JP6723945B2 - フォトマスクブランクス基板収納容器、フォトマスクブランクス基板の保管方法、及びフォトマスクブランクス基板の輸送方法 - Google Patents
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Description
本発明は、フォトマスクブランクス基板収納容器、フォトマスクブランクス基板の保管方法、及びフォトマスクブランクス基板の輸送方法に関する。
半導体をはじめとする設計回路のデザインルールは、年々、回路のさらなる微細化を進めるものとなっている。これに伴い、回路を形成するためのフォトマスクについても、その線幅、形状、ピッチといった回路パターンに要求される条件が益々厳しくなっている。
回路の形成方法としては、これまでフォトリソグラフィー法が用いられてきたが、こうした微細化に対応するためのレジスト材料として、より短波長、より高解像度に適した化学増幅型レジストが多用されている。
化学増幅型レジストを用いるフォトリソグラフィー法は、エキシマレーザーといった光照射、あるいは電子ビームの照射により、当該レジスト材料中の触媒物質が生成し、次工程で熱処理を行うことにより、当該触媒物質と高分子が反応し、光または電子照射部分が可溶（ポジ型）、または不溶化（ネガ型）することにより、所望の回路パターンを得る方法である。
これまで、このレジスト材料の塗布したフォトマスクブランクス基板を光または電子照射するまでに保管、搬送するフォトマスクブランクス基板収納容器（以下、単に収納容器ともいう）については、輸送、搬送が容易であることから軽量であることが望ましく、また安価で大量に製造できるなどの点から、種々の高分子系材料を基材とし、射出成型などにより製造した収納容器が用いられている。
しかし、これら高分子系材料からなる収納容器から発生する種々の揮発性成分が、フォトマスクブランクス基板を保管及び輸送中に、フォトマスクブランクス基板上に塗布されたフォトレジスト材料の触媒作用、その可溶化作用あるいは不溶化作用に何らかの影響を及ぼし、光あるいは電子線照射及び熱処理、現像によって形成したフォトマスクブランクス基板上のレジストパターンに、例えば、線幅の拡大・縮小などの寸法変化を生じ、その結果、設計通りのパターンが得られないという不具合を生じることがあった。
このような高分子系材料に起因する問題に対して、アウトガス中のカプロラクタムに着目し、カプロラクタム量がｎ−デカン換算で樹脂重量あたり０．０１ｐｐｍ以下となる熱可塑性樹脂からなる収納容器が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
しかし、近年、レジストに要求される解像性、コントラスト性能は増々高まっており、従来のフォトマスクブランクス基板収納容器では、寸法変動制御が不十分であることが明らかになってきた。加えて、これまでレジストパターンへの影響抑制手段として、収納容器からのアウトガス制御に着目されていたが、本発明者らが調査したところ、上述のプラスチック製の収納容器から発生する揮発性有機物成分だけでなく、その封止テープから発生する揮発成分もまた、フォトマスクブランクス基板上のレジストパターンに影響を及ぼすことが分かった。
すなわち、フォトマスクブランクス基板を保管あるいは輸送するための収納容器に加え、その封止テープのアウトガスについても制御を要し、収納容器と封止テープの組み合わせについて、さらなる改善を要することが分かった。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、収納したフォトマスクブランクス基板上のレジストパターンへの影響を抑えながら、フォトマスクブランクス基板の保管・輸送が可能であるフォトマスクブランクス基板収納容器を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、フォトマスクブランクス基板を収納するためのフォトマスクブランクス基板収納容器であって、
前記フォトマスクブランクス基板を収容可能なインナーカセットと、該インナーカセットに収納した前記フォトマスクブランクス基板を上方から固定するリテイナー部材とを有するインナー部材と、
前記インナーカセットを収容可能な下箱と、前記リテイナー部材を内側に嵌合可能な上蓋とを有する容器本体と、
該容器本体を封止する封止テープとを有し、
前記容器本体及び前記インナー部材は、０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０３ｎｇ以下である高分子系材料からなり、
前記封止テープは、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．８×１０３ｎｇ以下のものであることを特徴とするフォトマスクブランクス基板収納容器を提供する。
前記フォトマスクブランクス基板を収容可能なインナーカセットと、該インナーカセットに収納した前記フォトマスクブランクス基板を上方から固定するリテイナー部材とを有するインナー部材と、
前記インナーカセットを収容可能な下箱と、前記リテイナー部材を内側に嵌合可能な上蓋とを有する容器本体と、
該容器本体を封止する封止テープとを有し、
前記容器本体及び前記インナー部材は、０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０３ｎｇ以下である高分子系材料からなり、
前記封止テープは、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．８×１０３ｎｇ以下のものであることを特徴とするフォトマスクブランクス基板収納容器を提供する。
このようなものであれば、容器本体、インナー部材及び封止テープから発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えながら、フォトマスクブランクス基板の保管・輸送が可能となる。
このとき、前記容器本体及び前記インナー部材は、０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で５００ｎｇ以下である高分子系材料からなり、
前記封止テープは、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．０×１０３ｎｇ以下のものであることが好ましい。
前記封止テープは、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．０×１０３ｎｇ以下のものであることが好ましい。
このようなものであれば、容器本体、インナー部材及び封止テープから発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えることがより確実にできる。
またこのとき、前記インナー部材は、２ｇのサンプリング時１００℃で２０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．０×１０３ｎｇ以下である高分子系材料からなるものであることが好ましい。
このようなものであれば、容器内に配置されるインナー部材から発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えることがより確実にできる。
またこのとき、前記容器本体は、ポリカーボネートを主成分とする高分子系材料からなり、かつ、その表面抵抗値は２．０×１０４Ω／ｓｑ以下であり、
前記封止テープは、ポリエチレンテレフタラート、ポリプロピレン、ポリエチレンのいずれかからなる基材と、ポリアクリル酸エステルからなる粘着面とを有するものであることが好ましい。
前記封止テープは、ポリエチレンテレフタラート、ポリプロピレン、ポリエチレンのいずれかからなる基材と、ポリアクリル酸エステルからなる粘着面とを有するものであることが好ましい。
このようなものであれば、容器本体、インナー部材及び封止テープから発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えることがより確実にできるとともに、帯電しにくくなり、ゴミの吸着も抑制できる。
またこのとき、前記容器本体の内面から発生するアウトガス成分によるアウトガスの総量と、前記インナー部材の表面から発生するアウトガス成分によるアウトガスの総量との和（容器内のアウトガス総量）が、３．０×１０３μｇ未満のものであり、
前記容器本体を封止する封止テープから発生するアウトガス成分によるアウトガスの総量（テープのアウトガス総量）が、１．４×１０２μｇ未満のものであることが好ましい。
前記容器本体を封止する封止テープから発生するアウトガス成分によるアウトガスの総量（テープのアウトガス総量）が、１．４×１０２μｇ未満のものであることが好ましい。
このようなものであれば、容器本体の内面、インナー部材の表面及び封止テープから発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えることがより確実にできる。
また、本発明は、前記本発明のフォトマスクブランクス基板収納容器内に収納して前記フォトマスクブランクス基板を保管することを特徴とするフォトマスクブランクス基板の保管方法を提供する。さらに、本発明は、前記本発明のフォトマスクブランクス基板収納容器内に収納して前記フォトマスクブランクス基板を輸送することを特徴とするフォトマスクブランクス基板の輸送方法を提供する。
このように、本発明のフォトマスクブランクス基板収納容器を用いて、フォトマスクブランクス基板を保管・輸送すれば、容器本体、インナー部材及び封止テープから発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えながら、フォトマスクブランクス基板の保管・輸送をすることができる。
本発明によれば、容器本体、インナー部材及び封止テープから発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えながら、収納されたフォトマスクブランクス基板を保管及び輸送することができる。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記したように、近年、レジストに要求される解像性、コントラスト性能は増々高まっており、従来のフォトマスクブランクス基板収納容器では、寸法変動制御が不十分であるという問題があった。
上記したように、近年、レジストに要求される解像性、コントラスト性能は増々高まっており、従来のフォトマスクブランクス基板収納容器では、寸法変動制御が不十分であるという問題があった。
そこで、本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討を重ねた。その結果、化学増幅型レジストを塗布したフォトマスクブランクス基板の保管及び輸送方法として、収納容器を構成する高分子系材料から発生するアウトガス総量が一定量以下である収納容器と、その封止テープから発生するアウトガス総量が一定量以下の封止テープを組み合わせることで、フォトマスクブランクス基板の保管・輸送後、露光、感光及び現像して形成されたレジストパターンの線幅に生じる不具合を防止し、高精細なレジストパターンが得られることを見出し、本発明に至った。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。
図１、図２に示すように、本発明のフォトマスクブランクス基板収納容器１は、フォトマスクブランクス基板２を収容可能なインナーカセット３と、該インナーカセット３に収納したフォトマスクブランクス基板２を上方から固定するリテイナー部材４とを有するインナー部材５と、インナーカセット３を収容可能な下箱６と、リテイナー部材４を内側に嵌合可能な上蓋７とを有する容器本体８と、該容器本体８を封止する封止テープ９とを有する。
インナーカセット３は、フォトマスクブランクス基板２を垂直方向に林立させ、一定間隔で整列させて収納可能なものとすることができる。
なお、フォトマスクブランクス基板収納容器１は、上述のような複数のフォトマスクブランクス基板２を収納する容器に限らず、フォトマスクブランクス基板２を１枚ごとに収納する枚葉式容器でも良い。また、外気を遮断する密閉型容器でも、ケミカルフィルタを介して外気と通じている収納容器などとしても良い。
フォトマスクブランクス基板収納容器１を用いて保管若しくは輸送するフォトマスクブランクス基板２は、位相シフト膜を有するもの、Ｃｒ遮光膜を有するもの等が挙げられるが、好ましくは化学増幅型レジストを塗布したものが望ましい。
容器本体８及びインナー部材５は、それぞれが０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０３ｎｇ以下である高分子系材料からなるものである。そして、封止テープ９は、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．８×１０３ｎｇ以下のものである。
なお、容器本体８とインナー部材５の材料は、同じ高分子系材料とすることもできるし、異なる高分子系材料とすることもできる。さらには、容器本体８の下箱６と上蓋７の材料は、同じ高分子系材料とすることもできるし、異なる高分子系材料とすることもできる。また、インナー部材５のインナーカセット３とリテイナー部材４の材料は、同じ高分子系材料とすることもできるし、異なる高分子系材料とすることもできる。
そして、本発明において、上記複数の部品の材料が異なる場合、それらの材料のそれぞれは、上記条件を満たす高分子系材料である。サンプリングは、材料の種類ごとに行うものとする。
なお、容器本体８とインナー部材５の材料は、同じ高分子系材料とすることもできるし、異なる高分子系材料とすることもできる。さらには、容器本体８の下箱６と上蓋７の材料は、同じ高分子系材料とすることもできるし、異なる高分子系材料とすることもできる。また、インナー部材５のインナーカセット３とリテイナー部材４の材料は、同じ高分子系材料とすることもできるし、異なる高分子系材料とすることもできる。
そして、本発明において、上記複数の部品の材料が異なる場合、それらの材料のそれぞれは、上記条件を満たす高分子系材料である。サンプリングは、材料の種類ごとに行うものとする。
このような容器本体８、インナー部材５及び封止テープ９を組み合わせて用いたフォトマスクブランクス基板収納容器１であれば、容器本体８、インナー部材５及び封止テープ９から発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えながら、フォトマスクブランクス基板２の保管・輸送が可能となる。
容器本体８を構成する下箱６と上蓋７、及びインナー部材５を構成するインナーカセット３とリテイナー部材４に用いることができる高分子系材料には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、アクリロニトリルブタジエンスチレンが挙げられる。なお、下箱６、上蓋７、インナーカセット３、リテイナー部材４として、これらの高分子系材料が好ましいが、これらに限定されるものではない。
このとき、容器本体８及びインナー部材５は、それぞれが０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０３ｎｇ以下、より好ましくは５００ｎｇ以下、さらに好ましくは１００ｎｇ以下、最も好ましくは５０ｎｇ以下である高分子系材料からなるものとすることができる。また、封止テープは、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．８×１０３ｎｇ以下、より好ましくは、１．０×１０３ｎｇ以下のものとすることができる。
このようなアウトガスの総量がより少ない、容器本体８、インナー部材５及び封止テープ９を組み合わせて用いたフォトマスクブランクス基板収納容器１であれば、容器本体８、インナー部材５及び封止テープ９から発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響をより確実に抑えることができる。
アウトガスがより少ない高分子材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートが挙げられる。収納容器はこれら複数の樹脂で構成されたものが良い。
さらに、インナー部材５は、少なくとも１つの高分子系材料からなり、該少なくとも１つの高分子系材料の各々は、２ｇのサンプリング時１００℃で２０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．０×１０３ｎｇ以下である高分子系材料であることがより好ましい。
インナー部材５は、フォトマスクブランクス基板２に直接触れるものであるとともに、すべてが容器内に配置されるものなので、上記のような、検出されるアウトガスの総量がより少ないものを用いることで、インナー部材５から発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響をより確実に抑えることができる。
このとき、容器本体８及びインナー部材５のうちいずれか１つ以上（特には容器本体８）は、ポリカーボネートを主成分とする少なくとも１つの高分子系材料からなり、かつ、その表面抵抗値は２．０×１０４Ω／ｓｑ以下であるものであることが好ましい。容器本体８の表面抵抗値は２．０×１０４Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、容器本体８及びインナー部材５の表面抵抗値は２．０×１０４Ω／ｓｑ以下であることがさらに好ましい。表面抵抗値が小さい程、帯電しにくくなるため、静電気を抑え、ゴミの吸着や、パーティクル混入を防止することができる。
また、封止テープ９は、基材と粘着面とを有するものとすることができる。このとき、封止テープ９の基材には、例えば、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリ塩化ビニル、ナイロンが挙げられるが、好ましくは、ポリエチレンテレフタラート、ポリプロピレン、ポリエチレンのいずれかからなるものであることが好ましい。また、封止テープ９の粘着面には、粘着剤として、例えば、ポリアクリル酸エステル系、ポリメタクリル酸エステル系、ポリ酢酸ビニル、ゴム系が挙げられるが、好ましくは、ポリアクリル酸エステルからなるものであることが好ましい。
このような封止テープ９と、上記のような表面抵抗値を有する容器本体８及びインナー部材５を組み合わせたものであれば、容器本体８、インナー部材５及び封止テープ９から発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えることがより確実にできるとともに、帯電しにくくなり、ゴミの吸着も抑制できる。
また、封止テープ９は、収納容器への外気流入を防ぐため、密着性能が高いものが望ましい。さらに、収納容器の密封及び開封を容易とするため、伸縮率が高いものが望ましい。
次に、本発明のフォトマスクブランクス基板の保管方法及び輸送方法について説明する。ここでは、上述したような、図１、２に示す本発明のフォトマスクブランクス基板収納容器１を用いた場合について説明する。
まず、下箱６にインナーカセット３を収納し、上蓋７にリテイナー部材４を嵌合する。そして、フォトマスクブランクス基板２をインナーカセット３に収納して、上蓋７を閉める。その後、容器本体８を封止テープ９で封止する。そして、フォトマスクブランクス基板収納容器１内にフォトマスクブランクス基板２を収納した状態で、フォトマスクブランクス基板２を保管・輸送する。このように、本発明のフォトマスクブランクス基板収納容器を用いて、フォトマスクブランクス基板を保管・輸送すれば、容器本体８、インナー部材５及び封止テープ９から発生する揮発性有機成分によるレジストパターンへの影響を抑えながら、フォトマスクブランクス基板２の保管・輸送をすることができる。
なお、上述したようなガスクロマトグラフィー質量分析計によって、アウトガスの総量を検知する方法として、具体的には、以下のようにして行うことができる。
ＧＣ−ＭＳ分析方法
（容器本体とインナー部材）
容器本体８の上蓋７の一部から０．１ｇを立方体形状に切削したサンプルを、精秤後にサンプルセル内に入れ、高純度ヘリウム雰囲気下で４０℃×６０ｍｉｎの加熱脱離を行う。発生したガス成分をガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ＧＣ７８９０Ａ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、容器本体８を構成する高分子系材料のアウトガス総量（サンプルからのアウトガス量：ｘ（ｎｇ））を求めることができる。これを容器本体のアウトガス総量と定義する。
また容器本体を構成する高分子系材料が複数存在する場合には、そのそれぞれの高分子系材料よりなる容器本体のアウトガス総量を求めることとする。
例えば、容器本体８の上蓋７と下箱６の高分子系材料が異なる場合には、それぞれの高分子系材料について上述の分析を行い、それぞれの高分子系材料よりなる容器本体のアウトガス総量（上蓋７から切削したサンプルからの容器本体のアウトガス総量をｘ１（ｎｇ）、下箱６から切削したサンプルからの容器本体のアウトガス総量をｘ２（ｎｇ）とする）を求めることとする。
同様にインナー部材５の一部から０．１ｇを立方体形状に切削したサンプルを、精秤後にサンプルセル内に入れ、高純度ヘリウム雰囲気下で４０℃×６０ｍｉｎの加熱脱離を行う。発生したガス成分をガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ＧＣ７８９０Ａ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、インナー部材５を構成する高分子系材料のアウトガス総量（サンプルからのアウトガス量：ｙ（ｎｇ））を求めることができる。これをインナー部材のアウトガス総量と定義する。
またインナー部材を構成する高分子系材料が複数存在する場合には、そのそれぞれの高分子系材料よりなるインナー部材のアウトガス総量を求めることとする。
例えば、インナー部材５のインナーカセット３とリテイナー部材４の高分子系材料が異なる場合には、それぞれの高分子系材料について上述の分析を行い、それぞれの高分子系材料よりなるインナー部材のアウトガス総量（インナーカセット３から切削したサンプルからのインナー部材のアウトガス総量をｙ１（ｎｇ）、リテイナー部材４から切削したサンプルからのインナー部材のアウトガス総量をｙ２（ｎｇ）とする）を求めることとする。
（容器本体とインナー部材）
容器本体８の上蓋７の一部から０．１ｇを立方体形状に切削したサンプルを、精秤後にサンプルセル内に入れ、高純度ヘリウム雰囲気下で４０℃×６０ｍｉｎの加熱脱離を行う。発生したガス成分をガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ＧＣ７８９０Ａ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、容器本体８を構成する高分子系材料のアウトガス総量（サンプルからのアウトガス量：ｘ（ｎｇ））を求めることができる。これを容器本体のアウトガス総量と定義する。
また容器本体を構成する高分子系材料が複数存在する場合には、そのそれぞれの高分子系材料よりなる容器本体のアウトガス総量を求めることとする。
例えば、容器本体８の上蓋７と下箱６の高分子系材料が異なる場合には、それぞれの高分子系材料について上述の分析を行い、それぞれの高分子系材料よりなる容器本体のアウトガス総量（上蓋７から切削したサンプルからの容器本体のアウトガス総量をｘ１（ｎｇ）、下箱６から切削したサンプルからの容器本体のアウトガス総量をｘ２（ｎｇ）とする）を求めることとする。
同様にインナー部材５の一部から０．１ｇを立方体形状に切削したサンプルを、精秤後にサンプルセル内に入れ、高純度ヘリウム雰囲気下で４０℃×６０ｍｉｎの加熱脱離を行う。発生したガス成分をガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ＧＣ７８９０Ａ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、インナー部材５を構成する高分子系材料のアウトガス総量（サンプルからのアウトガス量：ｙ（ｎｇ））を求めることができる。これをインナー部材のアウトガス総量と定義する。
またインナー部材を構成する高分子系材料が複数存在する場合には、そのそれぞれの高分子系材料よりなるインナー部材のアウトガス総量を求めることとする。
例えば、インナー部材５のインナーカセット３とリテイナー部材４の高分子系材料が異なる場合には、それぞれの高分子系材料について上述の分析を行い、それぞれの高分子系材料よりなるインナー部材のアウトガス総量（インナーカセット３から切削したサンプルからのインナー部材のアウトガス総量をｙ１（ｎｇ）、リテイナー部材４から切削したサンプルからのインナー部材のアウトガス総量をｙ２（ｎｇ）とする）を求めることとする。
さらに、これらの結果をもとに、容器本体の内面積相当から発生したアウトガス成分によるアウトガス総量と、インナー部材の面積相当から発生したアウトガス成分によるアウトガス総量をそれぞれ求め、その和を、フォトマスクブランクス基板が容器内で暴露される、容器本体の内面とインナー部材の表面から発生したアウトガス成分によるアウトガス総量と定義する。以下、容器内のアウトガス総量と定義する。
具体的には、容器本体の内面積（Ｂ（ｍｍ2））をサンプルの表面積（Ａ（ｍｍ2））で割り、上記サンプルからのアウトガス量をかけることにより、容器本体の内面からのアウトガス総量を算出する（（Ｂ／Ａ）×ｘ（ｎｇ））。
次にインナー部材の表面積（Ｄ（ｍｍ2））をサンプルの表面積（Ｃ（ｍｍ2））で割り、上記サンプルからのアウトガス量をかけることにより、インナー部材の表面からのアウトガス総量を算出する（（Ｄ／Ｃ）×ｙ（ｎｇ））。
これらの和｛（Ｂ／Ａ）×ｘ＋（Ｄ／Ｃ）×ｙ｝（ｎｇ）により、容器内のアウトガス総量を得ることができる。
一般的に容器本体が複数の高分子系材料で構成され、さらにインナー部材も複数の高分子系材料で構成されている場合には、容器内のアウトガス総量は以下のような式となる。
｛Σｎ k=1（Ｂｋ／Ａｋ）×ｘｋ＋Σｍ ｌ=1（Ｄｌ／Ｃｌ）×ｙｌ｝（ｎｇ）
ここで容器本体８は、ｎ種の高分子系材料で構成され、インナー部材５は、ｍ種の高分子系材料で構成されていることを示す。
次にインナー部材の表面積（Ｄ（ｍｍ2））をサンプルの表面積（Ｃ（ｍｍ2））で割り、上記サンプルからのアウトガス量をかけることにより、インナー部材の表面からのアウトガス総量を算出する（（Ｄ／Ｃ）×ｙ（ｎｇ））。
これらの和｛（Ｂ／Ａ）×ｘ＋（Ｄ／Ｃ）×ｙ｝（ｎｇ）により、容器内のアウトガス総量を得ることができる。
一般的に容器本体が複数の高分子系材料で構成され、さらにインナー部材も複数の高分子系材料で構成されている場合には、容器内のアウトガス総量は以下のような式となる。
｛Σｎ k=1（Ｂｋ／Ａｋ）×ｘｋ＋Σｍ ｌ=1（Ｄｌ／Ｃｌ）×ｙｌ｝（ｎｇ）
ここで容器本体８は、ｎ種の高分子系材料で構成され、インナー部材５は、ｍ種の高分子系材料で構成されていることを示す。
容器内のアウトガス総量は、３．０×１０３μｇ未満が好ましく、さらに好ましくは８．０×１０２μｇ以下が好ましく、より好ましくは６．５×１０２μｇ以下が好ましい。
（インナー部材）
インナー部材５から２ｇを採取し、キュリーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用い、１００℃×２０ｍｉｎ、キャリアガスＨｅを流通させながらアウトガス成分を吸着管ＴＥＮＡＸ−ＴＡに吸着採取する。吸着したアウトガス成分を、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ５９７５Ｃ−ＭＳＤ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、インナー部材５のアウトガス総量を求めることができる。
インナー部材５から２ｇを採取し、キュリーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用い、１００℃×２０ｍｉｎ、キャリアガスＨｅを流通させながらアウトガス成分を吸着管ＴＥＮＡＸ−ＴＡに吸着採取する。吸着したアウトガス成分を、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ５９７５Ｃ−ＭＳＤ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、インナー部材５のアウトガス総量を求めることができる。
（封止テープ）
封止テープ９を１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切削したサンプルを、キュリーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１５０℃×１０ｍｉｎ、キャリアガスＨｅを流通させながらアウトガス成分を吸着採取した。吸着したアウトガス成分を、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ５９７５Ｃ−ＭＳＤ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、封止テープのアウトガス総量（サンプルからのアウトガス量：ｚ（ｎｇ））を求めることができる。これを封止テープのアウトガスの総量と定義する。
封止テープ９を１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切削したサンプルを、キュリーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて１５０℃×１０ｍｉｎ、キャリアガスＨｅを流通させながらアウトガス成分を吸着採取した。吸着したアウトガス成分を、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ５９７５Ｃ−ＭＳＤ）により分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、封止テープのアウトガス総量（サンプルからのアウトガス量：ｚ（ｎｇ））を求めることができる。これを封止テープのアウトガスの総量と定義する。
また、容器本体の周囲をテーピングした時の封止テープからでるアウトガス総量を上記結果から求め、以下、テープのアウトガス総量と定義する。
具体的には、今回の使用した封止テープの幅は全て１０ｍｍである。容器本体を封止するためのテープの全長をＥ（ｍｍ）とする。次に使用した封止テープの面積（１０×Ｅ（ｍｍ2））から放出される、テープのアウトガス総量を算出する（｛（１０×Ｅ）／（１０×１０）｝×ｚ（ｎｇ））。なお、テープの全長とは容器本体の全周に相当する長さである。容器本体を封止テープで全周にわたり密閉する際には、まかれた封止テープの上に重ねて封止テープを貼るが、この重なった長さは含まない。
テープのアウトガス総量は、１．４×１０２μｇ未満が好ましく、さらに好ましくは１．０×１０２μｇ以下が好く、より好ましくは７．５×１０μｇ以下が好ましい。
なお、ＧＣ−ＭＳ測定条件は、例えば、以下のように設定することができる。
［ＧＣ−ＭＳ測定条件（容器本体、インナー部材）］
測定方法 ：ダイナミックヘッドスペース法
カラム ：ＤＢ−１（３０ｍ×０．３２ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：５０℃３ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）２５０℃１２ｍｉｎ
［ＧＣ−ＭＳ測定条件（容器本体、インナー部材）］
測定方法 ：ダイナミックヘッドスペース法
カラム ：ＤＢ−１（３０ｍ×０．３２ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：５０℃３ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）２５０℃１２ｍｉｎ
［ＧＣ−ＭＳ測定条件（インナー部材、封止テープ）］
測定方法 ：パージ＆トラップ法
カラム ：ＤＢ−５ＭＳ（３０ｍ×０．２５ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：４０℃５ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）３００℃５ｍｉｎ
測定方法 ：パージ＆トラップ法
カラム ：ＤＢ−５ＭＳ（３０ｍ×０．２５ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：４０℃５ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）３００℃５ｍｉｎ
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
容器本体として、図１に示すような、１５２ｍｍ角のフォトマスクブランクス基板２を複数枚林立可能なインナーカセット３を収納可能な、上蓋７及び下箱６の２点を、ポリカーボネート系樹脂Ａを用いて、射出成型により製造した。
容器本体として、図１に示すような、１５２ｍｍ角のフォトマスクブランクス基板２を複数枚林立可能なインナーカセット３を収納可能な、上蓋７及び下箱６の２点を、ポリカーボネート系樹脂Ａを用いて、射出成型により製造した。
製造した上蓋７の平面の平坦部において、表面抵抗測定器（三菱化学株式会社製）を使用して表面抵抗値を測定した結果、表面抵抗値は２．０×１０４Ω／ｓｑであった。
また、上蓋７の一部から０．１ｇを切削し、精秤後にサンプルセル内に入れ、高純度ヘリウム雰囲気下で４０℃×６０ｍｉｎの加熱脱離を行い、発生したガス成分をガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ＧＣ７８９０Ａ）により、下記の条件で分析した。このとき、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、容器本体を構成する高分子系材料のアウトガス総量を求めた。その結果、検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で１８ｎｇであった。また、同様に測定したインナー部材０．１ｇを分析した結果、検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で９ｎｇであった。これより求めた容器内のアウトガス総量は、３７μｇであった。
［ＧＣ−ＭＳ測定条件（容器本体、インナー部材）］
測定方法 ：ダイナミックヘッドスペース法
カラム ：ＤＢ−１（３０ｍ×０．３２ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：５０℃３ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）２５０℃１２ｍｉｎ
測定方法 ：ダイナミックヘッドスペース法
カラム ：ＤＢ−１（３０ｍ×０．３２ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：５０℃３ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）２５０℃１２ｍｉｎ
また、インナー部材５として、１５２ｍｍ角のフォトマスクブランクス基板２を複数枚林立可能なインナーカセット３と、上蓋７の内側に嵌合可能であって上蓋７を下箱６に嵌合した際にインナーカセット３に収納したそれぞれのフォトマスクブランクス基板２を上方から固定するリテイナー部材４とを、同一のポリブチレンテレフタラート樹脂を用いて、射出成型により製造した。
インナー部材２ｇをキュリーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用い、１００℃×２０ｍｉｎ、キャリアガスＨｅを流通させながらアウトガス成分を吸着管ＴＥＮＡＸ−ＴＡに吸着採取した。吸着したアウトガス成分を、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ５９７５Ｃ−ＭＳＤ）により、下記の条件で分析した。このとき、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、インナー部材５のアウトガス総量を求めた。その結果、検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で１．３×１０２ｎｇであった。
封止テープとして、基材がポリエチレンテレフタラート系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＡを用いた。
封止テープＡを１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切削し、キュリーポイント・パージ＆トラップ・サンプラー（日本分析工業 ＪＨＳ−１００Ａ）を用いて、１５０℃×１０ｍｉｎ、キャリアガスＨｅを流通させながらアウトガス成分を吸着採取した。吸着したアウトガス成分を、ガスクロマトグラフィー質量分析計（ＧＣ−ＭＳ， Ａｇｉｌｅｎｔ ５９７５Ｃ−ＭＳＤ）により、下記の条件で分析し、検出されたピークの面積値をｎ−テトラデカンにて作成した検量線により換算することで、封止テープ９のアウトガス総量を求めた。その結果、封止テープＡにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で５．３×１０２ｎｇであった。これより求めたテープのアウトガス総量は、４０μｇであった。
［ＧＣ−ＭＳ測定条件（インナー部材、封止テープ）］
測定方法 ：パージ＆トラップ法
カラム ：ＤＢ−５ＭＳ（３０ｍ×０．２５ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：４０℃５ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）３００℃５ｍｉｎ
測定方法 ：パージ＆トラップ法
カラム ：ＤＢ−５ＭＳ（３０ｍ×０．２５ｍｍφ×０．２５μｍ）
温度 ：４０℃５ｍｉｎ（１０℃／ｍｉｎ）３００℃５ｍｉｎ
そして、化学増幅型レジストを塗布した３枚のフォトマスクブランクス基板２を、上記製造した上蓋７・下箱６・インナーカセット３・リテイナー部材４を組み立てたフォトマスクブランクス基板収納容器１に収納した。そして、上蓋７と下箱６の間隙を覆うように、封止テープＡでテーピングした。
そして、容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で４０℃の恒温槽で保管した。２０日間保管後、ＥＢ描画、ベーク、現像処理を行い、線幅４００ｎｍのＬ／Ｓ（ライン＆スペース）のレジストパターンを形成し、そのスペース幅を測定した。
また、同様にレジストを塗布したフォトマスクブランクス基板を、上記の収納容器に収納することなくＥＢ描画、ベーク、現像処理を行い、上記の収納容器に保管したフォトマスクブランクス基板２とのレジストパターンのスペース幅の差をΔＣＤとして定義して、このΔＣＤの値を求めた。
その結果、実施例１におけるΔＣＤ値は２０日間で＋１．０ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。
（実施例２）
封止テープとして、基材がポリプロピレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＢを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープとして、基材がポリプロピレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＢを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープＢのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、封止テープＢにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で９．３×１０２ｎｇであった。これより求めたテープのアウトガス総量は、７１μｇであった。
フォトマスクブランクス基板を収納した実施例２の容器本体を封止テープＢでテーピングした状態で、実施例１と同様に４０℃で２０日間保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、実施例２におけるΔＣＤ値は＋０．３ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。
（実施例３）
封止テープとして、基材がポリエチレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＣを使用した以外、実施例１と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープとして、基材がポリエチレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＣを使用した以外、実施例１と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープＣのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、封止テープＣにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算７．２×１０２ｎｇであった。これより求めたテープのアウトガス総量は、５５μｇであった。
フォトマスクブランクス基板を収納した実施例３の容器本体を封止テープＣでテーピングした状態で、実施例１と同様に４０℃で２０日間保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、実施例３におけるΔＣＤ値は−０．３ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。
（実施例４）
実施例１と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
実施例１と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
フォトマスクブランクス基板を収納した実施例４の容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で、常温かつ３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、実施例４におけるΔＣＤ値は＋０．２ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。
（実施例５）
実施例２と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
実施例２と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
フォトマスクブランクス基板を収納した実施例５の容器本体を封止テープＢでテーピングした状態で、実施例４と同様に常温かつ３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、実施例５におけるΔＣＤ値は−０．８ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。
（実施例６）
容器本体の高分子系材料として、上蓋及び下箱の材料にポリカーボネート系樹脂Ｂを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
容器本体の高分子系材料として、上蓋及び下箱の材料にポリカーボネート系樹脂Ｂを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
ポリカーボネート系樹脂Ｂのアウトガスの総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、ポリカーボネート系樹脂Ｂにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で２１ｎｇであった。また実施例１と同様、インナー部材の検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で９ｎｇである。よって容器内のアウトガス総量は、４２μｇであった。
フォトマスクブランクス基板を収納した実施例６の容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で、実施例４と同様に常温で３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、実施例６におけるΔＣＤ値は−０．１ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。
（実施例７）
容器本体の高分子系材料として、上蓋及び下箱の材料にポリカーボネート系樹脂Ｃを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
容器本体の高分子系材料として、上蓋及び下箱の材料にポリカーボネート系樹脂Ｃを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
ポリカーボネート系樹脂Ｃのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、ポリカーボネート系樹脂Ｃにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で３４ｎｇであった。よって容器内のアウトガス総量は、６１μｇであった。
フォトマスクブランクス基板を収納した実施例７の容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で、実施例４と同様に常温で３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、実施例７におけるΔＣＤ値は＋０．５ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。
（実施例８）
容器本体の高分子系材料として、上蓋及び下箱の材料にポリプロピレン系樹脂Ｄを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
容器本体の高分子系材料として、上蓋及び下箱の材料にポリプロピレン系樹脂Ｄを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
ポリプロピレン系樹脂Ｄのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、ポリプロピレン系樹脂Ｄにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で４．９×１０２ｎｇであった。よって容器内のアウトガス総量は、６３５μｇ（６．４×１０２μｇ）であった。
フォトマスクブランクス基板を収納した実施例８の容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で、実施例４と同様に常温で３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、実施例８におけるΔＣＤ値は−１．２ｎｍであり、収納容器及び封止テープの影響はほとんど受けていなかった。以上の実施例１〜８の結果を、下記の表１にまとめた。
（比較例１）
容器本体として、上蓋及び下箱の材料にメタクリル酸メチル系樹脂Ｅを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
容器本体として、上蓋及び下箱の材料にメタクリル酸メチル系樹脂Ｅを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
メタクリル酸メチル系樹脂Ｅのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、メタクリル酸メチル系樹脂Ｅにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で２．０×１０３ｎｇであった。よって容器内のアウトガス総量は、３０３２μｇであった。
フォトマスクブランクス基板を収納した比較例１の容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で、実施例１と同様に４０℃で２０日間保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、比較例１におけるΔＣＤ値は＋７．４ｎｍであり、収納容器の影響を受けていた。
（比較例２）
封止テープとして、基材がポリ塩化ビニル系かつ粘着面が天然ゴム系である封止テープＤを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープとして、基材がポリ塩化ビニル系かつ粘着面が天然ゴム系である封止テープＤを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープＤのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、封止テープＤにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で１．７×１０４ｎｇであった。これより求めたテープのアウトガス総量は、１２９１μｇ（１.３×１０3μｇ）であった。
フォトマスクブランクス基板を収納した比較例２の容器本体を封止テープＤでテーピングした状態で、実施例１と同様に４０℃で２０日間保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、比較例２におけるΔＣＤ値は−１２．９ｎｍであり、封止テープの影響を受けていた。
（比較例３）
封止テープとして、基材がポリエチレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＥを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープとして、基材がポリエチレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＥを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
また、封止テープＥのアウトガスの総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、封止テープＥにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０３ｎｇであった。これより求めたテープのアウトガス総量は、１４４μｇ（１.４×１０2μｇ）であった。
フォトマスクブランクス基板を収納した比較例３の容器本体を封止テープＥでテーピングした状態で、実施例１と同様に４０℃で２０日間保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、比較例３におけるΔＣＤ値は−３．９ｎｍであり、封止テープの影響を受けていた。
（比較例４）
封止テープとして、基材がポリエチレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＦを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
封止テープとして、基材がポリエチレン系かつ粘着面がポリアクリル酸エステルである封止テープＦを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
また、封止テープＦのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、封止テープＦにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で２．４×１０３ｎｇであった。これより求めたテープのアウトガス総量は、１８２μｇ（１.８×１０2μｇ）であった。
フォトマスクブランクス基板を収納した比較例４の容器本体を封止テープＦでテーピングした状態で、実施例１と同様に４０℃で２０日間保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、比較例４におけるΔＣＤ値は−２．３ｎｍであり、封止テープの影響を受けていた。
（比較例５）
比較例２と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
比較例２と同様にしてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
フォトマスクブランクス基板を収納した比較例５の容器本体を封止テープＤでテーピングした状態で、常温かつ３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、比較例５におけるΔＣＤ値は−２．４ｎｍであり、封止テープの影響を受けていた。
（比較例６）
容器本体として、上蓋及び下箱の材料にアクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｆを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
容器本体として、上蓋及び下箱の材料にアクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｆを使用した以外、実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
アクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｆのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、アクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｆにおいて検出されたアウトガス総量は、５．２×１０３ｎｇであった。よって容器内のアウトガス総量は、７２５９μｇであった。
フォトマスクブランクス基板を収納した比較例６の容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で、実施例４と同様に常温で３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、比較例６におけるΔＣＤ値は−４．７ｎｍであり、収納容器の影響を受けていた。
（比較例７）
容器本体として、上蓋及び下箱の材料にアクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｇを使用した以外、実施例１と同条件にて実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
容器本体として、上蓋及び下箱の材料にアクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｇを使用した以外、実施例１と同条件にて実施例１と同条件にてフォトマスクブランクス基板収納容器を製造した。
アクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｇのアウトガス総量について、実施例１と同様にしてＧＣ−ＭＳ分析した。その結果、アクリロニトリルブタジエンスチレン系樹脂Ｇにおいて検出されたアウトガス総量は、ｎ−テトラデカン換算で５．９×１０３ｎｇであった。よって容器内のアウトガス総量は、８２３４μｇであった。
フォトマスクブランクス基板を収納した比較例７の容器本体を封止テープＡでテーピングした状態で、実施例４と同様に常温で３ヶ月間（９０日間）保管した。
保管後のフォトマスクブランクス基板を、実施例１と同様にして、ＥＢ描画、ベーク、現像して得られたパターンを測定した。その結果、比較例７におけるΔＣＤ値は−４．５ｎｍであり、収納容器の影響を受けていた。比較例１〜７の結果を下記の表２にまとめた。
表２に示すように、比較例１、６、７では、インナー部材及び封止テープのアウトガス総量は少なかったが、容器本体のアウトガス総量が、ｎ−テトラデカン換算で２．０×１０３ｎｇ以上であった。また容器内のアウトガス総量は、３．０×１０３μｇ以上であった。そのため、比較例１、６、７では、収納容器における、特に、容器本体の影響を受けてΔＣＤ値が悪化したと考えられる。
また、比較例２〜５では、インナー部材及び容器本体のアウトガス総量は少なかったが、封止テープのアウトガス総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０３ｎｇ以上であった。またテープのアウトガス総量は１.４×１０2μｇ以上であった。そのため、比較例２〜５では、封止テープの影響を受けてΔＣＤ値が悪化したと考えられる。
一方、表１に示したように、実施例１〜８では、容器本体、インナー部材及び封止テープのアウトガス総量がいずれも本発明の範囲内であったので、ΔＣＤ値の悪化を抑制することができた。
このような、本発明のフォトマスクブランクス基板収納容器であれば、容器本体、インナー部材及び封止テープから発生する揮発性有機成分による、レジストパターンへの影響を抑えながら、フォトマスクブランクス基板の保管・輸送が可能となることが分かった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１…フォトマスクブランクス基板収納容器、 ２…フォトマスクブランクス基板、
３…インナーカセット、 ４…リテイナー部材、 ５…インナー部材、
６…下箱、 ７…上蓋、 ８…容器本体、 ９…封止テープ。
３…インナーカセット、 ４…リテイナー部材、 ５…インナー部材、
６…下箱、 ７…上蓋、 ８…容器本体、 ９…封止テープ。
Claims (5)
- フォトマスクブランクス基板を収納するためのフォトマスクブランクス基板収納容器であって、
前記フォトマスクブランクス基板を収容可能なインナーカセットと、該インナーカセットに収納した前記フォトマスクブランクス基板を上方から固定するリテイナー部材とを有するインナー部材と、
前記インナーカセットを収容可能な下箱と、前記リテイナー部材を内側に嵌合可能な上蓋とを有する容器本体と、
該容器本体を封止する封止テープとを有し、
前記容器本体は、０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０３ｎｇ以下である高分子系材料からなり、
前記インナー部材は、０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．９×１０ ３ ｎｇ以下であり、かつ、
２ｇのサンプリング時１００℃で２０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．０×１０ ３ ｎｇ以下である高分子系材料からなり、
前記封止テープは、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．８×１０３ｎｇ以下のものであることを特徴とするフォトマスクブランクス基板収納容器。 - 前記容器本体及び前記インナー部材は、０．１ｇのサンプリング時４０℃で６０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で５００ｎｇ以下である高分子系材料からなり、
前記封止テープは、１０ｍｍ×１０ｍｍ大にサンプリング時１５０℃で１０分保持の下で放出されるアウトガス成分中、ガスクロマトグラフィー質量分析計にて検出されるアウトガスの総量が、ｎ−テトラデカン換算で１．０×１０３ｎｇ以下のものであることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクス基板収納容器。 - 前記容器本体の内面から発生するアウトガス成分によるアウトガスの総量と、前記インナー部材の表面から発生するアウトガス成分によるアウトガスの総量との和が、３．０×１０３μｇ未満のものであり、
前記容器本体を封止する封止テープから発生するアウトガス成分によるアウトガスの総量が、１．４×１０２μｇ未満のものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクブランクス基板収納容器。 - 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクス基板収納容器内に収納して前記フォトマスクブランクス基板を保管することを特徴とするフォトマスクブランクス基板の保管方法。
- 請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクス基板収納容器内に収納して前記フォトマスクブランクス基板を輸送することを特徴とするフォトマスクブランクス基板の輸送方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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