JP2010181696A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えば、液晶装置等の電気光学装置の外形精度を高め、歩留まりを向上させる。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、第１外形線（Ｘｊ）に沿って、第１のダイシング処理を、第２基板（２２０）の電気光学層（５０）に面しない第２基板外面（２２０ａ）側から第２基板を貫通して、第１基板（２１０）の電気光学層に面する第１基板内面に切り込み部（１２２３ｖ）が形成されるように施すことにより、第２基板を第１外形線に沿って切断する第１工程と、該第１工程の後に、第１基板の電気光学層に面しない第１基板外面（２１０ａ）に、第１外形線に沿って第１のスクライブ処理を施すことにより第１のスクライブ溝を形成し、該第１のスクライブ溝を起点として第１基板に対して第１のブレイク処理を施すことにより、第１基板を第１外形線に沿って切断する第２工程とを含む。
【選択図】図９

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の製造方法では、相互に対向するように貼り合わせられた一対の基板間に液晶層等の電気光学層が形成されてなる大型の複合基板を複数の液晶装置に分離することによって、一枚の複合基板から複数の液晶装置を製造する。この種の電気光学装置の製造方法によれば、例えば大型の複合基板に対してスクライブ・ブレイク処理やダイシング処理を施すことにより、大型の複合基板を所定の切断予定線に沿って切断して、複数の液晶装置に分断する。特許文献１によれば、複合基板において、一対の基板のうち対向基板の向かい合う２辺に沿う分断位置について、スクライブ・ブレイク処理及びダイシング処理を併用して行う。その結果、切断面における外形精度が向上し、一対の基板を実装ケースに収容する際の位置精度も向上する。

特開２００８−１１６９６号公報

しかしながら、特許文献１によれば、例えば対向基板の４つの辺のうち素子基板の外形に沿う１辺について、複合基板に対して素子基板の側とは別個に上述したような切断処理が行われるため、素子基板の切断処理と互いに位置ずれが生じるおそれがある。従って、このような不具合に起因して一対の基板間の外形精度が低下し、電気光学装置の製造プロセスの歩留まりも低下する問題点が生じる。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、液晶装置等の電気光学装置の外形精度を高めることができ、歩留まりを向上させることが可能な電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板に電気光学層を介して対向する第２基板とが貼り合わされてなる複合基板を、相互に交差する複数の第１外形線及び複数の第２外形線によってそれぞれ切断し、複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記第１外形線に沿って、第１のダイシング処理を、前記第２基板の前記電気光学層に面しない第２基板外面側から前記第２基板を貫通して、前記第１基板の前記電気光学層に面する第１基板内面に切り込み部が形成されるように施すことにより、前記第２基板を前記第１外形線に沿って切断する第１工程と、該第１工程の後に、前記第１基板の前記電気光学層に面しない第１基板外面に、前記第１外形線に沿って第１のスクライブ処理を施すことにより第１のスクライブ溝を形成し、該第１のスクライブ溝を起点として前記第１基板に対して第１のブレイク処理を施すことにより、前記第１基板を前記第１外形線に沿って切断する第２工程とを含む。

本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、ガラス基板等で各々構成される第１基板及び第２基板の夫々は、最終的に製造される電気光学装置のサイズより大きい大型の基板であり、シール材等の接着剤から構成されるシール部を介して相互に貼り合わせられている。液晶層等の電気光学物質から構成される電気光学層は、第１基板上で相互に交差する複数の第１外形線及び複数の第２外形線によって囲まれた第１基板上の複数の領域の夫々における画像表示領域となるべき領域において、第１基板及び第２基板間に封止されている。第１外形線及び第２外形線とは、第１基板及び第２基板、並びに、これら基板間に封止される電気光学層を含んで構成される複合基板のうち最終的に電気光学装置となるべき部分、即ち、第１基板上において電気光学装置となるべき領域を規定するために製造プロセス上便宜的に設定される仮想的な線であり、複合基板のうちこれら外形線によって囲まれた複数の領域の夫々に対応した部分が最終的に複数の電気光学装置となる。

第１基板上の複数の領域では、例えば、第１基板及び第２基板を相互に接着するシール材によって囲まれた領域が、最終的に製造される電気光学装置の画像表示領域を含んでいる。電気光学層は、例えば、第１基板及び第２基板が相互に貼り合わせられる前に複数の領域の各々においてシール材によって囲まれた部分に塗布され、複合基板のうち複数の電気光学装置となるべき部分の各々の一部を構成するように封止されている。

従って、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、液晶装置等の電気光学装置の製造方法に汎用されるＯＤＦ（One Drop Filling）法によって形成された複合基板、即ち最終的に製造される電気光学装置のサイズより大型の複合基板から、複数の電気光学装置を製造する製造方法に応用可能である。

本発明の電気光学装置の製造方法では、複合基板を複数の第１外形線及び複数の第２外形線の各々に沿って切断することで、複数の電気光学装置を製造する。

第１工程では、第１外形線に沿って、第１のダイシング処理を、第２基板の電気光学層に面しない第２基板外面側から第２基板を貫通して、第１基板の電気光学層に面する第１基板内面に切り込み部（或いは切溝）が形成されるように施すことにより、第２基板を第１外形線に沿って切断する。即ち、第１工程では、第２基板に対して第２基板外面側から第１外形線に沿って第１のダイシング処理を施すことにより、第２基板を切断すると共に第１基板内面に切り込み部を形成する。ここで、第１のダイシング処理は、高速回転させた例えばダイヤモンド製の円形回転刃等の切断刃（即ち、ダイシングブレード）を、第２基板外面に押し当てることにより行う。切り込み部は、第１外形線に沿って、第１基板内面に浅く刻み込まれた溝として形成される。

第２工程では、第１基板の電気光学層に面しない第１基板外面に、第１外形線に沿って第１のスクライブ処理を施すことにより第１のスクライブ溝（即ち、スクライブライン或いはＶ字状の切溝）を形成し、該第１のスクライブ溝を起点として第１基板に対して第１のブレイク処理を施すことにより、第１基板を第１外形線に沿って切断する。ここで、第２工程において、第１基板に第１外形線に沿って第１のブレイク処理を施す際には、上述したように、第１工程によって、第１基板内面に第１外形線に沿って切り込み部が形成されているので、第１のブレイク処理が施されると、第１のスクライブ溝から切り込み部まで延びるクラックが形成され、第１基板が第１外形線に沿って切断される。

よって、第２工程における切り込み部及び第１のスクライブ溝間にクラックを形成することで得られる第１基板の切断面と、第１工程における第１のダイシング処理によって形成される第２基板の切断面との間に位置ずれが生じるのを低減或いは防止できる。従って、第１工程における切断処理（即ち、第１のダイシング処理）と、第２工程における切断処理（即ち、第１のスクライブ処理及び第１のブレイク処理、以下まとめて「第１のスクライブ・ブレイク処理」と称して説明することもある）との間で、切断精度を高めることができる。この結果、電気光学装置の外形精度を高めることが可能となり、歩留りを向上させることも可能となる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、例えば電気光学装置の外形精度を高めることができ、歩留まりも向上させることが可能となる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第１のダイシング処理は、前記切り込み部の底から側面にかけての断面形状がＶ字状となるような切断刃を用いて行う。

この態様によれば、第１のダイシング処理の際、切断刃（即ち、ダイシングブレード）として、刃の先端部の輪郭形状がＶ字状となっているもの（即ち、Ｖ刃）を用いて行う。第１のダイシング処理は、第２基板を例えば円形回転刃が貫通し第１基板を削ることで、上述した切り込み部を形成する。よって、切断刃としてＶ刃を用いることで、切り込み部の底から側面にかけての断面形状は刃の先端部の輪郭形状に対応するＶ字状として形成される。

この態様によれば、第２工程での第１のスクライブ・ブレイク処理において、第１のスクライブ溝及び切り込み部間でクラックが形成し難くなる事態をより確実に防止できる。よって、第１のスクライブ・ブレイク処理における切断精度をより高めることができる。この結果、第１基板の外形精度をより一層向上させることができる。

本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第２基板外面に、前記第１外形線に対して所定領域を隔てて且つ前記第１外形線に沿って規定された第３外形線に沿って第２のスクライブ処理を施すことにより第２のスクライブ溝を形成し、該第２のスクライブ溝を起点として前記第２基板に対して第２のブレイク処理を施した後、前記第２基板に対して前記第２基板外面側から、前記第３外形線に沿って第１の所定深さまで第２のダイシング処理を施すことにより第１のダイシング溝を形成する第３工程を含む。

この態様によれば、第３工程では、先ず、第２基板外面に、第３外形線に沿って第２のスクライブ処理を施すことにより第２のスクライブ溝を形成し、該第２のスクライブ溝を起点として第２基板に対して第２のブレイク処理を施す。ここで、第３外形線は、第１及び第２外形線と同様に製造プロセス上便宜的に設定される仮想的な線であり、第１外形線に対して例えば第１基板上における接続端子が形成される領域等の所定領域を隔てて且つ第１外形線に沿って規定される。尚、以下では、第３工程における第２のスクライブ処理及び第２のブレイク処理を、まとめて「第２のスクライブ・ブレイク処理」と称して説明することもある。

第３工程では、第２のスクライブ・ブレイク処理の後に、第２基板に対して第２基板外面側から、第３外形線に沿って第１の所定深さまで第２のダイシング処理を施すことにより第１のダイシング溝を形成する。よって、第２基板における第３外形線に沿った切断面を、第１のダイシング溝の側面によって規定される部分を含むように形成できる。即ち、第２基板における第３外形線に沿った切断面のうち、第２基板外面から第１の所定深さまでの部分を、第１のダイシング溝の側面によって規定されるように、第２基板を切断することができる。このような第１のダイシング溝の側面によって規定される切断面は、例えば第２のスクライブ溝を起点とするクラックにより規定される切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。

従って、複合基板から分断されて得られた電気光学装置において、第３外形線に沿った切断面のうち第１のダイシング溝の側面によって規定される部分を、例えば、電気光学装置を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。つまり、電気光学装置を実装ケースに収容する際、第３外形線に沿った切断面のうち第１のダイシング溝の側面によって規定される部分を位置決め手段として用いることで、実装ケース内における電気光学装置の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に電気光学装置を収容できなくなる事態を回避できる。

仮に、何らの対策も施さず、上述したような高い外形精度を得るために、第２基板に対して第３外形線に沿って第２のスクライブ・ブレイク処理を施すこと無しに、第２のダイシング処理のみを施す場合には、第１基板上における所定領域に形成された接続端子等に第２のダイシング処理によって損傷を与えてしまうおそれがある。しかるに本態様によれば、第３工程では、第２の基板の第３外形線に沿う分断を第２のスクライブ・ブレイク処理により行うと共に、第２のダイシング処理を、第２基板を貫通しないような第１の所定深さまで行うので、第１基板上における所定領域に形成された接続端子等に損傷を与えてしまう事態を回避でき、歩留まりを向上させることが可能となる。

尚、第２基板のうち、第２基板上で平面的に見て第１外形線及び第３外形線によって挟まれる、所定領域に位置する小片部分は、後に除去するとよい。

上述した第３工程を含む態様では、前記第２基板に対して前記第２基板外面側から、前記第２外形線に沿って第２の所定深さまで第３のダイシング処理を施すことにより第２のダイシング溝を形成する第４工程を含む。

この態様によれば、第４工程では、第２基板に対して第２基板外面側から、第２外形線に沿って第２の所定深さまで第３のダイシング処理を施す。第３のダイシング処理は、第２基板を貫通させないように（即ち、第２基板が所定の厚さだけ残こるように）行われる。

ここで、第２基板のうち、第２基板上で平面的に見て第１外形線及び第３外形線によって挟まれる、所定領域に位置する小片部分が除去されることで、第１基板における所定領域に形成された接続端子等が露出することとなる。

本態様では、第３のダイシング溝を、第２基板の厚さよりも小さい第２所定深さで形成することで、第３のダイシング処理中や第３のダイシング処理後（即ち、第４工程後）に、第２基板を第１或いは第３外形線に沿って切断する際に、小片部分が周辺に飛び散ってしまうことを抑制或いは防止できる。従って、飛び散った小片部分によりダイシングブレードが損傷するなどの不測の不利益を低減或いは防止でき、ひいては歩留まりをより確実に向上させることが可能となる。

上述した第４工程を含む態様では、前記第４工程は、前記第３工程よりも前に行われてもよい。

この態様では、第４工程が行われた後に、第３工程が行われる。即ち、第４工程によって、第２基板に第２外形線に沿って第２所定深さの第３のダイシング溝が形成された後に、第３工程によって、第２基板が第３外形線に沿って切断される。従って、仮に第３工程を行った後に、第４工程を行う場合に生じ得る、例えば第４工程における第３のダイシング処理中などに、小片部分が周辺に飛び散ってしまうことを確実に防止できる。

上述した第４工程を含む態様では、前記第２基板のうち、前記第２基板上で平面的に見て前記第１外形線及び前記第３外形線によって挟まれる、前記所定領域に位置する小片部分を除去する。

この態様によれば、例えば、最終的に製造される電気光学装置において、接続端子（或いは外部回路接続端子）と重なる小片部分を確実に除去することができる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。

本実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ’断面図である。 液晶装置について、図２に対応する断面部分の構成を概略的に示す断面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面部分の構成を概略的に示す断面図である。 本実施形態に係る電気光学装置の製造方法に用いられる複合基板を図式的に示した平面図である。 図５の一部を拡大して示した拡大平面図である。 液晶装置の製造プロセスにおいて、第２外形線に沿う複合基板の切断処理の主要な工程を説明するための工程断面図である。 液晶装置の製造プロセスにおいて、第１及び第３外形線に沿う複合基板の切断処理の主要な工程を説明するための工程断面図（その１）である。 液晶装置の製造プロセスにおいて、第１及び第３外形線に沿う複合基板の切断処理の主要な工程を説明するための工程断面図（その２）である。 液晶装置の製造プロセスにおいて、第１及び第３外形線に沿う複合基板の切断処理の主要な工程を説明するための工程断面図（その３）である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。本実施形態では、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一例として、液晶装置を製造する製造方法を挙げる。

先ず、本実施形態に係る製造方法によって製造される液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係る液晶装置を対向基板側から見た平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ’断面図である。

図１及び図２において、液晶装置１では、素子基板としてのＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。液晶層５０は、その駆動時に応じて画像のコントラスト及び液晶装置１の透過率が可変となるように構成されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、液晶装置１の製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、対向基板２０上において、電極より上層側に配置されて形成されてもよいし、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として形成されてもよい。

画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１、及び接続端子としての外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って複数設けられている。液晶装置１を駆動させるための電源及び各種信号は、外部回路に電気的に接続された外部接続回路端子１０２を介して液晶装置１に供給される。これにより液晶装置１が動作状態となる。

走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。図１に示すように、例えば走査線駆動回路１０４は、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けられる。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線１０５によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のスイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜１６が形成されている。アクティブマトリクス駆動方式によれば、液晶装置１の駆動時に、走査線駆動回路１０４からの走査信号が走査線に供給され、データ線駆動回路１０１からの画像信号がデータ線に供給される。画像表示領域１０ａにおける各画素では、ＴＦＴを介して走査線からの走査信号に応じて、データ線からの画像信号が画素電極９ａに供給される。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。

他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。

尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０には、液晶装置１の表示方式、より具体的には、透過型表示方式或いは反射型表示方式の違いに応じて、ガラス基板、石英、プラスチック基板、或いはシリコン基板等の各種基板が用いられる。

また、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、データ線に画像信号をサンプリングして供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。

次に、図３及び図４を参照して、液晶装置１の外形を概略的に説明する。

図３は、液晶装置について、図２に対応する断面部分の構成を概略的に示す断面図であり、図４は、図１のIII−III´線に沿う断面部分の構成を概略的に示す断面図である。図３及び図４では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の外形形状に着目して示し、これらの基板上に形成された図１又は図２に示す構成要素の詳細な構成については、図３及び図４に示されるもの以外は図示を省略してある。

図２によく示されるように、ＴＦＴアレイ基板１０は対向基板２０よりも大きいサイズで形成されており、対向基板２０から露出する部分上にデータ線駆動回路１０１や、図３にも示すように外部回路接続端子１０２が配置されている。図３において、図１に示す対向基板２０の向かい合う２辺のうち、外部回路接続端子１０２が位置する側の一辺における端面１２２４ｄｓは、後述するような第２のスクライブ・ブレイク処理によるクラックの側面部分と、このクラックによる切断位置に重ねて第２のダイシング処理を行うことで、クラックの切断幅よりも広い幅を有する所定の深さに達するダイシング溝（ダイシングライン）の側面部分を含んでなる。このようなダイシング溝の側面部分は、平滑性が高く、所望の切断面として高精度に形成できる。

一方、図１に示す、対向基板２０の向かい合う２辺のうち、外部回路接続端子１０２が位置する側の一辺と反対側に位置する他の一辺における端面については、後述するような第１のダイシング処理によるダイシング溝（ダイシングライン）の側面部分により形成され、これと連続的に刻み込まれる切り込み部の側面部分により形成される端面部分１２２３ｄが、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成されている。

図４において、図１に示す２つの走査線駆動回路１０４に沿う、対向基板２０の向かい合う２辺における端面１２２５ｄｂは、後述するような第３のダイシング処理によるダイシング溝の側面部分を含んでなる。後述するように、図３に示すＴＦＴアレイ基板１０が対向基板２０から露出する部分に対応して、製造時に対向基板２０と一体となっている小片部分の分断を防止するために、第３のダイシング処理はダイシング溝が対向基板２０の厚みより小さい深さとなるように行われる。

＜電気光学装置の製造方法＞
次に、図５から図１０を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する。

図５は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法に用いられる複合基板を図式的に示した平面図である。図６は、図５の一部を拡大して示した拡大平面図である。図７は、液晶装置の製造プロセスにおいて、第２外形線に沿う複合基板の切断処理の主要な工程を説明するための工程断面図である。図８から図１０は夫々、液晶装置の製造プロセスにおいて、第１及び第３外形線に沿う複合基板の切断処理の主要な工程を説明するための工程断面図である。

尚、以下で説明する電気光学装置の製造方法は、上述の液晶装置１を製造する製造方法である。以下では、説明の便宜上、上述の液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。加えて、図５から図１０においては、必要に応じて、図１又は図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、シール材５２や外部回路接続端子１０２等について示すこともあるが、これらについては図示を省略し且つ詳細な説明も省略することもある。

図５に示すように、複合基板２３０は、第１基板２１０と、第１基板２１０に対向するように第１基板２１０に貼り合わせられた第２基板２２０とを有している。第１基板２１０及び第２基板２２０は、最終的に製造される液晶装置１のサイズより大きい大型の基板である。第１基板２１０及び第２基板２２０は、シール材等の接着剤から構成されるシール部を介して相互に貼り合わせられている。第１基板２１０上で図中Ｘ方向及びＹ方向に延び、且つ相互に交差する複数の第１外形線Ｘｊ及び複数の第２外形線Ｙ０によって囲まれた第１基板２１０上の複数の領域ｒ１の夫々における画像表示領域１０ａとなるべき領域において、液晶層５０（図２参照）は第１基板２１０及び第２基板２２０間に封止されている。第１外形線Ｘｊ及び第２外形線Ｙ０は、第１基板２１０及び第２基板２２０、並びに、これら基板間に封止される液晶層５０を含んで構成される複合基板２３０のうち最終的に複数の液晶装置１となるべき部分、即ち、第１基板２１０上において液晶装置１となるべき複数の領域ｒ１を規定するために製造プロセス上便宜的に設定される仮想的な線である。

複数の領域ｒ１の各々のうち第１基板２１０及び第２基板２２０を相互に接着するシール材によって囲まれた領域が、最終的に製造される液晶装置１の画像表示領域１０ａになる領域を含んでいる。液晶層５０は、例えば第１基板２１０及び第２基板２２０が相互に貼り合わせられる前に、複数の領域ｒ１の各々においてシール材によって囲まれた一部に塗布され、複合基板２３０のうち複数の液晶装置１となるべき部分の各々の一部を構成するように封止されている。

したがって、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、ＯＤＦ法によって形成された複合基板２３０、即ち最終的に製造される液晶装置１のサイズより大型の複合基板２３０から、後述各工程を経て複数の液晶装置１を製造する。

次に、図６を参照しながら、図５中の領域Ｒにおける複合基板２３０の詳細な構成を説明する。

図６に示す領域Ｒにおいて、第１基板２１０で図５に示す領域ｒ１に重なる部分が、液晶装置１のＴＦＴアレイ基板１０に相当する。第１基板２１０の複数の領域ｒ１の夫々には、外部接続回路端子１０２が形成されていると共に、シール材５２に囲まれた領域に画像表示領域１０ａが設定されている。このような画像表示領域１０ａは既に図１又は図２を参照して説明したように、液晶装置１において遮光膜５３（図１参照）等の遮光部によってその外縁が規定されている。また、額縁遮光膜５３に覆われるようにしてシール材５２より内側に走査線駆動回路１０４が設けられる。

第３外形線Ｘｔは、複合基板２３０において液晶装置１となるべき領域ｒ１の向かい合う２辺を規定する一対の第１外形線Ｘｊ間において、一対の第１外形線Ｘｊの一方に対して、複合基板２３０において液晶層５０が挟持される画像表示領域１０ａを隔てて並走して規定されている。言い換えれば、第３外形線Ｘｔは、第１外形線Ｘｊに対して、第１基板２１０上における外部回路接続端子１０２及びデータ線駆動回路１０１が形成される領域を含む所定領域を隔てて且つ第１外形線Ｘｊに沿って規定されている。第３外形線Ｘｔも、第１及び第２外形線Ｘｊ及びＹ０と同様に、製造プロセス上便宜的に設定される仮想的な線である。図６において、図５に示す領域ｒ１のうち、第２基板２２０の側で一対の第１外形線Ｘｊの一方、これに並走する第３外形線Ｘｔ及びこれら第１及び第３外形線Ｘｔ及びＸｊ間の第２外形線Ｙ０によって規定される領域ｒ２（同図中、斜線部分）が、液晶装置１となるべき部分に相当する。第２基板２２０では、領域ｒ２に重なる一部が液晶装置１の対向基板２０に相当し、図５に示す領域ｒ１のうち領域ｒ２を除いた他部に重なる部分は、後述する製造プロセスにおいて除去される小片部分に相当する。

第１基板２１０における一の領域ｒ１（図５参照）に重なる部分に着目すれば、第２基板２２０の側の小片部分に対応する部分に、データ線駆動回路１０１や外部回路接続端子１０２が設けられている。

次に、図５及び図６に加えて、図７から図１０を参照しながら、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を詳細に説明する。

本実施形態では、図５に示すような複合基板２３０を、後述する各工程によって、図５又は図６に示すような複数の第１外形線Ｘｊ及び複数の第２外形線Ｙ０並びに複数の第３外形線Ｘｔに沿って切断することにより、複数の液晶装置１を製造する。この際、第２基板２２０に対して、第１及び第２外形線Ｘｊ及びＹ０の一方に沿って本発明に係る「第１工程」による第１のダイシング処理を行い、第１及び第２外形線Ｘｊ及びＹ０の他方に沿って本発明に係る「第４工程」による第３のダイシング処理を行う。更に、本発明に係る「第３工程」による第２のスクライブ・ブレイク処理及び第２のダイシング処理を、第２基板２２０の第３外形線Ｘｔに沿って行う。以下の製造プロセスの一例では、先に第２外形線Ｙ０に沿って本発明に係る「第４工程」による切断処理の一例を行った後、第１及び第３外形線Ｘｊ及びＸｔに沿って、本発明に係る「第１工程」及び「第３工程」による切断処理の一例を行う。

先ず、図７（ａ）に示すように本発明に係る「第４工程」による第３のダイシング処理を以下のように行う。具体的には、図７（ａ）において、第２基板２２０に対して、第２基板外面２２０ａ側から、第２外形線Ｙ０に沿って第３のダイシング処理を施す。この際、第３のダイシング処理は第２基板２２０に対してその厚さ（例えば、１．２ｍｍ）より小さい深さｄ０（例えば、１．１ｍｍ）まで施し、第２基板２２０を貫通しないダイシング溝１２２５を形成する。尚、ダイシング溝１２２５は、本発明に係る「第１のダイシング溝」の一例である。よって、第２基板２２０における第２外形線Ｙ０に沿った切断面は、ダイシング溝１２２５の側面部分を含んで形成され、この側面部分で平滑性の高い所望の切断面として高精度に形成できる。なお、第３のダイシング処理の前に、第２外形線Ｙ０に沿ってスクライブ処理を施してスクライブ溝を形成し、更に、このスクライブ溝に沿ってブレイク処理を行うことにより、予め第２外形線Ｙ０に沿ってクラックを形成しておいてもよい。

図６において既に説明したように、第２基板２２０では、領域ｒ２に重なる一部が液晶装置１の対向基板２０に相当し、図５に示す領域ｒ１のうち領域ｒ２を除いた他部に重なる部分は小片部分に相当し、この小片部分は後述するように第２基板２２０から除去される。従って、ダイシング溝１２２５を第２基板２２０の厚さ（例えば、１．２ｍｍ）よりも小さい深さｄ０（例えば、１．１ｍｍ）で形成することで、第３のダイシング処理後、即ち本発明に係る「第４工程」の一例の後に、本発明に係る「第１工程」及び「第３工程」により、更に第２基板２２０を第１及び第３外形線Ｘｊ及びＸｔに沿って切断する際に、小片部分が、周辺に飛び散って散乱してしまうことを防止できる。尚、例えば、本発明に係る「第４工程」による切断処理を、本発明に係る「第１工程」及び「第３工程」による切断処理の後に行う場合も同様に、第３のダイシング処理中に小片部分が飛び散って散乱するのを防止できる。

ここに、第３のダイシング処理は、高速回転させた例えばダイヤモンド製等の円形回転刃（即ち、ダイシングブレード）９０ｙを、第２基板外面２２０ａ側から第２外形線Ｙ０に沿って押し当てることにより行う。従って、上述したような飛び散った小片部分によりダイシングブレードの刃９０ｙが損傷するなどの不測の不利益を低減或いは防止でき、ひいては歩留まりを向上させることが可能となる。尚、ダイシングブレード９０ｙは、刃の先端部の輪郭形状が図７（ａ）に示すようにＶ字状となっているもの（Ｖ刃）を用いるのが好ましい。この場合、図７（ａ）に示すように、ダイシング溝１２２５の底から側面の一部にかけての断面形状がＶ字状となるように形成することができる。

第３のダイシング処理は、ダイシング溝１２２５が、当該処理後にその側面部分を含む切断面を容易に形成することが可能な程度の深さｄ０となるように、第２基板２２０に対して施すのが好ましい。このようにすれば小片部分を、ダイシング溝１２２５による切断面で、例えば後述するような真空吸引等の容易な手段により、製造プロセスを煩雑化させることなく除去することが可能となる。

続いて、図８（ａ）から図８（ｃ）に示すように本発明に係る「第３工程」による、第２のスクライブ・ブレイク処理を以下のように行う。具体的には、図８（ａ）に示すように、第２基板２２０の両面のうち液晶層５０に面しない側の第２基板外面２２０ａに、第３外形線Ｘｔに沿って、第２のスクライブ処理を施すことによりスクライブ溝１２２１を形成する。スクライブ溝１２２１は、図６に示すような第３外形線Ｘｔに沿って連続的に延びるように形成される。第２のスクライブ処理では、例えばダイヤモンドチップなどのカッタを第２基板外面２２０ａに当接させたまま、このカッタを第３外形線Ｘｔに沿って相対移動させることにより行う。

次に、図８（ｂ）に示すように、第１基板２１０の両面のうち液晶層５０に面しない側の第１基板外面２１０ａに、第１テープ２６１を貼り付ける。第１テープ２６１は、後述するように第２基板２２０に対して第２のブレイク処理を行うことを目的として貼り付けられているため、第１基板外面２１０ａに貼り付けられる。尚、第１テープ２６１には、後述する第２のブレイク処理を安定して実行するために、その詳細な構成は図示を省略するが、平面的に見て複合基板２３０を囲むようにリング２７０が配置されている。

次に、図８（ｃ）に示すように、第１テープ２６１の両面のうち第１基板２１０に面しない側の裏面２６１ａから第１テープ２６１及び第１基板２１０を介して第２基板２２０を押圧する（即ち、第２基板２２０に対して力Ｆ１を加える）ことにより、スクライブ溝１２２１を起点として、第２のブレイク処理により第２基板２１０をブレイクする。スクライブ溝１２２１は第３外形線Ｘｔに沿って形成されているので、第２基板２２０は、第３外形線Ｘｔに沿ってブレイクされる。これにより、スクライブ溝１２２１を起点とするクラック１２２２によって、第２基板２２０では、電気光学装置となるべき部分（図５に示す領域ｒ１に重なる部分）において、第３外形線Ｘｔを隔てて相互に隣接する部分（即ち、図６に示す領域ｒ２に重なる一部と、領域ｒ１における領域ｒ２を除いた他部に重なる部分）が相互に分離される。

その後、本発明に係る「第３工程」による第２のダイシング処理、及びこれに並行するか又は相前後して本発明に係る「第１工程」による第１のダイシング処理を行う。具体的には、図９（ａ）において、第２基板２２０に対して、第２基板外面２２０ａ側から、（i）第３外形線Ｘｔに沿って（即ち、スクライブ溝１２２１及びクラック１２２２に重ねて）所定の深さｄ１として例えば０．８ｍｍまで第２のダイシング処理を施すことによりダイシング溝１２２４を形成する。尚、ダイシング溝１２２４は、本発明に係る「第２のダイシング溝」の一例である。また、これと並行して又は相前後して、（ii)第１外形線Ｘｊに沿って、第１のダイシング処理を第２基板外面２２０ａ側から、第２基板２２０を貫通して、第１基板２１０の両面のうち液晶層５０に面する側に切り込み部１２２３ｖが形成されるように施すことにより、第２基板２２０を第１外形線Ｘｊに沿って切断する。第１又は第２のダイシング処理は、高速回転させた例えばダイヤモンド製等の円形回転刃（即ち、ダイシングブレード）９０ｘを、第２基板外面２２０ａ側から押し当てることにより行う。なお、第１のダイシング処理の前に、第１外形線Ｘｊに沿ってスクライブ処理を施してスクライブ溝を形成し、更に、このスクライブ溝に沿ってブレイク処理を行うことにより、予め第１外形線Ｘｊに沿ってクラックを形成しておいてもよい。

よって、図９（ａ）では、第２のダイシング処理が、図８（ｃ）に示すスクライブ溝１２２１及びクラック１２２２に重ねて行われることで、第２基板２２０内の深さｄ１（例えば０．８ｍｍ）に達するダイシング溝１２２４が形成される。ダイシング溝１２２４は、第２基板２２０の厚さ（例えば１．２ｍｍ）よりも小さい深さで形成される。よって、第２基板２２０において、電気光学装置となるべき部分（図５に示す領域ｒ１に重なる部分）において、第３外形線Ｘｔを隔てて隣接する部分（即ち、図６に示す領域ｒ２に重なる一部と、領域ｒ１における領域ｒ２を除いた他部に重なる部分）を相互に分断する切断面１２２４ｄｓは、ダイシング溝１２２４の側面部分及びクラック１２２２の側面部分を含むように形成される。このようなダイシング溝１２２４の側面部分を含む切断面１２２４ｄｓは、クラック１２２２により規定される切断面と比較して、平滑性が高く、所望の切断面を高精度に形成できる。

ダイシング溝１２２４の側面部分を含む切断面１２２４ｄｓは、図３に示す液晶装置１の対向基板２０について、外部回路接続端子１０２に面する端面を構成する。従って、対向基板２０の端面１２２４ｄｓでは、ダイシング溝１２２４の側面部分を、例えば、液晶装置１を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。従って、実装ケースに収容する際、液晶装置１の対向基板２０の端面１２２４ｄｓを基準として位置決めを行うことで、実装ケース内における液晶装置１の位置ずれの発生を殆ど或いは完全に無くすことができる、或いは、実装ケース内に液晶装置１を収容できなくなる事態を回避できる。

ここに、対向基板２０について所望の端面１２２４ｄｓを高精度で得ることを期待して、図８（ａ）から図８（ｃ）を参照して説明したような第２のスクライブ・ブレイク処理無しに、第２のダイシング処理のみを行うとすれば、上述したような対向基板２０（図６において第２基板２２０における領域ｒ２に相当する部分）の外部回路接続端子１０２の側に位置する縁付近において、ＴＦＴアレイ基板１０（図５において第１基板２１０における領域ｒ１に相当する部分）上の外部回路接続端子１０２等に損傷を与えるおそれがある。従って、第３工程では、第２の基板２２０の第３外形線Ｘｔに沿う分断を第２のスクライブ・ブレイク処理により行うことで、このような事態をより確実に防止し、歩留まりを向上させることが可能となる。

図９（ａ）において、第１のダイシング処理を第１基板２１０及び第２基板２２０に対して、第２基板２２０の厚さ（例えば、１．２ｍｍ）よりも大きい深さｄ２（例えば、１．２５５ｍｍ）で施し、第２基板２２０にダイシング溝（ダイシングライン）１２２３を形成すると同時に、第１基板２１０において第２基板２２０に面する側にダイシング溝１２２３と連続的に切り込み部１２２３ｖを形成する。ダイシング溝１２２３は第１外形線Ｘｊに沿い第２基板２２０を貫通して形成され、第２基板２２０の側においてダイシング溝１２２３により、第１外形線Ｘｊを隔てて相互に隣接する電気光学装置となるべき部分（図５に示す領域ｒ１に重なる部分）が相互に分離される。

従って、第２基板２２０における第１外形線Ｘｊに沿った切断面は、ダイシング溝１２２３の側面部分として形成され、平滑性の高い所望の切断面として高精度に形成できる。この切断面は、第２基板２２０の領域ｒ２に相当する部分について、ダイシング溝１２２４の側面部分を含む切断面１２２４ｄｓと共に、図３を参照して説明したような液晶装置１の対向基板２０の両端面を形成する。従って、対向基板２０の両端面を、例えば、液晶装置１を実装ケースに収容する際の位置決め手段として好適に用いることができる。

ここに、図９（ａ）において、第１及び第２のダイシング処理は夫々、図７（ａ）を参照して説明した第３のダイシング処理と同様に、Ｖ刃のダイシングブレード９０ｘを用いるのが好ましい。第１のダイシング処理は、第２基板２２０を例えばダイシングブレード９０ｘが貫通し第１基板２１０を削ることで、ダイシング溝１２２３及びこれと連続的に切り込み部１２２３ｖを形成する。従って、Ｖ刃のダイシングブレード９０ｘを用いることで、切り込み部１２２３ｖの底から側面にかけての断面形状は刃の先端部の輪郭形状に対応するＶ字状として形成される。また、例えばＶ刃のダイシングブレード９０ｘを用いて第２のダイシング処理を行うことで、ダイシング溝１２２４の底から側面の一部にかけての断面形状がＶ字状となるように形成することができる。

次に、図９（ｂ）に示すように、第２基板２２０のうち小片部分１２３０を、例えば真空吸引等により除去する。尚、図９（ｂ）に示す工程は、本発明に係る「第５工程」の一例である。小片部分１２２５は、第２基板２２０において図５に示す一の領域ｒ１に重なる部分に着目すれば、図６に示す領域ｒ２に重なる一部を除いた他部に相当し、最終的に製造される液晶装置１において、第１基板２１０側の外部回路接続端子１０２と重なる部分であるため、当該工程で予め除去しておく。

本実施形態では以上のように、好ましくは、図７（ａ）を参照して説明した本発明に係る「第４工程」より後であって、図９（ｂ）における小片部分１２２５の除去前に、図８（ａ）から図８（ｃ）及び図９（ａ）を参照して説明した本発明に係る「第１工程」及び「第３工程」を行う。

ここに、この順を逆に、即ち図８（ａ）から図８（ｃ）及び図９（ａ）を参照して説明した本発明に係る「第１工程」及び「第３工程」を先に、図７（ａ）を参照して説明した本発明に係る「第４工程」を後に行うとする。即ち、第２基板２２０において図６に示す領域ｒ２に重なる部分について、第１外形線Ｘｊ及び第３外形線Ｘｔに沿う２辺について、一方を第１のダイシング処理により分離し、他方を第２のスクライブ・ブレイク処理並びに第２のダイシング処理により分離した後に、第３のダイシング処理により残る第２外形線Ｙ０に沿う２辺を切断すると、ダイシング溝１２２５は第２基板２２０を貫通しないで形成されるものの、より第２外形線Ｙ０に沿う２辺で容易に分離され易くなる。よって何らかの誤りが生じ、第３のダイシング処理中に小片部分１２３０が、これを除去する図９（ｂ）の工程より前に分断されて飛び散り、散乱するおそれがある。

従って、図８（ａ）から図８（ｃ）及び図９（ａ）を参照して説明したような、第１及び第３外形線Ｘｊ及びＸｔに沿う第２基板２２０の切断処理が行われるより前に、図７（ａ）を参照して説明した第３のダイシング処理を行うことで小片部分１２３０が分断される誤りを、より確実に防止することが可能となる。

次に、図９（ｃ）に示すように、第１テープ２６１を第１基板外面２１０ａから取り除いた後、第２基板外面２２０ａに第２テープ２６２を貼り付ける。これにより、第２基板外面２２０ａ側から複合基板２３０が第２テープ２６２に固定される。尚、第２テープ２６２は、第１テープ２６１と同様に、第２基板外面２２０ａの全体、より具体的には、上述した小片部分１２３０が除去された後の第２基板外面２２０ａ全体に貼り付けられる。

次に、本発明に係る「第２工程」による第１のスクライブ・ブレイク処理を図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すような手順により行う。具体的には、図１０（ａ）において、第１基板外面２１０ａを第１基板２１０側の切り込み面として、これと反対側の面における切り込み部１２２３ｖに対応する位置で、第１外形線Ｘｊに沿って第１のスクライブ処理を施し、スクライブ溝（スクライブライン）１２２６を形成する。切り込み部１２２３ｖは、第２基板２２０側のダイシング溝１２２３に沿い、即ち第１外形線Ｘｊに沿って、第１基板２１０の第２基板２２０に面する側に浅く刻み込まれた溝として形成されている。

また、これと並行して又は相前後して、図７（ｂ）において、第１基板２１０における切り込み面２１０ａに対して、第２外形線Ｙ０に沿ってスクライブ処理を施すことにより、スクライブ溝１２２８も形成する。

よって、図１０（ａ）及び図７（ｂ）に示す各工程では、第１基板２１０の切り込み面２１０ａにおいて、第１外形線Ｘｊに沿ってスクライブ溝１２２６が切り込み部１２２３ｖに対応する位置で延び、スクライブ溝１２２６に交差して第２外形線Ｙ０に沿って延びるスクライブ溝１２２８が形成される。これにより、第１基板２１０を第１外形線Ｘｊ及び第２外形線Ｙ０に沿って液晶装置１に対応する部分毎に分離する準備が整う。

次に、図１０（ｂ）に示すように、第２テープ２６２の両面のうち第２基板２２０に面しない側の裏面２６２ａから第２テープ２６２及び第２基板２２０を介して第１基板２１０を押圧する（即ち、第１基板２１０に対して力Ｆ２を加える）ことにより第１のブレイク処理を行い、スクライブ溝１２２６を起点として切り込み部１２２３ｖまで延びるクラック１２２７を形成して、第１基板２１０を第１外形線Ｘｊに沿ってブレイクする。

また、これと並行して又は相前後して、図７（ｃ）に示すように、図１０（ｂ）と同様に第２テープ２６２の裏面２６２ａから第１基板２１０を押圧するブレイク処理を行い、スクライブ溝１２２８を起点としてこれと反対側の面まで延びるクラック１２２９を形成して、第１基板２１０を第２外形線Ｙ０に沿ってブレイクする。

よって、第１基板２１０において、切り込み部１２２３ｖ、スクライブ溝１２２６及びクラック１２２７により、第１外形線Ｘｊを隔てて相互に隣接する液晶装置１となるべき部分（図５に示す領域ｒ１に重なる部分）が相互に分離され、スクライブ溝１２２８及びクラック１２２９により、第２外形線Ｙ０を隔てて相互に隣接する液晶装置１となるべき部分（図５に示す領域ｒ１に重なる部分）が相互に分離される。

ここに、切り込み部１２２３ｖは、図９（ａ）において、ダイシング溝１２２３に対応させてこれと同時に且つ連続的に第１基板２１０に形成される。従って、第１のスクライブ・ブレイク処理により、切り込み部１２２３ｖ及びスクライブ溝１２２６間にクラック１２２７を形成することで得られる第１基板２１０の切断面と、第１のダイシング処理による第２基板２２０のダイシング溝１２２３による切断面との間に位置ずれが生じるのを抑制或いは防止できる。従って、図９（ａ）に示すような第１のダイシング処理と、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すような第１のスクライブ・ブレイク処理との間で、切断精度を向上させることが可能となる。

尚、図９（ａ）を参照して説明したように、Ｖ刃のダイシングブレード９０ｘを用いることで、切り込み部１２２３ｖの底から側面にかけての断面形状は刃の先端部の輪郭形状に対応するＶ字状として形成される。従って、図１０（ｂ）に示す第１のブレイク処理で切り込み部１２２３ｖの底に応力が集中して、スクライブ溝１２２６との間に延びる亀裂が生じ易くなり、スクライブ溝１２２６及び切り込み部１２２３ｖ間でクラック１２２７が形成し難くなる事態をより確実に防止できる。よって、第１のスクライブ・ブレイク処理における切断精度を向上させることができる。

ここに、好ましくは図７（ｃ）の後に、第１基板２１０の両面のうち第２基板２２０に面しない側の裏面側から、第２基板２２０を押圧することにより、第３外形線Ｙ０に沿ってダイシング溝１２２５の底を起点とするクラックを形成し、ブレイク処理を行う（図示せず）。これにより、第２基板２２０において、相互に隣接する領域ｒ２に重なる部分（図６参照）が、第２外形線Ｙ０に沿って分離する。

図７（ａ）を参照して説明したように、Ｖ刃のダイシングブレード９０ｙを用いることで、ダイシング溝１２２５の底から側面の一部にかけての断面形状がＶ字状となるように形成することができる。よって、上述したようなブレイク処理ではダイシング溝１２２５の底に応力が集中して、これと第２基板２２０において反対側の基板面へ延びる亀裂が生じ易くなる。よって、第２外形線Ｙ０に沿って第２基板２２０を容易に切断することが可能となる。

次に、図１０（ｃ）に示すように、以上のような一連の工程によって複合基板２３０から相互に分離された複数の液晶装置１を第２テープ２６２から分離する。複数の液晶装置１を第２テープ２６２から取り除く際、言い換えれば、第２テープ２６２からはがす際には、ソータ装置等の吸引手段によって複数の液晶装置１を吸引する。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、外形精度が高い液晶装置１を製造することができる。よって、歩留りを向上させることも可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１…液晶装置、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、５０…液晶層、２１０…第１基板、２２０…第２基板、２３０…複合基板、Ｘｊ…第１外形線、Ｙ０…第２外形線、Ｘｔ…第３外形線、１２２３、１２２４、１２２５…ダイシング溝、１２２３ｖ…切り込み部

Claims (6)

1. 第１基板と、該第１基板に電気光学層を介して対向する第２基板とが貼り合わされてなる複合基板を、相互に交差する複数の第１外形線及び複数の第２外形線によってそれぞれ切断し、複数の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第１外形線に沿って、第１のダイシング処理を、前記第２基板の前記電気光学層に面しない第２基板外面側から前記第２基板を貫通して、前記第１基板の前記電気光学層に面する第１基板内面に切り込み部が形成されるように施すことにより、前記第２基板を前記第１外形線に沿って切断する第１工程と、
   該第１工程の後に、前記第１基板の前記電気光学層に面しない第１基板外面に、前記第１外形線に沿って第１のスクライブ処理を施すことにより第１のスクライブ溝を形成し、該第１のスクライブ溝を起点として前記第１基板に対して第１のブレイク処理を施すことにより、前記第１基板を前記第１外形線に沿って切断する第２工程と
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記第１のダイシング処理は、前記切り込み部の底から側面にかけての断面形状がＶ字状となるような切断刃を用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記第２基板外面に、前記第１外形線に対して所定領域を隔てて且つ前記第１外形線に沿って規定された第３外形線に沿って第２のスクライブ処理を施すことにより第２のスクライブ溝を形成し、該第２のスクライブ溝を起点として前記第２基板に対して第２のブレイク処理を施した後、前記第２基板に対して前記第２基板外面側から、前記第３外形線に沿って第１の所定深さまで第２のダイシング処理を施すことにより第１のダイシング溝を形成する第３工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記第２基板に対して前記第２基板外面側から、前記第２外形線に沿って第２の所定深さまで第３のダイシング処理を施すことにより第２のダイシング溝を形成する第４工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記第４工程は、前記第３工程よりも前に行われることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記第２基板のうち、前記第２基板上で平面的に見て前記第１外形線及び前記第３外形線によって挟まれる、前記所定領域に位置する小片部分を除去する第５工程を含むことを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置の製造方法。

Images