JP6710021B2 - 色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサ - Google Patents

色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサ Download PDF

Info

Publication number
JP6710021B2
JP6710021B2 JP2015095066A JP2015095066A JP6710021B2 JP 6710021 B2 JP6710021 B2 JP 6710021B2 JP 2015095066 A JP2015095066 A JP 2015095066A JP 2015095066 A JP2015095066 A JP 2015095066A JP 6710021 B2 JP6710021 B2 JP 6710021B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
light
pixel
color separation
pixels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015095066A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015215616A (ja
Inventor
聖 ▲げん▼ 南
聖 ▲げん▼ 南
淑 英 盧
淑 英 盧
錫 皓 尹
錫 皓 尹
昶 均 申
昶 均 申
鉉 珪 洪
鉉 珪 洪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2015215616A publication Critical patent/JP2015215616A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6710021B2 publication Critical patent/JP6710021B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1006Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
    • G02B27/1013Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for colour or multispectral image sensors, e.g. splitting an image into monochromatic image components on respective sensors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/1086Beam splitting or combining systems operating by diffraction only
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/42Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect
    • G02B27/4205Diffraction optics, i.e. systems including a diffractive element being designed for providing a diffractive effect having a diffractive optical element [DOE] contributing to image formation, e.g. whereby modulation transfer function MTF or optical aberrations are relevant
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
    • H04N23/12Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths with one sensor only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Description

本発明は、色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサに係り、さらに詳細には、入射光の波長によって、光の進路を変える色分離素子、及び前記色分離素子とカラーフィルタとを共に利用して、光利用効率が向上されたイメージセンサに関する。
カラーディスプレイ装置や、カラーイメージセンサは、一般的に、カラーフィルタを利用して、多様な色の映像を表示したり、あるいは入射光の色を感知したりしている。現在使用されるカラーディスプレイ装置やカラーイメージセンサは、例えば、4個の画素のうち2個の画素には、緑色フィルタが配置され、残りの2個の画素には、青色フィルタと赤色フィルタとが配置されるRGBカラーフィルタ方式を最も多く採択している。また、RGBカラーフィルタ方式以外にも、補色関係にあるシアン、イエロー、グリーン、マゼンタのカラーフィルタが、4個の画素にそれぞれ配置されるCYGMカラーフィルタ方式が採択されたりもする。
ところで、カラーフィルタは、当該色の光を除いた残りの色の光を吸収するために、光利用効率が低下してしまう。例えば、RGBカラーフィルタを使用する場合、入射光の1/3だけを透過させ、残りの2/3は吸収し、光利用効率が約33%ほどにしか過ぎない。従って、カラーディスプレイ装置やカラーイメージセンサの場合、ほとんどの光損失がカラーフィルタで発生してしまう。
最近では、カラーディスプレイ装置やカラーイメージセンサの光利用効率を向上させるために、カラーフィルタの代わりに、色分離素子を利用する試みが行われている。色分離素子は、波長によって、他の光の回折特性または屈折特性を利用して、入射光の色を分離し、色分離素子によって分離された色は、それぞれの対応する画素に伝達される。しかし、これまでのところ色分離素子は、カラーフィルタに比べ、鮮やかな色相を提供することができていない。
本発明が解決しようとする課題は、入射光の波長によって光の進路を変える色分離素子、及び前記色分離素子とカラーフィルタとを共に利用して、光利用効率が向上されたイメージセンサを提供するところにある。
一類型による色分離素子は、所定の間隔をおいて互いに対向して配置された少なくとも2個の透明バーを含み、ここで、前記少なくとも2個の透明バーの対向する表面は、その間を通過する可視光線の光が回折されるように互いに離隔されており、また、前記少なくとも2個の透明バーの屈折率は、当該透明バーの周りの媒質の屈折率よりも高い。
例えば、それぞれの透明バーは、扁平な直方体の形態を有することができる。
それぞれの透明バーの高さは、厚さより大きくてもよい。
前記少なくとも2個の透明バーは、互いに異なる屈折率を有する材料からなってもよい。
前記少なくとも2個の透明バーは、高さ方向に沿って変化する屈折率を有することができる。
例えば、それぞれの透明バーの厚みは、150nmないし300nmの範囲にあり、それぞれの透明バーの高さは、500nmないし1μmの範囲にあり、隣接した2個の透明バーの間隔は、100nmないし1μmの範囲にあってもよい。
例えば、それぞれの透明バーは、TiO、SiN、ZnSまたはZnSeを含む材料からなってもよい。
前記少なくとも2個の透明バーの対向する表面は、互いに平行に配置されてもよい。
前記少なくとも2個の透明バーのエッジまたは中心部が、対向面に垂直に延長されて互いに連結されてもよい。
前記少なくとも2個の透明バーの一部分が、互いに垂直に交差するように連結されてもよい。
また、一類型によるイメージセンサは、第1波長の光を感知する多数の第1画素が配列されている第1画素行と、前記第1画素行に隣接して配置されており、第2波長の光を感知する多数の第2画素と第3波長の光を感知する多数の第3画素とが交互に配列されている第2画素行と、前記多数の第2画素にそれぞれ配置されており、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させ、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える前述の構造の多数の第1色分離素子と、を含んでもよい。
また、前記イメージセンサは、前記多数の第1画素にそれぞれ配置された多数の第1マイクロレンズ、及び前記それぞれの第2画素を中心に、その両側の第3画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第2マイクロレンズをさらに含んでもよい。
前記第1画素は、入射光を電気的信号に変換する光検出素子、前記光検出素子上に配置されており、第1波長の光を透過させる第1カラーフィルタ、及び前記第1カラーフィルタ上に配置された透明スペーサを含んでもよい。
前記第2画素は、入射光を電気的信号に変換する光検出素子、前記光検出素子上に配置されており、第2波長の光を透過させる第2カラーフィルタ、及び前記第2カラーフィルタ上に配置された透明スペーサを含んでもよい。
前記第3画素は、入射光を電気的信号に変換する光検出素子、前記光検出素子上に配置されており、第3波長の光を透過させる第3カラーフィルタ、及び前記第3カラーフィルタ上に配置された透明スペーサを含んでもよい。
前記第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズは、前記透明スペーサ上に配置されてもよい。
前記第1色分離素子は、前記透明スペーサ内に埋め込まれて固定されてもよい。
前記第1色分離素子は、第2波長の光を、第2画素に向けて正面に透過させ、第3波長の光を第2画素の両側にある第3画素に向けてエッジに屈折させるように構成されてもよい。
例えば、第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、青色帯域であり、第3波長は、赤色帯域でもある。
また、第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、赤色帯域であり、第3波長は、青色帯域でもある。
一実施形態によれば、前記第1画素行と第2画素行とが、互いに対してそれぞれの画素の幅の半分ほどシフトされてもよい。
また、前記第1画素行は、前記多数の第1画素と交互に配列されている多数の第4画素をさらに含んでもよい。
例えば、第1波長は、マゼンタ帯域、第2波長は、シアン帯域、第3波長は、イエロー帯域、第4波長は、緑色帯域でもある。
また、第1波長は、マゼンタ帯域、第2波長は、イエロー帯域、第3波長は、シアン帯域、第4波長は、緑色帯域でもある。
前記イメージセンサは、前記多数の第3画素にそれぞれ配置されており、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させ、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第2色分離素子をさらに含んでもよい。
例えば、前記第2色分離素子は、第3波長の光を第3画素に向けて正面に透過させ、第2波長の光を、第3画素の両側にある第2画素に向けてエッジに屈折させるように構成されてもよい。
一実施形態で、前記イメージセンサは、前記多数の第1画素、第2画素及び第3画素にそれぞれ配置される多数のマイクロレンズをさらに含んでもよい。
他の類型によるイメージセンサは、第1波長の光を感知する多数の第1画素と、第2波長の光を感知する多数の第2画素とが交互に配列されている第1画素行と、前記第1画素行に隣接して配置されており、第1波長の光を感知する多数の第1画素と第3波長の光を感知する多数の第3画素とが交互に配列されている第2画素行と、前記多数の第2画素にそれぞれ配置されており、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させ、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第1色分離素子と、前記多数の第3画素にそれぞれ配置されており、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させ、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第2色分離素子と、を含んでもよい。
前記イメージセンサは、前記それぞれの第2画素を中心に、その両側の第1画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第1マイクロレンズ、及び前記それぞれの第3画素を中心に、その両側の第1画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第2マイクロレンズをさらに含んでもよい。
前記第1色分離素子は、第2波長の光を、第2画素に向けて正面に透過させ、第1波長の光を、第2画素の両側にある第1画素に向けてエッジに屈折させるように構成され、前記第2色分離素子は、第3波長の光を第3画素に向けて正面に透過させ、第1波長の光を、第3画素の両側にある第1画素に向けてエッジに屈折させるように構成されてもよい。
例えば、第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、青色帯域であり、第3波長は、赤色帯域でもある。
さらに他の類型によるイメージセンサは、第1波長の光を感知する多数の第1画素と、第2波長の光を感知する多数の第2画素とが交互に配列されている第1画素行と、前記第1画素行に隣接して配置されており、第1波長の光を感知する多数の第1画素と第3波長の光を感知する多数の第3画素とが交互に配列されている第2画素行と、前記多数の第2画素にそれぞれ配置されており、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させ、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第1色分離素子と、前記第2画素行で、多数の第1画素にそれぞれ配置されており、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させ、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第2色分離素子と、を含んでもよい。
前記イメージセンサは、前記第1画素行で、それぞれの第2画素を中心に、その両側の第1画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第1マイクロレンズ、及び前記第2画素行で、それぞれの第1画素を中心に、その両側の第3画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第2マイクロレンズをさらに含んでもよい。
例えば、第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、青色帯域であり、第3波長は、赤色帯域でもある。
本実施形態による色分離素子は、複数個の要素が複合構造を形成するために、単一構造を含む既存の色分離素子に比べ、回折パターン及び色分離角度を容易に調節することができる。従って、クロストークがほとんどない効果的な色分離が可能であり、色分離に必要な経路長が短く、画素サイズが小さいイメージセンサに適用が可能である。また、本実施形態による色分離素子は、対称構造を有するために、製作が容易である。
また、本実施形態によるイメージセンサにおいて、色分離素子を利用して、入射光の色を大体のところ分離した後でカラーフィルタを通過させるために、カラーフィルタを透過する光の比率を上昇させることができる。例えば、赤色カラーフィルタには、赤色系の光がさらに多く分配され、青色カラーフィルタには、青色系の光がさらに多く分配されるために、入射光のカラーフィルタ透過率が、33%より高くなる。従って、カラーフィルタを使用しながらも、光利用効率が上昇し、高い色純度を達成することができる。
一実施形態による色分離素子の構造を概略的に示す縦断面図である。 図1に図示された色分離素子の構造を概略的に示す横断面図である。 図1に図示された色分離素子を通過する光の波長別回折パターンを示すグラフである。 図1に図示された色分離素子の間隔変化による回折角の変化を示すグラフである。 他の実施形態による色分離素子の構造を概略的に示す横断面図である。 他の実施形態による色分離素子の構造を概略的に示す横断面図である。 さらに他の実施形態による色分離素子の構造を概略的に示す縦断面図である。 さらに他の実施形態による色分離素子の構造を概略的に示す横断面図である。 さらに他の実施形態による色分離素子の構造を概略的に示す横断面図である。 さらに他の実施形態による色分離素子の構造を概略的に示す斜視図である。 一実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。 図11に図示されたイメージセンサのa−a’ラインに沿って切り取った断面図である。 図11に図示されたイメージセンサのb−b’ラインに沿って切り取った断面図である。 図11に図示された色分離素子による色分離スペクトルを概略的に示すグラフである。 他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。 さらに他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。 さらに他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。 さらに他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。 さらに他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。 図19に図示されたイメージセンサのa−a’ラインに沿って切り取った断面図である。 図19に図示された2個の色分離素子による色分離スペクトルを概略的に示すグラフである。 図19に図示された2個の色分離素子による色分離スペクトルを概略的に示すグラフである。 さらに他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。 図23に図示された2個の色分離素子による色分離スペクトルを概略的に示すグラフである。 図23に図示された2個の色分離素子による色分離スペクトルを概略的に示すグラフである。 さらに他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。
以下、添付された図面を参照し、色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサについて詳細に説明する。以下の図面で、同一の参照符号は、同一構成要素を指し、図面上で、各構成要素の大きさは、説明の明瞭性及び便宜性のために誇張されている。また、以下で説明する実施形態は、単に例示的なものに過ぎず、そのような実施形態から、多様な変形が可能である。また、以下で説明する層構造で、「上部」や「上」と記載された表現は、接触して真上にあるものだけではなく、非接触で上にあるものも含まれる。
図1は、一実施形態による色分離素子10の構造を概略的に示す縦断面図であり、図2は、図1に図示された色分離素子10の構造を概略的に示す横断面図である。図1及び図2を参照すれば、本実施形態による色分離素子10は、所定の間隔をおいて、互いに向い合って配置された2個の透明バー11を含んでもよい。それぞれの透明バー11は、例えば、平たくて長い六面体(例えば、対称的な直方体)柱の形態を有することができる。また、2個の透明バー11の対向する表面は、その間を通過する可視光線の光が回折されるほどの間隔で離隔されている。そして、2個の透明バー11の対向する表面は、互いに平行に配置されてもよい。
そのような構造で、色分離素子10の上部に入射する白色光Wの一部は、2個の透明バー11の上部表面を通じてそれぞれの透明バー11の内部に入射した後、透明バー11の下部表面を介して外部に放出される。また、色分離素子10の上部に入射する白色光Wの他の一部は、2個の透明バー11の間を通過しながら回折される。一般的に知られるように、光の屈折角及び回折角は波長によって異なる。従って、2個の透明バー11の内部を進行して屈折された光と、2個の透明バー11間の空間を進行して回折された光は、色分離素子10から放出されるとき、波長によって異なる角度で進む。
例えば、図3は、図1に図示された色分離素子10を通過する光の波長別回折パターンを示すグラフである。図3において、横軸は、色分離素子10の中心軸から水平方向への距離を示し、単位はmであり、縦軸は、光の強度を示す。図3のグラフは、厚みtが200nmであり、高さhが620nmである2個のSi透明バー11を、500nmないし800nmの範囲内で、100nmの間隔gで配置した状態で測定した結果である。図3のグラフから分かるように、波長が長いほど回折角が大きくなり、色分離素子10の中心軸から遠くなり、波長が短いほど回折角が小さくなり、色分離素子10の中心軸に近くなる。従って、本実施形態による色分離素子10を介して、色分離が可能であるということが分かる。
また、本実施形態による色分離素子10の場合、2個の透明バー11の厚みt、高さh、及び2個の透明バー11の間隔gを調節することにより、色分離特性を調節することができる。例えば、図4は、図1に図示された色分離素子10の間隔gの変化による回折角の変化を示すグラフである。図4のグラフは、厚みtが200nmであり、高さhが620nmである2個の透明バー11の間隔gを、400nmから800nmまで変化させながら測定した結果であり、波長が630nmである光を使用した。図4を参照すれば、透明バー11の間隔が400nmであるとき、回折角は、約30°ほどであり、間隔が800nmであるとき、回折角は、約15°ほどに変化した。
従って、2個の透明バー11の厚みt、高さh、及び2個の透明バー11の間隔gを調節することによって、色分離素子10を通過する光を、波長によって、所望の角度で進行させることが可能である。例えば、透明バー11の厚みtは、約150nmないし300nmの範囲内で調節され、透明バー11の高さhは、約500nmないし1μmの範囲内で調節されてもよい。従って、透明バー11の縦横比は、1より大きくてもよい。すなわち、透明バー11の高さhが厚みtより大きくてもよい。また、2個の透明バー11の間隔gは、約100nmないし1μmの範囲内で調節される。透明バー11の長さLは、色分離素子10の色分離特性に大きい影響を与えない。
そのような色分離素子10が、イメージセンサとして使用される場合、色分離素子10の出光面からイメージセンサまでの距離、イメージセンサの画素ピッチ、色分離素子10に直接対向する画素と、色分離素子10によって分離された波長の光に対応する画素間の距離などによって、光が進む角度が最適になるように、色分離素子10を構成することができる。例えば、色分離素子10によって分離されたそれぞれの波長の光が、その波長の光に対応する画素の中心部から所定の距離内(画素の大きさによって異なるが、例えば、数μm範囲内)に、その波長の光の全体光量の一定比率以上(例えば、60%以上)が集中するように、色分離素子10を構成する透明バー11の間隔g、それぞれの透明バー11の厚みt及び高さhのうち一つを決定することができる。
一方、前記透明バー11は、例えば、SiO(n=1.46)のような透明な材料からなるスペーサ内で固定されてもよい。従って、透明バー11は、それらを取り囲む周囲の媒質より高い屈折率を有する誘電体材料からなってもよい。例えば、透明バー11は、TiO(n=2.3〜2.5)、SiN(n=2)、ZnS(n=2.4)、ZnSe(n=2.5)のような材料からなってもよい。2個の透明バー11は、互いに同一材料からもなるが、必要によっては、屈折率が互いに異なる材料からそれぞれなってもよい。また、それぞれの透明バー11が、均一な屈折率を有することもできるが、光の進行方向、すなわち、図1において、高さh方向に沿って、それぞれの透明バー11の屈折率が変化してもよい。例えば、それぞれの透明バー11は、光の進行方向に沿って、屈折率が徐々に上昇したり、あるいは低下したりするように構成され、または、光の進行方向に沿って複数の離散された屈折率を有するように構成されもする。
そのような色分離素子10は、例えば、イメージセンサの画素内に配置され、イメージセンサの光利用効率を向上させるために使用される。一般的に、イメージセンサの画素は、非常に小さいサイズを有し、光入射面から光検出素子までの距離も非常に短い。しかし、単純な形態を有する単一構造の色分離素子は、色分離のために、長い距離を必要とするため、クロストークを起こしやすく、小さいサイズの画素を有するイメージセンサに使用するのに適するものではない。また、短い距離で色分離が可能な既存の色分離素子は、その複雑な形態によって、製作過程が困難であり、具現が容易ではない。例えば、既存の色分離素子は、傾斜面や非対称的構造を有するため、薄膜蒸着及びエッチングのような標準工程での製作が不可能である。
一方、本実施形態による色分離素子10は、対称的な構造を有するので、標準工程での製作が可能であり、2個の透明バー11の複合構造を介して、短距離で色分離が可能であり、2個の透明バー11の寸法を調節することにより、色分離角度を調節することができ、効果的な色分離を行うことができる。従って、そのような色分離素子10をイメージセンサに応用する場合、多様な設計要求事項に合わせて回折角を調節することにより、さらに容易にイメージセンサの画素を設計することができる。
一方、本実施形態による色分離素子10において、図2の横断面図に図示されているように、2個の透明バー11が完全に分離されてもよいが、必ずしもそれに限定されるものではない。例えば、図5の横断面図に図示されているように、2個の透明バー11のエッジが、対向面に垂直に延長されて互いに連結されてもよい。その場合、色分離素子10は、四角筒の形態を有することができる。また、図6の横断面図に図示されているように、2個の透明バー11の中心部が、対向面に垂直に延長されて互いに連結されもする。その場合、色分離素子10は、例えば、Hビームの形態を有することができる。
以上、色分離素子10が2個の対向する透明バー11を有する場合について説明した。しかし、透明バー11の個数は、必ずしも2個に限定される必要はなく、3個、またはそれ以上の透明バー11を平行に配置させることも可能である。例えば、図7は、3個の透明バー11を有する他の実施形態による色分離素子20の構造を概略的に示す縦断面図である。図7に図示されているように、同一の形態を有する3個の透明バー11が、一定間隔で平行に配置されてもよい。しかし、必要に応じて、3個の透明バー11の厚みtと高さhは、互いに異なってもよく、3個の透明バー11の間隔gも、互いに異なって選択されてもよい。
また、3個の透明バー11は、互いに完全に分離されてもよいが、必ずしもそれに限定されるものではない。例えば、図8の横断面図に図示されているように、3個の透明バー11のエッジが、対向面に垂直に延長されて互いに連結されてもよく、図9の横断面図に図示されているように、3個の透明バー11の中心部が、対向面に垂直に延長されて互いに連結されてもよい。
図10は、さらに他の実施形態による色分離素子30の構造を概略的に示す斜視図である。図10を参照すれば、色分離素子30は、2個の透明バー11の一部分が、互いに垂直に交差するように連結された構造を有することができる。図10の例では、2個の透明バー11のそれぞれの中心部で交差されているが、必ずしもそれに限定されるものではない。例えば、2個の透明バー11のエッジで交差されてもよい。かような構造において、透明バー11の厚み、高さ及び交差位置を調節することにより、色分離素子30の色分離特性を調節することができ、交差せずに離隔されている2個の透明バー11の残りの部分で、回折を発生させることが可能である。
以下、前述の色分離素子10,20,30と、カラーフィルタとを共に利用して、光利用効率が向上されたイメージセンサの多様な実施形態について詳細に説明する。
まず、図11は、一実施形態によるイメージセンサ100の画素構造を概略的に示す平面図である。図11を参照すれば、イメージセンサ100は、多数の行と列とを有する二次元マトリックスの形態に配列された多数の光検出用画素110R,110G,110Bを具備する画素アレイを含む。例えば、図11に図示されているように、第1画素行110aには、緑色画素110Gだけが配列される。また、第1画素行110aに隣接した第2画素行110bには、赤色画素110Rと、青色画素110Bとが相互に配列される。そのような第1画素行110aと第2画素行110bは、縦方向に沿って相互に配列される。
図12は、図11に図示されたa−a’ラインに沿って、前記イメージセンサ100の第1画素行110aを切断した断面図である。図12を参照すれば、第1画素行110aは、互いに隣接して配列された多数の光検出素子111、多数の光検出素子111の光入射面にそれぞれ配置された多数の緑色カラーフィルタ112G、多数の緑色カラーフィルタ112G上に全体的に配置された透明スペーサ113、及び入射光をそれぞれの光検出素子111に集光するように、透明スペーサ113上に配置された多数のマイクロレンズ120を含んでもよい。それぞれの光検出素子111、緑色カラーフィルタ112G及び透明スペーサ113は、1つの緑色画素110Gを構成することができる。
そのような構造で、入射光は、マイクロレンズ120によって、透明スペーサ113及び緑色カラーフィルタ112Gを通過し、対応する光検出素子111にフォーカシングされる。多数の光検出素子111ごとに、それぞれ対応する緑色カラーフィルタ112Gが配置されるが、多数の光検出素子111全体にわたって、1つの長い緑色カラーフィルタ112Gが配置されることも可能である。第1画素行110aには、緑色カラーフィルタ112Gだけが配置されているので、入射光のうち緑色帯域の光だけが、緑色カラーフィルタ112Gを通過し、光検出素子111に入射することができる。光検出素子111は、入射光を、その強度によって電気的信号に変換する役割を行う。従って、第1画素行110aでは、緑色光のみを検出することができる。
図13は、図11に図示されたb−b’ラインに沿って、前記イメージセンサ100の第2画素行110bを切断した断面図である。図13を参照すれば、第2画素行110bは、互いに隣接して配列された多数の光検出素子111、赤色画素110Rと青色画素110Bとに対応し、多数の光検出素子111の光入射面に、それぞれ相互に配置された、多数の赤色カラーフィルタ112R及び多数の青色カラーフィルタ112B、多数の赤色カラーフィルタ112R及び青色カラーフィルタ112B上に全体的に配置された透明スペーサ113、青色カラーフィルタ112Bと対向するように、透明スペーサ113内に配置された多数の色分離素子140、及び入射光を、それぞれの光検出素子111に集光するように、透明スペーサ113上に配置された多数のマイクロレンズ130を含んでもよい。それぞれの光検出素子111、青色カラーフィルタ112B及び透明スペーサ113は、青色画素110Bを構成することができ、それぞれの光検出素子111、赤色カラーフィルタ112R及び透明スペーサ113は、赤色画素110Rを構成することができる。ここで、色分離素子140は、透明スペーサ113内に埋め込まれ、透明スペーサ113によって取り囲まれて固定される。
図13に図示されているように、マイクロレンズ130は、青色画素110Bの領域から、両側の赤色画素110Rの一部領域まで延長されて配置される。第1画素行110aにおいて、それぞれのマイクでレンズ130は、1つの緑色画素110G内に配置される一方、第2画素行110bから、それぞれのマイクロレンズ130は、青色画素110Bを中心に、その両側の赤色画素110Rの半分ほどまでかかるように形成される。すなわち、第2画素行110bのマイクロレンズ130の幅は、第1画素行110aのマイクロレンズ120の幅より約2倍ほどさらに大きい。従って、青色画素110Bの全体と、その両側の赤色画素110Rの一部に入射する光が、マイクロレンズ130によって集光され、色分離素子140を通過することができる。
図11及び図13に図示されているように、それぞれのマイクロレンズ130に対応し、1つの色分離素子140が配置される。従って、1つのマイクロレンズ130を通過して集光された光は、それに対応する色分離素子140を経て、波長によって分離され、波長によって分離された光は、分離されたそれぞれの波長に対応する画素110B、110Rに入射することができる。そのために、色分離素子140は、波長によって異なる光の回折特性または屈折特性を利用して、入射光の波長によって光の進路を変えることにより、色を分離する役割を行う。例えば、色分離素子140は、図1ないし図10を介して説明した色分離素子10,20,30のうちいずれか一つでもある。本実施形態によれば、色分離素子140は、対向する青色カラーフィルタ112Bに向かう光において、青色の比率を上昇させ、両側の赤色カラーフィルタ112Rに向かう光において、赤色の比率を上昇させる方式で、入射光のスペクトル分布を変えるように構成される。
例えば、図13で、「1」(図13中において丸で囲まれた1を示す。以下、図中において丸で囲まれた数字は、「」で囲まれた数字として示す)で表示された光は、進路の変更なしに、色分離素子140を透過した後、青色カラーフィルタ112Bに達する。また、図13で、「2」で表示された光は、色分離素子140のエッジ方向に傾くように進行方向を変えながら、青色カラーフィルタ112Bの両側にある赤色カラーフィルタ112Rに達する。図14は、色分離素子140による色分離スペクトルを概略的に示すグラフであり、「1」で表示された光と、「2」で表示された光とのスペクトルをそれぞれ示している。図14を参照すれば、一般的な白色光が、色分離素子140に入射する場合、「1」で表示された光においては、色分離素子140を透過する間、青色波長の比率が上昇し、「2」で表示された光においては、色分離素子140を透過する間、赤色波長の比率が上昇する。一方、図14から、112Rで表示された点線ボックスは、赤色カラーフィルタ112Rの透過帯域であり、112Bで表示された点線ボックスは、青色カラーフィルタ112Bの透過帯域であるということを例示的に示す。
かような本実施形態によれば、緑色カラーフィルタ112Gでは、従来の画素構造と同様に、入射光の約33%だけが透過され、光検出素子111に達する。一方、青色カラーフィルタ112B及び赤色カラーフィルタ112Rでは、それぞれのカラーフィルタに対応する色の比率が高いので、従来の画素構造に比べ、光の透過率が上昇する。例えば、青色カラーフィルタ112B及び赤色カラーフィルタ112Rでは、入射光の約50%以上が透過され、光検出素子111に達し、透過光は、光検出素子111で光電変換され、各画素の入射光の強度を示す電気信号に変わる。従って、青色カラーフィルタ112B及び赤色カラーフィルタ112Rでの光利用効率が上昇する。
一般的に、イメージセンサ100において、色分離素子140の光学的長さが非常に短いので、色分離素子140だけでは完全な色分離をおこない難い。それにより、色分離素子140のみを利用する場合には、高い色純度を得難い。本実施形態によれば、色分離素子140と、カラーフィルタ112B,112Rとの連繋を介して、色分離素子140において、ある程度の色分離効果を得て、カラーフィルタ112B,112Rにおいて、高い色純度を得ることにより、カラーフィルタ112B,112Rによって吸収される光エネルギーの量を低減させ、光利用効率を向上させると共に、高い色純度を達成することができる。
図15は、他の実施形態によるイメージセンサ100’の画素構造を概略的に示す平面図である。図11に図示されたイメージセンサ100と比べると、図15に図示されたイメージセンサ100’は、色分離素子140が、赤色画素110Rの領域に配置されており、マイクロレンズ130も、赤色画素110Rを中心に配置されているという点で、図11に図示されたイメージセンサ100と差がある。図15に図示されたイメージセンサ100’の残りの構成は、図11に図示されたイメージセンサ100と同一である。
すなわち、マイクロレンズ130は、赤色画素110Rの領域から、両側の青色画素110Bの一部領域まで延長されて配置される。例えば、マイクロレンズ130は、赤色画素110Rを中心に、その両側の青色画素110Bの半分ほどまでかかるように形成される。従って、赤色画素110Rと、その両側の青色画素110Bの一部とに入射する光が、マイクロレンズ130によって集光され、赤色画素110Rの領域にある色分離素子140を通過することができる。
色分離素子140は、対向する赤色カラーフィルタ112Rに向かう光において、赤色の比率を上昇させ、両側の青色カラーフィルタ112Bに向かう光において、青色の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変えるように構成される。例えば、進路の変更なしに、色分離素子140を透過した光は、赤色カラーフィルタ112Rに達し、色分離素子140のエッジ方向に傾くように進行方向が変わった光は、赤色カラーフィルタ112Rの両側にある青色カラーフィルタ112Bに達する。その場合、赤色カラーフィルタ112Rに達する光が、図14のグラフで「2」で表示されたスペクトルを有し、青色カラーフィルタ112Bに達する光が、図14のグラフで「1」で表示されたスペクトルを有するように、色分離素子140が構成される。
図16は、さらに他の実施形態によるイメージセンサの画素構造を概略的に示す平面図である。図11及び図15に図示されたイメージセンサ100,100’は、第1画素行110a及び第2画素行110bの画素が互いに一致して配列されているが、図16に図示されたイメージセンサの場合には、第1画素行110aの画素と、第2画素行110bの画素とが互いに対してシフトされる。例えば、第1画素行110aの画素と、第2画素行110bの画素は、画素幅の半分ほどシフトされる。図16には、図示されていないが、色分離素子140は、第2画素行110bの青色カラーフィルタ112Bに対向して配置されたり、あるいは赤色カラーフィルタ112Rに対向して配置されたりする。従って、図16に図示された実施形態において、色分離素子140は、隣接する第1画素行110aの2つの緑色画素110G間に配置される。その場合、第2画素行110bにある色分離素子140によるスペクトル変化が、第1画素行110aに影響を与えても、第1画素行110aの全ての緑色画素110Gに、均一に影響が及ぶことになる。
図17は、さらに他の実施形態によるイメージセンサ200の画素構造を概略的に示す平面図である。図17に図示されたイメージセンサ200は、前述のRGBカラーフィルタ方式の代わりに、シアン(Cy)、イエロー(Ye)、緑色(G)、マゼンタ(M)のカラーフィルタを使用するCYGMカラーフィルタ方式を採択している。図17を参照すれば、第1画素行110aには、多数のマゼンタ画素110Mと、多数の緑色画素110Gとが交互に配列される。また、第2画素行110bには、多数のシアン画素110Cと、多数のイエロー画素110Yとが交互に配列される。そして、色分離素子140は、シアン画素110Cの領域に配置され、マイクロレンズ130も、シアン画素110Cを中心に配置される。
例えば、マイクロレンズ130は、シアン画素110Cの領域から、両側のイエロー画素110Yの一部領域まで延長されて配置される。図17に図示されているように、マイクロレンズ130は、シアン画素110Cを中心に、その両側のイエロー画素110Yの半分ほどまでかかるように形成される。従って、シアン画素110Cと、その両側のイエロー画素110Yの一部とに入射する光が、マイクロレンズ130によって集光され、シアン画素110Cの領域にある色分離素子140を通過することができる。
色分離素子140は、シアン画素110Cに向かう光において、シアン系の光の比率を上昇させ、その両側のイエロー画素110Yに向かう光において、イエロー系の光の比率を上昇させるように構成される。例えば、進路の変更なしに、色分離素子140を透過した光は、シアンカラーフィルタに達し、色分離素子140のエッジ方向に傾くように進行方向が変わった光は、シアンカラーフィルタの両側にあるイエローカラーフィルタに達する。その場合、シアンカラーフィルタに達する光が、図14のグラフにおいて「1」で表示されたスペクトルを有し、イエローカラーフィルタに達する光が、図14のグラフにおいて「2」で表示されたスペクトルを有するように、色分離素子140が構成される。図17に図示されたCYGMカラーフィルタ方式の場合、それぞれのカラーフィルタがRGBカラーフィルタに比べ、さらに広い帯域の波長を通過させるために、吸収損失をさらに減らし、光利用効率がさらに向上する。
図18は、さらに他の実施形態によるイメージセンサ200’の画素構造を概略的に示す平面図である。図17に図示されたイメージセンサ200と比べると、図18に図示されたイメージセンサ200’は、色分離素子140が、イエロー画素110Yの領域に配置されており、マイクロレンズ130も、イエロー画素110Yを中心に配置されているという点において、図17に図示されたイメージセンサ200と差がある。従って、図18に図示されたイメージセンサ200’において、色分離素子140は、進路の変更なしに、色分離素子140を透過した光において、イエロー系の光の比率を上昇させ、色分離素子140のエッジ方向に傾くように進行方向が変わった光において、シアン系の光の比率を上昇させるように構成される。図18に図示されたイメージセンサ200’の残りの構成は、図17に図示されたイメージセンサ200と同一である。
図19は、さらに他の実施形態によるイメージセンサ300の画素構造を概略的に示す平面図である。図19に図示されたイメージセンサ300は、図11に図示されたイメージセンサ100と同様に、多数の緑色画素110Gを有する第1画素行110aと、交互に配列された多数の青色画素110Bと多数の赤色画素110Rとを有する第2画素行110bと、を含んでもよい。図11に図示されたイメージセンサ100と比べるとき、図19に図示されたイメージセンサ300は、青色画素110B及び赤色画素110Rに、それぞれ個別的なマイクロレンズ120と、色分離素子140a,140bとが配置されているという点で、図11に図示されたイメージセンサ100と差がある。従って、図19に図示されたイメージセンサ300の場合、全ての画素110R,110G,110Bに、同一構造のマイクロレンズ120を使用することができる。
図20は、図19に図示されたa−a’ラインに沿って、前記イメージセンサ300の第2画素行110bを切断した断面図である。図20を参照すれば、第2画素行110bは、互いに隣接して配列された多数の光検出素子111と、多数の光検出素子111の光入射面にそれぞれ相互に配置された多数の赤色カラーフィルタ112R、及び多数の青色カラーフィルタ112Bと、多数の赤色カラーフィルタ112R及び青色カラーフィルタ112Bを覆うように配置された透明スペーサ113と、青色カラーフィルタ112Bと対向するように、透明スペーサ113内に配置された多数の第1色分離素子140aと、赤色カラーフィルタ112Rと対向するように透明スペーサ113内に配置された多数の第2色分離素子140bと、入射光を、それぞれの光検出素子111に集光するように、透明スペーサ113上に配置された多数のマイクロレンズ120と、を含んでもよい。多数のマイクロレンズ120は、多数の赤色カラーフィルタ112R及び青色カラーフィルタ112Bとそれぞれ対向するように配置される。
第1色分離素子140aは、対向する青色カラーフィルタ112Bに向かう光において、青色の比率を上昇させ、両側の赤色カラーフィルタ112Rに向かう光において、赤色の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変えることができる。また、第2色分離素子140bは、対向する赤色カラーフィルタ112Rに向かう光において、赤色の比率を上昇させ、両側の青色カラーフィルタ112Bに向かう光において、青色の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変えることができる。例えば、第1色分離素子140aを透過し、青色画素110Bに向かう光は、図14において「1」で表示されたスペクトル分布を有することができ、第1色分離素子140aを透過し、赤色画素110Rに向かう光は、図14において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができる。また、第2色分離素子140bを透過し、赤色画素110Rに向かう光は、図14において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができ、第2色分離素子140bを透過し、青色画素110Bに向かう光は、図14において「1」で表示されたスペクトル分布を有することができる。
イメージセンサ300の光利用効率をさらに向上させるために、第1色分離素子140a及び第2色分離素子140bは、それぞれ図21及び図22に図示された色分離スペクトルを有することができる。例えば、第1色分離素子140aを透過し、青色画素110Bに向かう光は、図21において「1」で表示されたスペクトル分布を有し、第1色分離素子140aを透過し、赤色画素110Rに向かう光は、図21において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができる。また、第2色分離素子140bを透過し、赤色画素110Rに向かう光は、図21において「3」で表示されたスペクトル分布を有し、第2色分離素子140bを透過し、青色画素110Bに向かう光は、図21において「4」で表示されたスペクトル分布を有することができる。
図23は、さらに他の実施形態によるイメージセンサ400の画素構造を概略的に示す平面図である。図23に図示されたイメージセンサ400は、交互に配列された多数の緑色画素110Gと多数の青色画素110Bとを有する第1画素行110aと、交互に配列された多数の緑色画素110Gと多数の赤色画素110Rとを有する第2画素行110bと、多数の青色カラーフィルタ112Bとそれぞれ対向するように配置された多数の第1色分離素子140aと、多数の赤色カラーフィルタ112Rとそれぞれ対向するように配置された多数の第2色分離素子140bと、を含んでもよい。
また、同一構造のマイクロレンズ130が、それぞれ青色画素110B及び赤色画素110Rを中心に配置される。例えば、第1画素行110aにおいて、マイクロレンズ130は、青色画素110Bの領域を中心に、その両側の緑色画素110Gの一部領域まで延長されて配置される。従って、青色画素110Bと、その両側の緑色画素110Gの一部とに入射する光が、第1画素行110aのマイクロレンズ130によって集光され、第1色分離素子140aを通過することができる。そして、第2画素行110bでは、マイクロレンズ130が、赤色画素110Rの領域を中心に、その両側の緑色画素110Gの一部領域まで延長されて配置される。従って、赤色画素110Rと、その両側の緑色画素110Gの一部とに入射する光が、第2画素行110bのマイクロレンズ130によって集光され、第2色分離素子140bを通過することができる。
前記第1色分離素子140aは、対向する青色画素110Bに向かう光において、青色の比率を上昇させ、両側の緑色画素110Gに向かう光において、緑色の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変えることができる。また、前記第2色分離素子140bは、対向する赤色画素110Rに向かう光において、赤色の比率を上昇させ、両側の緑色画素110Gに向かう光において、緑色の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変えることができる。例えば、第1色分離素子140aを透過して青色画素110Bに向かう光は、図14において「1」で表示されたスペクトル分布を有することができ、緑色画素110Gに向かう光は、図14において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができる。また、第2色分離素子140bを透過し、赤色画素110Rに向かう光は、図14において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができ、緑色画素110Gに向かう光は、図14において「1」で表示されたスペクトル分布を有することができる。従って、本実施形態によるイメージセンサ400は、緑色光に対しても、光利用効率を向上させることができる。
イメージセンサ400の光利用効率をさらに向上させるために、第1色分離素子140a及び第2色分離素子140bは、それぞれ図24及び図25に図示された色分離スペクトルを有することもできる。例えば、図24を参照すれば、第1色分離素子140aを透過し、青色画素110Bに向かう光は、「1」で表示されたスペクトル分布を有することができ、緑色画素110Gに向かう光は、「2」で表示されたスペクトル分布を有することができる。また、図25を参照すれば、第2色分離素子140bを透過し、赤色画素110Rで進む光は、「3」で表示されたスペクトル分布を有することができ、緑色画素110Gに向かう光は、「4」で表示されたスペクトル分布を有することができる。図24及び図25で、112Rで表示された点線ボックスは、赤色カラーフィルタ112Rの透過帯域であり、112Bで表示された点線ボックスは、青色カラーフィルタ112Bの透過帯域であり、112Gで表示された点線ボックスは、緑色カラーフィルタ112Gの透過帯域を例示的に示す。
図26は、さらに他の実施形態によるイメージセンサ400’の画素構造を概略的に示す平面図である。図26に図示されたイメージセンサ400’は、交互に配列された多数の緑色画素110Gと多数の青色画素110Bとを有する第1画素行110aと、交互に配列された多数の緑色画素110Gと多数の赤色画素110Rとを有する第2画素行110bと、多数の青色カラーフィルタ112Bとそれぞれ対向するように配置された多数の第1色分離素子140aと、多数の緑色カラーフィルタ112Gとそれぞれ対向するように配置された多数の第2色分離素子140bと、を含んでもよい。図25に図示されたイメージセンサ400と比べるとき、図26に図示されたイメージセンサ400’は、多数の第2色分離素子140bが、多数の緑色画素110Gに配置されているという点で、図25に図示されたイメージセンサ400と差がある。また、第2画素行110bにおいて、マイクロレンズ130は、緑色画素110Gの領域を中心に、その両側の赤色画素110Rの一部領域まで延長されて配置される。
第1色分離素子140aは、対向する青色画素110Bに向かう光において、青色の比率を上昇させ、両側の緑色画素110Gに向かう光において、緑色の比率を上昇させることができる。また、第2色分離素子140bは、対向する緑色画素110Gに向かう光において、緑色の比率を上昇させ、両側の赤色画素110Rに向かう光において、赤色の比率を上昇させることができる。本実施形態で、第1色分離素子140a及び第2色分離素子140bは、同一構造を有することができる。例えば、第1色分離素子140aを透過し、青色画素110Bに向かう光は、図14において「1」で表示されたスペクトル分布を有することができ、緑色画素110Gに向かう光は、図14において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができる。また、第2色分離素子140bを透過し、緑色画素110Gに向かう光は、図14において「1」で表示されたスペクトル分布を有することができ、赤色画素110Rに向かう光は、図14において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができる。
一般的に、短い波長の光を正面に透過させ、長い波長の光をエッジに屈折させるように色分離素子を構成することが、その反対の場合より効率的に動作することができる。従って、第2画素行110bにおいて、第2色分離素子140bが、緑色画素110Gに配置された構成を有するイメージセンサ400’の光利用効率がさらに向上する。
一方、第1色分離素子140aと第2色分離素子140bは、異なる構造を有することもできる。例えば、第1色分離素子140aを透過し、青色画素110Bに向かう光は、図24において「1」で表示されたスペクトル分布を有することができ、緑色画素110Gに向かう光は、図24において「2」で表示されたスペクトル分布を有することができる。また、第2色分離素子140bを透過し、緑色画素110Gに進む光は、図25において「4」で表示されたスペクトル分布を有することができ、赤色画素110Rに向かう光は、図25において「3」で表示されたスペクトル分布を有することもできる。
以上、本発明の理解の一助とするために、色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサに係わる例示的な実施形態について説明し、添付された図面に図示した。しかし、かような実施形態は、単に本発明を例示するためのものであり、本発明を制限するものではないという点が理解されなければならないのである。本発明は、図示されて説明された説明に限られるものではないという点が理解されなければならない。それは、多様な他の変形が、本技術分野で当業者によって可能であるからである。
本発明の色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサは、例えば、カラー表示関連の技術分野に効果的に適用可能である。
10,20,30,140,140a,140b 色分離素子、
11 透明バー、
100,100’,200,200’,300,400,400’ イメージセンサ、
110R,110G,110B,110M,110C,110Y 画素、
110a 第1画素行、
110b 第2画素行、
111 光検出素子、
112R,112G,112B カラーフィルタ、
113 透明スペーサ、
120,130 マイクロレンズ。

Claims (29)

  1. 所定の間隔をおいて互いに対向して配置された少なくとも2個の透明バーを含み、
    前記少なくとも2個の透明バーの対向する表面は、その間を通過する可視光線の光が回折されるように互いに離隔されており、
    前記少なくとも2個の透明バーの屈折率は、当該透明バーの周囲の媒質の屈折率より高く、前記少なくとも2個の透明バーは、高さ方向に沿って屈折率が徐々に上昇するか、徐々に下降するように構成され、
    前記少なくとも2個の透明バーの幅方向のエッジが対向面に垂直に延長されて互いに連結されて四角筒の形態を有するか、または前記少なくとも2個の透明バーの幅方向の中心部が対向面に垂直に延長されて互いに連結されてHビームの形態を有する色分離素子。
  2. それぞれの前記透明バーは、扁平な直方体の形態を有することを特徴とする請求項1に記載の色分離素子。
  3. それぞれの前記透明バーの高さは、その厚みより大きいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の色分離素子。
  4. 前記少なくとも2個の透明バーは、互いに異なる屈折率を有する材料からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の色分離素子。
  5. それぞれの前記透明バーの厚みは、150nmないし300nmの範囲にあり、それぞれの前記透明バーの高さは、500nmないし1μmの範囲にあり、隣接した2個の透明バーの間隔は、100nmないし1μmの範囲にあることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の色分離素子。
  6. それぞれの前記透明バーは、TiO2、SiNx、ZnSまたはZnSeを含む材料からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の色分離素子。
  7. 前記少なくとも2個の透明バーの対向する表面は、互いに平行に配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の色分離素子。
  8. 第1波長の光を感知する多数の第1画素が配列されている第1画素行と、
    前記第1画素行に隣接して配置されており、第2波長の光を感知する多数の第2画素と、第3波長の光を感知する多数の第3画素とが交互に配列されている第2画素行と、
    前記多数の第2画素にそれぞれ配置されており、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させ、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第1色分離素子と、を含み、
    前記第1色分離素子は、請求項1ないしのうちいずれか1項に記載の色分離素子であるイメージセンサ。
  9. 前記多数の第1画素にそれぞれ配置された多数の第1マイクロレンズ、及び前記それぞれの第2画素を中心に、その両側の第3画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第2マイクロレンズをさらに含むことを特徴とする請求項に記載のイメージセンサ。
  10. 前記第1画素は、入射光を電気的信号に変換する光検出素子、前記光検出素子上に配置されており、第1波長の光を透過させる第1カラーフィルタ、及び前記第1カラーフィルタ上に配置された透明スペーサを含み、
    前記第2画素は、入射光を電気的信号に変換する光検出素子、前記光検出素子上に配置されており、第2波長の光を透過させる第2カラーフィルタ、及び前記第2カラーフィルタ上に配置された透明スペーサを含み、
    前記第3画素は、入射光を電気的信号に変換する光検出素子、前記光検出素子上に配置されており、第3波長の光を透過させる第3カラーフィルタ、及び前記第3カラーフィルタ上に配置された透明スペーサを含むことを特徴とする請求項に記載のイメージセンサ。
  11. 前記第1マイクロレンズ及び第2マイクロレンズは、前記透明スペーサ上に配置されていることを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサ。
  12. 前記第1色分離素子は、前記透明スペーサ内に埋め込まれて固定されていることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のイメージセンサ。
  13. 前記第1色分離素子は、第2波長の光を、第2画素に向けて正面に透過させ、第3波長の光を第2画素の両側にある第3画素に向けてエッジに屈折させるように構成されることを特徴とする請求項12のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
  14. 第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、青色帯域であり、第3波長は、赤色帯域であることを特徴とする請求項13のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
  15. 第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、赤色帯域であり、第3波長は、青色帯域であることを特徴とする請求項13のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
  16. 前記第1画素行と前記第2画素行とが、互いに対してそれぞれの画素の幅の半分ほどシフトされていることを特徴とする請求項15のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
  17. 前記第1画素行は、前記多数の第1画素と交互に配列されている多数の第4画素をさらに含むことを特徴とする請求項16のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
  18. 第1波長は、マゼンタ帯域、第2波長は、シアン帯域、第3波長は、イエロー帯域、第4波長は、緑色帯域であることを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサ。
  19. 第1波長は、マゼンタ帯域、第2波長は、イエロー帯域、第3波長は、シアン帯域、第4波長は、緑色帯域であることを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサ。
  20. 前記多数の第3画素にそれぞれ配置されており、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させ、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第2色分離素子をさらに含むことを特徴とする請求項19のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
  21. 前記第2色分離素子は、第3波長の光を、第3画素に向けて正面に透過させ、第2波長の光を、第3画素の両側にある第2画素に向けてエッジに屈折させるように構成されることを特徴とする請求項20に記載のイメージセンサ。
  22. 前記多数の第1画素、第2画素及び第3画素にそれぞれ配置される多数のマイクロレンズをさらに含むことを特徴とする請求項20または請求項21に記載のイメージセンサ。
  23. 第1波長の光を感知する多数の第1画素と、第2波長の光を感知する多数の第2画素とが交互に配列されている第1画素行と、
    前記第1画素行に隣接して配置されており、第1波長の光を感知する多数の第1画素と、第3波長の光を感知する多数の第3画素とが交互に配列されている第2画素行と、
    前記多数の第2画素にそれぞれ配置されており、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させ、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第1色分離素子と、
    前記多数の第3画素にそれぞれ配置されており、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させ、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第2色分離素子と、を含み、
    前記第1色分離素子及び第2色分離素子は、請求項1ないしのうちいずれか1項に記載の色分離素子であるイメージセンサ。
  24. 前記それぞれの第2画素を中心に、その両側の第1画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第1マイクロレンズ、及び前記それぞれの第3画素を中心に、その両側の第1画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第2マイクロレンズをさらに含むことを特徴とする請求項23に記載のイメージセンサ。
  25. 前記第1色分離素子は、第2波長の光を、第2画素に向けて正面に透過させ、第1波長の光を、第2画素の両側にある第1画素に向けてエッジに屈折させるように構成され、前記第2色分離素子は、第3波長の光を、第3画素に向けて正面に透過させ、第1波長の光を、第3画素の両側にある第1画素に向けてエッジに屈折させるように構成されることを特徴とする請求項23または請求項24に記載のイメージセンサ。
  26. 第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、青色帯域であり、第3波長は、赤色帯域であることを特徴とする請求項2325のいずれか一項に記載のイメージセンサ。
  27. 第1波長の光を感知する多数の第1画素と、第2波長の光を感知する多数の第2画素とが交互に配列されている第1画素行と、
    前記第1画素行に隣接して配置されており、第1波長の光を感知する多数の第1画素と、第3波長の光を感知する多数の第3画素とが交互に配列されている第2画素行と、
    前記多数の第2画素にそれぞれ配置されており、第2画素に入射する第2波長の光の比率を上昇させ、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第1色分離素子と、
    前記第2画素行で、多数の第1画素にそれぞれ配置されており、第1画素に入射する第1波長の光の比率を上昇させ、第3画素に入射する第3波長の光の比率を上昇させるように、入射光のスペクトル分布を変える多数の第2色分離素子と、を含み、
    前記第1色分離素子及び第2色分離素子は、請求項1ないしのうちいずれか1項に記載の色分離素子であるイメージセンサ。
  28. 前記第1画素行において、それぞれの第2画素を中心に、その両側の第1画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第1マイクロレンズ、及び前記第2画素行において、それぞれの第1画素を中心に、その両側の第3画素の一部領域まで延長されて配置された多数の第2マイクロレンズをさらに含むことを特徴とする請求項27に記載のイメージセンサ。
  29. 第1波長は、緑色帯域であり、第2波長は、青色帯域であり、第3波長は、赤色帯域であることを特徴とする請求項27または請求項28に記載のイメージセンサ。
JP2015095066A 2014-05-09 2015-05-07 色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサ Active JP6710021B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140055752A KR102159166B1 (ko) 2014-05-09 2014-05-09 색분리 소자 및 상기 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서
KR10-2014-0055752 2014-05-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015215616A JP2015215616A (ja) 2015-12-03
JP6710021B2 true JP6710021B2 (ja) 2020-06-17

Family

ID=54367738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015095066A Active JP6710021B2 (ja) 2014-05-09 2015-05-07 色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサ

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10423001B2 (ja)
JP (1) JP6710021B2 (ja)
KR (1) KR102159166B1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102561097B1 (ko) * 2015-12-22 2023-07-28 삼성전자주식회사 색분리 소자 어레이, 이를 포함한 이미지 센서 및 전자 장치
FR3056333B1 (fr) 2016-09-22 2018-10-19 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Capteur d'images a efficacite quantique amelioree pour les rayonnements infrarouges
KR102604687B1 (ko) 2017-02-01 2023-11-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
EP3401658B1 (en) * 2017-03-16 2021-05-05 Shibaura Electronics Co., Ltd. Temperature sensor
CN107680979A (zh) * 2017-09-26 2018-02-09 德淮半导体有限公司 一种图像传感器、彩色滤光片阵列及其制备方法
EP3540479A1 (en) 2018-03-13 2019-09-18 Thomson Licensing Diffraction grating comprising double-materials structures
EP3540499A1 (en) 2018-03-13 2019-09-18 Thomson Licensing Image sensor comprising a color splitter with two different refractive indexes
JP6707105B2 (ja) 2018-04-17 2020-06-10 日本電信電話株式会社 カラー撮像素子および撮像装置
JP7265195B2 (ja) * 2018-04-17 2023-04-26 日本電信電話株式会社 カラー撮像素子および撮像装置
EP3591700A1 (en) 2018-07-02 2020-01-08 Thomson Licensing Image sensor comprising a color splitter with two different refractive indexes, and different height
KR102613052B1 (ko) * 2021-09-29 2023-12-12 삼성전자주식회사 멀티 스펙트럼 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5325117B2 (ja) 1972-05-26 1978-07-25
EP0164255B1 (en) * 1984-05-31 1991-11-06 Nec Corporation Solid-state color imaging apparatus
US5982545A (en) * 1997-10-17 1999-11-09 Industrial Technology Research Institute Structure and method for manufacturing surface relief diffractive optical elements
US6490393B1 (en) * 2000-11-27 2002-12-03 Advanced Interfaces, Llc Integrated optical multiplexer and demultiplexer for wavelength division transmission of information
JP4652634B2 (ja) * 2001-08-31 2011-03-16 キヤノン株式会社 撮像装置
US7405759B2 (en) * 2001-09-28 2008-07-29 Mosaic Imaging, Inc. Imaging with spectrally dispersive element for aliasing reducing
JP4218240B2 (ja) * 2001-12-17 2009-02-04 旭硝子株式会社 光ヘッド装置
US7250973B2 (en) * 2002-02-21 2007-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus for reflecting light at an area between successive refractive areas
JP2004200358A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Nikon Corp 固体撮像素子の色分解装置
JP2005258053A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透過型回折格子
US8018508B2 (en) * 2004-04-13 2011-09-13 Panasonic Corporation Light-collecting device and solid-state imaging apparatus
JP4192867B2 (ja) * 2004-08-30 2008-12-10 ソニー株式会社 物理情報取得装置、複数の単位構成要素が配列されてなる物理量分布検知の半導体装置、並びに半導体装置の製造方法
US7808023B2 (en) * 2005-08-24 2010-10-05 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing integrated color pixel with buried sub-wavelength gratings in solid state imagers
JP4836625B2 (ja) * 2006-03-24 2011-12-14 パナソニック株式会社 固体撮像素子
JP4646146B2 (ja) * 2006-11-30 2011-03-09 ソニー株式会社 画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム
JP4847304B2 (ja) * 2006-12-04 2011-12-28 株式会社リコー 光学素子および光学装置
ITRM20070280A1 (it) 2007-05-22 2008-11-23 Micron Technology Inc Photon guiding structure and method of forming the same.
US8076745B2 (en) * 2007-08-06 2011-12-13 Panasonic Corporation Imaging photodetection device
US8222710B2 (en) 2008-06-13 2012-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sensor structure for optical performance enhancement
WO2009153937A1 (ja) * 2008-06-18 2009-12-23 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP5055643B2 (ja) * 2008-07-28 2012-10-24 株式会社リコー 撮像素子および画像撮像装置
CN101816184B (zh) * 2008-08-05 2013-06-12 松下电器产业株式会社 摄像用光检测装置
JP5331107B2 (ja) * 2008-12-19 2013-10-30 パナソニック株式会社 撮像装置
JP5296077B2 (ja) 2009-01-14 2013-09-25 パナソニック株式会社 撮像装置
JP5637693B2 (ja) * 2009-02-24 2014-12-10 キヤノン株式会社 光電変換装置、及び撮像システム
WO2011010455A1 (ja) * 2009-07-24 2011-01-27 パナソニック株式会社 撮像装置および固体撮像素子
KR101274591B1 (ko) 2009-12-18 2013-06-13 엘지디스플레이 주식회사 표면 플라즈몬을 이용한 컬러필터와 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101007198B1 (ko) 2010-05-17 2011-01-12 광운대학교 산학협력단 나노 격자 기반의 컬러필터
JP2012015424A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Panasonic Corp 固体撮像装置
US8405748B2 (en) * 2010-07-16 2013-03-26 Omnivision Technologies, Inc. CMOS image sensor with improved photodiode area allocation
JP5503459B2 (ja) 2010-08-24 2014-05-28 パナソニック株式会社 固体撮像素子および撮像装置
JP5503458B2 (ja) 2010-08-24 2014-05-28 パナソニック株式会社 固体撮像素子および撮像装置
WO2013061489A1 (ja) * 2011-10-24 2013-05-02 パナソニック株式会社 カラー撮像装置
WO2013099151A1 (ja) * 2011-12-26 2013-07-04 パナソニック株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および信号処理方法
US20150042850A1 (en) * 2012-03-20 2015-02-12 Nokia Corporation Apparatus and a Method for Imaging
US9099369B2 (en) * 2012-05-02 2015-08-04 Panasonic Intellectual Property Corporation Of America Solid-state image sensor
JP5885608B2 (ja) * 2012-07-23 2016-03-15 株式会社東芝 固体撮像装置
JP6094832B2 (ja) 2012-09-03 2017-03-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子および撮像装置
JP5952777B2 (ja) 2013-05-29 2016-07-13 日東工器株式会社 バッテリ式穿孔機
US9412775B2 (en) * 2014-03-20 2016-08-09 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging devices and methods of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
US10423001B2 (en) 2019-09-24
US20200285066A1 (en) 2020-09-10
US20200012120A1 (en) 2020-01-09
JP2015215616A (ja) 2015-12-03
US10725310B2 (en) 2020-07-28
US10969601B2 (en) 2021-04-06
US20150323800A1 (en) 2015-11-12
KR20150128407A (ko) 2015-11-18
KR102159166B1 (ko) 2020-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6710021B2 (ja) 色分離素子、及び該色分離素子を含むイメージセンサ
KR102276432B1 (ko) 색분리 소자 및 상기 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서
JP6650209B2 (ja) イメージセンサ
JP6813319B2 (ja) 色分離素子を含むイメージセンサ、およびイメージセンサを含む撮像装置
KR102276434B1 (ko) 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서 및 상기 이미지 센서를 포함하는 촬상 장치
US10170510B2 (en) Color separation element array, image sensor including the same, and electronic device
US10393576B2 (en) Image sensor including color filter isolation layer and method of manufacturing the same
CN107017269B (zh) 包括分色元件的图像传感器
KR102395775B1 (ko) 컬러 필터를 포함하는 이미지 센서 및 상기 이미지 센서의 제조 방법
US9591277B2 (en) Color separation element array, image sensor including the color separation element array, and image pickup apparatus including the color separation element array
US9316839B2 (en) Image sensor having improved light utilization efficiency
KR102360074B1 (ko) 나노 구조 컬러 필터를 채용한 이미지 센서

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180425

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190328

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200407

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200428

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200526

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6710021

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250