JP6716661B2 - 相変化メモリセルの核形成の増進 - Google Patents
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Description
本出願は、2014年7月10日出願のUS出願第14/328,536号の優先権を主張し、その全体を引用により本明細書に組み込む。
ことによって、結晶種は、ランプアップ時間中に開始でき、この領域でもSET状態が容易に達成でき、(低抵抗につながる)。よって、図10A及び図10Bは、ランプアップ信号がランプダウン信号より効率がよいことを示す。
Claims (14)
- メモリアレイ内の複数の相変化メモリ(PCM)セルをプログラムする方法であって、
前記メモリアレイ内に核形成部位の形成をもたらす核形成信号を前記PCMセルに印加することであって、前記核形成信号は最初のランプアップ信号を含み、前記核形成部位は、前記PCMセル内のPCM材料の分子の前構造秩序化であり、前記前構造秩序化は、前記分子が後続の結晶成長相に置かれる前に生じ、前記PCM材料内の前記分子の前記前構造秩序化は、前記後続の結晶成長相中に様々なレベルの結晶度に前記PCM材料を速く相変化させる、前記核形成信号を印加することと、
前記複数のPCMセルのうちの選択されたPCMセル内に所望のレベルの結晶度を達成するためのプログラミング信号を後続して印加する前に、前記核形成信号の終了後に非ゼロ時間待機することであって、後続して印加される前記プログラミング信号は前記核形成信号よりも大きな振幅を有する、前記非ゼロ時間待機することと
を含む、方法。 - 前記核形成信号は、約10nsよりも長い非ゼロ立ち上がりエッジを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記核形成信号の前記非ゼロ立ち上がりエッジは、段階的インクリメンタル信号である、請求項2に記載の方法。
- 前記核形成信号の前記非ゼロ立ち上がりエッジに対するランプアップ時間を選択することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記核形成信号及び前記プログラミング信号は別個の信号である、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のPCMセルに対して選択された合金の種類に少なくとも部分的に基づいて、おおよその核形成温度を選択することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- メモリアレイ内の複数の相変化メモリ(PCM)セルをプログラムするための装置であって、前記メモリアレイ内に核形成部位の形成をもたらす核形成信号を前記PCMセルに印加するように構成された少なくとも1つの信号発生器を含み、前記核形成信号は最初のランプアップ信号を含み、前記核形成部位は、前記PCMセル内のPCM材料の分子の前構造秩序化であり、前記前構造秩序化は、前記分子が後続の結晶成長相に置かれる前に生じ、前記PCM材料内の前記分子の前記前構造秩序化は、前記後続の結晶成長相中に様々なレベルの結晶度に前記PCM材料を速く相変化させ、前記少なくとも1つの信号発生器は、前記複数のPCMセルのうちの選択されたPCMセル内に所望のレベルの結晶度を達成するためのプログラミング信号を印加するように更に構成され、後続して印加される前記プログラミング信号は前記核形成信号よりも大きな振幅を有するように構成される、装置。
- 前記少なくとも1つの信号発生器は、前記核形成信号を生成するための核形成信号発生器を含み、前記核形成信号は、約10nsよりも長い非ゼロ立ち上がりエッジを有する、請求項7に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの信号発生器は、前記核形成信号に後続して印加される前記プログラミング信号を生成するためのプログラミング信号発生器を含み、前記プログラミング信号は、前記核形成信号とは別個の信号であり、前記核形成信号後の非ゼロ時間後に印加される、請求項7に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの信号発生器は、段階的インクリメンタル信号として前記核形成信号の非ゼロ立ち上がりエッジを生成するように更に構成される、請求項8に記載の装置。
- メモリアレイ内の複数の相変化メモリ(PCM)セルをプログラムする方法であって、
前記メモリアレイの前記複数のPCMセルに印加する核形成信号を選択することであって、前記核形成信号は最初のランプアップ信号を含む、前記核形成信号を選択することと、
前記複数のPCMセルの各々に核形成相の形成をもたらす前記核形成信号を前記複数のPCMセルに印加することであって、前記核形成相は、前記PCMセル内のPCM材料の分子の前構造秩序化であり、前記前構造秩序化は、前記分子が後続の結晶成長相に置かれる前に生じ、前記PCM材料内の前記分子の前記前構造秩序化は、前記後続の結晶成長相中に様々なレベルの結晶度に前記PCM材料を速く相変化させる、前記核形成信号を印加することと、
選択されたPCMセルの前記PCM材料を後続の結晶成長相中に置くために、選択された前記PCMにセルプログラミング信号を後続して印加することであって、前記プログラミング信号は前記核形成信号よりも大きな振幅を有する、前記セルプログラミング信号を後続して印加すること
を含む、方法。 - 前記核形成信号を前記複数のPCMセルに印加する所定時間を創出することを更に含み、前記核形成信号は、約10nsよりも長い非ゼロ立ち上がりエッジを有する、請求項11に記載の方法。
- 前記非ゼロ立ち上がりエッジの信号の印加に後続してSETプログラミング信号を前記複数のPCMセルに印加することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 前記非ゼロ立ち上がりエッジの信号と前記SETプログラミング信号との印加の間の所定時間を創出することを更に含み、前記プログラミング信号は、前記核形成信号とは別個の信号であり、前記核形成信号後の非ゼロ時間に印加される、請求項13に記載の方法。
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