JP2004117635A - マスクケース - Google Patents
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Abstract
【課題】導電性を有し、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供する。
【解決手段】トレイ5にマスク6を載置するために、導電性を有し、アウトガスの少ない材料からなるプレート1と支柱2からなる保持体3が形成されたマスクケースに収納すると、プレート1によりマスク6の表面電位を均一にすることができ、保持体3及びマスクケース内壁の導電性材料によりマスク6とマスクケースの電位を均一にすることができるため、マスクパターンの静電破壊を防止することができ、また、保持体3及びマスクケース内壁にアウトガスの少ない材料をもちいることにより、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク6の表面が汚染されることを防止することができる。
【選択図】図1
【解決手段】トレイ5にマスク6を載置するために、導電性を有し、アウトガスの少ない材料からなるプレート1と支柱2からなる保持体3が形成されたマスクケースに収納すると、プレート1によりマスク6の表面電位を均一にすることができ、保持体3及びマスクケース内壁の導電性材料によりマスク6とマスクケースの電位を均一にすることができるため、マスクパターンの静電破壊を防止することができ、また、保持体3及びマスクケース内壁にアウトガスの少ない材料をもちいることにより、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク6の表面が汚染されることを防止することができる。
【選択図】図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスク(以下、これらを併せてマスクと呼ぶ。)を収納運搬するために用いるマスクケースに関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンウェハ上に集積回路パターンを描画するフォトリソグラフィ技術において、近年LSIの高集積化に伴い、より狭い線幅で微細な回路パターンを露光するための技術が要求されており、これに対応するために露光光源の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの光源は、従来のg線(波長436nm)、i線(波長365nm)から進んでKrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、F2レーザー(波長157nm)等のより短波長光源に移行されている。
【0003】
露光光源の短波長化に伴い物質による光吸収が大きくなり、酸素や水分及び有機化合物により露光光が吸収され透過率が低下してしまう。
従来の集積回路の製造工程で使用されるマスクを収納運搬するために用いるマスクケースは、おもにプラスチック樹脂等により形成されていた。その為にプラスチック樹脂等から発生する有機物質ガスによりマスク表面が汚染され、露光波長が短波長であるとマスクの透過率が低下する。
また、回路パターンの微細化に伴い僅かな帯電でも、マスクケースに保管したマスクのパターンが静電気により破壊される事が問題となっている。
この問題を解決する方法として、マスクを載置するマスク支持体及び底皿にカーボンを添加したポリカーボネートを用いて底皿の帯電量を低減しマスクに電荷が溜まることを防止する方法が知られている。この方法によりマスクケースに保管したマスクのパターンの静電破壊を低減することができる(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−253491号公報
【0005】
しかし、マスク面内の電位を均一にする対策が無くマスク面内の電位にバラツキが生じてしまうためマスクケースに保管したマスクのパターンの静電破壊を完全に解決するまでには至っていない。また、カーボンを添加したポリカーボネートを材料としているため有機化合物質のアウトガス(材料から発生するガス)が存在し、それによりマスク表面が汚染され透過率の低下が生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記の課題を解決するために、請求項1において、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスクを収納運搬するために用いられ、少なくとも上蓋とトレイとレチクル又はフォトマスクを載置する保持体から形成されたマスクケースにおいて、
前記保持体が導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなるプレートとプレートの支柱からなることを特徴としたマスクケースを提供する。
【0008】
また請求項2において、上蓋及びトレイが導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなることを特徴とした請求項1記載のマスクケースを提供する。
【0009】
また請求項3において、上蓋及びトレイがプラスチック樹脂からなり、内壁に導電性を有しガスの発生が少ない材料を成膜したことを特徴とした請求項1記載のマスクケースを提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【0011】
図1は、本発明のマスクケースの構造の一例を示す断面図である。トレイ5には、マスク6を載置する保持体3が形成されている。保持体3は、少なくとも導電性を有し、アウトガス(材料から発生するガス)の少ない材料からなるプレート1とプレート1の支柱2からなる。プレート1は、少なくともマスク6に接触する面が平滑であり、大きさは、収納するマスク6のガラス面8全面に接触すれば良く、好ましくは、マスクケースにマスク6を収納しやすいように、マスク6のガラス面8より縦横各0.5cm以上大きくすればよい。また、プレート1の厚さは、マスク6を載置した際、変形が無ければ良く、用いる材料によっても異なるが、通常は2mm〜5mm程度とすればよい。
図2は、他の構造を示すもので、マスク6がプレート1からずれないように、プレート1の周囲もしくは、コーナー部に枠9を設けることが好ましい。プレート1の材料として、Al、Cu、Au、Ag、Cr、ステンレス等の金属、あるいはAlとSc、Nb、Zr、Hf、Nd、Ta、Cu、Si、Cr、Mo、Mn、Ni、Pb、Pt等の遷移元素との合金等を用いることができる。特にアウトガスが少なく、化学的に安定しているステンレスを用いることが好ましい。
【0012】
支柱2の高さは、マスクケースからマスク6を出し入れし易い高さとすれば良く、好ましくは、マスク6がマスクケース高さの中心に位置すればよい。支柱2の材料としては、プレート1と同様の材料を用いることができる。
保持体3を介してトレイ5に載置されたマスク6は、上蓋4により密閉される。
【0013】
このときプレート1と支柱2からなる保持体3にマスク6を載置することによりマスク6の面内の電位を均一に保つことができると同時に、帯電した静電気を除電することができる。これによりマスクパターンの静電破壊を防止することができる。
【0014】
また図3に示すように、マスク6のパターンに接触しないような固定爪10を上蓋4に設置(図では、上蓋に垂設)することが好ましく、これによりマスク6が固定されマスクケースの取り扱いを容易にすることができる。固定爪10の材料としては、プレート1及び支柱2と同様の材料を用いることができる。
【0015】
上蓋4及びトレイ5の材料としては、プレート1及び支柱2と同様の材料を用いることができる。また図4のように、従来のマスクケースと同様のスチレン系樹脂、アクリル系樹脂などのプラスチック樹脂材料などにより形成された上蓋4及びトレイ5の内壁に、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの成膜法で、Al、Cr、Cu、Au、Ag等の金属あるいは、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO、SnO2、In2O3等の透明電極材料を用いて薄膜11を形成してもよい。プラスチック樹脂材料などに透明電極材料を成膜することにより、導線性を有し、アウトガスの少なく、かつ透明なマスクケースを得ることができる。
【0016】
マスク6が保持体3を経由してマスクケースに接地されるため、マスク6の電位がマスクケースと均一になり、マスクケースとマスク6間での放電現象が抑制され、マスクパターンの静電破壊を防止できる。また同時に、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク6の表面が汚染されることを防止できる。
【0017】
【実施例】
まず、本発明のマスクケースの一実施例を図1、比較例1のマスクケースを図2に示す。
[実施例1]
保持体3及び上蓋4、トレイ5がステンレスからなる図1に示した構造を持つマスクケースにマスク6を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋4とトレイ5を50回開閉した。しかし、マスク6のパターンに静電破壊は見られなかった。
マスク6の表面電位を測定したところ、表面電位は均一であった。
また、このマスクケースに1週間保管したマスク6の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したが、マスク6表面には、マスクケースに起因する有機物質汚染は確認されなかった。
【0018】
[比較例1]
従来のマスクケース同様、保持体3及び上蓋4、トレイ5がアクリル系樹脂からなる図5に示した構造を持つマスクケースにマスク6を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋4とトレイ5を50回開閉したところ、マスク6のパターンに静電破壊が生じた。マスク6の表面電位を測定したところ、表面電位が不均一であった。
また、このマスクケースに1週間保管したマスク6の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したところ、マスクケース材料であるアクリル系樹脂に可塑剤として用いられているDOP(フタル酸ジオクチル)、DEP(フタル酸ジエチル)、DBP(フタル酸ジブチル)等がマスク表面から検出された。
【0019】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性を有し、アウトガスの少ない材料からなるプレートと支柱からなるマスクを載置する為の保持体を設け、マスクケース内壁に導電性を有しアウトガスの少ない材料を用いることにより、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマスクケースの一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明のマスクケースの他の実施例を示す断面図である。
【図3】本発明のマスクケースその他の実施例を示す断面図である。
【図4】本発明のマスクケースその他の実施例を示す断面図である。
【図5】比較例1におけるマスクケースを示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・・プレート
2・・・・支柱
3・・・・保持体
4・・・・上蓋
5・・・・トレイ
6・・・・マスク
7・・・・膜面
8・・・・ガラス面
9・・・・枠
10・・・固定爪
11・・・薄膜
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスク(以下、これらを併せてマスクと呼ぶ。)を収納運搬するために用いるマスクケースに関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンウェハ上に集積回路パターンを描画するフォトリソグラフィ技術において、近年LSIの高集積化に伴い、より狭い線幅で微細な回路パターンを露光するための技術が要求されており、これに対応するために露光光源の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの光源は、従来のg線(波長436nm)、i線(波長365nm)から進んでKrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、F2レーザー(波長157nm)等のより短波長光源に移行されている。
【0003】
露光光源の短波長化に伴い物質による光吸収が大きくなり、酸素や水分及び有機化合物により露光光が吸収され透過率が低下してしまう。
従来の集積回路の製造工程で使用されるマスクを収納運搬するために用いるマスクケースは、おもにプラスチック樹脂等により形成されていた。その為にプラスチック樹脂等から発生する有機物質ガスによりマスク表面が汚染され、露光波長が短波長であるとマスクの透過率が低下する。
また、回路パターンの微細化に伴い僅かな帯電でも、マスクケースに保管したマスクのパターンが静電気により破壊される事が問題となっている。
この問題を解決する方法として、マスクを載置するマスク支持体及び底皿にカーボンを添加したポリカーボネートを用いて底皿の帯電量を低減しマスクに電荷が溜まることを防止する方法が知られている。この方法によりマスクケースに保管したマスクのパターンの静電破壊を低減することができる(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−253491号公報
【0005】
しかし、マスク面内の電位を均一にする対策が無くマスク面内の電位にバラツキが生じてしまうためマスクケースに保管したマスクのパターンの静電破壊を完全に解決するまでには至っていない。また、カーボンを添加したポリカーボネートを材料としているため有機化合物質のアウトガス(材料から発生するガス)が存在し、それによりマスク表面が汚染され透過率の低下が生じる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記の課題を解決するために、請求項1において、集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスクを収納運搬するために用いられ、少なくとも上蓋とトレイとレチクル又はフォトマスクを載置する保持体から形成されたマスクケースにおいて、
前記保持体が導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなるプレートとプレートの支柱からなることを特徴としたマスクケースを提供する。
【0008】
また請求項2において、上蓋及びトレイが導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなることを特徴とした請求項1記載のマスクケースを提供する。
【0009】
また請求項3において、上蓋及びトレイがプラスチック樹脂からなり、内壁に導電性を有しガスの発生が少ない材料を成膜したことを特徴とした請求項1記載のマスクケースを提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【0011】
図1は、本発明のマスクケースの構造の一例を示す断面図である。トレイ5には、マスク6を載置する保持体3が形成されている。保持体3は、少なくとも導電性を有し、アウトガス(材料から発生するガス)の少ない材料からなるプレート1とプレート1の支柱2からなる。プレート1は、少なくともマスク6に接触する面が平滑であり、大きさは、収納するマスク6のガラス面8全面に接触すれば良く、好ましくは、マスクケースにマスク6を収納しやすいように、マスク6のガラス面8より縦横各0.5cm以上大きくすればよい。また、プレート1の厚さは、マスク6を載置した際、変形が無ければ良く、用いる材料によっても異なるが、通常は2mm〜5mm程度とすればよい。
図2は、他の構造を示すもので、マスク6がプレート1からずれないように、プレート1の周囲もしくは、コーナー部に枠9を設けることが好ましい。プレート1の材料として、Al、Cu、Au、Ag、Cr、ステンレス等の金属、あるいはAlとSc、Nb、Zr、Hf、Nd、Ta、Cu、Si、Cr、Mo、Mn、Ni、Pb、Pt等の遷移元素との合金等を用いることができる。特にアウトガスが少なく、化学的に安定しているステンレスを用いることが好ましい。
【0012】
支柱2の高さは、マスクケースからマスク6を出し入れし易い高さとすれば良く、好ましくは、マスク6がマスクケース高さの中心に位置すればよい。支柱2の材料としては、プレート1と同様の材料を用いることができる。
保持体3を介してトレイ5に載置されたマスク6は、上蓋4により密閉される。
【0013】
このときプレート1と支柱2からなる保持体3にマスク6を載置することによりマスク6の面内の電位を均一に保つことができると同時に、帯電した静電気を除電することができる。これによりマスクパターンの静電破壊を防止することができる。
【0014】
また図3に示すように、マスク6のパターンに接触しないような固定爪10を上蓋4に設置(図では、上蓋に垂設)することが好ましく、これによりマスク6が固定されマスクケースの取り扱いを容易にすることができる。固定爪10の材料としては、プレート1及び支柱2と同様の材料を用いることができる。
【0015】
上蓋4及びトレイ5の材料としては、プレート1及び支柱2と同様の材料を用いることができる。また図4のように、従来のマスクケースと同様のスチレン系樹脂、アクリル系樹脂などのプラスチック樹脂材料などにより形成された上蓋4及びトレイ5の内壁に、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などの成膜法で、Al、Cr、Cu、Au、Ag等の金属あるいは、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)、ZnO、SnO2、In2O3等の透明電極材料を用いて薄膜11を形成してもよい。プラスチック樹脂材料などに透明電極材料を成膜することにより、導線性を有し、アウトガスの少なく、かつ透明なマスクケースを得ることができる。
【0016】
マスク6が保持体3を経由してマスクケースに接地されるため、マスク6の電位がマスクケースと均一になり、マスクケースとマスク6間での放電現象が抑制され、マスクパターンの静電破壊を防止できる。また同時に、マスクケースから発生するアウトガスを抑制し、マスク6の表面が汚染されることを防止できる。
【0017】
【実施例】
まず、本発明のマスクケースの一実施例を図1、比較例1のマスクケースを図2に示す。
[実施例1]
保持体3及び上蓋4、トレイ5がステンレスからなる図1に示した構造を持つマスクケースにマスク6を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋4とトレイ5を50回開閉した。しかし、マスク6のパターンに静電破壊は見られなかった。
マスク6の表面電位を測定したところ、表面電位は均一であった。
また、このマスクケースに1週間保管したマスク6の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したが、マスク6表面には、マスクケースに起因する有機物質汚染は確認されなかった。
【0018】
[比較例1]
従来のマスクケース同様、保持体3及び上蓋4、トレイ5がアクリル系樹脂からなる図5に示した構造を持つマスクケースにマスク6を載置した。
その後、マスクケースを帯電したプラスチック板上に置き、上蓋4とトレイ5を50回開閉したところ、マスク6のパターンに静電破壊が生じた。マスク6の表面電位を測定したところ、表面電位が不均一であった。
また、このマスクケースに1週間保管したマスク6の表面汚染を加熱脱離ガスクロマトグラフで測定したところ、マスクケース材料であるアクリル系樹脂に可塑剤として用いられているDOP(フタル酸ジオクチル)、DEP(フタル酸ジエチル)、DBP(フタル酸ジブチル)等がマスク表面から検出された。
【0019】
【発明の効果】
本発明によれば、導電性を有し、アウトガスの少ない材料からなるプレートと支柱からなるマスクを載置する為の保持体を設け、マスクケース内壁に導電性を有しアウトガスの少ない材料を用いることにより、静電破壊を防止し、表面汚染を抑制しながらマスクを収納運搬することができるマスクケースを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマスクケースの一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明のマスクケースの他の実施例を示す断面図である。
【図3】本発明のマスクケースその他の実施例を示す断面図である。
【図4】本発明のマスクケースその他の実施例を示す断面図である。
【図5】比較例1におけるマスクケースを示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・・プレート
2・・・・支柱
3・・・・保持体
4・・・・上蓋
5・・・・トレイ
6・・・・マスク
7・・・・膜面
8・・・・ガラス面
9・・・・枠
10・・・固定爪
11・・・薄膜
Claims (3)
- 集積回路の製造工程で使用されるレチクル又はフォトマスクを収納運搬するために用いられ、少なくとも上蓋とトレイとレチクル又はフォトマスクを載置する保持体から形成されたマスクケースにおいて、
前記保持体が導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなるプレートとプレートの支柱からなることを特徴としたマスクケース。 - 上蓋及びトレイが導電性を有し、ガスの発生が少ない材料からなることを特徴とした請求項1記載のマスクケース。
- 上蓋及びトレイがプラスチック樹脂からなり、内壁に導電性を有しガスの発生が少ない材料を成膜したことを特徴とした請求項1記載のマスクケース。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002278844A JP2004117635A (ja) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | マスクケース |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002278844A JP2004117635A (ja) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | マスクケース |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004117635A true JP2004117635A (ja) | 2004-04-15 |
Family
ID=32274016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002278844A Pending JP2004117635A (ja) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | マスクケース |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004117635A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006208924A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクケース |
JP2010113308A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Nikon Corp | 基板ケース |
-
2002
- 2002-09-25 JP JP2002278844A patent/JP2004117635A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006208924A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクケース |
JP4539347B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-09-08 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクケース |
JP2010113308A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Nikon Corp | 基板ケース |
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