JP6762325B2 - フラットケーブル、フラットケーブルの製造方法、及びフラットケーブルを備える回転コネクタ装置 - Google Patents
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Description
また、他の導体として、無酸素銅(99.999wt%Cu)に、0.3wt%以下のSnと0.3wt%以下のIn或いはMgを添加した銅合金、又は、無酸素銅(99.999wt%Cu)に、10wt%以下のAgを添加した銅合金を母材とし、その表面にSnをめっきした平板状の導体に熱処理を行い、引張り強さ350MPa以上、伸び5%以上、導電率70%IACS以上である平角導体が提案されている(特許文献2)。
また、特許文献2の技術では、伸び5%以上を必須とし、伸びがその範囲外であると剛性が強く、折り曲げが困難であること、また、折り曲げ時に導体を座屈させてしまう虞があることが開示されているものの、伸び5%以上であっても導体の屈曲特性が不十分であることが分かってきた。特に近年、自動車の高性能化・高機能化が進められると共に、信頼性、安全性等の向上の観点から自動車に搭載される各種装置、機器の耐久性の向上が要求されており、回転コネクタ装置等に用いられるフラットケーブルの屈曲特性の更なる向上が求められている。
[1]所要数の導体と、前記所要数の導体を挟み込むように配置された一対の絶縁フィルムと、前記一対の絶縁フィルム間に設けられた接着剤層とを備えるフラットケーブルであって、
前記導体は、屈曲半径が4mm〜8mmの範囲で、屈曲半径をX(単位:mm)、0.2%耐力をY(単位:MPa)、厚さをt(単位:mm)、ヤング率をE(単位:MPa)としたとき、Y≧ 1.2×t×E/(2X−t)を満たし、かつ導電率が50〜98%IACSである、
ことを特徴とするフラットケーブル。
[2]前記フラットケーブルの長手方向の中間部分に、湾曲して折り返された折り返し部が設けられ、
前記フラットケーブルは、前記折り返し部にて屈曲を維持した状態で巻き締め又は巻き戻しされ、
前記折り返し部は、屈曲半径4mm〜8mmを維持した状態で、折り返しを伴って巻き締め又は巻き戻しされることを特徴とする、上記[1]記載のフラットケーブル。
[3]前記導体は、0.1〜0.8質量%のスズ、0.05〜0.8質量%のマグネシウム、0.01〜0.5質量%のクロム、0.1〜5.0質量%の亜鉛、0.02〜0.3質量%のチタン、0.01〜0.2質量%のジルコニウム、0.01〜0.3質量%の鉄、0.001〜0.2質量%のリン、0.01〜0.3質量%のシリコン、0.01〜0.3質量%の銀、及び0.1〜1.0質量%のニッケルのうちの1種又は2種以上を含有することを特徴とする、上記[1]記載のフラットケーブル。
[4]前記導体の伸びが5%未満であることを特徴とする、上記[1]〜[3]のいずれかに記載のフラットケーブル。
[5]上記[1]〜[4]のいずれかに記載のフラットケーブルの製造方法であって、
幅方向断面積が0.75mm2以下である所要数の導体を準備し、
前記所要数の導体に0.3kgf以上の張力を付与しながら、前記所要数の導体を、接着剤を介して一対の絶縁フィルムで挟み込むことを特徴とする、フラットケーブルの製造方法。
[6]上記[1]〜[4]のいずれかに記載のフラットケーブルを備える回転コネクタ装置であって、
前記フラットケーブルは、8mm以下の屈曲半径を維持した状態で行なった20万回の屈曲運動後における前記フラットケーブルの長手方向の0.2%耐力が、前記屈曲運動前における前記長手方向の初期耐力の80%以上であることを特徴とする、回転コネクタ装置。
本実施形態のフラットケーブル1は、図1に示すように、例えば複数の導体11−1,11−2,11−3,11−4,11−5,11−6(所要数の導体)と、該複数の導体を挟み込むように配置された一対の絶縁フィルム12,13と、一対の絶縁フィルム12,13間に設けられた接着剤層14とを備える。本実施形態のフラットケーブル1は、例えばフレキシブルフラットケーブル(FFC)である。
導体11−1〜11−6は、圧延面の面内方向がほぼ同一となるように並べて配置されており、これら導体の一方の圧延面側に絶縁フィルム12が設けられ、他方の圧延面側に絶縁フィルム13が設けられている。導体11−1〜11−6は、幅0.1mm〜15mm、好ましくは幅0.3mm〜15mm、厚さ0.02mm〜0.05mmである。導体11−1〜11−6の各々の幅方向断面積は、0.75mm2以下、好ましくは0.02mm2以下である。
導体は、0.1〜0.8質量%のスズ(Sn)、0.05〜0.8質量%のマグネシウム(Mg)、0.01〜0.5質量%のクロム(Cr)、0.1〜5.0質量%の亜鉛(Zn)、0.02〜0.3質量%のチタン(Ti)、0.01〜0.2質量%のジルコニウム(Zr)、0.01〜0.3質量%の鉄(Fe)、0.001〜0.2質量%のリン(P)、0.01〜0.3質量%のシリコン(Si)、0.01〜0.3質量%の銀(Ag)、0.1〜1.0質量%のニッケル(Ni)のうちの1種又は2種以上を含有し、残部が銅(Cu)及び不可避不純物からなる。
スズは、銅に添加することで固溶し高強度化する作用を有する元素である。含有量が0.1質量%未満であると、その効果は不十分であり、0.8質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、スズの含有量を0.1〜0.8質量%とする。
マグネシウムは、銅に添加することで固溶し高強度化する作用を有する元素である。含有量が0.05質量%未満であると、その効果は不十分であり、0.8質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、マグネシウムの含有量を0.05〜0.8質量%とする。
クロムは、銅に添加、固溶させ、微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。クロムの含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.5質量%を超えると、粗大晶出物や析出物が現れ疲労特性劣化の原因となり不適である。したがって本実施形態では、クロムの含有量を0.01〜0.5質量%とする。
亜鉛は、銅に添加することで固溶し高強度化する作用を有する元素である。亜鉛の含有量が0.1質量%未満であると、固溶硬化は望めず耐力が不十分であり、5.0質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、亜鉛の含有量を0.1〜5.0質量%とする。
チタンは、銅に添加、固溶させ、微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。チタンの含有量が0.02質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.3質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難であり、また粗大晶出物や析出物が現れ疲労特性劣化の原因となり不適であり、製造性も著しく悪くなるためである。したがって本実施形態では、チタンの含有量を0.02〜0.3質量%とする。
ジルコニウムは、銅に添加、固溶させ、微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。ジルコニウムの含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.2質量%を超えると、粗大晶出物や析出物が現れ疲労特性劣化の原因となり不適であり、製造性も著しく悪くなるためである。したがって本実施形態では、ジルコニウムの含有量を0.01〜0.2質量%とする。
鉄は、銅に添加、固溶させ、微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。鉄の含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、3.0質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、鉄の含有量を0.01〜3.0質量%とする。
リンは、脱酸する作用を有する元素であり、特性面ではなく製造性を向上する元素である。リンの含有量が0.001質量%未満であると、製造上の改善効果が不十分であり、0.2質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、リンの含有量を0.001〜0.2質量%とする。
シリコンは、クロムやニッケル等の添加元素と化合物を形成し、析出強化する作用を有する元素である。シリコンの含有量が0.01質量%未満であると、効果が不十分であり、0.3質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、シリコンの含有量を0.01〜0.3質量%とする。
銀は、銅に添加、固溶させ、微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。銀の含有量が0.01質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、0.3質量%を超えると、効果が飽和するだけでなく、コスト増の要因となる。したがって本実施形態では、銀の含有量を0.01〜0.3質量%とする。
ニッケルは、銅に添加、固溶させ、微細析出させることで高強度化する作用を有する元素である。ニッケルの含有量が0.1質量%未満であると、析出硬化は望めず耐力が不十分であり、1.0質量%を超えると、導電率を50%以上に保つことが困難である。したがって本実施形態では、ニッケルの含有量を0.1〜1.0質量%とする。
上述した成分以外の残部は銅および不可避不純物である。ここでいう不可避不純物は、製造工程上、不可避的に含まれうる含有レベルの不純物を意味する。不可避不純物は、含有量によっては導電率を低下させる要因にもなりうるため、導電率の低下を加味して不可避不純物の含有量をある程度抑制することが好ましい。
上述の導体の製造方法では、[1]溶解及び鋳造、[2]熱間加工、[3]冷間加工、[4]熱処理、[5]仕上加工、の各工程を経て導体を製造する。例えば、スリット製法では、[1−1]溶解及び鋳造、[2−1]熱間圧延、[3−1]冷間圧延、[4−1]熱処理、[5−1]仕上圧延、の各工程を経て導体を製造し、所望幅のスリット切断を実施して、断面積が0.75mm2以下、ヒートステアリングホイール(ハンドルの加温装置)用の大電流用導体を除けば、好ましくは0.010mm2〜0.02mm2である導体を複数個準備する。尚、後述する実施例のプロセスA及びプロセスBでは、[1−1]溶解及び鋳造及び[2−1]熱間圧延の2工程を共通条件とし、その後の[3−1]冷間圧延、[4−1]熱処理及び[5−1]仕上圧延の3工程を異なる条件で設定している。
溶解及び鋳造は、上述した同合金組成になるように各成分の分量を調整して溶製し、厚さ150mm〜180mmの鋳塊を製造する。
次いで、上記で製造された鋳塊を600〜1000℃で熱間圧延して、厚さ10mm〜20mmの板材を作製する。
更に、熱間圧延処理後の板材を冷間圧延して、厚さ0.02mm〜1.2mmの導体を作製する。本冷間圧延工程後、後述する熱処理前に、任意の熱処理を行うことができる。
次に、熱処理条件200〜900℃、5秒〜4時間で、導体に熱処理を施す。このときの熱処理は、再結晶が目的であれば12μm以下の結晶粒径にすることが好ましく、具体的な条件は合金種によって異なるが、上記[3]にて十分な冷間加工が加えられている場合、銅錫系合金であれば300〜450℃、30分間程度の熱処理にて制御可能である。本熱処理が時効熱処理であれば、時効熱処理は結晶粒径10nm未満の微細析出をさせることが好ましく、これもまた合金種により条件が異なるが、銅クロム系合金であれば400〜500℃、2時間程度の適当な温度域を選択すればよい。銅合金が、再結晶させる固溶型合金であれば、熱処理条件を振り結晶粒径を確認することで熱処理条件の適正範囲を容易に選定することが可能であり、また時効熱処理を要する析出型合金であれば、同様に熱処理条件を振り、析出物サイズ確認を実施するか、もしくは、代替として機械的強度が最高値となり、かつ導電率が析出により十分高まる熱処理条件を選定することが可能である。析出型合金の場合、本発明で規定する範囲の耐力に最終的に制御できれば、敢えて強度は低下するが高導電性を引き出すことの出来る過時効熱処理を選定することも可能である。
その後、熱処理後の導体を仕上圧延して、幅0.1mm〜15mm、厚さ0.02mm〜0.05mmの導体を作製する。仕上圧延の圧下率(厚さ減少率)は、12〜98%である。上記[4]にて再結晶させた材料は本仕上圧延によりその結晶粒が扁平し、結晶粒の長径/短径の比が1.5〜15程度となる。
上記のスリット製法以外の他の製法でも、上述の導体を製造することができる。例えば、丸線圧延製法であれば、上記[1−1]〜[5−1]の工程中の熱間圧延が熱間伸線に、冷間圧延が冷間伸線にそれぞれ変わり、[1−2]溶解及び鋳造、[2−2]熱間伸線、[3−2]冷間伸線、[4−2]熱処理、[5−2]仕上圧延、の各工程を経て導体を製造し、最終のスリットは不要となる。また、冷間伸線と熱処理の間に冷間圧延を追加し、[1−3]溶解及び鋳造、[2−3]熱間伸線、[3−3]冷間伸線、冷間圧延、[4−3]熱処理、[5−3]仕上圧延の各工程を経て導体を作製することもできる。また、上記他の製法において、固溶型合金であれば任意の複数回の熱処理を施すことができる。このように、導体の特性等が本発明の範囲を満たしていれば、導体の製法に限定はない。
本実施形態に係るフラットケーブルの製造方法では、例えばスリット製法によって上記の条工程で製造された場合はスリット切断を施し、幅方向断面積が0.75mm2以下、好ましくは0.02mm2以下である導体を所要数準備する。また、丸線圧延製法ではスリット切断不要であるため所望の形状にした導体(仕上圧延材)を準備する。そして、所要数の導体の主面の両側に絶縁フィルムを配置し、これら所要数の導体一本あたりに0.3kgf以上の張力を付与しながら、上記所要数の導体を接着剤を介して一対の絶縁フィルムで挟み込む。そして、所要数の導体、接着剤及び一対の絶縁フィルムからなる積層体をプレスしてラミネート処理する。本実施形態に係る所要数の導体の場合、一本あたり0.3kgf以上の張力を付与しながら一対の絶縁フィルムで当該複数の導体を挟み込んでも、導体の塑性変形が起きずにラミネート作製が可能となる。また、ラミネート処理条件が定められた所定のガイドラインに沿ってフラットケーブルを製造する場合にも、同ガイドライン通りに安全性、信頼性の高いフラットケーブルを提供することができる。
本実施形態のフラットケーブルにおいて、導体は、付与される屈曲半径が4mm〜8mmの範囲で、屈曲半径をX(単位:mm)、0.2%耐力をY(単位:MPa)、厚さをt(単位:mm)、ヤング率をE(単位:MPa)としたとき、Y≧ 1.2×t×E/(2X−t)を満たし、かつ導電率が50%IACS以上である。また、上記不等式は、導体の厚さが本発明における0.02mm〜0.05mmの範囲内で成り立つ。例えば、屈曲半径8mm、厚さ0.02mm、銅および銅合金の一般的なヤング率120000MPaであるとき、導体の0.2%耐力は、180MPa以上を満たす。0.2%耐力及び導電率をそれぞれ上記範囲内の値とすることにより、従来と同等の導電性を製品に影響の出ない範囲で維持すると共に、高強度特性にしないことで、曲げ性や耐座屈性を配慮し、良好な屈曲特性を得ることができる。また、好ましくは、伸びが5%未満である。伸びを上記範囲とすることにより、屈曲特性を改善し、より小半径でも寿命を延ばすことができる。
上記フラットケーブルを備える回転コネクタ装置において、8mm以下の屈曲半径を維持した状態で行なった20万回の屈曲運動後における当該フラットケーブルの長手方向の0.2%耐力(以下、残存耐力ともいう)は、屈曲運動前における上記長手方向の0.2%耐力(以下、初期耐力ともいう)の80%以上である。上記屈曲運動後における導体の残存耐力が初期耐力の80%未満である場合、導体の形状維持のために必要な弾性が失われる。よって本発明では、上記屈曲運動後の残存耐力が80%以上である場合に、導体がその形状維持のために必要な弾性を保持しているとする。
また、プロセスBでは、表3に示すように、処理温度400℃、425℃、450℃のいずれか、処理時間30分間又は2時間で、板材に時効熱処理を施した後、圧下率90%或いは77%で圧延処理を施し、厚さ0.035mmの導体を得た。プロセスA及びBにおいて、最終製品である導体の厚さは同じとした。
更に、比較としてのプロセスCでは、表4に示すように、熱間圧延後の厚さ20mmの板材に冷間圧延を施して厚さ0.035mmの導体を得て、その後処理温度350℃、375℃、400℃、450℃、700℃、750℃、800℃、900℃のいずれか、処理温度15秒間、30分間、2時間のいずれかで、導体に時効熱処理を施した。
試験条件は、JIS Z 2241に準拠し、圧延方向を長手方向として引張試験を行った。
電気抵抗(又は電気伝導度)の基準として、国際的に採択された20℃における焼鈍標準軟銅(体積抵抗率: 1.7241×10−2μΩm)の導電率を、100%IACSとして規定している。各材料の導電率は一般的に知られたものであり、純銅(タフピッチ銅、無酸素銅)はEC=100%IACS、Cu−0.15Sn、Cu−0.3Crでは、EC=85%IACS程度である。ここでECは、Electrical Conductivityの略称であり、IACSは、International Annealed Copper Standardを示す。
試験条件は、JIS Z 2241に準拠し、導体の長手方向にて引張試験を行い、突合せ伸びを測定した。測定結果の伸びが5%未満の場合には寿命を延ばすことが出来、例えば設計範囲を広げることも可能となることから、測定値を明記した。なお、導電率を多少犠牲にして従来よりも多少低い値になることがあっても、伸びの特性をより良好とすることで、屈曲特性を更に向上することが可能となり、その性能バランスに因っては回転コネクタ装置に用いるフラットケーブルに適した導体となる。
ヤング率は上記項目(A),(C)の引張試験で得られた応力−歪曲線の0.2%耐力に達しない弾性域に限定して、応力変化量を歪変化量で除した傾きに相当する数値(MPa)を用いた。この数値はプロセスによって変化するが、本実施例では組成依存の方が大きかったため、代表値のみを表2に示した。
結晶粒径は、試験サンプルを幅と厚さの2方向断面について樹脂埋め及び研磨にて鏡面を出し、クロム酸などのエッチング液で粒界腐食させ、光学顕微鏡や電子顕微鏡で観察した際結晶粒径が十分判断できる状態にしてから、JIS H 0501の切断法に準拠し測定を実施した。測定数は30から100とし、1結晶粒当たりの直径の平均値を求めた。
FPC屈曲試験機(上島製作所社製、装置名「FT−2130」)を用い、試料固定板および可動板に、導体を100mmの長さに切断した後、2本を通電可能な架橋を施して、一端を可動板側に貼り付け、他端を鉛直方向に所望の径で屈曲させ、更にその他端を固定板側に固定し、両自由端を測定器につなげることで屈曲寿命を判定した。2本のうち1本が断線した場合に電圧は測定不能となることから、その時点を寿命と判断した。試験条件は、試験温度:20〜85℃、屈曲半径X:半径4mm〜8mm(7.5mm、6.3m、5.5mm、4.7mm)、ストローク:±13mm、回転速度:180rpmとした。電圧が測定不能となったときの屈曲回数が30万回以上である場合を、回転コネクタが要求される疲労特性を満足するとして良好「〇」、30万回未満である場合を不良「×」とした。上記の方法にて測定、評価した結果を表2〜4に示す。
但し、合金No.1〜No.17では、プロセスCを経て導体を製造すると(表4)、0.2%耐力及び導電率のいずれか或いは双方が本発明の範囲外となった。
ラミネートの導体間ピッチを0.2mm〜1mmとし、ラミネート処理前の導体間ピッチとラミネート処理後の導体間ピッチを比較して、導体間ピッチのずれが1/10未満であった場合を良好「〇」、1/10以上であった場合を不良「×」とした。ラミネート作製時における導体間ピッチのずれを評価項目としたのは、導体間ピッチの1/10以上のずれが起きた場合、導体がラミネート作製時の張力不足によりたるみが起きたためである。ラミネートの導体間のピッチずれは、導体と樹脂間の空隙発生の原因となり屈曲寿命が低下することや、付与張力の変化が起きた場合はラミネート製造中における断線もしくは断面積減少の原因となる。
ラミネート作製時の導体断面積変化は、回転コネクタ装置に用いられる長さのケーブル両端の電気抵抗測定にて確認し、ラミネート作製の前後で小数点以下1桁のオーダ(単位はΩ)で抵抗変化が無い場合断面積を維持したとして良好「〇」、抵抗変化がある場合を不良「×」とした。また抵抗変化とは別に、厚さが3μm以上減少した箇所が存在するか、もしくは板幅が0.05mm以上減少した箇所が存在する場合は、不良「×」とした。厚さ或いは幅は、光学顕微鏡で拡大した像にて測定を行った。
FPC屈曲試験機(上島製作所社製、装置名「FT−2130」)を用い、試料固定板および可動板に、フラットケーブルを150mmの長さに切断した各供試片を固定し、モータ部により可動板を移動させて、屈曲試験を行った。試験条件は、試験温度:20〜85℃、屈曲半径X:半径4mm〜8mm、ストローク:±13mm、回転速度:180rpmとし、同条件にて20万回の試験を実施した。屈曲試験後、試験材を取り出して、ラミネートをクレゾールで溶解し、屈曲半径Xを上記範囲内で維持した状態で行なった20万回の屈曲運動後における導体の長手方向の0.2%耐力(残存耐力)が、屈曲試験前における長手方向の0.2%耐力(初期耐力)の80%以上である場合、形状維持のために必要な弾性を保持しているとして良好「〇」、20万回の屈曲運動後における導体の長手方向の0.2%耐力が上記初期耐力の80%未満である場合、形状維持のために必要な弾性が失われたとして不良「×」とした。
上記の方法にて測定、判定した結果を表2〜4に示す。
X=(1.2×E/Y+1)×t/2 ・・・(1)
ここで、Xは限界屈曲半径(単位:mm)、Eはヤング率(単位:MPa)、Yは0.2%耐力(単位:MPa)、tは厚さ(単位:mm)である。
この実験結果と限界屈曲半径の算出値との相関関係によれば、上記(1)式を用いて算出される限界屈曲半径は、フラットケーブルの屈曲寿命が十分となることが分かる指標であることが確認できる。よって、屈曲半径4mm〜8mmの範囲の中でより厳しい屈曲半径を要求される場合、上記(1)式を用い、0.2%耐力、ヤング率及び厚さから限界屈曲半径を算出し、算出された限界屈曲半径に基づいて適切な合金およびプロセスを選定することが可能となる。また、上記(1)式から得られる算出値以上の屈曲半径であれば、フラットケーブルの屈曲寿命がより良好になる。
Y=1.2×t×E/(2X−t) ・・・(2)
すなわち、仕様等に応じた指定の屈曲半径に基づいて想定される最小の屈曲半径の値が分かれば、上記(2)式を用い、当該最小の屈曲半径を限界屈曲半径とし、更にヤング率及び厚さを決定することで、その限界屈曲半径において十分な疲労特性(屈曲寿命)が得られる0.2%耐力の値を決定することができる。また、上記(2)式から得られる算出値以上の0.2%耐力を有するフラットケーブルであれば、より良好な屈曲寿命が得られる。
また、合金成分が本発明の範囲外である合金No.19,20では、先に述べたように導電率が本発明の範囲外となった。
11−1,11−2,11−3 導体
11−4,11−5,11−6 導体
12,13 一対の絶縁フィルム
14 接着剤層
Claims (6)
- 所要数の導体と、前記所要数の導体を挟み込むように配置された一対の絶縁フィルムと、前記一対の絶縁フィルム間に設けられた接着剤層とを備えるフラットケーブルであって、
前記導体は、屈曲半径が4mm〜8mmの範囲で、屈曲半径をX(mm)、0.2%耐力をY(MPa)、厚さをt(mm)、ヤング率をE(MPa)としたとき、Y≧ 1.2×t×E/(2X−t)を満たし、かつ導電率が50%IACS以上である、
ことを特徴とするフラットケーブル。 - 前記フラットケーブルの長手方向の中間部分に、湾曲して折り返された折り返し部が設けられ、
前記フラットケーブルは、前記折り返し部にて屈曲を維持した状態で巻き締め又は巻き戻しされ、
前記折り返し部は、屈曲半径4mm〜8mmを維持した状態で、折り返しを伴って巻き締め又は巻き戻しされることを特徴とする、請求項1記載のフラットケーブル。 - 前記導体は、0.1〜0.8質量%のスズ、0.05〜0.8質量%のマグネシウム、0.01〜0.5質量%のクロム、0.1〜5.0質量%の亜鉛、0.02〜0.3質量%のチタン、0.01〜0.2質量%のジルコニウム、0.01〜3.0質量%の鉄、0.001〜0.2質量%のリン、0.01〜0.3質量%のシリコン、0.01〜0.3質量%の銀、及び0.1〜1.0質量%のニッケルのうちの1種又は2種以上を含有し、残部が銅及び不可避不純物からなることを特徴とする、請求項1記載のフラットケーブル。
- 前記導体の伸びが5%未満であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のフラットケーブル。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のフラットケーブルの製造方法であって、
幅方向断面積が0.75mm2以下である所要数の導体を準備し、
前記所要数の導体に0.3kgf以上の張力を付与しながら、前記所要数の導体を、接着剤を介して一対の絶縁フィルムで挟み込むことを特徴とする、フラットケーブルの製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のフラットケーブルを備える回転コネクタ装置であって、
8mm以下の屈曲半径を維持した状態で行なった20万回の屈曲運動後における前記フラットケーブルの長手方向の0.2%耐力が、前記屈曲運動前における前記長手方向の0.2%耐力の80%以上であることを特徴とする、回転コネクタ装置。
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