JP2004117635A - マスクケース - Google Patents

マスクケース Download PDF

Info

Publication number
JP2004117635A
JP2004117635A JP2002278844A JP2002278844A JP2004117635A JP 2004117635 A JP2004117635 A JP 2004117635A JP 2002278844 A JP2002278844 A JP 2002278844A JP 2002278844 A JP2002278844 A JP 2002278844A JP 2004117635 A JP2004117635 A JP 2004117635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
mask case
case
plate
tray
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002278844A
Other languages
English (en)
Inventor
Daisuke Inokuchi
井ノ口 大輔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2002278844A priority Critical patent/JP2004117635A/ja
Publication of JP2004117635A publication Critical patent/JP2004117635A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】導電性を有し、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供する。
【解決手段】トレイ5にマスク6を載置するために、導電性を有し、アウトガスの少ない材料からなるプレート1と支柱2からなる保持体3が形成されたマスクケースに収納すると、プレート1によりマスク6の表面電位を均一にすることができ、保持体3及びマスクケース内壁の導電性材料によりマスク6とマスクケースの電位を均一にすることができるため、マスクパターンの静電破壊を防止することができ、また、保持体3及びマスクケース内壁にアウトガスの少ない材料をもちいることにより、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク6の表面が汚染されることを防止することができる。
【選択図】図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスク(以下、これらを併せてマスクと呼ぶ。)を収納運搬するために用いるマスクケースに関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンウェハ上に集積回路パターンを描画するフォトリソグラフィ技術において、近年LSIの高集積化に伴い、より狭い線幅で微細な回路パターンを露光するための技術が要求されており、これに対応するために露光光源の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの光源は、従来のg線(波長436nm)、i線(波長365nm)から進んでKrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、Fレーザー(波長157nm)等のより短波長光源に移行されている。
【0003】
露光光源の短波長化に伴い物質による光吸収が大きくなり、酸素や水分及び有機化合物により露光光が吸収され透過率が低下してしまう。
従来の集積回路の製造工程で使用されるマスクを収納運搬するために用いるマスクケースは、おもにプラスチック樹脂等により形成されていた。その為にプラスチック樹脂等から発生する有機物質ガスによりマスク表面が汚染され、露光波長が短波長であるとマスクの透過率が低下する。
また、回路パターンの微細化に伴い僅かな帯電でも、マスクケースに保管したマスクのパターンが静電気により破壊される事が問題となっている。
この問題を解決する方法として、マスクを載置するマスク支持体及び底皿にカーボンを添加したポリカーボネートを用いて底皿の帯電量を低減しマスクに電荷が溜まることを防止する方法が知られている。この方法によりマスクケースに保管したマスクのパターンの静電破壊を低減することができる(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−253491号公報
【0005】
しかし、マスク面内の電位を均一にする対策が無くマスク面内の電位にバラツキが生じてしまうためマスクケースに保管したマスクのパターンの静電破壊を完全に解決するまでには至っていない。また、カーボンを添加したポリカーボネートを材料としているため有機化合物質のアウトガス(材料から発生するガス)が存在し、それによりマスク表面が汚染され透過率の低下が生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記の課題を解決するために、請求項1において、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスクを収納運搬するために用いられ、少なくとも上蓋とトレイとレチクル又はフォトマスクを載置する保持体から形成されたマスクケースにおいて、
前記保持体が導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなるプレートとプレートの支柱からなることを特徴としたマスクケースを提供する。
【0008】
また請求項2において、上蓋及びトレイが導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなることを特徴とした請求項1記載のマスクケースを提供する。
【0009】
また請求項3において、上蓋及びトレイがプラスチック樹脂からなり、内壁に導電性を有しガスの発生が少ない材料を成膜したことを特徴とした請求項1記載のマスクケースを提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【0011】
図1は、本発明のマスクケースの構造の一例を示す断面図である。トレイ5には、マスク6を載置する保持体3が形成されている。保持体3は、少なくとも導電性を有し、アウトガス(材料から発生するガス)の少ない材料からなるプレート1とプレート1の支柱2からなる。プレート1は、少なくともマスク6に接触する面が平滑であり、大きさは、収納するマスク6のガラス面8全面に接触すれば良く、好ましくは、マスクケースにマスク6を収納しやすいように、マスク6のガラス面8より縦横各0.5cm以上大きくすればよい。また、プレート1の厚さは、マスク6を載置した際、変形が無ければ良く、用いる材料によっても異なるが、通常は2mm〜5mm程度とすればよい。
図2は、他の構造を示すもので、マスク6がプレート1からずれないように、プレート1の周囲もしくは、コーナー部に枠9を設けることが好ましい。プレート1の材料として、Al、Cu、Au、Ag、Cr、ステンレス等の金属、あるいはAlとSc、Nb、Zr、Hf、Nd、Ta、Cu、Si、Cr、Mo、Mn、Ni、Pb、Pt等の遷移元素との合金等を用いることができる。特にアウトガスが少なく、化学的に安定しているステンレスを用いることが好ましい。
【0012】
支柱2の高さは、マスクケースからマスク6を出し入れし易い高さとすれば良く、好ましくは、マスク6がマスクケース高さの中心に位置すればよい。支柱2の材料としては、プレート1と同様の材料を用いることができる。
保持体3を介してトレイ5に載置されたマスク6は、上蓋4により密閉される。
【0013】
このときプレート1と支柱2からなる保持体3にマスク6を載置することによりマスク6の面内の電位を均一に保つことができると同時に、帯電した静電気を除電することができる。これによりマスクパターンの静電破壊を防止することができる。
【0014】
また図3に示すように、マスク6のパターンに接触しないような固定爪10を上蓋4に設置(図では、上蓋に垂設)することが好ましく、これによりマスク6が固定されマスクケースの取り扱いを容易にすることができる。固定爪10の材料としては、プレート1及び支柱2と同様の材料を用いることができる。
【0015】
上蓋4及びトレイ5の材料としては、プレート1及び支柱2と同様の材料を用いることができる。また図4のように、従来のマスクケースと同様のスチレン系樹脂、アクリル系樹脂などのプラスチック樹脂材料などにより形成された上蓋4及びトレイ5の内壁に、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの成膜法で、Al、Cr、Cu、Au、Ag等の金属あるいは、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO、SnO2、In2O3等の透明電極材料を用いて薄膜11を形成してもよい。プラスチック樹脂材料などに透明電極材料を成膜することにより、導線性を有し、アウトガスの少なく、かつ透明なマスクケースを得ることができる。
【0016】
マスク6が保持体3を経由してマスクケースに接地されるため、マスク6の電位がマスクケースと均一になり、マスクケースとマスク6間での放電現象が抑制され、マスクパターンの静電破壊を防止できる。また同時に、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク6の表面が汚染されることを防止できる。
【0017】
【実施例】
まず、本発明のマスクケースの一実施例を図1、比較例1のマスクケースを図2に示す。
[実施例1]
保持体3及び上蓋4、トレイ5がステンレスからなる図1に示した構造を持つマスクケースにマスク6を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋4とトレイ5を50回開閉した。しかし、マスク6のパターンに静電破壊は見られなかった。
マスク6の表面電位を測定したところ、表面電位は均一であった。
また、このマスクケースに1週間保管したマスク6の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したが、マスク6表面には、マスクケースに起因する有機物質汚染は確認されなかった。
【0018】
[比較例1]
従来のマスクケース同様、保持体3及び上蓋4、トレイ5がアクリル系樹脂からなる図5に示した構造を持つマスクケースにマスク6を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋4とトレイ5を50回開閉したところ、マスク6のパターンに静電破壊が生じた。マスク6の表面電位を測定したところ、表面電位が不均一であった。
また、このマスクケースに1週間保管したマスク6の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したところ、マスクケース材料であるアクリル系樹脂に可塑剤として用いられているDOP(フタル酸ジオクチル)、DEP(フタル酸ジエチル)、DBP(フタル酸ジブチル)等がマスク表面から検出された。
【0019】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性を有し、アウトガスの少ない材料からなるプレートと支柱からなるマスクを載置する為の保持体を設け、マスクケース内壁に導電性を有しアウトガスの少ない材料を用いることにより、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマスクケースの一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明のマスクケースの他の実施例を示す断面図である。
【図3】本発明のマスクケースその他の実施例を示す断面図である。
【図4】本発明のマスクケースその他の実施例を示す断面図である。
【図5】比較例1におけるマスクケースを示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・・プレート
2・・・・支柱
3・・・・保持体
4・・・・上蓋
5・・・・トレイ
6・・・・マスク
7・・・・膜面
8・・・・ガラス面
9・・・・枠
10・・・固定爪
11・・・薄膜

Claims (3)

  1. 集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスクを収納運搬するために用いられ、少なくとも上蓋とトレイとレチクル又はフォトマスクを載置する保持体から形成されたマスクケースにおいて、
    前記保持体が導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなるプレートとプレートの支柱からなることを特徴としたマスクケース。
  2. 上蓋及びトレイが導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなることを特徴とした請求項1記載のマスクケース。
  3. 上蓋及びトレイがプラスチック樹脂からなり、内壁に導電性を有しガスの発生が少ない材料を成膜したことを特徴とした請求項1記載のマスクケース。
JP2002278844A 2002-09-25 2002-09-25 マスクケース Pending JP2004117635A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002278844A JP2004117635A (ja) 2002-09-25 2002-09-25 マスクケース

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002278844A JP2004117635A (ja) 2002-09-25 2002-09-25 マスクケース

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004117635A true JP2004117635A (ja) 2004-04-15

Family

ID=32274016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002278844A Pending JP2004117635A (ja) 2002-09-25 2002-09-25 マスクケース

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004117635A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006208924A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクケース
JP2010113308A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Nikon Corp 基板ケース

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006208924A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクケース
JP4539347B2 (ja) * 2005-01-31 2010-09-08 凸版印刷株式会社 フォトマスクケース
JP2010113308A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Nikon Corp 基板ケース

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI570522B (zh) 保護膜結構及其形成方法及保護膜-罩幕結構
US6619903B2 (en) System and method for reticle protection and transport
US6803159B2 (en) Method of keeping contaminants away from a mask with electrostatic forces
JP4011687B2 (ja) マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光装置、該マスク構造体を用いた半導体デバイス製造方法
CN111913346A (zh) 一种光掩模组件及光刻系统
CN104919078B (zh) 功能性被膜、浸液部件、浸液部件的制造方法、曝光装置、以及设备制造方法
US20180059535A1 (en) Graphene Pellicle For Extreme Ultraviolet Lithography
JP2004119566A (ja) マスクケース
JP2004117635A (ja) マスクケース
JP4396354B2 (ja) フォトマスク
TW200908082A (en) Immersion exposure apparatus and device manufacturing method
US20220121101A1 (en) Absorber materials for extreme ultraviolet mask
JP2016186571A (ja) マスクブランク収納ケース、マスクブランク収納体、およびマスクブランク収納方法
JP3563935B2 (ja) 半導体製造用露光装置およびこれを用いた半導体デバイス製造プロセス
JP2003156836A (ja) フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置
KR20060101458A (ko) 칩 생산에 사용된 레티클을 오염으로부터 보호하기 위한방법과 장치
JPH088319A (ja) 基板移載機構並びに基板移載装置並びに半導体製造装置
KR20060120649A (ko) 오염으로부터 레티클을 보호하기 위해 사용된 펠리클에대한 중력의 영향을 보상하기 위한 방법 및 장치
JPH05100410A (ja) レチクル
US9352073B2 (en) Functional film
JPH07226364A (ja) フォトプレートの保存方法
CN112838035B (zh) 一种光罩盒及光罩储存柜
JP2005079297A (ja) 原版搬送装置及び半導体露光装置
TWI235410B (en) Method for cleaning semiconductor device
TW202324495A (zh) 微影方法