JP6744603B2 - 炭化珪素半導体装置の駆動方法および炭化珪素半導体装置の駆動回路 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の駆動方法および炭化珪素半導体装置の駆動回路 Download PDFInfo
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Description
図1は、炭化珪素半導体装置の電流密度に対する積層欠陥の成長速度を示すグラフである。図1は、発明者らが150℃の温度において積層欠陥の成長と電流密度の関係を実験した結果である。図1において、縦軸は積層欠陥の成長速度を示し、単位はμm/secであり、横軸は電流密度を示し、単位はA/cm2である。積層欠陥の成長速度は、炭化珪素半導体基板内の帯状の積層欠陥が延びる速度である。
2 電流オフ
3 微小電流
4 AC電源
5 コイル
6 IGBT
7 ダイオード
8 コンデンサ
9 抵抗
10、11 電流の向き
Claims (9)
- 炭化珪素半導体装置をオンにして負荷電流を流し、該オンの後に該炭化珪素半導体装置のオフ時に、前記炭化珪素半導体装置のオン時に流れる電流と同方向の電流であって、かつ小さい微小電流を、所定時間の間、前記炭化珪素半導体装置に流す工程、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の駆動方法。 - 前記所定時間は、前記炭化珪素半導体装置のオン時に成長した積層欠陥を縮小することに要する時間であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の駆動方法。
- 前記微小電流の電流密度は、前記微小電流による積層欠陥の縮小が最大となる電流密度を使用することを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の駆動方法。
- 前記微小電流による積層欠陥の縮小が最大となる電流密度は、5A±1.5A/cm2であることを特徴とする請求項3に記載の炭化珪素半導体装置の駆動方法。
- 前記負荷電流の電流密度が300A/cm 2 以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の駆動方法。
- 前記微小電流を、所定時間の間、前記炭化珪素半導体装置に流す工程を所定回数繰り返す動作、
とすることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の駆動方法。 - 前記炭化珪素半導体装置がMOSFET又はIGBTであって、オン時に流れる電流がドレイン又はコレクタからソース又はエミッタの方向であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の駆動方法。
- 炭化珪素半導体装置をオンにして負荷電流を流し、該オンの後に該炭化珪素半導体装置のオフ時に、前記炭化珪素半導体装置のオン時に流れる電流と同方向の電流であって、かつ小さい微小電流を、所定時間の間、前記炭化珪素半導体装置に流す回路、
を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の駆動回路。 - 前記回路は、前記炭化珪素半導体装置をオンにすることにより、前記炭化珪素半導体装置に流れる電流を増加させる回路であり、前記炭化珪素半導体装置をオンにした後、前記炭化珪素半導体装置に流れる電流が前記微小電流以上になる前に前記炭化珪素半導体装置をオフにする動作を所定回数繰り返す回路であることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置の駆動回路。
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