JP6742077B2 - フッ素非含有タングステンで高アスペクト比フィーチャを充填する方法 - Google Patents

フッ素非含有タングステンで高アスペクト比フィーチャを充填する方法 Download PDF

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Description

関連出願への相互参照
本願は、米国特許法第１１９条（ｅ）の下、２０１４年５月３１日出願の米国仮特許出願第６２／００６，１１７号「ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＦＩＬＬＩＮＧ ＨＩＧＨ ＡＳＰＥＣＴ ＲＡＴＩＯ ＦＥＡＴＵＲＥＳ ＷＩＴＨ ＦＬＵＯＲＩＮＥ ＦＲＥＥ ＴＵＮＧＳＴＥＮ」の利益を主張し、さらに、米国特許法第１１９条（ｅ）の下、２０１４年１１月４日出願の米国仮特許出願第６２／０７５，０９２号「ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＦＩＬＬＩＮＧ ＨＩＧＨ ＡＳＰＥＣＴ ＲＡＴＩＯ ＦＥＡＴＵＲＥＳ ＷＩＴＨ ＦＬＵＯＲＩＮＥ ＦＲＥＥ ＴＵＮＧＳＴＥＮ」の利益を主張し、これらの出願は、すべての目的のために参照により全体が本明細書に組み込まれる。
化学蒸着（ＣＶＤ）技術を用いたタングステン薄膜蒸着は、半導体製造処理の不可欠な部分である。例えば、タングステン薄膜は、水平相互接続の形態の低抵抗電気接続、隣接する金属層の間のビア、ならびに、シリコン基板上の第１の金属層およびデバイスの間のコンタクトとして利用されうる。タングステン蒸着処理の一例において、バリア層が、誘電体基板上に蒸着され、その後、タングステン薄膜の薄い核形成層が蒸着される。その後、タングステン薄膜の残りが、バルク層として核形成層上に蒸着される。従来、タングステンバルク層は、化学蒸着処理において、水素（Ｈ２）で六フッ化タングステン（ＷＦ６）を還元することによって形成される。
本明細書に記載された主題の一態様は、基板上にタングステンを蒸着させる方法である。その方法は、第１のセットの条件で基板を塩化タングステンおよび還元剤に暴露させて、化学蒸着（ＣＶＤ）によって基板のフィーチャ内に第１のタングステン層を蒸着させる工程と、第２のセットの条件で基板を塩化タングステンおよび還元剤に暴露させて、第１のタングステン層をエッチングする工程と、を備える。
様々な実施形態によると、蒸着工程およびエッチング工程で用いられる塩化タングステン化合物は、同じであっても異なっていてもよい塩化タングステン（ＷＣｌｘ）は、ＷＣｌ２、ＷＣｌ４、ＷＣｌ５、ＷＣｌ６、および、それらの混合物を含む。還元剤の例は、水素（Ｈ２）を含む。
いくつかの実施形態において、第１のタングステン層をエッチングする工程は、フィーチャの開口部付近の第１のタングステン層の平均厚さの減少がフィーチャの内部の第１のタングステン層の平均厚さの減少よりも大きくなるような非共形エッチングを含む。いくつかの実施形態において、第１のセットの条件から第２のセットの条件に移行することは、温度を下げることを含む。いくつかの実施形態において、第１のセットの条件から第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌｘの流束を上げることを含む。いくつかの実施形態において、第１のセットの条件から第２のセットの条件に移行することは、チャンバの圧力を下げることを含む。いくつかの実施形態において、第１のセットの条件から第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌｘの流量を上げることを含む。いくつかの実施形態において、第１のセットの条件から第２の条件に移行することは、ＷＣｌｘの濃度を上げることを含む。
主題の別の態様は、タングステンで部分的に充填されたフィーチャをＷＣｌｘに暴露させることにより、部分的に充填されたフィーチャ内のタングステンの一部を除去する工程を備える方法に関する。いくつかの実施形態において、フィーチャは、水素（Ｈ２）にも暴露されてよい。いくつかの実施形態において、フィーチャの開口部付近のタングステンの平均厚さの減少は、フィーチャの内部のタングステンの平均厚さの減少よりも大きい。
本明細書に開示された主題の別の態様は、基板を処理するための装置に関する。装置は、（ａ）基板を保持するよう構成されたペデスタルを備えた１または複数の処理チャンバと、（ｂ）少なくとも１つの流出口と、（ｃ）１または複数の処理ガス源に接続された１または複数の処理ガス流入口と、（ｄ）装置内の動作を制御するためのコントローラと、を備えてよく、コントローラは、（ｉ）１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入し、（ｉｉ）（ｉ）の後に、１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入するためのマシン読み取り可能な命令を備え、（ｉ）から（ｉｉ）への移行は、蒸着レジームからエッチングレジームに切り替えるための命令を含む。
いくつかの実施形態において、コントローラは、塩化タングステンの濃度を上げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える。いくつかの実施形態において、コントローラは、基板の温度を下げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える。いくつかの実施形態において、コントローラは、塩化タングステンを変更することによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える。いくつかの実施形態において、コントローラは、塩化タングステンの流量を上げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える。
これらの態様および他の態様について、図面を参照しつつ以下でさらに説明する。
特定の実施形態に従って、半導体処理の異なる段階中の高アスペクト比フィーチャを含む半導体基板の一例を示す図。
記載された実施形態に従って実行される工程を示す処理フローチャート。
充填処理の異なる段階でのフィーチャの断面の一例を示す概略図。
特定の実施形態に従って、フィーチャのボトムアップ充填の一例を示す図。
特定の実施形態に従って、タングステン薄膜蒸着処理およびエッチング処理を実行するのに適した処理システムの一例を示す概略図。
特定の実施形態に従って、蒸着ステーションの一例を示す概略図。
４５０℃および５５０℃でＷＣｌ６／Ｈ２暴露の圧力の関数としてタングステン（Ｗ）および窒化チタン（ＴｉＮ）の厚さを示す圧力曲線。
ＷＣｌ５およびＷＣｌ６について前駆体濃度の関数としてＣＶＤ蒸着速度およびエッチング移行を示すグラフ。
以下の説明では、提示した実施形態の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。開示された実施形態は、これらの具体的な詳細事項の一部またはすべてがなくとも実施可能である。また、開示した実施形態が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の処理動作の詳細な説明は省略した。開示した実施形態は、具体的な実施形態に関連して説明されているが、開示した実施形態を限定する意図はないことを理解されたい。
半導体デバイス製造は、しばしば、特に、相互接続を形成するためにトレンチまたはビア内に、タングステン薄膜を蒸着することを含む。タングステン薄膜を蒸着する従来の方法では、核形成タングステン膜が、ビアまたはコンタクト内に最初に蒸着される。一般に、核形成層は、その上に続けてバルク材料を形成するのを容易にするよう機能する薄い共形層である。タングステン核形成層は、フィーチャの側壁および底部を共形に被覆するように蒸着されてよい。下にあるフィーチャの底部および側壁と共形にすることは、高品質な蒸着を支援するのに重要であり得る。核形成層は、しばしば、原子層蒸着（ＡＬＤ）またはパルス核形成層（ＰＮＬ）法を用いて蒸着される。
ＰＮＬ技術では、反応物質のパルスが順に投入され、通例は反応物質の間のパージガスのパルスによって、反応チャンバからパージされる。第１の反応物質が、基板上に吸着されて、次の反応物質と反応できるようになる。処理は、所望の厚さが達成されるまで、循環的に繰り返される。ＰＮＬは、ＡＬＤ技術と類似している。ＰＮＬは、一般に、その比較的高い動作圧範囲（１Ｔｏｒｒを超える）および高いサイクルあたり成長率（サイクルあたり１単層膜成長を超える）によってＡＬＤと区別される。ＰＮＬ蒸着中のチャンバ圧は、約１Ｔｏｒｒから約４００Ｔｏｒｒの範囲であってよい。本明細書で提供する説明の文脈では、ＰＮＬは、概して、半導体基板上での反応のために反応物質を順次追加する任意の循環的処理を表す。したがって、その概念は、従来ＡＬＤと呼ばれている技術を表す。
タングステン核形成層が蒸着された後、通例は、バルクタングステンが、水素（Ｈ２）などの還元剤を用いて六フッ化タングステン（ＷＦ６）を還元することによって非順次化学蒸着（ＣＶＤ）で蒸着される。開示された実施形態の文脈では、非順次ＣＶＤは、複数の反応物質が一緒に気相反応のためのリアクタに導入される処理を表す。ＰＮＬおよびＡＬＤ処理は、ＣＶＤ処理とは異なっており、逆もまた同様である。
従来のタングステン蒸着は、フッ素含有タングステン前駆体ＷＦ６の利用を含んでいた。しかしながら、ＷＦ６の利用の結果として、蒸着されたタングステン薄膜内にフッ素がいくらか混入する。デバイスが小さくなるにつれ、フィーチャが小さくなり、エレクトロマイグレーションおよびイオン拡散の有害な影響が顕著になることにより、デバイスの欠陥が引き起こされる。フッ素の存在は、隣接する構成要素へのエレクトロマイグレーションおよび／またはフッ素拡散を引き起こす場合があり、コンタクトを損傷し、それにより、デバイスの性能を低下させる。したがって、微量のフッ素を含むタングステン薄膜は、集積化および信頼性の問題と、下層の薄膜またはデバイス構造（ビアおよびゲートなど）に関連するデバイス性能の問題とをもたらしうる。
かかる信頼性および集積化またはデバイス性能の問題を防ぐには、フッ素非含有タングステン（ＦＦＷ）前駆体が有効である。現在のＦＦＷ前駆体は、金属有機前駆体を含むが、炭素、水素、窒素、および、酸素など、金属有機前駆体からの望ましくない微量の元素も、タングステン薄膜に取り込まれうる。また、いくつかの金属有機フッ素非含有前駆体は、タングステン蒸着処理で実施することも組み込むことも容易ではない。
本明細書に開示の方法は、フッ素非含有タングステン（ＦＦＷ）でフィーチャを充填する工程を含む。いくつかの実施形態では、フッ素非含有塩化タングステン（ＷＣｌｘ）前駆体を用いて、タングステン薄膜の優良なステップカバレッジが提供される。処理は、最初に部分的な蒸着を実行し、エッチングを行った後に、第２の蒸着で充填を完了することにより、ＦＦＷ薄膜と、高アスペクト比トレンチの充填とを実現できる。いくつかの実施形態において、これは、蒸着前駆体およびエッチャントの両方としてＷＣｌｘを用いて蒸着条件からエッチング条件に処理条件を変更するだけで、単一のチャンバ内でその場で（ｉｎ−ｓｉｔｕ）達成することができる。いくつかの実施形態において、フィーチャを充填するために、複数の蒸着エッチングサイクルが実行されてもよい。
タングステン含有材料でフィーチャを充填すると、充填されたフィーチャ内にシームの形成を引き起こしうる。シームは、フィーチャの側壁上に蒸着されている層がピンチポイントを形成することによって密封する点まで厚くなった時に形成されうる；この点の下方の任意のボイド空間が、処理チャンバの環境から隔離される。このピンチングは、前駆体および／またはその他の反応物質が、残ったボイド空間に入ることを妨げるため、それらのボイド空間は充填されないまま残る。ボイド空間は、フィーチャの深さ方向に沿って充填されたフィーチャの一部にわたって伸びる細長いシームでありうる。このボイド空間すなわちシームは、その形状から、キーホールと呼ばれることもある。
シーム形成には複数の潜在的な原因がある。１つは、タングステン含有材料、もしくは、より典型的には、拡散バリア層または核形成層などの他の材料の蒸着中に、フィーチャ開口部付近に形成されるオーバーハングである。図１は、特定の実施形態に従って、半導体処理の異なる段階中の高アスペクト比フィーチャを含む半導体基板の一例を示す。第１の断面１０１は、事前に形成されたフィーチャホール１０５を備えた基板１０３を示す。基板は、例えば、２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、または、４５０ｍｍウエハなど、シリコンウエハであってよい。フィーチャホール１０５は、少なくとも約２：１のアスペクト比、または、より具体的な実施形態においては少なくとも約４：１のアスペクト比、を有してよい。後に詳述するように、本明細書で開示する方法は、はるかに高いアスペクト比（例えば、少なくとも１２：１または少なくとも３０：１）を有するフィーチャの充填に利用できる。フィーチャホール１０５は、さらに、約１０ナノメートルから５００ナノメートルの間（例えば、約２５ｎｍから３００ｎｍの間）の開口部（例えば、開口部直径またはライン幅など）に近い断面寸法を有しうる。フィーチャホールは、未充填フィーチャまたは単にフィーチャとも呼ばれる。
次の段階（断面１１１）では、図に示すように、基板１０３は、フィーチャホール１０５をライニングする下層１１３を蒸着されており、下層１１３は、拡散バリア層、接着層、核形成層、それらの組み合わせ、または、任意の他の適切な材料であってよい。 多くの蒸着処理は良好なステップカバレッジ特性を持たないので、フィーチャ内部よりもフィールド領域上および開口部付近に多くの材料が蒸着され、下層１１３は、オーバーハング１１５を形成しうる。下層１１３の一部としてオーバーハング１１５を有すると、下層１１３は、フィーチャ内部よりも開口部付近で厚くなりうる。この説明のために、「開口部付近」は、フィールド領域から測定したフィーチャの深さの約０〜１０％に対応するフィーチャ内の（すなわち、フィーチャの側壁に沿った）おおよその位置または領域と定義する。特定の実施形態において、開口部付近の領域は、開口部の領域に対応する。さらに「フィーチャ内部」は、フィーチャの上部のフィールド領域から測定したフィーチャの深さの約２０〜６０％に対応するフィーチャ内のおおよその位置または領域と定義する。通例は、特定のパラメータ（例えば、厚さ）の値が、「開口部付近」または「フィーチャ内部」のものと特定されている場合、これらの値は、これらの位置／領域内で得られた測定値または複数の測定値の平均を表す。特定の実施形態において、開口部付近の下層の平均厚さは、フィーチャ内部での平均厚さよりも少なくとも約１０％大きい。より具体的な実施形態において、この差は、少なくとも約２５％、少なくとも約５０％、または、少なくとも約１００％であってもよい。フィーチャ内での材料の分布は、そのステップカバレッジによって特徴付けられてもよい。この説明のために、「ステップカバレッジ」は、２つの厚さの比、すなわち、フィーチャ内部材料の厚さを開口部付近の材料の厚さで割ったものとして定義される。特定の例において、下層のステップカバレッジは、約１００％未満であり、より具体的には、約７５％未満またはさらに低い約５０％未満である。
次の断面１２１は、タングステン含有材料１２３で充填されたフィーチャホールを示す。蒸着処理により、下層１１３上に材料１２３の共形層が積層されうる。この蒸着層は、オーバーハング１１５を含む下層１１３の形状に従う。特定の実施形態において、特に、蒸着処理の後半の段階（例えば、フィーチャを閉じる直前）に、層１２３は、共形性が低くなり、低いステップカバレッジを引き起こしうる（すなわち、フィーチャ内部よりも開口部付近に多くの材料が蒸着される）。層１２３が厚くなると、フィーチャを閉じて、ピンチポイント１２５を形成しうる。しばしば、蒸着処理が停止される前に、いくつかのさらなる材料が、ピンチポイント１２５の上方に蒸着される。オーバーハング１１５、および、特定の実施形態においては層１２３の低いステップカバレッジのために、閉じたフィーチャは、参照点１２５の下に未充填のボイドを有しうる。ボイドは、シーム１２９と呼ばれる。シーム１２９のサイズ、および、フィールド領域１２７に対する参照点１２５の位置は、オーバーハング１１５のサイズと、フィーチャのサイズ、アスペクト比、および、ボーイング（湾曲）と、蒸着処理パラメータと、その他のパラメータとによって決まる。
最後に、断面１３１は、基板１０３から最上層を除去する化学機械平坦化（ＣＭＰ）の後の基板１３３を示す。ＣＭＰは、基板１０３の上面に存在した層１１３および１２３の一部などオーバーバーデン（余剰物）をフィールド領域から除去するために用いられてよい。通例、基板１０３も、ＣＭＰ中に薄化されて、基板１３３を形成する。図１のようにピンチポイント１２５がＣＭＰ処理の平坦化レベルよりも上にある場合、シーム１２９が開いて、シーム開口部１３５を通して環境に暴露される。
図１では示していないが、シーム形成またはシームの拡大およびフィールド領域の近くへの参照点の移動につながりうる別の原因は、フィーチャホールの曲がった（すなわち湾曲した）側壁（湾曲したフィーチャとも呼ばれる）である。湾曲したフィーチャでは、開口部付近の空洞の断面寸法が、フィーチャ内部よりも小さい。湾曲したフィーチャのこれらの狭い開口部の影響は、上述のオーバーハングの問題といくぶん類似している。さらに、湾曲したフィーチャは、オーバーハングを持つ下層を有し、他のシーム形成の原因に直面して、シーム形成の悪影響を悪化させうる。
本明細書では、フッ素非含有タングステン（ＦＦＷ）でフィーチャを充填する方法を提供する。方法は、前駆体およびエッチャントの両方として塩化タングステン（ＷＣｌｘ）を用いることを含む。方法は、フィーチャ内にタングステン薄膜を形成および成形して所望のステップカバレッジを提供するために用いることができる。例えば、１００％を超えるステップカバレッジ（例えば、最大１５０％）が提供されうる。いくつかの実施形態において、方法は、フィーチャを部分的に充填するために、ＷＣｌｘを用いてフィーチャ内にタングステンを蒸着すること、および、非共形エッチングを実行してフィーチャ内の特定の位置からタングステンを除去することを含む。いくつかの実施形態において、さらなる蒸着エッチングサイクルが実行されてもよい。１または複数の蒸着エッチングサイクル後に、タングステンの蒸着でフィーチャ充填が完了されてよい。この方法は、リエントラント型のエッチングプロファイルまたは張り出したバリア膜を有する困難なコンタクト構造の完全な充填を可能にする。いくつかの実施形態において、充填は、ボトムアップ充填法で行われる。ＷＣｌｘが前駆体として用いられるので、フッ素非含有Ｗ薄膜が実現され、これは、優秀な信頼性特性を有するため、デバイス性能を向上させる。方法は、現在の製造技術ノード（≧２Ｘｎｍ）および先進的な開発ノード（≦２Ｘｎｍ）のニーズに対処する。
塩化タングステンは、ＷＣｌ２、ＷＣｌ４、ＷＣｌ５、および、ＷＣｌ６、ならびに、これらの混合物を含む。さらに、以下の説明では、主にフッ素を利用しない方法を記載しているが、別の実施形態において、ＷＣｌｘは、フッ化塩化タングステンＷＦｘＣｌｙと、塩化タングステンＷＣｌｘおよびフッ化タングステンＷＦｙの混合物とを含んでもよい。
さらに、以下の説明では、タングステン（Ｗ）フィーチャ充填に焦点を置いているが、本開示の態様は、タングステン含有材料の蒸着で実施されてもよい。本明細書に記載のタングステン薄膜はいずれも、用いられる特定の前駆体および処理によっては、窒素、炭素、酸素、ホウ素、リン、硫黄、シリコン、ゲルマニウムなど、いくらかの量の他の化合物、ドーパント、および／または、不純物を含みうることを理解されたい。薄膜中のタングステン含有量は、（原子）タグステン２０％から１００％の範囲でありうる。多くの実装例において、薄膜は、タングステンリッチであり、少なくとも５０％の（原子）タングステン、もしくは、少なくとも約６０％、７５％、９０％、または、９９％の（原子）タングステンを含む。例えば、本明細書に記載の１または複数の技術を用いるフィーチャ充填は、窒化タングステン（ＷＮｘ）、炭化タングステン（ＷＣｘ）、および、炭窒化タングステン（ＷＣｘＮｙ）などのタングステン含有材料でフィーチャを充填するために利用できる。いくつかの実装例において、薄膜は、金属または元素タングステン（Ｗ）と、他のタングステン含有化合物（炭化タングステン（ＷＣ）、窒化タングステン（ＷＮ）など）との混合物であってよい。炭化物および窒化物は、蒸着中に炭素含有および／または窒素含有反応物質を導入することによって、もしくは、すでに形成されたタングステン層をかかる化合物に暴露させることによって形成されうる。さらに、本明細書に記載の方法は、例えば、ブランケット層またはオーバーバーデン層を蒸着および／またはエッチングするために、フィーチャ充填の文脈を外れてタングステン蒸着に用いられてもよい。
図２は、記載された実施形態に従って実行される工程を表す処理フローチャートである。方法２００は、タングステンで充填される１または複数のフィーチャを有する基板を提供する工程（ブロック２０１）で始まってよい。例えば、基板は、マルチステーションチャンバ内の蒸着ステーションに提供されてもよいし、単一ステーションチャンバに提供されてもよい。基板は、フィーチャをライニングする下層（拡散バリア層など）を有してよい。いくつかの基板および下層の詳細については、図１に関連して上述した。
特定の実施形態において、開口部付近の下層の平均厚さは、フィーチャ内部での平均厚さよりも少なくとも約２５％大きい。より一般的に言うと、基板は、オーバーハングを持つ下層を有しうる。一部の例では、以前に蒸着されたバルクタングステンの層が、フィーチャ内に存在しうる。拡散バリア層が、基板の周囲の材料内のフィーチャを充填するために用いられた材料の拡散を防ぐ共形層を形成するために、基板上に前もって蒸着されてよい。拡散バリア層の材料は、窒化タングステン、チタン、窒化チタンなどを含んでよい。バリア層厚さの例は、約１０オングストロームから５００オングストロームの間の厚さ（約２５オングストロームから２００オングストロームの間の厚さなど）である。
方法２００は、ＷＣｌｘを用いてフィーチャ内にタングステン（Ｗ）を充填する工程（ブロック２０３）に進む。上述のように、ＷＣｌｘは、任意の塩化タングステンで含んでもよいし、異なる塩化タングステン（例えば、ＷＣｌ６、ＷＣｌ５など）の混合物を含んでもよい。いくつかの実施形態において、ブロック２０３は、フィーチャをＷＣｌｘおよび還元剤に暴露させて、フィーチャを部分的に充填する工程を含んでよい。様々な実施形態に従って、ブロック２０３は、ＡＬＤまたはＰＮＬ型の反応（還元剤およびＷＣｌｘが順次導入される）、ＣＶＤ反応、もしくは、両方を含みうる。例えば、核形成層が、シラン（ＳｉＨ４）および／またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）とＷＣｌｘとを順次蒸着チャンバに１または複数回導入して最初に形成され、その後に、ＷＣｌｘがＨ２によって還元されるＣＶＤ反応が実行されてよい。シランおよびボランなどの還元剤は、一般に、水素（Ｈ２）よりも強い。このように、核形成層蒸着のための還元剤として、シラン、ボラン、および、ゲルマンが用いられてよく、バルク層蒸着のための還元剤として、水素が用いられてよい。
ＷＣＬ６を前駆体として用いるタングステン蒸着方法が、２０１５年５月４日出願の米国特許出願第１４／７０３，７３２号「Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｐｒｅｐａｒｉｎｇ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ ａｎｄ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｕｓｉｎｇ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｃｈｌｏｒｉｄｅ Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ」に記載されており、この出願は、参照によって本明細書に組み込まれる。ＣＶＤは、他の還元剤（ボラン、シラン、または、ゲルマンなど）を用いてもよい。ＷＣｌ２、ＷＣｌ４、ＷＣｌ５、ＷＣｌ６、および、それらの混合物を含む任意の塩化タングステン（ＷＣｌｘ）が用いられてよい。
ブロック２０３で実行されるＣＶＤ処理は、（還元剤およびＷＣｌｘが同時に導入される）非順次のＣＶＤ反応、パルスＣＶＤ処理、または、順次ＣＶＤ処理であってよい。いくつかの実施形態において、ブロック２０３は、これらの内の２以上（例えば、順次ＣＶＤ処理の後に非順次ＣＶＤ処理など）を含んでよい。
いくつかの実施形態において、ブロック２０３は、同時に出願された米国特許第＿＿＿（代理人整理番号ＬＡＭＲＰ１８４／３６０１−１ＵＳ）に記載のような順次ＣＶＤ処理を含む。順次ＣＶＤ処理は、反応物質が蒸着中に同時にチャンバに流れ込まないように、各反応物質への別個の暴露を実施する。むしろ、各反応物質の流れが、時間的に離れたパルスで順番に、基板を収容するチャンバに導入され、サイクル中に１回以上繰り返される。一般に、サイクルは、一度に表面蒸着反応を実行するために用いられる動作の最小セットである。１サイクルの結果として、基板表面上に少なくとも部分的な薄膜層が形成される。これらの周期的な性質により、順次ＣＶＤ処理は、ＡＬＤ処理と類似する。しかしながら、順次ＣＶＤでは、反応物質は、必ずしも基板上の活性サイトに吸収するわけではなく、いくつかの実施形態では、反応物質は自己制限的ではない場合もある。例えば、順次ＣＶＤで用いられる反応物質は、低い吸着速度を有しうる。さらに、基板の表面上の反応物質は、第２の反応物質が導入される時に、必ずしも第２の反応物質と反応しうるわけではない。むしろ、順次ＣＶＤのいくつかの実施形態において、基板上の一部の反応物質が、サイクル中に未反応のまま残り、次のサイクルまで反応されない。一部の反応物質は、化学量論的特性、立体障害、または、その他の効果により反応しえない。いくつかの実施形態において、順次ＣＶＤ処理は、ＷＣｌｘおよびＨ２の交互パルスを含む。
順次ＣＶＤ処理は、非順次ＣＶＤ、パルスＣＶＤ、ＡＬＤ、および、核形成層蒸着とは区別される。非順次ＣＶＤ処理は、２つの反応物質の同時暴露を含んでおり、両方の反応物質が蒸着中に同時に流される。例えば、バルクタングステンは、フィーチャの充填に十分な期間にわたって、水素および五塩化タングステンに基板を暴露させることによって蒸着されうる。Ｈ２およびＷＣｌ５は、暴露中に反応して、フィーチャ内にタングステンを蒸着させる。パルスＣＶＤ処理では、一方の反応物質が連続的に流される間に、他方の反応物質がパルス化されるが、基板は、各パルス中に材料を蒸着させるために、蒸着中に両方の反応物質に暴露される。例えば、基板は、ＷＣｌ５がパルス化されている間に、連続的なＨ２の流れに暴露されてよく、ＷＣｌ５およびＨ２はパルス中に反応して、タングステンを蒸着させる。
図３Ａは、充填処理の異なる段階でのフィーチャの断面の一例を示す概略図である。具体的には、断面３２１は、最初の蒸着工程２０３の１つを完了した後のフィーチャの一例を表す。処理のこの段階で、基板３０３は、下層３１３の上に蒸着されたタングステン含有材料の層３２３を有しうる。開口部付近の空洞のサイズは、例えば、下層３１３のオーバーハング３１５および／または蒸着層３２３の低いステップカバレッジにより、フィーチャ内部よりも狭い場合がある。これについては、図１の文脈でより詳細に上述している。
図２に戻ると、蒸着工程２０３は、蒸着層（例えば、層３２３）が特定の厚さに達するまで継続する。この厚さは、空洞プロファイルおよび開口部サイズによって決まりうる。特定の実施形態において、開口部付近の蒸着層の平均厚さは、任意の下層（存在する場合）を含むフィーチャ断面寸法の約５％から２５％の間であってよい。別の実施形態（図示せず）において、フィーチャは、蒸着工程２０３中に完全に閉じられて、その後、ＷＣｌｘエッチング工程中に再び開かれてもよい。様々な実施形態によると、ブロック２０３は、１または複数のチャンバ内もしくはチャンバの１または複数のステーション内で実行されてよい。
処理は、エッチングレジームに切り替えるために処理条件を変更する工程（ブロック２０５）に続く。塩化タングステン化合物（ＷＣｌ６など）は、蒸着されたタングステンと反応する様々な塩化タングステンＷＣｌｘ化合物（Ｗ２Ｃｌ１０、ＷＣｌ５など）を形成することによって、蒸着されたタングステンをエッチングできる。（ＷＣｌ５は、二量体Ｗ２Ｃｌ１０として自然に存在するが、同じ材料であることに注意されたい）。同様に、用いられる任意のＷＣｌｘまたはそれらの混合物は、蒸着タングステンと反応する様々な塩化タングステン化合物を形成しうる。ブロック２０５は、ＷＣｌｘがフィーチャ内に蒸着されたタングステンの蒸着ではなく正味のエッチングを行うように１または複数の処理条件を変更する工程を含んでおり、処理条件は、温度、圧力、ＷＣｌｘ（例えば、ＷＣｌ５またはＷＣｌ６）の濃度、Ｈ２の流量、および、Ａｒ（または、その他のキャリアガス流量）を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態において、ＷＣｌｘ前駆体自体が、例えば、ＷＣｌ５からＷＣｌ６に変更されてもよい。同様に、ＷＣｌ６／ＷＣｌ５などの混合物が用いられる場合、化合物の相対量が変更されてもよい。
様々な実施形態によると、ブロック２０５は、時間的な切り替えまたは空間的な切り替えを含んでよい。処理パラメータの時間的切り替えは、基板が特定の環境（チャンバまたはステーションなど）内に固定されたままである場合に実行されてよい。空間的切り替えは、基板を別の環境に移動させることを含んでよい。したがって、実装に応じて、ブロック２０５は、チャンバまたはステーションのペデスタル温度、チャンバ圧、ガス流量などを変更する工程、および／または、異なる処理パラメータを有する別のチャンバまたはステーションに基板を移動させる工程を含んでよい。様々な実施形態によると、ブロック２０５は、１または複数の処理パラメータの段階的変更、ならびに／もしくは、１または複数の処理パラメータの連続的調節を含んでよい。
次いで、方法２００は、エッチャントとしてＷＣｌｘを用いて蒸着タングステンをエッチングする工程（ブロック２０７）に続く。いくつかの実施形態において、エッチングは非共形であり、フィーチャ内深くよりも開口部近くで、多くのタングステンがエッチングされる。非共形エッチングは、選択的エッチングまたは低ステップカバレッジエッチングと呼んでもよい。選択的（または、低ステップカバレッジ）エッチングを実現するために、エッチング処理条件が、適切に設計されうる；正しいエッチング温度、エッチャント流量、および、エッチング圧の組み合わせが、所望の共形性を達成するのに役立ちうる。下層（拡散バリア層など）が、エッチング停止層として用いられてよい。
ブロック２０３の実行の結果として、開口部付近の蒸着層の平均厚さの減少は、フィーチャ内部よりも大きくてよい。特定の実施形態において、開口部付近の減少は、フィーチャ内部の減少よりも少なくとも約１０％大きく、より具体的な実施形態においては、少なくとも約２５％大きい。いくつかの実施形態において、工程２０７は、基板または存在するなら任意の下層（存在する場合）がエッチャントに暴露される時点まで実行されてよい。工程２０７後に残ったタングステン層は、ステップカバレッジで特徴付けられうる。特定の実施形態において、エッチングされた層のステップカバレッジは、少なくとも約７５％、より具体的には、少なくとも約１００％、または、少なくとも約１２５％、さらに具体的には、少なくとも約１５０％である。
特定の実施形態において、基板は、蒸着工程２０３中に閉じられてエッチング工程２０７中に閉じたままである１または複数のフィーチャを備えうる。例えば、基板は、小型、中間サイズ、および、大型のフィーチャを備えうる。いくつかの小型フィーチャは、最初の蒸着工程中に閉じて、再び開くことがなくてよい。中間サイズのフィーチャは、後のサイクル中に閉じて、より大型の他のフィーチャが充填されている間に閉じたままであってよい。特定の実施形態において、フィーチャは、例えば、デュアルダマシン構成など、基板の異なる垂直レベルに存在しうる。より低いレベル上のフィーチャは、より高いレベルのフィーチャよりも容易に閉じうる。
特定の実施形態において、蒸着工程２０３は、一時的にのみフィーチャを閉じうる。最終充填工程（以下で説明する工程２１１など）中、もしくは、上述の異なるサイズおよび垂直位置の複数のフィーチャのある状況で、フィーチャを閉じるのと異なり、このように一時的に閉じている間のシームは、許容できないほど大きくてよく、また、フィールド領域に近すぎる場所で始まってよい。これらの実施形態において、エッチング工程２０７は、工程２０７の最初の部分がフィーチャを再び開くために用いられ、次いで、工程２０７の次の部分が蒸着材料の非共形エッチングに用いられるように設計されてよい。これらの２つの部分での処理条件は、同じであっても異なってもよい。例えば、エッチャント流量が、工程２０７の最初の部分の間に高く、その後、フィーチャが開くと下げられてよい。
ＷＣｌｘ蒸着工程２０３およびＷＣｌｘエッチング工程２０７を含む蒸着エッチングサイクルは、判定ブロック２０８によって指示された通りに、１回以上繰り返されてよい。例えば、大きいオーバーハングを有する小型のフィーチャでは特に、１サイクル後に所望のステップカバレッジを達成するのは困難でありうる。さらなるサイクルに進むか否かの判定２０８における検討事項は、オーバーハングサイズ、フィーチャサイズ、フィーチャアスペクト比、フィーチャボーイング、ならびに、シームサイズ、および、シーム位置の要件を含む。
特定の実施形態において、次のサイクルの一方の工程または両方の工程のための処理パラメータが変更されてよい（工程２０９）。例えば、最初のサイクル中の正味の蒸着は、蒸着層がまだ薄くてエッチング中の汚染のリスクが高いので、後のサイクルよりも大きくてよい。同時に、空洞は、初期には比較的開いているため、閉じるリスクは低い。例えば、初期の蒸着サイクルは、製造途中の基板上に蒸着されるタングステン含有材料の量をより良好に制御するために、より遅い速度で実行されてよい（より低い温度で駆動されてよい）。より遅い速度は、より共形な蒸着（特定のフィーチャタイプに必要とされうる）につながりうる。後期の蒸着サイクルは、蒸着厚さの制御があまり重要でなくなりうるため、および／または、空洞の早く閉じる可能性が低いように、前の蒸着エッチングサイクルがフィーチャの空洞のプロファイルを形成しうるので、より速い蒸着速度で実行されてよい（より高温で駆動されてよい）。エッチングが、例えば、異なる前駆体を用いること、温度を制御すること、前駆体濃度を調節することなどによって制御されてもよい。
さらに、ブロック２０３は、サイクルごとに変更されてよい。例えば、最初のサイクルでは、上述のように、順次ＣＶＤ処理を含んでよい。順次ＣＶＤ処理は、一般に、非順次ＣＶＤ処理よりも遅いので、より良好な制御を提供する。次のサイクルにおいて、ブロック２０３は、非順次ＣＶＤ処理であってよい。
図３Ａに戻ると、断面３３１は、非共形エッチング後のフィーチャを示している。したがって、断面３２１および３３１は、最初のサイクル、すなわち、より一般的には初期サイクルの内の１つを表しうる。このサイクル中の蒸着層３２３は、薄すぎて、様々なシーム形成の原因（オーバーハング３１５など）を完全には補償すなわち相殺できない。例えば、選択的除去工程の後、断面３３１に示した空洞は、まだ、フィーチャ内部よりも開口部付近の方が狭い。特定の実施形態において、この差は、処理が蒸着エッチングサイクルを繰り返さずに最終充填工程に進むほど十分小さい場合がある。
断面３４１および３５１は、後期のサイクルの間および後の基板３０３を示す。まず、断面３４１は、エッチング層３３３上に形成された新たな蒸着層３４３を示す。層３４３を有するフィーチャは、前のサイクル中に達成された良好なステップカバレッジを反映する改善されたプロファイルを有しうる。しかしながら、空洞のプロファイルは、まだ、最終充填に進むことを許容しない場合があり、この空洞をさらに成形するために、さらなるエッチング工程が必要になりうる。断面３５１は、充填を完了するための最終蒸着の前の段階の基板３０３を表す。空洞は、空洞内部よりも開口部付近で広くなっている。特定の実施形態において、新たな蒸着層のステップカバレッジは、最初に蒸着された層よりも少なくとも約１０％大きく、少なくとも約２０％または少なくとも約３０％大きい場合もある。
１または複数の蒸着エッチングサイクルが、フィーチャを部分的に充填してフィーチャプロファイルを成形するために実行された後、処理は、最終充填工程２１１に進んでよい。この工程は、一部の態様では、蒸着工程２０３と類似する。主な差異は、フィーチャが完全に閉じられるまで工程２１１が継続し、その後にフィーチャを開くためのエッチング工程が実行されないことである。図３Ａに戻ると、断面３６１は、シームが存在しない最終充填工程後の基板３０３の一例を表す。特定の実施形態において、フィーチャは、まだ、シームを有しているが、それは、比較的小さく、従来の充填フィーチャよりもフィールド領域から離れて位置する参照点を有する。いくつかの実施例において、充填は、ボトムアップで進行してよい。図３Ｂは、かかる充填の一例を示す。
いくつかの実施形態では、充填工程２０３およびエッチング工程２０７の両方が、非プラズマ工程である。いくつかの実施形態では、エッチング工程２０７は、エッチング種生成を支援する遠隔プラズマまたはその場プラズマで、プラズマ強化されてもよい。さらに、特定の実施形態では、イオンビーム（例えば、Ａｒイオンビーム）が備えられてもよい。例えば、様々な塩素種が、蒸着タングステン上に吸収されてよく、その後、ＷＣｌｘ副生成物を脱着させるためにＡｒイオンが導入される。
いくつかの実施形態において、蒸着工程およびエッチング工程２０３および２０７は、部分的に重複してもよいし、同時であってもよい。例えば、フィーチャ底部で正味の蒸着が生じると共にフィーチャの上部で正味のエッチングが生じる処理条件が設定されてよい。様々な実施形態によると、ブロック２０５は、処理に応じて、実行されてもよいし実行されなくてもよい。例えば、処理条件は、前駆体およびエッチャント種が同時にチャンバ内に存在して、蒸着およびエッチング反応の両方が同時に起きることを可能にするような条件であってよい。開口部付近よりもフィーチャ内部で大きい正味の蒸着を達成するために、処理条件は、エッチング反応が物質移行によって制限され、したがって、エッチャント濃度に依存するような条件であってよい。同時に、蒸着反応は、物質移行で制限されず、フィーチャ内部および開口部でおよそ同じ速度で進行する。還元剤または他の反応物質の流量、プラズマ種の導入、温度など、様々な処理条件が、（例えば、徐々にまたは段階的に）調節されてよい。さらなるサイクルが必要なくなると、処理は、任意選択的に最終フィーチャ工程（ブロック２１１）に移行してよい。
特定の実施形態において、処理チャンバは、蒸着工程２０３およびその後のエッチング工程２０７の程度を確認するためのその場測定を実行するために、様々なセンサを備えてよい。その場測定の例は、蒸着された薄膜の厚さを決定するための光学顕微鏡法および蛍光Ｘ線分析法（ＸＲＦ）を含む。さらに、赤外線（ＩＲ）分光法が、エッチング工程中に生成された塩化タングステン（ＷＣｌｘ）の量を検出するために用いられてもよい。残留ガス分析（ＲＧＡ）が、質量分析でガス（反応物質／副生成物）を検出するために用いられてよい。
様々な実施形態によると、基板温度、チャンバ圧、および、キャリア流量を含む処理条件が、蒸着レジームおよびエッチングレジームを切り替えてエッチングを調整するために変更されてよい。図７に関して後述するように、塩化タングステン前駆体の濃度が、蒸着レジームおよびエッチングレジームを切り替えてエッチングを調整するために変更されてよい。基板温度の例は、３００℃から６５０℃の範囲であってよく、圧力の例は、５Ｔｏｒｒから７６０Ｔｏｒｒの範囲または５Ｔｏｒｒから１００Ｔｏｒｒの範囲であってよく、前駆体（ＷＣｌｘ）温度の例は、１１０℃から１８０℃の範囲であってよい。様々な処理条件で、Ｗは、蒸着、部分エッチング、または、誘電体層までバリアと共にエッチングされうる。
例えば、いくつかの実施形態において、高エッチングかつ非蒸着のために、高いＷＣｌｘ流束を引き起こす条件を用いてもよい。いくつかの実施形態において、より安定した蒸着のために、温度を高くしてもよい。以下の表１は、様々な温度、キャリア流量、および、圧力でのＷＣｌ６／Ｈ２ＣＶＤの結果を示す。（ＷＣｌ６／Ｈ２暴露工程はＣＶＤと呼ばれるが、以下に示すいくつかの条件では、その処理は、蒸着レジームではなくエッチングレジームにある）。ＷＣｌ６／Ｈ２ＣＶＤ工程の前に、４５０℃でＢ２Ｈ６／ＷＣｌ６の２回のＰＮＬサイクルを用いて、１００オングストロームのＴｉＮ層上にタングステン核形成層を蒸着した。各ＷＣｌ６／Ｈ２ＣＶＤ工程は、１０分間実行したタングステンの厚さおよびＴｉＮの減少量を測定し、表１に示した。温度は℃、Ａｒキャリア流量はｓｃｃｍ、圧力はＴｏｒｒで示している。
核形成膜は、クーポンすべてに対して同じ条件で成長され、約５０オングストロームが蒸着された；エッチング条件が起きると、核形成層およびその下にあるＴｉＮ層がエッチングされる。
表１の結果は、４５０℃が５５０℃よりも蒸着にとって安定性が低いことを示している。４５０℃および２０Ｔｏｒｒの低圧力では、キャリア流量にかかわらず、蒸着がなく、強いエッチングが起きる。６０Ｔｏｒｒの高圧力では、５０ｓｃｃｍの低キャリア流量でのみ蒸着が起こり、高キャリア流量では蒸着がない。
５５０℃および２０Ｔｏｒｒの低圧力では、高キャリア流量でのみエッチングが起きるが、そのエッチングは、４５０℃、２０Ｔｏｒｒ、および、高キャリア流量の場合ほどは強くない（クーポン７とクーポン３との比較）。キャリア流量にかかわらず、６０Ｔｏｒｒではエッチングがない。
低圧力および高キャリア流量は、最高の流束および最大のエッチングを引き起こす。エッチング効果は、上述のように４５０℃の方が強い。圧力曲線が取得され、それによると、低キャリア流量を用いて５５０℃および１０Ｔの低圧力で、最高の蒸着速度が達成される。図６を参照すると、４５０℃および５５０℃でＷＣｌ６／Ｈ２暴露の圧力の関数としてタングステン（Ｗ）の厚さおよび窒化チタン（ＴｉＮ）のエッチング厚さが示されている。
ＷＣｌｘ流束は、ＷＣｌｘ濃度を大きくすることによって増加されうる。図７は、ＷＣｌ５およびＷＣｌ６について前駆体濃度の関数としてＣＶＤ蒸着速度を示すグラフである。変曲点が、蒸着レジームからエッチングレジームへの切り替わりを示している。これらの前駆体の内、ＷＣｌ５の方が低いエッチング速度を有しており、そのため、同じ濃度では、ＷＣｌ６の方が多くエッチングする。両方の前駆体で、濃度を上げると、蒸着レジームからエッチングレジームへ切り替えることができる。図７に示した実験結果において、エッチングは、おそらく中央での温度が高いことにより、ウエハの中央で開始する。しかしながら、これは、この処理の実験的性質によるものであり、温度およびガス流量の適切な制御でウエハにわたる均一な蒸着／エッチングを達成できることに注意されたい。前駆体濃度とは、前駆体の体積流量を全流量の割合で表したものである。濃度の例は、０．５％から５％の範囲である。多くのシステムにおいて、適切に濃度を変化させることにより、最も適度な温度および圧力（例えば、上記の範囲内のもの）で蒸着またはエッチングを達成することができる。
いくつかの実施例において、エッチングレジームへの切り替えは、温度を下げることを含みうるが、蒸着レジームへの切り替えは、温度を上げることを含みうる。いくつかの実施例において、蒸着からエッチングまたはエッチングから蒸着に切り替えるために、他の処理パラメータを変更することで、温度を一定に維持してもよい。いくつかの実施例において、温度は、１または複数の他の処理パラメータと共に、単独で変更されてもよい。
いくつかの実施例において、エッチングレジームへの切り替えは、圧力を下げることを含みうるが、蒸着レジームへの切り替えは、圧力を上げることを含みうる。いくつかの実施例において、蒸着からエッチングまたはエッチングから蒸着に切り替えるために、他の処理パラメータを変更することで、圧力を一定に維持してもよい。いくつかの実施例において、圧力は、単独で変更されてもよいし、１または複数の他の処理パラメータと共に変更されてもよい。
いくつかの実施例において、エッチングレジームへの切り替えは、キャリア流量を上げることを含みうるが、蒸着レジームへの切り替えは、キャリア流量を下げることを含みうる。いくつかの実施例において、蒸着からエッチングまたはエッチングから蒸着に切り替えるために、他の処理パラメータを変更することで、キャリア流量を一定に維持してもよい。いくつかの実施において、キャリア流量は、１または複数の他の処理パラメータと共に変更されてもよい。
いくつかの実施形態において、エッチングレジームへの切り替えは、ＷＣｌｘ濃度を上げることを含みうるが、蒸着レジームへの切り替えは、ＷＣｌｘ濃度を下げることを含みうる。いくつかの実施例において、蒸着からエッチングまたはエッチングから蒸着に切り替えるために、他の処理パラメータを変更することで、ＷＣｌｘ濃度を一定に維持してもよい。いくつかの実施例において、ＷＣｌｘ濃度は、単独で変更されてもよいし、１または複数の他の処理パラメータと共に変更されてもよい。
装置
任意の適切なチャンバを用いて、開示した実施形態を実施することができる。蒸着装置の例としては、例えば、カリフォルニア州フレモントのＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社製のＡＬＴＵＳ（登録商標）およびＡＬＴＵＳ（登録商標）Ｍａｘ、もしくは、様々な他の市販の処理システムのいずれかなど、様々なシステムが挙げられる。処理は、複数の蒸着ステーションで並行して実行できる。
いくつかの実施形態において、タングステン核形成処理は、単一の蒸着チャンバ内に配置された２、５、または、さらに多くの蒸着ステーションの内の１つである第１のステーションで実行される。いくつかの実施形態において、核形成処理の様々な工程が、蒸着チャンバの２つの異なるステーションで実行される。例えば、基板は、基板表面に局所的な雰囲気を形成する個々のガス供給システムを用いて、第１のステーション内でジボラン（Ｂ２Ｈ６）に暴露されてよく、次いで、基板は、第２のステーションに移送され、核形成層を蒸着するために六塩化タングステン（ＷＣｌ６）または五塩化タングステン（ＷＣｌ５）などのＦＦＷ前駆体に暴露される。いくつかの実施形態において、基板は、その後、第２のジボランへの暴露のために第１のステーションに戻されてよい。次いで、ＷＣｌ６（または、その他の塩化タングステン）への暴露のために基板を第２のステーションに移送して、タングステン核形成を完了し、同じまたは異なるステーションでバルクタングステン蒸着を進めてよい。次いで、１または複数のステーションを用いて、上述のように化学蒸着（ＣＶＤ）を実行できる。次いで、１または複数のステーションを用いて、上述のようにエッチングを実行できる。
図４は、本発明の実施形態に従って、タングステン薄膜蒸着およびエッチング処理を実行するのに適した処理システムを示すブロック図である。システム４００は、搬送モジュール４０３を備える。搬送モジュール４０３は、処理中の基板が様々なリアクタモジュール間で移動される時の汚染のリスクを最小限に抑えるために、清浄な加圧環境を提供する。本発明の実施形態に従って、ＰＮＬ蒸着ならびにＣＶＤ蒸着およびエッチングを実行できるマルチステーションリアクタ４０９が、搬送モジュール４０３上に取り付けられる。チャンバ４０９は、これらの動作を順に実行しうる複数のステーション４１１、４１３、４１５、および、４１７を備えてよい。例えば、チャンバ４０９は、ステーション４１１および４１３がＰＮＬ蒸着を実行し、ステーション４１３および４１５がＣＶＤを実行するように構成されてよい。各蒸着ステーションは、加熱されたウエハペデスタルと、シャワーヘッド、拡散プレート、または、その他のガス流入口と、を備える。蒸着ステーションの一例５００が、図５に示されており、ウエハ支持体５０２およびシャワーヘッド５０３を備える。ヒータが、ペデスタル部分５０１内に設けられてよい。
また、プラズマ前洗浄または化学的な（非プラズマ）前洗浄を実行できる１または複数の単一モジュールまたはマルチステーションモジュール４０７が、搬送モジュール４０３上に取り付けられてよい。モジュールは、様々な他の処理（例えば、還元剤浸漬）に用いられてもよい。システム４００は、ウエハが処理前後に収容される１または複数（この例では２つ）のウエハソースモジュール４０１も備える。大気搬送チャンバ４１９内の大気ロボット（図示せず）が、まず、ソースモジュール４０１からロードロック４２１にウエハを取り出す。搬送モジュール４０３内のウエハ搬送装置（一般に、ロボットアームユニット）が、ロードロック４２１から搬送モジュール４０３上に取り付けられたモジュールに、そして、モジュールの間で、ウエハを移動させる。
特定の実施形態において、システムコントローラ４２９が、蒸着中の処理条件を制御するために用いられる。コントローラは、通例、１または複数のメモリデバイスと、１または複数のプロセッサとを備える。プロセッサは、ＣＰＵまたはコンピュータ、アナログおよび／またはデジタル入力／出力接続、ステッパモータコントローラボードなどを備えてよい。
コントローラは、蒸着装置の動作すべてを制御してよい。システムコントローラは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧、チャンバ温度、ウエハ温度、用いられる場合には高周波（ＲＦ）電力レベル、ウエハチャックまたはペデスタルの位置、ならびに、特定の処理の他のパラメータを制御するための一連の命令を含むシステム制御ソフトウェアを実行する。コントローラに関連するメモリデバイスに格納された他のコンピュータプログラムが、いくつかの実施形態において用いられてもよい。
通例は、コントローラに関連したユーザインターフェースが存在する。ユーザインターフェースは、表示スクリーン（装置および／または処理条件のグラフィカルソフトウェアディスプレイ）と、ポインティングデバイス、キーボード、タッチスクリーン、マイクなどのユーザ入力デバイスと、を備えてよい。
システム制御ロジックは、任意の適切な方法で構成されてよい。一般に、ロジックは、ハードウェアおよび／またはソフトウェアで設計または構成されうる。駆動回路を制御するための命令は、ハードコードされてもよいし、ソフトウェアとして提供されてもよい。命令は、「プログラミング」によって提供されうる。かかるプログラミングは、デジタル信号プロセッサ、特定用途向け集積回路、および、ハードウェアとして実装された特定のアルゴリズムを有する他のデバイス内にハードコードされたロジックなど、任意の形態のロジックを含むと理解される。また、プログラミングは、汎用プロセッサ上で実行できるソフトウェア命令またはファームウェア命令を含むと理解される。システム制御ソフトウェアは、任意の適切なコンピュータ読み取り可能プログラム言語でコードされてよい。あるいは、制御ロジックはコントローラにハードコードされてもよい。これらの目的で、特定用途向け集積回路、プログラム可能論理デバイス（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイすなわちＦＰＧＡ）などが用いられてもよい。以下では、「ソフトウェア」または「コード」が利用される場合、機能的に同等のハードコードされたロジックが代わりに利用されうる。
処理手順内の蒸着処理およびその他の処理を制御するためのコンピュータプログラムコードは、例えば、アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、パスカル、フォートランなど、任意の従来のコンピュータ読み取り可能なプログラミング言語で書かれうる。コンパイルされたオブジェクトコードまたはスクリプトが、プラグラム内に特定されたタスクを実行するために、プロセッサによって実行される。
制御パラメータは、例えば、処理ガスの組成および流量、温度、圧力、プラズマ条件（ＲＦ電力レベルおよび低周波ＲＦ周波数など）、冷却ガス圧、ならびに、チャンバ壁の温度などの処理条件に関連する。これらのパラメータは、レシピの形態でユーザに提供され、ユーザインターフェースを用いて入力されうる。
処理を監視するための信号が、システムコントローラのアナログおよび／またはデジタル入力接続によって提供されてよい。処理を制御するための信号が、蒸着装置のアナログおよびデジタル出力接続で出力される。
いくつかの実施例において、コントローラ４２９は、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラ４２９は、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外へのウエハ移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。
概して、コントローラ４２９は、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウエア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラ４２９に伝えられて、半導体ウエハに対するまたは半導体ウエハのための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ウエハのダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
コントローラ４２９は、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、コントローラ４２９は、「クラウド」内にあってもよいし、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べる、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、もしくは、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にしうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含みうる）を介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、コントローラ４２９は、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにコントローラ４２９がインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラ４２９は、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の処理および制御など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路である。
限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層蒸着（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラ４２９は、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。
システムソフトウェアは、多くの異なる方法で設計または構成されうる。例えば、本発明の蒸着処理を実行するのに必要なチャンバ構成要素の動作を制御するために、様々なチャンバ構成要素サブルーチンまたは制御オブジェクトが書かれてよい。このためのプログラムまたはプログラムセクションの例は、基板配置コード、処理ガス制御コード、圧力制御コード、ヒータ制御コード、および、プラズマ制御コードを含む。
基板配置プログラムは、ペデスタルまたはチャック上に基板をロードするため、および、基板とチャンバの他の部品（ガス流入口および／またはガスターゲットなど）との間の間隔を制御するために用いられるチャンバ構成要素を制御するためのプログラムコードを備えてよい。処理ガス制御プログラムは、ガス組成および流量を制御するため、ならびに、任意選択的に、チャンバ内の圧力を安定させるために蒸着の前にチャンバ内にガスを流すためのコードを備えてよい。圧力制御プログラムは、例えば、チャンバの排気システムのスロットルバルブを調節することにより、チャンバ内の圧力を制御するためのコードを備えてよい。ヒータ制御プログラムは、基板を加熱するために用いられる加熱ユニットへの電流を制御するためのコードを備えてよい。あるいは、ヒータ制御プログラムは、ウエハチャックへの熱伝導ガス（ヘリウムなど）の供給を制御してもよい。
蒸着中に監視されうるチャンバセンサの例は、マスフローコントローラ、圧力センサ（マノメータなど）、ならびに、ペデスタルまたはチャック内に配置された熱電対を含む。適切にプログラムされたフィードバックアルゴリズムおよび制御アルゴリズムが、所望の処理条件を維持するためにこれらのセンサからのデータと共に用いられてよい。以上、単一チャンバまたはマルチチャンバの半導体処理ツールにおける本発明の実施形態の実施について説明した。
以上、単一チャンバまたはマルチチャンバの半導体処理ツールにおける開示の実施形態の実施について説明した。本明細書に記載の装置および処理は、例えば、半導体デバイス、ディスプレイ、ＬＥＤ、光起電力パネルなどの加工または製造のために、リソグラフィパターニングツールまたは処理と共に用いられてもよい。通例、必ずしもそうとは限らないが、かかるツール／処理は、共通の製造施設で一緒に利用または実行されている。薄膜のリソグラフィパターニングは、通例、以下の工程の一部または全部を含み、各工程は、複数の可能なツールで提供される：（１）スピンオンまたはスプレーオンツールを用いて、ワークピース（すなわち、基板）上にフォトレジストを塗布する工程；（２）ホットプレートまたは炉またはＵＶ硬化ツールを用いて、フォトレジストを硬化させる工程；（３）ウエハステッパなどのツールで可視光またはＵＶまたはＸ線にフォトレジストを暴露させる工程；（４）ウェットベンチなどのツールを用いて、選択的にレジストを除去することによってパターニングするためにレジストを現像する工程；（５）ドライエッチングツールまたはプラズマ支援エッチングツールを用いて、下層の膜またはワークピースにレジストパターンを転写する工程；ならびに、（６）ＲＦプラズマまたはマイクロ波プラズマレジストストリッパなどのツールを用いて、レジストを除去する工程。
結論
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。本発明の処理、システム、および、装置を実施する多くの他の方法が存在することに注意されたい。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されない。本発明は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
基板上にタングステンを蒸着させる方法であって、
第１のセットの条件で前記基板を塩化タングステン（ＷＣｌ ｘ ）前駆体および還元剤に暴露させて、化学蒸着（ＣＶＤ）によって基板のフィーチャ内に第１のタングステン層を蒸着させる工程と、
第２のセットの条件で前記基板をＷＣｌ ｘ 前駆体および前記還元剤に暴露させて、前記第１のタングステン層をエッチングする工程と、
を備える、方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、塩化タングステンは、ＷＣｌ ２ 、ＷＣｌ ４ 、ＷＣｌ ５ 、ＷＣｌ ６ 、および、それらの混合物から選択される、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、前記第１のタングステン層をエッチングする工程は、前記フィーチャの開口部付近の前記第１のタングステン層の平均厚さの減少が前記フィーチャの内部の前記第１のタングステン層の平均厚さの減少よりも大きくなるような非共形エッチングを含む、方法。
［適用例４］
適用例１の方法であって、前記還元剤は水素である、方法。
［適用例５］
適用例１に記載の方法であって、前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、温度を下げることを含む、方法。
［適用例６］
適用例１に記載の方法であって、前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌ ｘ の流束を上げることを含む、方法。
［適用例７］
適用例１に記載の方法であって、前記蒸着工程のＷＣｌ ｘ は、前記エッチング工程のＷＣｌ ｘ 前駆体と同じである、方法。
［適用例８］
適用例１に記載の方法であって、前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌ ｘ 前駆体を変更することを含む、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌ ｘ の濃度を上げることを含む、方法。
［適用例１０］
タングステンでフィーチャを充填する方法であって、
タングステンで部分的に充填されたフィーチャをＷＣｌ ｘ に暴露させることにより、前記部分的に充填されたフィーチャ内の前記タングステンの一部を除去する工程を備える、方法。
［適用例１１］
適用例１０に記載の方法であって、前記フィーチャの開口部付近の前記タングステンの平均厚さの減少が、前記フィーチャの内部の前記タングステンの平均厚さの減少よりも大きい、方法。
［適用例１２］
適用例１０に記載の方法であって、さらに、前記部分的に充填されたフィーチャを水素に暴露させる工程を備える、方法。
［適用例１３］
基板を処理するための装置であって、
（ａ）基板を保持するよう構成されたペデスタルを備えた１または複数の処理チャンバと、
（ｂ）真空に接続するための少なくとも１つの流出口と、
（ｃ）１または複数の処理ガス源に接続された１または複数の処理ガス流入口と、
（ｄ）前記装置内の動作を制御するためのコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
（ｉ）前記１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入し、
（ｉｉ）（ｉ）の後に、前記１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入するためのマシン読み取り可能な命令を備え、
（ｉ）から（ｉｉ）への移行は、蒸着レジームからエッチングレジームに切り替えるための命令を含む、装置。
［適用例１４］
適用例１３に記載の装置であって、前記コントローラは、塩化タングステンの濃度を上げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える、装置。
［適用例１５］
適用例１３に記載の装置であって、前記コントローラは、前記基板の温度を下げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える、装置。
［適用例１６］
適用例１３に記載の装置であって、前記コントローラは、塩化タングステン前駆体を変更することによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える、装置。
［適用例１７］
適用例１３に記載の装置であって、前記コントローラは、塩化タングステンの流量を上げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える、装置。

Claims (12)

  1. 基板上にタングステンを蒸着させる方法であって、
    第１のセットの条件で前記基板を塩化タングステン（ＷＣｌｘ）前駆体および還元剤に暴露させて、化学蒸着（ＣＶＤ）によって基板のフィーチャ内に第１のタングステン層を蒸着させる工程と、
    第２のセットの条件で前記基板をＷＣｌｘ前駆体および前記還元剤に暴露させて、前記第１のタングステン層をエッチングする工程と、
    を備え、
    前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、前記基板の温度を下げることを含む、
    方法。
  2. 請求項１に記載の方法であって、塩化タングステンは、ＷＣｌ２、ＷＣｌ４、ＷＣｌ５、ＷＣｌ６、および、それらの混合物から選択される、方法。
  3. 請求項１に記載の方法であって、前記第１のタングステン層をエッチングする工程は、前記フィーチャの開口部付近の前記第１のタングステン層の平均厚さの減少が前記フィーチャの内部の前記第１のタングステン層の平均厚さの減少よりも大きくなるような非共形エッチングを含む、方法。
  4. 請求項１の方法であって、前記還元剤は水素である、方法。
  5. 請求項１に記載の方法であって、前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌｘの流束を上げることを含む、方法。
  6. 請求項１に記載の方法であって、前記蒸着工程のＷＣｌｘは、前記エッチング工程のＷＣｌｘ前駆体と同じである、方法。
  7. 基板上にタングステンを蒸着させる方法であって、
    第１のセットの条件で前記基板を塩化タングステン（ＷＣｌｘ）前駆体および還元剤に暴露させて、化学蒸着（ＣＶＤ）によって基板のフィーチャ内に第１のタングステン層を蒸着させる工程と、
    第２のセットの条件で前記基板をＷＣｌｘ前駆体および前記還元剤に暴露させて、前記第１のタングステン層をエッチングする工程と、
    を備え、
    前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌｘ前駆体を変更することを含む、方法。
  8. 請求項１に記載の方法であって、前記第１のセットの条件から前記第２のセットの条件に移行することは、ＷＣｌｘの濃度を上げることを含む、方法。
  9. 基板を処理するための装置であって、
    （ａ）基板を保持するよう構成されたペデスタルを備えた１または複数の処理チャンバと、
    （ｂ）真空に接続するための少なくとも１つの流出口と、
    （ｃ）１または複数の処理ガス源に接続された１または複数の処理ガス流入口と、
    （ｄ）前記装置内の動作を制御するためのコントローラと、
    を備え、
    前記コントローラは、
    （ｉ）前記１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入し、
    （ｉｉ）（ｉ）の後に、前記１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入するためのマシン読み取り可能な命令を備え、
    （ｉ）から（ｉｉ）への移行は、蒸着レジームからエッチングレジームに切り替えるための命令を含み、
    前記コントローラは、前記基板の温度を下げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を含む、
    装置。
  10. 請求項９に記載の装置であって、前記コントローラは、塩化タングステンの濃度を上げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える、装置。
  11. 基板を処理するための装置であって、
    （ａ）基板を保持するよう構成されたペデスタルを備えた１または複数の処理チャンバと、
    （ｂ）真空に接続するための少なくとも１つの流出口と、
    （ｃ）１または複数の処理ガス源に接続された１または複数の処理ガス流入口と、
    （ｄ）前記装置内の動作を制御するためのコントローラと、
    を備え、
    前記コントローラは、
    （ｉ）前記１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入し、
    （ｉｉ）（ｉ）の後に、前記１または複数の処理チャンバの内の１つに塩化タングステンおよび還元剤を導入するためのマシン読み取り可能な命令を備え、
    （ｉ）から（ｉｉ）への移行は、蒸着レジームからエッチングレジームに切り替えるための命令を含み、
    前記コントローラは、塩化タングステンを他の塩化タングステンに変更することによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える、装置。
  12. 請求項９に記載の装置であって、前記コントローラは、塩化タングステンの流量を上げることによって（ｉ）から（ｉｉ）に移行するための命令を備える、装置。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9595470B2 (en) 2014-05-09 2017-03-14 Lam Research Corporation Methods of preparing tungsten and tungsten nitride thin films using tungsten chloride precursor
US9953984B2 (en) 2015-02-11 2018-04-24 Lam Research Corporation Tungsten for wordline applications
US9978605B2 (en) 2015-05-27 2018-05-22 Lam Research Corporation Method of forming low resistivity fluorine free tungsten film without nucleation
JP6478813B2 (ja) * 2015-05-28 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 金属膜の成膜方法
US10224235B2 (en) * 2016-02-05 2019-03-05 Lam Research Corporation Systems and methods for creating airgap seals using atomic layer deposition and high density plasma chemical vapor deposition
US10214807B2 (en) * 2016-06-02 2019-02-26 Lam Research Corporation Atomic layer deposition of tungsten for enhanced fill and reduced substrate attack
US10573522B2 (en) 2016-08-16 2020-02-25 Lam Research Corporation Method for preventing line bending during metal fill process
US9899258B1 (en) * 2016-09-30 2018-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metal liner overhang reduction and manufacturing method thereof
TW201833991A (zh) * 2016-11-08 2018-09-16 美商應用材料股份有限公司 自對準圖案化之方法
US9935173B1 (en) * 2016-11-29 2018-04-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of semiconductor device structure
DE102017127208A1 (de) 2016-12-15 2018-06-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Finfet-strukturen und verfahren zu deren herstellung
US10497811B2 (en) 2016-12-15 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET structures and methods of forming the same
WO2018111547A1 (en) * 2016-12-15 2018-06-21 Applied Materials, Inc. Nucleation-free gap fill ald process
JP6719416B2 (ja) * 2017-03-30 2020-07-08 東京エレクトロン株式会社 凹部の埋め込み方法および処理装置
JP7224335B2 (ja) 2017-04-10 2023-02-17 ラム リサーチ コーポレーション モリブデンを含有する低抵抗膜
KR102367848B1 (ko) 2017-04-27 2022-02-25 주식회사 레이크머티리얼즈 저 불소 함량을 갖는 텅스텐 박막의 제조 방법
CN116377420A (zh) * 2017-06-23 2023-07-04 默克专利有限公司 用于选择性膜生长的原子层沉积方法
WO2019099997A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Lam Research Corporation Self-limiting growth
US11011413B2 (en) 2017-11-30 2021-05-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structures and methods of forming the same
US10867905B2 (en) 2017-11-30 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structures and methods of forming the same
KR102476262B1 (ko) * 2017-12-14 2022-12-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에칭 잔류물이 더 적게 금속 산화물들을 에칭하는 방법들
JP7023150B2 (ja) * 2018-03-26 2022-02-21 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法及び制御装置
US11549175B2 (en) 2018-05-03 2023-01-10 Lam Research Corporation Method of depositing tungsten and other metals in 3D NAND structures
WO2020041213A1 (en) * 2018-08-24 2020-02-27 Lam Research Corporation Metal-containing passivation for high aspect ratio etch
JP7047117B2 (ja) * 2018-09-14 2022-04-04 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び記録媒体
JP7149788B2 (ja) * 2018-09-21 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN109545741B (zh) * 2018-12-05 2020-11-24 上海华力集成电路制造有限公司 钨填充凹槽结构的方法
JP2022523689A (ja) 2019-01-28 2022-04-26 ラム リサーチ コーポレーション 金属膜の蒸着
WO2020185618A1 (en) 2019-03-11 2020-09-17 Lam Research Corporation Precursors for deposition of molybdenum-containing films
KR20220126745A (ko) * 2020-01-16 2022-09-16 엔테그리스, 아이엔씨. 에칭 또는 침착 방법
JP7496725B2 (ja) 2020-07-20 2024-06-07 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61224313A (ja) * 1985-03-29 1986-10-06 Hitachi Ltd 気相薄膜成長方法
KR100272523B1 (ko) * 1998-01-26 2000-12-01 김영환 반도체소자의배선형성방법
JP5550843B2 (ja) * 2009-03-19 2014-07-16 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
US8124531B2 (en) * 2009-08-04 2012-02-28 Novellus Systems, Inc. Depositing tungsten into high aspect ratio features
WO2014052642A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Fluorine free tungsten ald/cvd process
US9230815B2 (en) * 2012-10-26 2016-01-05 Appled Materials, Inc. Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten
WO2015023404A1 (en) * 2013-08-16 2015-02-19 Applied Materials, Inc. Tungsten deposition with tungsten hexafluoride (wf6) etchback
JP6297884B2 (ja) * 2014-03-28 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法

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