、第１マ
ザー基板２００の第１外面２００ｔに第２粘着シート７０２を貼り付ける。次に、図９に
示す工程ＳＴ６において、第２マザー基板３００を上向きにし、第２マザー基板３００の
第４外形線ＬＸ４に沿って第２内面３００ｓから第２外面３００ｔまで、パルスレーザか
らなるレーザスポットＬｓを照射するレーザスクライブを行い（第２レーザスクライブ処
理）、亀裂３０４ｅを形成する。その結果、第２マザー基板３００が第４外形線ＬＸ４に
沿って切断される（第４工程ＳＴ５０）。また、第２マザー基板３００の第５外形線ＬＹ
５に沿って第２内面３００ｓから第２外面３００ｔまでレーザスポットＬｓを照射するレ
ーザスクライブを行い（第２レーザスクライブ処理）、亀裂３０５ｅを形成する。その結
果、第２マザー基板３００が第５外形線ＬＹ５に沿って切断される（第５工程ＳＴ５０）
。

次に、図９に示す工程ＳＴ７において、第１マザー基板２００を上向きにし、ブレイク
バー７５２によって、第２粘着シート７０２を介して第１マザー基板２００を押圧する。
その結果、第１マザー基板２００に負荷が加わって応力が発生し、ダイシング溝２０１ｃ
を起点に割断面２０１ｂが第１マザー基板２００の第１内面２００ｓまで到達する。従っ
て、第１マザー基板２００が第１外形線ＬＸ１に沿って割断される（第１工程ＳＴ１０）
。

その結果、第１領域４００ａおよび第２領域４００ｂが各々、電気光学装置１００とし
て複合基板４００から分離される。従って、吸着チャック７６０によって、第１領域４０
０ａおよび第２領域４００ｂを各々、電気光学装置１００として複合基板４００から剥離
し、回収する。その際、複合基板４００には、第１マザー基板２００の第１外面２００ｔ
に第２粘着シート７０２が貼り付けられているので、第１マザー基板２００において第１
外形線ＬＸ１、第２外形線ＬＹ２、および第３外形線ＬＸ３によって分割された分割片２
７０が粘着シート７０２に残る。このように構成した電気光学装置１００では、第１外形
線ＬＸ１に相当する部分によって、第１基板２０の第１側面２０ｆが形成され、第２外形
線ＬＹ２に相当する部分によって、第２基板３０の第１側面２０ｇ、２０ｈが形成され、
第３外形線ＬＸ３に相当する部分によって、第１基板２０の第１側面２０ｅが形成される
。また、第４外形線ＬＸ４に相当する部分によって、第２基板３０の第２側面３０ｅ、３
０ｆが形成され、第５外形線ＬＹ５に相当する部分によって、第２基板３０の第２側面３
０ｇ、３０ｈが形成される。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第１マザー基板２００および第２マザー基板３００
を分割するにあたって、レーザスクライブを利用するため、基板の欠けやバリ等が発生し
にくい。従って、基板の欠けやバリ等が原因で端子、配線、シール材等が損傷するという
事態が発生しにくい。また、第１マザー基板２００の分割にレーザスクライブを利用する
にあたって、第１マザー基板２００の第１内面２００ｓから途中位置までレーザスクライ
ブにより亀裂２０２ｅを形成し、第１外面２００ｔから亀裂２００ｅまではダイシングソ
ー７５３により第１マザー基板２００を切断する。このため、第１マザー基板２００から
分割された第１基板２０にはダイシングソー７５３による切断面が存在し、かかる切断面
は、位置や形状の精度が高い。このため、電気光学装置１００を電子機器に搭載する際、
ダイシングソー７５３による切断面を基準に電気光学装置１００の位置を合わせることが
できる。

また、第１マザー基板２００を分割する第１分割工程では、さらに、第１外面２００ｔ
に形成したスクライブ溝２０３ａおよびダイシング溝２０１ａを起点に第１マザー基板２
００を割断するブレイク処理を行う。ブレイク処理であれば、レーザスクライブより基板
の切断を効率よく行うことができる。従って、端子、配線、シール材等の損傷が発生しに
くい個所の切断にはブレイク処理を利用すれば、全てをレーザスクライブによって切断し
た場合と比較して製造効率を高めることができる。

また、第１マザー基板２００を分割する第１分割工程では、第１外形線ＬＸ１、第２外
形線ＬＹ２および第３外形線ＬＸ３のいずれにおいてもダイシングソー７５３によってダ
イシング溝２０１ｃ、２０２ｃ、２０３ｃを形成する。このため、第１マザー基板２００
から分割された第１基板１０の第１側面２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈの全てにダイシ
ングソー７５３による切断面が存在する。このため、電気光学装置１００を電子機器に搭
載する際、ダイシングソー７５３による切断面を基準に電気光学装置１００の位置を合わ
せることができる。

特に電気光学層５０を設ける際にＯＤＦ法を用いた場合、第１分割工程や第２分割工程
等の製造工程において液状の電気光学層５０からシール材６０やシール材６０付近に形成
されている膜等のシール材に圧力が加わりやすい。しかるに本形態によれば、シール材の
損傷を防止することができるので、第１分割工程や第２分割工程を行う際に液状の電気光
学層５０からシール材に圧力が加わっても、シール材の損傷を防止することができる。そ
れ故、シール材を介しての電気光学層５０への水分の侵入や電気光学層５０の漏れが発生
しにくい。また、第１基板２０ではレンズ層２４１を形成した分、シール材６０付近に厚
い膜が形成されるので、ダイシング処理の際にシール材６０付近の膜に損傷が発生しやす
い。しかるに本形態によれば、ダイシング処理時にシール材６０付近の膜に大きな振動が
加わらないので、シール材６０付近に厚い膜が存在していても、シール材６０付近の膜が
損傷することを抑制することができる。それ故、シール材を介しての電気光学層５０への
水分の侵入や電気光学層５０の漏れが発生しにくい。

また、複合基板４００から電気光学装置１００を回収する際、第１マザー基板２００に
発生する分割片２７０を第２粘着シート７０２に残すことができる。それ故、分割片２７
０が飛び散らないという利点がある。すなわち、第２工程ＳＴ２０および第３工程ＳＴ３
０の後、第１マザー基板２００の第１外面２００ｔに第２粘着シート７０２を貼った状態
で、第１外形線ＬＸ１でのブレイク処理を行うため、第２粘着シート７０２によって分割
片２７０を保持することができる。それ故、分割片２７０が飛び散って端子や配線を損傷
するという事態が発生しにくい。また、第１マザー基板２００に対するダイシングソー７
５３によるダイシング溝２０１ｃ、２０２ｃ、２０３ｃの切断を同一の工程ＳＴ４で纏め
て行うことができるので、生産効率を向上することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、ブレイク処理によって第２基板２０の第１側面２０ｅ、２０ｆを
形成したが、レーザスクライブ処理およびダイシング処理によって第２基板２０の第１側
面２０ｅ、２０ｆを形成してもよい。この場合、第２基板２０の第１側面２０ｅ、２０ｆ
には、第３面２０８ａおよび第４面２０８ｂに代わって、第１面２０７ａおよび第２面２
０７ｂが形成される。また、上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を
例示したが、電気泳動表示装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等、他の電気光学装
置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
図１０は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）
の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数
の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を
適用した電気光学装置１００が用いられている。

図１０に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロ
ジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示す
る。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌ０に沿って、照明装置１６０と、照明装置１６
０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜
１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイ
クロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９に
より合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１
１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投
射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム
１１９は、光学ユニット１５０を構成している。

照明装置１６０では、装置光軸Ｌ０に沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレ
ンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズア
レイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデン
サーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青
色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源
１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の
断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレン
ズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６
４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する
偏光にする。

ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒ
を透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１
４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光
Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３
、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分
離する色分離光学系を構成している。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３
で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバ
ルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤
色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ラ
イトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の
偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光
Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａお
よび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態
で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪
むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイッ
クミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である
。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、
電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備え
ている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、
１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ
偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は
、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）
に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過さ
せる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変
調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミ
ラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透
過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と
同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電
気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１
７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー
１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射する
ことから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換
する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光
板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に
応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっ
ている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従
って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光
Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１
７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂ
とを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる
光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラ
ー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射
ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイッ
クミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１
２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青
色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂ
をＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反
射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑
色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライ
トバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成
し、投射光学系１１８に向けて出射する。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１
１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入
射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１
９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一
般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため
、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光
とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投
射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム
１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。

［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い
、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成して
もよい。

本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、投射型の
ＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）
、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓ
ｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に
用いてもよい。

１０ａ…表示領域、２０…第１基板、２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈ…第１側面、２０
ｓ、２００ｓ…第１内面、２０ｔ、２００ｔ…第１外面、２１…共通電極、２４…レンズ
、３０…第２基板、３０ｓ、３００ｓ…第２内面、３０ｔ、３００ｔ…第２外面、３１…
端子、３７…張り出し部、３８ａ…画素電極、５０…電気光学層、６０…シール材、６１
…外縁、１００…電気光学装置、１１０…投射型表示装置、２００…第１マザー基板、２
０２ｅ、３０４ｅ、３０５ｅ…亀裂、２０１ｂ、２０３ｂ…割断面、２０１ｃ、２０２ｃ
、２０３ｃ…ダイシング溝、２０７ａ…第１部分、２０７ｂ…第２部分、２０８ａ…第３
部分、２０８ｂ…第４部分、２４０…レンズ面、２４１…レンズ層、２７０…分割片、３
００…第２マザー基板、４００…複合基板、７０１…第１粘着シート、７０２…第２粘着
シート、７５１…スクライブヘッド、７５２…ブレイクバー、７５３…ダイシングソー、
７６０…吸着チャック、Ｍ…熱的改質部分、ＬＸ１…第１外形線、ＬＹ２…第２外形線、
ＬＸ３…第３外形線、ＬＸ４…第４外形線、ＬＹ５…第５外形線、ＳＴ１０…第１工程、
ＳＴ２０…第２工程、ＳＴ３０…第３工程、ＳＴ４０…第４工程、ＳＴ５０…第５工程、
Ｌｓ…レーザスポット。

Claims (14)

1. 枠状のシール材によって第１マザー基板と第２マザー基板とが貼り合わされた複合基板を分割して電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第１マザー基板を前記シール材の外縁に沿って分割する第１分割工程と、
   前記第２マザー基板を前記シール材の外縁に沿って分割する第２分割工程と、
   を備え、
   前記第１分割工程では、少なくとも、前記第１マザー基板の前記第２マザー基板側の面である第１内面から前記第１マザー基板の前記第２マザー基板とは反対側の面である第１外面に向かう途中位置までレーザスクライブにより亀裂を形成する第１レーザスクライブ処理と、前記第１外面から前記亀裂までダイシングソーにより前記第１マザー基板を切断するダイシング処理と、を行い、
   前記第２分割工程では、前記第２マザー基板の前記第１マザー基板とは反対側の面である第２外面から前記第２マザー基板の前記第１マザー基板側の面である第２内面までレーザスクライブにより亀裂を形成する第２レーザスクライブ処理を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１分割工程では、さらに、前記第１外面に形成した溝を起点に前記第１マザー基板を割断するブレイク処理を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１外面に沿って延在する一つの方向を第１方向とし、前記第１外面に沿って前記第１方向と交差する方向を第２方向としたとき、
   前記第１分割工程では、前記シール材の前記第１方向の両側に位置する外縁に沿って前記第２方向に延在する第１外形線に沿って前記ブレイク処理によって前記第１マザー基板を割断する第１工程と、前記シール材の前記第２方向の両側に位置する外縁に沿って前記第１方向に延在する第２外形線に沿って前記第１レーザスクライブ処理と前記ダイシング処理とによって前記第１マザー基板を切断する第２工程と、前記シール材に対して前記第１方向の一方側で前記第１外形線と前記シール材との間で前記シール材の前記第１方向の一方側に位置する外縁に沿って前記第２方向に延在する第３外形線に沿って前記ブレイク処理によって前記第１マザー基板を割断する第３工程と、を行い、
   前記第２分割工程では、前記シール材の前記第１方向の両側に位置する外縁に沿って前記第２方向に延在する第４外形線に沿って前記第２レーザスクライブ処理により前記第２マザー基板を切断する第４工程と、前記シール材の前記第２方向の両側に位置する外縁に沿って前記第１方向に延在する第５外形線に沿って前記第２レーザスクライブ処理により前記第２マザー基板を切断する第５工程と、を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第２工程、前記３工程、前記第４工程、前記第５工程を行った後、前記第１工程を行う際には、前記第１外面に粘着シートを貼っておき、前記第１外形線に沿って前記第１マザー基板を割断した後、前記シール材に対して前記第１方向の他方側の前記第１外形線、前記第２外形線、前記第３外形線、前記第４外形線および前記第５外形線に沿って分割された電気光学装置を前記粘着シートから剥離し、前記第１マザー基板において前記シール材に対して前記第１方向の一方側の前記第１外形線、前記第２外形線および前記第３外形線によって分割された分割片を前記粘着シートに残すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項３または４に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１工程では、ダイシングソーによって溝を形成し、
   前記第１分割工程では、前記第３工程の後、前記第３外形線に沿ってダイシングソーによって溝を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記シール材は、全周で繋がっており、
   前記第１分割工程および前記第２分割工程を行う前に、前記シール材で囲まれた領域内に液状の電気光学層を設けておくことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
   前記第１マザー基板には、前記シール材で囲まれた領域内に、凹曲面または凸曲面からなるレンズ面と、前記レンズ面を覆うレンズ層とが設けられていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 第１基板と、
   前記第１基板と対向し、前記第１基板から第１方向の一方側に向けて張り出した張り出し部に端子を有する第２基板と、
   前記第１基板の側面である第１側面に沿って設けられ、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる枠状のシール材と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
   を備え、
   前記第１側面のうち、前記第１方向の両側に位置する面、および前記第１方向に対して交差する第２方向の両側に位置する面のいずれかは、前記第１基板の前記第２基板側の面である第１内面から前記第１基板の前記第２基板とは反対側の面である第１外面に向かう途中位置までの第１部分と、前記途中位置から前記第１外面までの第２部分と、有し、
   前記第１部分を含む前記第１基板の外縁は、前記第２部分を含む前記第１基板の外縁より平面サイズが大きく、
   前記第１部分は、スポット状の熱的改質部分が分布し、
   前記第２部分は、前記熱的改質部分が分布せず、
   前記第２基板の側面である第２側面のうち、前記第１方向の両側に位置する面、および前記第２方向の両側に位置する面のいずれかには、前記第２基板の前記第１基板側の面である第２内面から前記第２基板の前記第１基板とは反対側の面である第２外面まで前記熱的改質部分が分布していることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項８に記載の電気光学装置において、
   前記第２基板の側面である第２側面のうち、前記第１方向の他方側に位置する面、および前記第２方向の両側に位置する面のいずれかは、前記第１部分と平面視で重なることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項８に記載の電気光学装置において、
    前記第１側面のうち、前記第２方向の両側に位置する面に前記第１部分および前記第２部分が存在し、
    前記第２側面において、前記第１方向の両側に位置する面、および前記第２方向の両側に位置する面のいずれにも前記熱的改質部分が分布していることを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置において、
    前記第１側面のうち、前記第１方向の両側に位置する面は、前記第１外面から前記第１内面に向かう途中位置まで形成された第３部分と、前記第３部分から前記第１内面まで前記第３部分より光散乱性が低い第４部分と、を備えていることを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項８から１１までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
    前記シール材は、全周で繋がっており、
    前記電気光学層は、液状であることを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項８乃至１２までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
    前記第１基板には、前記シール材で囲まれた領域内に、凹曲面または凸曲面からなるレンズ面と、前記レンズ面を覆うレンズ層とが設けられていることを特徴とする電気光学装置。
14. 請求項８乃至１３までの何れか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。