JP6715616B2 - 位置決めステージ用のテーブルおよびこれを用いた位置決め方法 - Google Patents
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Description
図1に示されている本発明の一実施形態としての位置決めステージ用のテーブル1はXYステージ用であり、第1反射ミラー21と、第2反射ミラー22と、を備えている。なお、位置決めステージはZステージなどの異なる形態であってもよい。
テーブル1の第1側面11に対向するように配置されている第1干渉計41を用いてテーブル1のX座標値が測定される。同様に、テーブル1の第2側面12に対向するように配置されている第2干渉計42を用いてテーブル1のY座標値が測定される。
(実施例1)
(奥行)420[mm]×(幅)420[mm]×(厚さ)40[mm]の略正方板状のSiC焼結体が作製された。このSiC焼結体の隣り合う一対の側面11、12に厚さ10[μm]のSiCイオンプレーティング膜が成膜され、その測長用の領域の平面度がλ/20(λ=632.8nm)で研磨加工された。これにより、SiCイオンプレーティング膜からなる反射ミラー21、22が側面11、12に設けられている実施例1のテーブル1が作製された。
実施例1のテーブル1の側面11、12における、研磨加工されたSiCイオンプレーティング膜の上にさらにAuの蒸着膜(厚さ1[μm])が成膜された。これにより、SiCイオンプレーティング膜およびその上に重ねられたAu蒸着膜からなる反射ミラー21、22が側面11、12に設けられている実施例2のテーブル1が作製された。上記のように評価された実施例1のテーブル1の位置決め精度の変化率は10%以下であった。
(奥行)420[mm]×(幅)420[mm]×(厚さ)40[mm]の略正方板状のリチウムアルミノシリケートおよびSiCの複合焼結体が作製された。この複合焼結体の隣り合う一対の側面11、12の測長用の領域の平面度がλ/20(λ=632.8nm)で研磨加工された。この研磨加工された領域にAlの蒸着膜(厚さ0.2[μm])が成膜された。これにより、Al蒸着膜からなる反射ミラー21、22が側面11、12に設けられている実施例3のテーブル1が作製された。上記のように評価された実施例1のテーブル1の位置決め精度の変化率は10%以下であった。
(奥行)420[mm]×(幅)420[mm]×(厚さ)40[mm]の略正方板状のSiC焼結体が作製された。このSiC焼結体のステージ側表面に、(奥行)340[mm]×(幅)20[mm]×(厚さ)20[mm]の略直方体状のSiC焼結体からなるミラーをステージとボルト締結し一体化した。尚、SiC焼結体のミラー面はSiCイオンプレーティング膜が成膜され、その測長用の領域の平面度がλ/20(λ=632.8nm)で研磨加工した。上記のように評価された比較例のテーブル1の位置決め精度の変化率は70%であった。
Claims (2)
- テーブルと、前記テーブルの表面に形成された蒸着膜からなる反射ミラーとを備え、前記テーブルおよび前記蒸着膜はSiCからなることを特徴とする位置決めステージ用のテーブル。
- 請求項1記載の位置決めステージ用のテーブルの表面に形成されている前記反射ミラーに対する照射光の経路と、当該照射光の前記反射ミラーによる反射光の経路とを光経路として有する干渉計を用いて、前記テーブルの座標値を測定する過程を含むことを特徴とする位置決め方法。
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