JP6729550B2 - 位相差板及び位相差板の製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は下記の通りである。
固有複屈折値が負の樹脂からなり、複屈折を有する第二層と、を備える位相差板であって、
前記位相差板の波長450nmにおけるレターデーションRe(450)、前記位相差板の波長550nmにおけるレターデーションRe(550)、及び、前記位相差板の厚みdが、式(I)及び式(II)を満たす、位相差板。
Re(450)/Re(550) < 0.92 (I)
Re(550)/d > 0.0035 (II)
〔2〕 前記固有複屈折値が正の樹脂及び前記固有複屈折値が負の樹脂の少なくとも一方が、結晶性の樹脂である、〔1〕記載の位相差板。
〔3〕 前記固有複屈折値が正の樹脂が、結晶性の環状オレフィンポリマーを含む、〔2〕記載の位相差板。
〔4〕 前記結晶性の環状オレフィンポリマーが、シンジオタクチック構造を有する、〔3〕記載の位相差板。
〔5〕 前記固有複屈折値が負の樹脂が、結晶性のスチレン系ポリマーを含む、〔2〕〜〔4〕のいずれか一項に記載の位相差板。
〔6〕 前記結晶性のスチレン系ポリマーが、シンジオタクチック構造を有する、〔5〕記載の位相差板。
〔7〕 前記位相差板が、長尺形状を有し、
前記第一層の遅相軸と前記位相差板の長手方向とがなす角度が40°以上50°以下であり、且つ
前記第二層の遅相軸と前記位相差板の長手方向とがなす角度が−50°以上−40°以下である、〔1〕〜〔6〕のいずれか一項に記載の位相差板。
〔8〕 前記第一層と前記第二層との間に、エラストマーを含む第三層を備える、〔1〕〜〔7〕のいずれか一項に記載の位相差板。
〔9〕 前記エラストマーが、芳香族ビニル・共役ジエン系エラストマーである、〔8〕記載の位相差板。
〔10〕 固有複屈折値が正の樹脂及び固有複屈折値が負の樹脂を共押出して、前記固有複屈折値が正の樹脂からなる第一層及び前記固有複屈折値が負の樹脂からなる第二層を備える延伸前積層体を得る、第1の工程と、
前記第1の工程の後で前記延伸前積層体を延伸して延伸体を得る工程であって、前記延伸体の波長450nmにおけるレターデーションRe(450)及び前記延伸体の波長550nmにおけるレターデーションRe(550)が式(I)を満たす第2の工程と、
前記第2の工程の後で、前記延伸体の前記固有複屈折値が正の樹脂及び前記固有複屈折値が負の樹脂の少なくとも一方の結晶化を促進させて、波長550nmにおけるレターデーションRe(550)及び厚みdが式(II)を満たす位相差板を得る第3の工程と、を含む、位相差板の製造方法。
Re(450)/Re(550) < 0.92 (I)
Re(550)/d > 0.0035 (II)
本発明の位相差板は、第一層及び第二層を備える複層構造の位相差板である。また、第一層は、固有複屈折値が正の樹脂からなり、複屈折を有する。さらに、第二層は、固有複屈折値が負の樹脂からなり、複屈折を有する。第一層及び第二層を組み合わせて備えることにより、本発明の位相差板は、逆波長分散性のレターデーションを有している。このような本発明の位相差板は、通常、薄いフィルムとなっている。
第一層は、固有複屈折値が正の樹脂からなる層である。固有複屈折値が正の樹脂の種類に制限は無い。ただし、本発明の位相差板においては、厚みを薄くすることと所望のレターデーションを発現させることとの両方を達成する観点から、第一層に含まれる固有複屈折値が正の樹脂及び第二層に含まれる固有複屈折値が負の樹脂の少なくとも一方、好ましくは両方として、結晶性の樹脂を用いることが好ましい。したがって、固有複屈折値が正の樹脂としては、結晶性の樹脂が好ましい。
また、環状オレフィンポリマーにおいて、脂環式構造を有する構造単位以外の残部は、格別な限定はなく、使用目的に応じて適宜選択しうる。
重合体(α):環状オレフィン単量体の開環重合体であって、結晶性を有するもの。
重合体(β):重合体(α)の水素添加物であって、結晶性を有するもの。
重合体(γ):環状オレフィン単量体の付加重合体であって、結晶性を有するもの。
重合体(δ):重合体(γ)の水素添加物等であって、結晶性を有するもの。
重合体(α)及び重合体(β)の製造に用いうる環状オレフィン単量体は、炭素原子で形成された環構造を有し、該環中に炭素−炭素二重結合を有する化合物である。環状オレフィン単量体の例としては、ノルボルネン系単量体等が挙げられる。また、重合体(α)が共重合体である場合には、環状オレフィン単量体として、単環の環状オレフィンを用いてもよい。
(式(1)において、
Mは、周期律表第6族の遷移金属原子からなる群より選択される金属原子を示し、
R1は、3位、4位及び5位の少なくとも1つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基、又は、−CH2R3(R3は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選択される基を示す。)で表される基を示し、
R2は、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選択される基を示し、
Xは、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、及び、アルキルシリル基からなる群より選択される基を示し、
Lは、電子供与性の中性配位子を示し、
aは、0又は1の数を示し、
bは、0〜2の整数を示す。)
R1の、3位、4位及び5位の少なくとも1つの位置に置換基を有していてもよいフェニル基の炭素原子数は、好ましくは6〜20、より好ましくは6〜15である。また、前記置換基としては、例えば、メチル基、エチル基等のアルキル基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等のアルコキシ基;などが挙げられる。これらの置換基は、1種類を単独で有していてもよく、2種類以上を任意の比率で有していてもよい。さらに、R1において、3位、4位及び5位の少なくとも2つの位置に存在する置換基が互いに結合し、環構造を形成していてもよい。
R3の、置換基を有していてもよいアルキル基の炭素原子数は、好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10である。このアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。さらに、前記置換基としては、例えば、フェニル基、4−メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいフェニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシル基;等が挙げられる。これらの置換基は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
R3の、置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ベンジル基、ネオフィル基等が挙げられる。
R3の、置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、4−メチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基等が挙げられる。
Xのハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Xの、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基としては、それぞれ、R3の、置換基を有していてもよいアルキル基、及び、置換基を有していてもよいアリール基として示した範囲から選択されるものを任意に用いうる。
Xのアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
式(1)で示される金属化合物が1分子中に2以上のXを有する場合、それらのXは、互いに同じでもよく、異なっていてもよい。さらに、2以上のXが互いに結合し、環構造を形成していてもよい。
Lの電子供与性の中性配位子としては、例えば、周期律表第14族又は第15族の原子を含有する電子供与性化合物が挙げられる。その具体例としては、トリメチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン等のホスフィン類;ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン等のエーテル類;トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、ルチジン等のアミン類;等が挙げられる。これらの中でも、エーテル類が好ましい。また、式(1)で示される金属化合物が1分子中に2以上のLを有する場合、それらのLは、互いに同じでもよく、異なっていてもよい。
活性調整剤としては、官能基を有する有機化合物を用いうる。このような活性調整剤としては、例えば、含酸素化合物、含窒素化合物、含リン有機化合物等が挙げられる。
含窒素化合物としては、例えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、キヌクリジン、N,N−ジエチルアニリン等のアミン類;ピリジン、2,4−ルチジン、2,6−ルチジン、2−t−ブチルピリジン等のピリジン類;等が挙げられる。
含リン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフェート、トリメチルホスフェート等のホスフィン類;トリフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド類;等が挙げられる。
重合体(α)の重合反応系における活性調整剤の量は、式(1)で示される金属化合物100モル%に対して、好ましくは0.01モル%〜100モル%である。
重合体(α)を重合するための重合反応系における分子量調整剤の量は、目的とする分子量に応じて適切に決定しうる。分子量調整剤の具体的な量は、環状オレフィン単量体に対して、好ましくは0.1モル%〜50モル%の範囲である。
重合時間は、反応規模に依存しうる。具体的な重合時間は、好ましくは1分間から1000時間の範囲である。
重合体(α)の水素化は、例えば、常法に従って水素化触媒の存在下で、重合体(α)を含む反応系内に水素を供給することによって行うことができる。この水素化反応において、反応条件を適切に設定すれば、通常、水素化反応により水素添加物のタクチシチーが変化することはない。
均一系触媒としては、例えば、酢酸コバルト/トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート/トリイソブチルアルミニウム、チタノセンジクロリド/n−ブチルリチウム、ジルコノセンジクロリド/sec−ブチルリチウム、テトラブトキシチタネート/ジメチルマグネシウム等の、遷移金属化合物とアルカリ金属化合物の組み合わせからなる触媒;ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、クロロヒドリドカルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム、クロロヒドリドカルボニルビス(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウム、ビス(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリジンルテニウム(IV)ジクロリド、クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム等の貴金属錯体触媒;等が挙げられる。
不均一触媒としては、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム等の金属触媒;ニッケル/シリカ、ニッケル/ケイソウ土、ニッケル/アルミナ、パラジウム/カーボン、パラジウム/シリカ、パラジウム/ケイソウ土、パラジウム/アルミナ等の、前記金属をカーボン、シリカ、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタンなどの担体に担持させてなる固体触媒が挙げられる。
水素化触媒は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
水素化反応の反応温度は、好ましくは−20℃以上、より好ましくは−10℃以上、特に好ましくは0℃以上であり、好ましくは+250℃以下、より好ましくは+220℃以下、特に好ましくは+200℃以下である。反応温度を前記範囲の下限値以上にすることにより、反応速度を速くできる。また、上限値以下にすることにより、副反応の発生を抑制できる。
水素化反応後は、通常、常法に従って、重合体(α)の水素添加物である重合体(β)を回収する。
ここで、重合体の水素添加率は、オルトジクロロベンゼン−d4を溶媒として、145℃で、1H−NMR測定により測定しうる。
重合体(γ)及び(δ)の製造に用いる環状オレフィン単量体としては、重合体(α)及び重合体(β)の製造に用いうる環状オレフィン単量体として示した範囲から選択されるものを任意に用いうる。また、環状オレフィン単量体は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
重合体(γ)の水素化は、重合体(α)を水素化する方法として先に示したものと同様の方法により、行いうる。
オルトジクロロベンゼン−d4を溶媒として、150℃で、inverse−gated decoupling法を適用して、環状オレフィンポリマーの13C−NMR測定を行う。この13C−NMR測定の結果から、オルトジクロロベンゼン−d4の127.5ppmのピークを基準シフトとして、メソ・ダイアッド由来の43.35ppmのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の43.43ppmのシグナルとの強度比に基づいて、環状オレフィンポリマーのラセモ・ダイアッドの割合を求めうる。
重合体の重量平均分子量(Mw)及び分子量分布(Mw/Mn)は、テトラヒドロフランを展開溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算値として測定しうる。
第二層は、固有複屈折値が負の樹脂からなる層である。固有複屈折値が負の樹脂の種類に制限は無い。ただし、本発明の位相差板においては、厚みを薄くすることと所望のレターデーションを発現させることとの両方を達成する観点から、固有複屈折値が負の樹脂としては、結晶性の樹脂が好ましい。固有複屈折値が負の樹脂として結晶性の樹脂を用いることにより、当該結晶性の樹脂が含む結晶性の重合体を結晶化させたときに大きな複屈折を発現させられるので、薄い厚みの位相差板において高いレターデーションを得ることができる。
本発明の位相差板は、第一層と第二層との間に、第一層及び第二層を接着しうる第三層を備えることが好ましい。これにより、第一層と第二層との剥離を抑制できるので、本発明の位相差板の機械的強度を高めることができる。
本発明の位相差板は、上述した第一層、第二層及び第三層に加え、更に任意の層を備えうる。任意の層としては、例えば、帯電防止層、ハードコート層、及び汚染防止層等が挙げられる。
本発明の位相差板の波長450nmにおけるレターデーションRe(450)〔単位:nm〕、及び、本発明の位相差板の波長550nmにおけるレターデーションRe(550)〔単位:nm〕は、下記式(I)を満たす。
Re(450)/Re(550) < 0.92 (I)
Re(550)/d > 0.0035 (II)
本発明の位相差板の製造方法としては、上述した位相差板が得られる任意の方法を採用しうる。中でも、製造を効率良く行う観点から、本発明の位相差板は、
(a)固有複屈折値が正の樹脂及び固有複屈折値が負の樹脂を共押出して、固有複屈折値が正の樹脂からなる第一層及び固有複屈折値が負の樹脂からなる第二層を備える延伸前積層体を得る、第1の工程と;
(b)第1の工程の後で延伸前積層体を延伸して延伸体を得る、第2の工程と;
(c)第2の工程の後で、延伸体の固有複屈折値が正の樹脂及び固有複屈折値が負の樹脂の少なくとも一方の結晶化を促進させて、位相差板を得る第3の工程と;
を含む製造方法によって製造することが好ましい。
一般に、第一層のレターデーション、及び、第二層のレターデーションは、それぞれ、順波長分散性を示す。順波長分散性のレターデーションとは、より長波長の透過光についてより小さい値を示すレターデーションをいう。ここで、第一層及び第二層のうち、レターデーションが大きい方の層の順波長分散性が、レターデーションが小さい方の層の順波長分散性よりも小さい延伸体を想定する。このような延伸体では、レターデーションが大きい方の層は、短波長におけるレターデーションに比べ、長波長におけるレターデーションは大幅には低くならない。これに対し、レターデーションが小さい方の層は、短波長におけるレターデーションに比べ、長波長におけるレターデーションは大幅に低くなる。そのため、前記のように想定した延伸体では、短波長においては両層のレターデーションの差は小さく、長波長においては両層の間のレターデーションの差は大きいので、逆波長分散性のレターデーションが発現しうる。
本発明の位相差板の用途に特に制限は無く、任意の光学フィルムとして用いうる。例えば、本発明の位相差板は、液晶表示装置、有機EL表示装置等の表示装置用の光学補償フィルム;偏光板保護フィルム;などとして用いうる。特に、本発明の位相差板は、直線偏光子と組み合わせて円偏光板に用いることが好ましい。
〔重合体のラセモ・ダイアッドの割合の測定方法〕
オルトジクロロベンゼン−d4を溶媒として、150℃で、inverse−gated decoupling法を適用して、重合体の13C−NMR測定を行った。この13C−NMR測定の結果から、オルトジクロロベンゼン−d4の127.5ppmのピークを基準シフトとして、メソ・ダイアッド由来の43.35ppmのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の43.43ppmのシグナルとの強度比に基づいて、重合体のラセモ・ダイアッドの割合を求めた。
位相差測定装置(王子計測器社製「KOBRA−WR」)を用いて、平行ニコル回転法により、位相差板のレターデーションReを測定した。この際、波長450nm及び波長550nmで入射角0°(位相差板の法線方向)において測定されたレターデーションを、それぞれ、Re(450)及びRe(550)とした。
各層の厚みを、位相差板断面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真から計測した。次に、ドライエッチング装置(サムコ社製「RIE−10NE」)を使用して、位相差板の表面を第二層側からエッチングした。エッチング時間を10分から60分まで変化させたサンプルを数種類採取し、それぞれサンプルのレターデーションと厚みを測定した。レターデーションと厚みの変化分から、各層のレターデーションを算出した。
シミュレーション用のソフトウェアとしてシンテック社製「LCD Master」を用いて、各実施例及び比較例で製造された円偏光板をモデル化し、反射率を計算した。
シミュレーション用のモデルでは、平面状の反射面を有するミラーの前記反射面に、位相差板側でミラーに接するように円偏光板を貼り付けた構造を設定した。したがって、このモデルでは、厚み方向において、偏光フィルム、位相差板及びミラーがこの順に設けられた構造が設定された。
平面状の反射面を有するミラーを用意した。このミラーを、反射面が水平で且つ上向きになるように置いた。このミラーの反射面上に、偏光フィルム側が上向きになるように円偏光板を貼り付けた。
(i)極角0°、方位角0°の正面方向と、
(ii)極角45°、方位角0°〜360°の傾斜方向と
の両方で行った。
この評価(i)及び(ii)を、評価が良好な方から順にA〜Eの5段階で判定した。
金属製の耐圧反応器を、充分に乾燥した後、窒素置換した。この金属製耐圧反応器に、シクロヘキサン154.5部、ジシクロペンタジエン(エンド体含有率99%以上)の濃度70%シクロヘキサン溶液42.8部(ジシクロペンタジエンの量として30部)、及び1−ヘキセン1.9部を加え、53℃に加温した。
この触媒溶液を耐圧反応器に加えて、開環重合反応を開始した。その後、53℃を保ちながら4時間反応させて、ジシクロペンタジエンの開環重合体の溶液を得た。
得られたジシクロペンタジエンの開環重合体の数平均分子量(Mn)及び重量平均分子量(Mw)は、それぞれ、8,750および28,100であり、これらから求められる分子量分布(Mw/Mn)は3.21であった。
(1−1.樹脂Aの製造)
製造例1で製造したジシクロペンタジエンの開環重合体の水素添加物100部に、酸化防止剤(テトラキス〔メチレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕メタン;BASFジャパン社製「イルガノックス(登録商標)1010」)1.1部を混合して、樹脂Aを得た。
・バレル設定温度:270℃〜280℃
・ダイ設定温度:250℃
・スクリュー回転数:145rpm
・フィーダー回転数:50rpm
ダブルフライト型のスクリューを備えた3つの一軸押出機a、b及びcを有する3種3層の共押出成形用のフィルム成形装置を準備した。ここで、3種3層のフィルム成形装置とは、3種類の樹脂を用いて3層構造のフィルムを製造しうるフィルム成形装置を表す。本実施例で使用したフィルム成形装置は、一軸押出機aに投入された樹脂の層、一軸延伸機bに投入された樹脂の層及び一軸延伸機cに投入された樹脂の層をこの順に備えるフィルムを製造しうるように設けられていた。
前記の延伸前フィルムを、恒温槽付引っ張り試験機で自由一軸延伸して、延伸体としての延伸後フィルムを製造した(第2の工程)。この際の延伸条件は、下記の通りである。
・延伸温度:100℃
・延伸倍率:3倍
・延伸速度:3倍/1分
得られた延伸後フィルムは、波長450nmにおけるレターデーションRe(450)及び波長550nmにおけるレターデーションRe(550)が「Re(450)/Re(550)<0.92」を満たしていた。
前記の延伸後フィルムを50mm角に切り出し、その4辺をフレームで保持して、延伸後フィルムを緊張させた。このように延伸後フィルムを緊張させた状態で、この延伸後フィルムに加熱処理を施した(第3の工程)。この際の加熱条件は、処理温度180℃、処理時間2分であった。これにより、延伸後フィルム中の樹脂Aに含まれていたジシクロペンタジエンの開環重合体の水素添加物、及び、ポリスチレン樹脂に含まれていたポリスチレンの結晶化が進行して、厚み28μmの位相差板が得られた。得られた位相差板の各層及び全体のレターデーションを、上述した方法で測定した。
ヨウ素で染色した、ポリビニルアルコール樹脂製の長尺形状を有する樹脂フィルムを用意した。この樹脂フィルムを、当該樹脂フィルムの幅方向に対して90°の角度をなす長手方向に延伸して、長尺形状を有する偏光フィルムを得た。この偏光フィルムは、当該偏光フィルムの長手方向に吸収軸を有し、当該偏光フィルムの幅方向に偏光透過軸を有していた。
得られた円偏光板について、上述した方法で評価を行った。
前記工程(1−2)において、樹脂を押し出して延伸前フィルムを得る際の各樹脂の押し出し厚みを変更した。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、位相差板及び円偏光板の製造及び評価を行った。
前記工程(1−2)において、樹脂Aの代わりに非結晶性の環状オレフィンポリマーを含む樹脂(日本ゼオン社製「ZNR1215」、ガラス転移温度130℃)を用い、シンジオタクチック構造を有するポリスチレンを含むポリスチレン樹脂の代わりに非結晶性のスチレン−無水マレイン酸共重合体を含む樹脂(NovaChemicals社製「DylarkD332」、ガラス転移温度135℃)を用い、樹脂を押し出して延伸前フィルムを得る際の各樹脂の押し出し厚みを変更した。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、位相差板及び円偏光板の製造及び評価を行った。
前記工程(1−2)において、樹脂Aの代わりに非結晶性の環状オレフィンポリマーを含む樹脂(日本ゼオン社製「ZNR1215」)を用い、シンジオタクチック構造を有するポリスチレンを含むポリスチレン樹脂の代わりに非結晶性のスチレン−無水マレイン酸共重合体を含む樹脂(NovaChemicals社製「DylarkD332」)を用いた。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、位相差板及び円偏光板の製造及び評価を行った。
前記工程(1−2)において、樹脂を押し出して延伸前フィルムを得る際の各樹脂の押し出し厚みを変更した。
以上の事項以外は実施例1と同様にして、位相差板及び円偏光板の製造及び評価を行った。
前記の実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、略称の意味は以下の通りである。
正の樹脂の層:固有複屈折値が正の樹脂の層
負の樹脂の層:固有複屈折値が負の樹脂の層
polyD:結晶性のジシクロペンタジエンの開環重合体の水素添加物を含む樹脂
ZNR:非結晶性の環状オレフィンポリマーを含む樹脂
PSP:シンジオタクチック構造を有する結晶性のポリスチレンを含むポリスチレン樹脂
SMA:非結晶性のスチレン−無水マレイン酸共重合体を含む樹脂
反射率(i):円偏光板の正面方向の反射率。
反射率(ii):円偏光板の傾斜方向の反射率。
比較例1では所望のレターデーションが得られているものの、厚みを薄くできなかった。また、比較例2では、厚みを薄くしたことにより、所望のレターデーションが得られなかった。さらに、比較例3では、波長450nmにおいて所望のレターデーションが得られなかったので、位相差板はレターデーションの逆波長分散性に劣り、そのため円偏光板の反射防止性能に劣っていた。これに対し、実施例1及び2では良好な結果が得られている。この結果から、本発明により、逆波長分散性のレターデーションを有し且つ薄い位相差板を実現でき、それによって反射防止性能に優れる円偏光板を得られることが確認された。
Claims (9)
- 固有複屈折値が正であって結晶性の樹脂からなり、複屈折を有する第一層と、
固有複屈折値が負であって結晶性の樹脂からなり、複屈折を有する第二層と、を備える位相差板であって、
前記位相差板の波長450nmにおけるレターデーションRe(450)、前記位相差板の波長550nmにおけるレターデーションRe(550)、及び、前記位相差板の厚みdが、式(I)及び式(II)を満たし、前記位相差板の厚みdが、60μm以下である、位相差板。
Re(450)/Re(550) < 0.92 (I)
Re(550)/d > 0.0035 (II) - 前記固有複屈折値が正であって結晶性の樹脂が、結晶性の環状オレフィンポリマーを含む、請求項1記載の位相差板。
- 前記結晶性の環状オレフィンポリマーが、シンジオタクチック構造を有する、請求項2記載の位相差板。
- 前記固有複屈折値が負であって結晶性の樹脂が、結晶性のスチレン系ポリマーを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の位相差板。
- 前記結晶性のスチレン系ポリマーが、シンジオタクチック構造を有する、請求項4記載の位相差板。
- 前記位相差板が、長尺形状を有し、
前記第一層の遅相軸と前記位相差板の長手方向とがなす角度が40°以上50°以下であり、且つ
前記第二層の遅相軸と前記位相差板の長手方向とがなす角度が−50°以上、−40°以下である、
請求項1〜5のいずれか一項に記載の位相差板。 - 前記第一層と前記第二層との間に、エラストマーを含む第三層を備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載の位相差板。
- 前記エラストマーが、芳香族ビニル・共役ジエン系エラストマーである、請求項7記載の位相差板。
- 固有複屈折値が正であって結晶性の樹脂及び固有複屈折値が負であって結晶性の樹脂を共押出して、前記固有複屈折値が正であって結晶性の樹脂からなる第一層及び前記固有複屈折値が負であって結晶性の樹脂からなる第二層を備える延伸前積層体を得る、第1の工程と、
前記第1の工程の後で前記延伸前積層体を延伸して延伸体を得る工程であって、前記延伸体の波長450nmにおけるレターデーションRe(450)及び前記延伸体の波長550nmにおけるレターデーションRe(550)が式(I)を満たす第2の工程と、
前記第2の工程の後で、前記延伸体の前記固有複屈折値が正であって結晶性の樹脂及び前記固有複屈折値が負であって結晶性の樹脂の少なくとも一方の結晶化を促進させて、波長550nmにおけるレターデーションRe(550)及び厚みdが式(II)を満たし、前記厚みdが、60μm以下である位相差板を得る第3の工程と、を含む、位相差板の製造方法。
Re(450)/Re(550) < 0.92 (I)
Re(550)/d > 0.0035 (II)
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