JP6697858B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6697858B2 JP6697858B2 JP2015174393A JP2015174393A JP6697858B2 JP 6697858 B2 JP6697858 B2 JP 6697858B2 JP 2015174393 A JP2015174393 A JP 2015174393A JP 2015174393 A JP2015174393 A JP 2015174393A JP 6697858 B2 JP6697858 B2 JP 6697858B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- optical waveguide
- dummy pattern
- thickness
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 368
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 54
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 226
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 260
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 41
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12035—Materials
- G02B2006/12061—Silicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12083—Constructional arrangements
- G02B2006/12097—Ridge, rib or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
- G02F2201/063—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide ridge; rib; strip loaded
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
- G02F2201/066—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide channel; buried
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/105—Materials and properties semiconductor single crystal Si
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
近年、シリコン(Si)を材料とした伝送線路を作製し、この伝送線路により構成した光回路をプラットフォームとして、種々の光デバイスと電子デバイスとを集積することで光通信用モジュールを実現する技術、いわゆるシリコンフォトニクス技術の開発が積極的に行われている。
本実施の形態1による半導体装置の構造について、図1を用いて説明する。図1は、本実施の形態1による半導体装置の要部断面図であり、光信号用の伝送線路および光変調器を例示している。図1に示すA1領域には第1光導波路が形成され、A2領域には第2光導波路が形成され、B領域には光変調器が形成される。
図1に示すように、光信号用の伝送線路(光信号線とも言う。)には、例えば第1光導波路(コア層とも言う。)OT1およびリブ形状の第2光導波路(コア層とも言う。)OT2など、種々の構造がある。このような第1光導波路OT1および第2光導波路OT2のパターン密度は低く、半導体チップに対する、その占有面積率は、後述する光変調器等と併せても、例えば5%に満たない場合がある。
図1に示すように、電気信号を光信号に変える光変調器PCは、半導体基板SUBの主面上に、絶縁層CLを介して形成された半導体層SLにより構成されている。ここでは、一例としてpin構造の光変調器について説明するが、これに限定されるものではない。
ところで、第2光導波路OT2および光変調器PCの形状はともにリブ形状であるが、前述したように、その構造は互いに異なる。また、半導体層SLの薄くなっている部分の厚さは、第2光導波路OT2では、例えば100nm程度、光変調器PCでは、例えば50nm程度と互いに異なる。すなわち、半導体装置には、互いに構造の異なる複数種類(本実施の形態1では3種類)の光導波路を、絶縁層CLの主面上に形成する必要がある。
本実施の形態2による第1光導波路OT1、リブ形状の第2光導波路およびリブ形状の光変調器PCの構造は、前述の実施の形態1で説明した第1光導波路OT1、リブ形状の第2光導波路およびリブ形状の光変調器PCの構造とほぼ同じである。本実施の形態2が前述の実施の形態1と相違する点は、第1光導波路OT1、リブ形状の第2光導波路およびリブ形状の光変調器PCの製造工程である。それ以外の製造工程は、前述した実施の形態1による製造工程とほぼ同様であるので、以下、相違点を中心に説明する。
CT1 接続孔(コンタクト・ホール)
CT2 接続孔(ビア・ホール)
DP1,DP2 ダミーパターン
GC グレーティングカプラ
ID1 第1層間絶縁膜(上層クラッド層)
ID2 第2層間絶縁膜
M1 第1層目の配線
M2 第2層目の配線
NR n型の半導体
OT1 第1光導波路(コア層)
OT2 第2光導波路(コア層)
PC 光変調器
PL1 第1プラグ
PL2 第2プラグ
PR p型の半導体
RM,RM1,RM2,RM3,RM4,RM5,RM6 レジストマスク
SL 半導体層(SOI層)
SL0 半導体層
SL1 第1光導波路用の半導体層
SL2 第2光導波路用の半導体層
SL3 光変調器用の半導体層
SL4 ダミーパターン用の半導体層
SL5 ダミーパターン用の半導体層
SUB 半導体基板
T1 当初半導体層の厚さ
TC 保護膜
WO 光導波路(コア層)
Claims (11)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成された、半導体層からなる光導波路と、
前記光導波路を覆うように前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、
を有し、
前記半導体層からなる複数の第1ダミーパターンが、前記光導波路の周囲の第1領域に形成され、
前記光導波路の延在方向に直交する断面において、前記光導波路の断面形状は、リブ形状であり、
前記第1ダミーパターンの断面形状は、前記第1ダミーパターンの外周部の厚さが、前記第1ダミーパターンの中央部の厚さよりも厚い凹形状である、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記半導体層からなる複数の第2ダミーパターンが、前記光導波路の周囲の前記第1領域と異なる第2領域に形成され、
前記第2ダミーパターンの外周部の厚さが、前記第2ダミーパターンの中央部の厚さよりも厚く、
前記第1ダミーパターンの外周部の厚さと前記第2ダミーパターンの外周部の厚さとが、同じであり、
前記第1ダミーパターンの中央部の厚さと前記第2ダミーパターンの中央部の厚さとが、互いに異なる、半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記光導波路は、第1厚さの第1部分と、前記第1厚さよりも薄い第2厚さの第2部分とを有する、半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記光導波路の前記第1厚さと、前記第1ダミーパターンの外周部の厚さとが同じである、半導体装置。 - 請求項3記載の半導体装置において、
前記半導体層はシリコンからなる、半導体装置。 - 第1光導波路、第2光導波路、第1ダミーパターンおよび第2ダミーパターンを有する半導体装置の製造方法であって、
(a)半導体基板と、前記半導体基板上の第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上の第1厚さを有する半導体層とからなる基板を準備する工程、
(b)第1レジストマスクを用いたドライエッチングにより、前記第1光導波路用の前記半導体層、前記第2光導波路用の前記半導体層、前記第1ダミーパターン用の前記半導体層および前記第2ダミーパターン用の前記半導体層を互いに分離する工程、
(c)第2レジストマスクを用いたドライエッチングにより、前記第1光導波路用の前記半導体層および前記第1ダミーパターン用の前記半導体層のそれぞれの一部を、前記第1厚さよりも薄い第2厚さに加工する工程、
(d)第3レジストマスクを用いたドライエッチングにより、前記第2光導波路用の前記半導体層および前記第2ダミーパターン用の前記半導体層のそれぞれの一部を、前記第1厚さよりも薄い第3厚さに加工する工程、
を含み、
前記(c)工程では、前記第2レジストマスクが前記第1ダミーパターン用の前記半導体層の外周部を覆い、
前記(d)工程では、前記第3レジストマスクが前記第2ダミーパターン用の前記半導体層の外周部を覆い、
前記第1光導波路の延在方向に直交する断面において、前記第1光導波路の断面形状は、リブ形状であり、
前記第1ダミーパターンの断面形状は、前記第1ダミーパターンの外周部の厚さが、前記第1ダミーパターンの中央部の厚さよりも厚い凹形状である、半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2厚さと前記第3厚さとは、互いに異なる、半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程では、前記第1ダミーパターンの断面は凹形状に加工され、
前記(d)工程では、前記第2ダミーパターンの断面は凹形状に加工される、半導体装置の製造方法。 - 第1光導波路、第2光導波路、第1ダミーパターンおよび第2ダミーパターンを有する半導体装置の製造方法であって、
(a)半導体基板と、前記半導体基板上の第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上の第1厚さを有する半導体層とからなる基板を準備する工程、
(b)第1レジストマスクを用いたドライエッチングにより、前記第1光導波路が形成される領域の前記半導体層および前記第1ダミーパターンが形成される領域の前記半導体層のそれぞれの一部を、前記第1厚さよりも薄い第2厚さに加工する工程、
(c)第2レジストマスクを用いたドライエッチングにより、前記第2光導波路が形成される領域の前記半導体層および前記第2ダミーパターンが形成される領域の前記半導体層のそれぞれの一部を、前記第1厚さよりも薄い第3厚さに加工する工程、
(d)第3レジストマスクを用いたドライエッチングにより、前記第1光導波路用の前記半導体層、前記第2光導波路用の前記半導体層、前記第1ダミーパターン用の前記半導体層および前記第2ダミーパターン用の前記半導体層を互いに分離する工程、
を含み、
前記(b)工程では、前記第1レジストマスクが前記第1ダミーパターン用の前記半導体層の外周部を覆い、
前記(c)工程では、前記第2レジストマスクが前記第2ダミーパターン用の前記半導体層の外周部を覆い、
前記第1光導波路の延在方向に直交する断面において、前記第1光導波路の断面形状は、リブ形状であり、
前記第1ダミーパターンの断面形状は、前記第1ダミーパターンの外周部の厚さが、前記第1ダミーパターンの中央部の厚さよりも厚い凹形状である、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2厚さと前記第3厚さとは、互いに異なる、半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記(b)工程では、前記第1ダミーパターンの断面は凹形状に加工され、
前記(c)工程では、前記第2ダミーパターンの断面は凹形状に加工される、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015174393A JP6697858B2 (ja) | 2015-09-04 | 2015-09-04 | 半導体装置およびその製造方法 |
US15/243,746 US10078182B2 (en) | 2015-09-04 | 2016-08-22 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015174393A JP6697858B2 (ja) | 2015-09-04 | 2015-09-04 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017049507A JP2017049507A (ja) | 2017-03-09 |
JP6697858B2 true JP6697858B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=58189992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015174393A Expired - Fee Related JP6697858B2 (ja) | 2015-09-04 | 2015-09-04 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10078182B2 (ja) |
JP (1) | JP6697858B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11855119B2 (en) | 2019-09-30 | 2023-12-26 | California Institute Of Technology | Integrated electronic-photonic devices, systems and methods of making thereof |
US11531159B2 (en) * | 2020-06-19 | 2022-12-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Optical waveguide apparatus and method of fabrication thereof |
US11764318B2 (en) * | 2020-11-17 | 2023-09-19 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN112782803A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-11 | 联合微电子中心有限责任公司 | 改善硅基光波导工艺鲁棒性的方法 |
WO2023044810A1 (zh) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 华为技术有限公司 | 形成光波导的方法和光波导 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3974319B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-09-12 | 株式会社東芝 | エッチング方法 |
JP2003114515A (ja) | 2001-10-09 | 2003-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスク及びその設計方法 |
JP4150689B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2008-09-17 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路装置内に形成された多層配線構造 |
JP4996938B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-08-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体発光素子 |
JP4448199B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2010-04-07 | 株式会社フジクラ | 基板型光導波路素子、波長分散補償素子、光フィルタならびに光共振器、およびそれらの設計方法 |
US9087725B2 (en) * | 2009-12-03 | 2015-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFETs with different fin height and EPI height setting |
US8380023B2 (en) * | 2010-07-14 | 2013-02-19 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Waveguide-type optical circuit |
JP2014002218A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路および電子機器 |
JP2014194473A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光導波路及び光導波路の検査方法 |
JP6327051B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-05-23 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子、半導体光素子を作製する方法 |
JP6372112B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-08-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光導波路素子を作製する方法 |
-
2015
- 2015-09-04 JP JP2015174393A patent/JP6697858B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-08-22 US US15/243,746 patent/US10078182B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10078182B2 (en) | 2018-09-18 |
US20170068051A1 (en) | 2017-03-09 |
JP2017049507A (ja) | 2017-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6697858B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN104658893B (zh) | 具有减小的间距和线间隔的集成电路及其形成方法 | |
US10712498B2 (en) | Shielding structures between optical waveguides | |
JP6482790B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP6121730B2 (ja) | 光デバイス | |
JP6533118B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10038114B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2016218132A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017037178A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US10901151B2 (en) | Optical integrated circuits | |
US10197822B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
JP2019139075A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR20030021115A (ko) | 배선 설계 방법 | |
JP2017004006A (ja) | 光デバイスおよびその製造方法 | |
JP4919475B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JP2014086439A (ja) | マスクパターンの製造方法 | |
KR100959457B1 (ko) | 반도체 소자용 마스크 패턴 및 금속배선 형성 방법 | |
JP2018081977A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6600513B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR101948845B1 (ko) | 반도체 소자 | |
KR20100097989A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2007294499A (ja) | 半導体装置 | |
KR20030002803A (ko) | 다마신공정을 이용한 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
CN103531578A (zh) | 半导体器件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200407 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200427 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6697858 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |