JP6692682B2 - 面発光レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図3(a)は、複数のレーザ素子12Aを含むレーザアレイ12が形成された半導体基板SBの断面図である。本工程においては、半導体基板SB上に第2の反射鏡ML2、半導体構造層SCL(第2の半導体層SC2、活性層AC及び第1の半導体層SC1)、電流狭窄層CC、第1の反射鏡ML1並びに各電極(図2(a)も併せて参照)を形成する。
図3(b)は、共通端子14、個別端子15及び配線電極16が形成された搭載基板11を示す断面図である。本工程では、搭載基板11を準備し、搭載基板11上に共通端子14、個別端子15及び配線電極16を形成する。本実施例においては、搭載基板11上に、金属層を形成することで、共通端子14、個別端子15及び配線電極16を形成した。
図3(c)は、複数の波長変換板13A及び側板13Bを含む波長変換体13の断面図である。本工程では、複数の蛍光体板PLを形成し、蛍光体板PL上に開口部RPを有する光反射膜RFを形成した後、蛍光体板PLを互いに接合する。これによって、波長変換体13を形成する。当該工程については図4(a)〜(d)を用いて後述する。
図3(d)は、レーザアレイ12及び波長変換体13が接合された搭載基板11を示す断面図である。本工程では、搭載基板11にレーザアレイ12及び波長変換体13を接合し、レーザ装置10を形成する。具体的には、まず、レーザアレイ12及び波長変換体13上に接合金属層BD(図2(a)参照)を形成してこれらを互いに接合する(当該接合工程については図4(e)を用いて後述する)。続いて、パッド電極PE(図2(a)参照)を配線電極16に、また接続電極E2を共通端子14に接触させ、これらの加熱及び圧着を行う。これによって、搭載基板11にレーザアレイ12及び波長変換体13を搭載する。
図4(a)〜(d)は、波長変換体13を形成する工程の詳細工程を模式的に示す断面図である。まず、図4(a)に示すように、伸縮性シートST上に蛍光体板PLとなる蛍光体含有プレートPPを固定する(例えば貼り付ける)。次に、蛍光体含有プレートPP上にパターニングされたマスクMKを形成する。マスクMKは、蛍光体含有プレートPPに対して一括で形成し、開口部RPに対応する位置及び形状でパターニングを行った。次に、蛍光体含有プレートPPを分割し、複数の蛍光体板PLを形成する。例えば、カッターCUを用いて蛍光体含有プレートPPにダイシング加工やスクライブ加工を行う。
図4(e)は、上記した搭載基板11へのレーザアレイ12及び波長変換体13の搭載工程においてレーザアレイ12及び波長変換体13を接合した直後の状態を示す断面図である。本工程においては、蛍光体板PLの各々上にレーザ素子12Aを接合する。本実施例においては、図4(d)に示すマスクMK上の光反射膜RFを除去した後、光反射膜RF上にレーザアレイ12を接合することで、レーザアレイ12及び波長変換体13(波長変換板13A)を互いに接合した。
12 面発光レーザアレイ
12A 面発光レーザ素子
13 波長変換体
13A、23A1、23A2 波長変換板
PL 蛍光体板
RF、RF1、RF2 光反射膜
Claims (8)
- 搭載基板と、
前記搭載基板上に並置された複数の面発光レーザ素子を含む面発光レーザアレイと、
前記複数の面発光レーザ素子のそれぞれ上に形成され、各々が、底面及び側面を有する蛍光体板と、前記蛍光体板の前記底面及び側面を覆いかつ前記底面上に開口部を有する光反射膜とを有する複数の波長変換板と、を有し、
前記複数の波長変換板に隣接する波長変換板は、前記蛍光体板の前記側面上の前記光反射膜を介して互いに接触していることを特徴とする面発光レーザ装置。 - 前記光反射膜は、前記蛍光体板上に形成された反射金属膜と、前記反射金属膜上に形成された保護金属膜と、を有し、
前記面発光レーザ素子及び前記波長変換板は、前記保護金属膜を介して互いに接合されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ装置。 - 前記複数の波長変換板は、前記光反射膜が互いに異なる開口径の前記開口部を有するように構成されていることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1つに記載の面発光レーザ装置。
- 前記面発光レーザアレイは、前記複数の面発光レーザ素子がマトリクス状に配置された構造を有し、
前記複数の波長変換板のうち、中央部の波長変換板における前記光反射膜の前記開口部は、外周部の波長変換板における前記光反射膜の前記開口部よりも小さいことを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ装置。 - 前記面発光レーザアレイは、
前記面発光レーザ素子の各々に共通の半導体構造層と、
前記半導体構造層を挟んで互いに対向する第1及び第2の多層膜反射鏡と、
前記第1の反射鏡と前記半導体構造層との間に形成され、前記面発光レーザ素子の各々に対応する電流狭窄部を有する電流狭窄層と、を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の面発光レーザ装置。 - 前記電流狭窄層は、前記電流狭窄部として開口部を有する絶縁層であり、
前記絶縁層の前記開口部は、前記光反射膜の前記開口部と同軸に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の面発光レーザ装置。 - 前記光反射膜の前記開口部は、前記絶縁層の前記開口部以上の開口径を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の面発光レーザ装置。
- 伸縮性シート上に蛍光体含有プレートを固定する工程と、
前記蛍光体含有プレート上にパターニングされたマスクを形成する工程と、
前記蛍光体含有プレートを分割して複数の蛍光体板を形成する工程と、
前記伸縮性シートを伸張させ、前記複数の蛍光体板の側面及び上面上並びに前記マスク上に光反射膜を形成する工程と、
前記伸縮性シートを圧縮し、前記側面上の前記光反射膜を介して前記複数の蛍光体板を互いに接合する工程と、
前記マスクを除去する工程と、
前記複数の蛍光体板の各々上に面発光レーザ素子を接合する工程と、を含むことを特徴とする面発光レーザ装置の製造方法。
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