JP6681890B2 - プラズマベース光源におけるデブリからの光学素子保護のための装置および方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2014年11月1日にYe Liuらによって出願された、タイトル「Method and Apparatus to Protect Internal Optics for LPP EUV Source」の米国特許仮出願第62/074,001号の優先権を主張するものであり、同出願は、あらゆる目的においてその全体を参照することにより本明細書に組み込まれる。
例えば、図15に示すように、検査システム1500は、上記のような照射源システム100等のデブリ保護照射源システムを組み込んだ照射源システム1502を含んでもよい。検査システム 1500はさらに、半導体ウェハまたはマスク等の少なくとも1つのサンプル1504を支持するように構成されたステージ1506を含んでもよい。照射源1500は、1つの照射経路を介してサンプル1504を照射するように構成されてもよく、また、サンプル1504から反射、散乱、または放射された照射は、任意の適切な集光光学素子によってイメージング経路に沿って、少なくとも1つの検出器1510(例えばカメラまたはフォトセンサアレイ)に向けられてもよい。検出器1510に通信可能に結合されたコンピューティングシステム1512は、検出された照射信号に関連する信号を処理して、非一時的キャリア媒体1514からの、コンピューティングシステム1512のプロセッサによって実行可能なプログラム命令1516内に埋め込まれた検査アルゴリズムに従ってサンプル1504の1つ以上の欠陥の種々の属性を特定および/または測定するように構成され得る。
Claims (19)
- 放射線を生成するためのプラズマベース照射装置であって、
ターゲット材が配置された真空チャンバと、
前記真空チャンバの壁内に設けられた入射窓と、
照射放射線を生成するように前記真空チャンバ内でプラズマを生成するために前記入射窓を通過して前記真空チャンバ内の前記ターゲット材に集束される少なくとも1つの励起源を生成する照射源システムと、
生成された照射放射線を収集してサンプルのほうに向けるコレクタシステムと、
前記入射窓の周囲に配置され、ガスを前記入射窓から遠ざけるように、デブリが前記入射窓に達することを防止するような速度でプラズマの方向に流し、その結果、前記入射窓の保護領域で平均したペクレ数が2以上となる複数のノズルに流体的に結合されたマニホールドを備えるデブリ保護システムと、
各ノズルの下流に位置決めされ、各ノズルの出口においてガスの凝縮を防止するバッフルと、
を備え、
前記デブリ保護システムは、さらに、ガス源またはガス注入口を備え、前記マニホールドは、全ノズルを合わせたよりも高いガスコンダクタンスを有する、
プラズマベース照射装置。 - 請求項1に記載の装置であって、生成された放射線は、13.5nm以下の極端紫外線(EUV) 波長範囲を有し、前記ガスはEUV光を透過させることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記入射窓は、ターゲット材から0.1から2.5メートルのところに位置決めされていることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記ノズルの複数の開口部によって占有される領域は、前記入射窓の表面積よりも小さいことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記ガスの流量は、20標準リットル毎分(slm)未満であることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、ガスは、Ar、H2、He、Br2、HBrまたはN2のうち1以上を含むことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、各ノズルは円形の孔を有し、前記複数のノズルは均一なガス流、平坦なガスカーテン、または環状のジェットを生成するように配置されることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記デブリ保護システムは、前記入射窓に隣接し、ガスをプラズマに向けるコーン形状のガス指向構造を含むことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記入射窓の正面に位置決めされたペリクルをさらに含むことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記デブリ保護システムは、その中に前記ノズルが形成されたコーン形状のガス指向構造を含み、前記ガス指向構造からのガスの流れの角度を均一にする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記入射窓とデブリの源の間に位置決めされたペリクルを含み、前記ペリクルおよび/または入射窓はサファイア材料から構成されることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記マニホールドは、各ノズルに流体的に結合された第1ガスリザーバと、各ノズルと前記真空チャンバの間に流体的に結合された中間ステージを含み、各ノズル用の前記中間ステージは、各ノズルの直径より大きく且つ前記真空チャンバの直径より小さい直径を有することを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、各ノズルの出口においてガスの凝縮を防止するために各ノズルの温度を上昇させるための加熱システムをさらに含むことを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記ノズルは前記入射窓の全周縁に均等に分布していることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記ノズルは所定レベルの光学素子保護を提供しガス凝縮を回避するための数値流体力学シミュレーションによって選択される個数および/またはサイズおよび/または温度を有することを特徴とする装置。
- フォトリソグラフィックレチクルまたはウェハを欠陥に関して検査するための検査システムであって、サンプルはウェハまたはレチクルであり、
請求項1に記載の、照射ビームを生成する装置と、
照射放射線をレチクルまたはウェハに向けるためのイメージング光学素子と、
照射放射線が前記レチクルまたはウェハに向けられたことに応答してレチクルまたはサンプルから検出された信号または画像を受け取る検出器と、
検出された信号または画像を分析してそれによりレチクルまたはウェハ上の欠陥を検出するように構成されたプロセッサおよびメモリと、
を備えたシステム。 - レチクルからウェハにパターンを転写するフォトリソグラフィーシステムであって、
照射ビームを生成する、請求項1に記載の装置と、
照射放射線を、レチクルを介してウェハに向けるためのイメージング光学素子
を備えたシステム。 - 請求項1に記載の装置であって、前記デブリ保護システムはさらに、複数のノズルから出るガスを、前記入射窓から遠ざけるように、デブリが前記入射窓に達することを防止するような速度で前記プラズマのほうに流し、その結果、前記入射窓の保護領域で平均したペクレ数が4以上となるように構成されることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、さらに、コレクタ素子、計測窓、または鏡である光学素子を含み、前記デブリ保護システムは、さらに、ガスを前記光学素子から遠ざけるように流す第2の複数のノズルを含むことを特徴とする装置。
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CN117202469A (zh) * | 2017-01-06 | 2023-12-08 | Asml荷兰有限公司 | 引导装置和相关联的系统 |
US11317500B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Bright and clean x-ray source for x-ray based metrology |
US10880981B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Collector pellicle |
US10895541B2 (en) | 2018-01-06 | 2021-01-19 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for combined x-ray reflectometry and photoelectron spectroscopy |
US10959318B2 (en) * | 2018-01-10 | 2021-03-23 | Kla-Tencor Corporation | X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator |
JP7118674B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2022-08-16 | キヤノン株式会社 | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
KR102576703B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2023-09-08 | 삼성전자주식회사 | 파편 차단 조립체를 구비한 광 발생 장치 및 포토리소그래피 장치와 이를 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법 |
US11460418B2 (en) | 2019-08-26 | 2022-10-04 | Kla Corporation | Methods and systems for semiconductor metrology based on wavelength resolved soft X-ray reflectometry |
US11272607B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-03-08 | Kla Corporation | Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target |
US11259394B2 (en) | 2019-11-01 | 2022-02-22 | Kla Corporation | Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target |
EP4081863A1 (en) * | 2019-12-23 | 2022-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Collector flow ring |
US11698251B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-07-11 | Kla Corporation | Methods and systems for overlay measurement based on soft X-ray Scatterometry |
RU2752778C1 (ru) * | 2020-08-06 | 2021-08-03 | Общество с ограниченной ответственностью "РнД-ИСАН" | Плазменный источник света с лазерной накачкой и способ генерации излучения |
US20220382046A1 (en) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | Kla Corporation | Counterflow gas nozzle for contamination mitigation in extreme ultraviolet inspection systems |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3669831A (en) | 1970-08-13 | 1972-06-13 | Joseph H Dupasquier | Discharging nozzle assembly for producing equalized distribution of pressurized fluid in an elongated drying chamber |
US3714864A (en) * | 1971-03-03 | 1973-02-06 | Us Army | Muzzle attachment for reducing the recoil and blast effect of guns |
US5011286A (en) | 1989-08-03 | 1991-04-30 | Met One, Inc. | Multisensor particle counter utilizing a single energy source |
JP2001113163A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Hoya Schott Kk | 紫外光照射装置及び方法 |
US6486478B1 (en) * | 1999-12-06 | 2002-11-26 | Epion Corporation | Gas cluster ion beam smoother apparatus |
WO2001075188A2 (en) | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for gas injection |
US7491954B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
US6832827B2 (en) * | 2001-12-26 | 2004-12-21 | Spectra, Inc. | Cleaning nozzle |
US7355191B2 (en) | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
US7109503B1 (en) | 2005-02-25 | 2006-09-19 | Cymer, Inc. | Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris |
US7402825B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-07-22 | Cymer, Inc. | LPP EUV drive laser input system |
DE102005048670B3 (de) | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Unterdrückung von unerwünschten Spektralanteilen bei einer plasmabasierten EUV-Strahlungsquelle |
US7367138B2 (en) | 2005-10-11 | 2008-05-06 | Nikon Corporation | Devices and methods for thermophoretic and electrophoretic reduction of particulate contamination of lithographic reticles |
US7453077B2 (en) | 2005-11-05 | 2008-11-18 | Cymer, Inc. | EUV light source |
JP5098019B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-12-12 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
DE102007023444B4 (de) | 2007-05-16 | 2009-04-09 | Xtreme Technologies Gmbh | Einrichtung zur Erzeugung eines Gasvorhangs für plasmabasierte EUV-Strahlungsquellen |
JP5191541B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-05-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外線を生成するモジュールおよび方法、並びにリソグラフィ投影装置 |
NL1035846A1 (nl) * | 2007-08-23 | 2009-02-24 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
US7655925B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
US8115900B2 (en) * | 2007-09-17 | 2012-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20090218521A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-09-03 | Nikon Corporation | Gaseous neutral density filters and related methods |
US8519366B2 (en) | 2008-08-06 | 2013-08-27 | Cymer, Inc. | Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source |
NL2003310A1 (nl) * | 2008-08-14 | 2010-02-16 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
WO2011110383A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8945605B2 (en) * | 2011-06-07 | 2015-02-03 | Parion Sciences, Inc. | Aerosol delivery systems, compositions and methods |
US9268031B2 (en) | 2012-04-09 | 2016-02-23 | Kla-Tencor Corporation | Advanced debris mitigation of EUV light source |
JP6151525B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2017-06-21 | ギガフォトン株式会社 | ガスロック装置及び極端紫外光生成装置 |
US9989758B2 (en) * | 2013-04-10 | 2018-06-05 | Kla-Tencor Corporation | Debris protection system for reflective optic utilizing gas flow |
-
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