JP6759649B2 - 希土類磁石及びモーター - Google Patents

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Description

本発明は、希土類磁石及びモーターに関する。
近年、モーターの高性能化に伴い、いわゆる希土類磁石(R−Fe−B系磁石、Rはネオジム(Nd)などの希土類元素を示す。以下、同様。)を搭載したモーターが多く開発されている。
ここで、希土類磁石は金属磁石であるため、酸化物により構成されるフェライト磁石と異なり、磁石素体の電気抵抗が低い。このため、モーターに希土類磁石を搭載した場合、使用中に希土類磁石表面に渦電流が発生することによる損失が増大し、モーター効率が低下する問題がある。このような渦電流損失を低減させる試みとして、希土類磁石を分割し、分割された個々の希土類磁石を樹脂塗装、あるいは接着剤等で被覆することにより、希土類磁石間を絶縁して渦電流損失を低減させる方法が提案されている(特許文献1)。
特開2005−198365号公報
しかしながら、従来の方法では、分割した個々の希土類磁石を樹脂塗装、接着剤等で被覆しているため、作業が煩雑であり、製造コストも大きい。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、モーターに搭載した際に、低コストで簡便な構成によって渦電流損失を低減できる希土類磁石、及び当該希土類磁石を備えるモーターを提供することを目的とする。
本発明の希土類磁石は、希土類元素及び鉄を含有する磁石素体と、当該磁石素体の少なくとも一つの表面に形成された抵抗層とを備え、抵抗層は、希土類元素、鉄及び酸素を含み、10Ωcm以上の平均体積抵抗率及び3〜25μmの厚みを有する。
上記磁石素体がNd、Pr、Dy又はTbを含むと好ましい。
上記希土類磁石が、重希土類元素を含み、希土類磁石の少なくとも一つの表面から内部に向かって少なくとも一種の重希土類元素の濃度が減少する領域を有すると好ましい。
上記抵抗層は、磁石素体を覆い、少なくとも希土類元素、鉄及び酸素を含む第1層と、第1層を覆い、少なくとも希土類元素、鉄及び酸素を含み、第1層よりも鉄の含有量が少ない第2層と、第2層を覆い、少なくとも鉄及び酸素を含む第3層と、を有し、第2層は、第1層及び第3層よりも鉄の含有量が少なく、かつ、第2層は、2−A層と、当該2−A層よりも鉄の含有量が多く希土類元素の含有量が少ない2−B層とが交互に積層した構造を有すると好ましい。
本発明のモーターは、上記希土類磁石を複数個備え、当該希土類磁石のそれぞれが隣接する希土類磁石と上記抵抗層を介して接触していてもよい。
本発明のモーターは、希土類磁石がローターコアと抵抗層を介して接触していてもよい。
本発明によれば、モーターに搭載した際に、低コストで簡便な構成によって渦電流損失を低減できる希土類磁石、及び当該希土類磁石を備えるモーターを提供することができる。
本発明の希土類磁石の一実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の希土類磁石の一実施形態を示す概略断面図である。 本発明の一実施形態に係るモーターの内部構造を示す図である。 本発明の平均体積抵抗率を測定するための装置の一例を示す図である。 本発明の渦電流損失を測定するための装置の一例を示す図である。 実施例5の希土類磁石断面のSEM(走査型電子顕微鏡)写真である。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
図1は、本発明の希土類磁石の一実施形態を示す模式斜視図であり、図2は図1の希土類磁石をI−I線により切断した際に現れる断面を模式的に表した図である。図1及び2に示すように、本実施形態の希土類磁石1は磁石素体3と、この磁石素体3の表面に形成される抵抗層5を備える。なお、抵抗層5は、磁石素体3の少なくとも一面に形成されていればよいが、磁石素体3の全面に形成されていてもよい。抵抗層5が磁石素体3の全面に形成されている場合、希土類磁石間だけでなく、モーターの磁石収容部内で希土類磁石を収容するケーシング等の導体とも絶縁できるため好ましい。
(磁石素体)
磁石素体3は、希土類元素及び鉄を含有する永久磁石である。この場合、希土類元素とは、長周期型周期表の第3族に属するスカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)及びランタノイド元素のことをいう。なお、ランタノイド元素には、例えば、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジウム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビニウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)等が含まれる。
磁石素体3の構成材料としては、上記希土類元素及び鉄と、希土類元素及び鉄以外の遷移元素とを組み合わせて含有させたものが例示できる。この場合、希土類元素としては、Nd、Sm、Dy、Pr、Ho及びTbからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が好ましく、これらの元素にLa、Ce、Gd、Er、Eu、Tm、Yb及びYからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素をさらに含有したものであるとより好適である。
また、希土類元素以外の遷移元素としては、コバルト(Co)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が好ましく、Coがより好ましい。
より具体的には、磁石素体3の構成材料としては、R−Fe−B系やR−Co系のものが例示できる。前者の構成材料においては、RとしてはNdを主成分とした希土類元素が好ましく、また後者の構成材料においては、RとしてはSmを主成分とした希土類元素が好ましい。
磁石素体3の構成材料としては、特に、R−Fe−B系の構成材料が好ましい。このような材料は実質的に正方晶系の結晶構造の主相を有しており、また、この主相の粒界部分に希土類元素の配合割合が高い希土類リッチ相、及び、ホウ素原子の配合割合が高いホウ素リッチ相を有している。これらの希土類リッチ相及びホウ素リッチ相は磁性を有していない非磁性相であり、このような非磁性相は通常、磁石構成材料中に0.5〜50体積%含有されている。また、主相の粒径は、通常1〜100μm程度である。
このようなR−Fe−B系の構成材料においては、希土類元素の含有量が8〜40原子%であると好ましい。希土類元素の含有量が8原子%未満である場合、主相の結晶構造がα鉄とほぼ同じ結晶構造となり、保磁力(iHc)が小さくなる傾向にある。一方、40原子%を超えると希土類リッチ相が過度に形成されてしまい、残留磁束密度(Br)が小さくなる傾向にある。
また、Feの含有量は42〜90原子%であると好ましい。Feの含有量が42原子%未満であると残留磁束密度が小さくなり、また、90原子%を超えると保磁力が小さくなる傾向にある。さらに、Bの含有量は2〜28原子%であると好ましい。Bの含有量が2原子%未満であると菱面体構造が形成されやすく、これにより保磁力が小さくなる傾向にあり、28原子%を超えると、ホウ素リッチ相が過度に形成されて、これにより残留磁束密度が小さくなる傾向にある。
上述した構成材料においては、R−Fe−B系におけるFeの一部が、Coで置換されていてもよい。このようにFeの一部をCoで置換すると、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。この場合、Coの置換量は、Feの含有量よりも大きくならない程度とすることが望ましい。Co含有量がFe含有量を超えると、磁石素体3の磁気特性が小さくなる傾向にある。
また上記構成材料におけるBの一部は、炭素(C)、リン(P)、硫黄(S)又は銅(Cu)等の元素により置換されていてもよい。このようにBの一部を置換することによって、磁石素体の製造が容易となるほか、製造コストの低減も図れるようになる。このとき、これらの元素の置換量は、磁気特性に実質的に影響しない量とすることが望ましく、構成原子総量に対して4原子%以下とすることが好ましい。
さらに、保磁力の向上や製造コストの低減等を図る観点から、上記構成に加え、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、ビスマス(Bi)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アンチモン(Sb)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、ジルコニウム(Zr)、ニッケル(Ni)、ケイ素(Si)、ガリウム(Ga)、銅(Cu)、ハフニウム(Hf)等の元素を添加してもよい。これらの添加量も磁気特性に影響を及ぼさない範囲とすることが好ましく、構成原子の総量に対して10原子%以下とすることが好ましい。また、その他、不可避的に混入する成分としては、酸素(O)、窒素(N)、炭素(C)、カルシウム(Ca)等が考えられる。これらは構成原子の総量に対して3原子%程度以下の量で含有されていても構わない。
このような構成を有する磁石素体3は、粉末冶金法によって製造することができる。この方法においては、まず鋳造法やストリップキャスト法等の公知の合金製造プロセスにより所望の組成を有する合金を作製する。次に、この合金をジョークラッシャー、ブラウンミル、スタンプミル等の粗粉砕機を用いて10〜100μmの粒径となるように粉砕した後、さらにジェットミル、アトライター等の微粉砕機により0.5〜5μmの粒径となるようにする。こうして得られた粉末を、好ましくは600kA/m以上の磁場強度を有する磁場の中で、0.5〜5t/cm(500〜5000kg/cm)の圧力で成形する。
その後、得られた成形体を、好ましくは不活性ガス雰囲気又は真空中、1000〜1200℃で0.5〜10時間焼結させた後に急冷する。さらに、この焼結体に、不活性ガス雰囲気又は真空中、500〜900℃で1〜5時間の熱処理を施し、必要に応じて焼結体を所望の形状(実用形状)に加工して、磁石素体3を得る。
このようにして得られた磁石素体3には、さらに酸洗浄が施されることが好ましい。すなわち、後述する熱処理の前段において磁石素体3の表面に対して酸洗浄が施されることが好ましい。
酸洗浄で使用する酸としては、硝酸が好ましい。一般の鋼材にメッキ処理を施す場合、塩酸、硫酸等の非酸化性の酸が用いられることが多い。しかし、本実施形態での磁石素体3のように、磁石素体3が希土類元素を含む場合には、これらの酸を用いて処理を行うと、酸により発生する水素が磁石素体3の表面に吸蔵され、吸蔵部位が脆化して多量の粉状未溶解物が発生する。この粉状未溶解物は、表面処理後の面粗れ、欠陥、密着不良等を引き起こすため、上述した非酸化性の酸を酸洗浄処理液に含有させないことが好ましい。したがって、水素の発生が少ない酸化性の酸である硝酸を用いることが好ましい。
このような酸洗浄による磁石素体3の表面の溶解量は、表面から平均厚みで5μm以上、好ましくは10〜15μmとするのが好適である。磁石素体3の表面の加工による変質層や酸化層を完全に除去することで、後述する熱処理により、所望の抵抗層をより精度よく形成することができる。
酸洗浄に用いられる処理液の硝酸濃度は、好ましくは1規定以下、特に好ましくは0.5規定以下である。硝酸濃度が高すぎると、磁石素体3の溶解速度が極めて速く、溶解量の制御が困難となり、特にバレル処理のような大量処理ではバラツキが大きくなり、製品の寸法精度の維持が困難となる傾向がある。また、硝酸濃度が低すぎると、溶解量が不足する傾向がある。このため、硝酸濃度は1規定以下とすることが好ましく、特に0.5〜0.05規定とすることが好ましい。また、処理終了時のFeの溶解量は、1〜10g/l程度とする。
酸洗浄を行った磁石素体3には、その表面から少量の未溶解物、残留酸成分を完全に除去するために、超音波を使用した洗浄を実施することが好ましい。この超音波洗浄は、磁石素体3の表面に錆を発生させる塩素イオンが極めて少ない純水中で行うのが好ましい。また、上記超音波洗浄の前後、及び酸洗浄の各過程で必要に応じて同様な水洗を行ってもよい。
<拡散工程>
本実施形態の磁石素体3は、重希土類元素を粒界拡散させたものであってもよい。磁石素体3が重希土類元素を粒界拡散させたものである場合、磁石素体3は、磁石素体3の少なくとも一つの表面から磁石素体3内部に向かって、少なくとも一種の重希土類元素の濃度が減少する領域を有する。ここで、重希土類元素は、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる群より選ばれる少なくとも一種であってもよく、磁石素体の保磁力を向上させる観点からDy又はTbを含むことが好ましい。このような磁石素体3は、以下の拡散工程により磁石素体に重希土類元素を拡散させることによって得られる。
<拡散工程>
まず、上述の表面を洗浄した磁石素体の表面に、重希土類元素を含む重希土類化合物を付着させる。重希土類化合物としては、合金、酸化物、ハロゲン化物、水酸化物、水素化物等が挙げられるが、特に水素化物を用いることが好ましい。水素化物を用いた場合、拡散工程において、水素化物に含まれる重希土類元素だけが磁石素体3内へ拡散する。水素化物に含まれる水素は拡散工程中に磁石素体3の外部へ放出される。したがって、重希土類元素の水素化物を用いれば、最終的に得られる磁石素体3中に重希土類化合物に由来する不純物が残留しないため、磁石の残留磁束密度の低下を防止し易くなる。重希土類の水素化物としては、DyH、TbH又はDy−Fe若しくはTb−Feの水素化物が挙げられる。特に、DyH又はTbHが好ましい。Dy−Feの水素化物を用いた場合、Feも熱処理工程において磁石素体3中に拡散する傾向がある。重希土類元素のフッ化物又は酸化物を用いた場合、熱処理中にフッ素又は酸素が磁石素体3内へ拡散して磁石素体3中に残存し、磁気特性を劣化させる傾向がある。したがって、重希土類元素のフッ化物又は酸化物は、本実施形態で用いる重希土類化合物として好ましくない。
磁石素体3に付着させる重希土類化合物は、粒子状であることが好ましく、その平均粒径は100nm〜50μmであることが好ましく、1μm〜10μmであることがより好ましい。重希土類化合物の粒径が100nm未満であると、拡散工程において磁石素体3中に拡散する重希土類化合物の量が過多になり、希土類磁石の残留磁束密度が低くなる傾向がある。粒径が50μmを超えると、磁石素体3中への重希土類化合物が拡散し難くなり、保磁力の向上効果が十分に得られない傾向がある。
磁石素体3に重希土類化合物を付着させる方法としては、例えば、重希土類化合物の粒子をそのまま磁石素体3に吹き付ける方法、重希土類化合物を溶媒に溶解した溶液を磁石素体3に塗布する方法、重希土類化合物の粒子を溶媒に分散させたスラリー状の拡散剤を磁石素体3に塗布する方法、重希土類元素を蒸着する方法等が挙げられる。なかでも、拡散剤を磁石素体3に塗布する方法が好ましい。拡散剤を用いた場合、重希土類化合物を磁石素体3に均一に付着させることができ、拡散工程おいて重希土類元素の拡散を確実に進行させることができる。以下では、拡散剤を用いる場合について説明する。
拡散剤に用いる溶媒としては、重希土類化合物を溶解させずに均一に分散させ得るものが好ましい。例えば、アルコール、アルデヒド、ケトン等が挙げられ、なかでもエタノールが好ましい。拡散剤中に磁石素体3を浸漬させたり、磁石素体3に拡散剤を滴下したりしてもよい。
拡散剤を用いる場合、拡散剤中の重希土類化合物の含有量を、希土類磁石に対する重希土類元素の質量濃度の目標値に応じて適宜調整すればよい。例えば、拡散剤中の重希土類化合物の含有量は、10〜50質量%であってもよく、40〜50質量%であってもよい。拡散剤中の重希土類化合物の含有量がこれらの数値範囲外である場合、磁石素体3に重希土類化合物が均一に付着し難くなる傾向にある。また、拡散剤中の重希土類化合物の含有量が多すぎる場合、磁石素体3の表面に、拡散し切れなかった重希土類元素が残存したり、また、過剰な拡散により、磁石の残留磁束密度が低下したりする場合もある。
拡散剤中には、必要に応じて重希土類化合物以外の成分をさらに含有させてもよい。拡散剤に含有させてもよい他の成分としては、例えば、重希土類化合物の粒子の凝集を防ぐための分散剤等が挙げられる。
重希土類化合物を付着させた磁石素体3に対して熱処理を施すことにより、磁石素体3の表面に付着した重希土類化合物が磁石素体3内に拡散する。重希土類化合物は磁石素体3内の粒界に沿って拡散する。粒界における重希土類元素の質量濃度は、磁石素体3に含まれる主相粒子よりも高い。重希土類元素は、質量濃度が高い領域から低い領域へ熱拡散する。したがって、粒界に拡散した重希土類元素は、その後主相粒子内に熱拡散する。
拡散工程における熱処理温度は、700〜950℃であればよい。拡散工程における熱処理時間としては、5〜50時間であると好ましい。
磁石素体3は、成形体を焼結した後又は拡散工程の後に時効処理を施してもよい。時効処理は焼結磁石の磁気特性(特に保磁力)の向上に寄与する。時効処理は、処理温度450〜600℃、処理時間0.5〜5時間で行えばよい。
後述の抵抗層を形成する前に磁石素体3の表面を硝酸、硝酸エタノール等により洗浄してもよい。洗浄後の磁石素体3の表面状態について、磁石素体3表面の算術平均粗さRaが、2μmより大きいことが好ましい。また、磁石素体3表面の最大高さRyが、15μmより大きいと好ましい。磁石素体3表面の算術平均粗さRa及び磁石素体3表面の最大高さRyが上記範囲であると、好適な厚みの抵抗層を得られやすい。
(抵抗層)
抵抗層5は、希土類元素、鉄及び酸素を含み、10Ωcm以上の平均体積抵抗率及び3〜25μmの厚みを有する。抵抗層5に含まれる希土類元素は、磁石素体3由来のものであってもよい。また、抵抗層5は、希土類元素以外にも磁石素体3由来の元素を含んでいてもよい。ここで、磁石素体3由来の元素とは、磁石素体3の構成材料であり、少なくとも希土類元素及び希土類元素以外の遷移元素が含まれ、さらにB、Ga、Co、Cu、Zr、Bi、Si、Alなどが含まれる場合がある。抵抗層5は、後述のとおり、磁石素体3の表面を酸化処理することにより、形成することができる。なお、抵抗層5は、NdFe14B主相粒子においては、酸素原子を1質量%以上含む層であり、酸素を実質的に含まない(1質量%未満であり、通常は0.5質量%未満の)磁石素体とは構成上区別される。なお、抵抗層5及び磁石素体3の各構成元素の含有量は、WDS(波長分散型X線分光法)、EPMA(電子線プローブマイクロアナライザー法)、XPS(X線光電子分光法)、AES(オージェ電子分光法)又はEDS(エネルギー分散型X線分光法)等の公知の組成分析法を用いて確認することができる。
抵抗層5は、10Ωcm以上の平均体積抵抗率を有する。抵抗層5の平均体積抵抗率が10Ωcm未満であると、希土類磁石同士を、抵抗層を介して接触させた際の絶縁性に乏しく、渦電流損失を充分に低減できない傾向がある。また、平均体積抵抗率の上限は特に制限はないが、10Ωcm未満であると、抵抗層5が酸化され過ぎて脆く割れやすくなることを防ぐことができるとともに、抵抗層5と磁石素体3との組成の差異が大きくなることによって抵抗層5が磁石素体3からはがれやすくなることを防ぐことができる傾向がある。なお、磁石素体3は良導体であるため、抵抗層よりも体積抵抗率がはるかに低く、10−4〜10−3Ωcm程度である。
抵抗層5の体積抵抗率は、抵抗層5の磁石素体3側の界面から磁石素体3とは反対側の表面に向かって増大していてもよい。抵抗層5の厚み方向において、体積抵抗率が一定ではない場合、抵抗層5の平均体積抵抗率は、抵抗層5全体の平均値とする。なお、抵抗層5の平均体積抵抗率は、実施例の方法で測定できる。
抵抗層5の厚みは、3〜25μmであり、4〜20μmであると好ましい。また、抵抗層5の厚みは、6〜25μmであってもよく、7〜25μmであってもよい。抵抗層5の厚みが3μm未満であると、渦電流損失の低減が十分ではなくなる傾向にある。抵抗層5の厚みが25μmより大きいと、抵抗層にクラックや部分的な剥離が発生し、リークにより実質的な電気抵抗値が低下することから渦電流損失の低減が十分ではなくなる傾向にある。
抵抗層5は、酸化性ガスを含有する酸化性雰囲気中で、磁石素体3の表面を酸化させることにより形成することができる。抵抗層5の厚み及び平均体積抵抗率は、酸化性ガスの分圧又は種類、処理温度及び処理時間のうちの少なくとも1つの条件を調整して、調製することができる。なお、かかる熱処理の際には、酸化性ガス分圧、処理温度及び処理時間の3つの条件を調整することが好ましい。
ここで、酸化性雰囲気とは、酸化性ガスを含有する雰囲気であれば特に限定されないが、例えば、大気、酸素雰囲気(好ましくは酸素分圧調整雰囲気)、水蒸気雰囲気(好ましくは水蒸気分圧調整雰囲気)等の酸化が促進される雰囲気である。また、酸化性ガスとしては、特に限定されないが、酸素、水蒸気等が挙げられる。例えば、酸素雰囲気とは、酸素濃度が0.1%以上の雰囲気であり、その雰囲気には、酸素と共に不活性ガスが共存している。かかる不活性ガスとしては窒素が挙げられる。つまり、酸素雰囲気の態様としては酸素と不活性ガスとからなる雰囲気がある。また、例えば、水蒸気雰囲気とは水蒸気分圧が10hPa以上の雰囲気であり、その雰囲気には、水蒸気と共に不活性ガスが共存している。かかる不活性ガスとしては窒素が挙げられ、水蒸気雰囲気の態様としては水蒸気と不活性ガスとからなる雰囲気がある。酸化性雰囲気を水蒸気雰囲気とすることで、より簡易に抵抗層を形成することができることから好ましい。さらに、酸化性雰囲気としては、酸素、水蒸気及び不活性ガスを含む雰囲気も挙げられる。
処理温度は、200〜550℃の範囲から調整されることが好ましく、250〜500℃の範囲から調整されることがより好ましい。処理温度が200〜550℃の範囲であると、上記厚み及び平均体積抵抗率の抵抗層を形成しやすい。
また、処理時間は、1分〜24時間の範囲から調整されることが好ましく、5分〜10時間の範囲から調整されることがより好ましい。処理時間は、5分〜1時間の範囲であると、上記厚み及び平均体積抵抗率の抵抗層を形成しやすい。
この場合、処理温度及び処理時間は、上述した範囲内から調整されることが好ましい。また、水蒸気分圧は、10〜2000hPaの範囲から調整されることが好ましい。水蒸気分圧が10hPa未満であると、抵抗層5が後述の複数層構造になり難い傾向にある。一方、2000hPaを超える場合は、高圧であるため装置構成が複雑となるほか、結露等が生じ易くなる等、作業性が悪くなる傾向にある。
さらに、雰囲気ガス導入方法により処理条件は調整されることが好ましい。例えば、水蒸気を100℃以上に加熱した過熱水蒸気を導入することが有効である。過熱水蒸気を用いれば通常のガス種より有効に磁石素体3に熱を伝えることができる。ただし、過熱水蒸気自体の酸化性は低いので、酸素等の酸化性ガスを併せて調整し導入することがより好ましい。
また、不活性ガス中で磁石素体3を昇温し、目的の温度に達した段階で酸化性雰囲気を導入することも有効である。これらにより、磁石素体3が必要以上に酸化性雰囲気に曝されることで磁気特性が低減することを防止でき、磁石素体3の表面に好適な抵抗層5を形成することができる。
抵抗層5は、上記酸化処理によって形成された場合、磁石素体表面の酸化膜が抵抗層5に相当する。この酸化膜は複数層の酸化膜より構成されていてもよい。例えば、当該酸化膜は、磁石素体3を覆い、少なくとも希土類元素、鉄及び酸素を含む第1層と、第1層を覆い、少なくとも希土類元素、鉄及び酸素を含み、第1層よりも鉄の含有量が少ない第2層と、第2の層を覆い、少なくとも鉄及び酸素を含む第3層と、を有する3層構造であってもよい。第1層は、好ましくは2.9〜25μm(ただし25μm未満)、より好ましくは3.9〜24μmの厚さを有する。第2層は、好ましくは1〜500nm、より好ましくは10〜350nmの厚さを有する。第3層は、好ましくは5〜1000nm、より好ましくは50〜500nmの厚さを有する。第2層は、第1層及び第3層よりも鉄の含有量が少ないと好ましい。第3層は、結晶質であると好ましい。磁石をモーターに取り込んだ際の渦電流発熱損を低減すべく、酸化処理の条件又は製法を変更することで、適正な平均体積抵抗率を示す膜厚範囲と膜構造を有する抵抗層5を見出した。ひとつは第3層が多孔質構造であり、ひとつは第2層がミルフィーユ構造(薄層の多層構造)となることである。第2層全体は、第1及び3層に比べてFeが少ないRFeO(希土類金属−鉄−酸化物)であるが、第2層は、2−A層及び2−B層の2種類の層を有し、2−A層よりも鉄の含有量が多くRの含有量が少ない2−B層と2−A層とが交互に積層した構造を有していてもよい。上記第1〜3層を有することにより、各被膜間の応力を低減し、抵抗層(すなわち酸化層の総計)が比較的厚い場合(3〜25μm)において、好適な電気抵抗を有しつつ、かつクラックや部分的な剥離を抑止することが可能となった。
抵抗層5は、酸化処理による製造方法に限定されるものではない。例えば、化成処理等により形成することも可能である。通常、化成処理浴は、リン酸、硝酸、ジルコン酸、タングステン酸、珪酸などをイオンあるいはコロイドなど塩の溶解物として含む。磁石素体を浸漬することで、磁石素体表面を溶出させ、磁石表面近傍の局所的pH(水素イオン濃度)が上昇することで、磁石表面に酸化物被膜を形成するものである。酸化物被膜には、化成処理浴由来の塩や磁石素地由来の鉄、希土類元素が含まれる。
以上、好適な実施形態に係る希土類磁石1及びその製造方法について説明したが、本発明の希土類磁石及びその製造方法は、上述した実施形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
(モーター)
図3は、本実施形態のモーターの内部構造の一例を示す説明図である。本実施形態のモーター100は、永久磁石同期モーター(IPMモーター)であり、円筒状のロータ20と該ロータ20の外側に配置されるステータ30とを備えている。ロータ20は、円筒状のローターコア22と、円筒状のローターコア22の外周面に沿って所定の間隔で希土類磁石10を収容する複数の磁石収容部24と、磁石収容部24に収容された複数の希土類磁石10とを有する。本実施形態のモーターにおいて、希土類磁石10は、個々の磁石収容部24内に複数個配置されており、各希土類磁石は隣接する希土類磁石と抵抗層を介して接触していてもよい。これにより、各磁石収容部24内で希土類磁石同士が絶縁されており、モーター使用時の渦電流損失が低減される。また、エアコン等の用途に用いられるモーターでは、通常、ローターコア22(すなわち、磁石収容部24の内壁面)と希土類磁石との間にモールド樹脂又は接着剤を介さないが、本実施形態の希土類磁石10は、このようなモーターに適用した場合であっても抵抗層5を介してローターコア22と接触するため、渦電流損失を低減することができる。
ロータ20の円周方向に沿って隣り合う希土類磁石10は、N極とS極の位置が互いに逆になるように磁石収容部24に収容されている。これによって、円周方向に沿って隣り合う希土類磁石10は、ロータ20の径方向に沿って互いに逆の方向の磁力線を発生する。
ステータ30は、ロータ20の外周面に沿って、所定の間隔で設けられた複数のコイル部32を有している。このコイル部32と希土類磁石10とは互いに対向するように配置されている。ステータ30は、電磁気的作用によってロータ20にトルクを与え、ロータ20は円周方向に回転する。
IPMモーター100は、ロータ20に、上記実施形態に係る希土類磁石10を備える。希土類磁石10は、優れた磁気特性を有する。IPMモーター100は、従来よりも渦電流損が低減され、高効率かつ高出力を維持することができる。IPMモーター100は、希土類磁石10以外の点について、通常のモーター部品を用いて通常の方法によって製造することができる。
本発明のモーターは、永久磁石同期モーターの場合IPMモーターに限定されるものではなくSPMモーターであってもよい。また、永久磁石同期モーターの他に永久磁石直流モーター、リニア同期モーター、ボイスコイルモーター、振動モーターであってもよい。
(実施例1)
<準備工程(磁石素体の作製)>
主として磁石素体の結晶粒(主相)を形成する主相系合金と、主として磁石素体の粒界(粒界相)を形成する粒界相系合金の2種類の原料合金を準備した。
なお、主相系合金は、
Nd:24.70質量%
Dy:0.00質量%
Pr:5.30質量%
Co:0.30質量%
Al:0.18質量%
Cu:0.10質量%
B :1.00質量%
Fe:残部(この中には、0.1質量%未満の不可避的不純物が含まれる。)であり、
また、粒界相系合金の組成は、
Nd:28.50質量%
Dy:10.00質量%
Pr:7.50質量%
Co:3.20質量%
Al:0.18質量%
Cu:0.10質量%
B :0.00質量%
Fe:残部(この中には、0.1質量%未満の不可避的不純物が含まれる。)であった。
これらの原料合金をそれぞれ水素粉砕により粗粉砕した後、高圧Nガスによるジェットミル粉砕を行い、平均粒径が4μmである微粉末A及びBをそれぞれ調製した。
調製した主相系合金の微粉末Aと、粒界相系合金の微粉末Bとを、微粉末A:微粉末B=95:5の質量割合で混合して、磁石素体の原料粉末を調製した。次いで、この原料粉末を用いて、成形圧1.2トン/cm(約117.7MPa)、配向磁界20kOe(約1591kA/m)の条件で磁場中成形を行い、直方体形状の成形体(縦×横×長さ=50mm×33mm×33mm)を得た。得られた成形体を、1060℃、4時間の条件で焼成して、下記の組成を有する磁石素体(焼結体)を得た。
Nd:24.50質量%
Dy:0.50質量%
Pr:5.30質量%
Co:0.45質量%
Al:0.18質量%
Cu:0.10質量%
B:0.95質量%
Fe:残部(この中には、0.1質量%未満の不可避的不純物が含まれる。)
得られた磁石素体を所定の寸法(30mm×5mm×4mm)になるように切断した後、硝酸エタノール溶液(硝酸濃度:3質量%)に3分間浸漬した。その後、磁石素体を硝酸エタノール溶液から取り出して、エタノール中で超音波洗浄した。
<重希土類化合物の調製>
次に、以下の手順でDyH粉末を調製した。金属Dy塊を、大気圧下、水素雰囲気中、360℃で1時間加熱して、水素を吸蔵させた。水素を吸蔵させた粉末に、大気圧下、アルゴンガス雰囲気中、600℃で1時間の熱処理を施して、Dy水素化物を得た。得られたDy水素化物は、X線回折法によってDyHであることを確認した。
得られたDyHを、スタンプミルを用いて粒径100μm以下まで粉砕した後、エタノールを配合し、ボールミルを用いて湿式粉砕を行って、平均粒径3μmのDyH粉末を含有するスラリーを得た。その後、このスラリーをエタノールで希釈して、固形分40質量%のスラリーを得た。
<拡散工程>
固形分40質量%のスラリーに、磁石素体を浸漬した。その後、磁石素体をスラリーから取り出して乾燥し、磁石素体の表面に重希土類化合物であるDyH粉末を付着させた。DyH粉末の付着量は、磁石素体を基準として、Dy換算で0.5質量%とした。
続いて、アルゴンガス雰囲気中、900℃で3時間加熱する熱処理(重希土類元素の拡散処理)を行って、磁石素体上に被覆層を形成した。この際、磁石素体の表面部に重希土類元素が拡散した。これによって、磁石素体の表面部の方が、磁石素体の内部よりも、軽希土類元素に対する重希土類元素の割合が高くなった。その後、大気圧下、アルゴンガス雰囲気中、540℃で1時間加熱する時効処理を行った。
<表面処理工程>
次に、被覆層を有する磁石素体を、硝酸濃度が3質量%である硝酸水溶液に2分間浸漬した。そして、磁石素体の超音波水洗を行った。この結果、被覆層の表面部分が除去された。
被覆層の表面部分の除去後における、被覆層の表面粗さを触針式表面粗さ計を用いて測定したところ、算術平均粗さRaは、3.2μmであり、最大高さRyは、20μmであった。
<酸化処理工程>
次に、磁石素体を、過熱水蒸気と大気の混合雰囲気中(酸素濃度:10%)、450℃で10分間加熱した(酸化処理)。この酸化処理によって、被覆層を含む磁石素体表面上に、抵抗層を備える実施例1の希土類磁石を得た。
<抵抗層及び磁石素体の組成分析>
得られた希土類磁石を、切断ならびに研磨によって断面観察用に加工し、抵抗層を電界放射型走査電子顕微鏡(FE−SEM)で観察した。その結果、抵抗層は、明確なコントラストの違いを示し、磁石素体と組成が異なることを示唆している。このときの抵抗層の厚みは4μmであった。
EDS(エネルギー分散型X線分光分析装置)を用いて、抵抗層に含まれる元素を定量した。抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、Dyの含有率の方がNdの含有率よりも高かった。
電子線プローブマイクロアナライザ(EPMA)を用いて、抵抗層の組成を測定した。その結果、酸素が約8質量%であった。また、磁石素体の内部(磁石素体の表面から深さ100μm以上の領域)においては、重希土類元素の含有率は当初の磁石素体の含有率(0.5質量%)から変化していなかった。
<希土類磁石の電気抵抗評価>
希土類磁石の抵抗値を、図4に示す測定系により測定した。まず、定盤43上に樹脂板42が取り付けられており、樹脂板42上の鉄板には銅箔44が配置されたプレスを用意した。
直方体形状の希土類磁石41の両端を銅箔44で挟み、一定荷重(例えば3MPa)を印加する。一定荷重を印加するのは、接触抵抗による抵抗値変動を安定化し、再現性を向上するためであった。
銅箔間に、定電流安定化電源46を用いて、一定電流I(例えば0.5A)を通電し、銅箔間の電圧Eを、電圧計45により測定した。
オームの法則 電気抵抗R=E/I により、希土類磁石の電気抵抗Rm(ただし、接触抵抗Rc分を含む)を求めた。
<抵抗層の平均体積抵抗率評価>
抵抗層を形成していないNdFeB焼結磁石の体積抵抗率ρを130μΩcmとした。また抵抗層を形成しないときの磁石素体の電気抵抗測定結果から、接触抵抗は、接触面積当たり0.26mΩ/cm と求められた。抵抗層の平均体積抵抗率ρrは、式1により求められる。
ρr =(Rm−Rc−ρ(T−2Tr)/(W×L))×W×L/2Tr・・・ 式1
ここで、磁石厚みT、磁石幅W、磁石長さL とした時、W×L面が銅箔に接し、T方向の電気抵抗を測定するものとする。
Rmは測定された抵抗値、Rcは接触抵抗、Trは抵抗層の厚みである。
実施例1の抵抗層の平均体積抵抗率は、1050Ωcmであった。
また、実施例1の希土類磁石断面のSEM(走査型電子顕微鏡)写真を撮影したところ、第1〜3層を有する多層構造となっていることが確認された。当該SEM写真の撮影範囲から測定された第1〜3層の各層の平均厚さを表1に示す。
<希土類磁石の渦電流発熱評価>
実施例1の希土類磁石について渦電流損失による発熱評価を、図5に示す測定系により行った。
1) 測定サンプル
・磁石形状: L=30mm、W=5mm、T=4mm
(図5において、Lは紙面の横方向であり、Wは紙面の上下方向であり、及びTは紙面に対して垂直な方向である。)
・一体化方法: 実施例1の希土類磁石を5mm方向に4個並べ、荷重をかけた状態でかしめ、樹脂でモールドした。
樹脂で一体化した磁石を4mm方向に着磁をした。
2) 測定方法
[渦電流損失測定]
図5に示すように空芯コイル52(コイル内径φ105、120ターン、巻線抵抗値、0.18Ω)の中央に一体化した測定サンプル51を設置し、断熱材(発泡シリコーンゴム)で覆った。このコイルに100Vrms、10kHzの交流電流を引加(電流値:1.38Arms程度)した。磁石中心の位置にK熱電対を貼り付け、温度上昇を測定した。5分間の温度上昇の傾きから、下式により渦電流損失を求めた。
Q=m・c・dT/dt
Q:渦電流損失、m:質量、c:比熱(0.453 kJ/(kg・K))
dT/dt:単位時間(本実施例では5分間)の温度上昇の傾き
表1に、渦電流発熱(損失)測定結果を示す。
抵抗層を形成する前の磁石素体についても同様の方法で渦電流損失を測定し、これを基準(リファレンス)として、実施例1の渦電流損失の割合を求めた(すなわち、規格化した)。規格化された渦電流損失の値が30%以下であれば、渦電流損失が十分に低減されているといえる。
(実施例2)
表面処理工程として、磁石素体を、3質量%の硝酸水溶液に2分間浸漬した後に超音波水洗を行い、洗浄後の磁石素体に重希土類化合物を付着させずに900℃の熱処理を行った(つまり、重希土類元素の拡散を行わなかった)こと以外は、実施例1と同様にして磁石素体を作製した。
得られた磁石素体を、窒素雰囲気中で500℃まで加熱した。500℃に達した後、窒素と大気の混合雰囲気(酸素濃度:10%)を10分間導入した(酸化処理)。この後、窒素雰囲気に切り換えて降温した。この酸化処理によって、被覆層を含む磁石素体表面上に、抵抗層を備える実施例2の希土類磁石を得た。
得られた希土類磁石について、実施例1と同様に抵抗層及び磁石素体の組成分析を行ったところ、抵抗層の厚みは6.1μmであった。また、抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、酸素の含有率が約8質量%であった。さらに、実施例2の希土類磁石について実施例1と同様に、抵抗層の平均体積抵抗率及び渦電流損失を測定した。また、実施例1と同様に、SEM写真を撮影して抵抗層を構成する第1〜3層の各層の厚みを求めた。結果を表1に示す。
(実施例3)
磁石素体を、過熱水蒸気と大気の混合雰囲気中(酸素濃度:10%)、500℃で10分間加熱した以外は、実施例1と同様の方法で、実施例3の希土類磁石を作製した。得られた希土類磁石について実施例1と同様に抵抗層及び磁石素体の組成分析を行ったところ、抵抗層の厚みは7.5μmであった。また、抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、酸素の含有率が約8質量%であった。さらに、実施例3の希土類磁石について実施例1と同様に、抵抗層の平均体積抵抗率及び渦電流損失を測定した。また、実施例1と同様に、SEM写真を撮影して抵抗層を構成する第1〜3層の各層の厚みを求めた。結果を表1に示す。
(実施例4)
酸化処理工程において、処理温度が500℃に達した後、窒素と大気の混合雰囲気(酸素濃度:10%)を20分間導入したこと以外は、実施例2と同様の方法で、実施例4の希土類磁石を作製した。得られた希土類磁石について実施例1と同様に抵抗層及び磁石素体の組成分析を行ったところ、抵抗層の厚みは11.3μmであった。また、抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、酸素の含有率が約8質量%であった。さらに、実施例4の希土類磁石について実施例1と同様に、抵抗層の平均体積抵抗率及び渦電流損失を測定した。また、実施例1と同様に、SEM写真を撮影して抵抗層を構成する第1〜3層の各層の厚みを求めた。結果を表1に示す。
(実施例5)
磁石素体を、過熱水蒸気と大気の混合雰囲気中(酸素濃度:10%)、500℃で20分間加熱した以外は、実施例2と同様の方法で、実施例5の希土類磁石を作製した。得られた希土類磁石について実施例1と同様に抵抗層及び磁石素体の組成分析を行ったところ、抵抗層の厚みは21.9μmであった。また、抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、酸素の含有率が約8質量%であった。さらに、実施例5の希土類磁石について実施例1と同様に、抵抗層の平均体積抵抗率及び渦電流損失を測定した。また、実施例1と同様に、SEM写真を撮影して抵抗層を構成する第1〜3層の各層の厚みを求めた。結果を表1に示す。
図6に実施例5の希土類磁石のSEM写真を示す。図6右図は、図6左図の四角で囲った部分を拡大したものである。図6右図に示されるように、第1層と第2層との間及び第2層と第3層との間には、各層の構造及び組成の違いから明確な界面が見られる。EPMAによる元素分析の結果、第3層は、鉄及び酸素を含んでおり、第1層は、ネオジム、鉄、ホウ素及び酸素を含んでいた。第2層は、2−A層と、前記2−A層よりも鉄の含有量が多くRの含有量が少ない2−B層との2種類の薄層が交互に積層した構造が見られた。
(比較例1)
酸化処理工程において、処理温度が450℃に達した後、窒素と大気の混合雰囲気(酸素濃度:10%)を5分間導入したこと以外は、実施例2と同様の方法で、比較例1の希土類磁石を作製した。得られた希土類磁石について実施例1と同様に抵抗層及び磁石素体の組成分析を行ったところ、抵抗層の厚みは1.6μmであった。また、抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、酸素の含有率が約8質量%であった。さらに、比較例1の希土類磁石について実施例1と同様に、抵抗層の平均体積抵抗率及び渦電流損失を測定した。結果を表1に示す。
(比較例2)
酸化処理工程において、処理温度が500℃に達した後、窒素と大気の混合雰囲気(酸素濃度:10%)を120分間導入したこと以外は、実施例2と同様の方法で、比較例2の希土類磁石を作製した。得られた希土類磁石について実施例1と同様に抵抗層及び磁石素体の組成分析を行ったところ、抵抗層の厚みは29.7μmであった。また、抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、酸素の含有率が約8質量%であった。しかし、抵抗層と磁石素体界面にクラックがみられ、一部はその界面から剥離していた。さらに、比較例2の希土類磁石について実施例1と同様に、抵抗層の平均体積抵抗率及び渦電流損失を測定した。結果を表1に示す。抵抗層が厚いにもかかわらず、平均体積抵抗率が比較的低い理由としては、抵抗層の一部隔離による電気的導通により、見かけ上、平均体積抵抗率が低下したことが考えられる。
(比較例3)
酸化処理工程において、処理温度が500℃に達した後、窒素と大気の混合雰囲気(酸素濃度:20%)を0.5分間導入したこと以外は、実施例2と同様の方法で、比較例3の希土類磁石を作製した。得られた希土類磁石について実施例1と同様に抵抗層及び磁石素体の組成分析を行ったところ、抵抗層の厚みは1.8μmであった。また、抵抗層にはDy、Nd、Fe及びOが含まれており、酸素の含有率が約8質量%であった。さらに、比較例3の希土類磁石について実施例1と同様に、抵抗層の平均体積抵抗率及び渦電流損失を測定した。結果を表1に示す。抵抗率が1210Ωmと比較的高いのにもかかわらず、渦電流損失が40.2%と大きかった。これは抵抗層厚みが比較的薄かったために、磁石間で電気的リークが多発したものと考えられる。
1…希土類磁石、3…磁石素体、5…抵抗層、20…ロータ、22…ローターコア、24…磁石収容部、30…ステータ、32…コイル部、100…IPMモーター。

Claims (8)

  1. 希土類元素及び鉄を含有する磁石素体と、当該磁石素体の少なくとも一つの表面に酸化処理又は化成処理することにより形成された抵抗層とを備え、
    前記抵抗層は、希土類元素、鉄及び酸素を含み、10Ωcm以上の平均体積抵抗率及び3〜25μmの厚みを有し、
    前記抵抗層は、
    前記磁石素体を覆い、少なくとも希土類元素、鉄及び酸素を含む第1層と、
    前記第1層を覆い、少なくとも希土類元素、鉄及び酸素を含む第2層と、
    前記第2層を覆い、少なくとも鉄及び酸素を含む第3層と、
    を有し、
    前記第2層は、前記第1層及び第3層よりも鉄の含有量が少なく、かつ、
    前記第2層は、2−A層と、前記2−A層よりも鉄の含有量が多く希土類元素の含有量が少ない2−B層とが交互に積層した構造を有する、希土類磁石。
  2. 前記磁石素体がNd、Pr、Dy又はTbを含む、請求項1に記載の希土類磁石。
  3. 重希土類元素を含み、
    希土類磁石の少なくとも一つの表面から内部に向かって少なくとも一種の重希土類元素の濃度が減少する領域を有する、請求項1又は2に記載の希土類磁石。
  4. 前記抵抗層は、4〜25μmの厚みを有する、請求項1〜のいずれか1項に記載の希土類磁石。
  5. 前記抵抗層は、6〜25μmの厚みを有する、請求項1〜のいずれか1項に記載の希土類磁石。
  6. 前記抵抗層は、7〜25μmの厚みを有する、請求項1〜のいずれか1項に記載の希土類磁石。
  7. 請求項1〜のいずれか1項に記載の希土類磁石を複数個備え、
    前記希土類磁石のそれぞれが隣接する希土類磁石と前記抵抗層を介して接触している、
    モーター。
  8. 請求項1〜のいずれか1項に記載の希土類磁石を複数個備え、
    前記希土類磁石がローターコアと前記抵抗層を介して接触している、モーター。
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