TWI739819B - 光罩空白基板收納容器、光罩空白基板之保管方法，及光罩空白基板之運輸方法 - Google Patents

光罩空白基板收納容器、光罩空白基板之保管方法，及光罩空白基板之運輸方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種光罩空白基板收納容器，該 收納容器係抑制向光阻圖型之影響，同時可保管、運輸光罩空白基板。

一種光罩空白基板收納容器，其特徵為 具備具有內匣盒與保持器構件的內構件，與具有下箱與上蓋的容器本體，與密封膠帶，容器本體及內構件係由取樣0.1g時在40℃、60分鐘保持之下放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.9×103ng以下的高分子系材料所構成，密封膠帶係取樣成10mm×10mm大小時在150℃保持10分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.8×103ng以下者。

Description

光罩空白基板收納容器、光罩空白基板之保管方法，及光罩空白基板之運輸方法
本發明係關於光罩空白基板收納容器、光罩空白基板之保管方法，及光罩空白基板之運輸方法。
以半導體為首的設計電路之設計規則係成為逐年向電路之更微細化進展。伴隨於此，關於用以形成電路之光罩，該所謂線寬、形狀、間距之電路圖型所要求的條件亦更加嚴苛。
作為電路之形成方法係迄今使用了光刻法，但作為用以對應於如此進行的微細化之光阻材料，常用適於更短波長、更高解析度的化學增幅型光阻。
使用化學增幅型光阻的光刻法係透過所謂準分子雷射的光照射，或電子束之照射，該光阻材料中之觸媒物質產生，在次步驟透過進行熱處理，該觸媒物質與高分子進行反應，透過光或電子照射部分為可溶(正型)或不溶化(負型)，得到所期望之電路圖型的方法。
至此，關於將已塗布此光阻材料的光罩空白基板在光或電子照射之前進行保管、搬送的光罩空白基板 收納容器(以下，亦僅稱為收納容器)係因為運輸、搬送為容易故以輕量為最佳，又由廉價且可大量製造的觀點，可使用將各式各樣之高分子系材料作為基材，透過射出成形等而製造的收納容器。
但是，從由此等高分子系材料所構成的收納容器產生的各式各樣之揮發性成分，於保管及運輸光罩空白基板中，塗布於光罩空白基板上的光阻材料之觸媒作用，對該可溶化作用或不溶化作用帶來某些影響，於透過光或電子束照射及熱處理、顯像而形成的光罩空白基板上之光阻圖型，例如產生線寬之擴大、縮小等之尺寸變化，該結果，有產生無法得到依照設計之圖型的不良狀況。
對於起因於如此的高分子系材料的問題，著眼於逸出氣體之己內醯胺，提案有由己內醯胺量為以n-癸烷換算成為每樹脂重量0.01ppm以下的熱可塑性樹脂所構成的收納容器(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第WO2015/037176號
但是，近年來，光阻所要求的解析性、對比性能更加提高，在先前之光罩空白基板收納容器係尺寸變動控制為不充分之情事變得明瞭。此外，迄今作為向光阻 圖型之影響控制手段，著眼於由收納容器之逸出氣體控制，但本發明者等調查後，了解不僅由上述之塑膠製之收納容器產生的揮發性有機物成分，由該密封膠帶產生的揮發成分亦也是會對光罩空白基板上之光阻圖型帶來影響。
亦即，了解除了用以保管或運輸光罩空白基板之收納容器，關於該密封膠帶之逸出氣體亦須要控制，關於收納容器和密封膠帶之組合，需要更進一步的改善。
本發明係用以解決上述之問題而為者，其目的為提供一種光罩空白基板收納容器，該收納容器係抑制向已收納的光罩空白基板上之光阻圖型之影響，同時可保管、運輸光罩空白基板。
為了達成上述目的，透過本發明，提供一種光罩空白基板收納容器，其係用以收納光罩空白基板之光罩空白基板收納容器，其特徵為具備具有可收容前述光罩空白基板的內匣盒，與由上方固定收納於該內匣盒的前述光罩空白基板的保持器構件的內構件，與具有可收容前述內匣盒的下箱，與可將前述保持器構件嵌合於內側的上蓋的容器本體，與密封該容器本體的密封膠帶，前述容器本體及前述內構件係由取樣0.1g時在40℃保持60分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量 分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.9×103ng以下的高分子系材料所構成，前述密封膠帶係取樣成10mm×10mm大小時在150℃保持10分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.8×103ng以下者。
如為如此者，則成為抑制由容器本體、內構件及密封膠帶所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響，同時可保管、運輸光罩空白基板。
此時，前述容器本體及前述內構件係由取樣0.1g時在40℃保持60分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為500ng以下的高分子系材料所構成，前述密封膠帶係取樣成10mm×10mm大小時在150℃保持10分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.0×103ng以下者為理想。
如為如此者，則可更確實地抑制由容器本體、內構件及密封膠帶所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響。
又，此時前述內構件係由取樣2g時在100℃保持20分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.0×103ng以下的高分子系材料所構成者為理想。
如為如此者，則可更確實地抑制由配置於容器內的內構件所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響。
又，此時前述容器本體係由將聚碳酸酯設為主成分的高分子系材料所構成，且，該表面阻抗值為2.0×104Ω/sq以下，前述密封膠帶係具有由聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚乙烯之任一者所構成的基材，與由聚丙烯酸酯所構成的黏著面者為理想。
如為如此者，則可更確實地抑制由容器本體、內構件及密封膠帶所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響，同時變得難以帶電，亦可抑制廢棄物之吸附。
又，此時由前述容器本體之內面所產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體之總量，與由前述內構件之表面所產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體之總量之和(容器內之逸出氣體總量)為未達3.0×103μg者，由密封前述容器本體的密封膠帶所產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體之總量(密封膠帶之逸出氣體總量)為未達1.4×102μg者為理想。
如為如此者，則可更確實地抑制由容器本體之內面、內構件之表面及密封膠帶所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響。
又，本發明係提供一種光罩空白基板之保管 方法，其特徵為收納於前述本發明之光罩空白基板收納容器內而保管前述光罩空白基板。更進一步，本發明係提供一種光罩空白基板之運輸方法，其特徵為收納於前述本發明之光罩空白基板收納容器內而運輸前述光罩空白基板。
如此地進行，如為使用本發明之光罩空白基板收納容器而保管、運輸光罩空白基板，則抑制由容器本體、內構件及密封膠帶所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響，同時可保管、運輸光罩空白基板。
如藉由本發明，則抑制由容器本體、內構件及密封膠帶所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響，同時可保管及運輸已收納的光罩空白基板。
1:光罩空白基板收納容器
2:光罩空白基板
3:內匣盒
4:保持器構件
5:內構件
6:下箱
7:上蓋
8:容器本體
9:密封膠帶
9-A~9-F:密封膠帶
[第1圖]表示本發明之光罩空白基板收納容器之一例的概略圖。
[第2圖]表示在本發明之光罩空白基板收納容器，收納基板而以密封膠帶已進行膠帶貼合的狀態的概略圖。
以下，關於本發明說明實施之態樣，但本發明係不限定於此。
如上述，近年來，光阻所要求的解析性、對比性能更加提高，在先前之光罩空白基板收納容器係有尺寸變動控制為不充分的問題。
因此，本發明者等係為了解決上述問題點而重覆專心致力研討。該結果，發現作為已塗布化學增幅型光阻的光罩空白基板之保管及運輸方法，以組合由構成收納容器的高分子系材料所產生的逸出氣體總量為一定量以下的收納容器，和由該密封膠帶產生的逸出氣體總量為一定量以下之密封膠帶，防止光罩空白基板之保管、運輸後，於進行曝光、感光及顯像而形成的光阻圖型之線寬產生的不良狀況，可得到高精細的光阻圖型，達成本發明。然後，關於用以實施此等之最佳之形態進行詳細調查，完成本發明。
如第1圖、第2圖所示，本發明之光罩空白基板收納容器1係具有可收容光罩空白基板2的內匣盒3，與由上方固定收納於該內匣盒3的光罩空白基板2的保持器構件4的內構件5，與具有可收容內匣盒3的下箱6，與可將保持器構件4嵌合於內側的上蓋7的容器本體8，與密封該容器本體8的密封膠帶9。
內匣盒3係可使光罩空白基板2於垂直方向林立，以一定間隔整齊排列而設為可收納者。
尚，光罩空白基板收納容器1係不限於收納如上述般的複數之光罩空白基板2的容器，亦可為將光罩空白基板2每一片地收納的單片式容器。又，可作為阻隔外 氣的密閉型容器、亦可作為經由化學過濾器而與外氣相通的收納容器等。
使用光罩空白基板收納容器1而保管或運輸的光罩空白基板2係可舉出具有相位移膜者、具有Cr遮光膜者等，但理想為塗布化學增幅型光阻者為最佳。
容器本體8及內構件5係各自由取樣0.1g時在40℃保持60分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.9×103ng以下的高分子系材料所構成。然後，密封膠帶9係取樣成10mm×10mm大小時在150℃保持10分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.8×103ng以下者。
尚，容器本體8和內構件5之材料係可設為同樣的高分子系材料，亦可設為不同的高分子系材料。更進一步，容器本體8之下箱6和上蓋7之材料係可設為同樣的高分子系材料，亦可設為不同的高分子系材料。又，內構件5之內匣盒3和保持器構件4之材料係可設為同樣的高分子系材料，亦可設為不同的高分子系材料。
然後，在本發明，在上述複數之零件之材料不同的情況，該等之材料係各自為滿足上述條件的高分子系材料。取樣係設為對每個材料之種類進行。
如為組合如此的容器本體8、內構件5及密封膠帶9而使用的光罩空白基板收納容器1，則成為抑制由容器本體8、內構件5及密封膠帶9所產生的揮發性有機成分 所致的向光阻圖型之影響，同時可保管、運輸光罩空白基板2。
於可使用於構成容器本體8的下箱6和上蓋7、以及構成內構件5的內匣盒3和保持器構件4的高分子系材料係例如可舉出聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、丙烯腈丁二烯苯乙烯。尚，作為下箱6、上蓋7、內匣盒3、保持器構件4，此等之高分子系材料為理想，但不限定於此等者。
此時，容器本體8及內構件5係可設為各自由取樣0.1g時在40℃保持60分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係以n-十四烷換算為1.9×103ng以下，較理想為500ng以下，更理想為100ng以下，最理想為50ng以下的高分子系材料所構成者。又，密封膠帶係可設為取樣成10mm×10mm大小時在150℃保持10分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.8×103ng以下，較理想為1.0×103ng以下者。
如為如此的逸出氣體之總量為較少之組合容器本體8、內構件5及密封膠帶9而使用的光罩空白基板收納容器1，則可更確實地抑制由容器本體8、內構件5及密封膠帶9所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響。
作為逸出氣體較少的高分子材料係例如可舉 出聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯。收納容器係以此等複數之樹脂構成者為佳。
更進一步，內構件5係由至少1個之高分子系材料所構成，該至少1個之高分子系材料之各自係取樣2g時在100℃保持20分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為由1.0×103ng以下的高分子系材料為較理想。
內構件5係因為直接接觸於光罩空白基板2，同時全部配置於容器內，所以藉由使用如上述的被檢測的逸出氣體之總量較少者，可更確實地抑制由內構件5所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響。
此時，容器本體8及內構件5之中任1個以上(特別是容器本體8)係由將聚碳酸酯設為主成分的至少1個之高分子系材料所構成，且，該表面阻抗值為2.0×104Ω/sq以下者為理想。容器本體8之表面阻抗值為2.0×104Ω/sq以下為理想，容器本體8及內構件5之表面阻抗值為2.0×104Ω/sq以下為更理想。因為表面阻抗值越小，變得越難以帶電，所以可抑制靜電，可防止廢棄物之吸附或粒子混入。
又，密封膠帶9係可設為具有基材與黏著面者。此時，於密封膠帶9之基材係例如可舉出聚烯烴系、聚酯系、聚氯乙烯、尼龍，但理想為由聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚乙烯之任一所構成者為理想。又，於密封膠帶9之黏著面係作為黏著劑，例如可舉出聚丙烯酸酯 系、聚甲基丙烯酸酯系、聚醋酸乙烯酯、橡膠系，但理想為由聚丙烯酸酯系所構成者為理想。
如為組合如此的密封膠帶9，和具有如上述般的表面阻抗值的容器本體8及內構件5者，則可更確實地抑制由容器本體8、內構件5及密封膠帶9所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響，同時變得難以帶電，亦可抑制廢棄物之吸附。
又，密封膠帶9係為了防止外部氣體流入至收納容器，所以密著性能高者為最佳。更進一步，為了將收納容器之密封及開封設為容易，所以伸縮率高者為最佳。
接著，說明關於本發明之光罩空白基板之保管方法及運輸方法。在此係說明關於在使用如上述的第1、2圖所示的本發明之光罩空白基板收納容器1的情況。
首先，於下箱6收納內匣盒3，於上蓋7嵌合保持器構件4。然後，將光罩空白基板2收納於內匣盒3，關閉上蓋7。之後，將容器本體8以密封膠帶9密封。然後，以在光罩空白基板收納容器1內收納光罩空白基板2的狀態，保管、運輸光罩空白基板2。如為如此地進行，使用本發明之光罩空白基板收納容器而保管、運輸光罩空白基板，則抑制由容器本體8、內構件5及密封膠帶9所產生的揮發性有機成分所致的向光阻圖型之影響，同時可保管、運輸光罩空白基板2。
尚，作為透過如上述的氣相層析質量分析計，檢測逸出氣體之總量的方法，具體而言係可如以下之 方式進行。
GC-MS分析方法 (容器本體和內構件)
將由容器本體8之上蓋7之一部分，把0.1g切削成立方體形狀的樣本，精秤後放入樣本室內，在高純度氦氣環境下進行40℃×60min之加熱脫離。將產生的氣體成分透過氣相層析質量分析計(GC-MS，Agilent GC7890A)分析，將檢測的波峰之面積值，透過以n-十四烷作成的校準曲線換算，可求出構成容器本體8的高分子系材料之逸出氣體總量(來自樣本之逸出氣體量：x(ng))。將此係定義為容器本體之逸出氣體總量。
又，在構成容器本體的高分子系材料為複數存在的情況係設為求出由該各自之高分子系材料所構成的容器本體之逸出氣體總量。
例如，於容器本體8之上蓋7和下箱6之高分子系材料不同的情況係關於各自之高分子系材料進行上述之分析，設為求出由各自之高分子系材料所構成的容器本體之逸出氣體總量(將來自由上蓋7切削的樣本之容器本體之逸出氣體總量設為x1(ng)、將來自由下箱6切削的樣本之容器本體之逸出氣體總量設為x2(ng))。
同樣地，將由內構件5之一部分，把0.1g切削成立方體形狀的樣本，精秤後放入樣本室內，在高純度氦氣環境下進行40℃×60min之加熱脫離。將產生的氣體成分透過氣 相層析質量分析計(GC-MS，Agilent GC7890A)分析，將檢測的波峰之面積值，透過以n-十四烷作成的校準曲線換算，可求出構成內構件5的高分子系材料之逸出氣體總量(來自樣本之逸出氣體量：y(ng))。將此係定義為內構件之逸出氣體總量。
又，在構成內構件的高分子系材料為複數存在的情況係設為求出由該各自之高分子系材料所構成的內構件之逸出氣體總量。
例如，於內構件5之內匣盒3和保持器構件4之高分子系材料不同的情況係關於各自之高分子系材料進行上述之分析，設為求出由各自之高分子系材料所構成的內構件之逸出氣體總量(將來自由內匣盒3切削的樣本之內構件之逸出氣體總量設為y1(ng)、將來自由保持器構件4切削的樣本之內構件之逸出氣體總量設為y2(ng))。
更進一步，根據此等之結果，各自求出由相當於容器本體之內面積產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體總量、和由相當於內構件之面積產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體總量，將該和定義為光罩空白基板在容器內暴露的由容器本體之內面和內構件之表面產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體總量。以下，定義為容器內之逸出氣體總量。
具體而言，透過將容器本體之內面積(B(mm2))除以容器本體之樣本之表面積(A(mm2))，乘上由上述樣本之逸出氣體量，算出來自容 器本體之內面之逸出氣體總量((B/A)×x(ng))。
接著透過將內構件之表面積(D(mm2))除以內構件之樣本之表面積(C(mm2))，乘上由上述樣本之逸出氣體量，算出來自內構件之表面之逸出氣體總量((D/C)×y(ng))。
透過此等之和{(B/A)×x+(D/C)×y}(ng)，可得到容器內之逸出氣體總量。
一般而言在容器本體為以複數之高分子系材料構成，更進一步，內構件亦以複數之高分子系材料構成的情況係容器內之逸出氣體總量係成為如以下之式。
{Σn k=1(Bk/Ak)×xk+Σm l=1(D1/C1)×y1}(ng)
在此容器本體8係表示以n種之高分子系材料構成，內構件5係表示以m種之高分子系材料構成。
上述式中，k為1~n之整數，係表示構成容器本體8之n種之高分子系材料之其中一者所標示的字。l為1~m之整數，係表示構成內構件5之m種類之高分子系材料之其中一者所標示的字。
容器內之逸出氣體總量係未達3.0×103μg為理想，更理想為8.0×102μg以下為理想，較理想為6.5×102μg以下為理想。
(內構件)
由內構件5採取2g，使用居里點‧吹氣捕捉取樣器(日本分析工業公司JHS-100A)，以100℃×20min使載 體氣體He流通同時將逸出氣體成分吸附採取至吸附管TENAX-TA。將吸附的逸出氣體成分透過氣相層析質量分析計(GC-MS，Agilent 5975C-MSD)分析，將檢測的波峰之面積值，透過以n-十四烷作成的校準曲線換算，可求出內構件5之逸出氣體總量。
(密封膠帶)
將密封膠帶9切削成10mm×10mm之大小的樣本，使用居里點‧吹氣捕捉取樣器(日本分析工業公司JHS-100A)，以150℃×10min使載體氣體He流通同時吸附採取逸出氣體成分。將吸附的逸出氣體成分透過氣相層析質量分析計(GC-MS，Agilent 5975C-MSD)分析，將檢測的波峰之面積值，透過以n-十四烷作成的校準曲線換算，可求出密封膠帶之逸出氣體總量(由樣本之逸出氣體量：z(ng))。將此係定義為密封膠帶之逸出氣體之總量。
又，將容器本體之周圍由膠帶貼合時之密封膠帶所生的逸出氣體總量由上述結果求出，以下，定義為密封膠帶之逸出氣體總量。
具體而言，此次使用的密封膠帶之寬係全部為10mm。將用以密封容器本體之密封膠帶之全長設為E(mm)。接著算出由使用的密封膠帶之面積((10×E)(mm2))放出的密封膠帶之逸出氣體總量({(10×E)/(10×10)}×z(ng))。尚，所謂密封膠帶之全長係相當於容器本體之全周的長度。於將容器本體以密封膠帶遍 及全周密閉時，重疊於已纏繞的密封膠帶上而貼附密封膠帶，但不包含此重疊的長度。
密封膠帶之逸出氣體總量係未達1.4×102μg為理想，更理想為1.0×102μg以下為理想，較理想為7.5×10μg以下為理想。
尚，GC-MS測定條件係例如可如以下之方式設定。
[GC-MS測定條件(容器本體、內構件)]
測定方法：動態頂空注入分析法
管柱：DB-1(30m×0.32mm
Figure 106111564-A0305-02-0018-4
×0.25um)
溫度：50℃、3min(10℃/min)250℃、12min
[GC-MS測定條件(內構件、密封膠帶)]
測定方法：吹氣捕捉法
管柱：DB-5MS(30m×0.25mm
Figure 106111564-A0305-02-0018-5
×0.25um)
溫度：40℃、5min(10℃/min)300℃、5min
[實施例]
以下，表示本發明之實施例及比較例而更具體地說明本發明，但本發明並非被限定於此等者。
(實施例1)
作為容器本體，將如第1圖所示般的，可收納可將152mm見方之光罩空白基板2複數片林立的內匣盒3的上蓋 7及下箱6之2點，使用構件0.1g之逸出氣體總量以n-十四烷換算為18ng之聚碳酸酯系樹脂A，透過射出成形而製造。
在已製造的上蓋7之平面之平坦部，使用表面阻抗測定器(三菱化學公司製)而測定表面阻抗值的結果，表面阻抗值為2.0×104Ω/sq。
又，由上蓋7之一部分，切削0.1g，精秤後放入樣本室內，在高純度氦氣環境下進行40℃×60min之加熱脫離，將產生的氣體成分透過氣相層析質量分析計(GC-MS，Agilent GC7890A)，以下述之條件分析。此時，將檢測的波峰之面積值，透過以n-十四烷作成的校準曲線換算，求出構成容器本體的高分子系材料之逸出氣體總量。該結果，檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為18ng。又，將同樣地測定的內構件0.1g進行分析的結果，檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為9ng。透過此而求出的容器內之逸出氣體總量為37μg。
[GC-MS測定條件(容器本體、內構件)]
測定方法：動態頂空注入分析法
管柱：DB-1(30m×0.32mm
Figure 106111564-A0305-02-0019-6
×0.25μm)
溫度：50℃、3min(10℃/min)250℃、12min
又，作為內構件5，將可使152mm見方之光罩空白基板2複數片林立的內匣盒3，與可嵌合於上蓋7之內側且將上蓋7嵌合於下箱6時由上方固定收納於內匣盒3的各自之光罩空白基板2的保持器構件4，使用同一之聚對苯 二甲酸丁二酯樹脂，透過射出成形而製造。
將內構件2g，使用居里點.吹氣捕捉取樣器(日本分析工業公司JHS-100A)，以100℃×20min使載體氣體He流通同時將逸出氣體成分吸附採取至吸附管TENAX-TA。將吸附的逸出氣體成分透過氣相層析質量分析計(GC-MS，Agilent 5975C-MSD)，以下述之條件分析。此時，將檢測的波峰之面積值透過以n-十四烷作成的校準曲線換算，求出內構件5之逸出氣體總量。該結果，檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為1.3×102ng。
作為密封膠帶9，使用基材為聚丙烯聚對苯二甲酸乙二酯系且黏著面為聚丙烯酸酯的密封膠帶9-A。
將密封膠帶9-A切削成10mm×10mm之大小，使用居里點‧吹氣捕捉取樣器(日本分析工業公司JHS-100A)，以150℃×10min使載體氣體He流通同時吸附採取逸出氣體成分。將吸附的逸出氣體成分透過氣相層析質量分析計(GC-MS，Agilent 5975C-MSD)，以下述之條件分析，將檢測的波峰之面積值，透過以n-十四烷作成的校準曲線換算，求出密封膠帶9-A之逸出氣體總量。該結果，在密封膠帶9-A檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為5.3×102ng。透過此而求出的密封膠帶之逸出氣體總量為40μg。
[GC-MS測定條件(內構件、密封膠帶)]
測定方法：吹氣捕捉法
管柱：DB-5MS(30m×0.25mm
Figure 106111564-A0305-02-0021-7
×0.25μm)
溫度：40℃、5min(10℃/min)300℃、5min
然後，將已塗布化學增幅型光阻的3片之光罩空白基板2，收納於已組裝上述製造的上蓋7、下箱6、內匣盒3、保持器構件4的光罩空白基板收納容器1。然後，以覆蓋上蓋7和下箱6之間隙之方式，以密封膠帶9-A進行膠帶貼合。
然後，以將容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態以40℃之恒溫槽保管。在20日保管後，進行EB描繪、烘烤、顯像處理，形成線寬400nm之L/S(線&間隙)之光阻圖型，測定該間隙寬。
又，將同樣地已塗布光阻的光罩空白基板，不收納於上述之收納容器而進行EB描繪、烘烤、顯像處理，將與保管於上述之收納容器的光罩空白基板2之光阻圖型之間隙寬之差定義為△CD，求出此△CD之值。
該結果，在實施例1的△CD值係在20日為+1.0nm，幾乎未受到收納容器及密封膠帶之影響。
(實施例2)
除了作為密封膠帶9，使用基材為聚丙烯系且黏著面為聚丙烯酸酯的密封膠帶9-B以外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於密封膠帶9-B之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在密封膠帶B檢測的 逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為9.3×102ng。透過此而求出的密封膠帶之逸出氣體總量為71μg。
以將已收納光罩空白基板的實施例2之容器本體以密封膠帶9-B進行了膠帶貼合的狀態，與實施例1同樣地以40℃保管20日。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在實施例2的△CD值為+0.3nm，幾乎未受到收納容器及密封膠帶之影響。
(實施例3)
除了作為密封膠帶9，使用基材為聚乙烯系且黏著面為聚丙烯酸酯的密封膠帶9-C以外，以與實施例1同樣地進行而製造光罩空白基板收納容器。
關於密封膠帶9-C之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在密封膠帶9-C檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為7.2×102ng。透過此而求出的密封膠帶之逸出氣體總量為55μg。
以將已收納光罩空白基板的實施例3之容器本體以密封膠帶9-C進行了膠帶貼合的狀態，與實施例1同樣地以40℃保管20日。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在實施例3的△CD值為-0.3nm，幾乎未受到收納容 器及密封膠帶之影響。
(實施例4)
與實施例1同樣地進行而製造光罩空白基板收納容器。
以將已收納光罩空白基板的實施例4之容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態，常溫且保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在實施例4的△CD值為+0.2nm，幾乎未受到收納容器及密封膠帶之影響。
(實施例5)
與實施例2同樣地進行而製造光罩空白基板收納容器。
以將已收納光罩空白基板的實施例5之容器本體以密封膠帶9-B進行了膠帶貼合的狀態，與實施例4同樣地常溫且保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在實施例5的△CD值為-0.8nm，幾乎未受到收納容器及密封膠帶之影響。
(實施例6)
除了作為容器本體之高分子系材料，於上蓋及下箱之材料使用構件0.1g之逸出氣體總量以n-十四烷換算為21ng之聚碳酸酯系樹脂B以外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於聚碳酸酯系樹脂B之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在聚碳酸酯系樹脂B檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為21ng。又，與實施例1相同，內構件之檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為9ng。因而，容器內之逸出氣體總量為42μg。
以將已收納光罩空白基板的實施例6之容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態，與實施例4同樣地以常溫保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在實施例6的△CD值為-0.1nm，幾乎未受到收納容器及密封膠帶之影響。
(實施例7)
除了作為容器本體之高分子系材料，於上蓋及下箱之材料使用構件0.1g之逸出氣體總量以n-十四烷換算為34ng之聚碳酸酯系樹脂C以外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於聚碳酸酯系樹脂C之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在聚碳酸酯系樹脂C檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為34ng。因而，容器內之逸出氣體總量為61μg。
以將已收納光罩空白基板的實施例7之容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態，與實施例4同樣地以常溫保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在實施例7的△CD值為+0.5nm，幾乎未受到收納容器及密封膠帶之影響。
(實施例8)
除了作為容器本體之高分子系材料，於上蓋及下箱之材料使用聚丙烯系樹脂D以外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於聚丙烯系樹脂D之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在聚丙烯系樹脂D檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為4.9×102ng。因而，容器內之逸出氣體總量為635μg(6.4×102μg)。
以將已收納光罩空白基板的實施例8之容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態，與實施例4同樣地以常溫保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地 進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在實施例8的△CD值為-1.2nm，幾乎未受到收納容器及密封膠帶之影響。將以上之實施例1~8之結果，匯整於下述之表1。
Figure 106111564-A0305-02-0027-2
(比較例1)
除了作為容器本體，於上蓋及下箱之材料使用甲基丙烯酸甲酯系樹脂E以外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於甲基丙烯酸甲酯系樹脂9-E之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在甲基丙烯酸甲酯系樹脂E檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為2.0×103ng。因而，容器內之逸出氣體總量為3032μg。
以將已收納光罩空白基板的比較例1之容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態，與實施例1同樣地以40℃保管20日。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在比較例1的△CD值為+7.4nm，受到收納容器之影響。
(比較例2)
除了作為密封膠帶，使用基材為聚氯乙烯系且黏著面為天然橡膠系的密封膠帶9-D以外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於密封膠帶9-D之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在密封膠帶9-D檢測 的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為1.7×104ng。透過此而求出的密封膠帶之逸出氣體總量為1291μg(1.3×103μg)。
以將已收納光罩空白基板的比較例2之容器本體以密封膠帶9-D進行了膠帶貼合的狀態，與實施例1同樣地以40℃保管20日。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在比較例2的△CD值為-12.9nm，受到密封膠帶之影響。
(比較例3)
除了作為密封膠帶9，使用基材為聚乙烯系且黏著面為聚丙烯酸酯的密封膠帶9-E以外，以與實施例1同條件進行而製造光罩空白基板收納容器。
又，關於密封膠帶9-E之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在密封膠帶9-E檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為1.9×103ng。透過此而求出的密封膠帶之逸出氣體總量為144μg(1.4×102μg)。
以將已收納光罩空白基板的比較例3之容器本體以密封膠帶9-E進行了膠帶貼合的狀態，與實施例1同樣地以40℃保管20日。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地 進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在比較例3的△CD值為-3.9nm，受到密封膠帶之影塑。
(比較例4)
除了作為密封膠帶9，使用基材為聚乙烯系且黏著面為聚丙烯酸酯的密封膠帶9-F以外，以與實施例1同條件進行而製造光罩空白基板收納容器。
又，關於密封膠帶9-F之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在密封膠帶9-F檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為2.4×103ng。透過此而求出的密封膠帶之逸出氣體總量為182μg(1.8×102μg)。
以將已收納光罩空白基板的比較例4之容器本體以密封膠帶9-F進行了膠帶貼合的狀態，與實施例1同樣地以40℃保管20日。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在比較例4的△CD值為-2.3nm，受到密封膠帶之影響。
(比較例5)
與比較例2同樣地進行而製造光罩空白基板收納容器。
以將已收納光罩空白基板的比較例5之容器本體以密封膠帶9-D進行了膠帶貼合的狀態，常溫且保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在比較例5的△CD值為-2.4nm，受到密封膠帶之影響。
(比較例6)
除了作為容器本體，於上蓋及下箱之材料使用丙烯腈丁二烯苯乙烯系樹脂F以外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於丙烯腈丁二烯苯乙烯系樹脂F之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在丙烯腈丁二烯苯乙烯系樹脂F檢測的逸出氣體總量為5.2×103ng。因而，容器內之逸出氣體總量為7259μg。
以將已收納光罩空白基板的比較例6之容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態，與實施例4同樣地以常溫保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在比較例6的△CD值為-4.7nm，受到收納容器之影響。
(比較例7)
除了作為容器本體，於上蓋及下箱之材料使用丙烯腈丁二烯苯乙烯系樹脂G外，以與實施例1同條件製造光罩空白基板收納容器。
關於丙烯腈丁二烯苯乙烯系樹脂G之逸出氣體總量，與實施例1同樣地進行以GC-MS分析。該結果，在丙烯腈丁二烯苯乙烯系樹脂G檢測的逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為5.9×103ng。因而，容器內之逸出氣體總量為8234μg。
以將已收納光罩空白基板的比較例7之容器本體以密封膠帶9-A進行了膠帶貼合的狀態，與實施例4同樣地以常溫保管3個月(90日)。
將保管後之光罩空白基板，與實施例1同樣地進行，測定進行EB描繪、烘烤、顯像所得到的圖型。該結果，在比較例7的△CD值為-4.5nm，受到收納容器之影響。將比較例1~7之結果，匯整於下述之表2。
Figure 106111564-A0305-02-0033-3
如表2所示，在比較例1、6、7係內構件及密封膠帶之逸出氣體總量少，但容器本體之逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為2.0×103ng以上。又，容器內之逸出氣體總量為3.0×103μg以上。因此，可認為在比較例1、6、7係受到收納容器，特別是容器本體之影響而△CD值惡化。
又，在比較例2~5係內構件及容器本體之逸出氣體總量少，但密封膠帶之逸出氣體總量係透過以n-十四烷換算為1.9×103ng以上。又，密封膠帶之逸出氣體總量為1.4×102μg以上。因此，可認為在比較例2~5係受到密封膠帶之影響而△CD值惡化。
另一方面，如表1所示，在實施例1~8係因為容器本體、內構件及密封膠帶之逸出氣體總量任一均為本發明之範圍內，所以可抑制△CD值之惡化。
了解如為如此的本發明之光罩空白基板收納容器，則抑制透過由容器本體、內構件及密封膠帶所產生的揮發性有機成分向光阻圖型之影響，同時可保管、運輸光罩空白基板。
尚，本發明係不被限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，任何與記載於本發明之專利申請範圍的技術上的思想具有實質上同一的構成，顯現出同樣的作用效果者，均包含於本發明之技術上的範圍。
1‧‧‧光罩空白基板收納容器
2‧‧‧光罩空白基板
3‧‧‧內匣盒
4‧‧‧保持器構件
5‧‧‧內構件
6‧‧‧下箱
7‧‧‧上蓋
9‧‧‧密封膠帶

Claims (8)

  1. 一種光罩空白基板收納容器，其係用以收納光罩空白基板之光罩空白基板收納容器，其特徵為具備具有可收容前述光罩空白基板的內匣盒，與由上方固定收納於該內匣盒的前述光罩空白基板的保持器構件的內構件，與具有可收容前述內匣盒的下箱，與可將前述保持器構件嵌合於內側的上蓋的容器本體，與密封該容器本體的密封膠帶，前述容器本體及前述內構件係由取樣0.1g時在40℃保持60分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.9×103ng以下的高分子系材料所構成，前述密封膠帶係取樣成10mm×10mm大小時在150℃保持10分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.8×103ng以下者。
  2. 如請求項1之光罩空白基板收納容器，其中，前述容器本體及前述內構件係由取樣0.1g時在40℃保持60分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為500ng以下的高分子系材料所構成， 前述密封膠帶係取樣成10mm×10mm大小時在150℃保持10分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.0×103ng以下者。
  3. 如請求項1或請求項2之光罩空白基板收納容器，其中，前述內構件係由取樣2g時在100℃保持20分鐘之下所放出的逸出氣體成分中，以氣相層析質量分析計檢測的逸出氣體之總量係透過以n-十四烷換算為1.0×103ng以下的高分子系材料所構成者。
  4. 如請求項1之光罩空白基板收納容器，其中，前述容器本體係由將聚碳酸酯設為主成分的高分子系材料所構成，且，該表面阻抗值為2.0×104Ω/sq以下，前述密封膠帶係具有由聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚乙烯之任一者所構成的基材，與由聚丙烯酸酯所構成的黏著面者。
  5. 如請求項2之光罩空白基板收納容器，其中，前述容器本體係由將聚碳酸酯設為主成分的高分子系材料所構成，且，該表面阻抗值為2.0×104Ω/sq以下，前述密封膠帶係具有由聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚乙烯之任一者所構成的基材，與由聚丙烯酸酯所構成的黏著面者。
  6. 如請求項1、2、4或5之光罩空白基板收納容器，其中，由前述容器本體之內面所產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體之總量，與由前述內構件之表面所產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體之總量之和為未達3.0×103μg者，由密封前述容器本體的密封膠帶所產生的逸出氣體成分所致的逸出氣體之總量為未達1.4×102μg者。
  7. 一種光罩空白基板之保管方法，其特徵為收納於請求項1至請求項6中任1項之光罩空白基板收納容器內而保管前述光罩空白基板。
  8. 一種光罩空白基板之運輸方法，其特徵為收納於請求項1至請求項6中任1項之光罩空白基板收納容器內而運輸前述光罩空白基板。
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