JP6755799B2 - 撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像装置 - Google Patents

撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6755799B2
JP6755799B2 JP2016544934A JP2016544934A JP6755799B2 JP 6755799 B2 JP6755799 B2 JP 6755799B2 JP 2016544934 A JP2016544934 A JP 2016544934A JP 2016544934 A JP2016544934 A JP 2016544934A JP 6755799 B2 JP6755799 B2 JP 6755799B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
read
signal charge
photoelectric conversion
conversion unit
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016544934A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2016031171A1 (ja
Inventor
純一 松尾
純一 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuvoton Technology Corp Japan
Original Assignee
Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd filed Critical Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd
Publication of JPWO2016031171A1 publication Critical patent/JPWO2016031171A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6755799B2 publication Critical patent/JP6755799B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14831Area CCD imagers
    • H01L27/14843Interline transfer
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/63Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/71Circuitry for evaluating the brightness variation
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/30Transforming light or analogous information into electric information
    • H04N5/33Transforming infrared radiation

Description

本開示は、所定の距離位置に存在する被写体の像(距離画像)を取得する撮像装置に関するものである。
近年、スマートフォン、ゲーム機等に、例えば、赤外光を撮影対象空間に照射して、被写体(人物)の体や手の動きを検出する測距カメラが搭載され、それに使われる距離画像を取得する固体撮像装置、いわゆる測距センサが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に示された固体撮像装置は、隣接する2画素の光電変換部から読み出した信号電荷を垂直転送部上で加算することで、2画素につき3つのパケット(メモリーセル)を備える。この固体撮像装置は、測距カメラの動作原理として、TOF(Time Of Flight)法を用いており、赤外光をパルス状に発光させて、2種類の露光期間で被写体からの反射光を受光することで、2種類の信号電荷S0、S1を光電変換部から読み出し、各々のパケットに蓄積し、赤外光を発光させずに背景光を受光することで、信号電荷BGを読み出し、パケットに蓄積する。各パケットに蓄積された信号電荷は順次転送、出力し、信号電荷S0、S1、BGの比率と差分から画素毎に被写体までの距離を求めることで距離画像を生成している。
さらに、特許文献1では、画素を市松状に配置することにより、距離画像の水平、垂直解像度の向上を実現している。
国際公開第2014/002415号
本開示の一態様では、被写体へ赤外光を照射する赤外光源と、基板上に行列状に配置された画素を有し、被写体からの入射光を受光する固体撮像装置とを備えた撮像装置であって、画素は、入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、当該光電変換部から信号電荷を読み出す読み出し電極と、垂直転送部を構成する少なくとも1つの垂直転送電極と、を備えた撮像装置である。画素として、複数の第1の画素と、当該第1の画素に隣接する複数の第2の画素とが、行毎に交互に配置され、かつ、列毎に交互に配置されることによって、市松状に配置されており、読み出し電極は、同一の光電変換部から読み出された複数の信号電荷が、共通の読み出し電極下において発生する暗電流を含むように、配置されている。
本態様によれば、第1および第2画素が市松状に配置されている。そして、同一の光電変換部から読み出された複数の信号電荷が、共通の読み出し電極下において発生する暗電流を含むように、読み出し電極が配置されている。これにより、1つの画素から読み出された複数の信号電荷に含まれる暗電流の発生源が同じになるため、暗電流の信号レベルが統一されるので、測距精度を悪化することなく、水平および垂直解像度を向上することが可能となる。
本開示によれば、測距結果のばらつきを低減し、測距精度を向上した撮像装置を提供することができる。
図1は、TOF方式における一般的な測距カメラの概略構成図である。 図2は、図1の測距カメラの概略動作を示す第1のタイミング図である。 図3は、図2のタイミング図に基づくTOF法の動作原理を示す図である。 図4は、図2のタイミング図に基づくTOF法の動作原理を示す図である。 図5は、特許文献1に係る固体撮像装置の構造を示す平面図である。 図6Aは、図5の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図6Bは、図5の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図6Cは、図5の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図6Dは、図5の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図6Eは、図5の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図6Fは、図5の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図7は、固体撮像装置を用いた測距カメラの概略構成図である。 図8は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。 図9Aは、図8の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図9Bは、図8の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図9Cは、図8の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図9Dは、図8の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図9Eは、図8の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図9Fは、図8の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図10は、第2の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。 図11は、第3の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。 図12Aは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図12Bは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図12Cは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図12Dは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図12Eは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図12Fは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図12Gは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図12Hは、図11の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図13は、第4の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す平面図である。 図14Aは、図13の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図14Bは、図13の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図14Cは、図13の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図14Dは、図13の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図14Eは、図13の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図14Fは、図13の固体撮像装置の動作を示す平面図である。 図14Gは、図13の固体撮像装置の動作を示す平面図である。
本発明の実施の形態の説明に先立ち、従来の撮像装置における問題点を簡単に説明する。
特許文献1で開示された撮像装置は、高画質かつ高精度でありながら、システム全体の電力と発熱を抑えることができるものである。
しかしながら、固体撮像装置は、光電変換部から垂直転送部に信号電荷を読み出す際、読み出しに起因する暗電流が発生する場合がある。
このため、特許文献1の画素を市松状に配置した構造では、読み出しに起因する暗電流が発生した場合、信号電荷S0及びS1に含まれる暗電流と、信号電荷BGに含まれる暗電流は、発生源が異なるために信号レベルが異なる。測距センサでは、信号電荷S0及びS1と信号電荷BGの差分をとることで、背景光の影響をキャンセルすることが可能であるが、信号電荷S0及びS1と信号電荷BGに含まれる暗電流の信号レベルが異なる場合、暗電流成分がキャンセルできない。このため、測距結果にばらつきが生じ、測距精度が悪化する場合があるという課題を有している。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、測距結果のばらつきを低減し、測距精度を向上した撮像装置を提供することを目的とする。
(本開示の基礎となった知見)
本開示の実施形態について説明する前に、本開示の基礎となった知見について説明する。
図1は、TOF方式により動作する一般的な測距カメラの概略構成図である。図1に示すように、被写体1に背景光源2の下、赤外光が赤外光源3から照射される。その反射光を、光学レンズ4を介して固体撮像装置5で受け、固体撮像装置5に結像された画像を電気信号に変換する。
図2は、測距カメラの概略動作を示すタイミング図である。パルス幅Tpの照射光は、被写体で反射され、反射光は遅れ時間Δtを持って固体撮像装置に入力される。遅れ時間Δtを計測することで、被写体までの距離を求めることができる。
図3は、図2のタイミング図に基づくTOF方式の測距カメラの動作原理の一例を説明する図である。図3に示すように、パルス幅Tpの照射光の立ち上がり時刻から始まる第1露光期間をT1、照射光の立ち下がり時刻から始まる第2露光期間をT2、赤外光源をOFFした第3露光期間をT3とし、露光期間T1〜T3は、パルス幅Tpよりも長い時間に設定される。第1露光期間T1においてカメラが得られる信号量(信号電荷量)をS0、第2露光期間T2においてカメラが得られる信号量(信号電荷量)をS1、第3露光期間T3においてカメラが得られる信号量(信号電荷量)をBGとすると、遅れ時間Δtは次式で与えられる。
Δt=Tp{(S1−BG)/(S0−BG)}
図4は、図2のタイミング図に基づくTOF方式の測距カメラの動作原理のもう一つの例を説明する図である。図4に示すように、パルス幅Tpの照射光の立ち上がり時刻から始まる第1露光期間をT1、照射光の立ち下がり時刻から始まる第2露光期間をT2、近赤外光源をOFFした第3露光期間をT3とし、露光期間T1〜T3は、パルス幅Tpと同じ長さに設定される。第1露光期間T1においてカメラが得られる信号量(信号電荷量)をS0、第2露光期間T2においてカメラが得られる信号量(信号電荷量)をS1、第3露光期間T3においてカメラが得られる信号量(信号電荷量)をBGとすると、遅れ時間Δtは次式で与えられる。
Δt=Tp{(S1−BG)/(S0+S1−2×BG)}
これらTOF方式の測距カメラに用いる固体撮像素子は、照射光の1周期について、複数回のサンプリングができるものでなければならない。
ここで、特許文献1に示した固体撮像装置では、図5のような構造が開示されている。この固体撮像装置は、半導体基板に行列状に配置され、入射光を信号電荷に変換する複数の光電変換部1001と、光電変換部1001に対応して設けられ、光電変換部1001から読み出された信号電荷を列方向(垂直方向)に転送する垂直転送部1002と、垂直転送部1002によって転送された信号電荷を行方向(水平方向)に転送する水平転送部1003と、水平転送部1003によって転送された信号電荷を出力する電荷検出部1004とを備える。さらに光電変換部1001から垂直転送部1002へ信号電荷を行毎に読み出すことが可能なように、光電変換部1001のそれぞれに対応して設けられた第1の読み出し電極1005a及び第2の読み出し電極1005bとを備える。図5では、読み出し電極1005a,1005bの位置にハッチを付している。
ここで、固体撮像装置はCCD撮像素子であり、例えば、垂直転送部1002は、2画素あたり垂直転送電極1005が8ゲートある8相駆動であり、2つの光電変換部1001につき、3つのパケット1006a〜1006cが備えられている。水平転送部1003は2相駆動である。光電変換部1001からの信号電荷の読み出し電極は、8相駆動の垂直転送部1002の、垂直転送電極1005a及び1005bが兼用した構成になっている。光電変換部に溜まった信号電荷は、例えば、パケット1006aで表される電極に読み出される。
また、第1の読み出し電極1005a及び第2の読み出し電極1005bは、垂直転送部1002を挟んで水平方向に隣り合う光電変換部1001のそれぞれから同時に読み出し、加算できる構造になっており、加算後の画素重心が市松状になるよう、加算される画素は、列毎に1画素ずつずれた構造になっている。
なお、第1の読み出し電極1005a及び第2の読み出し電極1005bは、全行に配置されているため、両側の光電変換部1001から読み出してはいけない箇所と、両側の光電変換部1001から読み出す箇所とが、図5に示すように市松状に存在する。このため、第1の読み出し電極1005a及び第2の読み出し電極1005bのうち、信号電荷を読み出さない電極の両側にはチャネルストップ領域1007を形成して、第1の読み出し電極1005a及び第2の読み出し電極1005bに読み出しパルスを印加したときに、垂直転送部1002に信号電荷が読み出されないようにする。また、逆に、第1の読み出し電極1005a及び第2の読み出し電極1005bのうち、信号電荷を読み出す必要のある電極の両側にはチャネルストップ領域1007を設けずに、信号電荷を読み出しやすくする。
図6A〜図6Fは、図5に示す固体撮像装置の動作を示す平面図である。図6Aは、露光前の固体撮像装置の動作、図6B〜図6Fは、各露光期間の固体撮像装置の動作を示している。
まず、露光期間前は、図6Aに示すように、各パケット1006a〜1006cに信号電荷は蓄積されていない。
露光期間では、まず、図6Bに示すように、第1露光期間T1に、図中a、c列の光電変換部1001から、図中A、C行の垂直転送部1002に、図中b、d列の光電変換部1001から、図中B、D行の垂直転送部1002に、信号電荷S0を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極1005a及び読み出し電極1005bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット1006aに注目すると、図中c列の光電変換部1001から図中C行の垂直転送部1002に信号電荷S0を読み出す際、暗電流Ccがパケット1006aで発生し、蓄積される。一方、パケット1006cに注目すると、図中d列の光電変換部1001から信号電荷S0を読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極1005a及び読み出し電極1005bが全行に配置されているため、暗電流Cdがパケット1006cで発生し、蓄積される。これら、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
次に、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作が終了後、図6Cに示すように、垂直転送部1002のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図6Dに示すように、第2露光期間T2に、図中a、c列の光電変換部1001から、図中A、C行の垂直転送部1002に、図中b、d列の光電変換部1001から、図中B、D行の垂直転送部1002に、信号電荷S1を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極1005a及び読み出し電極1005bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット1006bに注目すると、図中c列の光電変換部1001から図中C行の垂直転送部1002に信号電荷S1を読み出す際、暗電流Ccがパケット1006bで発生し、蓄積される。一方、パケット1006aに注目すると、図中b列の光電変換部1001から信号電荷S1を読み出す際、読み出しパルスを印加される読み出し電極1005a及び読み出し電極1005bが全行に配置されているため、暗電流Cbがパケット1006aで発生し、蓄積される。これら、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作は、第1露光期間T1と同数繰り返される。
次に、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作が終了後、図6Eに示すように、垂直転送部1002のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図6Fに示すように、第3露光期間T3に、図中a、c列の光電変換部1001から、図中A、C行の垂直転送部1002に、図中b、d列の光電変換部1001から、図中B、D行の垂直転送部1002に、信号電荷BGを読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極1005a及び読み出し電極1005bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット1006cに注目すると、図中c列の光電変換部1001から図中C行の垂直転送部1002に信号電荷BGを読み出す際、暗電流Ccがパケット1006cで発生し、蓄積される。一方、パケット1006bに注目すると、図中b列の光電変換部1001から信号電荷BGを読み出す際、読み出しパルスを印加される読み出し電極1005a及び読み出し電極1005bが全行に配置されているため、暗電流Cbがパケット1006bで発生し、蓄積される。これら、第3露光期間T3の読み出し、蓄積動作は、第1露光期間T1及び第2露光期間T2と同数繰り返される。
その後、垂直転送部1002のパケットを2段分、図中上方に転送させ、図6B〜図6Fの動作を複数セット行なった後、信号電荷を1段ずつ垂直転送部1002から水平転送部1003へ転送し、水平転送部1003から電荷検出部1004へ順次転送し、出力する。
図6Fにおいて、パケット1006a〜1006cに蓄積された信号電荷に注目すると、パケット1006aには(S0+Cc+Cb)、パケット1006bには(S1+Cc+Cb)、パケット1006cには(BG+Cc+Cd)が蓄積されている。パケット1006a〜1006cの信号電荷S0、S1及びBGは、同一の光電変換部1001から読み出された信号であり、これらの信号から遅れ時間Δtを求めると、例えば次式の通りとなる。
Δt=Tp{(S1−BG+Cb−Cd)/(S0−BG+Cb−Cd)}
ここで、暗電流Cb及びCdは遅れ時間に依存しない信号であり、発生源が異なることから信号レベルにばらつきを持つため、測距結果に誤差やばらつきが生じ、測距精度が悪化するという課題を有している。
そこで、以下の実施形態に示す撮像装置のように、画素が市松状に配置された構造において、読み出し電極を列毎に上下方向に反転して配置し、信号電荷S0、S1及びBGに含まれる暗電流の発生源及び信号レベルを統一することにより、撮像装置において測距結果の誤差やばらつきを低減し、測距精度を向上している。
以下、上記課題を解決するための実施形態について、図面を参照して説明する。なお、添付の図面を用いて説明を行うが、これらは例示を目的としており、本開示がこれらに限定されることを意図しない。図面において実質的に同一の構成、動作及び効果を表す要素については、同一の符号を付す。
なお、本明細書において、「画素」は、光電変換部と、読み出し電極と、垂直転送部を構成する少なくとも1つの垂直転送電極とを含み、固体撮像装置において繰り返し配置される単位セルのことをいう。
図7は、固体撮像装置を備えた測距カメラの概略構成図である。図7に示すように、被写体11に背景光源12の下、赤外光が赤外光源13から照射される。その反射光を、光学レンズ14を介して固体撮像装置15で受け、固体撮像装置15に結像された画像を電気信号に変換する。赤外光源13と固体撮像装置15の動作は制御部16によって制御され、固体撮像装置15の出力は信号処理部17によって距離画像に変換され、用途によっては可視画像にも変換される。赤外光源13と、光学レンズ14と、例えばCCDイメージセンサである固体撮像装置15とが、測距カメラを構成する。
以上の測距カメラに好適に利用される撮像装置の一態様としての固体撮像装置について、以下の第1〜第4の実施形態で説明する。
(第1の実施形態)
図8は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す図である。図8では、図面の簡略化のために、垂直方向に4画素分、水平方向に4画素分のみ示している。
図8に示すように、この固体撮像装置は、半導体基板に行列状に配置された画素を有し、赤外光を含む入射光を受光し、入射光を信号電荷に変換する複数の光電変換部101と、光電変換部101に対応して設けられ、光電変換部101から読み出された信号電荷を列方向に転送する垂直転送部102と、垂直転送部102によって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部103と、水平転送部103によって転送された信号電荷を出力する電荷検出部104とを備えている。さらに光電変換部101から垂直転送部102へ信号電荷を行毎に読み出すことが可能なように、光電変換部101のそれぞれに対応して設けられた第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bとを備えている。図8では、読み出し電極105a,105bの位置にハッチを付している。
第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bは、行方向において、光電変換部101の中心より上側又は下側に備えられ、また列毎に上下方向に反転して配置されている。例えば、図中a列及びc列の画素における光電変換部101に対応して設けられる第1の読み出し電極105aは、光電変換部101の中心より下側に備えられ、図中b列及びd列の画素における光電変換部101に対応して設けられる第2の読み出し電極105bは、光電変換部101の中心より上側に備えられている。すなわち、図中ハッチを付したように、読み出し電極105a,105bは、各列において、列方向に並ぶように配置されており、かつ、列毎に交互に、行方向において光電変換部101の中心よりも上側または下側にずらして、配置されている。
ここで、固体撮像装置はCCD撮像素子であり、例えば、垂直転送部102は、2画素あたり垂直転送電極105が8ゲートある8相駆動であり、2つの光電変換部101につき、3つのパケット106a〜106cが備えられている。水平転送部103は2相駆動である。光電変換部101からの信号電荷の読み出し電極は、8相駆動の垂直転送部102の、垂直転送電極105a及び105bが兼用した構成になっている。光電変換部に溜まった信号電荷は、例えば、信号パケット106aで表される電極に読み出される。
また、第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bは、垂直転送部102を挟んで水平方向に隣り合う光電変換部101のそれぞれから同時に読み出し、加算できる構造になっており、加算後の画素重心が市松状になるよう、加算される画素は、行毎に1画素ずつずれ、かつ、列毎に1画素ずつずれた構造になっている。図面上において、左側にある垂直転送部102に信号電荷が読み出される光電変換部101を備えた画素が第1の画素に相当し、右側にある垂直転送部102に信号電荷が読み出される光電変換部101を備えた画素が、第2の画素に相当する。
なお、第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bは、全行に配置されているため、両側の光電変換部101から読み出してはいけない箇所と、両側の光電変換部101から読み出す箇所とが、図8に示すように市松状に存在する。このため、第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bのうち、信号電荷を読み出さない電極の両側にはチャネルストップ領域107を形成して、第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bに読み出しパルスを印加したときに、垂直転送部102に信号電荷が読み出されないようにする。また、逆に、第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bのうち、信号電荷を読み出す必要のある電極の両側にはチャネルストップ領域107を設けずに、信号電荷を読み出しやすくする。
図9A〜図9Fは、図8に示す固体撮像装置の動作を示す平面図である。図9Aは、露光前の固体撮像装置の動作、図9B〜図9Fは、各露光期間の固体撮像装置の動作を示している。
まず、露光期間前は、図9Aに示すように、各パケット106a〜106cに信号電荷は蓄積されていない。
露光期間では、まず、図9Bに示すように、第1露光期間T1に、図中a、c列の光電変換部101から、図中A、C行の垂直転送部102に、図中b、d列の光電変換部101から、図中B、D行の垂直転送部102に、信号電荷S0を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極105a及び読み出し電極105bに読み出しパルスを印加することによって読み出し電極下に暗電流が生じる場合、パケット106aに注目すると、図中c列の光電変換部101から図中C行の垂直転送部102に信号電荷S0を読み出す際、暗電流Ccがパケット106aで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部101から信号電荷S0を読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極105a及び読み出し電極105bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極105a及び読み出し電極105bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット106aで発生し、蓄積される。これら、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
次に、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作が終了後、図9Cに示すように、垂直転送部102のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図9Dに示すように、第2露光期間T2に、図中a、c列の光電変換部101から、図中A、C行の垂直転送部102に、図中b、d列の光電変換部101から、図中B、D行の垂直転送部102に、信号電荷S1を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極105a及び読み出し電極105bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット106bに注目すると、図中c列の光電変換部101から図中C行の垂直転送部102に信号電荷S1を読み出す際、暗電流Ccがパケット106bで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部101から信号電荷S1を読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極105a及び読み出し電極105bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極105a及び読み出し電極105bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット106bで発生し、蓄積される。これら、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作は、第1露光期間T1と同数繰り返される。
次に、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作が終了後、図9Eに示すように、垂直転送部102のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図9Fに示すように、第3露光期間T3に、図中a、c列の光電変換部101から、図中A、C行の垂直転送部102に、図中b、d列の光電変換部101から、図中B、D行の垂直転送部102に、信号電荷BGを読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極105a及び読み出し電極105bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット106cに注目すると、図中c列の光電変換部101から図中C行の垂直転送部102に信号電荷BGを読み出す際、暗電流Ccがパケット106cで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部101から信号電荷BGを読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極105a及び読み出し電極105bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極105a及び読み出し電極105bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット106cで発生し、蓄積される。これら、第3露光期間T3の読み出し、蓄積動作は、第1露光期間T1及び第2露光期間T2と同数繰り返される。
その後、垂直転送部102のパケットを2段分、図中上方に転送させ、図9B〜図9Fの動作を複数セット行なった後、信号電荷を1段ずつ垂直転送部102から水平転送部103へ転送し、水平転送部103から電荷検出部104へ順次転送し、出力する。
図9Fにおいて、パケット106a〜106cに蓄積された信号電荷に注目すると、電極名V8から構成されるパケット106aには(S0+Cc+Cb)、電極名V6から構成されるパケット106bには(S1+Cc+Cb)、電極名V2、V3、V4から構成されるパケット106cには(BG+Cc+Cb)が蓄積され、行毎に同相の電極下には同種の信号電荷が蓄積されている。すなわち、電極名V8から構成されるパケットには(S0+暗電流)、電極名V6から構成されるパケットには(S1+暗電流)、電極名V2、V3、V4から構成されるパケットには(BG+暗電流)が蓄積されている。ここで、パケット106a〜106cの信号電荷S0、S1及びBGは、同一の光電変換部101から読み出された信号であり、これらの信号から遅れ時間Δtを求めると、例えば次式の通りとなる。
Δt=Tp{(S1−BG)/(S0−BG)}
以上、第1の実施形態に係る固体撮像装置によれば、水平、垂直解像度を向上すべく、加算後の画素重心が市松状になる構造において、第1の読み出し電極105a及び第2の読み出し電極105bを光電変換部101の中心より上側又は下側に備え、また列毎に上下方向に反転して配置することで、信号電荷S0、S1及びBGに含まれる暗電流の発生源及び信号レベルを統一することが可能となる。これにより、遅れ時間Δtには暗電流成分が含まれないため、測距結果のばらつきを低減し、測距精度を向上することができる。
(第2の実施形態)
図10は、第2の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す図である。図10では、図面の簡略化のために、垂直方向に4画素分、水平方向に4画素分のみ示している。
図10に示すように、この固体撮像装置は、半導体基板に行列状に配置され、入射光を信号電荷に変換する複数の光電変換部201と、光電変換部201に対応して設けられ、光電変換部201から読み出された信号電荷を列方向に転送する垂直転送部202と、垂直転送部202によって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部203と、水平転送部203によって転送された信号電荷を出力する電荷検出部204とを備えている。さらに光電変換部201から垂直転送部202へ信号電荷を行毎に読み出すことが可能なように、光電変換部201のそれぞれに対応して設けられた第1の読み出し電極205a及び第2の読み出し電極205bとを備えている。図10では、読み出し電極205a,205bの位置にハッチを付している。207はチャネルストップ領域である。
図中ハッチを付したように、読み出し電極205a,205bは、各列において、列方向に並ぶように配置されており、かつ、列毎に交互に、行方向において光電変換部201の中心よりも上側または下側にずらして、配置されている。
第2の実施形態に係る固体撮像装置は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と比較して、垂直転送部202の電極構成が異なり、それに起因して、1つのパケットを構成する垂直転送電極205の数が異なる。しかし、1つの光電変換部から読み出された複数の信号電荷に含まれる暗電流の発生源を統一することができる構造を提供することを目的とする点は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同様である。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に説明し、同じ点は説明を省略する。
図10に示した固体撮像装置は、図8に示した固体撮像装置と比較すると、垂直転送部202は、2画素あたり垂直転送電極205が10ゲートある10相駆動であり、1つのパケット206a〜206cを構成する最低電極数は1つではなく2つである。
図10に示した固体撮像装置の動作については、図8に示した固体撮像装置と比較して、信号電荷を図中上下方向に転送する際の転送電極数、及び蓄積電極数が異なるものの、パケット単位で見た動作については図9A〜Fで示した動作と同じである。
以上、第2の実施形態に係る固体撮像装置によれば、2画素あたり垂直転送電極205が10ゲートある10相駆動である場合においても、信号電荷S0、S1及びBGに含まれる暗電流の発生源及び信号レベルを統一することが可能となる。これにより、第1の実施形態に係る固体撮像装置と比較して、信号電荷を蓄積する垂直転送電極205の電極数が増加するため、飽和信号量を拡大し、測距レンジを向上することができる。
(第3の実施形態)
図11は、第3の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す図である。図11では、図面の簡略化のために、垂直方向に4画素分、水平方向に4画素分のみ示している。
図11に示すように、この固体撮像装置は、半導体基板に行列状に配置され、入射光を信号電荷に変換する複数の光電変換部301と、光電変換部301に対応して設けられ、光電変換部301から読み出された信号電荷を列方向に転送する垂直転送部302と、垂直転送部302によって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部303と、水平転送部303によって転送された信号電荷を出力する電荷検出部304とを備えている。さらに光電変換部301から垂直転送部302へ信号電荷を行毎に読み出すことが可能なように、光電変換部301のそれぞれに対応して設けられた読み出し電極305a〜305dとを備えている。図11では、読み出し電極305a,305bの位置にハッチを付しており、また、読み出し電極305c,305dの位置に別種のハッチを付している。
第3の実施形態に係る固体撮像装置は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と比較して、画素に備えられるフィルタが異なり、それに起因して、読み出し電極305a〜305dの配置が異なる。しかし、1つの光電変換部から読み出された複数の信号電荷に含まれる暗電流の発生源を統一することができる構造を提供することを目的とする点は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同様である。以下、第1の実施形態と異なる点を中心に説明し、同じ点は説明を省略する。
図11に示した固体撮像装置は、図8に示した固体撮像装置と比較すると、光電変換部301の半数が、可視光を遮断するIRフィルタが備えられた第1の光電変換部301aで構成され、残りの半数が、赤外光を遮断するBWフィルタが備えられた第2の光電変換部301bで構成されており、それらは市松状に配置されている。第1の光電変換部301aを備えた画素が第1の画素に相当し、第2の光電変換部301bを備えた画素が第2の画素に相当する。これにより、可視画像と距離画像とをそれぞれ得ることができる。
また、第1の読み出し電極305a及び第2の読み出し電極305bは、第1の光電変換部301aに列毎に上下方向に反転して配置され、第3の読み出し電極305c及び第4の読み出し電極305dは、第2の光電変換部301bに列毎に同じ位置に配置される。すなわち、図中ハッチを付したように、第1の光電変換部301aに係る読み出し電極305a,305bは、各列において、列方向に並ぶように配置されており、かつ、列毎に交互に、行方向において光電変換部301aの中心よりも上側または下側にずらして、配置されている。一方、第2の光電変換部301bに係る読み出し電極305c,305dは、各列において、列方向に並ぶように配置されており、行方向において光電変換部301bの中心に合う位置に、配置されている。なお、読み出し電極305a〜305dは、光電変換部301の信号電荷を加算せずに読み出す構造になっている。
図12A〜図12Fは、図11に示す固体撮像装置の動作を示す平面図である。図12Aは、第1フレームの露光前の固体撮像装置の動作、図12B〜図12Fは、第1フレームの各露光期間の固体撮像装置の動作、図12Gは、第2フレームの露光前の固体撮像装置の動作、図12Hは、第2フレームの露光期間の固体撮像装置の動作を示している。
まず、第1フレームの露光期間前は、図12Aに示すように、各パケット306a〜306cに信号電荷は蓄積されていない。
第1フレームの露光期間では、まず、図12Bに示すように、第1露光期間T1に、図中a、c列の第1の光電変換部301aから、図中A、C行の垂直転送部302に、図中b、d列の第1の光電変換部301aから、図中B、D行の垂直転送部302に、信号電荷S0を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極305a及び読み出し電極305bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット306aに注目すると、図中c列の光電変換部301から図中C行の垂直転送部302に信号電荷S0を読み出す際、暗電流Ccがパケット306aで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部301から信号電荷S0を読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極305a及び読み出し電極305bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極305a及び読み出し電極305bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット306aで発生し、蓄積される。これら、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
次に、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作が終了後、図12Cに示すように、垂直転送部302のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図12Dに示すように、第2露光期間T2に、図中a、c列の第1の光電変換部301aから、図中A、C行の垂直転送部302に、図中b、d列の第1の光電変換部301aから、図中B、D行の垂直転送部302に、信号電荷S1を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極305a及び読み出し電極305bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット306bに注目すると、図中c列の光電変換部301から図中C行の垂直転送部302に信号電荷S1を読み出す際、暗電流Ccがパケット306bで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部301から信号電荷S1を読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極305a及び読み出し電極305bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極305a及び読み出し電極305bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット306bで発生し、蓄積される。これら、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
次に、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作が終了後、図12Eに示すように、垂直転送部302のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図12Fに示すように、第3露光期間T3に、図中a、c列の第1の光電変換部301aから、図中A、C行の垂直転送部302に、図中b、d列の第1の光電変換部301aから、図中B、D行の垂直転送部302に、信号電荷BGを読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極305a及び読み出し電極305bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット306cに注目すると、図中c列の光電変換部301から図中C行の垂直転送部302に信号電荷BGを読み出す際、暗電流Ccがパケット306cで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部301から信号電荷BGを読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極305a及び読み出し電極305bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極305a及び読み出し電極305bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット306cで発生し、蓄積される。これら、第3露光期間T3の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
その後、垂直転送部302のパケットを2段分、図中上方に転送させ、図12B〜図12Fの動作を複数セット行なった後、信号電荷を1段ずつ垂直転送部302から水平転送部303へ転送し、水平転送部303から電荷検出部304へ順次転送、出力し、1フレーム走査期間内で、第1フレームを終える。
ここで、図12Fにおいて、パケット306a〜306cに蓄積された信号電荷に注目すると、含まれる暗電流の発生源は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同じく、統一されている。
続いて、第2フレームの露光期間前に、図12Gに示すように、2つの光電変換部301につき、2つパケット306dが備えられるよう、第1フレームからパケット構成を変更する。
第2フレームの露光期間では、読み出し電極305c及び読み出し電極305dに読み出しパルスを印加し、第1フレームの信号転送中に露光した信号電荷BWを、図12Hに示すように、図中a、c列の第2の光電変換部301bから、図中B、D行の垂直転送部302に、図中b、d列の第2の光電変換部301bから、図中A、C行の垂直転送部302に、読み出し、蓄積する。このとき、第2フレームの信号電荷を読み出すための読み出しパルスは、第1フレームの読み出しパルスに比べて十分短く、読み出しに起因して発生する暗電流が十分小さい為、第2フレームの暗電流成分は図示しない。
その後、信号電荷BWを2段ずつ垂直転送部302から水平転送部303へ転送し、水平転送部303から電荷検出部304へ順次転送、出力し、第2フレームを終える。信号電荷BWは、被写体の明るさにより大小が決定されるため、信号電荷BWを用いることにより、可視画像を生成することができる。
以上、第3の実施形態に係る固体撮像装置によれば、光電変換部301の半数が、可視光を遮断するIRフィルタが備えられた第1の光電変換部301aで構成され、残りの半数が、赤外光を遮断するBWフィルタが備えられた第2の光電変換部301bで構成されており、それらが市松状に配置されている場合においても、信号電荷S0、S1及びBGに含まれる暗電流の発生源及び信号レベルを統一することが可能となる。これにより、第1の実施形態に係る固体撮像装置と比較して、可視画像の取得が可能となるので、特定被写体の切り出し(背景分離)や、3Dアバターの作成等、測距カメラのアプリケーションが広がる。
(第4の実施形態)
図13は、第4の実施形態に係る固体撮像装置の構成を示す図である。図13では、図面の簡略化のために、垂直方向に4画素分、水平方向に4画素分のみ示している。
図13に示すように、この固体撮像装置は、半導体基板に行列状に配置され、入射光を信号電荷に変換する複数の光電変換部401と、光電変換部401に対応して設けられ、光電変換部401から読み出された信号電荷を列方向に転送する垂直転送部402と、垂直転送部402によって転送された信号電荷を行方向に転送する水平転送部403と、水平転送部403によって転送された信号電荷を出力する電荷検出部404とを備えている。さらに光電変換部401から垂直転送部402へ信号電荷を行毎に読み出すことが可能なように、光電変換部401のそれぞれに対応して設けられた読み出し電極405a〜405dとを備えている。図13では、読み出し電極405a,405bの位置にハッチを付しており、また、読み出し電極405c,405dの位置に別種のハッチを付している。
光電変換部401の半数が、可視光を遮断するIRフィルタが備えられた第1の光電変換部401aで構成され、残りの半数が、赤外光を遮断するBWフィルタが備えられた第2の光電変換部401bで構成されており、それらは市松状に配置されている。これにより、可視画像と距離画像とをそれぞれ得ることができる。
また、第1の読み出し電極405a及び第2の読み出し電極405bは、第1の光電変換部401aに列毎に上下方向に反転して配置され、第3の読み出し電極405c及び第4の読み出し電極405dは、第2の光電変換部401bに列毎に同じ位置に配置される。すなわち、図中ハッチを付したように、第1の光電変換部401aに係る読み出し電極405a,405bは、各列において、列方向に並ぶように配置されており、かつ、列毎に交互に、行方向において光電変換部401aの中心よりも上側または下側にずらして、配置されている。一方、第2の光電変換部401bに係る読み出し電極405c,405dは、各列において、列方向に並ぶように配置されており、行方向において光電変換部401bの中心に合う位置に、配置されている。
第4の実施形態に係る固体撮像装置は、第3の実施形態に係る固体撮像装置と比較して、読み出し電極405の配置が異なる。しかし、1つの光電変換部から読み出された複数の信号電荷に含まれる暗電流の発生源を統一することができる構造を提供することを目的とする点は、第3の実施形態に係る固体撮像装置と同様である。以下、第3の実施形態と異なる点を中心に説明し、同じ点は説明を省略する。
図13に示した固体撮像装置は、図11に示した固体撮像装置と比較すると、第1の読み出し電極405a及び第2の読み出し電極405bは、垂直転送部402を挟んで対角方向に隣り合う光電変換部401aのそれぞれから同時に信号電荷を読み出し、加算できる構造になっている。これにより、可視画像と距離画像とを1フレームで得ることができる。
図14A〜図14Gは、図13に示す固体撮像装置の動作を示す平面図である。図14Aは、露光前の固体撮像装置の動作、図14B〜図14Fは、各露光期間の固体撮像装置の動作を示している。
まず、露光期間前は、図14Aに示すように、各パケット406a〜406cに信号電荷は蓄積されていない。
露光期間では、まず、図14Bに示すように、読み出し電極405c及び読み出し電極405dに読み出しパルスを印加し、前フレームの信号転送中に露光した信号電荷BWを、第2の光電変換部401bから、図中B、D行の垂直転送部402に読み出し、蓄積する。
次に、図14Cに示すように、第1露光期間T1に、第1の光電変換部401aから、図中A、C行の垂直転送部402に、信号電荷S0を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極405a及び読み出し電極405bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット406aに注目すると、図中c列の光電変換部401から図中C行の垂直転送部402に信号電荷S0を読み出す際、暗電流Ccがパケット406aで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部401から信号電荷S0を読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極405a及び読み出し電極405bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極405a及び読み出し電極405bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット406aで発生し、蓄積される。これら、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
次に、第1露光期間T1の読み出し、蓄積動作が終了後、図14Dに示すように、垂直転送部402のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図14Eに示すように、第2露光期間T2に、第1の光電変換部401aから、図中A、C行の垂直転送部402に、信号電荷S1を読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極405a及び読み出し電極405bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット406bに注目すると、図中c列の光電変換部401から図中C行の垂直転送部402に信号電荷S1を読み出す際、暗電流Ccがパケット406bで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部401から信号電荷S1を読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極405bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極405a及び読み出し電極405a及び読み出し電極405bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット406bで発生し、蓄積される。これら、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
次に、第2露光期間T2の読み出し、蓄積動作が終了後、図14Fに示すように、垂直転送部402のパケットを1段分、図中下方に転送させる。
次に、図14Gに示すように、第3露光期間T3に、第1の光電変換部401aから、図中A、C行の垂直転送部402に、信号電荷BGを読み出し、蓄積する。このとき、読み出し動作時に、読み出し電極405a及び読み出し電極405bに読み出しパルスを印加することによって暗電流が生じる場合、パケット406cに注目すると、図中c列の光電変換部401から図中C行の垂直転送部402に信号電荷BGを読み出す際、暗電流Ccがパケット406cで発生し、蓄積される。さらに、図中b列の光電変換部401から信号電荷BGを読み出す際、読み出しパルスが印加される読み出し電極405a及び読み出し電極405bが全行に配置されているため、暗電流Cbが生じるが、読み出し電極405a及び読み出し電極405bは列毎に上下方向に反転して配置されているため、暗電流Ccと同様に、暗電流Cbはパケット406cで発生し、蓄積される。これら、第3露光期間T3の読み出し、蓄積動作は、一定数繰り返される。
その後、垂直転送部402のパケットを2段分、図中上方に転送させ、図14C〜図12Gの動作を複数セット行なった後、信号電荷を1段ずつ垂直転送部402から水平転送部403へ転送し、水平転送部403から電荷検出部404へ順次転送し、出力する。
ここで、図14Gにおいて、パケット406a〜406cに蓄積された信号電荷S0、S1及びBGに注目すると、含まれる暗電流の発生源は、第1の実施形態に係る固体撮像装置と同じく、統一されている。また、信号電荷BWに含まれる暗電流についても、同じ発生源の暗電流を差分することが可能である。
以上、第4の実施形態に係る固体撮像装置によれば、読み出し電極405の配置を変更し、垂直転送部402を挟んで対角方向に隣り合う光電変換部401の信号電荷を、垂直転送部402上で加算する場合においても、信号電荷S0、S1及びBGに含まれる暗電流の発生源及び信号レベルを統一することが可能となる。これにより、第3の実施形態に係る固体撮像装置と比較して、可視画像と距離画像を同じフレームで出力することが可能となるので、フレームレートが向上できる。
なお、上記した実施形態は一例であり、本開示は上記した実施形態に限定されるものではない。
例えば、垂直転送部及び水平転送部に設けられる電極の個数は上記した例に限定されず、適宜変更してもよい。
また、垂直転送部及び水平転送部に設けられるパケットの個数は上記した例に限定されず、適宜変更してもよい。
また、光電変換部上に備えるフィルタが遮断する波長は上記した例に限定されず、適宜変更してもよい。
以上、撮像装置について実施形態に基づいて説明したが、本開示はこの実施形態に限定されるものではない。本開示の主旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施形態に施したものや、異なる実施形態における構成要素を組み合わせて得られる形態も本開示の範囲内に含まれる。
本開示に係る撮像装置は、測距精度を落とすことなく、水平、垂直解像度を向上することができるので、小さな被写体や、遠方の被写体の距離画像を、精度良く取得する撮像装置として有用である。例えば、指先でジェスチャー入力するスマートフォンや、複数人の全身動作でコントロールするゲーム機等、測距カメラのアプリケーションを有する撮像装置に有用である。
1,11 被写体
2 背景光源
3,13 赤外光源
4 光学レンズ
5,15 固体撮像装置
12 背景光源
14 光学レンズ
16 制御部
17 信号処理部
101,201,301,301a,301b,401,401a,401b,1001 光電変換部
102,202,302,402,1002 垂直転送部
103,203,303,403,1003 水平転送部
104,204,304,404,1004 電荷検出部
105a,105b,205a,205b,305a,305b,305c,305d,405,405a,405b,405c,405d,1005,1005a,1005b 読み出し電極
106a,106b,106c,206a,306a,306b,306c,306d,406a,406b,406c,1006a,1006b,1006c パケット
107,1007 チャネルストップ領域
105,205 垂直転送電極

Claims (14)

  1. 基板上に行列状に配置された複数の画素を有する固体撮像装置を備えた撮像装置であって、
    前記複数の画素は、赤外光を受光する第1の画素を少なくとも含み、
    前記第1の画素は、
    前記赤外光を信号電荷に変換する少なくとも1つの光電変換部と、
    全行に配置され、更に、前記信号電荷を転送する垂直転送部を構成する第1の読み出し 電極、及び第2の読み出し電極と、を備え、
    前記第1の読み出し電極、及び前記第2の読み出し電極は、
    各列において、列方向に並ぶように配置されており、かつ、列毎に交互に、行方向において前記光電変換部の中心よりも上側または下側にずらして、配置されており、更に、
    前記光電変換部から前記信号電荷を読み出す箇所と、前記信号電荷を読み出されない箇所と、が市松状に存在し、
    前記垂直転送部は、前記光電変換部から前記信号電荷を前記垂直転送部に読み出す際に、前記第1の読み出し電極と前記第2の読み出し電極とから構成されるパケットに前記信号電荷を蓄積する
    ことを特徴とする撮像装置。
  2. 請求項1記載の撮像装置において、
    前記第1の読み出し電極は、
    各列において、列方向に並ぶように配置されており、かつ、
    列毎に交互に、行方向において当該光電変換部の中心よりも上側または下側の位置に配置されている
    ことを特徴とする撮像装置。
  3. 請求項1又は2に記載の撮像装置において、
    前記少なくとも1つの光電変換部は、第1の光電変換部と、当該第1の光電変換部と水平方向に隣接する第2の光電変換部と、を備え、
    前記第1及び前記第2の光電変換部の前記信号電荷を、前記垂直転送部上で加算することを特徴とする撮像装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置において、
    1フレーム走査期間内で、
    第1の露光期間で、前記第1の画素から第1の信号電荷を読み出し、
    第2の露光期間で、前記第1の画素から第2の信号電荷を読み出し、
    第3の露光期間で、前記第1の画素から第3の信号電荷を読み出し、
    前記第1〜前記第3の信号電荷を、出力する
    ことを特徴とする撮像装置。
  5. 請求項4記載の撮像装置において、
    前記第1〜前記第3の信号電荷は、それぞれ行毎に同相の電極下に蓄積される
    ことを特徴とする撮像装置。
  6. 請求項1〜5のうちいずれか1項に記載の撮像装置において、
    前記第2の読み出し電極と前記光電変換部との間に、チャネルストップ領域が設けられる
    ことを特徴とする撮像装置。
  7. 請求項1又は2記載の撮像装置において、
    斜め方向に隣接する前記第1の画素の信号電荷を、前記垂直転送部上で加算する
    ことを特徴とする撮像装置。
  8. 請求項1、2、7のうちいずれか1項に記載の撮像装置において、
    前記複数の画素は、可視光を受光する第2の画素を含み、
    前記第2の画素は、前記可視光を信号電荷に変換する少なくとも1つの光電変換部を備える
    ことを特徴とする撮像装置。
  9. 請求項8記載の撮像装置において、
    第1のフレーム走査期間内で、
    第1の露光期間で、前記第1の画素から第1の信号電荷を読み出し、
    第2の露光期間で、前記第1の画素から第2の信号電荷を読み出し、
    第3の露光期間で、前記第1の画素から第3の信号電荷を読み出し、
    前記第1〜前記第3の信号電荷を出力し、
    第2のフレーム走査期間内で、
    第4の露光期間で、前記第2の画素から第4の信号電荷を読み出し、
    前記第4の信号電荷を出力する
    ことを特徴とする撮像装置。
  10. 請求項8に記載の撮像装置において、
    1フレーム走査期間内で、
    第1の露光期間で、前記第1の画素から第1の信号電荷を読み出し、
    第2の露光期間で、前記第1の画素から第2の信号電荷を読み出し、
    第3の露光期間で、前記第1の画素から第3の信号電荷を読み出し、
    第4の露光期間で、前記第2の画素から第4の信号電荷を読み出し、
    前記第1〜前記第4の信号電荷を出力する
    ことを特徴とする撮像装置。
  11. 請求項9又は10に記載の撮像装置において、
    前記第1の画素から読み出された前記第1〜前記第3の信号電荷は、それぞれ行毎に同相の電極下に蓄積される
    ことを特徴とする撮像装置。
  12. 請求項4記載の撮像装置において、
    前記第1の露光期間で、前記赤外光をパルス状に発光させて被写体に照射し、受光される反射光を、前記第1の画素の前記光電変換部から読み出して、前記第1の信号電荷を作り、
    前記第2の露光期間で、前記赤外光をパルス状に発光させて前記被写体に照射し、受光される反射光を、前記第1の画素の前記光電変換部から読み出して、前記第2の信号電荷を作り、
    前記第3の露光期間で、前記赤外光を照射せず撮像して、背景光を前記第1の画素の前記光電変換部から読み出して、前記第3の信号電荷を作り、
    前記第1の信号電荷と前記第2の信号電荷と前記第3の信号電荷とのそれぞれの差分と比率とにより前記被写体までの距離を求め、距離画像を生成するTOF型の測距センサとして利用される
    ことを特徴とする撮像装置。
  13. 請求項10記載の撮像装置において、
    前記第1の露光期間で、前記赤外光をパルス状に発光させて被写体に照射し、受光される反射光を、前記第1の画素の前記光電変換部から読み出して、前記第1の信号電荷を作り、
    前記第2の露光期間で、前記赤外光をパルス状に発光させて前記被写体に照射し、受光される反射光を、前記第1の画素の前記光電変換部から読み出して、前記第2の信号電荷を作り、
    前記第3の露光期間で、前記赤外光を照射せず撮像して、背景光を前記第1の画素の前記光電変換部から読み出して、前記第3の信号電荷を作り、
    前記第4の露光期間で、前記赤外光を照射せず撮像して、背景光を前記第2の画素の前記光電変換部から読み出して、前記第4の信号電荷を作り、
    第1〜3の信号電荷のそれぞれの差分と比率で前記被写体までの距離を求め、距離画像を生成し、第4の信号電荷の大小で前記被写体の明るさを求め、可視画像を生成するTOF型の測距センサとして利用されることを特徴とする撮像装置。
  14. 撮像装置に用いられる固体撮像装置であって、
    前記固体撮像装置は、基板上に行列状に配置された複数の画素を有し、
    前記複数の画素は、赤外光を受光する第1の画素を少なくとも含み、
    前記第1の画素は、
    前記赤外光を信号電荷に変換する少なくとも1つの光電変換部と、
    全行に配置され、更に、前記信号電荷を転送する垂直転送部を構成する第1の読み出し電極、及び第2の読み出し電極と、を備え、
    前記第1の読み出し電極、及び前記第2の読み出し電極は、
    各列において、列方向に並ぶように配置されており、かつ、列毎に交互に、行方向において前記光電変換部の中心よりも上側または下側にずらして、配置されており、更に、
    前記光電変換部から前記信号電荷を読み出す箇所と、前記信号電荷を読み出されない箇所と、が市松状に存在し、
    前記垂直転送部は、前記光電変換部から前記信号電荷を前記垂直転送部に読み出す際に、前記第1の読み出し電極と前記第2の読み出し電極とから構成されるパケットに前記信号電荷を蓄積する ことを特徴とする固体撮像装置。
JP2016544934A 2014-08-29 2015-08-17 撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像装置 Active JP6755799B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014174885 2014-08-29
JP2014174885 2014-08-29
PCT/JP2015/004066 WO2016031171A1 (ja) 2014-08-29 2015-08-17 撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016031171A1 JPWO2016031171A1 (ja) 2017-07-20
JP6755799B2 true JP6755799B2 (ja) 2020-09-16

Family

ID=55399088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016544934A Active JP6755799B2 (ja) 2014-08-29 2015-08-17 撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10491842B2 (ja)
EP (1) EP3188471A4 (ja)
JP (1) JP6755799B2 (ja)
CN (1) CN106576146B (ja)
WO (1) WO2016031171A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10021284B2 (en) * 2015-08-27 2018-07-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Epipolar plane single-pulse indirect TOF imaging for automotives
WO2018038230A1 (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 国立大学法人静岡大学 光電変換素子及び固体撮像装置
US11448757B2 (en) * 2016-11-29 2022-09-20 Nuvoton Technology Corporation Japan Distance measuring device
JP7018022B2 (ja) 2016-11-29 2022-02-09 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 固体撮像装置及び測距撮像装置
DE102017109032B3 (de) * 2017-04-27 2018-05-17 Flexijet Gmbh Vorrichtung zum Aufmessen von Raumpunkten
WO2019021439A1 (ja) * 2017-07-27 2019-01-31 マクセル株式会社 撮像素子、撮像装置、および距離画像の取得方法
EP3684051A4 (en) * 2017-09-14 2021-03-03 Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. SEMICONDUCTOR IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE EQUIPPED WITH THIS ELEMENT
WO2019054099A1 (ja) * 2017-09-14 2019-03-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置
WO2019186837A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置、固体撮像システム、固体撮像装置の駆動方法
WO2019196049A1 (zh) * 2018-04-12 2019-10-17 深圳市汇顶科技股份有限公司 影像传感系统及电子装置
EP3820143A4 (en) 2019-02-27 2021-05-12 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. IMAGING SYSTEM, AND CORRESPONDING PIXEL NETWORK AND IMAGE SENSOR
JP7199016B2 (ja) * 2019-03-27 2023-01-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11146408A (ja) * 1997-11-05 1999-05-28 Canon Inc 固体撮像装置及びその電荷読み出し方法
JP2003299112A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Fuji Photo Film Co Ltd デジタルカメラ
JP4395150B2 (ja) * 2006-06-28 2010-01-06 富士フイルム株式会社 距離画像センサ
JP4734270B2 (ja) * 2007-02-15 2011-07-27 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2008252791A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp Ccd型固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置
JP4483962B2 (ja) * 2008-03-25 2010-06-16 ソニー株式会社 撮像装置、撮像方法
JP2010123707A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Sony Corp 固体撮像装置およびその読み出し方法
US8279316B2 (en) * 2009-09-30 2012-10-02 Truesense Imaging, Inc. Methods for capturing and reading out images from an image sensor
JP4881987B2 (ja) * 2009-10-06 2012-02-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP5699561B2 (ja) * 2010-01-27 2015-04-15 ソニー株式会社 撮像装置
JP4988075B1 (ja) * 2010-12-16 2012-08-01 パナソニック株式会社 撮像装置及び画像処理装置
WO2014002415A1 (ja) * 2012-06-28 2014-01-03 パナソニック株式会社 撮像装置
TW201423965A (zh) * 2012-08-03 2014-06-16 Univ Shizuoka Nat Univ Corp 半導體元件及固體攝像裝置
WO2014122714A1 (ja) * 2013-02-07 2014-08-14 パナソニック株式会社 撮像装置及びその駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3188471A4 (en) 2017-08-23
CN106576146B (zh) 2020-06-26
WO2016031171A1 (ja) 2016-03-03
CN106576146A (zh) 2017-04-19
EP3188471A1 (en) 2017-07-05
US10491842B2 (en) 2019-11-26
US20170150077A1 (en) 2017-05-25
JPWO2016031171A1 (ja) 2017-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6755799B2 (ja) 撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像装置
JP6872707B2 (ja) 撮像装置および画像取得装置
JP6693971B2 (ja) インターライン電荷結合素子
CN110024375B (zh) 固态摄像装置和测距摄像装置
WO2017150246A1 (ja) 撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像素子
JP6485674B1 (ja) 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置
US9838611B2 (en) Image capturing apparatus for obtaining normal image and range image and control method thereof
JP2015198361A (ja) 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
US20170187936A1 (en) Image sensor configuration
JP6362511B2 (ja) 撮像装置及びその制御方法
JP2015207880A (ja) 光電変換装置、撮像システム、および光電変換装置の駆動方法
WO2021019973A1 (ja) 撮像装置
WO2020027221A1 (ja) 撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像素子
JP6485675B1 (ja) 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置
JP5161752B2 (ja) 撮像装置
WO2020195046A1 (ja) 固体撮像装置
JP6366325B2 (ja) 撮像システム
JP6485676B1 (ja) 固体撮像装置、及びそれを備える撮像装置
JP6320132B2 (ja) 撮像システム
JP5462481B2 (ja) 撮像装置
JP2018042157A (ja) 撮像装置および焦点検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180709

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180709

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20190118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190723

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190828

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200107

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20200210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200228

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20200306

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20200318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200428

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20200525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20200525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200622

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200804

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200826

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6755799

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350