JP6748624B2 - スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット - Google Patents

Description

本発明は、スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲットに関する。

従来、スパッタリングターゲットの製造方法としては、特開平９−１４３７０７号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このスパッタリングターゲットの製造方法では、等方的な圧力を付与可能な熱間静水圧プレス（熱間等方圧加圧法：HIP(Hot Isostatic Press)）を適用することで、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合して、スパッタリングターゲットを製造している。

特開平９−１４３７０７号公報

ところで、熱間等方圧加圧法では、接合に必要な圧力が高くなり、また、接合に必要な時間が増加し、また、接合に必要なコストが高くなる。

そこで、本発明の課題は、ターゲット材のバッキングプレート材に対する接合強度が強いスパッタリングターゲットの製造方法を提供することにある。

前記課題を解決するため、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、
環状の枠部を有するバッキングプレート材にターゲット材を拡散接合してスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
前記バッキングプレート材の前記枠部の高さ方向において前記ターゲット材の最上位置が前記バッキングプレート材の前記枠部の最上位置よりも高くなるように、前記バッキングプレート材の前記枠部の内側に前記ターゲット材を組み込む組込工程と、
前記バッキングプレート材に前記ターゲット材を拡散接合する接合工程と
を備え、前記バッキングプレート材の硬度よりも小さい硬度の前記ターゲット材を用いる。

本発明のスパッタリングターゲットの製造方法によれば、ターゲット材の最上位置がバッキングプレート材の枠部の最上位置よりも高くなるように、バッキングプレート材の枠部の内側にターゲット材を組み込む。その後、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合する。

これにより、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合する際、例えば、熱板によりターゲット材を上方から押圧しながら加熱する際、ターゲット材の最上位置はバッキングプレート材の枠部の最上位置よりも高いので、熱板はターゲット材の最上位置に接触する。したがって、熱板によりターゲット材に十分な荷重をかけることができ、ターゲット材のバッキングプレート材に対する接合強度が強いスパッタリングターゲットを作製することができる。

また、スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、前記接合工程において、熱板により前記ターゲット材を一軸方向に押圧しながら加熱して、前記バッキングプレート材に前記ターゲット材を拡散接合する。
本実施形態において、上記「熱板」は、押圧時にターゲット材及びバッキングプレート材の何れかの側又は両側に位置している。以下、押圧時にターゲット材側に位置する熱板を「上熱板」と称し、押圧時にバッキングプレート材に位置する熱板を「下熱板」と称することがある。
該拡散接合は、後述するように、ホットプレスを用いて行うことができる。

前記実施形態によれば、ホットプレスを用いることができるので、熱間等方圧加圧法と比べて、接合に必要な圧力が低減され、接合に必要な時間が短縮され、接合に必要なコストが低減される。

また、スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、前記組込工程において、前記ターゲット材の最上位置と前記バッキングプレート材の前記枠部の最上位置との間の高低差を、前記ターゲット材の厚みに対して１％以上にする。

前記実施形態によれば、ターゲット材の最上位置とバッキングプレート材の枠部の最上位置との間の高低差を、ターゲット材の厚みに対して１％以上にする。これにより、熱板によりターゲット材を一軸方向に押圧しながら加熱して、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合する際、ターゲット材のバッキングプレート材に対する接合強度を強くできる。

また、スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、前記ターゲット材の材料は、ＡｌもしくはＡｌ合金、好ましくはＡｌである。

前記実施形態によれば、ターゲット材の材料は、ＡｌもしくはＡｌ合金であるので、ターゲット材の硬度は、小さい。このため、熱板によりターゲット材を一軸方向に押圧しながら加熱すると、ターゲット材は潰れやすくなって、ターゲット材とバッキングプレート材との間の隙間をなくし、接合時に密着性を高めることができる。したがって、ターゲット材のバッキングプレート材に対する接合強度を強くできる。

また、スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、前記バッキングプレート材の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｆｅ、及び、それらの合金のうちの、１種類以上から選択される材料、好ましくはＡｌ、Ｃｕ及びそれらの合金のうちの、１種類以上から選択される材料、である。

前記実施形態によれば、バッキングプレート材は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｆｅ、及び、それらの合金のうちの、１種類以上から選択される材料である。これにより、バッキングプレート材の硬度をターゲット材の硬度よりも大きくでき、バッキングプレート材の変形を抑制できる。

また、スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、前記組込工程の前に、前記バッキングプレート材と前記ターゲット材の少なくとも一方にメッキ層を設け、前記接合工程において、前記バッキングプレート材と前記ターゲット材を前記メッキ層により接合する。

前記実施形態によれば、一軸方向から押圧、好ましくは上方から押圧（一軸プレス）して接合する際に、低い温度においても、バッキングプレート材とターゲット材をメッキ層により接合できる。

また、スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、前記接合工程の前後において、前記ターゲット材の結晶方位のＸ線強度比の変化率は、８０％以上でかつ１２０％以下である。

前記実施形態によれば、接合工程の前後において、ターゲット材の変質を低減できる。

また、スパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態では、前記接合工程の前後において、前記ターゲット材の結晶粒径の変化率は、７５％以上でかつ１２５％以下である。

前記実施形態によれば、接合工程の前後において、ターゲット材の変質を低減できる。

また、スパッタリングターゲットの一実施形態では、
環状の枠部を有するバッキングプレート材と、
前記バッキングプレート材の前記枠部の内側に嵌合されたターゲット材と
を備え、
前記ターゲット材の硬度が、前記バッキングプレート材の硬度よりも小さく、
前記バッキングプレート材の前記枠部の高さ方向において、前記ターゲット材の最上位置は、前記バッキングプレート材の前記枠部の最上位置よりも高い。

前記実施形態によれば、バッキングプレート材の枠部の高さ方向において、ターゲット材の最上位置は、バッキングプレート材の枠部の最上位置よりも高い。これにより、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合する際、例えば、熱板によりターゲット材を上方から押圧しながら加熱する際、ターゲット材の最上位置はバッキングプレート材の枠部の最上位置よりも高いので、熱板はターゲット材の最上位置に接触する。したがって、熱板によりターゲット材に十分な荷重をかけることができ、ターゲット材のバッキングプレート材に対する接合強度を強くできる。

また、スパッタリングターゲット製造用接合体の一実施形態では、
環状の枠部を有するバッキングプレート材と、
前記バッキングプレート材の前記枠部の内側に嵌合されたターゲット材と
を備え、
前記ターゲット材の硬度が、前記バッキングプレート材の硬度よりも小さく、
前記バッキングプレート材の前記枠部の高さ方向において、前記ターゲット材の最上位置は、前記バッキングプレート材の前記枠部の最上位置よりも高い。

前記実施形態によれば、バッキングプレート材の枠部の高さ方向において、ターゲット材の最上位置は、バッキングプレート材の枠部の最上位置よりも高い。これにより、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合する際、例えば、熱板によりターゲット材を上方から押圧しながら加熱する際、ターゲット材の最上位置はバッキングプレート材の枠部の最上位置よりも高いので、熱板はターゲット材の最上位置に接触する。したがって、熱板によりターゲット材に十分な荷重をかけることができ、ターゲット材のバッキングプレート材に対する接合強度を強くできる。

本発明のスパッタリングターゲットの製造方法によれば、ターゲット材の最上位置がバッキングプレート材の枠部の最上位置よりも高くなるように、バッキングプレート材の枠部の内側にターゲット材を組み込む。その後、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合する。これにより、ターゲット材のバッキングプレート材に対する接合強度を強くできる。

本発明のスパッタリングターゲットの第１実施形態を示す斜視図である。 第１実施形態のスパッタリングターゲットの断面図である。 第１実施形態のスパッタリングターゲットの拡大断面図である。 第１実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する説明図である。 第１実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する説明図である。 第１実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する説明図である。 第１実施形態のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する説明図である。 高低差ｄ／プレス前厚みＴ１［％］と、接合強度［ｋｇ／ｍｍ^２］との関係を示すグラフである。 高低差ｄ／プレス前厚みＴ１［％］と、プレス後厚みＴ２／プレス前厚みＴ１［％］との関係を示すグラフである。 高低差ｄ／プレス前厚みＴ１［％］と、ホットプレス前後でのターゲット材の結晶粒径の変化率［％］との関係を示すグラフである。 本発明のスパッタリングターゲットの第２実施形態を示す断面図である。 本発明のスパッタリングターゲットの第３実施形態を示す断面図である。

以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１Ａは、本発明のスパッタリングターゲットの第１実施形態を示す斜視図である。図１Ｂは、スパッタリングターゲットの断面図である。図１Ａと図１Ｂに示すように、スパッタリングターゲット１は、バッキングプレート材１０と、バッキングプレート材１０の上面に接合されたターゲット材２０とを有する。バッキングプレート材１０は、底板１１と、底板１１の上面の外周縁に設けられた環状の枠部１２とを有する。ターゲット材２０は、バッキングプレート材１０の枠部１２の内側に嵌合され、底板１１の上面に拡散接合されている。枠部１２の高さ方向を上下方向とし、底板１１を下側とし、底板１１と反対側を上側とする。バッキングプレート材１０およびターゲット材２０は、上方からみて、円形に形成されている。なお、バッキングプレート材１０およびターゲット材２０は、長円形や楕円形や多角形などに形成されていてもよい。

バッキングプレート材１０の枠部１２の高さ方向において、ターゲット材２０の最上位置は、バッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置よりも高い。つまり、ターゲット材２０の上面２１は、バッキングプレート材１０の枠部１２の上面１２ａよりも上方に突出している。上面２１は、その中央部に、上方に突出する円形の突出部２１ａを有する。

ターゲット材２０の上面２１は、スパッタリングによりプラズマ化（またはイオン化）した不活性ガスを受けるスパッタリング面を含む。不活性ガスが衝突されたスパッタリング面からは、ターゲット材２０中に含まれるターゲット原子が叩き出される。その叩き出された原子は、スパッタリング面に対向して配置される基板上に、堆積され、この基板上に薄膜が形成される。

ターゲット材２０は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）等の金属およびそれらの合金からなる群から選択される材料から作製することができるが、ターゲット材２０を構成する材料は、これらに限定されるものではない。ターゲット材２０の材料としては、硬度がバッキングプレート材よりも小さく、拡散接合時に変形しやすい材料が好ましい。具体的には、ＡｌもしくはＡｌ合金が好ましく、例えば添加元素を除く母材のＡｌ純度が９９．９９％以上、より好ましくは９９．９９９％以上、さらに好ましくは９９．９９９９％以上のＡｌを使用することが特に好ましい。Ａｌの純度が増加すると母材（ターゲット材）の硬度が低下し、押圧された際により変形し、バッキングプレート材との接合性をより高めることができる。また、Ａｌをターゲット材として用いる場合、アロイスパイクやエレクトロマイグレーション等の観点から、ＳｉやＣｕ、Ｎｄ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ等を添加元素として加えてもよく、好ましくはＡｌ−Ｃｕ合金（例えば、Ａｌ−１．０％Ｃｕ、Ａｌ−０．５％Ｃｕなど）、Ａｌ−Ｓｉ合金（例えば、Ａｌ−１．０％Ｓｉ、Ａｌ−０．５％Ｓｉなど）、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金（例えば、Ａｌ−１．０％Ｓｉ−０．５％Ｃｕなど）を用いる。さらには、ビッカース硬度が５０以下、好ましくは４５以下、より好ましくは４０以下のＡｌを使用することが特に好ましい。

バッキングプレート材１０の材料は、ターゲット材２０の材料と同じであってもよい。好ましくは、バッキングプレート材１０の材料は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）、及び、それらの合金のうちの、１種類以上から選択される材料である。好ましくは、バッキングプレート材１０の硬度は、ターゲット材２０の硬度よりも大きい。ターゲット材２０がＡｌもしくはＡｌ合金の場合には、例えば、Ａ２０２４合金、純Ｃｕ、Ｃｕ−Ｃｒ合金、ＳＵＳ３０４、Ａ５０５２合金、A５０８３合金、A６０６１合金、A７０７５合金などを使用することが好ましく、ビッカース硬度を５０より大きく、好ましくは１００以上、より好ましくは１１０以上、さらに好ましくは１３０以上にすることで、バッキングプレート材の変形を抑制できる。

バッキングプレート材１０の直径は、例えば、１２０ｍｍ〜８５０ｍｍ、好ましくは２５０ｍｍ〜６５０ｍｍ、より好ましくは３００ｍｍ〜５５０ｍｍであり、ターゲット材２０の直径は、例えば、９０ｍｍ〜７００ｍｍ、好ましくは２００ｍｍ〜６００ｍｍ、より好ましくは３００ｍｍ〜５００ｍｍであり、拡散接合に用いられるバッキングプレート材１０およびターゲット材２０として好適である。なお、バッキングプレート材１０の直径およびターゲット材２０の直径は、これに限定されないが、作業効率の観点からターゲット材２０を組み込むバッキングプレート材１０の枠部１２の内側の直径は、組み込むターゲット材２０よりも、大きくすることが好ましいが、ターゲット材２０の外側とバッキングプレート材１０の枠部１２の内側との距離が大きすぎると、加圧方向以外に生じるターゲット材２０の変形量が大きくなり、十分な接合強度が得られなかったり、ターゲット材２０の結晶性の変化が生じやすくなったりするため、バッキングプレート材１０の枠部１２の内側の直径は、組み込むターゲット材２０よりも、０．１ｍｍ〜１０ｍｍ、好ましくは０．２ｍｍ〜５ｍｍ、より好ましくは０．３ｍｍ〜１ｍｍ大きくすることが好ましい。

図１Ｃは、図１Ｂの拡大図である。図１Ｃに示すように、バッキングプレート材１０とターゲット材２０の間には、メッキ層４０を設けることができる。メッキ層４０を設けることで、バッキングプレート材１０とターゲット材２０の接合を高めることができる。具体的に述べると、メッキ層４０は、少なくとも、底板１１の上面１１ａとターゲット材２０の底面２０ａの間に設けられている。メッキ層４０の材料は、銀であるが、クロムや亜鉛、銅、ニッケル等の金属であってもよい。メッキ層４０は、予め、バッキングプレート材１０とターゲット材２０の少なくとも一方に形成されるが、このときの形成方法は、電解メッキ、無電解メッキ等の一般的なメッキ方法であり、スパッタリングターゲットを大量に生産する場合には、一般的にメッキ速度の速い電解メッキ法を用いることが好ましい（例えば、特公昭５８−５５２３７、特開２０１０−２２２６１７、特開２００９−１４９９６５に記載がある。）。また、バッキングプレート材１０とターゲット材２０の表面にメッキ層４０を設ける場合、まず、その表面に下地層として銅や亜鉛などの金属層をメッキし、この銅や亜鉛層に銀層をメッキするようにしてもよい。このとき、メッキ層４０は、銀層以外に銅もしくは亜鉛などの金属層を含む。このように、メッキ層４０は、単層であってもよく、または、複数層であってもよい。

図１Ｂは、スパッタリングターゲット１を示すが、図１Ｂを、スパッタリングターゲット製造用接合体としてもよく、その後、スパッタリングターゲット製造用接合体のバッキングプレート材１０の枠部１２や、ターゲット材２０の上面２１をフライス盤、ＮＣフライス盤、マシニングセンタ、旋盤、ＮＣ旋盤等を用いた機械加工によって削り取って、所望のサイズ、表面状態に仕上げたスパッタリングターゲットとしてもよい。

次に、スパッタリングターゲット１の製造方法について説明する。

図２Ａに示すように、金属材料をフライス盤、ＮＣフライス盤、マシニングセンタ、旋盤、ＮＣ旋盤等を用いた切削加工して、バッキングプレート材１０およびターゲット材２０を準備する。そして、バッキングプレート材１０およびターゲット材２０に銀メッキを施す。このとき、底板１１の上面および枠部１２の内周面と、ターゲット材２０の底面および側面とに（つまり、バッキングプレート材１０とターゲット材２０とが接触する部分に）、銀メッキ（図１Ｃのメッキ層４０）を施す。好ましくは、底板１１の上面とターゲット材２０の底面に銀メッキを設ける。なお、バッキングプレート材１０およびターゲット材２０の全面に銀メッキを施してもよいが、この際、最終工程でターゲット材２０の上面２１（スパッタリング面）の銀メッキを取り除く必要がある。また、メッキ層を設ける前処理として、脱脂処理、酸処理、アルカリ処理、水洗等の処理を行ってもよく、これらの処理は公知の方法により行うことができる。ターゲット材２０やバッキングプレート材１０がＡｌもしくはＡｌ合金の場合には、Ａｌ表面に強固な酸化被膜が生じ、表面にメッキ処理を行うことが困難であるため、メッキ処理の前にジンケート処理を行ってもよい。ジンケート処理は公知の方法で行うことができ、例えば、水酸化ナトリウムや酸化亜鉛を含むジンケート液、好ましくは、錯化剤、金属塩をさらに含むジンケート液に浸漬する。ジンケート処理を行うことにより、Ａｌ表面がＺｎに置換され、活性な表面の再酸化を防止したり、制限したりすることができる。また、ジンケート処理後、硝酸等のジンケート剥離液に浸漬し、亜鉛置換被膜を剥離し、再度ジンケート処理行うことで、より緻密かつ均一な亜鉛置換被膜を形成することができる。ジンケート処理は、３回以上繰り返し行ってもよい。また、接合に用いる銀メッキ層を設ける前に、メッキ層の膨れや剥がれなどのメッキ密着不良を防止するために、ニッケルや銅、銀など、及び、それら金属を含む合金等でストライクメッキ処理を実施してもよい。例えば、銅でストライクメッキする場合、シアン化銅やピロりん酸銅を含むメッキ液中で電解メッキすることで、銅ストライクメッキ層を設けることができる。

その後、図２Ｂに示すように、バッキングプレート材１０の枠部１２の内側にターゲット材２０を組み込む。これを、組込工程という。このとき、図３Ａに示すように、バッキングプレート材１０の枠部１２の高さ方向において、ターゲット材２０の最上位置がバッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置よりも高くなるように、設定されている。ターゲット材２０の最上位置は、ターゲット材２０の上面２１に形成された突出部２１ａの位置である。バッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置は、枠部１２の上面１２ａの位置である。

その後、熱板（好ましくは、上熱板３１）によりターゲット材２０の上面２１（突出部２１ａ）を一軸方向に押圧、好ましくは上方から押圧しながら加熱して、バッキングプレート材１０にターゲット材２０を拡散接合する。例えば、図３Ｂに示すように、バッキングプレート材１０にターゲット材２０を拡散接合する。このとき、上熱板３１および下熱板３２により、バッキングプレート材１０およびターゲット材２０を上下から挟んで加熱し上下方向に加圧する。これを、ホットプレスという。つまり、バッキングプレート材１０とターゲット材２０をメッキ層を介して接合する。

ホットプレス工程では、公知のホットプレス機を用いることができる。なお、バッキングプレート材１０およびターゲット材２０を上下方向に加圧する際は、下熱板３２が固定された状態で上熱板３１のみが下方向に加圧してもよく、上熱板３１が固定された状態で下熱板３２のみが上方向に加圧してもよい。加圧方向は、必ずしも鉛直方向である必要はなく、バッキングプレート材１０およびターゲット材２０からなる組込体が、接合に支障のないように固定できるのであれば、バッキングプレート材１０とターゲット材２０の接合面が鉛直方向と平行となる様に設置し、水平方向に加圧して接合してもよいが、未接合部なく、均一に接合するためには、上下方向に加圧して接合するほうが好ましい。また、図３Ｂでは、バッキングプレート材１０の内側にターゲット材２０を組み込んだ組込体の熱板への設置方法の一例が示されているが、ターゲット材２０が上側（ターゲット材２０の上面２１が上熱板３１に接触する）となるように設置しても、ターゲット材２０が下側（ターゲット材２０の上面２１が下熱板３２に接触する）となるように設置してもよい。このとき、ターゲット材２０の上面２１に接触する熱板の面を、プレス面と呼ぶことができる。

ここで、ホットプレスの条件の一例について説明する。ホットプレスの工程は、バッキングプレート材１０の内側にターゲット材２０を組み込んだ組込体の予熱工程、その後の加圧工程からなる。ターゲット材のサイズがφ４５０ｍｍであるとき、ホットプレス時の熱板の温度は、ターゲット材の組成にはよるが、２００℃〜５００℃、好ましくは２２０℃〜４００℃、より好ましくは２３０℃〜３３０℃であり、ターゲット材の温度が熱板の温度の±２０℃、好ましくは±１０℃になるように予熱することが好ましい。予熱時の熱板の温度は１９０℃〜５００℃、好ましくは２１０℃〜４００℃、より好ましくは２２０℃〜３７０℃であり、予熱時間は５分以上、好ましくは５分〜６０分、より好ましくは１０分〜３０分である。予熱方法の一例としては、バッキングプレート材１０の内側にターゲット材２０を組み込んだ組込体を下熱板上に置き、上熱板を組込体のターゲット材上面２１の直上、好ましくは０ｍｍより大きく５０ｍｍ以下、より好ましくは１０ｍｍ〜４０ｍｍ、さらに好ましくは１５ｍｍ〜３０ｍｍ離れた位置に近づけた状態で静置する方法がある。ホットプレス時にバッキングプレート材１０の内側にターゲット材２０を組み込んだ組込体に与える圧力は８ＭＰａ以上、好ましくは１０ＭＰａ〜８０ＭＰａ、より好ましくは２５ＭＰａ〜７０ＭＰａであり、加圧時間は１０分以上、好ましくは１０分以上６０分以下、より好ましくは２０分〜４０分である。なお、ターゲット材のサイズが大きくなると、加圧も大きくなる。

上熱板３１、下熱板３２を構成する材料は、合金鋼、炭素鋼等の高強度な合金であることが好ましく、例えば、ＳＣＭ４３０、ＳＣＭ４４０等のクロムモリブデン鋼や、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６等のステンレス鋼、Ｓ４５Ｃ、Ｓ６０Ｃ等の炭素鋼を用いることができる。

上熱板３１、下熱板３２の形状は、特に限定されず、ターゲット材を押圧する面が円形であってもよいし、長方形、正方形の四角形、もしくはそれ以外の多角形であってもよい。また、上熱板３１、下熱板３２のサイズは、好ましくはターゲット材２０全体を押圧可能なサイズであればよく、ターゲット材２０のサイズに応じて決定すればよい。例えば、φ４５０ｍｍのターゲット材、φ５５０ｍｍのバッキングプレート材を押圧するには、正方形型の熱板の場合、１０００ｍｍ×１０００ｍｍ×ｔ１００ｍｍのサイズを用いることができる。バッキングプレート材１０に接触する側の熱板のサイズは、バッキングプレート材サイズとほぼ同等かそれ以上であればよいが、ターゲット材２０の上面２１に接する側の熱板のサイズは、熱板の押圧面の１辺の長さが、ターゲット材の直径に対して０．８倍〜５倍、好ましくは１倍〜３倍、より好ましくは１．２倍〜２．５倍のサイズであることが好ましい。

具体的に述べると、上熱板３１の下面によりターゲット材２０の上面２１の中心部（突出部２１ａ）をその上面２１の外周部よりも先に上方から押圧しながら加熱して、バッキングプレート材１０にターゲット材２０を拡散接合する。このとき、上熱板３１の下面は、平坦であるが、ターゲット材２０の上面２１の中心部（突出部２１ａ）は、その上面２１の外周部よりも、上方に突出しているので、簡単な構成で、上熱板３１によりターゲット材２０の上面２１の中心部（突出部２１ａ）をその上面２１の外周部よりも先に押圧できる。なお、突出部２１ａの形状は、１段で構成されているが、複数段から構成されるようにしてもよい。突出部２１ａの上面は、平坦であるが、凸曲面であってもよい。また、突出部２１ａの上面が凸曲面である場合、上熱板３１の下面により押圧時に、突出部２１ａの内、下面と接触し、押圧される領域をターゲット材２０の上面２１の中心部と見なすことが出来る。

突出部２１ａの幅Ｗ１は、通常ターゲット材の幅Ｗ２（径）に対し３０％以上であり、ターゲット材２０の中心部における接合強度を強くする上では、４０〜６０％であることが好ましい。また、突出部２１ａの上面２１からの突出具合については、ターゲット材２０の鉛直断面における、上面２１の外周部の外周端縁と突出部２１ａの外周端縁とを結ぶ線分と、上面２１の外周部との成す角度θにて判断することができる。前述の線分と、上面２１の外周部との成す角度θが、０．０５°以上であることが好ましく、０．０５°〜０．５０°がより好ましく、０．１０°〜０．３０°がさらに好ましい。前述の角度θがこの範囲にあると上熱板３１からの圧力をターゲット材２０やバッキングプレート材１０に効果的に伝えることができ、接合強度を強めることができる。突出部２１ａの上部が複数段から構成される場合、上面２１の外周部の外周端縁とそれぞれの突出部段の外周端縁とを結ぶ線分と、上面２１の外周部とのなす角度の内の最大の角度が、上記範囲を示せばよく、突出部２１ａの形状が凸曲面の場合、凸曲面に接する線分と上面２１の外周部とのなす角度の内の最大の角度が、上記範囲を示せばよい。

このようにして、図１Ｂに示すように、スパッタリングターゲット１を製造する。ホットプレスにより、ターゲット材２０のプレス後の厚みＴ２は、図３Ｂのプレス前の厚みＴ１よりも小さくなる。なお、バッキングプレート材１０にターゲット材２０を接合した後に、仕上げ切削を行うようにしてもよい。スパッタリングターゲット１の仕上げ切削には、フライス盤、ＮＣフライス盤、マシニングセンタ、旋盤、ＮＣ旋盤等を用いることが好ましい。

したがって、スパッタリングターゲット１の製造方法によれば、ターゲット材２０の最上位置がバッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置よりも高くなるように、バッキングプレート材１０の枠部１２の内側にターゲット材２０を組み込む。その後、バッキングプレート材１０にターゲット材２０を拡散接合する。

これにより、上熱板３１によりターゲット材２０を上方から押圧しながら加熱する際、ターゲット材２０の最上位置はバッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置よりも高いので、上熱板３１はターゲット材２０の最上位置に接触する。したがって、上熱板３１によりターゲット材２０に十分な荷重をかけることができ、ターゲット材２０のバッキングプレート材１０に対する接合強度を強くできる。

また、ホットプレスを用いているので、熱間等方圧加圧法と比べて、接合に必要な圧力が低減され、接合に必要な時間が短縮され、接合に必要なコストが低減される。

また、バッキングプレート材１０とターゲット材２０はメッキ層４０により接合されるので、一軸方向から押圧、好ましくは上方から押圧（一軸プレス）して接合する際に、メッキ層４０を設けていない場合より低い温度、例えば、２００℃〜５００℃、好ましくは２２０℃〜４００℃、より好ましくは２３０℃〜３３０℃でも、バッキングプレート材１０とターゲット材２０を確実に接合できる。特に、ターゲット材２０がＡｌやＡｌ合金のような比較的低融点金属からなる場合、メッキ層を介して上記の様な低温で接合できるので、ターゲット材２０の変質（結晶性の変化）を抑えることができる。

好ましくは、バッキングプレート材１０の底板１１の上面１１ａとターゲット材２０の底面２０ａがメッキ層４０により接合される。ホットプレスにより、バッキングプレート材１０の上面１１ａとターゲット材２０の底面２０ａに力を抵抗なく伝えることができ、接合面での密着力が増し、結果として接合強度が上がる。また、ホットプレスは一軸プレスのため、ターゲット材２０の側面とバッキングプレート材１０の枠部１２の内周面には接合できるほどの力がかからなくてもよく、ターゲット材２０の側面はバッキングプレート材１０と接合していなくてもよい。ターゲット材２０の側面がバッキングプレート１０と接合していないと、接合面側が平坦もしくは枠部が若干残存するバッキングプレート形状のスパッタリングターゲットに仕上げる場合、バッキングプレートの枠部を周方向に根元から切り出すことが可能であるため、切削時間を削減できる。

好ましくは、ターゲット材２０の材料は、ＡｌもしくはＡｌ合金であり、ターゲット材２０の硬度は、バッキングプレート材１０に比べて小さくなる。このため、上熱板３１によりターゲット材２０を上方から押圧しながら加熱すると、ターゲット材２０は潰れやすくなって、ターゲット材２０とバッキングプレート材１０との間の隙間をなくし、接合時に密着性を高めることができる。したがって、ターゲット材２０のバッキングプレート材１０に対する接合強度を強くできる。

好ましくは、バッキングプレート材１０は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｆｅ、及び、それらの合金のうちの、１種類以上から選択される材料であり、バッキングプレート材１０の硬度をターゲット材２０の硬度よりも大きくできる。これにより、バッキングプレート材１０の変形を抑制できる。

好ましくは、図３Ａに示すように、組込工程において、ターゲット材２０の最上位置（突出部２１ａ）とバッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置（上面１２ａ）との間の高低差ｄを、ターゲット材２０のプレス前厚みＴ１に対して、１％以上、好ましくは５％以上、より好ましくは７％以上、さらに好ましくは１０％以上にする。つまり、ｄ／Ｔ１を１％以上、好ましくは５％以上、より好ましくは７％以上、さらに好ましくは１０％以上にする。

したがって、上熱板３１によりターゲット材２０を一軸方向に、好ましくは上方から押圧しながら加熱して、バッキングプレート材１０にターゲット材２０を拡散接合する際、ターゲット材２０のバッキングプレート材１０に対する接合強度を強くできる。

図４に、高低差ｄ／プレス前厚みＴ１［％］と、接合強度［ｋｇ／ｍｍ^２］との関係を示す。この関係は、ターゲット材２０の径に関わらず、成り立つ。接合強度とは、引張試験機（（株）島津製作所製、万能試験機、ＵＨ−５００ｋＮＩＲ）を用いて、バッキングプレート材１０とターゲット材２０とをそれぞれ反対方向に引っ張って、スパッタリングターゲット１が破断したときの強度である。

図４は、φ３４ｍｍ×ｔ０．２ｍｍの突出部を設けたφ９０ｍｍ×ｔ１０．０ｍｍのＡｌ−０．５％Ｃｕのターゲット材２０と、中央に任意の深さのφ９０．３ｍｍの凹み部を設けたφ１２０ｍｍ×ｔ２５ｍｍのＡ２０２４合金のバッキングプレート材１０とを、銀メッキ層を介し、圧力５６ＭＰａ、接合温度２７０℃、予熱時間１０分、加圧時間３０分で拡散接合した場合の結果である。銀メッキ処理は、ターゲット材とバッキングプレート材の接合面側に行い、ジンケート処理、銅ストライクメッキ処理後、電解メッキ法にて、約１０μｍの銀メッキ層を設けた。ホットプレスには、素材がＳＣＭ４４０製、サイズが１０００ｍｍ×１０００ｍｍ×ｔ１００ｍｍの上熱板、下熱板を備えた森鉄工株式会社製のホットプレス機（型番：ＭＳＦ−１０００ＨＰ）を用いた。下熱板上に置いたバッキングプレート材とターゲット材の組込体に対し、上熱板を鉛直下向き方向に動かし、上方から押圧しながら加熱した。拡散接合によって得られたスパッタリングターゲット１から採取した試験片を用いて、接合強度を測定した。試験片のサイズは、幅１０ｍｍ×奥行１５ｍｍ×高さ１９ｍｍであるが、接合部の接合強度が測定しやすいよう、高さ方向の中央部は幅が４ｍｍとなるように、幅３ｍｍ×奥行１５ｍｍ×高さ３ｍｍを幅方向の両サイドから切除し、くびれを設けた（試験片における接合部の面積は幅４ｍｍ×奥行１５ｍｍとなる）。試験片は、スパッタリングターゲットの外周部付近から採取した。バッキングプレート材１０とターゲット材２０との接合が強いと、ターゲット材２０で破断され、一方、バッキングプレート材１０とターゲット材２０との接合が弱いと、バッキングプレート材１０とターゲット材２０との接合面で破断される。

比較例として、図４の破線に示すように、９９．９９９％の高純度アルミニウムの引張強度は、５ｋｇ／ｍｍ^２である。つまり、ターゲット材２０の材料が、９９．９９９％の高純度アルミニウムとすると、接合強度が、５ｋｇ／ｍｍ^２よりも小さいとき、バッキングプレート材１０とターゲット材２０との接合面で破断されているといえる。

図４から分かるように、ｄ／Ｔ１が１％以上であるとき、接合強度は５ｋｇ／ｍｍ^２よりも大きくなり、ターゲット材２０のバッキングプレート材１０に対する接合強度は強くなった。一方、ｄ／Ｔ１が１％よりも小さいとき、接合強度は５ｋｇ／ｍｍ^２よりも小さくなり、ターゲット材２０のバッキングプレート材１０に対する接合強度は低下した。

要するに、高低差ｄが存在することで、上熱板３１でターゲット材２０を押圧するとき、上熱板３１が枠部１２の上面１２ａに当たる前に、ターゲット材２０に十分な荷重を加えることができた。この結果、接合強度を強くできた。これに対して、高低差ｄが存在しないと、上熱板３１でターゲット材２０を押圧するとき、上熱板３１が枠部１２の上面１２ａに先に当接して、ターゲット材２０に十分な荷重を加えることができなかった。

図５に、高低差ｄ／プレス前厚みＴ１［％］と、プレス後厚みＴ２／プレス前厚みＴ１［％］との関係を示す。この関係は、ターゲット材２０の径に関わらず、成り立つ。図５は、φ３４ｍｍ×ｔ０．２ｍｍの突出部を設けたφ９０ｍｍ×ｔ１０ｍｍのＡｌ−０．５％Ｃｕのターゲット材２０と、中央に任意の深さのφ９０．３ｍｍの凹み部を設けたφ１２０ｍｍ×ｔ２５ｍｍのＡ２０２４合金のバッキングプレート材１０とを、銀メッキ層を介し、圧力５６ＭＰａ、接合温度２７０℃、予熱時間１０分、加圧時間３０分で拡散接合した場合の結果である。銀メッキ処理は、ターゲット材とバッキングプレート材の接合面側に行い、ジンケート処理、銅ストライクメッキ処理後、電解メッキ法にて、約１０μｍの銀メッキ層を設けた。ホットプレスには、素材がＳＣＭ４４０製、サイズが１０００ｍｍ×１０００ｍｍ×ｔ１００ｍｍの上熱板、下熱板を備えた森鉄工株式会社製のホットプレス機（型番：ＭＳＦ−１０００ＨＰ）を用いた。下熱板上に置いたバッキングプレート材とターゲット材の組込体に対し、上熱板を鉛直下向き方向に動かし、上方から押圧しながら加熱した。

図５から分かるように、ｄ／Ｔ１が大きくなれば、Ｔ２／Ｔ１が小さくなった。つまり、高低差ｄが大きくなると、上熱板３１の押圧によりターゲット材２０が潰れる量が多くなって、ターゲット材２０のプレス後厚みＴ２が薄くなった。このように、高低差ｄを大きくしていくと、ターゲット材２０が潰れて無駄になる量が多くなった。例えば、Ｔ２／Ｔ１を９０％としたいなら、ｄ／Ｔ１を６３％とする。Ｔ２／Ｔ１を８０％としたいなら、ｄ／Ｔ１を９１％とする。

したがって、好ましくは、図４と図５に示すように、ターゲット材２０のバッキングプレート材１０に対する接合強度とターゲット材２０の潰れ量（Ｔ２／Ｔ１）とを考慮して、高低差ｄの割合（ｄ／Ｔ１）を決定するとよい。

図６に、高低差ｄ／プレス前厚みＴ１［％］と、ホットプレス前後でのターゲット材の結晶粒径の変化率［％］を示す。図６は、φ３４ｍｍ×ｔ０．２ｍｍの突出部を設けたφ９０ｍｍ×ｔ１０ｍｍのＡｌ−０．５％Ｃｕのターゲット材２０と、中央に任意の深さのφ９０．３ｍｍの凹み部を設けたφ１２０ｍｍ×ｔ２５ｍｍのＡ２０２４合金のバッキングプレート材１０とを、銀メッキ層を介し、圧力５６ＭＰａ、接合温度２７０℃、予熱時間１０分、加圧時間３０分で拡散接合した場合の結果である。

銀メッキ処理は、ターゲット材とバッキングプレート材の接合面側に行い、ジンケート処理、銅ストライクメッキ処理後、電解メッキ法にて、約１０μｍの銀メッキ層を設けた。ホットプレスには、素材がＳＣＭ４４０製、サイズが１０００ｍｍ×１０００ｍｍ×ｔ１００ｍｍの上熱板、下熱板を備えた森鉄工株式会社製のホットプレス機（型番：ＭＳＦ−１０００ＨＰ）を用いた。下熱板上に置いたバッキングプレート材とターゲット材の組込体に対し、上熱板を鉛直下向き方向に動かし、上方から押圧しながら加熱した。結晶粒径は、平均結晶粒径を示し、ターゲット材の中央部と端部の表層付近から１５ｍｍ×１５ｍｍ×ｔ１０ｍｍの試験片を採取し、ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法を用いて算出した。そして、ホットプレス前後の値を求め、ターゲット材の結晶粒径の変化率を求めた。

図６から分かるように、ｄ／Ｔ１が大きくなれば、ホットプレス後のターゲット材２０の結晶粒径が大きくなり、変化率も大きくなった。つまり、高低差ｄが大きくなると、上熱板３１の押圧によりターゲット材２０が潰れる量が多くなり、ターゲット材の結晶性が変化しやすくなった。したがって、好ましくは、図３Ａに示すように、組込工程において、ターゲット材２０の最上位置（突出部２１ａ）とバッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置（上面１２ａ）との間の高低差ｄを、ターゲット材２０のプレス前厚みＴ１に対して、５０％以下、好ましくは５０％より小さく、より好ましくは３０％以下、さらに好ましくは２０％以下にする。これにより、熱板によりターゲット材を一軸方向に、好ましくは上方から押圧しながら加熱して、バッキングプレート材にターゲット材を拡散接合する際、ターゲット材の接合前後での結晶粒径の変化を抑えることができ、好ましくは、変化率を±２０％以内に抑えることができる。ターゲット材の結晶粒径は、例えば金属の場合、鋳造、その後の熱処理や塑性加工で調整されていることが一般的であり、接合の段階では結晶粒径、結晶性の変化を生じさせないことが好ましい。

表１に、ホットプレス前後でのターゲット材の各結晶方位のＸ線強度比の変化率を示す。

表１に示すように、ターゲット材１の材料とターゲット材２の材料は、異なる。具体的に述べると、ターゲット材１は平均結晶粒径７２μｍのＡｌ−０．５％Ｃｕであり、ターゲット材２は平均結晶粒径４３μｍのＡｌ−０．５％Ｃｕである。それぞれのターゲット材において、φ２２０ｍｍ×ｔ０．３ｍｍの突出部を設けたφ４５０ｍｍ×ｔ１４．５ｍｍのＡｌ−０．５％Ｃｕのターゲット材２０と、中央にφ４５０．３ｍｍ×ｔ１２．０ｍｍの凹み部を設けたφ５５０ｍｍ×ｔ２６ｍｍのＡ２０２４合金のバッキングプレート材１０とを、銀メッキ層を介し、圧力５６ＭＰａ、接合温度２７０℃、予熱時間１０分、加圧時間３０分で拡散接合した場合の結果である。銀メッキ処理は、ターゲット材とバッキングプレート材の接合面側に行い、ジンケート処理、銅ストライクメッキ処理後、電解メッキ法にて、約１０μｍの銀メッキ層を設けた。ホットプレスには、素材がＳＣＭ４４０製、サイズが１０００ｍｍ×１０００ｍｍ×ｔ１００ｍｍの上熱板、下熱板を備えた森鉄工株式会社製のホットプレス機（型番：ＭＳＦ−１０００ＨＰ）を用いた。下熱板上に置いたバッキングプレート材とターゲット材の組込体に対し、上熱板を鉛直下向き方向に動かし、上方から押圧しながら加熱した。

ターゲット材の各結晶方位のＸ線強度比の変化率は、以下の手順で求めた。まずは、接合前のターゲット材の一部から切り出した１５ｍｍ×１５ｍｍ×ｔ１０ｍｍの測定サンプルを用意し、耐水研磨紙で表面研磨した後、表面の歪部を取るため、塩化第二銅水溶液にて表面エッチングを行った。表面のエッチングには、王水、フッ硝酸水溶液、水酸化ナトリウム水溶液などを用いてもよい。水洗後、乾燥させた測定サンプルを株式会社リガクのＸＲＤ装置（型式：ＵｌｔｉｍａIV）でθ／２θ測定（開始角度２０°、終了角度８０°、試料回転速度３０ｒｐｍ、スキャンスピード２°、ステップ幅０．０１°、電圧４０ｋＶ、電流４０ｍＡ）を行い、（１１１）、（２００）、（２２０）、（３１１）の各結晶面の測定強度（ｃｐｓ）を求めた。そして、（１１１）、（２００）、（２２０）、（３１１）の各測定強度を、各結晶面の相対強度比で割った補正強度を求め、各結晶面の補正強度を（１１１）、（２００）、（２２０）、（３１１）の補正強度の合計値で除し、（２００）、（２２０）の２つの結晶面の強度比率を算出した。そして、ホットプレス後のターゲット材からも一部切り出した測定サンプルを用意し、同様に（２００）、（２２０）の２つの結晶面の強度比率を算出し、ターゲット材の（２００）、（２２０）の２つの結晶方位のＸ線強度比の変化率を求めた。

表１から分かるように、ホットプレスの前後において、ターゲット材の結晶方位のＸ線強度比の変化率は、９０％以上でかつ１１０％以下である。したがって、ホットプレスの前後において、ターゲット材の変質を低減できる。ターゲット材の結晶方位ごとに、スパッタリング時のスパッタレートが異なることは知られており、結晶方位の変化がスパッタ特性の変化を引き起こす。ターゲット材の結晶方位は、例えば金属の場合、鋳造、その後の熱処理や塑性加工で調整されていることが一般的であり、接合の段階では結晶方位の変化を生じさせないことが好ましく、結晶方位のＸ線強度比の変化率は、８０％以上１２０％以下、好ましくは９０％以上１１０％以下に抑えたほうがよい。

表２に、ホットプレス前後でのターゲット材の結晶粒径の変化率を示す。

表２に示すように、前記ターゲット材１と前記ターゲット材２を用いている。ホットプレス時の条件は、前記ターゲット材１と前記ターゲット材２の接合条件と同等である。結晶粒径は、平均結晶粒径を示し、ターゲット材の中央部と端部の表層付近から１５ｍｍ×１５ｍｍ×ｔ１０ｍｍの試験片を採取し、ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法を用いて算出した。そして、ホットプレス前後の値を求め、ターゲット材の結晶粒径の変化率を求めた。

表２から分かるように、ホットプレスの前後において、ターゲット材の結晶粒径の変化率は、ホットプレス時の温度が２４０℃〜３２０℃においては、８０％以上でかつ１２５％以下である。したがって、ターゲット材がＡｌもしくはＡｌ合金の場合には、ホットプレス時の温度を２４０℃以上３５０℃未満、好ましくは２４０℃以上３３０℃以下すると、ホットプレスの前後において、ターゲット材の変質を低減できる。

（第２実施形態）
図７は、本発明のスパッタリングターゲットの第２実施形態を示す断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、ターゲット材の上面の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。

図７に示すように、組込工程におけるスパッタリングターゲット１Ａでは、ターゲット材２０の上面２１の全面は、平坦である。バッキングプレート材１０の枠部１２の高さ方向において、ターゲット材２０の上面２１の位置（最上位置）は、バッキングプレート材１０の枠部１２の上面１２ａの位置（最上位置）よりも高くなるように、設定されている。

したがって、ターゲット材２０の上面２１の全面は平坦であるので、ホットプレスにおいて上熱板３１をターゲット材２０の上面２１の全面に押し当てることができ、ターゲット材２０の全体に均一に荷重を加えることができる。

（第３実施形態）
図８は、本発明のスパッタリングターゲットの第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、バッキングプレート材とターゲット材の位置関係が相違する。この相違する構成を以下に説明する。

図８に示すように、組込工程におけるスパッタリングターゲット１Ｂでは、バッキングプレート材１０の枠部１２の高さ方向において、ターゲット材２０の上面２１の突出部２１ａの位置（最上位置）は、バッキングプレート材１０の枠部１２の上面１２ａの位置（最上位置）よりも高くなるように、設定されている。ターゲット材２０の上面２１の一部（突出部２１ａを除く部分）の位置は、バッキングプレート材１０の枠部１２の上面１２ａの位置と同一である。

したがって、ターゲット材２０の上面２１の一部は、バッキングプレート材１０の枠部１２の最上位置と同一であるので、ホットプレスにおいて上熱板３１をターゲット材２０の上面２１の突出部２１ａのみに押圧することができ、上熱板３１の押圧によりターゲット材２０が潰れる量を低減できる。したがって、ターゲット材２０が潰れて無駄になる量を低減できる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

前記実施形態では、バッキングプレート材とターゲット材をホットプレスによって接合しているが、バッキングプレート材とターゲット材を熱間等方圧加圧法によって接合するようにしてもよい。

前記実施形態では、製造されたスパッタリングターゲットにおいて、バッキングプレート材は、枠部を有しているが、仕上げ工程において、枠部の少なくとも一部を切削するようにしてもよい。また、ターゲット材の上面（突出部を含む）に対して仕上げ工程により、少なくとも一部を切削、研磨し、スパッタリング面の平坦、平滑性を整えてもよい。

１，１Ａ，１Ｂ スパッタリングターゲット
１０ バッキングプレート材
１１ 底板
１１ａ 上面
１２ 枠部
１２ａ 上面
２０ ターゲット材
２０ａ 底面
２１ 上面
２１ａ 突出部
３１ 上熱板
３２ 下熱板
４０ メッキ層
ｄ ターゲット材の最上位置とバッキングプレート材の枠部の最上位置との間の高低差
Ｔ１ ターゲット材のプレス前の厚み
Ｔ２ ターゲット材のプレス後の厚み

Claims (7)

1. 環状の枠部を有するバッキングプレート材にターゲット材を拡散接合してスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
   前記バッキングプレート材の前記枠部の高さ方向において前記ターゲット材の最上位置が前記バッキングプレート材の前記枠部の最上位置よりも高くなるように、前記バッキングプレート材の前記枠部の内側に前記ターゲット材を組み込む組込工程と、
   前記バッキングプレート材に前記ターゲット材を拡散接合する接合工程と
   を備え、前記バッキングプレート材の硬度よりも小さい硬度の前記ターゲット材を用い、
   前記組込工程において、前記ターゲット材の最上位置と前記バッキングプレート材の前記枠部の最上位置との間の高低差を、前記ターゲット材の厚みに対して１％以上２０％以下にし、かつ、前記バッキングプレート材の前記枠部の内側の直径を前記ターゲット材の直径よりも０．１ｍｍ〜１０ｍｍ大きくし、
   前記接合工程において、前記ターゲット材が変形するように押圧しながら加熱して、前記バッキングプレート材に前記ターゲット材を拡散接合する、スパッタリングターゲットの製造方法。
2. 前記接合工程において、熱板により前記ターゲット材を一軸方向に押圧して、前記バッキングプレート材に前記ターゲット材を拡散接合する、請求項１に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
3. 前記ターゲット材の材料は、ＡｌもしくはＡｌ合金である、請求項１または２に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
4. 前記バッキングプレート材の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｆｅ、及び、それらの合金のうちの、１種類以上から選択される材料である、請求項１から３の何れか一つに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
5. 前記組込工程の前に、前記バッキングプレート材と前記ターゲット材の少なくとも一方にメッキ層を設け、前記接合工程において、前記バッキングプレート材と前記ターゲット材を前記メッキ層により接合する、請求項１から４の何れか一つに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
6. 前記接合工程の前後において、前記ターゲット材の結晶方位のＸ線強度比の変化率は、８０％以上でかつ１２０％以下である、請求項１から５の何れか一つに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
7. 前記接合工程の前後において、前記ターゲット材の結晶粒径の変化率は、７５％以上でかつ１２５％以下である、請求項１から６の何れか一つに記載のスパッタリングターゲットの製造方法。

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