JP6750676B2 - 高周波フィルタ回路、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

高周波フィルタ回路、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

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Description

本発明は、共振子を有する高周波フィルタ回路、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
従来、移動体通信機のフロントエンド部に配置される帯域通過型フィルタなどに、弾性波を使用した弾性波フィルタが広く用いられている。また、マルチモード/マルチバンドなどの複合化に対応すべく、複数の弾性波フィルタを備えた高周波フロントエンド回路が実用化されている。
例えば、マルチバンド化に対応する弾性波フィルタの構成としては、BAW(Bulk Acoustic Wave)共振子で構成されたラダー型のフィルタ構造の並列腕回路において、並列腕共振子に対して、互いに並列に接続されたキャパシタ及びスイッチを直列接続する構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。このような弾性波フィルタは、スイッチの導通(オン)及び非導通(オフ)の切り替えによって、通過帯域低域側の減衰極の周波数を切り替えることができるチューナブルフィルタ(すなわち、周波数を可変できる周波数可変フィルタ)を構成する。
米国特許出願公開第2009/0251235号明細書
通常の帯域通過型フィルタでは、並列腕回路の反共振周波数によって通過帯域が規定され、並列腕回路の共振周波数によって通過帯域低域側の減衰極が構成され、該減衰極によって減衰帯域が規定される。
しかしながら、上記従来の構成では、スイッチの導通及び非導通の切り替えにより、通過帯域を規定する並列腕回路の反共振周波数は変化せず、減衰帯域を規定する並列腕回路の共振周波数のみが変化する。このため、スイッチの導通及び非導通の切り替えにより通過帯域低域側の減衰帯域を低周波数側に周波数シフトさせる場合、当該減衰極の周波数のみがシフトするため、通過帯域端の挿入損失が増大(ロスが悪化)する場合がある。
つまり、上記の構成では、スイッチの導通及び非導通の切り替えによって、通過帯域端の挿入損失が増大するという問題がある。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えることが可能な高周波フィルタ回路、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波フィルタ回路は、第1入出力端子と第2入出力端子との間に接続された直列腕回路と、前記第1入出力端子と前記第2入出力端子とを結ぶ経路上のノードとグランドに接続された並列腕回路と、を備え、前記並列腕回路は、第1並列腕共振子を有する第1回路と、前記第1回路に並列接続され、かつ、第2並列腕共振子を有する、第2回路と、を有し、前記第1回路及び前記第2回路の少なくとも一方の回路は、さらに、前記一方の回路における前記第1並列腕共振子または前記第2並列腕共振子に直列接続され、かつ、互いに並列接続されたインピーダンス素子及びスイッチ素子を有する周波数可変回路を有し、前記第2並列腕共振子は、前記第1並列腕共振子の共振周波数と異なる共振周波数と、前記第1並列腕共振子の反共振周波数と異なる反共振周波数と、を有する。
これに関し、高周波フィルタ回路では、並列腕回路の低周波数側の共振周波数によって通過帯域低域側の減衰極が構成され、並列腕回路の高周波数側の共振周波数によって通過帯域高域側の減衰極が構成され、並列腕回路の低周波数側の反共振周波数と直列腕回路によって通過帯域が構成される。
本態様によれば、上記並列腕回路の構成により、スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、並列腕回路における少なくとも2つの共振周波数のうちの少なくとも1つの共振周波数と、少なくとも2つの反共振周波数のうち少なくとも1つの反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。そのため、通過帯域端の周波数と減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。したがって、本態様によれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えることが可能となる。
また、前記並列腕回路は、少なくとも2つの共振周波数と少なくとも2つの反共振周波数を有し、前記周波数可変回路は、前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路における前記少なくとも2つの共振周波数のうちの少なくとも1つの共振周波数と、前記少なくとも2つの反共振周波数のうち少なくとも1つの反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせることにしてもよい。
また、前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記第2並列腕共振子の共振周波数より低く、前記第1並列腕共振子の反共振周波数は、前記第2並列腕共振子の反共振周波数より低く、前記第1回路は前記周波数可変回路を有さず、前記第2回路は前記周波数可変回路を有することにしてもよい。
これによれば、スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、並列腕回路における少なくとも2つの共振周波数のうち高周波数側の共振周波数と、少なくとも2つの反共振周波数のうち低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。そのため、通過帯域高域端の周波数と通過帯域高域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。したがって、本態様によれば、通過帯域高域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域高域端及び通過帯域高域側の減衰極の周波数を切り替えることが可能となる。
また、前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記第2並列腕共振子の共振周波数より低く、前記第1並列腕共振子の反共振周波数は、前記第2並列腕共振子の反共振周波数より低く、前記第1回路は前記周波数可変回路を有し、前記第2回路は前記周波数可変回路を有さないことにしてもよい。
これによれば、スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、並列腕回路における少なくとも2つの共振周波数のうち低周波数側の共振周波数と、少なくとも2つの反共振周波数のうち低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。そのため、通過帯域低域端の周波数と通過帯域低域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。したがって、本態様によれば、通過帯域低域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端及び通過帯域低域側の減衰極の周波数を切り替えることが可能となる。
また、前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記第2並列腕共振子の共振周波数より低く、前記第1並列腕共振子の反共振周波数は、前記第2並列腕共振子の反共振周波数より低く、前記第1回路及び前記第2回路の各々が、前記周波数可変回路を有することにしてもよい。
これによれば、第2回路におけるスイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、通過帯域高域端の周波数及び通過帯域高域側の減衰極を切り替えることが可能となり、第1回路におけるスイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、通過帯域低域端の周波数及び通過帯域低域側の減衰極を切り替えることが可能となる。したがって、本態様によれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端及び通過帯域低域側の減衰極の周波数と、通過帯域高域端及び通過帯域高域側の減衰極の周波数と、の双方を切り替えることが可能となる。
また、前記第1回路が有する前記周波数可変回路の前記スイッチ素子、及び、前記第2回路が有する前記周波数可変回路の前記スイッチ素子は、共に導通、または、共に非導通となるように切り替えられ、前記第1回路が有する前記周波数可変回路及び前記第2回路が有する前記周波数可変回路は、各々の前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路における前記少なくとも2つの共振周波数と前記少なくとも2つの反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせることにしてもよい。
これによれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、中心周波数を切り替えることができる。
また、前記インピーダンス素子は、キャパシタであってもよい。
これに関し、一般的に、キャパシタは、インダクタと比較してQが高く、さらに、省スペースで構成できる。そのため、上記インピーダンス素子がキャパシタであることにより、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、高周波フィルタ回路の小型化が図られる。
また、少なくとも2つの前記並列腕回路と、少なくとも1つの前記直列腕回路と、で構成されるラダー型のフィルタ構造を有することにしてもよい。
これによれば、少なくとも2つの並列腕回路の各々が周波数可変回路を有するため、高周波フィルタ回路全体の通過特性をより細かく調整することが可能となる。したがって、当該少なくとも2つの並列腕回路の各々においてスイッチ素子の導通及び非導通が適宜選択されることにより、適切な帯域に切り替えることができる。また、ラダー型のフィルタ構造を構成する並列腕回路が複数設けられていることにより、減衰量(阻止域減衰量)を向上することができる。
また、前記直列腕回路は、直列腕共振子を備え、前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記直列腕回路の共振周波数よりも低く、前記第2並列腕共振子の共振周波数は、前記直列腕回路の共振周波数よりも高いことにしてもよい。
これによれば、直列腕共振子の反共振周波数に依存する直列腕回路の反共振周波数によって、通過帯域高域側の減衰極が追加されるため、通過帯域高域側の減衰量を向上した高周波フィルタ回路を構成することができる。
また、共振子について、反共振周波数と共振周波数との周波数差を当該共振周波数で除した値を比帯域幅と定義した場合に、前記直列腕共振子の比帯域幅は、前記第1並列腕共振子及び前記第2並列腕共振子のうち少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅より狭いことにしてもよい。
これによれば、通過帯域高域側の急峻度を向上することができる。
また、前記高周波フィルタ回路は、少なくとも一部に圧電性を有する基板上に形成された複数の電極指からなるIDT電極を有する複数の弾性表面波共振子によって構成され、前記複数の弾性表面波共振子のうち少なくとも1つの前記直列腕共振子には、前記IDT電極と前記基板との間に、前記比帯域幅を調整する第1調整膜が形成されていることにしてもよい。
これによれば、弾性表面波共振子の比帯域幅を第1調整膜の膜厚調整により設定することが可能となる。例えば、直列腕共振子の比帯域幅を、第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の比帯域幅よりも狭く設定したい場合には、直列腕共振子の第1調整膜の膜厚を第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の第1調整膜の膜厚よりも厚く設定すればよい。
また、前記高周波フィルタ回路は、少なくとも一部に圧電性を有する基板上に形成された複数の電極指からなるIDT電極を有する複数の弾性表面波共振子によって構成され、前記複数の弾性表面波共振子のうち少なくとも1つの前記直列腕共振子の前記IDT電極は、前記比帯域幅を調整する第2調整膜によって覆われていることにしてもよい。
これによれば、弾性表面波共振子の比帯域幅を第2調整膜の膜厚調整により設定することが可能となる。例えば、直列腕共振子の比帯域幅を、第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の比帯域幅よりも狭く設定したい場合には、直列腕共振子の第2調整膜の膜厚を第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の第2調整膜の膜厚よりも厚く設定すればよい。
また、前記直列腕回路は、前記第1入出力端子と前記第2入出力端子との間に配置された縦結合共振器を備えることにしてもよい。
これによれば、減衰強化等の要求されるフィルタ特性に適応する高周波フィルタ回路を実現することが可能となる。
また、前記第1並列腕共振子及び前記第2並列腕共振子のそれぞれは、弾性波共振子であり、前記弾性波共振子は、弾性表面波共振子、または、バルク弾性波共振子であってもよい。
これにより、直列腕共振子ならびに第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子のそれぞれを小型化できるので、高周波フィルタ回路の小型化及び低コスト化が可能となる。また、弾性表面波共振子及びバルク弾性波共振子は、一般的に高Qの特性を示すため、低ロス化及び高選択度化が可能となる。
また、前記スイッチ素子は、GaAsもしくはCMOSからなるFETスイッチ、または、ダイオードスイッチであってもよい。
このような半導体を用いたスイッチは小型であるため、高周波フィルタ回路を小型化することができる。
また、前記インピーダンス素子は、可変キャパシタまたは可変インダクタであってもよい。
これにより、可変キャパシタまたは可変インダクタによって素子値を細かく設定できるので、通過帯域の周波数及び減衰極の周波数を細かく切り替えることが可能となる。
また、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、上述したいずれかの高周波フィルタ回路を含む複数の高周波フィルタ回路を備える。
これにより、マルチバンドに対応するシステムに適用されるマルチプレクサについて、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えることが可能となる。
また、前記複数の高周波フィルタ回路は、前記周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路を含み、前記周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路は、弾性波共振子で構成されており、共振子について、反共振周波数と共振周波数との周波数差を当該共振周波数で除した値を比帯域幅と定義した場合に、前記第1並列腕共振子及び前記第2並列腕共振子の少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅は、前記周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路を構成する前記弾性波共振子の比帯域幅より広いことにしてもよい。
これに関し、周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路の多くは、3GPP(Third Generation Partnership Project)で規定されるバンドに対し、1つのバンドに対応している。一方、周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路は、複数のバンドに対応することができる。具体的には、周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路においてスイッチ素子が導通の場合、第1並列腕共振子の反共振周波数と共振周波数の周波数差(第1帯域幅)に比べて、第1並列腕共振子を含む並列腕回路の低周波数側の反共振周波数と当該並列腕回路の低周波数側の共振周波数との周波数差(第2帯域幅)、及び、当該並列腕回路の高周波数側の共振周波数と当該並列腕回路の低周波数側の反共振周波数との周波数差(第3帯域幅)はいずれも狭くなる。
さらに、スイッチ素子が非導通の場合、第2帯域幅及び第3帯域幅のいずれか一方はさらに狭くなり、スイッチ素子の導通及び非導通によって切り替えられる当該並列腕回路の共振周波数または反共振周波数の周波数可変幅は、第2帯域幅及び第3帯域幅のいずれか一方の帯域幅より狭い。
そのため、第1並列腕共振子の比帯域幅を、周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路を構成する弾性波共振子の比帯域幅より広くすることで、周波数可変幅を広くすることができ、対応するバンド数を増やすことができる。
また、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、上述したいずれかの高周波フィルタ回路を含む複数の高周波フィルタ回路と、前記複数の高周波フィルタ回路の前段または後段に設けられ、前記複数の高周波フィルタ回路と個別に接続された複数の選択端子、及び、前記複数の選択端子と選択的に接続される共通端子を有するスイッチ回路と、を備える。
これにより、高周波信号が伝達される信号経路の一部を共通化することができる。よって、例えば、複数の高周波フィルタ回路に対応する増幅回路等を共通化することができるため、高周波フロントエンド回路の小型化及び低コスト化が可能となる。
また、本発明の他の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、上述したいずれかの高周波フィルタ回路と、前記スイッチ素子の導通及び非導通を制御する制御部と、を備える。
これにより、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、要求される周波数仕様に応じて通過帯域及び減衰極の周波数を切り替えることができる。
また、本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上述したいずれかの高周波フロントエンド回路と、を備える。
これにより、マルチバンド対応の通信装置において、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、要求される周波数仕様に応じて通過帯域及び減衰極の周波数を切り替えることができる。
本発明に係る高周波フィルタ回路等によれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えることが可能となる。
図1は、実施の形態1に係る通信装置の構成図である。 図2は、実施の形態1に係るフィルタに要求される通過特性と周波数割り当てとの関係を説明する図である。 図3は、実施の形態1に係るフィルタの回路構成図である。 図4Aは、実施の形態1における弾性表面波共振子の電極構造を表す平面図及び断面図である。 図4Bは、実施の形態1における弾性表面波共振子の電極指及びその周囲の構造の断面図である。 図5Aは、実施の形態1に係るフィルタについて、スイッチがオンの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。 図5Bは、実施の形態1に係るフィルタについて、スイッチがオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。 図5Cは、実施の形態1に係るフィルタについて、スイッチがオンの場合及びオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性の比較を表すグラフである。 図6は、実施の形態1の変形例1に係るフィルタの回路構成図である。 図7Aは、実施の形態1の変形例1に係るフィルタについて、スイッチがオンの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。 図7Bは、実施の形態1の変形例1に係るフィルタについて、スイッチがオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。 図7Cは、実施の形態1の変形例1に係るフィルタについて、スイッチがオンの場合及びオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性の比較を表すグラフである。 図8は、実施の形態1の変形例2に係るフィルタの回路構成図である。 図9は、実施の形態1の変形例2に係るフィルタについて、スイッチがオンの場合及びオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性の比較を表すグラフである。 図10は、実施の形態1の比較例に係るフィルタの回路構成図、ならびに、インピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。 図11は、実施の形態1の他の変形例に係るフィルタの回路構成図である。 図12Aは、1つの共振子の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。 図12Bは、並列接続された2つの共振子の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。 図12Cは、共振子とキャパシタとの直列回路に対して別の共振子が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。 図12Dは、共振子とキャパシタとの直列回路同士が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。 図12Eは、共振子とインダクタとの直列回路に対して別の共振子が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。 図12Fは、共振子とインダクタとの直列回路同士が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。 図13は、電極構造を構成する第1調整膜の膜厚と弾性表面波共振子のインピーダンスとの関係を表すグラフである。 図14は、第1調整膜の膜厚と弾性表面波共振子の共振周波数、反共振周波数、及び比帯域幅との関係を表すグラフである。 図15は、電極構造を構成する第2調整膜の膜厚と弾性表面波共振子のインピーダンスとの関係を表すグラフである。 図16は、第2調整膜の膜厚と弾性表面波共振子の共振周波数、反共振周波数、及び比帯域幅との関係を表すグラフである。 図17は、実施の形態2に係るフィルタの回路構成図である。 図18は、実施の形態3に係るフィルタの回路構成図である。 図19は、実施の形態4に係るデュプレクサの回路構成図である。 図20は、実施の形態5に係る高周波フロントエンド回路の構成図である。
以下、本発明の実施の形態について、実施例及び図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ、または大きさの比は、必ずしも厳密ではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
また、以下において、「通過帯域低域端」は、「通過帯域内の最も低い周波数」を意味する。また、「通過帯域高域端」は、「通過帯域内の最も高い周波数」を意味する。また、以下において、「通過帯域低域側」は、「通過帯域外かつ通過帯域より低周波数側」を意味する。また「通過帯域高域側」は、「通過帯域外かつ通過帯域より高周波数側」を意味する。また、以下では、「低周波数側」を「低域側」と称し、「高周波数側」を「高域側」と称する場合がある。
また、以下において、スイッチ素子は、導通(オン)の場合にはインピーダンスが無限大となり、非導通(オフ)の場合にはインピーダンスがゼロとなる理想素子として説明する。実際は、スイッチ素子には、オフの場合の容量成分、オンの場合のインダクタ成分、及び、抵抗成分などの寄生成分があるため、理想素子としてのスイッチ素子を用いた特性とは、若干異なる。
(実施の形態1)
[1. 通信装置の回路構成]
図1は、実施の形態1に係る通信装置4の構成図である。同図に示すように、通信装置4は、アンテナ素子1と、高周波フロントエンド回路2と、RF信号処理回路(RFIC:Radio Frequency Integrated Circuit)3と、を備える。通信装置4は、例えば、マルチモード/マルチバンド対応の携帯電話である。アンテナ素子1、高周波フロントエンド回路2及びRFIC3は、例えば、当該携帯電話のフロントエンド部に配置される。
アンテナ素子1は、高周波信号を送受信する、例えば3GPP等の通信規格に準拠したマルチバンド対応のアンテナである。なお、アンテナ素子1は、例えば通信装置4の全バンドに対応しなくてもよく、低周波数帯域群または高周波数帯域群のバンドのみに対応していてもかまわない。また、アンテナ素子1は、通信装置4に内蔵されていなくてもかまわない。
高周波フロントエンド回路2は、アンテナ素子1とRFIC3との間で高周波信号を伝達する回路である。具体的には、高周波フロントエンド回路2は、RFIC3から出力された高周波信号(ここでは高周波送信信号)を、送信端子Txとアンテナ端子ANTとを結ぶ送信側信号経路を介してアンテナ素子1に伝達する。また、高周波フロントエンド回路2は、アンテナ素子1で受信された高周波信号(ここでは高周波受信信号)を、アンテナ端子ANTと受信端子Rxとを結ぶ受信側信号経路を介してRFIC3に伝達する。なお、高周波フロントエンド回路2の詳細な構成については、後述する。
RFIC3は、アンテナ素子1で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路である。具体的には、RFIC3は、アンテナ素子1から高周波フロントエンド回路2の受信側信号経路を介して入力された高周波信号(ここでは高周波受信信号)を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路(図示せず)へ出力する。また、RFIC3は、ベースバンド信号処理回路から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波信号(ここでは高周波送信信号)を高周波フロントエンド回路2の送信側信号経路に出力する。
また、本実施の形態では、RFIC3は、使用される周波数帯域(バンド)に基づいて、高周波フロントエンド回路2が有する各スイッチの導通(オン)及び非導通(オフ)を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、RFIC3は、制御信号φS22によって、各スイッチのオン及びオフの切り替えを制御する。
[2. 高周波フロントエンド回路の構成]
次に、高周波フロントエンド回路2の詳細な構成について説明する。
図1に示すように、高周波フロントエンド回路2は、フィルタ22A及び22Bと、送信増幅回路24と、受信増幅回路26とを備える。
フィルタ22Aは、周波数可変機能を有する高周波フィルタ回路であるチューナブルフィルタである。具体的には、フィルタ22Aは、通過帯域が第1通過帯域または第2通過帯域に切り替えられる。つまり、フィルタ22Aは、通過帯域が互いに異なる第1通過特性及び第2通過特性を切り替えることができる。本実施の形態では、フィルタ22Aは、第1通過帯域がBandA1の送信帯域かつ第2通過帯域がBandA2の送信帯域の送信用フィルタであり、送信側信号経路に設けられている。なお、フィルタ22Aの詳細な構成については、後述する。
フィルタ22Bは、周波数可変機能の無い高周波フィルタ回路であるフィックスドフィルタである。本実施の形態では、フィルタ22Bは、通過帯域がBandA1及びBandA2の受信帯域の受信用フィルタであり、受信側信号経路に設けられている。なお、フィルタ22Bについても、フィルタ22Aと同様に、通過帯域が切り替えられるチューナブルフィルタであってもかまわない。
送信増幅回路24は、RFIC3から出力された高周波送信信号を電力増幅するパワーアンプである。本実施の形態では、送信増幅回路24は、フィルタ22Aと送信端子Txとの間に設けられている。
受信増幅回路26は、アンテナ素子1で受信された高周波受信信号を電力増幅するローノイズアンプである。本実施の形態では、受信増幅回路26は、フィルタ22Bと受信端子Rxとの間に設けられている。
このように構成された高周波フロントエンド回路2は、制御部(本実施の形態ではRFIC3)からの制御信号φS22にしたがって、フィルタ22Aの通過帯域を適宜切り替えて高周波信号を伝達する。
すなわち、フィルタ22Aは、制御部からの制御信号φS22にしたがって、当該フィルタ22A内の後述するスイッチ素子のオン及びオフが切り替えられることにより、通過帯域の周波数及び減衰極の周波数を切り替えることができる。
例えば、制御部は、BandA1が使用される環境下においてフィルタ22A内のスイッチ素子をオン及びオフのいずれか一方とし、BandA2が使用される環境下において当該スイッチ素子をオン及びオフの他方とする。つまり、フィルタ22A内のスイッチ素子については、ある環境下ではオン及びオフのいずれかが選択され、当該環境下ではオン及びオフは固定(不変)されている。
[3. フィルタ(チューナブルフィルタ)の構成]
次に、フィルタ22Aの詳細な構成について、当該フィルタ22Aに要求される通過特性も含めて説明する。
マルチモード/マルチバンド対応のシステムでは、2以上のバンドが排他的に使用される場合がある。図1に示された高周波フロントエンド回路2では、BandA1及びBandA2がこのようなバンドに該当する。
図2は、実施の形態1に係るフィルタ22Aに要求される通過特性と周波数割り当てとの関係を説明する図である。同図に示すように、BandA1の送信帯域(第1通過帯域)は、fT1L〜fT1Hであり、BandA2の送信帯域は、fT2L〜fT2Hである。ここで、BandA1の送信帯域とBandA2の送信帯域(第2通過帯域)とは、fT2L〜fT1Hにおいて重複している。また、BandA2の送信帯域の高域端fT2Hは、BandA1の送信帯域の高域端fT1Hよりも高い。一方、BandA1の受信帯域は、fR1L〜fR1Hであり、BandA2の受信帯域は、fR2L〜fR2Hである。ここで、BandA1の受信帯域とBandA2の受信帯域とは、fR2L〜fR1Hにおいて重複している。さらに、BandA2の送信帯域の高域端fT2Hと、BandA1の受信帯域の低域端fR1Lとの周波数間隔は非常に小さい、もしくは重なっている。上記周波数割り当てにおいて、BandA1とBandA2とは、排他的に使用される。
また、第1通過帯域及び第2通過帯域はこれに限定されず、互いに異なる帯域であればよい。ここで、「互いに異なる帯域」とは、帯域の一部が重複する場合だけでなく、帯域が完全に離間している場合も含む。
以上のようなBandA1及びBandA2の周波数仕様において送信側フィルタを構成する場合、各送信帯域の低損失性及び各受信帯域の減衰量を確保するには、図2で示されたような通過特性が要求される。つまり、BandA1の送信側フィルタの通過特性(第1通過特性)としては、図2の実線の特性が要求され、BandA2の送信側フィルタの通過特性(第2通過特性)としては、図2の破線の特性が要求される。具体的には、第1通過特性に対して、第2通過特性を、通過帯域内の挿入損失(ロス)の悪化を抑制しつつ、通過帯域を高域側に広くする必要がある。すなわち、第1通過特性と第2通過特性とでは、減衰スロープの急峻度を維持しつつ、当該減衰スロープの周波数をシフトすることが必要となる。
上記のようなフィルタ特性を満たすために、フィルタ22Aは、以下で説明する回路構成を有する。
図3は、実施の形態1に係るフィルタ22Aの回路構成図である。同図に示されたフィルタ22Aは、直列腕共振子22sと、並列腕共振子22p1及び22p2と、スイッチ22SWと、キャパシタ22Cと、を備える。
直列腕共振子22sは、入出力端子22m(第1入出力端子)と入出力端子22n(第2入出力端子)との間に接続された直列腕回路の一例である。具体的には、直列腕共振子22sは、入出力端子22mと入出力端子22nとを結ぶ直列腕に設けられた共振子である。
なお、直列腕回路は、これに限らず、縦結合共振器等の複数の共振子で構成された共振回路であってもかまわない。さらには、直列腕回路は、共振回路に限らず、インダクタまたはキャパシタ等のインピーダンス素子であってもかまわない。
並列腕共振子22p1及び22p2とキャパシタ22Cとスイッチ22SWとは、入出力端子22mと入出力端子22nとを結ぶ経路上(直列腕上)のノードxとグランドとの間に接続された並列腕回路120Aを構成する。すなわち、当該並列腕回路120Aは、直列腕とグランドとを結ぶ1つの並列腕に設けられている。よって、フィルタ22Aは、直列腕共振子22sで構成される1つの直列腕回路と、1つの並列腕回路120Aと、を備えるフィルタ構造を有している。
この並列腕回路120Aは、少なくとも2つの共振周波数と少なくとも2つの反共振周波数を有し、スイッチ22SWのオン(導通)及びオフ(非導通)に応じて、少なくとも1つの共振周波数及び少なくとも1つの反共振周波数が、共に低域側または共に高域側にシフトする。このことについては、フィルタ22Aの通過特性と併せて後述する。
具体的には、並列腕回路120Aは、並列腕共振子22p1を有する第1回路10と、第1回路10に並列接続され、かつ、並列腕共振子22p2を有する第2回路20と、を備える。第1回路10及び第2回路20の少なくとも一方の回路は、さらに、当該回路における並列腕共振子22p1または22p2に直列接続され、かつ、互いに並列接続されたインピーダンス素子及びスイッチ素子を有する周波数可変回路を有する。このように構成された周波数可変回路は、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Aにおける少なくとも2つの共振周波数のうちの少なくとも1つの共振周波数と、並列腕回路120Aにおける少なくとも2つの反共振周波数のうち少なくとも1つの反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせる。
本実施の形態では、第1回路10は周波数可変回路を有さず、第2回路20は周波数可変回路22Tを有する。周波数可変回路22Tは、上記互いに並列接続されたインピーダンス素子及びスイッチ素子として、それぞれ、キャパシタ22C及びスイッチ22SWを有する。
周波数可変回路22Tと並列腕共振子(ここでは並列腕共振子22p2)との接続順序に関し、本実施の形態では、周波数可変回路22Tが並列腕共振子とグランドとの間に接続されている。つまり、並列腕共振子がノードx側に接続され、周波数可変回路22Tがグランド側に接続されている。しかし、この接続順序は特に限定されず、逆であってもかまわない。ただし、接続順序を逆にすると、フィルタ22Aの通過帯域内のロスが悪くなる。また、並列腕共振子が他の弾性波共振子とともに共振子用のチップ(パッケージ)に形成されている場合に、当該チップの端子数の増加によってチップサイズの大型化を招く。このため、フィルタ特性及び小型化の観点からは、本実施の形態の接続順序で接続されていることが好ましい。
並列腕共振子22p1は、入出力端子22mと入出力端子22nとを結ぶ経路上のノードxとグランドとの間に接続された共振子である第1並列腕共振子である。本実施の形態では、並列腕共振子22p1は、ノードxとグランドに接続された第1回路10を構成する。つまり、本実施の形態では、第1回路10は、並列腕共振子22p1のみで構成されている。
並列腕共振子22p2は、入出力端子22mと入出力端子22nとを結ぶ経路上のノードxとグランドとの間に接続された共振子である第2並列腕共振子である。本実施の形態では、並列腕共振子22p2は、スイッチ22SW及びキャパシタ22Cとともに、上記第1回路10に並列接続された第2回路20を構成する。つまり、本実施の形態では、第2回路20は、並列腕共振子22p、スイッチ22SW及びキャパシタ22Cで構成されている。
並列腕共振子22p2は、並列腕共振子22p1の共振周波数と異なる共振周波数と、並列腕共振子22p1の反共振周波数と異なる反共振周波数と、を有する。本実施の形態では、並列腕共振子22p1の共振周波数は、並列腕共振子22p2の共振周波数より低く、並列腕共振子22p1の反共振周波数は、並列腕共振子22p2の反共振周波数より低い。「共振周波数」とは、インピーダンスが極小となる周波数であり、「反共振周波数」とは、インピーダンスが極大となる周波数である。
キャパシタ22Cは、本実施の形態では、並列腕共振子22p2に直列接続されたインピーダンス素子である。フィルタ22Aの通過帯域の周波数可変幅はキャパシタ22Cの素子値に依存し、例えばキャパシタ22Cの素子値が小さいほど周波数可変幅が広くなる。このため、キャパシタ22Cの素子値は、フィルタ22Aに要求される周波数仕様に応じて、適宜決定され得る。また、キャパシタ22Cは、バリギャップ及びDTC(Digitally Tunable Capacitor)等の可変キャパシタであってもかまわない。
スイッチ22SWは、本実施の形態では、一方の端子が並列腕共振子22p2とキャパシタ22Cとの接続ノードに接続され、他方の端子がグランドに接続された、例えばSPST(Single Pole Single Throw)型のスイッチ素子である。スイッチ22SWは、制御部(本実施の形態ではRFIC3)からの制御信号φS22によって導通(オン)及び非導通(オフ)が切り替えられることにより、当該接続ノードとグランドとを導通または非導通とする。
例えば、スイッチ22SWは、GaAsもしくはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)からなるFET(Field Effect Transistor)スイッチ、または、ダイオードスイッチが挙げられる。このような半導体を用いたスイッチは小型であるため、フィルタ22Aを小型化することができる。
ここで、本実施の形態では、フィルタ22Aを構成する各共振子(直列腕共振子22s、並列腕共振子22p1及び22p2)は、弾性表面波を用いた弾性表面波共振子である。これにより、フィルタ22Aを、少なくとも一部に圧電性を有する基板上に形成されたIDT(InterDigital Transducer)電極により構成できるので、急峻度の高い通過特性を有する小型かつ低背のフィルタ回路を実現できる。ここで、弾性表面波共振子の構造を説明する。
図4Aは、実施の形態1における弾性表面波共振子の電極構造を表す平面図及び断面図である。また、図4Bは、実施の形態1における弾性表面波共振子の電極指及びその周囲の構造の断面図である。図4A及び図4Bには、フィルタ22Aを構成する各弾性表面波共振子に相当する弾性表面波共振子resoの構造を表す平面摸式図及び断面模式図が例示されている。また、図4Aに示された弾性表面波共振子resoは、上記各弾性表面波共振子の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。
図4Aに示すように、弾性表面波共振子resoは、少なくとも一部に圧電性を有する基板101上に形成された複数の電極指121fからなるIDT電極121を有する。これにより、フィルタ22Aを構成する各共振子を小型化できるので、フィルタ22Aの小型化及び低コスト化が図られる。また、弾性表面波共振子は、一般的に高Qの特性を示すため、フィルタ22Aの低ロス化及び高選択度化が図られる。
具体的には、弾性表面波共振子resoは、図4A及び図4Bに示すように、IDT電極121に加えて、圧電性を有する基板101と、Ksaw調整膜122と、保護層103と、保護層104とを有する。
圧電性を有する基板101は、タンタル酸リチウム(LiTaO)、ニオブ酸リチウム(LiNbO)、ニオブ酸カリウム(KNbO)、水晶、もしくは、これらの積層体からなる。このような構成により、高Qかつ広帯域の特性を示す弾性表面波共振子resoを構成することができる。
なお、圧電性を有する基板101は、少なくとも一部に圧電性を有する基板であればよい。例えば、表面に圧電薄膜(圧電体)を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、及び支持基板などの積層体で構成されていてもよい。また、圧電性を有する基板101は、基板全体に圧電性を有していてもよい。この場合、圧電性を有する基板101は、圧電体層一層からなる。
IDT電極121は、図4Aに示すように、互いに対向する一対の櫛形電極121a及び121bで構成されている。櫛形電極121a及び121bは、それぞれ、互いに平行な複数の電極指121fと、当該複数の電極指121fを接続するバスバー電極とで構成されている。上記複数の電極指121fは、伝搬方向と直交する方向に沿って形成されている。IDT電極121の両側には、反射器が設けられている。なお、反射器は重み付けによって構成されていてもよく、また、反射器が設けられていなくてもよい。
このIDT電極121は、低密度金属層もしくは低密度金属層と高密度金属層との積層体からなる。低密度金属層は、Al、Ti、Cu、Ag、Ni、Cr及びこれらの合金から1以上選択される低密度金属によって構成される金属層、もしくは、これら金属層の積層体である。高密度金属層は、Au、Pt、Ta、Mo及びWから1以上選択される高密度金属によって構成される金属層である。なお、低密度金属は、上記材質に限らず、高密度金属層を構成する高密度金属よりも密度の小さい金属であればよい。
例えば、図4Bに示すIDT電極121は、圧電性を有する基板101側から順に、NiCrからなる金属膜211、Ptからなる金属膜212、Tiからなる金属膜213、AlCu(AlとCuの合金)からなる金属膜214、及び、Tiからなる金属膜215が積層されることによって形成されている。つまり、このIDT電極121は、各々が低密度金属層である4つの金属膜211、213、214及び215と、高密度金属層である1つの金属膜212と、の積層体からなる。
保護層103及び保護層104は、IDT電極121を外部環境から保護するとともに、周波数温度特性を調整する、及び、耐湿性を高めるなどを目的とする保護層である。
Ksaw調整膜122は、圧電性を有する基板101及びIDT電極121の間に形成され、電気機械結合係数を調整する第1調整膜である。また、Ksaw調整膜122は、弾性表面波共振子resoの反共振周波数と共振周波数の周波数差を示す指標である比帯域幅を調整する第1調整膜である。
これら保護層103及び104とKsaw調整膜122とは、酸化ケイ素(SiO)、窒化ケイ素(SiN)、窒化アルミニウム(AlN)、もしくはこれらの積層体からなり、例えば、保護層103及びKsaw調整膜122はSiOからなり、保護層104はSiNからなる。また、保護層103及び保護層104は、併せて、弾性表面波共振子resoの比帯域幅を調整する第2調整膜を構成する。
なお、Ksaw調整膜122及び第2調整膜による比帯域幅の調整については、比帯域幅の定義と併せて後述する。
また、図4Bに示されたIDT電極121の構成は一例であり、これに限らない。前述したように、IDT電極121は、金属膜の積層構造でなく、金属膜の単層であってもよい。また、各金属膜及び各保護層を構成する材料は、上述した材料に限定されない。また、IDT電極121は、例えば、Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pdなどの金属または合金から構成されてもよく、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護層103及び104とKsaw調整膜122との構成は、上述の構成に限らず、例えば、SiO、SiN、AlN、ポリイミド、もしくはこれらの積層体などの誘電体もしくは絶縁体で構成されてもかまわない。また、保護層103及び104とKsaw調整膜122とは、少なくとも1つが設けられていなくてもよい。
このように構成される弾性表面波共振子resoでは、IDT電極121の設計パラメータ等によって、励振される弾性波の波長が規定される。
弾性波の波長は、複数の電極指121fのうち1つのバスバー電極に接続された電極指121fの繰り返し周期λで規定される。また、電極指ピッチ(複数の電極指121fのピッチ、すなわち電極指周期)Pとは、当該繰り返し周期λの1/2であり、電極指121fのライン幅をWとし、隣り合う電極指121fの間のスペース幅をSとした場合、P=(W+S)で定義される。また、IDT電極121の交叉幅Aとは、1組のバスバー電極の一方に接続された電極指121fと他方に接続された電極指121fとを弾性波の伝搬方向から見た場合の重複する電極指長さである。また、電極デューティ(デューティ比)とは、複数の電極指121fのライン幅占有率であり、複数の電極指121fのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合、つまりW/(W+S)で定義される。すなわち、電極デューティは、電極指ピッチ(複数の電極指121fのピッチ)に対する複数の電極指121fの幅の比、つまりW/Pで定義される。また、対数とは、対をなす電極指121fの数であり、(電極指121fの総数−1)/2で定義される。また、IDT電極121の膜厚T(すなわち複数の電極指121fの膜厚)とは、金属膜211〜215の合計膜厚である。また、弾性表面波共振子resoの静電容量Cは、以下の式1で示される。
Figure 0006750676
なお、εは真空中の誘電率、εは圧電性を有する基板101の誘電率である。
また、フィルタ22Aの各共振子は、SAW(Surface Acoustic Wave)を用いた弾性表面波共振子でなくてもよく、BAWを用いた共振子(すなわちバルク弾性波共振子)であってもよい。つまり、各共振子は、インピーダンスが極小となる特異点(理想的にはインピーダンスが0となる点)の周波数である「共振周波数」、及び、インピーダンスが極大となる特異点(理想的には無限大となる点)の周波数である「反共振周波数」を有していればよい。なお、SAWには境界波も含まれる。
[4. フィルタ(チューナブルフィルタ)の通過特性]
以上のように構成されたフィルタ22Aの通過特性は、制御信号φS22にしたがってスイッチ22SWのオン及びオフが切り替えられることにより、第1通過特性と第2通過特性とが切り替えられる。そこで、以下、スイッチ22SWの状態と併せてフィルタ22Aの通過特性について、図5A〜図5Cを用いて説明する。
図5Aは、実施の形態1に係るフィルタ22Aについて、スイッチ22SWがオンの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。また、図5Bは、実施の形態1に係るフィルタ22Aについて、スイッチ22SWがオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。また、図5Cは、実施の形態1に係るフィルタ22Aについて、スイッチ22SWがオンの場合及びオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性の比較を表すグラフである。
まず、図5Aを用いて、共振子単体でのインピーダンス特性について、説明する。なお、以下では、共振子に限らず並列腕回路についても、便宜上、インピーダンスが極小となる特異点(理想的にはインピーダンスが0となる点)の周波数を「共振周波数」と称する。また、インピーダンスが極大となる特異点(理想的にはインピーダンスが無限大となる点)の周波数を「反共振周波数」と称する。
同図に示すように、直列腕共振子22s、並列腕共振子22p1及び並列腕共振子22p2は、次のようなインピーダンス特性を有する。具体的には、並列腕共振子22p1は、共振周波数frp1及び反共振周波数fap1を有する(このとき、frp1<fap1を満たす)。並列腕共振子22p2は、共振周波数frp2及び反共振周波数fap2を有する(このとき、frp1<frp2かつfap1<fap2を満たす)。直列腕共振子22sは、共振周波数frs及び反共振周波数fasを有する(このとき、frs<fasかつfrp1<frs<frp2を満たす)。
次に、並列腕回路120Aのインピーダンス特性について、説明する。
図5Aに示すように、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路120Aのインピーダンス特性は、スイッチ22SWによってキャパシタ22Cが短絡され、キャパシタ22Cの影響を受けない特性となる。つまり、この場合、2つの並列腕共振子(並列腕共振子22p1及び22p2)の合成特性(図中の「並列腕(22p1+22p2)の合成特性」)が並列腕回路120Aのインピーダンス特性となる。
具体的には、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路120Aは、次のようなインピーダンス特性を有する。
並列腕回路120Aは、2つの共振周波数fr1on及びfr2onを有する(このとき、fr1on=frp1、fr2on=frp2を満たす)。つまり、並列腕回路120Aのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Aを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1、及び、(ii)並列腕共振子22p2の共振周波数frp2より高い周波数において、極小となる。
また、並列腕回路120Aは、2つの反共振周波数fa1on及びfa2onを有する(このとき、fr1on<fa1on<fr2on<fa2on、かつ、fa1on<fap1、かつ、fa2on<fap2を満たす)。つまり、並列腕回路120Aのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Aを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1及び並列腕共振子22p2の共振周波数frp2の間の周波数、及び、(ii)並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1及び並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2の間の周波数において、極大となる。
ここで、fa1on<fap1となる理由は、並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1近傍の周波数帯域において、並列腕共振子22p1に対して、並列腕共振子22p2が並列キャパシタとして作用するためである。また、fa2on<fap2となる理由は、並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2近傍の周波数帯域において、並列腕共振子22p2に対して並列腕共振子22p1が並列キャパシタとして作用するためである。
ラダー型のフィルタ構造によりバンドパスフィルタを構成するにあたり、並列腕回路120Aの反共振周波数fa1onと直列腕共振子22sの共振周波数frsとを近接させる。これにより、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路120Aのインピーダンスが0に近づく共振周波数fr1on近傍は、低周波側阻止域となる。また、これより周波数が高くなると、反共振周波数fa1on近傍で並列腕回路のインピーダンスが高くなり、かつ、共振周波数frs近傍で直列腕共振子22sのインピーダンスが0に近づく。これにより、反共振周波数fa1on及び共振周波数frsの近傍では、入出力端子22mから入出力端子22nへの信号経路における信号通過域となる。さらに、周波数が高くなり、共振周波数fr2on及び反共振周波数fas近傍になると、直列腕共振子22sのインピーダンスが高くなり、並列腕回路120Aのインピーダンスが0に近づくため高周波側阻止域となる。
つまり、スイッチ22SWがオンの場合、フィルタ22Aは、反共振周波数fa1on及び共振周波数frsによって通過帯域が規定され、共振周波数fr1onによって通過帯域低域側の極(減衰極)が規定され、共振周波数fr2on及び反共振周波数fasによって通過帯域高域側の極(減衰極)が規定される、第1通過特性を有する。
なお、並列腕回路120Aの反共振周波数fa2onについては、当該周波数における直列腕共振子22sのインピーダンスが高いことにより、フィルタ22Aの通過特性(ここでは第1通過特性)に対して大きな影響を与えない。
一方、図5Bに示すように、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Aのインピーダンス特性は、スイッチ22SWによるキャパシタ22Cの短絡がなされずに、キャパシタ22Cの影響を受けた特性となる。つまり、この場合、2つの並列腕共振子(並列腕共振子22p1及び22p2)と、並列腕共振子22p2に直列接続されたキャパシタ22Cとの合成特性(図中の「並列腕(22p1+22p2+22C)の合成特性」)が並列腕回路120Aのインピーダンス特性となる。
具体的には、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Aは、次のようなインピーダンス特性を有する。
並列腕回路120Aは、2つの共振周波数fr1off及びfr2offと2つの反共振周波数fa1off及びfa2offとを有する(このとき、fr1off<fa1off<fr2off<fa2off、fa1off<fap1、frp2<fr2off、かつ、fa2off<fap2を満たす)。つまり、並列腕回路120Aのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Aを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1、及び、(ii)並列腕共振子22p2の共振周波数frp2より高い周波数において、極小となる。また、並列腕回路120Aのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Aを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1と並列腕共振子22p2の共振周波数frp2の間の周波数、及び、(ii)並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1と並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2の間の周波数において、極大となる。
ここで、fa1off<fap1となる理由は、並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1近傍の周波数帯域において、並列腕共振子22p1に対して並列腕共振子22p2がキャパシタとして作用するためである。また、frp2<fr2offとなる理由は、並列腕共振子22p2の共振周波数frp2近傍の周波数帯域において、並列腕共振子22p2とキャパシタ22Cとの共振が起きることによる。また、fa2off<fap2となる理由は、並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2近傍の周波数帯域において、並列腕共振子22p2に対して並列腕共振子22p1がキャパシタとして作用するためである。
このとき、スイッチ22SWがオフの場合とオンの場合とで低域側の反共振周波数を比べると、fa1on<fa1offを満たす。これは、スイッチ22SWがオフの場合では、オンの場合に比べて、キャパシタ22Cの影響により並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1からの周波数可変幅が狭くなることによる。
また、スイッチ22SWがオフの場合とオンの場合とで高域側の共振周波数を比べると、fr2on<fr2offを満たす。これは、スイッチ22SWがオフの場合では、オン場合に比べて、キャパシタ22Cの影響により上述したように、fr2on(=frp2)<fr2offとなることによる。
ラダー型のフィルタ構造によりバンドパスフィルタを構成するにあたり、並列腕回路120Aの反共振周波数fa1offと直列腕共振子22sの共振周波数frsとを近接させる。これにより、スイッチ22SWがオフの場合では、並列腕回路120Aのインピーダンスが0に近づく共振周波数fr1off近傍は、低周波側阻止域となる。また、これより周波数が高くなると、反共振周波数fa1off近傍で並列腕回路のインピーダンスが高くなり、かつ、共振周波数frs近傍で直列腕共振子22sのインピーダンスが0に近づく。これにより、反共振周波数fa1off及び共振周波数frsの近傍では、入出力端子22mから入出力端子22nへの信号経路における信号通過域となる。さらに、周波数が高くなり、共振周波数fr2off及び反共振周波数fas近傍になると、直列腕共振子22sのインピーダンスが高くなり、並列腕回路120Aのインピーダンスが0に近づくため、高周波側阻止域となる。
つまり、スイッチ22SWがオフの場合、フィルタ22Aは、反共振周波数fa1off及び共振周波数frsによって通過帯域が規定され、共振周波数fr1offによって通過帯域低域側の極(減衰極)が規定され、共振周波数fr2off及び反共振周波数fasによって通過帯域高域側の極(減衰極)が規定される、第2通過特性を有する。
なお、並列腕回路の反共振周波数fa2offについては、上述した反共振周波数fa2onと同様に、当該周波数における直列腕共振子22sのインピーダンスが高いことにより、フィルタ22Aの通過特性(ここでは第2通過特性)に対して大きな影響を与えない。
次に、スイッチ22SWがオンの場合及びオフの場合のフィルタ22Aのインピーダンス特性及び通過特性について、図5Cを参照して詳細に比較する。
図5Cに示すように、スイッチ22SWをオンからオフに切り替えると、並列腕回路120Aのインピーダンス特性が次のように切り替えられる。すなわち、並列腕回路120Aは、2つの共振周波数のうち高域側の共振周波数、及び、2つの反共振周波数のうち低域側の反共振周波数が、共に高域側にシフトする。本実施の形態では、並列腕共振子22p2のみがキャパシタ22C及びスイッチ22SWに直列接続されているため、2つの共振周波数のうち高域側の共振周波数がfr2onからfr2offへと高域側にシフトする(図中のB部分)。また、低域側の反共振周波数がfa1onからfa1offへと高域側にシフトする(図中のA部分)。
ここで、並列腕回路120Aの低域側の反共振周波数と高域側の共振周波数とは、フィルタ22Aの通過帯域高域側の減衰スロープを規定し、上述したように、これらは共に高域側にシフトする。したがって、図5Cの下段に示すように、スイッチ22SWがオンからオフに切り替わることにより、フィルタ22Aの通過特性は、通過帯域高域側の減衰スロープが急峻度を維持しつつ高域側にシフトすることになる(図中の黒い矢印を参照)。言い換えると、フィルタ22Aは、通過帯域高域側の減衰極を高域側にシフトさせつつ(図中のD部分)、通過帯域高域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、高域側にシフトさせる(図中のC部分)ことができる。
以上のように、本実施の形態によれば、並列腕回路120Aは、第1並列腕共振子である並列腕共振子22p1を有する第1回路10と、第1回路10に並列接続され、かつ、第2並列腕共振子である並列腕共振子22p2を有する、第2回路20と、を有する。また、第1回路10及び第2回路20の少なくとも一方の回路(ここでは第2回路20のみ)は、さらに、当該一方の回路における第1並列腕共振子または第2並列腕共振子(ここでは並列腕共振子22p2)に直列接続され、かつ、互いに並列接続されたインピーダンス素子であるキャパシタ22C及びスイッチ22SWを有する周波数可変回路22Tを有する。また、並列腕共振子22p2は、並列腕共振子22p1の共振周波数frp1と異なる共振周波数frp2と、並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1と異なる反共振周波数fap2と、を有する。
このような構成により、本実施の形態によれば、並列腕回路120Aは、少なくとも2つの共振周波数(ここでは2つの共振周波数)と少なくとも2つの反共振周波数(ここでは2つの反共振周波数)を有する。また、周波数可変回路22Tは、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Aにおける少なくとも2つの共振周波数のうちの少なくとも1つの共振周波数(ここでは2つの共振周波数のうち高域側の共振周波数)と、少なくとも2つの反共振周波数のうち少なくとも1つの反共振周波数(ここでは2つの反共振周波数のうち低域側の反共振周波数)とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせる。
これに関し、高周波フィルタ回路では、並列腕回路の低周波数側の共振周波数によって通過帯域低域側の減衰極が構成され、並列腕回路の高周波数側の共振周波数によって通過帯域高域側の減衰極が構成され、並列腕回路の低周波数側の反共振周波数と直列腕回路によって通過帯域が構成される。
そのため、本実施の形態によれば、並列腕回路120Aが設けられていることにより、通過帯域端の周波数と減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。したがって、本実施の形態によれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えることが可能となる。
[5. フィルタ(チューナブルフィルタ)の変形例1]
ここまで、周波数可変機能を有するフィルタの一例として、並列腕共振子22p1及び22p2のうち並列腕共振子22p2のみが周波数可変回路22Tと直列接続されることにより、通過帯域高域側の減衰スロープをシフトさせて通過帯域を切り替えるフィルタについて説明した。しかし、同様の技術は、通過帯域低域側の減衰スロープをシフトさせて通過帯域を切り替えるフィルタに適用することもできる。そこで、周波数可変機能を有するフィルタの変形例1として、このようなフィルタについて説明する。
図6は、実施の形態1の変形例1に係るフィルタ22Dの回路構成図である。同図に示すフィルタ22Dは、図3に示したフィルタ22Aに比べて、キャパシタ22C及びスイッチ22SWを並列に接続した周波数可変回路22Tが並列腕共振子22p1のみに直列接続されている点が異なる。つまり、本変形例では、並列腕共振子22p1及び22p2のうち並列腕共振子22p1のみが周波数可変回路22Tと直列接続されている。言い換えると、本変形例では、第1回路10Dは周波数可変回路22Tを有し、第2回路20Dは周波数可変回路22Tを有さずに並列腕共振子22p2のみで構成されている。
以下、実施の形態1に係るフィルタ22Aと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
本変形例では、キャパシタ22C及びスイッチ22SWを並列に接続した周波数可変回路22Tは、ノードxとグランドとの間で並列腕共振子22p1に直列接続され、具体的には、グランドと並列腕共振子22p1との間で直列接続されている。なお、キャパシタ22C及びスイッチ22SWを並列に接続した周波数可変回路22Tは、ノードxと並列腕共振子22p1との間で直列接続されていてもよい。
キャパシタ22Cは、本変形例では、並列腕共振子22p1に直列接続されたインピーダンス素子である。フィルタ22Dの通過帯域及び阻止域の周波数可変幅はキャパシタ22Cの素子値に依存し、例えばキャパシタ22Cの素子値が小さいほど周波数可変幅が広くなる。このため、キャパシタ22Cの素子値は、フィルタ22Dに要求される周波数仕様に応じて、適宜決定され得る。
本変形例では、並列腕共振子22p1及び22p2とキャパシタ22Cとスイッチ22SWとは、入出力端子22mと入出力端子22nとを接続する経路上のノードとグランドとの間に接続された並列腕回路120Dを構成する。
以上のように構成されたフィルタ22Dの通過特性は、制御信号にしたがってスイッチ22SWのオン及びオフが切り替えられることにより、第1通過特性と第2通過特性とが切り替えられる。そこで、以下、スイッチ22SWの状態と併せてフィルタ22Dの通過特性について、図7A〜図7Cを用いて説明する。
図7Aは、実施の形態1の変形例1に係るフィルタ22Dについて、スイッチ22SWがオンの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。また、図7Bは、実施の形態1の変形例1に係るフィルタ22Dについて、スイッチ22SWがオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。また、図7Cは、実施の形態1の変形例1に係るフィルタ22Dについて、スイッチ22SWがオンの場合及びオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性の比較を表すグラフである。
ここで、共振子単体でのインピーダンス特性は、フィルタ22Aで説明した特性と同様のため、以下ではその説明を省略し、主に並列腕回路120Dのインピーダンス特性について説明する。
図7Aに示すように、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路120Dのインピーダンス特性は、スイッチ22SWによってキャパシタ22Cが短絡され、キャパシタ22Cの影響を受けない特性となる。つまり、この場合、フィルタ22Aで説明した特性と同様に、2つの並列腕共振子(並列腕共振子22p1及び22p2)の合成特性(図中の「並列腕(22p1+22p2)の合成特性」)が並列腕回路120Dのインピーダンス特性となる。
つまり、スイッチ22SWがオンの場合、フィルタ22Dは、フィルタ22Aと同様の第1通過特性を有する。
一方、図7Bに示すように、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Dのインピーダンス特性は、スイッチ22SWによるキャパシタ22Cの短絡がなされずに、キャパシタ22Cの影響を受けた特性となる。つまり、この場合、2つの並列腕共振子(並列腕共振子22p1及び22p2)と、並列腕共振子22p1に直列接続されたキャパシタ22Cとの合成特性(図中の「並列腕(22p1+22p2+22C)の合成特性」)が並列腕回路120Dのインピーダンス特性となる。
具体的には、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Dは、次のようなインピーダンス特性を有する。
並列腕回路120Dは、2つの共振周波数fr1off及びfr2offと2つの反共振周波数fa1off及びfa2offとを有する(このとき、fr1off<fa1off<fr2off<fa2off、fa1off<fap1、frp1<fr1off、かつ、fa2off<fap2を満たす)。つまり、並列腕回路120Dのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Dを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1より高い周波数、及び、(ii)並列腕共振子22p2の共振周波数frp2において、極小となる。また、並列腕回路120Dのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Dを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1と並列腕共振子22p2の共振周波数frpの間の周波数、及び、(ii)並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1と並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2の間の周波数において、極大となる。
ここで、fa1off<fap1となる理由は、並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1近傍の周波数帯域において、並列腕共振子22p1に対して並列腕共振子22p2が並列キャパシタとして作用するためである。また、frp1<fr1offとなる理由は、並列腕共振子22p1の共振周波数frp1近傍の周波数帯域において、並列腕共振子22p1とキャパシタ22Cとの共振が起きることによる。また、fa2off<fap2となる理由は、並列腕共振子22p2に対して、並列腕共振子22p1とキャパシタ22Cの合成特性が並列キャパシタとして作用するためである。
つまり、スイッチ22SWがオフの場合には、フィルタ22Dは、反共振周波数fa1off及び共振周波数frsによって通過帯域が規定され、共振周波数fr1offによって通過帯域低域側の極(減衰極)が規定され、共振周波数fr2off及び反共振周波数fasによって通過帯域高域側の極(減衰極)が規定される、第2通過特性を有する。
次に、スイッチ22SWがオンの場合及びオフの場合におけるフィルタ22Dのインピーダンス特性及び通過特性について、図7Cを参照して詳細に比較する。
図7Cに示すように、スイッチ22SWをオンからオフに切り替えると、並列腕回路120Dのインピーダンス特性が次のように切り替えられる。すなわち、並列腕回路120Dは、2つの共振周波数のうち低域側の共振周波数、及び、2つの反共振周波数のうち低域側の反共振周波数が、共に高域側にシフトする。本変形例では、並列腕共振子22p1のみがキャパシタ22C及びスイッチ22SWに直列接続されているため、2つの共振周波数のうち低域側の共振周波数がfr1onからfr1offへと高域側にシフトする(図中のF部分)。また、低域側の反共振周波数がfa1onからfa1offへと高域側にシフトする(図中のE部分)。
ここで、並列腕回路120Dの低域側の反共振周波数と低域側の共振周波数とは、フィルタ22Dの通過帯域低域側の減衰スロープを規定し、上述したように、これらは共に高域側にシフトする。したがって、図7Cの下段に示すように、スイッチ22SWがオンからオフに切り替わることにより、フィルタ22Dの通過特性は、通過帯域低域側の減衰スロープが急峻度を維持しつつ高域側にシフトすることになる(図中の黒い矢印を参照)。言い換えると、フィルタ22は、通過帯域低域側の減衰極を高域側にシフトさせつつ(図中のH部分)、通過帯域低域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端を高域側にシフトさせる(図中のG部分)ことができる。
[6. フィルタ(チューナブルフィルタ)の変形例2]
また、周波数可変機能を有するフィルタは、通過帯域高域側及び通過帯域低域側の減衰スロープを共にシフトさせてもかまわない。そこで、そこで、周波数可変機能を有するフィルタの変形例2として、このようなフィルタについて説明する。
図8は、実施の形態1の変形例2に係るフィルタ22Eの回路構成図である。同図に示すフィルタ22Eは、図3に示したフィルタ22A及び図6に示したフィルタ22Dに比べて、キャパシタ22C1及び22C2ならびにスイッチ22SW1及び22SW2が、2つの並列共振腕子22p1及び22p2のそれぞれに対応して設けられ、対応する並列共振腕子22p1及び22p2に直列接続されている点が異なる。
つまり、並列腕回路120Eは、並列共振腕子22p1及び22p2の一方(第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の一方、ここでは並列共振腕子22p1)に直列接続され、かつ、互いに並列接続されたキャパシタ22C1及びスイッチ22SW1を有する。さらに、並列腕回路120Eは、並列共振腕子22p1及び22p2の他方(第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の他方、ここでは並列共振腕子22p2)に直列接続され、かつ、互いに並列接続されたキャパシタ22C2及びスイッチ22SW2を有する。
ここで、本変形例におけるキャパシタ22C1及びスイッチ22SW1は、上述したフィルタ22Dのキャパシタ22C及びスイッチ22SWに相当する。よって、キャパシタ22C1及びスイッチ22SW1は、上記フィルタ22Dにおける周波数可変回路22Tに相当する周波数可変回路22Taを構成する。
また、本変形例におけるキャパシタ22C2及びスイッチ22SW2は、上述したフィルタ22Aのキャパシタ22C及びスイッチ22SWに相当する。よって、キャパシタ22C2及びスイッチ22SWは、上記フィルタ22Aにおける周波数可変回路22Tに相当する周波数可変回路22Tbを構成する。
したがって、本変形例では、第1回路10E及び第2回路20Eの各々が周波数可変回路を有し、具体的には、第1回路10Eが周波数可変回路22Taを有し、第2回路20Eが周波数可変回路22Tbを有する。なお、第1回路10Eは上記フィルタ22Dにおける第1回路10Dに相当し、第2回路20Eは上記フィルタ22Aにおける第2回路20Aに相当する。このため、第1回路10E及び第2回路20Eの詳細についての説明を省略する。
以上のように構成されたフィルタ22Eの通過特性は、制御信号にしたがってスイッチ22SW1及び22SW2のオン及びオフが切り替えられることにより、第1通過特性と第2通過特性とが切り替えられる。そこで、以下、スイッチ22SW1及び22SW2の状態と併せてフィルタ22Eの通過特性について、図9を用いて説明する。
図9は、実施の形態1の変形例2に係るフィルタ22Eについて、スイッチ22SW1及び22SW2がオンの場合及びオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性の比較を表すグラフである。
図9に示すように、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオンの場合、並列腕回路120Eのインピーダンス特性は、スイッチ22SW1によってキャパシタ22C1が短絡され、さらに、スイッチ22SW2によってキャパシタ22C2が短絡されるため、キャパシタ22C1及び22C2の影響を受けない特性となる。つまり、この場合、フィルタ22A及びフィルタ22Dで説明した特性と同様に、2つの並列腕共振子(並列腕共振子22p1及び22p2)の合成特性(図中の「並列腕(22p1+22p2)の合成特性」)が並列腕回路120Eのインピーダンス特性となる。
すなわち、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオンの場合、フィルタ22Eは、フィルタ22Aのスイッチ22SWがオンの場合及びフィルタ22Dのスイッチ22SWがオンの場合と同様の第1通過特性を有する。
一方、図9に示すように、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオフの場合、並列腕回路120Eのインピーダンス特性は、スイッチ22SW1及びスイッチ22SW2が共に開放となるため、スイッチ22SW1及び22SW2によるキャパシタ22C1及び22C2の短絡がなされずに、キャパシタ22C1及び22C2の影響を受けた特性となる。つまり、この場合、2つの並列腕共振子(並列腕共振子22p1及び22p2)とキャパシタ22C1及び22C2との合成特性(図中の「並列腕(22p1+22p2+22C1+22C2)の合成特性」)が並列腕回路120Eのインピーダンス特性となる。
具体的には、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオフの場合、並列腕回路120Eは、次のようなインピーダンス特性を有する。
並列腕回路120Eは、2つの共振周波数fr1off及びfr2offと、2つの反共振周波数fa1off及びfa2offと、を有する(このとき、fr1off<fa1off<fr2off<fa2off、fa1off<fap1、frp1<fr1off、frp2<fr2off、かつ、fa2off<fap2を満たす)。つまり、並列腕回路120Eのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Eを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1より高い周波数、及び、(ii)並列腕共振子22p2の共振周波数frp2より高い周波数において、極小となる。また、並列腕回路120Eのインピーダンスは、(i)当該並列腕回路120Eを構成する並列腕共振子22p1の共振周波数frp1と並列腕共振子22p2の共振周波数frp2の間の周波数、及び、(ii)並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1と並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2の間の周波数において、極大となる。
つまり、スイッチ22SWがオフの場合には、フィルタ22Eは、反共振周波数fa1off及び共振周波数frsによって通過帯域が規定され、共振周波数fr1offによって通過帯域低域側の極(減衰極)が規定され、共振周波数fr2off及び反共振周波数fasによって通過帯域高域側の極(減衰極)が規定される、第2通過特性を有する。
次に、フィルタ22Eのスイッチ22SW1及び22SW2が共にオンの場合、及び、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオフの場合のインピーダンス特性及び通過特性について、詳細に比較する。
同図に示すように、スイッチ22SW1及び22SW2を共にオンからオフに切り替えると、並列腕回路120Eのインピーダンス特性が次のように切り替えられる。すなわち、並列腕回路120Eは、2つの共振周波数の双方、及び、2つの反共振周波数のうち低域側の反共振周波数が、共に高域側にシフトする。本変形例では、並列腕共振子22p1及び22p2がキャパシタ22C1及び22C2に直列接続されているため、2つの共振周波数の双方が高域側にシフトする(図中のJ部分及びK部分)。また、低域側の反共振周波数が高域側にシフトする(図中のI部分)。
ここで、並列腕回路120Eの低域側の反共振周波数と高域側の共振周波数とは、フィルタ22Eの通過帯域高域側の減衰スロープを規定し、上述したように、これらは共に高域側にシフトする。また、並列腕回路120Eの低域側の反共振周波数と低域側の共振周波数とは、フィルタ22Eの通過帯域低域側の減衰スロープを規定し、上述したように、これらは共に高域側にシフトする。したがって、図9の下段に示すように、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオンからオフに切り替わることにより、フィルタ22Eの通過特性は、通過帯域高域側及び通過帯域低域側の減衰スロープが急峻度を維持しつつ高域側にシフトすることになる(図中の黒い矢印を参照)。言い換えると、フィルタ22Eは、通過帯域高域側及び通過帯域低域側の減衰極を高域側にシフトさせつつ(図中のN部分及びM部分)、通過帯域高域端及び通過帯域低域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域高域端及び通過帯域低域端を高域側にシフトさせる(図中のL部分)ことができる。このため、例えば、フィルタ22Eは、帯域幅を維持しつつ、中心周波数をシフトすることができる。
なお、フィルタ22Eにおいて、スイッチ22SW1及び22SW2のオン及びオフは、共に切り替えられなくてもよく、個別に切り替えられてもかまわない。ただし、スイッチ22SW1及び22SW2のオン及びオフが共に切り替えられる場合には、スイッチ22SW1及び22SW2を制御する制御線の本数を削減できるため、フィルタ22Eの構成の簡素化が図られる。
一方、スイッチ22SW1及び22SW2のオン及びオフが個別に切り替えられる場合、フィルタ22Eによって切り替え可能な通過帯域のバリエーションを増やすことができる。
具体的には、フィルタ22Aについて説明したように、並列腕共振子22p1(第1並列腕共振子)に直列接続されたスイッチ22SW1のオン及びオフに応じて、通過帯域の高域端を可変することができる。また、フィルタ22Dについて説明したように、並列腕共振子22p2(第2並列腕共振子)に直列接続されたスイッチ22SW2のオン及びオフに応じて、通過帯域の低域端を可変することができる。
したがって、スイッチ22SW1及び22SW2を共にオンまたは共にオフすることにより、通過帯域の低域端及び高域端を共に低域側または高域側にシフトすることができる。すなわち、通過帯域の中心周波数を低域側または高域側にシフトすることができる。また、スイッチ22SW1及び22SW2の一方をオンからオフにするとともに他方をオフからオンにすることにより、通過帯域の低域端及び高域端の双方をこれらの周波数差が広がるまたは狭まるようにシフトすることができる。すなわち、通過帯域の中心周波数を略一定にしつつ、通過帯域幅を可変することができる。また、スイッチ22SW1及び22SW2の一方をオンまたはオフとした場合に他方をオン及びオフすることにより、通過帯域の低域端及び高域端の一方を固定した場合に他方を低域側または高域側にシフトすることができる。すなわち、通過帯域の低域端または高域端を可変することができる。
このように、キャパシタ22C1及び22C2及びスイッチ22SW1及び22SW2を有することにより、通過帯域を可変する自由度を高めることができる。
[7. 効果等]
以上、本実施の形態ならびにその変形例1及び2に係るフィルタ22A、22D及び22E(高周波フィルタ回路)について、説明した。以下では、このようなフィルタ22A、22D及び22Eによって奏される効果について、本実施の形態の比較例と対比して説明する。
図10は、実施の形態1の比較例に係るフィルタ22Zの回路構成図、ならびに、インピーダンス特性及び通過特性を表すグラフである。
同図の上段に示すように、比較例に係るフィルタ22Zは、上述したフィルタ22A、22D及び22Eに比べて、1つの並列腕共振子22pのみを有し、互いに並列接続されたキャパシタ22Cとスイッチ22SWとが並列腕共振子22pに直列接続されている点が異なる。ここで、キャパシタ22Cとスイッチ22SWと並列腕共振子22pとは、並列腕回路120Zを構成している。つまり、フィルタ22Zは、1つの直列腕共振子22sと1つの並列腕回路120Zとで構成された1段のラダー型のフィルタ構造を有している。なお、並列腕共振子22pは、上述した並列腕共振子22p1と同じ構成である。
このように構成されたフィルタ22Zの通過特性は、制御信号にしたがってスイッチ22SWがオンまたはオフすることにより、第1通過特性と第2通過特性とが切り替えられる。
具体的には、同図の中段に示すように、スイッチ22SWがオンの場合には、並列腕回路120Zのインピーダンス特性は、スイッチ22SWによってキャパシタ22Cが短絡され、キャパシタ22Cの影響を受けない特性となる。つまり、この場合には、並列腕共振子22p単体でのインピーダンス特性が並列腕回路120Zのインピーダンス特性となる。つまり、同図の下段に示すように、スイッチ22SWがオンの場合には、直列腕共振子22s及び並列腕共振子22pのインピーダンス特性によって規定される第1通過特性を有する。
一方、同図の中段に示すように、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Zのインピーダンス特性は、スイッチ22SWによるキャパシタ22Cの短絡がなされずに、、キャパシタ22Cの影響を受ける特性となる。つまり、並列腕回路この場合には、並列腕共振子22p(上述した並列腕共振子22p1に相当)とキャパシタ22Cとの合成特性が並列腕回路120Zのインピーダンス特性となる。
具体的には、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Zは、次のようなインピーダンス特性を有する。
並列腕回路120Zは、1つの共振周波数fr1offと1つの反共振周波数faを有する(このとき、fr1on<fr1offを満たす)。ここで、fr1on<fr1offとなる理由は、スイッチ22SWがオンからオフに切り替わることにより、並列腕共振子22pの共振周波数frp1近傍の周波数帯域において、キャパシタ22Cによるインピーダンスの影響を受けるためである。具体的には、当該周波数帯域において、並列腕共振子22pが共振子として作用し、キャパシタ22Cがキャパシタとして作用することにより、並列腕回路120Z全体では共振周波数が高くなることによる。なお、反共振周波数faについては、スイッチ22SWがオンの場合及びオフの場合のいずれにおいても、並列腕共振子22pと並列接続となるキャパシタが無いことから、並列腕共振子22p単体での反共振周波数と一致する。
このように、比較例に係るフィルタ22Zでは、スイッチ22SWをオンからオフに切り替えると、並列腕回路120Zにおいて、反共振周波数はシフトせず、共振周波数のみが高域側にシフトする(図中のBz部分)。
したがって、同図の下段に示すように、スイッチ22SWがオフの場合にの通過特性(第2通過特性)は、スイッチ22SWがオンの場合の通過特性(第1通過特性)に比べて、通過帯域低域側の減衰極のみが高域側にシフトする(図中のDz部分)ことに伴い、通過帯域低域側の減衰スロープの急峻度が変化してしまう。言い換えると、第1通過特性は、第2通過特性に比べて、通過帯域低域側の減衰スロープの急峻度が低下することにより、通過帯域低域端の挿入損失が増大するという問題がある(図中のCz部分)。
発明者は、このように減衰極のみのシフトにより生じ得る通過帯域端の挿入損失の増大に着目し、減衰極だけでなく減衰スロープをシフトさせることにより、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えるという着想を得た。
すなわち、本実施の形態ならびにその変形例1及び2に係るフィルタ22A、22D及び22E(高周波フィルタ回路)によれば、並列腕回路(並列腕回路120A、120D及び120E)の低周波数側の共振周波数によって通過帯域低域側の減衰極が構成され、並列腕回路の高周波数側の共振周波数によって通過帯域高域側の減衰極が構成され、並列腕回路の低周波数側の反共振周波数と直列腕回路(ここでは直列腕共振子22s単体)によって通過帯域が構成される。
よって、フィルタ22A、22D及び22Eによれば、スイッチ素子(フィルタ22A及び22Dではスイッチ22SW、フィルタ22Eではスイッチ22SW1及び22SW2)のオン(導通)及びオフ(非導通)の切り替えによって、並列腕回路における少なくとも2つの共振周波数のうちの少なくとも1つの共振周波数と、少なくとも2つの反共振周波数のうち少なくとも1つの反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。そのため、通過帯域端の周波数と減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。したがって、フィルタ22A、22D及び22Eは、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えることが可能となる。
言い換えると、フィルタ22A、22D及び22Eは、直列腕共振子22s及び並列腕回路(並列腕回路120A、120D及び120E)によって形成され、かつ、スイッチスイッチ素子のオン及びオフに応じて、通過帯域が互いに異なる第1及び第2通過特性を有する。具体的には、スイッチ素子がオンの場合、インピーダンス素子(フィルタ22A及び22Dではキャパシタ22C、フィルタ22Eではキャパシタ22C1及び22C2)の影響を受けないインピーダンスにより第1通過特性が規定される。一方、スイッチ素子がオフの場合、インピーダンス素子の影響を受けたインピーダンスにより、第1通過特性と異なる第2通過特性が規定される。ここで、並列腕回路において、インピーダンスが極小となる周波数の少なくとも1つ及び極大となる周波数の少なくとも1つは、スイッチ素子のオン及びオフに応じて低周波数側または高周波数側に共にシフトする。よって、第1通過特性と第2通過特性とでは、並列腕回路のインピーダンスが極小となる周波数と極大となる周波数とで規定される減衰スロープが、急峻度を維持しつつ低周波数側または高周波数側にシフトすることになる。したがって、フィルタ22A、22D及び22Eによれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域及び減衰帯域の周波数を切り替えることが可能となる。
また、本実施の形態に係るフィルタ22Aによれば、並列腕共振子22p1(第1並列腕共振子)の共振周波数frp1は、並列腕共振子22p2(第2並列腕共振子)の共振周波数frp2より低く(frp1<frp2)、並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1は、並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2より低い(fap1<fap2)。また、第1回路10は周波数可変回路22Tを有さず、第2回路20は周波数可変回路22Tを有する。
これによれば、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Aにおける少なくとも2つの共振周波数のうち高周波数側の共振周波数と、少なくとも2つの反共振周波数のうち低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。そのため、通過帯域高域端の周波数と通過帯域高域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。したがって、フィルタ22Aは、通過帯域高域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域高域端及び通過帯域高域側の減衰極の周波数を切り替えることが可能となる。
また、本実施の形態の変形例1に係るフィルタ22Dによれば、並列腕共振子22p1の共振周波数frp1は、並列腕共振子22p2の共振周波数frp2より低く(frp1<frp2)、並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1は、並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2より低い(fap1<fap2)。また、第1回路10Dは周波数可変回路22Tを有し、第2回路20Dは周波数可変回路22Tを有さない。
これによれば、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Dにおける少なくとも2つの共振周波数のうち低周波数側の共振周波数と、少なくとも2つの反共振周波数のうち低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。そのため、通過帯域低域端の周波数と通過帯域低域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。したがって、フィルタ22Dは、通過帯域低域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端及び通過帯域低域側の減衰極の周波数を切り替えることが可能となる。
また、本実施の形態の変形例2に係るフィルタ22Eによれば、並列腕共振子22p1の共振周波数frp1は、並列腕共振子22p2の共振周波数frp2より低く(frp1<frp2)、並列腕共振子22p1の反共振周波数fap1は、並列腕共振子22p2の反共振周波数fap2より低い(fap1<fap2)。また、第1回路10Eは周波数可変回路22Taを有し、第2回路20Eは周波数可変回路22Tbを有する
これによれば、第2回路20Eにおけるスイッチ22SW2のオン及びオフの切り替えによって、通過帯域高域端の周波数及び通過帯域高域側の減衰極を切り替えることが可能となり、第1回路10Eにおけるスイッチ22SW1のオン及びオフの切り替えによって、通過帯域低域端の周波数及び通過帯域低域側の減衰極を切り替えることが可能となる。したがって、本態様によれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端及び通過帯域低域側の減衰極の周波数と、通過帯域高域端及び通過帯域高域側の減衰極の周波数と、の双方を切り替えることが可能となる。
また、フィルタ22Eによれば、第1回路10Eにおけるスイッチ22SW1、及び、第2回路20Eにおけるスイッチ22SW2は、共に導通、または、共に非導通となるように切り替えられてもよい。
これによれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、中心周波数を切り替えることができる。
また、フィルタ22A、22D及び22Eによれば、周波数可変回路を構成するインピーダンス素子は、キャパシタである。
これに関し、一般的に、キャパシタは、インダクタと比較してQが高く、さらに、省スペースで構成できる。そのため、上記インピーダンス素子がキャパシタであることにより、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、フィルタ22A、22D及び22Eの小型化が図られる。
また、フィルタ22A、22D及び22Eによれば、並列腕共振子22p1の共振周波数frp1は、直列腕回路の共振周波数よりも低く、並列腕共振子22p2の共振周波数frp2は、直列腕回路の反共振周波数よりも低い。ここで、フィルタ22A、22D及び22Eでは、直列腕回路が直列腕共振子22sのみで構成されているため、直列腕回路の共振周波数は直列腕共振子22sの共振周波数frsに等しく、直列腕回路の反共振周波数は直列腕共振子22sの反共振周波数fasに等しい。したがって、frp1<frsかつfrp2<fasを満たす。
これによれば、直列腕共振子22sの反共振周波数fasに依存する直列腕回路の反共振周波数によって、通過帯域高域側の減衰極が追加されるため、通過帯域高域側の減衰量を向上させることができる。
また、本実施の形態ならびにその変形例1及び2に係るフィルタ22A、22D及び22Eによれば、直列腕共振子22sならびに並列腕共振子22p1及び22p2のそれぞれは、弾性表面波共振子、または、バルク弾性波共振子であることが好ましい。これにより、直列腕共振子22sならびに並列腕共振子22p1及び22p2のそれぞれを小型化できるので、フィルタ22A、22D及び22Eの小型化及び低コスト化が可能となる。また、弾性表面波共振子及びバルク弾性波共振子は、一般的に高Qの特性を示すため、低ロス化及び高選択度化が可能となる。
また、本実施の形態ならびにその変形例1及び2に係るフィルタ22A、22D及び22Eによれば、スイッチ22SW(スイッチ素子)はGaAsもしくはCMOSからなるFETスイッチ、または、ダイオードスイッチであることが好ましい。これにより、スイッチ22SWを小型化できるので、フィルタ22A、22D及び22Eの小型化及び低コスト化が可能となる。
また、本実施の形態ならびにその変形例1及び2に係るフィルタ22A、22D及び22Eによれば、キャパシタC22(インピーダンス素子)は、可変キャパシタであることが好ましい。これにより、周波数可変幅を細かく調整することが可能となる。
なお、上記実施の形態ならびにその変形例1及び2では、並列腕共振子22p1及び22p2(第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子)の少なくとも一方に直列接続され、かつ、スイッチ22SWと並列接続されるインピーダンス素子として、キャパシタを例に説明した。しかし、このようなインピーダンス素子はキャパシタに限らず、図11に示すようにインダクタであってもかまわない。図11は、本実施の形態の他の変形例に係るフィルタ22Fの回路構成図である。
同図に示すフィルタ22Fは、実施の形態1に係るフィルタ22Aに比べて、キャパシタ22Cに代わりインダクタ22Lを有する。したがって、フィルタ22Fの通過帯域の周波数可変幅はインダクタ22Lの素子値に依存し、例えばインダクタ22Lの素子値が大きいほど周波数可変幅が広くなる。このため、インダクタ22Lの素子値は、フィルタ22Fに要求される周波数仕様に応じて、適宜決定され得る。また、インダクタ22Lは、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を用いた可変インダクタであってもかまわない。これにより、周波数可変幅を細かく調整することが可能となる。
このように構成されたフィルタ22Fは、フィルタ22Aに比べて、スイッチ22SWのオン及びオフを切り替えた時の減衰スロープのシフト方向が異なる。具体的には、フィルタ22Fにおいて、スイッチ22SWがオフの場合の第2通過特性は、スイッチ22SWがオンの場合の第1通過特性に比べて、減衰スロープが低域側にシフトする。このような構成であっても、実施の形態1と同様に、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域高域端及び通過帯域高域側の減衰極の周波数を切り替えることができる。
なお、上記実施の形態の変形例1及び2におけるキャパシタのそれぞれに代わり、インダクタ22Lを設けてもかまわない。あるいは、上記の実施の形態の変形例2における2つのキャパシタ22C1及び22C2の一方のみに代わり、インダクタ22Lを設けてもかまわない。
[8. 共振解析による原理説明]
ここで、上述のような共振周波数及び反共振周波数が得られる原理について、共振子の等価回路モデルを用いたインピーダンス特性(共振特性)の解析(共振解析)により説明しておく。なお、以下では、共振子のQ値を等価する抵抗成分は省略し、理想的な共振子の等価回路を用いて原理を説明している。
[8.1. 共振子単体]
まず、共振子単体の共振特性について説明する。
図12Aは、1つの共振子reso1の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。同図に示すように、共振子reso1は、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路と、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路に対してキャパシタCが並列に接続した回路で表すことができる。ここで、キャパシタCは、共振子reso1の静電容量である。なお、IDT電極を有する弾性表面波共振子の場合、上述した式1で示される。
上記等価回路において、共振子reso1の共振周波数fは、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路で規定され、上記等価回路のインピーダンスZが0となる周波数であることから、式2を解くことにより、式3で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
また、共振子reso1の反共振周波数fは、上記等価回路のアドミッタンスYが0となる周波数であることから、式4を解くことにより、式5で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
上記式3及び式5より、図12Aの右側グラフに示すように、反共振周波数fは、共振周波数fよりも高周波数側に出現する。
つまり、共振子reso1は、1つの共振周波数と、当該共振周波数よりも高周波数側に位置する1つの反共振周波数と、を持つ。
[8.2. 共振子同士が並列接続]
次に、共振子同士が並列接続された場合の特性について、等価回路モデルを用いて説明しておく。
図12Bは、並列接続された2つの共振子reso1及びreso2の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。同図には、共振子reso1及びreso2が並列に接続されたモデルが示されている。共振子reso1は、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路と、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路に対してキャパシタC01を並列に接続した回路で表わされ、共振子reso2は、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路と、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路に対してキャパシタC02を並列に接続した回路で表すことができる。ここで、キャパシタC01及びC02は、それぞれ、共振子reso1及びreso2の静電容量である。これらの共振子reso1と共振子reso2とを並列に接続した回路は、図12B左下に示された等価回路で表される。つまり、上記共振子reso1とreso2とを並列に接続した回路は、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路と、キャパシタCとインダクタLとを直列に接続した回路と、キャパシタC(=C01+C02)とを並列に接続した回路で表わされる。
この等価回路の共振周波数fは、上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる周波数である。よって、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より低い場合(fr_reso1<fr_reso2の場合)、低周波数側の共振周波数frmLについては式6を解くことにより式7で示され、高周波数側の共振周波数frmHについては式8を解くことにより式9で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式7及び式9より、図12Bの右上グラフに示すように、この場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1と等しくなり、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2と等しくなることが解る。
これに対して、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より高い場合(fr_reso1>fr_reso2の場合)、低周波数側の共振周波数frmLについては式10を解くことにより式11で示され、高周波数側の共振周波数frmHについては式12を解くことにより式13で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式11及び式13より、図12Bの右下グラフに示すように、この場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2と等しくなり、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1と等しくなることが解る。
一方、この等価回路の反共振周波数は、上記等価回路のアドミッタンスYamが0となる周波数である。よって、式14を解くことにより、この等価回路は2つの反共振周波数を有することが解る。具体的には、低周波数側の反共振周波数famL及び高周波数側の反共振周波数famHは、式15で示される。
Figure 0006750676
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上記式15に示す反共振周波数famLは、図12Bの右側の2つのグラフに示すように、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より低い場合(fr_reso1<fr_reso2の場合)、共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1に比べ、低周波数側へシフトし、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より高い場合(fr_reso1>fr_reso2の場合)、共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2に比べ、低周波数側へシフトすることが解る。一方、上記式15に示す反共振周波数famHは、図12Bの右側の2つのグラフに示すように、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より低い場合(fr_reso1<fr_reso2の場合)、共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2に比べ、低周波数側へシフトし、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より高い場合(fr_reso1>fr_reso2の場合)、共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1に比べ、低周波数側へシフトすることが解る。
[8.3. 共振子とキャパシタとの直列回路に対して共振子が並列接続]
次に、図12Bの構成において、共振子reso1にキャパシタが直列接続された場合の特性について、等価回路モデルを用いて説明しておく。すなわち、この構成では、共振子reso1とキャパシタとの直列回路に対して共振子reso2が並列接続されている。
図12Cは、共振子reso1とキャパシタCaとの直列回路に対して共振子reso2が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。
この等価回路の共振周波数は、上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる周波数である。よって、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より低い場合(fr_reso1<fr_reso2の場合)、低周波数側の共振周波数frmLについては式16を解くことにより式17で示され、高周波数側の共振周波数frmHについては式18を解くことにより式19で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式17及び式19より、図12Cの右上グラフに示すように、この場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より高周波数側にシフトし、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2と等しくなることが解る。
これに対して、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より高い場合(fr_reso1>fr_reso2の場合)、低周波数側の共振周波数frmLについては式20を解くことにより式21で示され、高周波数側の共振周波数frmHについては式22を解くことにより式23で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式21及び式23より、図12Cの右下グラフに示すように、この場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2と等しくなり、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より高周波数側にシフトすることが解る。
一方、この等価回路の反共振周波数は、上記等価回路のアドミッタンスYamが0となる周波数である。よって、式24を解くことにより、この等価回路は2つの反共振周波数を有することが解る。具体的には、低周波数側の反共振周波数famL及び高周波数側の反共振周波数famHは、式25で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
上記式25に示す反共振周波数famL及びfamHは、図12Cの右側の2つのグラフに示すように、共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1及びreso2単体の反共振周波数fa_reso2に比べ、低周波数側へシフトすることが解る。具体的には、図12Cの右上グラフに示すように、fr_reso1<fr_reso2の場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトし、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より低周波数側にシフトすることが解る。これに対して、図12Cの右下グラフに示すように、fr_reso1>fr_reso2の場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より低周波数側にシフトし、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトすることが解る。
[8.4. 共振子とキャパシタとの直列回路同士が並列接続]
次に、図12Cの構成において、共振子reso2にキャパシタが直列接続された場合の特性について、等価回路モデルを用いて説明しておく。すなわち、この構成では、共振子reso1とキャパシタCaとの直列回路に対して、共振子reso2とキャパシタとの直列回路が並列接続されている。
図12Dは、共振子とキャパシタとの直列回路同士が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。
この等価回路の共振周波数は、上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる周波数である。よって、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より低い場合(fr_reso1<fr_reso2の場合)、低周波数側の共振周波数frmLについては式26を解くことにより式27で示され、高周波数側の共振周波数frmHについては式28を解くことにより式29で示される。なお、式26は上述した式16と同じであり、式27は上述した式17と同じである。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式27及び式29より、図12Dの右上グラフに示すように、この場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より高周波数側にシフトし、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より高周波数側にシフトすることが解る。
これに対して、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より高い場合(fr_reso1>fr_reso2の場合)、低周波数側の共振周波数frmLについては式30を解くことにより式31で示され、高周波数側の共振周波数frmHについては式32を解くことにより式33で示される。なお、式32は上述した式22と同じであり、式33は上述した式23と同じである。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式31及び式33より、図12Dの右下グラフに示すように、この場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より高周波数側にシフトし、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より高周波数側にシフトすることが解る。
一方、この等価回路の反共振周波数は、上記等価回路のアドミッタンスYamが0となる周波数である。よって、式34を解くことにより、この等価回路は2つの反共振周波数を有することが解る。具体的には、低周波数側の反共振周波数famL及び高周波数側の反共振周波数famHは、式35で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
上記式35に示す反共振周波数famL及びfamHは、図12Dの右側の2つのグラフに示すように、共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1及びreso2単体の反共振周波数fa_reso2に比べ、低周波数側へシフトすることが解る。具体的には、図12Dの右上グラフに示すように、fr_reso1<fr_reso2の場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトし、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より低周波数側にシフトすることが解る。これに対して、図12Dの右下グラフに示すように、fr_reso1>fr_reso2の場合、低周波数側の共振周波数frmLが共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より低周波数側にシフトし、高周波数側の共振周波数frmHが共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトすることが解る。
[8.5. 共振子とインダクタとの直列回路に対して共振子が並列接続]
ここまで、共振子にキャパシタが接続された場合の特性について、等価回路モデルを用いて説明した。以下では、共振子にインダクタが接続された場合の特性について、等価回路モデルを用いて説明する。
まず、図12Cの構成において、キャパシタCaがインダクタLaに置き換えられた場合(図12Eの構成を参照)の特性について、等価回路モデルを用いて説明しておく。すなわち、この構成では、共振子reso1とインダクタLaとの直列回路に対して共振子reso2が並列接続されている。
図12Eは、共振子reso1とインダクタLaとの直列回路に対して共振子reso2が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。
この等価回路の共振周波数は、上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる周波数である。よって、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より低い場合(fr_reso1<fr_reso2の場合)、共振周波数frm1、frm2及びfrm3(ここで、frm1<frm2<frm3)は、次のように示される。具体的には、インダクタLaに関連して上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる式36を解くことにより、共振周波数frm1及びfrm3については式37で示される。また、インダクタLaに関連せず上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる式38を解くことにより、共振周波数frm2については式39で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式37及び式39より、図12Eの右上グラフに示すように、この場合、共振周波数frm1が共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトし、共振周波数frm2が共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2と等しくなり、共振周波数frm3が共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1及び共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より高周波数側に追加されることが解る。
これに対して、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より高い場合(fr_reso1>fr_reso2の場合)、共振周波数frm2及びfrm3については上記の式36を解くことにより式40で示され、共振周波数frm1については上記の式38を解くことにより式41で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式40及び式41より、図12Eの右下グラフに示すように、この場合、共振周波数frm1が共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2と等しくなり、その隣の共振周波数frm2が共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトするとともに、共振周波数frm3が共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2及び共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より高周波数側に追加されることが解る。
一方、この等価回路の反共振周波数は、上記等価回路のアドミッタンスYamが0となる周波数である。よって、式42を解くことにより、この等価回路は3つの反共振周波数fam1、fam2及びfam3を有することが解る。
Figure 0006750676
なお、3つの反共振周波数fam1、fam2及びfam3の詳細な式については三次解となりなり式が複雑になるため説明を省略するが、図12Eの右側の2つのグラフに示すように、反共振周波数fam1及びfam2は、共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1及びreso2単体の反共振周波数fa_reso2に比べ、低周波数側へシフトすることが解る。具体的には、図12Eの右上グラフに示すように、fr_reso1<fr_reso2の場合、反共振周波数fam1が共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1より低周波数側にシフトし、反共振周波数fam2が共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2より低周波数側にシフトするとともに、反共振周波数fam3が共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1及び共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2より高周波数側に追加されることが解る。これに対して、図12Eの右下グラフに示すように、fr_reso1>fr_reso2の場合、反共振周波数fam1が共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2より低周波数側にシフトし、反共振周波数fam2が共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1より低周波数側にシフトするとともに、反共振周波数fam3が共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2及び共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1より高周波数側に追加されることが解る。
[8.6. 共振子とインダクタとの直列回路同士が並列接続]
次に、図12Dの構成において、キャパシタCa及びCbの各々がインダクタLa及びLbに置き換えられた場合(図12Fの構成を参照)の特性について、等価回路モデルを用いて説明しておく。すなわち、この構成では、共振子reso1とインダクタLaとの直列回路に対して、共振子reso2とインダクタLbとの直列回路が並列接続されている。
図12Fは、共振子とインダクタとの直列回路同士が並列接続された場合の等価回路モデル及びその共振特性を表す図である。
この等価回路の共振周波数は、上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる周波数である。よって、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より低い場合(fr_reso1<fr_reso2の場合)、共振周波数frm1、frm2、frm3及びfrm4(ここで、frm1<frm2<frm3<frm4)は、次のように示される。具体的には、インダクタLaに関連して上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる式43を解くことにより、共振周波数frm1及びfrm3については式44で示される。また、インダクタLbに関連して上記等価回路のインピーダンスZrmが0となる式45を解くことにより、共振周波数frm2及びfrm4については式46で示される。なお、式43は上述した式36と同じであり、式44は上述した式37と同じである。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式44及び式46より、図12Fの右上グラフに示すように、この場合、最も低周波数側の共振周波数frm1が共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトし、その隣の共振周波数frm2が共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より低周波数側にシフトすることが解る。さらに、共振周波数frm3及びfrm4が共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1及び共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より高周波数側に追加されることが解る。
これに対して、共振子reso1の共振周波数fr_reso1が共振子reso2の共振周波数fr_reso2より高い場合(fr_reso1>fr_reso2の場合)、共振周波数frm2及びfrm4については上記の式43を解くことにより式47で示され、共振周波数frm1及びfrm3については上記の式45を解くことにより式48で示される。
Figure 0006750676
Figure 0006750676
式47及び式48より、図12Fの右下グラフに示すように、この場合、最も低周波数側の共振周波数frm1が共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2より低周波数側にシフトし、その隣の共振周波数frm2が共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より低周波数側にシフトすることが解る。さらに、共振周波数frm3及びfrm4が共振子reso2単体の共振周波数fr_reso2及び共振子reso1単体の共振周波数fr_reso1より高周波数側に追加されることが解る。
一方、この等価回路の反共振周波数は、上記等価回路のアドミッタンスYamが0となる周波数である。よって、式49を解くことにより、この等価回路は3つの反共振周波数fam1、fam2及びfam3を有することが解る。
Figure 0006750676
なお、3つの反共振周波数fam1、fam2及びfam3の詳細な式については三次解となりなり式が複雑になるため説明を省略するが、図12Fの右側の2つのグラフに示すように、反共振周波数fam1及びfam2は、共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1及びreso2単体の反共振周波数fa_reso2に比べ、低周波数側へシフトすることが解る。具体的には、図12Fの右上グラフに示すように、fr_reso1<fr_reso2の場合、反共振周波数fam1が共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1より低周波数側にシフトし、反共振周波数fam2が共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2より低周波数側にシフトするとともに、反共振周波数fam3が共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1及び共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2より高周波数側に追加されることが解る。これに対して、図12Fの右下グラフに示すように、fr_reso1>fr_reso2の場合、反共振周波数fam1が共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2より低周波数側にシフトし、反共振周波数fam2が共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1より低周波数側にシフトするとともに、反共振周波数fam3が共振子reso1単体の反共振周波数fa_reso1及び共振子reso2単体の反共振周波数fa_reso2より高周波数側に追加されることが解る。
[8.7. 共振解析に基づく特性説明]
以上説明した共振解析に基づき、上述したフィルタ22A、22D、22E及び22Fにおいて、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えに応じて並列腕回路の共振周波数あるいは反共振周波数が切り替わることが説明される。
(i)フィルタ22Aについて
例えば、フィルタ22Aにおいて、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路120Aは、並列腕共振子22p1と並列腕共振子22p2とが並列接続された構成となる。よって、この場合、並列腕回路120Aの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1及びreso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1>fr_reso2の場合と同様に説明される(図12B参照)。つまり、並列腕回路120Aにおける並列腕共振子22p1及び並列腕共振子22p2は、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1>fr_reso2の場合の共振子reso2及び共振子reso1に相当する。具体的には、低周波数側の共振周波数frp1onは上記の式11によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2onは上記の式13によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1onは上記の式15のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2onは上記の式15のfamHによって説明される。
一方、フィルタ22Aにおいて、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Aは、並列腕共振子22p2とキャパシタ22Cとの直列回路に対して並列腕共振子22p1が並列接続された構成となる。よって、この場合、並列腕回路120Aの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1とキャパシタCaとの直列回路に対して共振子reso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1>fr_reso2の場合と同様に説明される(図12C参照)。つまり、並列腕回路120Aにおける並列腕共振子22p1、並列腕共振子22p2及びキャパシタ22Cは、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1>fr_reso2の場合の共振子reso2、共振子reso1及びキャパシタCaに相当する。具体的には、低周波数側の共振周波数frp1offは上記の式21によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2offは上記の式23によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1offは上記の式25のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2offは上記の式25のfamHによって説明される。
したがって、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Aにおける高周波数側の共振周波数と低周波数側の反共振周波数とが、共に、低周波数側または高周波数側にシフトされる。そのため、フィルタ22Aによれば、通過帯域高域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域高域端の周波数と通過帯域高域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。
(ii)フィルタ22Dについて
また、例えば、フィルタ22Dにおいて、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路120Dは、並列腕共振子22p1と並列腕共振子22p2とが並列接続された構成となる。よって、この場合、並列腕回路120Dの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1及びreso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1<fr_reso2の場合と同様に説明される(図12B参照)。つまり、並列腕回路120Dにおける並列腕共振子22p1及び並列腕共振子22p2は、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1及び共振子reso2に相当する。具体的には、低周波数側の共振周波数frp1onは上記の式7によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2onは上記の式9によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1onは上記の式15のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2onは上記の式15のfamHによって説明される。
一方、フィルタ22Dにおいて、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Dは、並列腕共振子22p1とキャパシタ22Cとの直列回路に対して並列腕共振子22p2が並列接続された構成となる。よって、並列腕回路120Dの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1とキャパシタCaとの直列回路に対して共振子reso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1<fr_reso2の場合と同様に説明される(図12C参照)。つまり、並列腕回路120Dにおける並列腕共振子22p1、並列腕共振子22p2及びキャパシタ22Cは、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1、共振子reso2及びキャパシタCaに相当する。具体的には、並列腕回路120Dについて、低周波数側の共振周波数frp1offは上記の式17によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2offは上記の式19によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1offは上記の式25のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2offは上記の式25のfamHによって説明される。
したがって、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Dにおける低周波数側の共振周波数と低周波数側の反共振周波数とが、共に、低周波数側または高周波数側にシフトされる。そのため、フィルタ22Dによれば、通過帯域低域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端の周波数と通過帯域低域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。
(iii)フィルタ22Eについて
また、例えば、フィルタ22Eにおいて、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオンの場合、並列腕回路120Eは、並列腕共振子22p1と並列腕共振子22p2とが並列接続された構成となる。よって、この場合、並列腕回路120Eの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1及びreso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1<fr_reso2の場合と同様に説明される(図12B参照)。つまり、並列腕回路120Eにおける並列腕共振子22p1及び並列腕共振子22p2は、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1及び共振子reso2に相当する。具体的には、低周波数側の共振周波数frp1onは上記の式7によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2onは上記の式9によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1onは上記の式15のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2onは上記の式15のfamHによって説明される。
一方、フィルタ22Eにおいて、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオフの場合、並列腕回路120Eは、並列腕共振子22p1とキャパシタ22C1との直列回路に対して、並列腕共振子22p2とキャパシタ22C2との直列回路が並列接続された構成となる。よって、並列腕回路120Eの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1とキャパシタCaとの直列回路に対して、共振子reso2とキャパシタCbとの直列回路が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1<fr_reso2の場合と同様に説明される(図12D参照)。つまり、並列腕回路120Eにおける並列腕共振子22p1、並列腕共振子22p2、キャパシタ22C1及びキャパシタ22Cは、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1、共振子reso2、キャパシタCa及びキャパシタCbに相当する。具体的には、並列腕回路120Eについて、低周波数側の共振周波数frp1offは上記の式27によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2offは上記の式29によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1offは上記の式35のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2offは上記の式35のfamHによって説明される。
したがって、スイッチ22SW1及び22SW2のオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Eにおける低周波数側の共振周波数及び高周波数側の共振周波数と低周波数側の反共振周波数とが、共に、低周波数側または高周波数側にシフトされる。そのため、フィルタ22Eによれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、中心周波数を切り替えることができる。
(iv)フィルタ22Fについて
また、例えば、フィルタ22Fにおいて、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路120Fは、並列腕共振子22p1と並列腕共振子22p2とが並列接続された構成となる。よって、この場合、並列腕回路120Fの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1及びreso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1>fr_reso2の場合と同様に説明される(図12B参照)。つまり、並列腕回路120における並列腕共振子22p1及び並列腕共振子22p2は、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1及び共振子reso2に相当する。具体的には、低周波数側の共振周波数frp1onは上記の式11によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2onは上記の式13によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1onは上記の式15のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2onは上記の式15のfamHによって説明される。
一方、フィルタ22Fにおいて、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路120Fは、並列腕共振子22p2とインダクタ22Lとの直列回路に対して並列腕共振子22p1が並列接続された構成となる。よって、この場合、並列腕回路120Fの共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1とインダクタLaとの直列回路に対して共振子reso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1>fr_reso2の場合と同様に説明される(図12E参照)。つまり、並列腕回路120Fにおける並列腕共振子22p1、並列腕共振子22p2及びインダクタ22Lは、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso2、共振子reso1及びインダクタLaに相当する。具体的には、最も低周波数の共振周波数は上記の式41によって説明され、2番目に低周波数の共振周波数は上記の式40のfrm2によって説明される。また、反共振周波数は上記の式42を解くことにより説明される。
したがって、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、並列腕回路120Fにおける高周波数側の共振周波数と低周波数側の反共振周波数とが、共に、低周波数側または高周波数側にシフトされる。そのため、フィルタ22Fによれば、通過帯域高域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域高域端の周波数と通過帯域高域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。
(v)フィルタ22Dにおいてキャパシタに代わりインダクタを設けた構成について
また、例えば、フィルタ22Dにおいてキャパシタ22Cに代わりインダクタを設けた構成については、スイッチ22SWがオンの場合、並列腕回路の共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1及びreso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1<fr_reso2の場合と同様に説明される(図12B参照)。つまり、当該並列腕回路における並列腕共振子22p1及び並列腕共振子22p2は、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1及び共振子reso2に相当する。よって、低周波数側の共振周波数frp1onは上記の式7によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2onは上記の式9によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1onは上記の式15のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2onは上記の式15のfamHによって説明される。
一方、この構成において、スイッチ22SWがオフの場合、並列腕回路は、並列腕共振子22p1とインダクタとの直列回路に対して並列腕共振子22p2が並列接続された構成となる。よって、当該並列腕回路の共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1とインダクタLaとの直列回路に対して共振子reso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1>fr_reso2の場合と同様に説明される(図12E参照)。つまり、当該並列腕回路における並列腕共振子22p1、並列腕共振子22p2及びインダクタは、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1、共振子reso2及びインダクタLaに相当する。具体的には、当該並列腕回路について、最も低周波数の共振周波数は上記の式37のfrm1によって説明され、2番目に低周波数の共振周波数は上記の式39によって説明され、最も高周波数の共振周波数は上記の式37のfrm3によって説明される。また、反共振周波数は上記の式42を解くことにより説明される。また、当該並列腕回路について、共振解析による式は省略したが、反共振周波数は3つとなる。
したがって、スイッチ22SWのオン及びオフの切り替えによって、通過帯域低域側の減衰極を構成する並列腕回路120Dの共振周波数と、通過帯域を構成する並列腕回路120Dの反共振周波数とが、共に、低周波数側または高周波数側にシフトされる。そのため、フィルタ22Dにおいてキャパシタ22Cに代わりインダクタを設けた構成によれば、通過帯域低域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端の周波数と通過帯域低域側の減衰極の周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトすることができる。
(vi)フィルタ22Eにおいてキャパシタに代わりインダクタを設けた構成について
また、例えば、フィルタ22Eにおいてキャパシタ22C1及び22C2に代わりインダクタを設けた構成については、スイッチ22SW1及び22SW2がオンの場合、並列腕回路の共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1及びreso2が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1<fr_reso2の場合と同様に説明される(図12B参照)。つまり、当該並列腕回路における並列腕共振子22p1及び並列腕共振子22p2は、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1及び共振子reso2に相当する。よって、低周波数側の共振周波数frp1onは上記の式7によって説明され、高周波数側の共振周波数frp2onは上記の式9によって説明される。また、低周波数側の反共振周波数fap1onは上記の式15のfamLによって説明され、高周波数側の反共振周波数fap2onは上記の式15のfamHによって説明される。
一方、この構成において、スイッチ22SW1及び22SW2が共にオフの場合、並列腕回路は、並列腕共振子22p1とインダクタとの直列回路に対して並列腕共振子22p2とインダクタとの直列回路が並列接続された構成となる。よって、当該並列腕回路の共振周波数及び反共振周波数は、共振子reso1とインダクタLaとの直列回路に対して共振子reso2とインダクタLbとの直列回路が並列に接続された等価回路モデルにおけるfr_reso1<fr_reso2の場合と同様に説明される(図12F参照)。つまり、当該並列腕回路における並列腕共振子22p1、並列腕共振子22p2、並列腕共振子22p1に直列接続されたインダクタ及び並列腕共振子22p2に直列接続されたインダクタは、それぞれ、当該等価回路モデルにおいてfr_reso1<fr_reso2の場合の共振子reso1、共振子reso2、インダクタLa及びインダクタLbに相当する。具体的には、当該並列腕回路について、最も低周波数の共振周波数は上記の式44のfrm1によって説明され、2番目に低周波数の共振周波数は上記の式46のfrm2によって説明される。また、反共振周波数は上記の式49を解くことにより説明される。
したがって、スイッチ22SW1及び22SW2のオン及びオフの切り替えによって、通過帯域低域側の減衰極を構成する並列腕回路の共振周波数と、通過帯域を構成する並列腕回路の反共振周波数と、通過帯域高域側の減衰極を構成する並列腕回路の共振周波数とが、共に、低周波数側または高周波数側にシフトされる。そのため、フィルタ22Eにおいてキャパシタ22C1及び22C2に代わりインダクタを設けた構成によれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域低域端及び通過帯域低域側の減衰極の周波数と、通過帯域高域端及び通過帯域高域側の減衰極の周波数と、の双方を切り替えることが可能となる。
[9. 比帯域幅の関係]
また、上記説明した弾性波共振子構造を有する直列腕共振子22sと並列腕共振子22p1及び22p2は、直列腕共振子22sの比帯域幅が並列腕共振子22p1及び22p2(第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子)のうち少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅がよりも狭くてもよい。ここで、比帯域幅とは、共振子について、反共振周波数faと共振周波数frとの周波数差fa−frを当該共振周波数frで除した値(fa−fr)/fr(またはその百分率)として定義される。
これによれば、通過帯域を構成する並列腕回路の低周波数側の反共振周波数と、通過帯域低域側の減衰極を構成する並列腕回路の低周波数側の共振周波数と、の周波数差を大きくするとともに、通過帯域高域側の減衰極を構成する並列腕回路の高周波数側の共振周波数と、通過帯域を構成する並列腕回路の低周波数側の反共振周波数と、の周波数差を大きくすることができるため、通過帯域幅を広くすることができる。
比帯域幅は、例えば、次のように調整される。
図13は、実施の形態1における弾性表面波共振子の電極構造(図4A及び図4B)を構成する第1調整膜の膜厚と弾性表面波共振子のインピーダンスとの関係を表すグラフである。また、図14は、第1調整膜(Ksaw調整膜122)の膜厚と弾性表面波共振子の共振周波数、反共振周波数、及び比帯域幅との関係を表すグラフである。図13には、図4Bに示された第1調整膜の膜厚を変化させた場合の弾性表面波共振子のインピーダンスの周波数特性が示されている。なお、このとき、圧電性を有する基板101としては、−10°YカットLiNbO基板を用い、IDT電極121の膜厚を400nmとした。また、図14の上段には、第1調整膜の膜厚と共振周波数frとの関係が示されており、図14の中段には、第1調整膜の膜厚と反共振周波数faとの関係が示されており、図14の下段には、第1調整膜の膜厚と、比帯域幅BWRとの関係が示されている。
図13に示すように、第1調整膜の膜厚を変化させると、反共振周波数faは殆ど動かず、共振周波数frがシフトする。より具体的には、図14に示すように、第1調整膜の膜厚を厚くするほど共振周波数frは高周波数側へシフトし、比帯域幅BWRは小さくなる。つまり、弾性表面波共振子の比帯域幅を第1調整膜の膜厚調整により設定することが可能となる。
以上の結果より、直列腕共振子22sの比帯域幅を並列腕共振子22p1及び22p2のうち少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅よりも狭くする構成として、直列腕共振子22sに第1調整膜を形成する構成が挙げられる。具体的には、(1)並列腕共振子22p1及び22p2のうち少なくとも1つの並列腕共振子のIDT電極における第1調整膜を、直列腕共振子22sのIDT電極における第1調整膜よりも薄くする、または、(2)並列腕共振子22p1及び22p2のうち少なくとも1つの並列腕共振子のIDT電極に第1調整膜を形成しない、が挙げられる。
これによれば、直列腕共振子22sの比帯域幅を並列腕共振子22p1及び22p2のうち少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅よりも狭く設定することができる。
図15は、電極構造を構成する第2調整膜(保護層103及び104)の膜厚と弾性表面波共振子のインピーダンスとの関係を表すグラフである。また、図16は、第2調整膜の膜厚と弾性表面波共振子の共振周波数、反共振周波数、及び比帯域幅との関係を表すグラフである。図15には、図4Bに示された第2調整膜の膜厚を変化させた場合の弾性表面波共振子の共振インピーダンスの周波数特性が示されている。なお、このとき、圧電性を有する基板101としては、−10°YカットLiNbO基板を用い、IDT電極膜厚を400nmとした。また、図16の上段には、第2調整膜の膜厚と共振周波数frとの関係が示されており、図16の中段には、第2調整膜の膜厚と反共振周波数faとの関係が示されており、図16の下段には、第2調整膜の膜厚と、比帯域幅BWRとの関係が示されている。
図15に示すように、第2調整膜の膜厚を変化させると、反共振周波数fa及び共振周波数frがシフトする。より具体的には、図16に示すように、第2調整膜の膜厚を厚くするほど共振周波数frは高周波数側へシフトし、かつ、反共振周波数faは低周波数側へシフトするため、比帯域幅BWRは小さくなる。つまり、弾性表面波共振子の比帯域幅を第2調整膜の膜厚調整により設定することが可能となる。
以上の結果より、直列腕共振子22sの比帯域幅を並列腕共振子22p1及び22p2のうち少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅よりも狭くする構成として、直列腕共振子22sのIDT電極を覆う第2調整膜を、並列腕共振子22p1及び22p2のうち少なくとも1つの並列腕共振子のIDT電極を覆う第2調整膜より厚くする構成が挙げられる。具体的には、(1)少なくとも1つの並列腕共振子のIDT電極における第2調整膜を、直列腕共振子22sのIDT電極における第2調整膜よりも薄くする、または、(2)少なくとも1つの並列腕共振子のIDT電極に第2調整膜を形成しない、が挙げられる。
これによれば、直列腕共振子22sの比帯域幅を並列腕共振子22p1及び22p2のうち少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅よりも狭く設定することができる。このような比帯域幅の設定により、通過帯域高域側の急峻度を向上することができる。
以上より、第1調整膜及び第2調整膜は、要求されるフィルタ特性に応じて適宜設定されればよい。具体的には、例えば、第2調整膜は周波数温度特性及び耐湿性を高めるなどの機能も有するため、要求されるフィルタに必要な周波数温度特性及び耐湿性を考慮して設定し、比帯域幅の調整は、主として第1調整膜の有無及び膜厚によって決定すればよい。
(実施の形態2)
上記実施の形態1では、1つの直列腕回路と1つの並列腕回路とで構成されるラダー型のフィルタ構造を例に説明した。しかし、同様の技術は、1以上の直列腕回路と複数の並列腕回路とで構成されるラダー型のフィルタ構造についても適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このようなフィルタ構造を有するフィルタについて説明する。
図17は、実施の形態2に係るフィルタ22Gの回路構成図である。
同図に示すフィルタ22Gは、直列腕共振子221s、222s、223s及び2224sと、並列腕共振子(第1並列腕共振子)221p1及び222p1と、並列腕共振子(第2並列腕共振子)221p2及び222p2と、並列腕共振子223pとを備える高周波フィルタ回路である。ここで、並列腕共振子221p2の共振周波数は並列腕共振子221p1の共振周波数よりも高く、並列腕共振子222p2の共振周波数は並列腕共振子222p1の共振周波数よりも高い。さらに、並列腕共振子221p2の反共振周波数は並列腕共振子221p1の反共振周波数よりも高く、並列腕共振子222p2の反共振周波数は並列腕共振子222p1の反共振周波数よりも高い。
フィルタ22Gは、さらに、通過特性を可変させるためのキャパシタ221C1、221C2、222C1及び222C2と、スイッチ(スイッチ素子)221SW1、221SW2、222SW1及び222SW2とを備える。また、フィルタ22Gは、さらに、キャパシタ223Cを備える。
キャパシタ221C1及びスイッチ221SW1は互いに並列接続されて並列腕共振子221p1に直列接続され、キャパシタ221C2及びスイッチ221SW2は互いに並列接続されて並列腕共振子221p2に直列接続されている。また、キャパシタ222C1及びスイッチ222SW1は互いに並列接続されて並列腕共振子222p1に直列接続され、キャパシタ222C2及びスイッチ222SW2は互いに並列接続されて並列腕共振子222p2に直列接続されている。また、キャパシタ223Cは並列腕共振子223pに直列接続されている。
このように構成されたフィルタ22Gにおいて、並列腕共振子221p1及び221p2とキャパシタ221C1及び221C2とスイッチ221SW1及び221SW2とは、1つの並列腕回路121Gを構成する。また、並列腕共振子222p1及び222p2とキャパシタ222C1及び222C2とスイッチ222SW1及び222SW2とは、1つの並列腕回路122Gを構成する。また、並列腕共振子223pとキャパシタ223Cとは、1つの並列腕回路123Gを構成する。また、直列腕共振子221s、222s、223s及び2224sの各々は、直列腕回路を構成する。また、キャパシタ221C1とスイッチ221SW1、キャパシタ221C2とスイッチ221SW2、キャパシタ222C1とスイッチ222SW1、キャパシタ222C2とスイッチ222SW2の各々は、周波数可変回路を構成する。つまり、フィルタ22Gは、4つの直列腕回路と3つの並列腕回路121G、122G及び123Gとで構成されるラダー型のフィルタ構造を有している。
ここで、並列腕回路121G及び122Gは、実施の形態1における並列腕回路(特には並列腕回路120E)と同様の構成を有する。したがって、本実施の形態に係るフィルタ22Gは、実施の形態1と同様の効果を奏する。
また、本実施の形態に係るフィルタ22Gによれば、並列腕回路121G及び122Gのそれぞれが、第1並列腕共振子(本実施の形態では並列腕共振子221p1及び222p1)及び第2並列腕共振子(本実施の形態では並列腕共振子221p2及び222p2)とスイッチ素子(本実施の形態では221SW1、221SW2、222SW1及び222SW2)とを有する。
これにより、少なくとも2つの並列腕回路121G及び122Gの各々が上記説明した周波数可変回路を有するため、フィルタ22G全体の通過特性をより細かく調整することが可能となる。したがって、当該少なくとも2つの並列腕回路121G及び122Gの各々においてスイッチ素子のオン及びオフが適宜選択されることにより、適切な帯域に切り替えることができる。また、フィルタ22Gは、ラダー型のフィルタ構造を構成する並列腕回路が複数(ここでは3つ)設けられていることにより、減衰量(阻止域減衰量)を向上することができる。
なお、このようなフィルタは、上記説明した周波数可変回路を有する少なくとも2つの並列腕回路を含む複数の並列腕回路と、少なくとも1つの直列腕回路と、で構成されていればよい。このため、並列腕回路の個数及び直列腕回路の個数は、上記の個数に限定されず、例えば、並列腕回路の個数は、3つに限らず、2つもしくは4つ以上であってもかまわない。
また、本実施の形態では、並列腕回路123Gは、共振周波数及び反共振周波数を可変できない構成であったが、実施の形態1における並列腕回路と同様に、共振周波数及び反共振周波数を可変できる構成にしてもかまわない。つまり、フィルタ22Gを構成する全ての並列腕回路(本実施の形態では並列腕回路121G〜123G)を、実施の形態1における並列腕回路と同様の構成としてもかまわない。このとき、全ての並列腕回路が同じ構成(例えば、並列腕回路120Eと同様の構成)であってもよいし、任意の並列腕回路が他の段の並列腕回路と異なる構成(例えば、並列腕回路120Dと同様の構成)であってもよい。
(実施の形態3)
上記実施の形態1及び2では、ラダー型のフィルタ構造を例に説明した。しかし、同様の技術は、縦結合型のフィルタ構造を有するフィルタについても適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このようなフィルタ構造を有するフィルタについて説明する。
図18は、実施の形態3に係るフィルタ22Hの回路構成図である。
同図に示すように、フィルタ22Hは、直列腕共振子221s、222s及び223sと、並列腕共振子(第1並列腕共振子)221p1と、並列腕共振子(第2並列腕共振子)221p2と、縦結合共振器250とを備える高周波フィルタ回路である。ここで、並列腕共振子221p2の共振周波数は並列腕共振子221p1の共振周波数よりも高い。
フィルタ22は、さらに、通過特性を可変させるためのキャパシタ221Cとスイッチ(スイッチ素子)221SWとを備える。キャパシタ221C及びスイッチ221SWは互いに並列接続されて並列腕共振子221p2に直列接続されている。
つまり、フィルタ22Hは、実施の形態1に係るラダー型のフィルタ構造(特にはフィルタ22A)に縦結合共振器250が付加されたフィルタである。
縦結合共振器250は、入出力端子22mと入出力端子22nとの間に配置された縦結合型フィルタ回路である。本実施の形態では、縦結合共振器250は、ラダー型のフィルタ構造の入出力端子22m側に配置されており、5つのIDTとその両端に配置された反射器とで構成されている。なお、縦結合共振器250が配置される位置は、ラダー型のフィルタ構造と入出力端子22mとの間に限らず、例えば、入出力端子22nとラダー型のフィルタ構造との間であってもかまわない。
以上のように構成されたフィルタ22H(高周波フィルタ回路)によれば、実施の形態1における並列腕回路(特には並列腕回路120A)と同様の構成を有する。したがって、本実施の形態に係るフィルタ22Hは、実施の形態1と同様の効果を奏する。
また、本実施の形態に係るフィルタ22Hによれば、縦結合共振器250が付加されることにより、減衰強化等の要求されるフィルタ特性に適応することが可能となる。なお、本実施の形態では、ラダー型のフィルタ構造に縦結合共振器250が付加されていたが、当該ラダー型のフィルタ構造を構成する直列腕回路は設けられていなくてもかまわない。つまり、縦結合共振器250は、入出力端子22nと入出力端子22mとの間に接続された直列腕回路であり、フィルタ22Hは、縦結合共振器250と並列腕回路とで構成されていてもよい。
(実施の形態4)
上記実施の形態1〜3に係る高周波フィルタ回路は、複数の高周波フィルタ回路を有するマルチプレクサの少なくとも1つの高周波フィルタ回路に適用することができる。そこで、本実施の形態では、このようなマルチプレクサについて、実施の形態1〜3に係る高周波フィルタ回路を送信側フィルタ及び受信側フィルタに適用したデュプレクサを例に説明する。
図19は、実施の形態4に係るデュプレクサ22Jの回路構成図である。同図に示されたデュプレクサ22Jは、受信側フィルタとして実施の形態3に係るフィルタ22Hを備え、送信側フィルタとして実施の形態2に係るフィルタ22Gを備える。つまり、フィルタ22Hは、アンテナ共通端子110と受信端子120との間に接続され、フィルタ22Gは、アンテナ共通端子110と送信端子130との間に接続される。これにより、デュプレクサ22Jは、送信側の通過帯域及び受信側の通過帯域のいずれについても、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、通過帯域を切り替えることが可能となる。
以上のように、本実施の形態に係るマルチプレクサ(ここではデュプレクサ22J)によれば、上記実施の形態1〜3に係る高周波フィルタ回路(ここではフィルタ22G及び22H)を備えることにより、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ通過帯域を切り替えることが可能となる。よって、要求される通過帯域ごとに個別の高周波フィルタ回路を設ける構成に比べて、高周波フィルタ回路の個数を削減できるので、小型化することができる。
なお、実施の形態1〜3に係る高周波フィルタ回路を備えるマルチプレクサとしては、デュプレクサに限らず、例えば3つの高周波フィルタ回路を備えるトリプレクサ等であってもかまわない。また、マルチプレクサは、送信側フィルタと受信側フィルタとを備える構成に限らず、複数の受信側フィルタ、または、複数の送信側フィルタを備える構成であってもかまわない。
また、マルチプレクサは、複数のフィルタの少なくとも1つに実施の形態1〜3に係る高周波フィルタ回路が適用されていればよく、例えば通過帯域を切り替えられないフィルタを備えてもかまわない。すなわち、マルチプレクサを構成する複数の高周波フィルタ回路は、上述した周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路と、上述した周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路と、を含んでもかまわない。
このように構成されたマルチプレクサは、次のように構成されていてもよい。すなわち、周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路は、弾性波共振子で構成されていてもよい。また、周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路を構成する並列腕共振子22p1及び22p2の少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅は、周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路を構成する弾性波共振子の比帯域幅より広くてもよい。
これに関し、周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路の多くは、3GPPで規定されるバンドに対し、1つのバンドに対応している。一方、周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路は、複数のバンドに対応することができる。具体的には、周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路においてスイッチ素子がオンの場合、並列腕共振子22p1の反共振周波数と共振周波数の周波数差(第1帯域幅)に比べて、並列腕共振子22p1を含む並列腕回路の低周波数側の反共振周波数と当該並列腕回路の低周波数側の共振周波数との周波数差(第2帯域幅)、及び、当該並列腕回路の高周波数側の共振周波数と当該並列腕回路の低周波数側の反共振周波数との周波数差(第3帯域幅)はいずれも狭くなる。
さらに、周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路においてスイッチ素子がオフの場合、第2帯域幅及び第3帯域幅のいずれか一方はさらに狭くなり、スイッチ素子のオン及びオフによって切り替えられる当該並列腕回路の共振周波数または反共振周波数の周波数可変幅は、第2帯域幅及び第3帯域幅のいずれか一方の帯域幅より狭い。
そのため、第1並列腕共振子の比帯域幅を、周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路を構成する弾性波共振子の比帯域幅より広くすることで、周波数可変幅を広くすることができ、対応するバンド数を増やすことができる。
なお、マルチプレクサを構成する複数の高周波フィルタ回路の各々は、一方の端子が直接的あるいは接続回路を介して間接的にアンテナ共通端子等の共通端子に接続されていればよい。例えば、接続回路は、移相器、複数の高周波フィルタ回路の少なくとも1つを選択するスイッチ、または、サーキュレータ等である。
(実施の形態5)
以上の実施の形態1〜4で説明した高周波フィルタ回路及びマルチプレクサは、実施の形態1に係る高周波フロントエンド回路2よりも、さらに使用バンド数が多いシステムに対応する高周波フロントエンド回路に適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このような高周波フロントエンド回路について説明する。
図20は、実施の形態5に係る高周波フロントエンド回路2Lの構成図である。
同図に示すように、高周波フロントエンド回路2Lは、アンテナ端子ANTと送信端子Tx1及びTx2ならびに受信端子Rx1及びRx2を備え、アンテナ端子ANT側から順に、複数のスイッチにより構成されるスイッチ群210と、複数のフィルタにより構成されるフィルタ群220と、送信側スイッチ231及び232ならびに受信側スイッチ251、252及び253と、送信増幅回路241及び242ならびに受信増幅回路261及び262とを備える。
スイッチ群210は、制御部(図示せず)からの制御信号にしたがって、アンテナ端子ANTと所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、複数のSPST型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ端子ANTと接続される信号経路は1つに限らず、複数であってもかまわない。つまり、高周波フロントエンド回路2Lは、キャリアアグリゲーションに対応してもかまわない。
フィルタ群220は、例えば次の帯域を通過帯域に有する複数のフィルタ(デュプレクサを含む)によって構成される。具体的には、当該帯域は、(i)Band12の送信帯域、(ii)Band13の送信帯域、(iii)Band14の送信帯域、(iv)Band27(またはBand26)の送信帯域、(v)Band29及びBand14(またはBand12、Band67及びBand13)の受信帯域、(vi−Tx)Band68及びBand28a(またはBand68及びBand28b)の送信帯域、(vi−Rx)Band68及びBand28a(またはBand68及びBand28b)の受信帯域、(vii−Tx)Band20の送信帯域、(vii−Rx)Band20の受信帯域、(viii)Band27(またはBand26)の受信帯域、(ix−Tx)Band8の送信帯域、ならびに、(ix−Rx)Band8の受信帯域、である。
送信側スイッチ231は、ローバンド側の複数の送信側信号経路に接続された複数の選択端子と送信増幅回路241に接続された共通端子とを有するスイッチ回路である。送信側スイッチ232は、ハイバンド側の複数の送信側信号経路に接続された複数の選択端子と送信増幅回路242に接続された共通端子とを有するスイッチ回路である。これら送信側スイッチ231及び232は、フィルタ群220の前段(ここでは送信側信号経路における前段)に設けられ、制御部(図示せず)からの制御信号にしたがって接続状態が切り替えられるスイッチ回路である。これにより、送信増幅回路241及び242で増幅された高周波信号(ここでは高周波送信信号)は、フィルタ群220の所定のフィルタを介してアンテナ端子ANTからアンテナ素子1(図1参照)に出力される。
受信側スイッチ251は、ローバンド側の複数の受信側信号経路に接続された複数の選択端子と受信増幅回路261に接続された共通端子とを有するスイッチ回路である。受信側スイッチ252は、所定のバンド(ここではBand20)の受信側信号経路に接続された共通端子と、受信側スイッチ251の選択端子及び受信側スイッチ253の選択端子に接続された2つの選択端子とを有するスイッチ回路である。受信側スイッチ253は、ハイバンド側の複数の受信側信号経路に接続された複数の選択端子と受信増幅回路262に接続された共通端子とを有するスイッチ回路である。これら受信側スイッチ251〜253は、フィルタ群220の後段(ここでは受信側信号経路における後段)に設けられ、制御部(図示せず)からの制御信号にしたがって接続状態が切り替えられる。これにより、アンテナ端子ANTに入力された高周波信号(ここでは高周波受信信号)は、フィルタ群220の所定のフィルタを介して、受信増幅回路261及び262で増幅されて、受信端子Rx1及びRx2からRFIC3(図1参照)に出力される。なお、ローバンドに対応するRFICとハイバンドに対応するRFICとが個別に設けられていてもかまわない。
送信増幅回路241は、ローバンドの高周波送信信号を電力増幅するパワーアンプであり、送信増幅回路242は、ハイバンドの高周波送信信号を電力増幅するパワーアンプである。
受信増幅回路261は、ローバンドの高周波受信信号を電力増幅するローノイズアンプであり、受信増幅回路262は、ハイバンドの高周波受信信号を電力増幅するローノイズアンプである。
このように構成された高周波フロントエンド回路2Lは、(iv)Band27(またはBand26)の送信帯域を通過帯域に有するフィルタとして、実施の形態1に係るフィルタ22Aを備える。つまり、当該フィルタは、制御信号にしたがって、通過帯域を、Band27の送信帯域とBand26の送信帯域とで切り替える。
また、高周波フロントエンド回路2Lは、(vi−Tx)Band68及びBand28a(またはBand68及びBand28b)の送信帯域を通過帯域に有する送信フィルタとして、実施の形態1の変形例1に係るフィルタ22Dを備え、(vi−Rx)Band68及びBand28a(またはBand68及びBand28b)の受信帯域を通過帯域に有する受信フィルタとして、実施の形態1の変形例2に係るフィルタ22Eを備える。つまり、当該送信フィルタ及び当該受信フィルタによって構成されるデュプレクサは、制御信号にしたがって、通過帯域を、Band68及びBand28aの送信帯域及び受信帯域とBand68及びBand28bの送信帯域及び受信帯域とで切り替える。
また、高周波フロントエンド回路2Lは、(viii)Band27(またはBand26)の受信帯域を通過帯域に有するフィルタとして、実施の形態1の変形例1に係るフィルタ22Dを備える。つまり、当該フィルタは、制御信号にしたがって、通過帯域を、Band27の送信帯域とBand26の送信帯域とで切り替える。
以上のように構成された高周波フロントエンド回路2Lによれば、上記実施の形態1〜3に係るフィルタ22A、22D及び22E(高周波フィルタ回路)を備えることにより、バンドごとにフィルタを設ける場合に比べてフィルタの個数を削減できるため、小型化することができる。
また、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路2Lによれば、フィルタ群220(複数の高周波フィルタ回路)の前段または後段に設けられた送信側スイッチ231及び232ならびに受信側スイッチ251〜253(スイッチ回路)を備える。これにより、高周波信号が伝達される信号経路の一部を共通化することができる。よって、例えば、複数の高周波フィルタ回路に対応する送信増幅回路241及び242あるいは受信増幅回路261及び262(増幅回路)を共通化することができる。したがって、高周波フロントエンド回路2Lの小型化及び低コスト化が可能となる。
なお、送信側スイッチ231及び232ならびに受信側スイッチ251〜253は、少なくとも1つが設けられていればよい。また、送信側スイッチ231及び232の個数、ならびに、受信側スイッチ251〜253の個数は、上記説明した個数に限らず、例えば、1つの送信側スイッチと1つの受信側スイッチとが設けられていてもかまわない。また、送信側スイッチ及び受信側スイッチの選択端子等の個数も、本実施の形態に限らず、それぞれ2つであってもかまわない。
(その他の実施の形態)
以上、本発明の実施の形態に係る高周波フィルタ回路、マルチプレクサ及び高周波フロントエンド回路について、実施の形態1〜5及び変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態及び変形例に限定されるものではない。上記実施の形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フィルタ回路、マルチプレクサ及び高周波フロントエンド回路を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
例えば、上述した高周波フロントエンド回路2とRFIC3(RF信号処理回路)とを備える通信装置4も本発明に含まれる。このような通信装置4によれば、マルチバンドに対応する通信装置4において、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、要求される周波数仕様に応じて通過帯域及び減衰極の周波数を切り替えることができる。
また、例えば、並列腕回路は、第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子を含む複数の並列腕共振子を有していればよく、並列腕共振子の個数は3以上であってもかまわない。
また、例えば、並列腕回路は、直列腕共振子22sの入出力端子22m側のノードと接続されていなくてもよく、直列腕共振子22sの入出力端子22n側のノードと接続されていてもかまわない。
また、直列腕共振子単体での共振周波数と反共振周波数との周波数間隔(直列腕共振子の共振子帯域幅)と、第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子単体での共振周波数と反共振周波数との周波数間隔(並列腕共振子の共振子帯域幅)との大小関係は特に限定されない。ただし、周波数可変幅を拡大する観点からは、並列腕共振子と直列腕共振子とで共振子帯域幅が略等しい、もしくは、並列腕共振子が直列腕共振子よりも共振子帯域幅が広いことが好ましい。ここで、「略等しい」とは、完全に等しいことだけでなく、実質的に等しいことも含まれる。なお、このことは、第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の一方(例えば、インピーダンス素子と直列接続されている並列腕共振子)についてのみ成立していてもかまわないし、第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の双方について成立していてもかまわない。
また、上記説明した直列腕共振子、第1並列腕共振子及び第2並列腕共振子の各々は、1つの共振子に限らず、1つの共振子が分割された複数の分割共振子によって構成されていてもかまわない。
また、例えば、制御部は、RFIC3(RF信号処理回路)の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波フロントエンド回路に設けられていてもかまわない。つまり、高周波フロントエンド回路は、上記説明した構成に限らず、周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路と、当該周波数可変回路のスイッチ素子のオン及びオフを制御する制御部と、を備えてもかまわない。このように構成された高周波フロントエンド回路によれば、通過帯域端の挿入損失の増大を抑制しつつ、要求される周波数仕様に応じて通過帯域を切り替えることができる。
また、上記説明した周波数可変回路を有する高周波フィルタ回路は、TDD(Time Division Duplex)用のフィルタであってもかまわない。
また、上記説明した直列腕回路は、共振回路に限らず、インダクタまたはキャパシタ等のインピーダンス素子であってもかまわない。
また、例えば、高周波フロントエンド回路または通信装置において、各構成要素の間に、インダクタやキャパシタが接続されていてもかまわない。なお、インダクタには、各構成要素間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。
本発明は、マルチバンドシステムに適用できる小型のフィルタ、マルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
1 アンテナ素子
2、2L 高周波フロントエンド回路
3 RFIC(RF信号処理回路)
4 通信装置
10、10D、10E 第1回路
20、20D、20E 第2回路
22A、22B、22D〜22H フィルタ(高周波フィルタ回路)
22C、22C1、22C2、221C1、221C2、222C1、222C2、223C キャパシタ(インピーダンス素子)
22J デュプレクサ
22L インダクタ(インピーダンス素子)
22m 入出力端子(第1入出力端子)
22n 入出力端子(第2入出力端子)
22p1、22p2、221p1、221p2、222p1、222p2、223p 並列腕共振子
22SW、22SW1、22SW2、221SW1、221SW2、222SW1、222SW2、223SW スイッチ(スイッチ素子)
22s、221s〜224s 直列腕共振子
22T、22Ta、22Tb 周波数可変回路
24、241、242 送信増幅回路
26、261、262 受信増幅回路
101 圧電性を有する基板
103、104 保護層
110 アンテナ共通端子
120、Rx、Rx1、Rx2 受信端子
120A、120D〜120F、120Z、121G〜123G 並列腕回路
121 IDT電極
121a、121b 櫛形電極
121f 電極指
122 Ksaw調整膜
130、Tx、Tx1、Tx2 送信端子
210 スイッチ群
211、212、213、214、215 金属膜
220 フィルタ群
231、232 送信側スイッチ(スイッチ回路)
251〜253 受信側スイッチ(スイッチ回路)
250 縦結合共振器
ANT アンテナ端子
reso 弾性表面波共振子
reso1、reso2 共振子

Claims (20)

  1. 第1入出力端子と第2入出力端子との間に接続された直列腕回路と、
    前記第1入出力端子と前記第2入出力端子とを結ぶ経路上のノードとグランドに接続された並列腕回路と、
    を備え、
    前記並列腕回路は、
    第1並列腕共振子を有する第1回路と、
    前記第1回路に並列接続され、かつ、第2並列腕共振子を有する、第2回路と、
    を有し、
    前記第1回路及び前記第2回路の少なくとも一方の回路は、さらに、
    前記一方の回路における前記第1並列腕共振子または前記第2並列腕共振子に直列接続され、かつ、互いに並列接続されたインピーダンス素子及びスイッチ素子を有する周波数可変回路を有し、
    前記第2並列腕共振子は、
    前記第1並列腕共振子の共振周波数と異なる共振周波数と、
    前記第1並列腕共振子の反共振周波数と異なる反共振周波数と、
    を有し、
    前記直列腕回路は、直列腕共振子を備え、
    前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記直列腕回路の共振周波数よりも低く、
    前記第2並列腕共振子の共振周波数は、前記直列腕回路の共振周波数よりも高く、
    前記並列腕回路は、前記第1並列腕共振子の共振周波数に対応した低周波数側の共振周波数、前記第2並列腕共振子の共振周波数に対応した高周波数側の共振周波数、前記第1並列腕共振子の反共振周波数に対応した低周波数側の反共振周波数、および前記第2並列腕共振子の反共振周波数に対応した高周波数側の反共振周波数を有し、
    前記並列腕回路の前記低周波数側の共振周波数によって通過帯域低域側の減衰極が規定され、前記並列腕回路の前記高周波数側の共振周波数によって通過帯域高域側の減衰極が規定され、前記並列腕回路の前記低周波数側の反共振周波数と前記直列腕回路の共振周波数によって通過帯域が規定される、
    高周波フィルタ回路。
  2. 記周波数可変回路は、前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路における前記低周波数側の共振周波数および前記高周波数側の共振周波数のうちの少なくとも1つの共振周波数と、前記低周波数側の反共振周波数および前記高周波数側の反共振周波数のうち少なくとも1つの反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせる、
    請求項1に記載の高周波フィルタ回路。
  3. 前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記第2並列腕共振子の共振周波数より低く、
    前記第1並列腕共振子の反共振周波数は、前記第2並列腕共振子の反共振周波数より低く、
    前記第1回路は前記周波数可変回路を有さず、前記第2回路は前記周波数可変回路を有し、
    前記第2回路の前記周波数可変回路は、前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路が有する前記高周波数側の共振周波数と、前記並列腕回路が有する前記低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせる、
    請求項1または2に記載の高周波フィルタ回路。
  4. 前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記第2並列腕共振子の共振周波数より低く、
    前記第1並列腕共振子の反共振周波数は、前記第2並列腕共振子の反共振周波数より低く、
    前記第1回路は前記周波数可変回路を有し、前記第2回路は前記周波数可変回路を有さず、
    前記第1回路の前記周波数可変回路は、前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路が有する前記低周波数側の共振周波数と、前記並列腕回路が有する前記低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせる、
    請求項1または2に記載の高周波フィルタ回路。
  5. 前記第1並列腕共振子の共振周波数は、前記第2並列腕共振子の共振周波数より低く、
    前記第1並列腕共振子の反共振周波数は、前記第2並列腕共振子の反共振周波数より低く、
    前記第1回路及び前記第2回路の各々が、前記周波数可変回路を有し、
    前記第1回路の前記周波数可変回路は、当該周波数可変回路が有する前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路が有する前記低周波数側の共振周波数と、前記並列腕回路が有する前記低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせ、
    前記第2回路の前記周波数可変回路は、当該周波数可変回路が有する前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路が有する前記高周波数側の共振周波数と、前記並列腕回路が有する前記低周波数側の反共振周波数とを、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせる、
    請求項1または2に記載の高周波フィルタ回路。
  6. 前記第1回路が有する前記周波数可変回路の前記スイッチ素子、及び、前記第2回路が有する前記周波数可変回路の前記スイッチ素子は、共に導通、または、共に非導通となるように切り替えられ、
    前記第1回路が有する前記周波数可変回路及び前記第2回路が有する前記周波数可変回路は、各々の前記スイッチ素子の導通及び非導通の切り替えによって、前記並列腕回路における前記低周波数側の共振周波数、前記高周波数側の共振周波数、前記低周波数側の反共振周波数、および前記高周波数側の反共振周波数を、共に、低周波数側または高周波数側にシフトさせる、
    請求項5に記載の高周波フィルタ回路。
  7. 前記インピーダンス素子は、キャパシタである、
    請求項1〜6のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路。
  8. 少なくとも2つの前記並列腕回路と、
    少なくとも1つの前記直列腕回路と、
    で構成されるラダー型のフィルタ構造を有する、
    請求項1〜7のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路。
  9. 共振子について、反共振周波数と共振周波数との周波数差を当該共振周波数で除した値を比帯域幅と定義した場合に、
    前記直列腕共振子の比帯域幅は、前記第1並列腕共振子及び前記第2並列腕共振子のうち少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅より狭い、
    請求項1に記載の高周波フィルタ回路。
  10. 前記高周波フィルタ回路は、少なくとも一部に圧電性を有する基板上に形成された複数の電極指からなるIDT電極を有する複数の弾性表面波共振子によって構成され、
    前記複数の弾性表面波共振子のうち少なくとも1つの前記直列腕共振子には、前記IDT電極と前記基板との間に、前記比帯域幅を調整する第1調整膜が形成されている、
    請求項9に記載の高周波フィルタ回路。
  11. 前記高周波フィルタ回路は、少なくとも一部に圧電性を有する基板上に形成された複数の電極指からなるIDT電極を有する複数の弾性表面波共振子によって構成され、
    前記複数の弾性表面波共振子のうち少なくとも1つの前記直列腕共振子の前記IDT電極は、前記比帯域幅を調整する第2調整膜によって覆われている、
    請求項9に記載の高周波フィルタ回路。
  12. 前記直列腕回路は、前記第1入出力端子と前記第2入出力端子との間に配置された縦結合共振器を備える、
    請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路。
  13. 前記第1並列腕共振子及び前記第2並列腕共振子のそれぞれは、弾性波共振子であり、
    前記弾性波共振子は、弾性表面波共振子、または、バルク弾性波共振子である、
    請求項1〜9及び12のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路。
  14. 前記スイッチ素子は、GaAsもしくはCMOSからなるFETスイッチ、または、ダイオードスイッチである、
    請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路。
  15. 前記インピーダンス素子は、可変キャパシタまたは可変インダクタである、
    請求項1〜14のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路。
  16. 請求項1〜15のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路を含む複数の高周波フィルタ回路を備える、
    マルチプレクサ。
  17. 前記複数の高周波フィルタ回路は、前記周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路を含み、
    前記周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路は、弾性波共振子で構成されており、
    共振子について、反共振周波数と共振周波数との周波数差を当該共振周波数で除した値を比帯域幅と定義した場合に、
    前記第1並列腕共振子及び前記第2並列腕共振子の少なくとも1つの並列腕共振子の比帯域幅は、前記周波数可変回路を有さない高周波フィルタ回路を構成する前記弾性波共振子の比帯域幅より広い、
    請求項16に記載のマルチプレクサ。
  18. 請求項1〜15のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路を含む複数の高周波フィルタ回路と、
    前記複数の高周波フィルタ回路の前段または後段に設けられ、前記複数の高周波フィルタ回路と個別に接続された複数の選択端子、及び、前記複数の選択端子と選択的に接続される共通端子を有するスイッチ回路と、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
  19. 請求項1〜15のいずれか1項に記載の高周波フィルタ回路と、
    前記スイッチ素子の導通及び非導通を制御する制御部と、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
  20. アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、
    前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項18または19に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
    通信装置。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018016279A1 (ja) 2016-07-22 2018-01-25 株式会社村田製作所 高周波フィルタ回路、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018097203A1 (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2018159020A1 (ja) * 2017-03-01 2018-09-07 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2019073899A1 (ja) * 2017-10-10 2019-04-18 株式会社村田製作所 マルチプレクサおよび高周波フィルタ
WO2019226683A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Skyworks Solutions, Inc. Filter including acoustic wave resonator in parallel with circuit element
WO2020054284A1 (ja) * 2018-09-13 2020-03-19 株式会社村田製作所 マルチプレクサならびにそれを用いた高周波フロントエンド回路および通信装置
CN111600565A (zh) * 2020-01-03 2020-08-28 诺思(天津)微系统有限责任公司 一种滤波电路、信号处理设备及制造所述滤波电路的方法
CN111130501A (zh) * 2020-01-07 2020-05-08 诺思(天津)微系统有限责任公司 一种滤波器、双工器及多工器
US20210399714A1 (en) * 2020-06-17 2021-12-23 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with three-layer electrodes

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3371849B2 (ja) * 1999-04-28 2003-01-27 株式会社村田製作所 Saw共振子、複合sawフィルタ及びsawフィルタ
JP4053504B2 (ja) * 2004-01-30 2008-02-27 株式会社東芝 チューナブルフィルタ
JP2007036856A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Fujitsu Media Device Kk 共振器、フィルタおよびアンテナ分波器
KR101404419B1 (ko) * 2006-03-01 2014-06-10 라이언 브라더스 컴퍼니 인크 디지털 인쇄된 아플리케 엠블럼
JP2009130831A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Samsung Electronics Co Ltd チューナブルフィルタ
FR2927742A1 (fr) * 2008-02-15 2009-08-21 St Microelectronics Sa Filtre a resonateur acoustiques de type baw reconfigurable par voie numerique et procede
JP5237138B2 (ja) * 2009-01-27 2013-07-17 太陽誘電株式会社 フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール
JP5394847B2 (ja) * 2009-08-06 2014-01-22 太陽誘電株式会社 分波器
EP3944497A3 (en) * 2010-12-10 2022-03-30 pSemi Corporation A tunable acoustic wave resonator module and method of tuning an acoustic wave filter
JP2012156741A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Panasonic Corp アンテナ共用器
WO2014034222A1 (ja) * 2012-08-28 2014-03-06 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6164292B2 (ja) * 2013-05-28 2017-07-19 株式会社村田製作所 チューナブルフィルタ
JP6439328B2 (ja) * 2014-09-03 2018-12-19 株式会社村田製作所 可変共振回路および可変フィルタ回路
JP6497018B2 (ja) * 2014-09-30 2019-04-10 株式会社村田製作所 デュプレクサ及びその製造方法

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