JP6693766B2 - エポキシ樹脂組成物、それを用いた金属ベース板回路基板 - Google Patents
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- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims description 117
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims description 117
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 94
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 68
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 33
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical group Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 32
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 30
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 18
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 16
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 13
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(CCC3)C3=NC2=C1 RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzaldehyde Chemical compound OC1=CC=C(C=O)C=C1 RGHHSNMVTDWUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- -1 aluminum nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910000403 monosodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019799 monosodium phosphate Nutrition 0.000 description 3
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 5-(2,4-dioxooxolan-3-yl)-7-methyl-3a,4,5,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C(C(OC2=O)=O)C2C(C)=CC1C1C(=O)COC1=O FVCSARBUZVPSQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021493 α-cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
金属ベース板回路基板がこうした性能を満たす上でボトルネックとなるのは、金属ベース板回路基板に絶縁層として使用されるエポキシ樹脂組成物である。絶縁層は、金属箔と金属ベース板を接着させ、それらの間の絶縁性を保つ必要がある。そして、金属ベース板回路基板を構成する金属箔、金属ベース板、絶縁層の中で最も熱伝導性、耐熱性、耐湿信頼性が低い材料は絶縁層であるため、絶縁層を形成するエポキシ樹脂組成物の高性能化が金属ベース板回路基板の高性能化に直結する。
例えば、特許文献1には、エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機フィラーを必須成分とする組成物およびそれを用いた金属ベース板回路基板が提案されている。この組成物を用いた金属ベース板回路基板は、耐電圧特性、耐湿信頼性、接着性には優れているが、組成物に含まれるフィラーが熱伝導率約2.0W/(m・K)と低いαクリストバライトであり、熱伝導性が低いという課題があった。さらに、樹脂の耐熱性に関わるガラス転移点が130℃程度であり、ハイパワー用途向けでは耐熱性に課題があった。
しかし、耐湿信頼性に関しては、50V1000時間の絶縁性保障のみ記載されており、ハイパワー用途向けでは耐湿信頼性に課題があった。また、耐電圧特性、金属箔との接着性、耐熱性に関しては考慮されていない。
[1]エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機フィラーとを含むエポキシ樹脂組成物であって、(a)エポキシ樹脂が以下の式(1)で表され、数平均分子量が380以下であるビスフェノールA型エポキシ樹脂、(b)硬化剤が以下の式(2)で表され、数平均分子量が400以下であるトリフェニルメタンノボラック、(c)硬化促進剤が以下の式(3)で表される2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール又は式(4)で表せるトリフェニルホスフィンの一方又は両方、であるエポキシ樹脂組成物。
[3]窒化アルミニウムは、表面酸素量と内部酸素量の質量比(内部酸素量/表面酸素量の質量比)が1.0〜3.0であり、内部酸素量と表面酸素量の合計が1.0質量%以下である[1]又は[2]に記載のエポキシ樹脂組成物。
[4]金属ベース板上に、[1]〜[3]いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物からなる絶縁層を設け、前記絶縁層上に金属箔を設けてなる回路用基板。
[5]金属ベース板上に、[1]〜[3]いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物からなる絶縁層を設け、前記絶縁層上に金属箔を設け、前記金属箔を加工して回路を形成してなる金属ベース板回路基板。
本発明のエポキシ樹脂は以下の式(1)で表され、数平均分子量が380以下であるビスフェノールA型エポキシ樹脂である。数平均分子量は、350以下であることがより好ましい。
数平均分子量が380を超える場合、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、印刷時にボイドを巻き込みやすくなり、耐電圧、耐湿信頼性が低下する場合がある。また、硬化した際の架橋密度が低くなる為、金属ベース板回路基板の耐熱性が低下する場合がある。また、ビスフェノールA型以外のエポキシ樹脂を用いた場合、硬化後の骨格が柔らかくなるため、耐熱性が低下する場合がある。
エポキシ樹脂は硬化剤と反応させることで、硬化することができる。本発明の硬化剤は、以下の式(2)で表され、数平均分子量が400以下であるトリフェニルメタンノボラックである。数平均分子量は、320以下であるとさらに好ましい。
数平均分子量が400を超える場合、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、印刷時にボイドを巻き込みやすくなり、耐電圧、耐湿信頼性が低下する場合がある。また、硬化した際の架橋密度が低くなる為、金属ベース板回路基板の耐熱性が低下する場合がある。また、トリフェニルメタンノボラック以外のノボラック硬化剤を用いた場合、絶縁層の耐熱が低下する場合がある。
硬化促進剤は、(a)エポキシ樹脂と(b)硬化剤の硬化反応を進行させる為に使用する。本発明で使用する硬化促進剤は、以下の式(3)で表される2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール又は(4)で表せるトリフェニルホスフィンの一方又は両方、である。
硬化促進剤に2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール又はトリフェニルホスフィン以外を用いた場合、エポキシ樹脂の自己重合反応が促進され、エポキシ樹脂中に極わずかに含有される共有結合塩素の脱離反応が起こりやすくなり、イオン性不純物が発生し、耐湿信頼性に悪影響を及ぼす場合がある。
本発明で使用する窒化アルミニウムは、平均粒子径が15〜40μmであることが好ましく、平均粒子径が20〜30μmであればより好ましい。平均粒子径が15μm未満である場合、窒化アルミニウム間の界面熱抵抗が増加し、熱伝導性が低下する場合がある。また、平均粒子径が40μmを超える場合、エポキシ樹脂組成物の印刷時にボイドを巻き込みやすくなり、耐電圧、耐湿信頼性が低下する場合がある。
本発明で使用する窒化アルミニウムは、表面酸素量と内部酸素量の質量比(内部酸素量/表面酸素量の質量比)が1.0〜3.0であり、内部酸素量と表面酸素量の合計が1.0質量%以下であることが好ましい。質量比が1.0未満の場合、窒化アルミニウムが吸湿しやすくなり、耐湿信頼性が低下する場合がある。質量比が3.0を超える場合、窒化アルミニウムに含まれるイオン性不純物が増加し、耐湿信頼性が低下する場合がある。また、内部酸素量と表面酸素量の合計が1.0質量%を超える場合、窒化アルミニウムの熱伝導率が低下し、エポキシ樹脂組成物の熱伝導性が低下する場合がある。
本発明で使用する酸化アルミニウムは、球形度が0.8以上且つ平均粒子径が0.5〜5.0μmであるものが好ましい。球形度が0.8未満の場合、組成物の流動性が低下し、印刷時にボイドを巻き込みやすくなるため、耐電圧・耐湿信頼性が低下する場合がある。また、平均粒子径が0.5μm未満の場合、エポキシ樹脂組成物に含まれる無機フィラー間の界面熱抵抗が増加し、熱伝導性が低下する場合がある。平均粒子径が5.0μmを超える場合、組成物の流動性が低下し、印刷時にボイドを巻き込みやすくなるため、耐電圧・耐湿信頼性が低下する場合がある。
エポキシ樹脂組成物中の窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの体積比は、(A)/(B)=75/25〜55/45が好ましく、(A)/(B)=70/30〜60/40がより好ましい。体積比75/25よりも窒化アルミニウムの比率が高まると、組成物の流動性が低下し、印刷時にボイドを巻き込みやすくなるため、耐電圧・耐湿信頼性が低下する場合がある。体積比55/45よりも酸化アルミニウムの比率が高まると、エポキシ樹脂組成物に含まれる無機フィラー間の界面熱抵抗が上昇し、熱伝導性が低下する場合がある。
本発明の回路用基板は、以下の手順で作製できる。エポキシ樹脂組成物を、厚さ0.1〜5.0mmの金属基板上に塗布し、回路を形成する金属箔と重ね合わせた後、150〜240℃で5〜12時間加熱し得ることができる。塗布は、ダイコーター、コンマコーター、ロールコーター、バーコーター、グラビヤコーター、カーテンコーター、ドクターブレードコーター、スプレーコーターおよびスクリーン印刷等の方法を使用し塗布することができる。または、金属基板上にエポキシ樹脂組成物を塗布した後に加熱により半硬化させた後、エポキシ樹脂組成物の表面に金属箔と熱プレスする方法が採用できる。さらには、エポキシ樹脂組成物をシート状に半硬化後、金属基板と金属箔を貼り合わせて回路用基板を得ることもできる。
本発明の絶縁層は、以下の手順で作製した。回路用基板の金属箔と金属ベース板をエッチングで完全に除去することにより、硬化したエポキシ樹脂組成物を得ることができる。これを絶縁層として、熱伝導性、耐熱性の評価を行った。
絶縁層の厚みは20〜180μmであることが好ましく、40〜150μmであることがより好ましい。厚みを20μm以上とすることで、耐電圧特性が良好となり、150μm以下とすることで、熱伝導性が高くなる。金属ベース板としてはアルミニウム、鉄、銅およびこれらの合金、もしくはこれらのクラッド材が熱伝導性の点で好ましい。また、金属箔としては、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、スズ、金、銀、モリブデン、チタニウム、ステンレス等が使用できる。
本発明の金属ベース回路用基板とは、本発明の回路用基板に含まれる、金属箔の所定の位置をエッチングレジストでマスキングした後、金属箔のエッチングを行い、その後エッチングレジストを除去して回路パターンを作製したものである。
本発明のエポキシ樹脂および硬化剤の数平均分子量は、以下の方法で評価した。試料10mgをテトラヒドロフラン10mlで0.1質量/体積%に希釈し、0.2μmのメンブランフィルターでろ過後,サイズ排除クロマトグラフ(SEC)にて測定を行った。装置は、東ソー社製「GPC−8020」を使用し、ポリスチレン換算値として評価した。使用カラムは「TSK Guard HZ−L+HZM−N 6.0×150mm×3」、流量は0.5ml/分、カラム温度は40℃、移動相はテトラヒドロフランを用いた。
窒化アルミニウムの平均粒子径は、島津製作所製「レーザー回折式粒度分布測定装置SALD−200」を用いて測定を行った。評価サンプルは、ガラスビーカーに50ccの純水と無機フィラーを5g添加して、スパチュラを用いて撹拌し、その後超音波洗浄機で10分間、分散処理を行った。分散処理を行った無機フィラーの分散積をスポイドで装置のサンプラ部に一滴ずつ添加して、吸光度が測定可能になるまで安定するのを待った。吸光度が安定になった時点で測定を行った。レーザー回折式粒度分布測定装置では、センサで検出した粒子による回折/散乱光の光強度分布のデータから粒度分布を計算した。平均粒子径は測定される粒子径の値に相対粒子量(差分%)を乗じて、相対粒子量の合計(100%)で割って求めた。
窒化アルミニウムの内部・表面酸素量比は以下の方法で評価した。まず、窒化アルミニウム0.5gをポリエチレン製遠沈管に採取し、アセトンで脱水処理し、遠心分離した。さらにアセトンで脱水処理からの操作を3回繰り返した。その後、残渣は遠沈管ごと真空デシケータに入れ、真空乾燥機で室温、5mmTorr、2時間で減圧乾燥した。その後、乾燥窒素ガスで大気圧に戻した後、速やかに窒化アルミニウム粉末をニッケルカプセルに封入した。そして、ニッケルカプセルごと酸素窒素同時分析装置(LECO社製TC−436型)で全酸素量を測定した。続いて、全酸素量を測定した窒化アルミニウムと同種類の評価サンプル0.5gをポリエチレン製遠沈管に採取し、0.4mol/Lの水酸化ナトリウム水溶液を加え混合した。試料表面の酸化物を溶解後、1000rpmで1分間、遠心分離して上澄みを捨てた。6mol/Lの塩酸水溶液で洗浄し、遠心分離を行った。 その後、アセトンでの脱水処理以降の操作を全酸素量測定時と同様に行い、酸素窒素同時分析装置(LECO社製TC−436型)で内部酸素量を測定した。表面酸素量は全酸素量と内部酸素量の差から求めた。つづいて、内部酸素量/表面酸素量を計算することで、内部・表面酸素量比を算出した。
酸化アルミニウムの球形度は、試料台上の導電性両面テープに固定した酸化アルミニウム粉末を、走査型電子顕微鏡、例えば「JSM−6010LA」(日本電子社製)にて撮影し、得られた粒子像を画像解析ソフトウェア、例えば「A像くん」(旭化成エンジニアリング社製)に取り込み、次のようにして測定することができる。写真から粒子の投影面積(A)と周囲長(PM)を測定する。周囲長(PM)に対応する真円の面積を(B)とすると、その粒子の真円度はA/Bとして表示できる。そこで、試料粒子の周囲長(PM)と同一の周囲長を持つ真円を想定すると、PM=2πr、B=πr2であるから、B=π×(PM/2π)2となり、個々の粒子の球形度は、球形度=A/B=A×4π/(PM)2として算出することができる。この際の画像の倍率は100倍、画像解析の画素数は1510万画素であった。このようにして得られた任意の粒子100個の球形度を求めその平均値を球形度とした。
(実施例1)
エポキシ樹脂組成物の製造には以下の原料を用いた。
(a)エポキシ樹脂:ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂、DIC社製、「EPICLON 850CRP」、数平均分子量345。
(b)硬化剤:本実施例の硬化剤は以下の手順で合成した。
温度計、滴下ロート、冷却管、撹拌器を取り付けた容器に窒素ガスを供給しながらサリチルアルデヒド115.9質量部、p−ヒドロキシベンズアルデヒド6.1質量部、フェノール1128質量部、p−トルエンスルホン酸1.2質量部を加え撹拌下で100℃まで昇温し、4時間反応させた。反応終了後、20質量%のリン酸二水素ナトリウム水溶液12質量部を加え中和し、更に水300質量部を加え水洗を行った。加熱減圧下でエバポレーターを用い油層から未反応のフェノールを留去することにより(b−1)トリフェニルメタンノボラック274部を得た。得られた(b−1)トリフェニルメタンノボラックの数平均分子量は304であった。
(c)硬化促進剤:2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール、四国化成工業社製「キュアゾールTBZ」
(A)窒化アルミニウム:デンカ社製、平均粒子径28μmの窒化アルミニウムを、電気炉にて825℃で13時間焼成し、表面酸素量と内部酸素量の質量比を2.0、酸素量合計0.7質量%としたものを使用した。
(B)酸化アルミニウム:住友化学社製、「AA2」、平均粒子径2.0μm、球形度0.85)
エポキシ樹脂組成物の流動性については、B型粘度計、(No.6ローター、4rpm)にて室温(25℃)の粘度を測定することで判断した。
熱伝導性、接着性、耐電圧、耐湿信頼性、耐熱性を評価する回路用基板は以下の手順で作製した。エポキシ樹脂組成物を厚さ2.0mmのアルミ板上に、厚さが125μmになるように塗布し、回路を形成する厚さ105μmの銅箔と重ね合わせた後、200℃12時間真空状態で熱プレスを行い、回路用基板を得た。
熱伝導性の評価は以下の手順で行った。得られた回路用基板を大きさ10mm×10mmに加工したのち、銅箔およびアルミベース板をエッチングして完全に除去し、試料となる絶縁層を得た。その後、絶縁層の熱拡散率、比重、比熱を全て乗じて算出した熱伝導率で判断し、7.0W/(m・K)以上を良好、それ未満を不良とした。絶縁層の熱拡散率は、レーザーフラッシュ法により求めた。
測定装置はキセノンフラッシュアナライザ(NETZSCH社製LFA447 NanoFlash)を用いた。比重はアルキメデス法を用いて求めた。比熱は、示差走査熱量計(ティー・エイ・インスツルメント社製、「Q2000」)を用い、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分で室温〜400℃まで昇温させて求めた。
接着性は、以下の手順にて、得られた回路用基板の銅箔と絶縁層間のピール強度で評価した。得られた回路用基板の銅箔の所定の位置をエッチングレジストでマスキングした後、エッチングレジストを除去して10mm×100mmの銅箔パターンを持つ金属ベース回路基板を作製、JIS C 6481に規定された方法に従い、23±2℃、相対湿度50%の条件で銅箔とエポキシ樹脂絶縁層とのピール強度を測定した。なお、測定は5回繰り返し、その算術平均値をピール強度とし、9.8N/cm以上を良好、それ未満を不良とした。
耐電圧は、以下の手順にて評価した。得られた回路用基板の銅箔の所定の位置をエッチングレジストでマスキングした後、エッチングレジストを除去して金属ベース板回路基板を形成した。得られた金属ベース板回路基板を用い、JIS C 2110に規定された方法に従い、耐電圧を測定し、32.0kV/mm以上で良好、それ未満で不良とした。結果は表3の“初期”の欄に示した。また、金属ベース回路基板を形成した後、表面温度260℃のホットプレート上で10分間加熱処理した後、JIS C 2110に規定された方法に従い測定した場合(260℃10分)、及び金属ベース回路基板を形成した後、121℃100湿度%2気圧の環境下で24時間加熱加湿処理をした後、JIS C 2110に規定された方法に従い測定した場合(PCT24時間)の結果も表3に示した。
本発明での耐湿信頼性は、以下の手順にて評価した。回路用基板の銅箔の所定の位置をエッチングレジストでマスキングした後、エッチングレジストを除去して金属ベース板回路基板を形成した。得られた金属ベース板回路基板を85℃85湿度%環境下で、銅箔-金属ベース板間に直流500Vの電圧を印加し続け、3000時間以内に絶縁破壊を起こさなかった例を良好、絶縁破壊を起こした例を不良とした。
金属ベース回路基板は、夏の車内など温度が大幅に上がる環境においてもその機能を発揮し続ける必要がある。そのためには、金属ベース回路基板、特に絶縁層の物性が大幅に変化しないことが重要である。絶縁層の温度依存物性としては、ガラス転移点が代表的である。絶縁層のガラス転移点を超える温度条件では、絶縁層がゴム状態となり、接着性・耐電圧特性、耐湿信頼性に影響が出る場合がある。よって、本発明では耐熱性を判断する指標として、エポキシ樹脂組成物のガラス転移点の測定を行った。
本発明での耐熱性は、以下の手順にて評価した。得られた回路用基板の銅箔およびアルミ板をエッチングして完全に取り除き、得られた絶縁層をセイコー電子産業社製、動的粘弾性測定装置DMS210により、昇温速度毎分10℃の条件で大気雰囲気中にて測定し、得られたtanδのピーク温度をガラス転移点として読みとった。ガラス転移点150℃以上を良好、150℃未満を不良とした。
エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製、「EXA840」、数平均分子量374)をエポキシ樹脂組成物に対し、6.9質量%を配合し、硬化剤として実施例1と同種の硬化剤を3.6質量%配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
本実施例の硬化剤は以下の手順で合成した。
温度計、滴下ロート、冷却管、撹拌器を取り付けた容器に窒素ガスを供給しながらサリチルアルデヒド102.7質量部、p−ヒドロキシベンズアルデヒド19.3質量部、フェノール1128質量部、p−トルエンスルホン酸1.2部を加え撹拌下で100℃まで昇温し、5.5時間反応させた。反応終了後、20質量%のリン酸二水素ナトリウム水溶液12質量部を加え中和し、更に水300質量部を加え水洗を行った。加熱減圧下でエバポレーターを用い油層から未反応のフェノールを留去することにより(b−2)トリフェニルメタンノボラック274質量部を得た。得られた(b−2)トリフェニルメタンノボラックの数平均分子量は388であった。エポキシ樹脂として、実施例1と同種のエポキシ樹脂を6.2質量%配合し、硬化剤として、(b−2)トリフェニルメタンノボラック4.4質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン、東京化成工業社製、「トリフェニルホスフィン」を0.5当量配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
硬化促進剤として、2,3ージヒドロー1H―ピロロ〔1,2―a〕ベンズイミダゾール(四国化成工業社製「キュアゾールTBZ」)0.3当量と、トリフェニルホスフィン(東京化成工業社製、「トリフェニルホスフィン」)を0.1当量配合した以外は実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
窒化アルミニウムとしてデンカ社製、平均粒子径18μmの窒化アルミニウムを、電気炉にて825℃で8時間焼成し、表面酸素量と内部酸素量の質量比を2.0、酸素量合計0.7質量%としたものを、エポキシ樹脂組成物に対し、53.7質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
窒化アルミニウムとしてデンカ社製、平均粒子径38μmの窒化アルミニウムを、電気炉にて825℃で16時間焼成し、表面酸素量と内部酸素量の質量比を2.0、酸素量合計0.7質量%としたものを、エポキシ樹脂組成物に対し、53.7質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
酸化アルミニウムとしてアドマテックス社製、「AO−502」、平均粒子径0.7μm、球径度0.81)をエポキシ樹脂組成物に対し、35.8質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
酸化アルミニウムとして住友化学社製、「AA05」、平均粒子径0.5μm、球径度0.87)をエポキシ樹脂組成物に対し、35.8質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
酸化アルミニウムとして住友化学社製、「AA3」、平均粒子径3.2μm、球径度0.83)をエポキシ樹脂組成物に対し、35.8質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂組成物中、エポキシ樹脂6.9質量%、硬化剤3.8質量%、窒化アルミニウム62.5質量%、酸化アルミニウム26.8質量%をとなるように配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂組成物中、エポキシ樹脂6.7質量%、硬化剤3.7質量%、窒化アルミニウム44.8質量%、酸化アルミニウム44.8質量%となるように配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
窒化アルミニウムとして、デンカ社製、平均粒子径27μmの窒化アルミニウムを、電気炉にて865℃で13時間焼成し、表面酸素量と内部酸素量の質量比を1.2、酸素量合計0.9質量%としたものを、エポキシ樹脂組成物に対し53.7質量%配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
窒化アルミニウムとして、デンカ社製、平均粒子径27μmの窒化アルミニウムを、電気炉にて795℃で13時間焼成し、表面酸素量と内部酸素量の質量比を2.8、酸素量合計0.6質量%としたものを、エポキシ樹脂組成物に対し53.7質量%配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂として、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC社製、「EXA830CRP」、数平均分子量318)をエポキシ樹脂組成物に対し6.6質量%を配合し、硬化剤として、実施例1と同種の硬化剤を3.9質量%配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製、「EXA860」、数平均分子量474)をエポキシ樹脂組成物に対し7.5質量%を配合し、硬化剤として、実施例1と同種の硬化剤を3.0質量%配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
エポキシ樹脂として、実施例1と同種のエポキシ樹脂を6.7質量%配合し、硬化剤として、フェノールノボラック(明和化成社製、「TD−2131」)をエポキシ樹脂組成物に対し3.8質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
本実施例の硬化剤は以下の手順で合成した。
温度計、滴下ロート、冷却管、撹拌器を取り付けた容器に窒素ガスを供給しながらサリチルアルデヒド89.5質量部、p−ヒドロキシベンズアルデヒド32.5質量部、フェノール1128質量部、p−トルエンスルホン酸1.2質量部を加え撹拌下で100℃まで昇温し、7時間反応させた。反応終了後、20質量%のリン酸二水素ナトリウム水溶液12質量部を加え中和し、更に水300質量部を加え水洗を行った。
加熱減圧下でエバポレーターを用い油層から未反応のフェノールを留去することにより(b−3)トリフェニルメタンノボラック274質量部を得た。得られた(b−3)トリフェニルメタンノボラックの数平均分子量は476であった。エポキシ樹脂として、実施例1と同種のエポキシ樹脂を5.6質量%配合し、(b−3)トリフェニルメタンノボラック4.9質量%を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
硬化促進剤として、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成社製、「2PHZ−PW」)をエポキシ樹脂組成物に対し0.5当量を配合した以外は、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を作製した。
Claims (6)
- エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と無機フィラーとを含むエポキシ樹脂組成物であって、
(a)エポキシ樹脂が以下の式(1)で表され、数平均分子量が380以下であるビスフェノールA型エポキシ樹脂のみであり、(b)硬化剤が以下の式(2)で表され、数平均分子量が400以下であるトリフェニルメタンノボラック、(c)硬化促進剤が以下の式(3)で表される2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ〔1,2−a〕ベンズイミダゾール、であるエポキシ樹脂組成物。
- さらに硬化促進剤として、式(4)で表されるトリフェニルホスフィンを含む請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。
- 無機フィラーが、平均粒子径が15〜40μmである窒化アルミニウム(A)と、球形度が0.8以上且つ平均粒子径が0.5〜5.0μmである酸化アルミニウム(B)であり、(A)と(B)の割合が体積比で(A)/(B)=75/25〜55/45である請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 窒化アルミニウムが、表面酸素量と内部酸素量の質量比(内部酸素量/表面酸素量の質量比)が1.0〜3.0であり、内部酸素量と表面酸素量の合計が1.0質量%以下である請求項3に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 金属ベース板上に、請求項1〜4のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物からなる絶縁層を設け、前記絶縁層上に金属箔を設けてなる回路用基板。
- 金属ベース板上に、請求項1〜4のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物からなる絶縁層を設け、前記絶縁層上に金属箔を設け、さらに、前記金属箔を加工して回路を形成してなる金属ベース板回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016035529A JP6693766B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | エポキシ樹脂組成物、それを用いた金属ベース板回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016035529A JP6693766B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | エポキシ樹脂組成物、それを用いた金属ベース板回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017149889A JP2017149889A (ja) | 2017-08-31 |
JP6693766B2 true JP6693766B2 (ja) | 2020-05-13 |
Family
ID=59738964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016035529A Active JP6693766B2 (ja) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | エポキシ樹脂組成物、それを用いた金属ベース板回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6693766B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114940807B (zh) * | 2022-05-12 | 2024-01-16 | 郯城博化化工科技有限公司 | 一种改性氧化锌和硫醇协同增韧的高抗冲击性环氧树脂复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5734122A (en) * | 1980-08-11 | 1982-02-24 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | Thermosetting resin composition |
JPH0273818A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | ポリフエノールの製造法 |
JPH0776649A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-03-20 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 難燃性樹脂組成物 |
JPH1192624A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-06 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
JP3751271B2 (ja) * | 2002-08-15 | 2006-03-01 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板用樹脂組成物とそれを用いた金属ベース回路基板 |
JP2005089641A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 硬化性複合材料とそれを用いた回路基板 |
JP4664229B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2011-04-06 | 電気化学工業株式会社 | 窒化アルミニウム粉末および樹脂組成物 |
JP5397578B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2014-01-22 | 宇部興産株式会社 | 耐熱性液状フェノールノボラック樹脂、その製造方法ならびにその硬化物 |
EP2398048A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-21 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor protection film-forming film with dicing sheet, method for manufacturing semiconductor device using same, and semiconductor device |
JP2010229203A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Ube Ind Ltd | フェノール樹脂組成物、該樹脂組成物の製造方法及び該樹脂組成物を含むエポキシ樹脂組成物 |
EP2284004A1 (en) * | 2009-08-13 | 2011-02-16 | Nan Ya Plastics Corp. | Electric circuit board composition and a method of preparing circuit board |
KR101337247B1 (ko) * | 2011-03-02 | 2013-12-06 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 봉지된 반도체 장치 |
JP2013245309A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂シート、金属ベース回路基板、bステージエポキシ樹脂シートの製造方法 |
JP6081751B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2017-02-15 | 三菱化学株式会社 | 高熱伝導性樹脂組成物 |
JP6379500B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-08-29 | 三菱ケミカル株式会社 | エポキシ化合物、エポキシ化合物含有組成物、硬化物及び半導体封止材 |
JP6316610B2 (ja) * | 2014-02-05 | 2018-04-25 | デンカ株式会社 | 混成集積回路基板の製造方法およびそれを用いた混成集積回路基板 |
JP6437203B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2018-12-12 | 日立化成株式会社 | 希土類ボンド磁石用コンパウンド、希土類ボンド磁石及び希土類ボンド磁石の製造方法 |
JP2015209381A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | シアン酸エステル化合物、該化合物を含む硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
JP6572643B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2019-09-11 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性シート、熱伝導性シートの硬化物および半導体装置 |
CN105704911B (zh) * | 2016-03-13 | 2018-07-06 | 浙江展邦电子科技有限公司 | 一种高导热铝基线路板的制造方法 |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016035529A patent/JP6693766B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017149889A (ja) | 2017-08-31 |
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