TWI664878B - 用於電漿產生之裝置及遠紫外線(euv)光源 - Google Patents

用於電漿產生之裝置及遠紫外線(euv)光源 Download PDF

Info

Publication number
TWI664878B
TWI664878B TW104142343A TW104142343A TWI664878B TW I664878 B TWI664878 B TW I664878B TW 104142343 A TW104142343 A TW 104142343A TW 104142343 A TW104142343 A TW 104142343A TW I664878 B TWI664878 B TW I664878B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
plasma
gas
target material
flow
euv
Prior art date
Application number
TW104142343A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201630477A (zh
Inventor
亞歷克西 克里西恩
亞歷山德爾 畢卡諾維
麥可 卡諾弗
歐雷格 可哈達金
Original Assignee
美商克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商克萊譚克公司 filed Critical 美商克萊譚克公司
Publication of TW201630477A publication Critical patent/TW201630477A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI664878B publication Critical patent/TWI664878B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Abstract

本發明係針對基於電漿之光源。本發明描述用於保護該光源之組件免於電漿產生之碎屑的系統及方法，該等碎屑可包含目標材料氣體、原子蒸氣、高能量離子、中性粒子、微顆粒及污染物。特定實施例包含用於減少電漿產生之離子及中性粒子對光源組件之負面效應且同時減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光衰減的配置。

Description

用於電漿產生之裝置及遠紫外線(EUV)光源 [優先權利]
本申請案依據35 U.S.C 119(e)主張Alexey Kuritsyn等人於2014年12月16日申請之名稱為「Gas Management System for an EUV Light Source」之美國臨時專利申請案序列號第62/092,684號之優先權利。上文引用的臨時專利申請案全文特此以引用的方式併入本文中。
本發明大體上係關於用於產生在真空紫外線(VUV)範圍(即，具有約100nm至200nm之一波長之光)、遠紫外線(EUV)範圍(即，具有10nm至124nm之範圍中之一波長之光且包含具有13.5nm之一波長之光)及/或軟性X射線範圍(即，具有約0.1nm至10nm之一波長之光)中之光之基於電漿之光源。本文所描述之一些實施例係尤其適於在計量學及/或遮罩檢驗活動(例如，光化遮罩檢驗)中使用之高亮度光源。更一般而言，本文所描述之基於電漿之光源亦可用作(直接或具有適當修改)為所謂用於圖案化晶片之大批量製造(HVM)光源。
基於電漿之光源(諸如雷射產生電漿(LPP)源及放電產生電漿(DPP)源)係經常用以產生用於諸如缺陷檢驗、光微影或計量學之應用之軟性X射線、遠紫外線(EUV)、及/或真空紫外線(VUV)光。概述而言，在此等電漿光源中，具有期望波長之光係藉由由具有一適當的發射線或發射譜帶之元素(諸如氙、錫、鋰或其他)之一目標材料形成之 電漿發射。例如，在一LPP源中，一目標材料係藉由一激發源(諸如一雷射光束)照射，以產生電漿，且在一DPP系統中，一目標材料係藉由一放電(例如，使用電極)激發，以產生電漿。
對於此等源，發源於該電漿之光係經常經由一反射光學元件(諸如一集光器光學元件(例如，一近法線入射或掠入射鏡)收集。該集光器光學元件引導，且在一些情況下聚焦所收集之光沿一光學路徑至一中間位置(其中光係接著藉由一下游工具(諸如一微影工具(即，步進器/掃描器)、一計量學工具或一遮罩/薄膜檢驗工具使用)。
在基於電漿之照明系統之操作期間，碎屑(諸如目標材料氣體、原子蒸氣、高能量離子、中性粒子、微顆粒及/或污染物(例如，烴或有機物))可自各種源(包含，但不限於，目標材料、電漿位點、面向電漿之組件、目標材料或電漿附近之侵蝕表面、一目標形成結構、及/或一基於電漿之光源內之任何其他組件)發射。此等碎屑有時可到達該反射光學元件，或其他組件(諸如一雷射輸入窗或診斷濾波器/偵測器/光學元件)，且使該等組件之效能降級及/或引起不可修復的損壞。此外，藉由電漿發射之高能量離子、中性粒子及其他微顆粒可侵蝕/濺鍍光源組件，從而產生可干擾光源之有效操作之另外碎屑。
除損壞光源組件外，電漿產生的碎屑，且尤其係氣體/原子蒸氣可不期望地衰減藉由電漿發射之光。例如，對於一遠紫外線(EUV)源(其中氙用作為一目標材料)，一緩衝氣體之引入(例如，用於離子停止或光源溫度控制)可導致歸因於氙氣之遠紫外線(EUV)傳輸中的明顯損耗，氙氣大幅吸收遠紫外線(EUV)光，且與該緩衝氣體混合。就更量化而言，在室溫下透過1Torr*cm(壓力*距離)氙氣之13.5nm遠紫外線(EUV)光之光傳輸係~44%，而透過1Torr*cm氬之13.5nm遠紫外線(EUV)光之光傳輸係~96%。
已建議使用線圈以藉由使用磁場偏轉帶電顆粒來保護一反射光 學元件。然而，產生磁場之線圈需要明顯的設計複雜性，係昂貴的，且僅係能夠偏轉離子。因此，在停止中性粒子(及中性顆粒)方面磁場之用途係無效的，當離子經受與一緩衝氣體之電荷交換時經常產生中性粒子(及中性顆粒)。
故而留意上文，申請人揭示一種基於電漿之光源及對應使用方法。
在一第一態樣中，揭示一種裝置，其具有一系統，該系統自一腔室中之一電漿位點處之一目標材料產生電漿，該電漿產生沿一光學路徑朝向一中間位置行進之輻射，且產生目標材料氣體及脫離該電漿之離子。該裝置亦包含：一組件，其與該位點隔開一最接近距離d；及一流動氣體，其安置於該電漿與該組件之間，該氣體在該距離d上建立足以在該等離子到達該組件之前將離子能量減少至低於100eV之一平均氣體壓力P。另外，對於此態樣，該裝置包含：至少一出口，其經組態以接收流動自一流體耦合氣體源之緩衝氣體；及至少一泵，其將氣體自該腔室移除，該泵與該出口協作以減少沿該光學路徑自該電漿至該中間位置之目標材料氣體濃度。
在此態樣之一實施例中，該組件係將遠紫外線(EUV)輻射自該電漿位點反射至該中間位置之一近法線入射鏡。
在一特定實施例中，該裝置可包含一流引導結構(諸如一管狀流導引件)及/或定位於該近法線入射鏡與該電漿位點之間的一或多個葉片以(例如)在一選定流動方向上引導來自該至少一出口之流。
對於此態樣，該組件可係一鏡、雷射輸入窗、診斷濾波器、偵測器或光學元件、一葉片、引導來自該集光器光學元件之流的一管狀流導引件、引導在該中間位置或可被離子/中性粒子損壞或被離子/中性粒子濺鍍以產生不需要的碎屑之任何其他組件處之流的一流導引 件。
該裝置可用以產生VUV、EUV、及/或軟性X射線輻射。
在一實施方案中，緩衝氣體具有比目標材料氣體(例如，氙氣)更高之一遠紫外線(EUV)傳輸。例如，緩衝氣體可係氫、氦、HBr、氬、氮及其組合。
對於此態樣，該系統可係具有照射目標材料之一驅動雷射的一雷射產生電漿(LPP)系統或一放電產生電漿(DPP)系統。當採用一LPP系統時，該系統可照射一目標材料噴流或串流、目標材料小滴、小丸或塗佈於一可旋轉圓柱形對稱元件之一表面上的目標材料。
在此態樣之一實施例中，該至少一出口經組態以使緩衝氣體以一受控制流速朝向電漿主動地流動。
在一特定實施例中，該至少一出口與該泵協作以產生該組件與該電漿位點之間的一橫向定向流動以將目標材料碎屑推出該光學路徑。
在一些實施方案中，該裝置可進一步包含位於該中間位置處之一流導引件，其中該至少一出口將緩衝氣體引導至該流導引件中以減少來自該光學路徑之目標材料氣體之該濃度。例如，該流導引件可係管狀的，且在一些情況下可係圓錐形的。在一些設定中，(例如)當使用塗佈於一可旋轉圓錐形對稱元件之一表面上之一目標材料時，該流導引件可經設定大小且定位於電漿位點線外。藉由此配置，來自電漿之快速離子無法直接到達(即，在自電漿之一直線路徑上)該流導引件。
在另一態樣中，本文揭示一種裝置，其包含：一系統，該系統自一腔室中之一電漿位點處之一目標材料產生電漿，該電漿產生輻射及脫離該電漿之離子；及一組件，其與該電漿位點隔開一最接近距離d。對於此態樣，該裝置亦包含：至少一出口，其經組態以將一緩衝 氣體引入至該腔室中；及至少一泵總成，其將氣體自該腔室移除。同樣對於此態樣，該泵總成具有一泵及定位於該泵之上游的一傳導控制孔隙板。藉由此配置，該泵總成可與該至少一出口協作以在該電漿與該組件之間建立在該距離d上具有足以在該等離子到達該組件之前將離子能量減少至低於100eV之一平均氣體壓力P之一流動氣體。
藉由此配置，該傳導控制孔隙板經操作以在該泵入口處建立小於電漿與組件之間的腔室中之壓力P之一壓力p(即，p<P)。例如，該泵入口處之一壓力p可經建立以容許有效的泵操作。
在一特定實施例中，一擋板可定位於該傳導控制板與該泵之間。該擋板可經定位以減少藉由該傳導控制板之一氣體噴流之形成。替代或除一擋板外，該泵入口可以距該傳導控制孔隙板之一足夠距離(例如，使用一間隔物或入口延伸部)定位，以防止藉由該傳導控制孔隙板形成之任何氣體噴流干擾該泵。
在一實施例中，用於控制真空泵傳導之一子系統包含經形成具有一孔隙之一傳導控制板及用於調整該孔隙之大小之一機構。
在另一實施例中，用於控制真空泵傳導之一子系統包含與一線入口相間隔以在該板與線入口之間建立一間隙之一傳導控制板及用於相對於該線入口移動該傳導控制板以調整該間隙之大小之一機構。
在此態樣之一實施例中，該至少一泵總成與該出口協作以在該電漿與該組件之間建立在該距離d上具有足以在該等離子到達該組件之前將離子能量減少至低於30eV之一平均氣體壓力P之一流動氣體。
在此態樣之一特定實施例中，該電漿產生沿一光學路徑朝向一中間位置行進之輻射，且產生目標材料氣體，且該裝置進一步包含至少一出口，其經組態以接收流動自一流體耦合氣體源之緩衝氣體且與將氣體自該腔室移除之至少一泵協作以減少沿該路徑自該電漿至該中間位置之目標材料氣體之濃度。
該至少一出口可經組態以使氣體以一受控制流速朝向碎屑之一源且遠離該反射光學元件及/或任何其他保護表面主動地流動。例如，(若干)出口可經組態以使氣體與碎屑(諸如，但不限於，自一目標材料、電漿位點、面向電漿之組件、目標材料或電漿附近之侵蝕表面、一目標形成結構、及/或真空腔室內之任何其他組件發射之原子蒸氣、氣體、離子、中性粒子、微顆粒、或污染物(例如，烴或有機物))正好反向地流動。
在一些實施例中，該至少一出口可包含形成於一集光器鏡內或附接之開口。在以下「實施方式」中描述額外/替代實施例，且熟習相關技術者當進一步瞭解本文所描述之實施例或實施例之部分可組合或修改而不背離本發明之範疇。
在又一態樣中，本文揭示一種裝置，其包含一圓柱形對稱元件，該元件可圍繞一軸旋轉且具有使用一形成電漿之目標材料帶塗佈之一表面，該帶自一第一邊緣延伸至一第二邊緣且建立用於在該形成電漿之目標材料與一驅動雷射之間相互作用的一目標區域。對於該裝置，提供一外殼，其覆蓋該表面且經形成具有一開口以曝露用於藉由該驅動雷射照射以產生電漿之形成電漿之目標材料，該開口延伸超出該帶之該第一邊緣及該第二邊緣之至少一者以將該外殼之一邊緣與該電漿隔開。
在此態樣之一實施例中，該外殼經構造以與該圓柱形對稱元件之形狀相符。
在一特定實施例中，該外殼具有一長度L，其平行於該旋轉軸且該開口延伸至大於該外殼之該長度之50%(Daxial>0.5L)。
在一些設定中，該開口可在側向方向上自一第一邊緣延伸至一第二邊緣，其中各邊緣經定位不位於該電漿之一直線視線內。
在一實施例中，該開口具有：一長度Daxial，其在平行於該圓柱 形對稱元件之該軸之一方向上；及一寬度Dlateral，其在垂直於該軸之一方向上，其中Daxial>Dlateral。
在一實施方案中，該裝置可包含一氣體管理系統，其具有一氣體供應子系統，該子系統經組態以將形成電漿之目標材料供應至該可旋轉圓柱形對稱元件之該表面。例如，該形成電漿之目標材料可包含凍結氙。對於此態樣，該裝置可包含一機構以將該圓柱形對稱元件圍繞該軸旋轉且沿該軸平移該圓柱形對稱元件。
在一配置中，目標材料支撐系統可包含一或多個蓋板，其中各板覆蓋外殼開口之一部分，且使用一或多個緊固件於該開口之一或兩側上來附接至該外殼，以允許原位置換一受損蓋板。
在另一態樣中，描述一種遠紫外線(EUV)光源，其具有一系統，該系統自一腔室中之一電漿位點處之一氙目標材料產生電漿，該電漿產生沿一光學路徑朝向一中間位置行進的輻射，該電漿產生脫離該電漿的離子，且其中該系統將0.4標準公升/分鐘(slm)與4.0slm之間的氙目標材料氣體引入至該腔室中。該遠紫外線(EUV)光源亦包含：一組件，其與該電漿位點隔開一最接近距離d；及一流動氣體，其經安置於該電漿與該組件之間，該氣體在該距離d上建立足以在該等離子到達該組件之前將離子能量減少至低於100eV之一平均氣體壓力P。此外，對於此態樣，該遠紫外線(EUV)光源包含：至少一出口，其經組態以接收流動自一流體耦合氣體源的緩衝氣體；及至少一泵，其將氣體自該腔室移除，該泵與該出口協作以減少沿該光學路徑自該電漿至該中間位置的氙目標材料氣體濃度。
在此態樣之一特定實施例中，該組件係將遠紫外線(EUV)輻射自該電漿位點反射至該中間位置之一鏡，且該至少一出口建立遠離該鏡之0.5標準公升/分鐘(slm)與20.0slm之間之一緩衝氣體流速。
在一些實施例中，如本文所描述之一光源可被併入至一檢驗系 統(諸如一遮罩檢驗系統)中。在一實施例中，例如，一檢驗系統可包含：一光源，其將輻射輸送至一中間位置；一光學系統，其經組態以使用該輻射來照明一樣本；及一偵測器，其經組態以接收由該樣本沿一成像路徑反射、散射、或輻射的照明。該檢驗系統亦可包含與該偵測器相連通之一計算系統，其經組態以基於與所偵測之照明相關聯之一信號來定位或量測該樣本之至少一缺陷。
在一些實施例中，如本文所描述之一光源可被併入至一微影系統中。例如，可在一微影系統中使用該光源，以使用輻射之一圖案化光束來曝光一光阻塗佈晶圓。在一實施例中，例如，一微影系統可包含：一光源，其將輻射輸送至一中間位置；一光學系統，其接收該輻射且建立輻射之一圖案化光束；及一光學系統，用於將該圖案化光束輸送至一光阻塗佈晶圓。
應瞭解，前述一般描述與以下詳細描述兩者均僅係例示性的及解釋性的，且不必要限制本發明。被併入且組成本發明之一部分的附圖繪示本發明之標的。描述及圖式一起用以解釋本發明之原理。
1C-1C‧‧‧細節箭頭
1F-1F‧‧‧線
3A-3A‧‧‧線
100‧‧‧光源
100’‧‧‧LPP光源
100”‧‧‧LPP光源
102‧‧‧形成電漿之目標材料/目標材料/凍結氙目標材料
103‧‧‧電漿位點
103’‧‧‧電漿位點
104‧‧‧激發源
105‧‧‧雷射輸入窗
106‧‧‧集光器光學元件
106’‧‧‧集光器光學元件/反射光學元件/近法線入射集光器光學元件
108‧‧‧中間位置
110‧‧‧腔室
112‧‧‧可旋轉圓柱形對稱元件
116a至116c‧‧‧流體耦合緩衝氣體源/出口
118‧‧‧出口
118a至118c‧‧‧出口
120‧‧‧真空泵
120a‧‧‧真空泵
120b‧‧‧真空泵
122‧‧‧流導引件
122’‧‧‧流導引件
124‧‧‧緩衝氣體流動箭頭
126a至126d‧‧‧黑暗區域
127a‧‧‧腔室隔片
127b‧‧‧腔室隔片
128‧‧‧灰色區域
130‧‧‧孔隙(傳導控制)板/傳導控制孔隙板
132‧‧‧線
133‧‧‧入口延伸部/間隔物
134‧‧‧擋板
134’‧‧‧擋板
135‧‧‧泵入口
136‧‧‧目標產生器
137‧‧‧噴流
138‧‧‧離散目標
139a‧‧‧可移動板
139b‧‧‧可移動板
140‧‧‧管狀流導引件
140’‧‧‧管狀流導引件
140”‧‧‧管狀流導引件
141a‧‧‧致動器
141b‧‧‧致動器
142a至142c‧‧‧葉片
143‧‧‧孔隙
145‧‧‧傳導控制板
147‧‧‧間隙
148‧‧‧支撐系統
148’‧‧‧目標材料支撐系統
149‧‧‧致動器
150‧‧‧表面
151‧‧‧線入口
152‧‧‧外殼
153‧‧‧箭頭
154‧‧‧線
155‧‧‧能帶邊緣
156‧‧‧能帶邊緣
157‧‧‧外殼邊緣
158‧‧‧軸
160‧‧‧軸
162‧‧‧開口
164‧‧‧第一邊緣
166‧‧‧第二邊緣
168a‧‧‧蓋板
168b‧‧‧蓋板
170‧‧‧緊固件
200‧‧‧檢驗系統
202‧‧‧照明源
204‧‧‧樣本
206‧‧‧載台
210‧‧‧偵測器
212‧‧‧計算系統
214‧‧‧非暫態載波媒體
216‧‧‧程式指令
300‧‧‧光微影系統
302‧‧‧照明源
304‧‧‧基板
306‧‧‧載台
308‧‧‧比例光罩
Daxial‧‧‧長度
Dlateral‧‧‧寬度
d‧‧‧最接近距離
L‧‧‧長度
P‧‧‧平均氣體壓力
α‧‧‧角度
熟習此項技術者可藉由參考附圖更佳地理解本發明之數種優點，其中：圖1係繪示根據本發明之一實施例之一LPP光源之一簡化示意圖，該LPP光源具有：塗佈於一可旋轉圓柱形對稱元件上之一目標材料；及一配置，其用於控制氣體流動及氣體壓力以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子且用於減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光傳輸；圖1A展示以灰階繪示在電漿位點與集光器鏡之間建立一橫向流動時氙之濃度分數x之一模型化模擬的結果；圖1B展示以灰階繪示針對選定緩衝氣體流速之氙之濃度分數x之 一模型化模擬的結果；圖1C係展示一模型化模擬之結果及繪示氣體自一腔室通過一傳導控制孔隙板至一真空泵中之流動(如圖1中之細節箭頭1C-1C內所見)之一壓力圖；圖1D係展示一模型化模擬之結果及繪示氣體自一腔室通過一傳導控制孔隙板、圍繞一擋板至一泵中之流動之一壓力圖；圖1E係用於控制具有經形成具有一孔隙之一傳導控制板及用於調整該孔隙之大小之一機構的真空泵傳導之一子系統之一簡化示意圖；圖1F係如沿圖1E中之線1F-1F所見展示用於調整該孔隙之大小之可移動板之一平面圖；圖1G係用於控制具有與一線入口相間隔以在該板與線入口之間建立一間隙之一傳導控制板及用於相對於該線入口移動該傳導控制板以調整該間隙之大小之一機構的真空泵傳導之一子系統之另一實施例之一簡化示意圖；圖2係繪示根據本發明之一實施例之一LPP光源之一簡化示意圖，其中一系列離散目標(即，目標材料小滴或小丸)係藉由一驅動雷射照射，其中該光源包含用於控制氣體流動及氣體壓力以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子且用於減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光傳輸的一配置；圖3係繪示根據本發明之一實施例之一LPP光源之一簡化示意圖，其中一系列離散目標(即，目標材料小滴或小丸)係藉由一驅動雷射照射，其中該光源包含用於控制氣體流動及氣體壓力(其包含流引導葉片)以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子且用於減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光傳輸的一配置；圖3A係如沿圖3中之線3A-3A所見之繪示徑向定向之流引導葉片 之一簡化示意圖；圖4係具有一可旋轉圓柱形對稱元件(其具有使用一形成電漿之目標材料塗佈之一表面及覆蓋該表面之一外殼)之一目標材料支撐系統之一透視圖，其中該外殼經形成具有一開口以曝露該形成電漿之目標材料用於藉由一驅動雷射照射以產生電漿；圖4A係具有一對蓋板(其中各板覆蓋外殼開口之一部分且藉由緊固件在該開口之各側上附接至該外殼以允許原位置換一受損蓋板)之一目標材料支撐系統之另一實施例之一透視圖。
圖5係繪示如本文所揭示之併入一光源之一檢驗系統之一簡化示意圖；且圖6係繪示如本文所揭示之併入一光源之一微影系統之一簡化示意圖。
現在將詳細參考所揭示之標的，其在附圖中繪示。
圖1展示一光源(大體指定為100)之一實施例，該光源用於產生軟性X射線、EUV、或VUV光且具有用於建立及維護足以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子之氣體壓力且用於控制氣體流動以減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光傳輸之一配置。例如，光源100可經組態以產生帶內遠紫外線(EUV)光(例如，具有13.5nm之一波長且具有2%帶寬之光)。如所示，光源100包含一激發源104(諸如一驅動雷射)，其經組態以照射一目標材料102。在一些情況下，目標材料102可藉由一第一脈衝(預脈衝)照射，隨後藉由一第二脈衝(主脈衝)照射以產生電漿。作為一實例，對於經組態用於光化遮罩檢驗活動之一光源100，由具有一固態增益介質(諸如輸出約1μm之光之Nd：YAG)之一脈衝驅動雷射組成的一激發源104及包含氙之一目標材料102可在產生對於光化遮罩檢驗有用之一相對較高亮度遠紫外線(EUV)光源方 面呈現特定優點。具有一固態增益介質(諸如Er：YAG、Yb：YAG、Ti：藍寶石或Nd：釩酸鹽)之其他驅動雷射亦可係適合的。另一方面，對於大批量製造(HVM)活動(諸如光微影)，由具有一高功率氣體放電CO2雷射系統(其具有多個放大階段)且輸出約10.6μm之光之一驅動雷射組成的一激發源104及包含錫之一目標材料102可呈現包含產生具有相對較高功率與良好轉換效率的帶內遠紫外線(EUV)光之特定優點。替代地，在一放電產生電漿源(未展示)中，該激發源可包含，但不限於，經組態以藉由產生一放電來激發目標材料之電極。
繼續參考圖1，對於光源100，激發源104經組態以使用透過一雷射輸入窗105輸送之一照明光束或一串光脈衝照射一腔室110內之一電漿位點103處之目標材料102。如所示，自電漿發射之一些光(例如，軟性X射線、EUV或VUV光)沿一光學路徑自電漿位點103行進至中間位置108。更具體而言，光自電漿位點103行進至集光器光學元件106(例如，近法線入射鏡)，其中光反射至一中間位置108。
對於圖1中展示之實施例，目標材料102係塗佈於在下文中參考圖4更詳細描述之一可旋轉圓柱形對稱元件112上。在一實施例中，可旋轉圓柱形對稱元件112可冷卻且使用氙冰目標材料塗佈。目標材料102可包含，但不必要限於，包含錫、鋰、氙或其組合之一材料。熟習此項技術者應瞭解在不背離本發明之範疇之情況下可使用各種目標材料及沈積技術。
圖1進一步展示集光器光學元件106可位於自雷射輸入窗105與電漿位點103之間的照射路徑偏軸處。如所示，集光器光學元件106係位於距電漿位點103之一最接近距離「d」處。集光器光學元件106可經組態以接收自所得電漿之軟性X射線、EUV、或VUV發射且定向反射，且對於圖1中展示之實施例，將該軟性X射線、EUV、或VUV照明朝向一中間位置108聚焦。對於圖1中展示之實施例，集光器光學元 件106可係具有以一截斷長橢球面(即，圍繞其主軸旋轉之一橢圓)之一偏軸部分之形式之一反射表面的一近法線入射集光器鏡，其可包含具有鉬及矽交替層之一分級多層塗層，且可包含過度犧牲鉬/矽層，且在一些情況下，一或多個高溫擴散障壁層、平滑層、覆蓋層及/或蝕刻停止層。在一些實施例中，集光器光學元件之反射表面具有在約100cm2及10,000cm2之範圍中之一表面積且可安置於距電漿位點103約0.1米至2米處。熟習此項技術者應瞭解前述範圍係例示性的且各種光學元件可替代或除用於收集且引導光至一中間位置108用於後續輸送至利用軟性X射線、EUV、或VUV照明之一裝置(諸如一檢驗系統或一光微影系統)的長橢球面鏡外而使用。
如圖1中所示，光源100包含用於建立及維護足以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子之氣體壓力且用於控制氣體流動以減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光傳輸之一配置。受保護的組件可包含集光器光學元件106，或任何其他受保護表面(諸如，但不限於，一雷射輸入窗105、一腔室觀察窗(未展示)、一診斷濾波器/偵測器/光學元件(未展示)、一葉片或一管狀流導引件(下文中描述)、一目標輸送系統或腔室壁之部分或全部)。對於所示之光源100，該配置包含經組態以使來自各自流體耦合緩衝氣體源116a至116c之緩衝氣體在預定方向上主動地流動之一或多個出口118a至118c(應瞭解三個氣體源116a至116c可係經由歧管饋給該等出口之單一氣體源)及將氣體自腔室110移除之一真空泵120。此等流可建立及維護1)電漿位點103與集光器光學元件106之間的在距離「d」上具有足以在該等離子到達集光器光學元件106之前將離子能量減少(例如，歸因於該等離子與緩衝氣體分子之間的碰撞)至一目標最大能量位準(例如，低於100eV，且在一些情況下低於30eV)之一平均氣體壓力P之一流動氣體，以及2)沿自電漿位點103至中間位置108之光學路徑之一經減少之目標材料氣 體濃度。在一些情況下，此等流可在一氣體數量密度n下於電漿位點103與集光器光學元件106之間建立一流動緩衝氣體，其中該氣體數量密度n足以保護集光器光學元件106免於實質上所有電漿發射離子。
可基於緩衝氣體組合物之離子停止功率及隨光自電漿位點103行進至中間位置108所需之距離上之壓力而變(例如，以針對所關注的特定光(軟性X射線、VUV或EUV)提供一可接受的帶內吸收)的緩衝氣體之帶內光吸收選定緩衝氣體組合物及壓力之選擇。可(例如)藉由(例如)使用諸如一法拉第(Farady)杯(自Kimball Physics之模型FC-73A)量測特定驅動雷射/目標材料組態之離子能量之分佈(在無緩衝氣體之存在下)計算需要的流動緩衝氣體壓力。藉由此等離子能量，公開可用的軟體(諸如SRIM(離子在物質中的停止及範圍)軟體(在網站www*srim*org上可用))可用以確定減少一離子之能量(具有一初始離子能量)所需之氣體壓力(可在一給定距離「d」上操作)低於一選定最大能量位準。例如，離子減緩氣體壓力可實施為距離「d」上之氣體壓力P之一平均值。
對於一穩定狀態規範中之光源100，腔室壓力主要藉由氣體吞吐量及(若干)真空泵120之泵抽速度之平衡確定。例如，一愛德華茲(Edwards)渦輪分子泵模型STP-iXA3306之最大工作壓力係大約15mT。孔隙(傳導控制)板130可用以控制(若干)真空泵120之傳導且容許獨立於氣體流動之腔室110中之氣體壓力的受控制變化(增加)。由於吾人現在可實現用於藉由增加腔室壓力來停止集光器侵蝕所需之緩衝氣體p*d(壓力*距離)，因此升高腔室壓力之此能力容許將集光器光學元件106定位於更接近電漿位點103。例如，根據藉由申請人實施之量測及數值計算，停止2keV氙離子或來自使用一氬緩衝氣體之一遠紫外線(EUV)發射電漿之中性粒子所需之p*d處於1Torr*cm至2Torr*cm之範圍中。因此，吾人可預期對於定位於距電漿位點103 100cm處之 一集光器光學元件106需要高達大約20mTorr緩衝氣體壓力且對於定位於距電漿位點103 40cm處之一集光器光學元件106需要高達大約50mTorr緩衝氣體壓力。應瞭解所需之保護氣體之總流量取決於若干因素，其包含可用(若干)真空泵120之數量及其特性(諸如泵抽速度、泵之剖面面積以及期望腔室壓力)。將集光器光學元件106定位於更接近電漿位點103處具有若干優點。作為其中一優點，由於對於一給定收集角度，集光器光學元件106面積按與平方距離(~r2)之比例進行調整，因此其使得集光器光學元件106製造更容易且更便宜。另外，總光源腔室大小亦可變得更小，以及導致一更小的光源佔據面積。此外，由於更高的p*d將導致載能離子之更有效的停止且因此幫助防止侵蝕，因此具有更高的腔室壓力對於保護位於電漿附近的面向電漿之組件(如在下文中參考圖4描述之基於滾筒之光源之情況下的滾筒外殼)亦係有益的。
如上文所指示，除建立及維護足以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子之氣體壓力且用於控制氣體流動外，(若干)出口118a至118c及(若干)真空泵120之一配置(諸如圖1中展示之配置)可用以藉由減少光學路徑(例如，自電漿位點103至集光器光學元件106且接著至中間位置108上之路徑)上之目標材料氣體及蒸氣之濃度來增加帶內光傳輸。光源100亦可包含與集光器光學元件106之外邊緣接壤之一管狀流導引件140以減少流膨脹(例如，防止氣體向外膨脹超出反射光學元件106之外邊緣，其中管狀流導引件140可經設定尺寸且經配置使得其不會阻擋光學路徑)。Kuritsyn等人於2014年4月7日申請之名稱為「Debris Protection System for Reflective Optic Utilizing Gas Flow」之美國專利申請案序列號14/247,082號及Bykanov等人於2014年9月26日申請之名稱為「System And Method for Producing and Exclusionary Buffer Gas Flow in an EUV Light Source」之美國專利申請案序列號 14/497,506號揭示用於在基於電漿之光源中提供氣體流動的可應用實例配置。美國專利申請案序列號14/247,082號及美國專利申請案序列號14/497,506號之全部內容特此以引用的方式併入本文中。
圖1展示光源100可在中間位置108處包含一流導引件122用於引導來自出口116a、116b的緩衝氣體流以減少來自光學路徑之目標材料氣體的濃度。例如，流導引件122可係圓錐形的，且對於圖1中展示之設定(其採用經塗佈於一可旋轉圓柱形對稱元件之一表面上之一目標材料)，流導引件122可經設定大小且經定位於電漿位點線外(即，在電漿位點103之視線外)。藉由此配置，來自電漿之離子及中性粒子無法直接到達(即，在自電漿之一直線路徑上)流導引件122。
圖1亦展示出口118a可與真空泵120協作以產生集光器光學元件106與電漿位點103之間之一橫向定向流動，以將目標材料碎屑(其包含目標材料氣體及蒸氣)推出該光學路徑。此係由圖1中之緩衝氣體流動箭頭124繪示，且亦係繪示於圖1A(其展示以灰階繪示在電漿位點103’與集光器光學元件106’之間建立一橫向流動時之氙之濃度分數x之一模型化模擬的結果)中。如圖1A中所示，黑暗區域126a至126d表示歸因於中間位置流導引件(區域126a)處之緩衝氣體出口而具有低濃度分數之氙在腔室中的體積，橫向出口對應於圖1中之出口118a(區域126b)、集光器光學出口(區域126c)，及雷射入口窗出口(區域126d)。圖1A繪示用於在腔室中建立一預選擇氣體流動型樣之腔室隔片127a、127b的使用。灰色區域128表示具有已自電漿位點103’激發且已由腔室中建立之氣體流橫向噴出該光學路徑外之一相對較高濃度分數之氙在腔室中之一體積。
圖1B展示以灰階繪示針對位於距電漿位點103約40cm處之一集光器光學元件106(即，xXe階表示氣體之Xe分數，其中「1」意謂此位置處僅存在氙氣(無氬)，且「0」意謂不存在氙(僅氬))之氙之濃度 分數x之一模型化模擬的結果。如圖1B中所示，黑暗區域126a、126c、126d表示歸因於中間位置流導引件(區域126a)、集光器光學出口(區域126c)，及雷射入口窗出口(區域126d)處之緩衝氣體出口而具有低濃度分數之氙在腔室中的體積。在圖1B中模型化的流係如下：維持氙冰層所需之總氙流=1.4slm，雷射窗出口處之氬流=2slm，中間位置流導引件內之氬流=1slm，且通過集光器光學出口之氬流=10.8slm(13.8slm總氬流)。對於模型，可在集光器光學元件106與電漿位點103之間建立50mTorr之一穩定狀態壓力(p*d=50mTorr*40cm=2Torr*cm)。灰色區域128表示具有已自電漿位點103’激發且已藉由腔室中建立之氣體流橫向噴出該光學路徑外之一相對較高之濃度分數之氙在腔室中之一體積。集光器流對於減少遠紫外線(EUV)吸收之效應可經估計如下：若氙流係1.4slm，總氬流係13.8slm，且腔室壓力係50mTorr，則腔室中之氙之平均部分壓力可經估計為50mTorr*1.4slm/13.8slm~50mTorr*0.1~5mTorr。因此，對於位於40cm處之一集光器，針對光自電漿行進至該集光器且朝向中間位置(IF)返回時，氙之遠紫外線(EUV)吸收的p*d係5mTorr*40cm*2=0.4Torr*cm。此將導致在光傳播期間遠紫外線(EUV)之~30%損耗。透過該集光器注射氬幫助吹走此氙，且實質上減少遠紫外線(EUV)吸收。實際上，由於接近電漿之氙部分壓力係超過平衡濃度(在此情況下~1.4/13.8=0.1)-參見接近目標之具有遠高於0.1之xXe部分壓力的氙噴流，因此對於遠紫外線(EUV)吸收，30%損耗可能係一低界限估計。氬流轉向此噴流(或氙排放點)以遠離電漿與該集光器之間的光路徑，因此增加傳輸。
圖1C及圖1D繪示用於將緩衝氣體自圖1中展示之腔室110移除之定位於真空泵120之上游之一傳導控制孔隙板之使用。更具體而言，圖1C係展示一模型化模擬之結果及繪示氣體自處於大約30mTorr之一 腔室壓力下之一腔室110通過一傳導控制孔隙板130、通過處於大約13mTorr之一線壓力下之線132至真空泵120之流動之一壓力圖。傳導控制孔隙板130可操作以減少泵入口處之壓力(即，低於腔室壓力)以容許有效的泵操作。對於本文所揭示之裝置，傳導控制孔隙板130可具有手動調整或在一些情況下藉由一控制器調整的一可變孔隙。例如，該可變孔隙可回應於泵入口壓力而藉由一控制器調整。
圖1D係展示一模型化模擬之結果及繪示氣體自處於大約30mTorr之一腔室壓力下之一腔室110通過一傳導控制孔隙板130、圍繞處於大約13mTorr之一線壓力下之線132中之一擋板134至一真空泵120之流動之一壓力圖。擋板134容許當氣體通過孔隙時防止噴流形成(參見圖1C中之噴流137)，該噴流可噴射至真空泵120中，引起負載增加。如藉由圖1D中展示之模型化所見，擋板134分解來自傳導控制孔隙板130之噴流(展示為圖1C中之噴流137)且使得流動更均勻。此可在傳導控制孔隙板130需要定位於接近真空泵120之情況下變得尤其重要。替代或除一擋板134外，如圖1C中所示，泵入口135可定位於(例如，使用一入口延伸部/間隔物133)距傳導控制孔隙板130之一足夠距離處，以防止藉由傳導控制孔隙板130形成之任何氣體噴流137干擾真空泵120。
圖1E及圖1F展示用於控制具有經形成具有一孔隙143之一傳導控制板130及用於調整孔隙143之大小之一機構的真空泵傳導之一子系統。如所示，該機構包含致動器141a、141b，其可係(例如)附接至可移動板139a、139b之導向螺絲總成。該孔隙之大小可回應於控制真空泵傳導之一控制信號而藉由移動該等板來調整。該子系統可與一擋板134(如上文所展示及描述)或入口延伸部間隔物(參見圖1C及對應描述)一起使用。該真空泵傳導可經調整以(例如)在腔室內之一緩衝氣體流或目標材料氣體流改變時將腔室壓力維持於一預選擇目標處或一預 選擇範圍內。例如，在操作期間，可需要修改用以補充凍結氙層之氙氣之流動。在此情況下，該真空泵傳導可經調整以防止氙氣流中之變化改變腔室壓力。
圖1G展示用於控制具有與一線入口151相間隔以在板145與線入口151之間建立一間隙147之一傳導控制板145及用於相對於線入口151移動傳導控制板145以調整間隙147之大小之一機構的真空泵傳導之另一子系統。如所示，該機構可包含一或多個致動器149，其可係(例如)附接至板145之導向螺絲總成。間隙147之大小可回應於控制真空泵傳導之一控制信號而藉由在箭頭153之方向上移動板145來調整。如所示，該子系統可與由具有一孔隙之一板組成之一擋板134’或(替代地)一入口延伸部間隔物(參見圖1C及對應描述)一起使用，以防止藉由該子系統形成之任何氣體噴流干擾真空泵120。
圖2展示一LPP光源100’(其包含將目標材料102輸送至一電漿位點103之目標產生器136)之另一實施例。目標材料102可以一流或噴流(未展示)或一系列離散目標138(即，液體小滴、固體小丸、及/或液體小滴內含有的固體顆粒)之形式。目標材料102可藉由一激發源104照射(如上文所描述)以產生一發光電漿。如圖2中進一步所示，光源100’包含一種用於控制氣體流及氣體壓力以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子且用於減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光傳輸的配置。
在一些實施例中，光源100’可進一步包含一發射控制器，其亦可包含一種用於觸發激發源104中之一或多個燈及/或雷射裝置以產生用於輸送至腔室110之照明脈衝的發射控制系統。光源100’可進一步包含一小滴位置偵測系統(其可包含一或多個小滴成像器及/或經組態以指示一或多個小滴之位置及/或時序(例如，相對於照射區域)之光幕。一小滴位置偵測回饋系統可經組態以自該等小滴成像器接收一輸出且 進一步組態以計算一小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可計算一小滴誤差(例如，在一小滴又小滴基礎上或基於一平均值)。接著，可提供該小滴誤差作為至一激發源控制器之一輸入，該激發源控制器可經組態以提供一位置、方向、及/或時序校正信號至激發源104以控制一源時序電路及/或控制一光束位置及塑形系統。相應地，輸送至電漿位點103之照明光束或脈衝之軌跡及/或焦度可根據與目標材料102相關聯之小滴位置及/或軌跡動態地調整。
圖2繪示包括具有居中於雷射輸入窗105與電漿位點103之間的照射路徑上之一軸之一對稱集光器光學元件106’之一實施例。如所示，集光器光學元件106’位於距電漿位點103之一最接近距離「d」處且包含經組態以允許自激發源104之照明通過且到達電漿位點103處之目標材料102之一中心孔隙。
光源100’亦可包含與反射光學元件106’之外邊緣接壤之一管狀流導引件140’以減少流膨脹(例如，防止氣體向外膨脹超出反射光學元件106’之外邊緣，其中管狀流導引件140’可經設定尺寸且經配置使得其不會阻擋光學路徑)。
圖2展示光源100’可在中間位置108處包含一流導引件122’用於引導來自出口116a、116b之緩衝氣體流以減少來自光學路徑之目標材料氣體之濃度。例如，流導引件122’可係圓錐形的且對於圖2中展示之設定(其採用一離散目標輸送系統)，由於流導引件122’定位於電漿位點線中(即，更短的流導引件122’將藉由增加自流導引件122’至電漿位點103之距離來減少濺鍍碎屑)，因此流導引件122’可經設定大小比圖1中展示之對應流導引件122稍短。
圖2亦展示出口118a至118c可與真空泵120a、120b協作以產生一定向流動以將目標材料碎屑(其包含目標材料氣體及蒸氣)推出該光學路徑。此係藉由圖2中之緩衝氣體流動箭頭124繪示。再者，如上文所 描述，出口118a至118c可與真空泵120a、120b協作以建立及維護電漿位點103與集光器光學元件106’之間的在距離「d」上具有足以在該等離子到達集光器光學元件106’之前將離子能量減少至一目標最大能量位準(例如，低於100eV，且在一些情況下低於30eV)之一平均氣體壓力P之一流動氣體。
圖3展示一LPP光源100”(其包含用於控制氣體流動及氣體壓力以保護光源組件免於電漿產生的離子及中性粒子且用於減少歸因於目標材料氣體及蒸氣之帶內光傳輸之一配置)之另一實施例。像圖2中展示之光源100’，光源100”包含具有居中於雷射輸入窗105與電漿位點103之間的照射路徑上之一軸之一對稱集光器光學元件106’。亦如所示，集光器光學元件106’位於距電漿位點103之一最接近距離「d」處且可包含經組態以允許來自激發源104之照明通過且到達電漿位點103處之目標材料102之一中心孔隙。
圖3及圖3A中展示之光源100”亦包含定位於近法線入射集光器光學元件106’與電漿位點103之間的一或多個葉片(對此標記葉片142a至142c)以引導來自(若干)出口118之流。如所示，葉片142a至142c可徑向地定向使得該等葉片不會阻擋光學路徑。光源100”亦可包含與集光器光學元件106’之外邊緣接壤之一管狀流導引件140”以減少流膨脹(例如，防止氣體向外膨脹超出反射光學元件106’之外邊緣，其中管狀流導引件140”可經設定尺寸且經配置使得其不會阻擋光學路徑)。葉片142a至142c、管狀流導引件140(圖1)、140’(圖2)、140”(圖3)、及/或中間位置流導引件122(圖1)、122’(圖2)可經形成具有一粗糙或有紋理的表面以減少自該表面之離散光(包含(例如)來自一IR驅動雷射之IR光)之散射，離散光可不期望地通過中間位置處之系統孔隙。
圖3亦展示(若干)出口118可與真空泵120a、120b協作以產生一定向流動以將目標材料碎屑(其包含目標材料氣體及蒸氣)推出該光學路 徑。此係藉由圖3中之緩衝氣體流動箭頭124繪示。再者，如上文所描述，(若干)出口118可與真空泵120a、120b協作以建立及維護電漿位點103與集光器光學元件106’之間的在距離「d」上具有足以在該等離子到達集光器光學元件106’之前將離子能量減少至一目標最大能量位準(例如，低於100eV，且在一些情況下低於30eV)之一平均氣體壓力P之一流動氣體。
圖4展示具有圖1中描繪之一可旋轉圓錐形對稱元件112之目標材料支撐系統148之一更詳細視圖，目標材料支撐系統148經組態以藉由消除原本位於電漿之視線內之特定支撐系統組件及/或增加特定支撐系統組件與電漿之間的距離及/或增加特定支撐系統組件與驅動雷射光束路徑之間的角度α來減少組件濺鍍及/或碎屑。對於支撐系統148，圓柱形對稱元件112具有使用圍繞圓柱形對稱元件112之周緣側向延伸的一形成電漿之目標材料帶102塗佈之一表面150。支撐系統148亦包含覆蓋且實質上保形於表面150之一外殼152，外殼152可用於保護該目標材料帶102且促進表面150上之目標材料102之初始產生、維護及補充。對於該支撐系統，圓柱形對稱元件112可(例如)使用經由線154之一液體氮流進行內部冷卻。目標材料(諸如氙氣)可通過外殼152注射至表面150上(或通過外殼152且噴射至表面150上)以產生且補充該目標材料帶102(氙饋送線，未展示)。更具體而言，目標材料可噴射至表面150上，該目標材料在其上固化(例如)以產生自一帶邊緣155延伸至一帶邊緣156的一凍結氙目標材料帶102)，該帶建立形成電漿之目標材料102之一操作區域，在該操作區域內可發生形成電漿之目標材料102與一激發源104之輸出之間的一相互作用(參見圖1)。軸158附接至圓柱形對稱元件112且提供用以圍繞軸160旋轉圓錐形對稱元件112且沿軸160平移圓柱形對稱元件112之一機構。藉由此配置，該目標材料帶可相對於驅動雷射焦點移動以依序呈現用於照射之 一系列新目標材料點。在Bykanov等人於2014年7月18日申請之名稱為「System And Method For Generation Of Extreme Ultraviolet Light」之美國專利申請案序列號14/335,442號(其全部內容特此以引用的方式併入本文中)中提供關於具有一可旋轉圓柱形對稱元件之目標材料支撐系統之進一步細節。
圖4亦展示外殼152係經形成以具有一開口162以曝露用於藉由一驅動雷射照射以產生電漿的形成電漿之目標材料102。就更大幾何意義而言，可看見開口162軸向地延伸超出帶邊緣155、156以使外殼152之一部分(諸如外殼邊緣157(其係開口162之一邊緣))與電漿位點103隔開。可進一步看見開口162可具有：一長度Daxial，其在平行於軸160之一方向上；及一寬度Dlateral，其在垂直於軸160之一方向上，其中Daxial>Dlateral。更具體而言，如所示，該開口可具有平行於該旋轉軸之一長度L，且開口162可延伸至大於外殼152之該長度之50%。
圖4亦展示開口162可在側向方向上自一第一邊緣164延伸至一第二邊緣166。在一些情況下，各邊緣164、166可圍繞圓柱形對稱元件112之周緣與該電漿位點隔開使得邊緣164、166定位於電漿之視線外。
藉由上文所描述之幾何體，(例如，藉由發射具有高達2.5keV之能量之離子的一電漿)所產生之碎屑量可減少，從而導致改良的集光器使用壽命。除具有上文所討論之幾何體的開放面外殼外，目標支撐凸緣(其位於電漿視線中)可定位於如實際般遠離電漿使得在藉由電漿產生之離子到達該凸緣之前該等離子可藉由緩衝氣體停止(上文所描述)。此外，申請人量測以及在S.Amano等人之Rev.Sci.Instr.,81,023104(2010)中發佈之資料(圖4)指示當角度α相對於雷射軸變大時，離子通量下降。相應地，上文所描述之幾何體認識到面向電漿之組件應該定位於相對於雷射之實際上最大角度α處(其中離子通量預期更 弱)且，若實際可行，則可由低侵蝕材料或塗料(諸如低濺鍍良率材料(例如，Al、C、B))製成。
圖4A展示具有包含一對蓋板168a、168b之一模組設計的一目標材料支撐系統148’之一實施例。如所示，各板168a、168b覆蓋藉由外殼152建立之開口162之一部分且藉由緊固件170(諸如螺絲)在開口162之各側上附接至外殼152。此配置允許原位置換一受損蓋板(例如，藉由離子侵蝕損壞之一蓋板)。具體而言，當目標材料支撐系統148’保持安裝在光源腔室內部時，可置換板168a、168b。
軟性X射線、EUV、VUV或任何其他譜帶之電漿產生的照明可用於半導體程序應用(諸如檢驗、光微影、或計量學)。例如，如圖5中所示，一檢驗系統200可包含併入一光源(諸如上文所描述之光源100、100’、100”中之一者)之一照明源202。檢驗系統200可進一步包含經組態以支撐至少一樣本204(諸如一半導體晶圓或一遮罩)之一載台206。照明源202可經組態以經由一照明路徑照明樣本204，且自樣本204反射、散射、或輻射之照明可沿一成像路徑引導至至少一偵測器210(例如，攝像機或光感測器之陣列)。通信地耦合至偵測器210之一計算系統212可經組態以處理與所偵測之照明信號相關聯的信號以根據嵌入於可藉由來自一非暫態載波媒體214之計算系統212之一處理器執行之程式指令216中之一檢驗演算法定位及/或量測樣本204之一或多個缺陷之各種屬性。
對於進一步實例，圖6大體上繪示一光微影系統300(其包含併入上文所描述之光源100、100’、100”中之一者之一照明源302)。該光微影系統可包含經組態以支撐至少一基板304(諸如一半導體晶圓)以用於微影處理之載台306。照明源302可經組態以藉由照明源302之照明輸出對基板304或安置於基板304上之一層執行光微影。例如，輸出照明可引導至一比例光罩308且自比例光罩308引導至基板304以根據 一經照明比例光罩圖案來圖案化基板304之表面或基板304上之一層。圖5及圖6中繪示之例示性實施例大體上描繪上文所描述之光源100、100’、100”之應用；然而，熟習此項技術者應瞭解源100、100’、100”可在不背離本發明之範疇之情況下在各種內容脈絡中應用。
熟習此項技術者應進一步瞭解存在各種載具，藉由該等載具可達成本文所描述之程序及/或系統及/或其他技術(例如，硬體、軟體、及/後韌體)，且瞭解較佳載具將隨其中部署程序及/或系統及/或其他技術之內容脈絡改變。在一些實施例中，藉由以下之一或多者實行各種步驟、功能、及/或操作：電子電路、邏輯閘、多工器、可程式化邏輯裝置、ASIC、類比或數位控制件/開關、微控制器、或計算系統。一計算系統可包含，但不限於，一個人計算系統、主機計算系統、工作站、影像電腦、平行處理器、或此項技術中已知之任何其他裝置。通常，術語「計算系統」經廣泛地定義以涵蓋具有一或多個處理器(其執行來自一載波媒體之指令)的任何裝置。實施諸如本文所描述之該等方法之方法之程式指令可在載波媒體上傳輸或儲存於載波媒體上。一載波媒體可包含一傳輸媒體(諸如一線、電纜、或無線傳輸連結)。該載波媒體亦可包含一儲存媒體(諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟、或一磁帶)。
本文所描述之所有方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一儲存媒體中。該等結果可包含本文所描述之結果中之任一者且可以此項技術中已知之任何方式儲存。該儲存媒體可包含本文所描述之任何儲存媒體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在已儲存該等結果之後，該等結果可在該儲存媒體中被存取且可由本文所描述之方法或系統實施例中之任一者使用，該等結果經格式化以顯示給一使用者，該等結果由另一軟體模組、方法、或系統等等使用。此外，該等結果可「永久性地」、「半永久性地」、「暫時地」儲存 或儲存一段時間。例如，該儲存媒體可係隨機存取記憶體(RAM)，且該等結果可不必要無期限地存留於該儲存媒體中。
儘管已繪示本發明之特定實施例，但應明白可藉由熟習此項技術者在不背離上述發明之範疇及精神之情況下執行本發明之各種修改及實施例。相應地，本發明之範疇應僅藉由隨附之申請專利範圍限制。

Claims (45)

  1. 一種用於電漿產生之裝置，其包括：一電漿產生系統，其經組態以自一腔室中之一圓柱形對稱可旋轉元件上之一電漿位點處之一目標材料產生電漿；一組件，其安置於距該電漿位點一經選定距離處，其中該組件經組態以收集由該電漿發射之輻射且將該輻射沿一光學路徑聚焦至一中間焦點位置以形成一光圓錐體(light cone)；一圓錐形流導引件，其經定位於該圓柱形對稱可旋轉元件之下；一組氣體出口，其經組態以建立在該電漿與該組件之間形成一氣體流的緩衝氣體之一定向流，在該組件與該電漿之間建立一平均氣體壓力之緩衝氣體之該定向流足以在離子到達該組件之前，將離子能量減少至低於100eV，其中該圓錐形流導引件經定位以至少部分地與在該組件與該中間焦點之間形成之該光圓錐體共同擴張(coextensive)，其中該圓錐形流導引件內之緩衝氣體之流使目標材料移出該光圓錐體之外；及至少一泵，其經組態以將氣體自該腔室移除，該泵與該出口經組態以減少沿自該電漿至該中間焦點之該光學路徑之目標材料的氣體濃度。
  2. 如請求項1之裝置，其中該組件係將來自該電漿位點之遠紫外線(EUV)輻射反射至該中間焦點之一近法線入射鏡。
  3. 如請求項1之裝置，其中該裝置進一步包括一流引導結構以引導來自該至少一出口之流。
  4. 如請求項3之裝置，其中該組件係一近法線入射鏡，且該流引導結構包括經定位於該近法線入射鏡與該電漿位點之間之至少一葉片以引導來自該至少一出口之流。
  5. 如請求項3之裝置，其中該流引導結構包括一管狀流導引件。
  6. 如請求項1之裝置，其中該輻射包含遠紫外線(EUV)輻射，且該緩衝氣體具有比該目標材料氣體更高之一遠紫外線(EUV)輻射傳輸。
  7. 如請求項1之裝置，其中該緩衝氣體係選自由氫、氦、氬、氮及其組合組成之緩衝氣體的群組。
  8. 如請求項1之裝置，其中該系統係一雷射產生電漿系統，其具有照射經塗佈於該圓柱形對稱可旋轉元件之一表面上之目標材料之一驅動雷射。
  9. 如請求項1之裝置，其中該系統係一雷射產生電漿系統，其具有照射經塗佈於一可旋轉圓柱形對稱元件之一表面上之目標材料之一驅動雷射。
  10. 如請求項1之裝置，其中至少一出口與至少一泵協作以產生在該組件與該電漿位點之間之一橫向定向流動以將目標材料氣體推出該光學路徑。
  11. 如請求項1之裝置，其中該裝置進一步包括位於該中間焦點處之一流導引件，且其中至少一出口將緩衝氣體引導至該流導引件中以減少沿該光學路徑之目標材料氣體之濃度。
  12. 如請求項1之裝置，其中該輻射包含具有13.5nm之一波長之遠紫外線(EUV)輻射。
  13. 如請求項1之裝置，進一步包括該腔室中之一隔板以在該腔室中建立一預選擇氣體流動圖案。
  14. 一種用於電漿產生之裝置，其包括：一電漿產生系統，其經組態以自一腔室中之一圓柱形對稱可旋轉元件上之一電漿位點處之一目標材料產生電漿；一組件，其安置於距該電漿位點一經選定距離處，其中該組件經組態以收集由該電漿發射之輻射且將該輻射沿一光學路徑聚焦至一中間焦點位置以形成一光圓錐體；一圓錐形流導引件，其經定位於該圓柱形對稱可旋轉元件之下；至少一出口，其經組態以將一緩衝氣體引入至該腔室中且建立形成一氣體流的緩衝氣體之一定向流，其中該圓錐形流導引件至少部分地與在該組件與該中間焦點之間形成之該光圓錐體共同擴張，其中該圓錐形流導引件內之緩衝氣體之流使目標材料移出該光圓錐體之外；及至少一泵總成，其經組態以將氣體自該腔室移除，該泵總成具有一泵，經定位於該泵之上游的一傳導控制板，該泵總成與該至少一出口協作以在該電漿與該組件之間建立一流動氣體，該流動氣體在該組件與該電漿之間具有足以在離子到達該組件之前，將離子能量減少至低於100eV之一平均氣體壓力。
  15. 如請求項14之裝置，其中該至少一泵總成與該出口協作以在該電漿與該組件之間建立一流動氣體，其具有足以在該等離子到達該組件之前，將離子能量減少至低於30eV之一平均氣體壓力。
  16. 如請求項14之裝置，其中該系統產生沿一光學路徑朝向一中間焦點行進的輻射，且產生目標材料氣體及脫離該電漿之多個離子，且其中該至少一出口經組態以接收流動自一流體耦合氣體源之緩衝氣體，且與將氣體自該腔室移除之該至少一泵協作以減少沿該路徑自該電漿至該中間焦點之目標材料的氣體濃度。
  17. 如請求項14之裝置，其中該泵具有一泵入口，且該傳導控制板操作以在該泵入口處建立一入口壓力。
  18. 如請求項14之裝置，進一步包括一擋板，其經定位於該傳導控制板與該泵之間，以減少藉由該傳導控制板之氣體噴流形成。
  19. 如請求項14之裝置，進一步包括一泵入口延伸部，其經定位於該傳導控制板與該泵之間，以防止藉由該傳導控制板形成之一氣體噴流干擾該泵。
  20. 如請求項14之裝置，其中該傳導控制板經形成有一孔隙。
  21. 如請求項20之裝置，進一步包括用於調整該孔隙之大小之一機構。
  22. 如請求項14之裝置，其中該傳導控制板係與一線入口隔開以在該傳導控制板與該線入口之間建立一間隙。
  23. 如請求項22之裝置，進一步包括用於相對於該線入口移動該傳導控制板以調整該間隙之大小之一機構。
  24. 如請求項14之裝置，其中該輻射包含具有13.5nm之一波長之遠紫外線(EUV)輻射。
  25. 一種用於電漿產生之裝置，其包括：一圓柱形對稱元件，其可圍繞一軸旋轉且具有一表面，該表面塗佈形成電漿之目標材料之一帶，該帶自一第一邊緣延伸至一第二邊緣且建立形成電漿之目標材料之一操作區域；一外殼，其覆蓋該圓柱形對稱元件之該表面，其中該外殼實質上保形於(conform to)該圓柱形對稱元件之該表面，其中該外殼包含一開口以允許該形成電漿之目標材料曝露於來自一驅動雷射之輻射以產生電漿，該開口延伸超出該帶之該第一邊緣及該第二邊緣中之至少一者以將該開口之一邊緣距該電漿一經選定距離而定位；及一圓錐形流導引件，其經定位於該圓柱形對稱元件之下且經定位以至少部分地與一光圓錐體共同擴張，該光圓錐體在用於自該電漿接收及聚焦光之一光學組件與該光學組件之一中間焦點之間形成，其中該圓錐形流導引件內之緩衝氣體之一流使目標材料移出該光圓錐體之外。
  26. 如請求項25之裝置，其中該外殼具有一長度L，其平行於該軸且該開口延伸至大於該外殼之該長度的50%(Daxial>0.5L)。
  27. 如請求項25之裝置，其中該裝置進一步包括一氣體供應子系統，其經組態以將形成電漿之目標材料供應至可旋轉之該圓柱形對稱元件之該表面。
  28. 如請求項25之裝置，其中該表面上之該形成電漿之目標材料包括凍結氙。
  29. 如請求項25之裝置，其中該裝置進一步包括一機構以將該圓柱形對稱元件圍繞該軸旋轉，且沿該軸平移該圓柱形對稱元件。
  30. 如請求項25之裝置，其中該開口在垂直於該軸之一方向上自一第一邊緣延伸至一第二邊緣，其中各邊緣係定位於該電漿之一視線外。
  31. 如請求項25之裝置，其中該開口具有：一長度，Daxial，其在平行於該軸之一方向上；及一寬度，Dlateral，其在垂直於該軸之一方向上，其中Daxial>Dlateral。
  32. 如請求項25之裝置，進一步包括一蓋板，該蓋板覆蓋該開口之一部分，且該蓋板係以至少一緊固件於該開口之至少一側上附接至該外殼以允許置換一受損蓋板。
  33. 一種遠紫外線(EUV)光源，其包括：一電漿產生系統，其經組態以自一腔室中之一圓柱形對稱可旋轉元件上之一電漿位點處之一氙目標材料產生電漿；一組件，其安置於距該電漿位點一經選定距離處，其中該組件經組態以收集由該電漿發射之輻射且將該輻射沿一光學路徑聚焦至一中間焦點位置以形成一光圓錐體；一圓錐形流導引件，其經定位於該圓柱形對稱可旋轉元件之下；一或多個氣體出口，其經組態以建立形成一氣體圓錐體的緩衝氣體之一定向流，在該組件與該電漿之間建立一平均氣體壓力之緩衝氣體之該定向流足以在離子到達該組件之前，將離子能量減少至低於100eV，其中該圓錐形流導引件至少部分地與在該組件與該中間焦點之間形成之該光圓錐體共同擴張，其中該圓錐形流導引件內之緩衝氣體之流使目標材料移出該光圓錐體之外；至少一泵，其將氣體自該腔室移除，該泵與該出口經組態以減少沿該光學路徑自該電漿至該中間焦點之氙目標材料的氣體濃度。
  34. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其中該組件係將遠紫外線(EUV)輻射自該電漿位點反射至該中間焦點之一鏡，且其中該至少一出口建立遠離該鏡之0.5標準公升/分鐘(slm)與20.0slm之間之一緩衝氣體流速。
  35. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其進一步包括：一流引導結構以引導來自該至少一出口之流。
  36. 如請求項35之遠紫外線(EUV)光源，其中該組件係將遠紫外線(EUV)輻射自該電漿位點反射至該中間焦點之一鏡，且其中該流引導結構包括經定位於該鏡與該電漿位點之間之至少一葉片以引導來自至少一出口之流。
  37. 如請求項35之遠紫外線(EUV)光源，其中該流引導結構包括一管狀流導引件。
  38. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其中該緩衝氣體係選自由氫、氦、氬、氮及其組合所組成之緩衝氣體的群組。
  39. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其中該系統係一雷射產生電漿系統，其具有一驅動雷射，該驅動雷射照射經塗佈於該圓柱形對稱可旋轉元件之一表面上的氙目標材料。
  40. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其中該系統係一雷射產生電漿系統，其具有一驅動雷射，該驅動雷射照射經塗佈於一可旋轉圓柱形對稱元件之一表面上的氙目標材料。
  41. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其中至少一出口與至少一泵協作以產生在該組件與該電漿位點之間之一橫向定向流動以將氙目標材料氣體推出該光學路徑。
  42. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其進一步包括：位於該中間焦點處之一流導引件，且其中至少一出口將緩衝氣體引導至該流導引件中以減少沿該光學路徑之氙目標材料氣體之濃度。
  43. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其中該輻射包含具有13.5nm之一波長之遠紫外線(EUV)輻射。
  44. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，進一步包括該腔室中之一隔板以在該腔室中建立一預選擇氣體流動圖案。
  45. 如請求項33之遠紫外線(EUV)光源，其中該緩衝氣體具有比該氙目標材料氣體更高之一遠紫外線(EUV)傳輸。
TW104142343A 2014-12-16 2015-12-16 用於電漿產生之裝置及遠紫外線(euv)光源 TWI664878B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462092684P 2014-12-16 2014-12-16
US62/092,684 2014-12-16
US14/838,594 2015-08-28
US14/838,594 US10034362B2 (en) 2014-12-16 2015-08-28 Plasma-based light source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201630477A TW201630477A (zh) 2016-08-16
TWI664878B true TWI664878B (zh) 2019-07-01

Family

ID=56127486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104142343A TWI664878B (zh) 2014-12-16 2015-12-16 用於電漿產生之裝置及遠紫外線(euv)光源

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10034362B2 (zh)
JP (1) JP6793644B2 (zh)
KR (1) KR102264762B1 (zh)
TW (1) TWI664878B (zh)
WO (1) WO2016100393A1 (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102484934A (zh) 2009-04-16 2012-05-30 埃里克·H·西尔弗 单色x-射线方法和装置
US9918375B2 (en) * 2015-11-16 2018-03-13 Kla-Tencor Corporation Plasma based light source having a target material coated on a cylindrically-symmetric element
US10955749B2 (en) 2017-01-06 2021-03-23 Asml Netherlands B.V. Guiding device and associated system
JP7193459B2 (ja) 2017-01-06 2022-12-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極端紫外線源（ｅｕｖ源）
JP7296368B2 (ja) * 2017-05-19 2023-06-22 イマジン サイエンティフィック，インコーポレイテッド 単色ｘ線撮像システム及び方法
US10806016B2 (en) * 2017-07-25 2020-10-13 Kla Corporation High power broadband illumination source
US10495974B2 (en) * 2017-09-14 2019-12-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Target feeding system
US10824083B2 (en) * 2017-09-28 2020-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Light source, EUV lithography system, and method for generating EUV radiation
US10887973B2 (en) * 2018-08-14 2021-01-05 Isteq B.V. High brightness laser-produced plasma light source
US10895541B2 (en) 2018-01-06 2021-01-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for combined x-ray reflectometry and photoelectron spectroscopy
US10959318B2 (en) * 2018-01-10 2021-03-23 Kla-Tencor Corporation X-ray metrology system with broadband laser produced plasma illuminator
US10818467B2 (en) 2018-02-09 2020-10-27 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic x-ray imaging systems and methods
WO2019157386A2 (en) 2018-02-09 2019-08-15 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic x-ray imaging systems and methods
US10898932B2 (en) * 2018-02-12 2021-01-26 Suss Micro Tec Photomask Equipment Gmbh & Co Kg Method and apparatus for cleaning a substrate and computer program product
NL2021345A (en) * 2018-04-12 2018-08-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus
WO2020056281A1 (en) 2018-09-14 2020-03-19 Imagine Scientific, Inc. Monochromatic x-ray component systems and methods
NL2024042A (en) 2018-10-22 2020-05-07 Asml Netherlands Bv Apparatus for and method of reducing contamination from source material in an euv light source
US11460418B2 (en) 2019-08-26 2022-10-04 Kla Corporation Methods and systems for semiconductor metrology based on wavelength resolved soft X-ray reflectometry
US11259394B2 (en) 2019-11-01 2022-02-22 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with liquid sheet jet target
US11272607B2 (en) 2019-11-01 2022-03-08 Kla Corporation Laser produced plasma illuminator with low atomic number cryogenic target
US11698251B2 (en) 2020-01-07 2023-07-11 Kla Corporation Methods and systems for overlay measurement based on soft X-ray Scatterometry
US11879683B2 (en) * 2020-04-07 2024-01-23 Kla Corporation Self-aligning vacuum feed-through for liquid nitrogen
KR20220031222A (ko) 2020-09-04 2022-03-11 삼성전자주식회사 극자외선 광원 시스템
US11617256B2 (en) * 2020-12-30 2023-03-28 Kla Corporation Laser and drum control for continuous generation of broadband light
US11635700B2 (en) 2021-02-17 2023-04-25 Kla Corporation Method and apparatus for EUV mask inspection

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200922386A (en) * 2007-08-31 2009-05-16 Cymer Inc Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
CN101785368A (zh) * 2007-08-23 2010-07-21 Asml荷兰有限公司 辐射源
TW201101939A (en) * 2009-04-09 2011-01-01 Cymer Inc System, method and apparatus for aligning and synchronizing target material for optimum extreme ultraviolet light output
US20120050706A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Media Lario S.R.L Source-collector module with GIC mirror and xenon ice EUV LPP target system

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252428A (ja) * 1988-08-16 1990-02-22 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH06288493A (ja) * 1993-03-31 1994-10-11 Shibaura Eng Works Co Ltd 真空バルブ
US6815700B2 (en) 1997-05-12 2004-11-09 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US7671349B2 (en) 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
JP4351413B2 (ja) * 2002-03-05 2009-10-28 望月 孝晏 レーザプラズマｘ線発生装置
US7217941B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source
DE102004028943B4 (de) * 2004-06-11 2006-10-12 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur zeitlich stabilen Erzeugung von EUV-Strahlung mittels eines laserinduzierten Plasmas
FR2871622B1 (fr) * 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
DE102004042501A1 (de) 2004-08-31 2006-03-16 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur Bereitstellung eines reproduzierbaren Targetstromes für die energiestrahlinduzierte Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
US7109503B1 (en) 2005-02-25 2006-09-19 Cymer, Inc. Systems for protecting internal components of an EUV light source from plasma-generated debris
JP5086664B2 (ja) 2007-03-02 2012-11-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
KR101495208B1 (ko) 2007-08-23 2015-02-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 극자외 방사선을 생성하는 방법 및 모듈
JP5255936B2 (ja) * 2008-07-18 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置
US8519366B2 (en) 2008-08-06 2013-08-27 Cymer, Inc. Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source
DE102008049494A1 (de) * 2008-09-27 2010-04-08 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zum Betreiben von plasmabasierten kurzwelligen Strahlungsquellen
KR20130005287A (ko) * 2010-03-12 2013-01-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
WO2014120985A1 (en) 2013-01-30 2014-08-07 Kla-Tencor Corporation Euv light source using cryogenic droplet targets in mask inspection
WO2014127151A1 (en) 2013-02-14 2014-08-21 Kla-Tencor Corporation System and method for producing an exclusionary buffer gas flow in an euv light source
US9989758B2 (en) * 2013-04-10 2018-06-05 Kla-Tencor Corporation Debris protection system for reflective optic utilizing gas flow
JP6241062B2 (ja) * 2013-04-30 2017-12-06 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
US8963110B2 (en) * 2013-06-22 2015-02-24 Kla-Tencor Corporation Continuous generation of extreme ultraviolet light
US9544984B2 (en) * 2013-07-22 2017-01-10 Kla-Tencor Corporation System and method for generation of extreme ultraviolet light

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101785368A (zh) * 2007-08-23 2010-07-21 Asml荷兰有限公司 辐射源
TW200922386A (en) * 2007-08-31 2009-05-16 Cymer Inc Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source
US20120305810A1 (en) * 2007-08-31 2012-12-06 Ershov Alexander I Laser-Produced-Plasma EUV Light Source
TW201101939A (en) * 2009-04-09 2011-01-01 Cymer Inc System, method and apparatus for aligning and synchronizing target material for optimum extreme ultraviolet light output
US20120050706A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Media Lario S.R.L Source-collector module with GIC mirror and xenon ice EUV LPP target system

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016100393A1 (en) 2016-06-23
US20160249442A1 (en) 2016-08-25
TW201630477A (zh) 2016-08-16
JP6793644B2 (ja) 2020-12-02
KR102264762B1 (ko) 2021-06-11
US10034362B2 (en) 2018-07-24
KR20170094382A (ko) 2017-08-17
JP2018500601A (ja) 2018-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI664878B (zh) 用於電漿產生之裝置及遠紫外線(euv)光源
EP2984907B1 (en) Debris protection system for reflective optic utilizing gas flow
JP6681890B2 (ja) プラズマベース光源におけるデブリからの光学素子保護のための装置および方法
JP5055310B2 (ja) リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法
JP4335868B2 (ja) リソグラフィ装置、照明系及びデブリ捕捉システム
JP6043789B2 (ja) レーザ生成プラズマ光源内の緩衝ガス流安定化のためのシステム及び方法
KR20130005287A (ko) 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2005150721A (ja) 汚染を抑制したリソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びこれらによって製造されたデバイス
US8547525B2 (en) EUV radiation generation apparatus
JP2013524525A (ja) Ｅｕｖ放射源およびｅｕｖ放射生成方法
JP6480339B2 (ja) 放射源およびリソグラフィのための方法
JP6869242B2 (ja) リソグラフィ装置のためのｅｕｖソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置
JP2021500602A (ja) プラズマをモニタするためのシステム
TW201316842A (zh) 輻射源
JP2011258950A (ja) 水素ラジカルジェネレータ
JP2002311200A (ja) Ｘ線発生装置及び露光装置
JP4695122B2 (ja) リソグラフィ装置
Bollanti et al. Progress report on a 14.4-nm micro-exposure tool based on a laser-produced-plasma: debris mitigation system results and other issues