JP6730712B1 - 離型フィルム - Google Patents
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しかしながら、4−メチル−1−ペンテン系重合体を含有するフィルムを、フレキシブル回路基板の製造工程における離型フィルムとして用いた場合、得られた基板上にめっき処理を施そうとしても、充分にめっきが乗らず、めっき不良が発生することがあるという問題があった。これは、何らかの原因により基板の表面が汚染されているためと考えられた。また、このような汚染がある場合、薬液による洗浄等が必要となるため、製品製造上の環境負荷を増大させてしまう。
以下に本発明を詳述する。
上記4−メチル−1−ペンテン系重合体としては、4−メチル−1−ペンテンの単独重合体のほか、4−メチル−1−ペンテンと4−メチル−1−ペンテン以外の単量体との共重合体を用いることができる。
上記4−メチル−1−ペンテン以外の単量体としては特に限定されないが、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン等の炭素数が20以下のα−オレフィン等が挙げられる。
上記4−メチル−1−ペンテン系重合体が共重合体である場合、より高い離型性や耐熱性を発揮するという観点から、4−メチル−1−ペンテンに由来する構成単位の含有量は80重量%以上であることが好ましく、90重量%以上であることがより好ましい。
上記4−メチル−1−ペンテン系重合体は、例えば、三井化学社製の商品名TPX(登録商標)等の市販品を用いることができる。
オレフィン系重合体は、光、熱、金属と酸素が共存することによりラジカル反応が進行し、低分子量成分が生成することが知られている。下記式(1)に、オレフィン系重合体が分解して低分子量成分を生成する一連の反応の反応式を示した。
式(1)中、Rは、アルキル鎖を表す。
上記分子内にヒドラジド構造を有する金属不活性化剤は、例えば、アデカスタブCDA−10(ADEKA社製)、アデカスタブZS−27(ADEKA社製)、アデカスタブZS−90(ADEKA社製)、アデカスタブZS−91(ADEKA社製)、IRGANOX MD1024(BASF社製)等の市販品を用いることができる。
上記分子内にアミド構造を有する金属不活性化剤は、例えば、アデカスタブCDA−1(ADEKA社製)、アデカスタブCDA−1M(ADEKA社製)、アデカスタブCDA−6(ADEKA社製)、セクリスAK−24M(三洋化成工業社製)、DMD(デュポン社製)等の市販品を用いることができる。
なかでも、上記4−メチル−1−ペンテン系重合体中に比較的容易に分散させることができることから、分子量が500以下である金属不活性化剤が好適である。
また、同時に酸化防止性を付与できることから、分子内にヒンダードフェノール構造を有する金属不活性化剤も好ましい。
上記離型層中における上記金属不活性化剤の含有量の上限は特に限定されないが、離型性や耐熱性の観点から、上記4−メチル−1−ペンテン系重合体100重量部に対して1.0重量部以下であることが好ましく、0.7重量部以下であることがより好ましい。
上記4−メチル−1−ペンテン系重合体と上記金属不活性化剤とは一般に相溶性が低く、単に4−メチル−1−ペンテン系重合体に金属不活性化剤を配合しても、金属不活性剤が4−メチル−1−ペンテン系重合体中に分散せず、低分子量成分を生成する反応の進行を抑える効果が充分には発揮されないことがある。また、上記金属不活性化剤が表面に多量に存在すると、離型フィルムを使用した際に金属不活性化剤自体が基板の表面に転写され、汚染の原因となることがある。本発明者らは、後述する上記離型層の製造方法を実施することにより、金属不活性剤を4−メチル−1−ペンテン系重合体中に充分に分散させることができ、更に汚染性を抑制できることを見出した。このように金属不活性剤が4−メチル−1−ペンテン系重合体中に充分に分散した離型層では、金属不活性剤が離型層の表面に偏って析出することがない。
表面窒素濃度(%)=(IN/SN)/(IC/SC)×100
(IN:窒素の光電子強度、IC:炭素の光電子強度、SC:炭素の相対感度係数、SN:窒素の相対感度係数)
なお、各元素の光電子強度は、ワイドスキャンで測定された光電子強度をそれぞれ下記の範囲で積分して得られる値である。
C1s:280−300eV、N1s:390−410eV
また、本明細書における窒素濃度は、SC=0.314、SN=0.499として算出する。
例えば、フェノール系酸化防止剤は、上記式(1)の2番目の反応、即ち、RHから生成したR・が酸素と反応してROO・が生じ、該ROO・がRHと反応してR・が生成する、いわゆるラジカル連鎖反応bにおいて、ラジカルを捕捉することができる。これにより、一連の低分子量成分を生成する反応の進行を抑えることができることから、よりいっそう基板の汚染を防止できる。この際、フェノール系酸化防止剤として、融点が160℃以上であるフェノール系酸化防止剤を選択して用いることにより、フェノール系酸化防止剤自体が揮発すること起因する基板の汚染を防止することができる。
また、例えば、リン系酸化防止剤や硫黄系酸化防止剤は、上記式(1)の一連の反応で生じた過酸化物を分解することにより、よりいっそう基板の汚染を防止することができる。
しかしながら、上述のように金属不活性化剤を4−メチル−1−ペンテン系重合体中に充分に分散させるためには、例えば、(1)4−メチル−1−ペンテン系重合体と金属不活性化剤とを加熱混練してマスターバッジを製造し、該マスターバッチを押出成形に供する方法を採用することが好ましい。また、(2)押出成形の際に、同方向回転型二軸押出機(ダブルフライト)を用いて混錬性を向上させる方法を採用することが好ましい。更に、(3)押出成形時の温度、混練時間、押出量、線速等を調整することにより混練性を向上させる方法を採用することが好ましい。特に、押出成型の初期段階(Tダイ出口付近)では温度を高くし、一定時間経過後は降温させつつ、成型終了までの時間を長くすることが好ましい。より具体的には、シリンダー全長に対して、入り口側から20〜40%の位置における設定温度を約330〜360℃に設定することが好ましい。従来は、高温環境下ではオレフィン系重合体の分解が進んでしまうため、4−メチル−1−ペンテン系重合体を押出成型する場合に、分解が始まるとされる300℃以上に加熱することは通常行われていなかった。一方、上述のように成型の初期段階はあえて300℃以上に昇温して、その後300℃以下に降温させることで、分子の運動性を増大させることができる。また、線速は小さくすることが好ましい。押出成型にかける時間を長くすることで、金属不活性化剤が分散する時間を確保することができる。このような温度と線速の調整により、金属不活性化剤の拡散を促進することができる。
上記(1)〜(3)の少なくともいずれか1つの方法を採用するか、好ましくは2つ以上の方法、さらに好ましくは3つ以上の方法を組み合わせて採用することにより、金属不活性化剤を4−メチル−1−ペンテン系重合体中に充分に分散させることができる。
上記基材層や中間層としては、離型フィルムの技術分野において従来公知のものを用いることができる。
4−メチル−1−ペンテン系重合体100重量部に対して、金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−1(分子量204)0.1重量部を加え、V型ブレンダー等を用いて混合した後二軸押出機により溶融混錬及び切断加工をすることで、0.2g/50粒のペレタイズされたマスターバッチを調製した。得られたマスターバッチを、同方向回転型二軸押出機(プラスチック工学研究所社製、SBTN−92(スクリュー径92mm、L/D30))を用いてTダイ幅400mmにて押出成形して、厚み30μmの離型フィルムを得た。なお、押出時の条件として、シリンダーの全長を5等分して入り口側から順にC1、C2、C3、C4、C5の5つのエリアに区切り、各エリアの設定温度をC1:300℃、C2:350℃、C3〜C5:290℃とした。また、押出量25kg/hr、線速35m/minとした。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−10(分子量553)1.0重量部を用いた以外は実施例1と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−1(分子量204)0.7重量部を用いた以外は実施例1と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−10(分子量553)0.3重量部を用いた以外は実施例1と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−10(分子量553)0.5重量部を用いた以外は実施例1と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
4−メチル−1−ペンテン系重合体100重量部を一軸押出機(ジーエムエンジニアリング社製、GM30−28(スクリュー径30mm、L/D28))を用いてTダイ幅400mmにて押出成形して、厚み30μmの離型フィルムを得た。押出条件は、シリンダー温度260〜300℃、バレル温度C1:300℃、C2:300℃、C3〜C5:290℃、押出量50kg/hr、線速70m/minとした。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−1(分子量204)1.1重量部を用いた以外は比較例1と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−1(分子量204)1.5重量部を用いた以外は比較例1と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−10(分子量553)0.5重量部を用い、押出条件を、シリンダー温度260〜300℃、バレル温度C1:300℃、C2:300℃、C3〜C5:290℃、押出量50kg/hr、線速70m/minとした以外は実施例2、4と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−10(分子量553)0.5重量部を用い、一軸押出機(ジーエムエンジニアリング社製、GM30−28(スクリュー径30mm、L/D28))によって製膜した以外は実施例2、4と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
金属不活性化剤としてアデカスタブCDA−10(分子量553)0.5重量部を用い、V型ブレンダー等にて混合のみ行った原料を用いた以外は実施例2、4と同様にして、厚み30μmの離型フィルムを得た。
実施例及び比較例で得られた離型フィルムについて、以下の方法により評価を行った。
結果を表1に示した。
X線光電子分光機(アルバック・ファイ社製、Versa ProbeII)を用い、単色化Al Kα線のX線光源、検出角45度、STEP幅1eVの条件でワイドスキャン測定を行った。表面窒素濃度は、下記計算式を用いて求めた。
表面窒素濃度(%)=(IN/SN)/(IC/SC)×100
(IN:窒素の光電子強度、IC:炭素の光電子強度、SC:炭素の相対感度係数、SN:窒素の相対感度係数)
なお、各元素の光電子強度は、ワイドスキャンで測定された光電子強度をそれぞれ下記の範囲で積分して得られる値である。
C1s:280−300eV、N1s:390−410eV
なお、SC=0.314、SN=0.499として求めた。
得られた離型フィルムをA4に切り出し、同じ大きさの銅箔で挟んで積層体を得た。得られた積層体を、180℃、5MPa、60分間の条件で熱プレスした。熱プレスはn=5で行った。
その後、積層体から合計10枚の銅箔を剥離して回収し、各々の離型フィルムに接していた側の面をクロロホルムで洗浄して抽出液を得た。得られた抽出液を全て合わせ、クロロホルムを留去した後、残存量を秤量して、離型フィルムから移行した汚染成分量とした。単位面積当たりの汚染成分量を算出して、以下の基準により評価した。
◎:汚染成分量が50mg/m2以下
○:汚染成分量が50mg/m2を超えて、100mg/m2以下
△:汚染成分量が100mg/m2を超えて、500mg/m2以下
×:汚染成分量が500mg/m2を超える
Claims (2)
- 4−メチル−1−ペンテン系重合体と金属不活性化剤とを含有する離型層を有し、前記離型層は、X線光電子分光法により測定した表面の窒素濃度が1.5%以下であり、前記離型層中における4−メチル−1−ペンテン系重合体100重量部に対する金属不活性化剤の含有量が0.1重量部以上であり、前記金属不活性化剤は、分子内にヒドラジド構造又はアミド構造を有する化合物であることを特徴とする離型フィルム。
- 離型層中における4−メチル−1−ペンテン系重合体100重量部に対する金属不活性化剤の含有量が1.0重量部以下であることを特徴とする請求項1記載の離型フィルム。
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