JP6668793B2 - 半導体レーザ光源装置及び半導体レーザ光源装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体レーザ光源装置及び半導体レーザ光源装置の製造方法に関する。

従来、流体の流れや速度を計測する方法として、ＰＩＶ（Particle Image Velocimetry）と呼ばれる技術が知られている。ＰＩＶとは、流体にトレーサ粒子と呼ばれる微小粒子を混入し、当該トレーサ粒子にシート状のレーザ光を照射して得られる散乱光を撮影することで、流体の流動を二次元的に計測する技術である。

上記のＰＩＶにおいて、従来、光源として高出力を得られる固体レーザやガスレーザが用いられていた。例えば特許文献１には、ＰＩＶの光源にＮｄ：ＹＡＧレーザを使用することが記載されている。また特許文献２には、ＰＩＶの光源にアルゴンレーザを使用することが記載されている。

特開２００７−０８５７８４号公報 特開２０１０−１１７１９０号公報

近年、固体光源技術の進歩に伴い、ＰＩＶの光源として固体レーザやガスレーザに代わり半導体レーザを利用することが検討されてきている。特に、高出力を実現する観点から、レーザ光を射出するエミッタを複数備える半導体レーザアレイを利用することが検討されてきている。

しかし、本発明者の鋭意研究によれば、半導体レーザアレイをＰＩＶの光源に用いると、シート状のレーザ光の厚みが拡大することが分かった。

上記のようにＰＩＶは、流体が存在する三次元空間にシート状のレーザ光を照射することで、流体の流動を二次元的に計測する技術である。そのため、シート状のレーザ光の厚みが大きいほど二次元化の精度が低下し、計測結果の精度も低下する。従って、半導体レーザをＰＩＶの光源に使用する場合において、シート状のレーザ光の厚みが拡大することを抑制可能な技術が望まれる。

上記の要望は、ＰＩＶに限らず、半導体レーザを光源に使用してシート状のレーザ光を形成する場合に共通する。例えば、シート状のレーザ光を照射する照明装置や、シート状のレーザ光を利用して物体の形状等を計測する計測装置においても同様に、厚みが拡大することを抑制可能な技術が求められる。

本発明は、半導体レーザを光源に使用してシート状のレーザ光を形成する場合において、シート状のレーザ光の厚みが拡大することを抑制可能な技術を提供することを目的とする。

本発明の半導体レーザ光源装置は、サブマウントと、前記サブマウントの上面に載置されるハンダ層と、第一の方向に並ぶ複数のエミッタを含み、前記ハンダ層により前記サブマウントと接合される半導体レーザアレイと、複数の前記エミッタから射出されるレーザ光を、前記第一の方向に直交し、且つ、前記サブマウントの前記上面に垂直な第二の方向において、平行に変換するレンズと、を有し、前記レンズは、前記エミッタごとに、当該エミッタから射出される前記レーザ光を前記第二の方向において平行に変換するレンズ領域を含み、少なくとも二つの前記レンズ領域の光軸が、前記第二の方向においてずれていることを特徴とする。

上記構成によれば、少なくとも二つのレンズ領域において、レンズ領域の光軸が同一平面上に位置しない。これにより、エミッタの第二の方向における位置にズレが生じた場合でも、レンズ領域から射出される平行光はレンズ領域の光軸と比較的小さい角をなす。その結果、シート状のレーザ光の厚みが拡大することを抑制できる。詳細は発明を実施するための形態の欄で説明する。

また、上記構成において、前記半導体レーザアレイは、前記第一の方向及び前記第二の方向に直交する第三の方向からみたとき、端部から中央に向かうほど前記サブマウントに接近するように湾曲し、前記レンズは、前記第三の方向からみたとき、端部から中央に向かうほど前記レンズ領域の光軸が前記サブマント側に位置するように湾曲するものとしても構わない。

上記構成によれば、半導体レーザアレイは、第一の方向及び第二の方向に直交する第三の方向からみたとき、サブマウントに向かう方向に突き出すように湾曲する。また、レンズは、第三の方向からみたとき、サブマウント側に突き出すように湾曲する。即ち、半導体レーザアレイ及びレンズが同様の方向に湾曲する。これにより、エミッタの第二の方向における位置にズレが生じた場合でも、シート状のレーザ光の厚みが拡大することを抑制できる。詳細は発明を実施するための形態の欄で説明する。

また、上記構成において、上面に第一接着剤と、前記第一接着剤に比べて収縮率の大きい材料によって構成される第二接着剤とが載置され、前記第一接着剤及び前記第二接着剤により前記レンズと接着されるレンズマウントを有し、前記レンズの中央及び前記レンズマウントの間に前記第二接着剤が介在し、前記レンズの端部及び前記レンズマウントの間に前記第一接着剤が介在するものとしても構わない。

上記構成によれば、第一接着剤及び第二接着剤を硬化すると、レンズの中央とレンズマウントの間に介在する第二接着剤が大きく収縮するのに対し、レンズの端部とレンズマウントの間に介在する第一接着剤は小さく収縮する。そのため、第一接着剤及び第二接着剤の収縮に伴い、第三の方向からみてレンズマウントに向かう方向に突き出すように湾曲したレンズを実現できる。

また、上記構成において、接着剤を収納する凹部が形成され、前記接着剤により前記レンズと接着されるレンズマウントを有し、前記レンズの中央及び前記レンズマウントの間に前記接着剤が介在し、前記レンズの端部及び前記レンズマウントの間に前記接着剤が介在しないものとしても構わない。

上記構成によれば、レンズの中央が接着剤によって接着され、レンズの端部が接着剤によって接着されない。そのため接着剤を硬化することで、接着剤の収縮に伴いレンズを湾曲させることができる。即ち、第三の方向からみてレンズマウントに向かう方向に突き出すように湾曲したレンズを実現できる。

また、上記構成において、上面に接着剤が載置され、前記接着剤により前記レンズと接着されるレンズマウントを有し、前記レンズの端部及び前記レンズマウントの間に前記接着剤が介在し、前記レンズの中央及び前記レンズマウントの間に前記接着剤が介在しないものとしても構わない。

上記構成によれば、第三の方向からみて下向きに突き出すように湾曲したレンズをレンズマウント上に接着できる。

また、上記構成において、前記レンズは、シリンドリカルレンズであるものとしても構わない。

また、上記構成において、前記半導体レーザアレイは、端面発光型の半導体レーザであり、前記第一の方向は遅軸方向であり、前記第二の方向は速軸方向であるものとしても構わない。

また、上記の半導体レーザ光源装置の製造方法であって、前記サブマウントを準備する工程（ａ）と、前記サブマウントの上面にハンダ層を載置する工程（ｂ）と、前記半導体レーザアレイを準備する工程（ｃ）と、前記ハンダ層により前記サブマウントに前記半導体レーザアレイを接合する工程（ｄ）と、前記レンズを準備する工程（ｅ）と、前記レンズマウントを準備する工程（ｆ）と、前記レンズマウントに、前記第一接着剤及び前記第二接着剤を載置する工程（ｇ）と、前記第一接着剤及び前記第二接着剤により前記レンズマウントに前記レンズを接着する工程（ｈ）と、を有し、前記工程（ｇ）は、前記第二接着剤が前記レンズの中央に接し、前記第一接着剤が前記レンズの端部に接するように載置する工程であり、前記工程（ｈ）は、前記レンズの中央が前記第二接着剤に接し、前記レンズの端部が前記第一接着剤に接するように、前記レンズを載置する工程（ｈ１）と、前記第一接着剤及び前記第二接着剤を硬化する工程（ｈ２）と、を含むものとしても構わない。

上記製造方法によれば、第一接着剤及び第二接着剤を硬化することにより、レンズを第三の方向からみてレンズマウントに向かう方向に突き出すように湾曲させることができる。

また、上記の半導体レーザ光源装置の製造方法であって、前記サブマウントを準備する工程（ａ）と、前記サブマウントの上面にハンダ層を載置する工程（ｂ）と、前記半導体レーザアレイを準備する工程（ｃ）と、前記ハンダ層により前記サブマウントに前記半導体レーザアレイを接合する工程（ｄ）と、前記レンズを準備する工程（ｅ）と、凹部が形成されたレンズマウントを準備する工程（ｉ）と、前記凹部の底面に接着剤を載置する工程（ｊ）と、前記接着剤により前記レンズマウントに前記レンズを接着する工程（ｋ）と、を有し、前記工程（ｋ）は、前記レンズの中央が前記接着剤に接するように、前記レンズを載置する工程（ｋ１）と、前記接着剤を硬化する工程（ｋ２）と、を含むものとしても構わない。

上記製造方法によれば、接着剤を硬化することにより、レンズを第三の方向からみてレンズマウントに向かう方向に突き出すように湾曲させることができる。

本発明の半導体レーザ光源装置及び半導体レーザ光源装置の製造方法によれば、シート状のレーザ光を形成する場合に、シート状のレーザ光の厚みが拡大することを抑制することができる。

ＰＩＶの概要を説明するための模式図である。 第一実施形態の半導体レーザ光源装置を説明するための模式図である。 半導体レーザアレイから射出されるレーザ光を説明するための模式図である。 第一実施形態の半導体レーザ光源装置を説明するための模式図である。 第一実施形態の半導体レーザ光源装置をＡ−Ａ線で切断したときの模式的な断面図である。 第一実施形態の半導体レーザ光源装置の製造方法を説明するための模式図である。 第二実施形態の半導体レーザ光源装置を説明するための模式図である。 第三実施形態の半導体レーザ光源装置を説明するための模式図である。 比較例の半導体レーザ光源装置を説明するための模式図である。 比較例の半導体レーザ光源装置を説明するための模式図である。 実施形態の半導体レーザ光源装置による作用効果を説明するための模式図である。 別実施形態の半導体レーザ光源装置を説明するための模式図である。

実施形態の半導体レーザ光源装置及び半導体レーザ光源装置の製造方法につき、図面を参照して説明する。なお、各図において図面の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致しない。

（第一実施形態）
［ＰＩＶの概要］
第一実施形態における半導体レーザ光源装置１について説明する。半導体レーザ光源装置１は、一例としてＰＩＶ（Particle Image Velocimetry）の光源に使用される。まず初めに図１を参照してＰＩＶの概要について説明する。

図１に示すように、半導体レーザ光源装置１は半導体レーザアレイ３を含む。図１では半導体レーザアレイ３の長手方向をｙ方向とし、半導体レーザアレイ３の短手方向をｚ方向とし、ｙ方向及びｚ方向に直交する方向をｘ方向としている。なお、ｘ方向が「第二の方向」に対応し、ｙ方向が「第一の方向」に対応し、ｚ方向が「第三の方向」に対応する。

半導体レーザ光源装置１は、シート状のレーザ光ＬＳを射出する。以下、シート状のレーザ光ＬＳを「レーザシートＬＳ」と呼ぶ。レーザシートＬＳは、ｘ方向に一定の厚みを有し、ｙ方向に拡がりつつ進行する光である。一例として、レーザシートＬＳのｘ方向の厚みは１．５ｍｍである。なお、レーザシートＬＳは、半導体レーザアレイ３からｚ方向に少なくとも１〜２ｍ離れた領域において、ｙ方向に１〜５ｍ程度の幅を有している。すなわち、この領域においては、ｘ方向の幅はｙ方向の幅と比較して極めて小さい。

詳細は後述するが、半導体レーザ光源装置１は、レーザ光Ｌを射出するエミッタを複数含み、各エミッタから射出されるレーザ光Ｌを、特定の方向に平行な平行光ＬＰに変換する（図１参照）。本明細書において、「平行光」とは、ｘ方向に一定の厚み（一例として、１ｍｍ）を有し、ｙ方向に拡がりつつ進行する光である。なお、図１では便宜的に、４つのエミッタから射出されるレーザ光Ｌ、及び当該レーザ光が変換された後の光である平行光ＬＰを示している。また、１つのエミッタから射出され、平行光に変換される前のレーザ光Ｌには右斜線を付し、変換された後の平行光ＬＰには左斜線を付している。

図１に示すように、各エミッタからの平行光ＬＰは、互いに重なり合うことによりレーザシートＬＳを形成する。なお、レーザシートＬＳは、全てのエミッタから射出された光が必ずしも重なり合う必要はなく、少なくとも複数のエミッタから射出された光が重なり合うことで形成されるものであればよい。

計測対象の流体には、トレーサ粒子１２が混入されている。なお、図１では、流体自体は図示していないが、所定の流体内に多数のトレーサ粒子１２が混入されており、この流体に対してレーザシートＬＳが照射された状況において、当該レーザシートＬＳが照射された領域内に位置しているトレーサ粒子１２の一部のみが図示されている。トレーサ粒子１２は、一例として、ポリスチレン等の樹脂からなる微小粒子、水及びオイルを噴霧化した微小な液滴、プラスチック製の微小粒子、煙等である。半導体レーザ光源装置１から射出されたレーザシートＬＳが、流体内のトレーサ粒子１２に照射されると、散乱光が生成される。

撮影装置１３は、トレーサ粒子１２からの散乱光を撮影し、撮影した画像を画像処理装置１５に出力する。なお、一例として撮影装置１３は１秒間に１０００フレームの画像を撮影する。画像処理装置１５は、入力された画像を基に、流体の速度を算出する。なお、流体の速度の算出方法は既知の技術であるため（例えば上記の特許文献１及び特許文献２を参照）、本明細書では説明を省略する。

［構成］
続いて、半導体レーザ光源装置１の構成について説明する。図１に示すように、半導体レーザ光源装置１は、半導体レーザアレイ３、サブマウント５、ヒートシンク７、シリンドリカルレンズ９、及びレンズマウント１１を備える。図１は、ヒートシンク７の上方にサブマウント５が配置され、サブマウント５の上方に半導体レーザアレイ３が配置されてなる半導体レーザ光源装置１を、上方から見たときの模式的な平面図として図示されている。なお図１には示されていないが、半導体レーザ光源装置１は、半導体レーザアレイ３及びサブマウント５の間、及び、サブマウント５及びヒートシンク７の間にハンダ層を含む。また、半導体レーザ光源装置１は、シリンドリカルレンズ９及びレンズマウント１１の間に接着剤を含む。以下、図２から図４を参照して半導体レーザ光源装置１の構成について具体的に説明する。

図２は、図１の半導体レーザ光源装置１を紙面左方向、即ち−ｚ方向にみたときの模式的な図である。なお図２において、紙面手前方向、即ちｚ方向にシリンドリカルレンズ９及びレンズマウント１１が存在するが、説明の便宜上これらの図示を省略している。

半導体レーザアレイ３は、端面発光型の半導体レーザ素子がアレイ状に複数配置されて構成されている。半導体レーザアレイ３は、ｚ方向に垂直な面（図面上はｘｙ平面に対応する）である側面３０を含み、この側面３０からレーザ光を射出する。

半導体レーザアレイ３は、側面３０上にｙ方向に複数配置された複数のエミッタ３１を含む。図２に示される半導体レーザアレイ３では、エミッタ３１の配置方向であるｙ方向が、半導体レーザアレイ３の長手方向に対応している。エミッタ３１ａは、ｙ方向に関して側面３０の中央に位置するエミッタであり、エミッタ３１ｂは、ｙ方向に関して側面３０の一方の端部（即ち、ｙ方向側の端部）に位置するエミッタである。一例として、半導体レーザアレイ３は、２００μｍのピッチで並ぶ２０個のエミッタ３１を含む。なお、図２では、便宜的に９個のエミッタ３１を図示した。

以下では、エミッタ３１ａを「中央のエミッタ３１ａ」と呼び、エミッタ３１ｂを「端部のエミッタ３１ｂ」と呼ぶことがある。

各エミッタ３１は、ｘ方向及びｙ方向の双方に拡がりつつ進行するレーザ光を射出する。図３に、半導体レーザアレイ３の中央のエミッタ３１ａから射出されるレーザ光を示す。図３に示すように、レーザ光Ｌは、ｘ方向及びｙ方向の双方に発散する。またレーザ光Ｌは、ｙ方向に比べてｘ方向に大きく発散する。即ち、レーザ光Ｌのｘ方向における発散角は、ｙ方向における発散角に比べて大きい。つまり、ｘ方向が「速軸方向」に対応し、ｙ方向が「遅軸方向」に対応する。なお、他のエミッタ３１から射出されるレーザ光もレーザ光Ｌと同様に進行する。

図２に戻って説明を続ける。半導体レーザアレイ３は、ハンダ層４によりサブマウント５と接合されている。ハンダ層４は、サブマウント５の上面に載置されている。ハンダ層４は、加熱すると溶融し、その後温度が低下すると硬化する。ハンダ層４は、半導体レーザアレイ３及びサブマウント５を接合する。ハンダ層４が「ハンダ層」に対応する。

なお、サブマウント５の半導体レーザアレイ３側の面、即ち、ｘ方向側の面を「上面」と呼ぶ。同様に、以下ではｘ方向側の面を「上面」と呼び、−ｘ方向側の面を「下面」と呼ぶ。

図２に示すように、半導体レーザアレイ３は、端部から中央に向かうほどサブマウント５に接近するように湾曲している。換言すると、半導体レーザアレイ３は、サブマウント５に向かう方向（即ち、−ｘ方向）に突き出すように湾曲している。半導体レーザアレイ３がこのように湾曲する理由については後述する。

半導体レーザアレイ３の温度は、レーザ光の射出に伴い上昇する。サブマウント５は、熱伝導率の高い材料により構成されており、半導体レーザアレイ３から生じる熱をヒートシンク７へ伝導する。

ハンダ層６は、ヒートシンク７の上面に載置される。ハンダ層６はハンダ層４と同様に、加熱すると溶融し、その後温度が低下すると硬化する。ハンダ層６は、サブマウント５及びヒートシンク７を接合する。

ヒートシンク７は、サブマウント５から伝導された熱を半導体レーザ光源装置１の外部へ放出する。ヒートシンク７は、熱伝導率の高い金属によって構成されている。なお、半導体レーザ光源装置１はヒートシンク７を備えないものとしても構わない。

続いて、図４を参照してシリンドリカルレンズ９及びレンズマウント１１について説明する。図４は、図１の半導体レーザ光源装置１を紙面左方向、即ち−ｚ方向にみたときの模式的な図である。なお図４において、紙面奥方向、即ち−ｚ方向に半導体レーザアレイ３、ハンダ層４、サブマウント５、ハンダ層６、及びヒートシンク７が存在するが、説明の便宜上これらの図示を省略している。

図４に示すようにシリンドリカルレンズ９は、端部から中央に向かうほどレンズマウント１１に接近するように湾曲している。換言すると、シリンドリカルレンズ９は、レンズマウント１１に向かう方向（即ち、−ｘ方向）に突き出すように湾曲している。即ち、シリンドリカルレンズ９は半導体レーザアレイ３と同様の方向に湾曲している。シリンドリカルレンズ９がこのように湾曲する理由については後述する。

シリンドリカルレンズ９は、ｙ方向に並ぶ複数のレンズ領域９１からなる。本実施形態では、シリンドリカルレンズ９は、エミッタ３１と同数のレンズ領域９１を含む。各レンズ領域９１は、各エミッタ３１に対向している。即ち、各エミッタ３１から射出されるレーザ光は、対向するレンズ領域９１に入射する。

レンズ領域９１は、対向するエミッタ３１から射出されるレーザ光を、ｘ方向（即ち、速軸方向）において平行に変換する。図５を参照して具体的に説明する。図５に、図１の半導体レーザ光源装置１をＡ−Ａ線で切断したときの模式的な断面図を示す。なお、Ａ−Ａ線はｚ方向に平行であり、半導体レーザアレイ３の中央のエミッタ３１ａ（図２参照）を通過する。

図５に示すように、エミッタ３１ａ及びレンズ領域９１は対向し、当該エミッタ３１ａから射出されるレーザ光Ｌは、レンズ領域９１に入射する。レーザ光Ｌは、レンズ領域９１に入射前においてｘ方向に拡がって進行する。レンズ領域９１は、レーザ光Ｌをｘ方向に一定の厚みを有するように変換する。換言すると、レンズ領域９１は、レーザ光Ｌのｘ方向への発散を抑制する。なお、レーザ光をｘ方向に発散せずに一定の厚みを有するように変換することを、本明細書では「ｘ方向において平行に変換する」と表現している。

また、レンズ領域９１は、対向するエミッタ３１ａから射出されるレーザ光Ｌを、ｙ方向（即ち、遅軸方向）において平行に変換しない。より具体的には、レンズ領域９１は、当該レーザ光Ｌのｙ方向における発散を保持する（図１参照）。即ちレンズ領域９１は、当該レーザ光Ｌのｙ方向における発散角を保持する。

このようにレンズ領域９１は、対向するエミッタ３１ａから射出されるレーザ光Ｌを、ｘ方向に一定の厚みを有し、ｙ方向に拡がりつつ進行する平行光ＬＰに変換する（図１及び図５参照）。図１及び図５を参照して、中央のエミッタ３１ａに対向するレンズ領域９１について説明したが、他のエミッタ３１に対向するレンズ領域９１も同様に、対向するエミッタ３１から射出されるレーザ光Ｌを、ｘ方向に拡がることなくｙ方向に拡がって進行する平行光ＬＰに変換する。なお、上述のように、各レンズ領域９１から射出される平行光ＬＰは図１に示されるように重なり合ってレーザシートＬＳを形成する。

図４に戻ってレンズマウント１１について説明する。レンズマウント１１の上面には、接着剤１７及び接着剤１９が載置される。接着剤１７及び接着剤１９は、光照射又は加熱により硬化する接着剤である。接着剤１７及び接着剤１９は、硬化すると収縮する。接着剤１９を構成する材料の収縮率は、接着剤１７を構成する材料の収縮率に比べて大きい。なお、接着剤１７が「第一接着剤」に対応し、接着剤１９が「第二接着剤」に対応する。

レンズマウント１１は、接着剤１７及び接着剤１９によりシリンドリカルレンズ９と接着される。なお、シリンドリカルレンズ９の一方の端部（即ち、ｙ方向側の端部）及び他方の端部（即ち、−ｙ方向側の端部）は、接着剤１７によりレンズマウント１１に接着される。また、シリンドリカルレンズ９の中央は、接着剤１９によりレンズマウント１１に接着される。

［製法］
続いて、第一実施形態の半導体レーザ光源装置１の製造方法について説明する。なお、半導体レーザアレイ３が図２に示すように湾曲する理由、及び、シリンドリカルレンズ９が図４に示すように湾曲する理由についても併せて説明する。

＜ステップ１〜７＞
初めに半導体レーザアレイ３とサブマウント５を準備する（ステップ１）。続いて、サブマウント５の上面にハンダ層４を載置する（ステップ２）。続いて、ハンダ層４の上面に半導体レーザアレイ３を載置する（ステップ３）。続いて、ハンダ層４を加熱して溶融後、冷却することで半導体レーザアレイ３及びサブマウント５を接合する（ステップ４）。続いて、ヒートシンク７の上面にハンダ層６を載置する（ステップ５）。続いて、半導体レーザアレイ３が接合されたサブマウント５をハンダ層６の上面に載置する（ステップ６）。続いて、ハンダ層６を加熱して溶融後、冷却することで半導体レーザアレイ３が接合されたサブマウント５及びヒートシンク７を接合する。（ステップ７）。なお、ステップ１が工程（ａ）及び工程（ｃ）に対応する。また、ステップ２が工程（ｂ）に対応し、ステップ３及びステップ４が工程（ｄ）に対応する。

ここで、半導体レーザアレイ３が図２に示すように湾曲する理由について説明する。ステップ４において、ハンダ層４の加熱／冷却に伴い半導体レーザアレイ３及びサブマウント５も併せて加熱／冷却される。即ち、半導体レーザアレイ３及びサブマウント５もハンダ層４と同様に、加熱により膨張し、冷却により収縮する。ここで、半導体レーザアレイ３及びサブマウント５は、異なる材料によって構成されている。そのため、半導体レーザアレイ３を構成する材料の熱膨張係数、及び、サブマウント５を構成する材料の熱膨張係数は相違する。一例として、半導体レーザアレイ３はＧａＡｓにより構成され、サブマウント５はＡｌＮにより構成されている。また、ＧａＡｓの熱膨張係数は６．６×１０^−６／Ｋであり、ＡｌＮの熱膨張係数は４．６×１０^−６／Ｋである。このように、半導体レーザアレイ３の熱膨張係数は、サブマウント５の熱膨張係数に比べて大きい。そのため、半導体レーザアレイ３がサブマウント５に比べて大きく収縮する結果、図２に示すようにサブマウント５に向かう方向（即ち、−ｘ方向）に突き出すように湾曲する。

＜ステップ８、９＞
半導体レーザ光源装置１の製造方法の説明に戻る。ステップ７を終了後、シリンドリカルレンズ９を準備する（ステップ８）。ステップ８において準備されるシリンドリカルレンズ９は、図６に示すように、湾曲しておらず、ｙ方向に延伸している。続いて、レンズマウント１１を準備する（ステップ９）。なお、ステップ９において、次のような要件を満たすレンズマウント１１を準備する。即ち、シリンドリカルレンズ９に、半導体レーザアレイ３の各エミッタ３１から射出されるレーザ光が入射可能となるように、高さ（ｘ方向の長さ）が調整されたレンズマウント１１を準備する。なお、ステップ８が工程（ｅ）に対応し、ステップ９が工程（ｆ）に対応する。

＜ステップ１０＞
続いて、レンズマウント１１の上面に接着剤１７及び接着剤１９を載置する（ステップ１０）。ステップ１０において、接着剤１７は、接着剤１９を介して向かい合うようにレンズマウント１１の上面に載置される。また、接着剤１７及び接着剤１９は、接着剤１９がシリンドリカルレンズ９の中央に接し、接着剤１７がシリンドリカルレンズ９の端部が接するように載置される。なお、ステップ１０が工程（ｇ）に対応する。

＜ステップ１１、１２＞
続いて、シリンドリカルレンズ９の中央が接着剤１９に接し、端部が接着剤１７に接するように、シリンドリカルレンズ９を載置する（ステップ１１）。続いて、接着剤１７及び接着剤１９を硬化することで、シリンドリカルレンズ９及びレンズマウント１１を接着する（ステップ１２）。接着剤１７及び接着剤１９が光硬化型の接着剤である場合には、ステップ１２において当該接着剤に光を照射する。また、接着剤１７及び接着剤１９が熱硬化型の接着剤である場合には、ステップ１２において当該接着剤を加熱する。シリンドリカルレンズ９は、ステップ１２によりレンズマウント１１に接着されると、図４に示すように湾曲する。なお、ステップ１１が工程（ｈ１）に対応し、ステップ１２が工程（ｈ２）に対応する。

続いて、シリンドリカルレンズ９が図４に示すように湾曲する理由について説明する。上記のように、シリンドリカルレンズ９の中央は、接着剤１９に接し、シリンドリカルレンズ９の端部は接着剤１７に接する。また、接着剤１９を構成する材料の収縮率は、接着剤１７を構成する材料の収縮率に比べて大きい。そのため、シリンドリカルレンズ９の中央は接着剤１９の硬化に伴い大きく収縮し、端部は接着剤１７の硬化に伴い小さく収縮する結果、シリンドリカルレンズ９は、レンズマウント１１に向かう方向（即ち、−ｘ方向）に突き出すように湾曲する（図４参照）。

（第二実施形態）
［構成］
続いて、第二実施形態の半導体レーザ光源装置について説明する。第二実施形態の半導体レーザ光源装置は、第一実施形態の半導体レーザ光源装置１と、レンズマウントの構成及び当該レンズマウントにシリンドリカルレンズを接着する方法が異なり、他の構成は同様である。以下、第二実施形態が第一実施形態と相違する点について図７を参照して説明する。

第二実施形態の半導体レーザ光源装置は、レンズマウント１１に代わり、図７（ａ）に示すレンズマウント２１を備える。図７（ａ）は、レンズマウント２１を−ｚ方向（図１参照）にみたときの模式図である。レンズマウント２１には、底面２２を含む凹部２３が形成されている。

図７（ｂ）は、第二実施形態の半導体レーザ光源装置を−ｚ方向（図１参照）にみたときの模式的な図である。なお、説明の便宜上、半導体レーザアレイ３、ハンダ層４、サブマウント５、ハンダ層６、及びヒートシンク７の図示を省略している。図７（ｂ）に示すように、レンズマウント２１の凹部２３の底面２２には、接着剤２４が載置されている。

レンズマウント２１は、接着剤２４によりシリンドリカルレンズ９と接着される。接着剤２４は、第一実施形態における接着剤１７及び接着剤１９と同様に、光照射又は加熱により硬化する接着剤である。また、接着剤２４は硬化すると収縮する。図７（ｂ）に示すように、シリンドリカルレンズ９の中央及びレンズマウント２１の間には接着剤２４が介在し、シリンドリカルレンズ９の端部及びレンズマウント２１の間には接着剤２４が介在しない。

［製法］
続いて、第二実施形態の半導体レーザ光源装置の製造方法について説明する。

＜ステップ１〜７＞
まず、第一実施形態の半導体レーザ光源装置１の製造方法におけるＳ１〜Ｓ７までの工程を行う。詳細は第一実施形態にて記載の通りであるため説明を省略する。

＜ステップ８、９＞
ステップ７を終了後、シリンドリカルレンズ９を準備する（ステップ８）。第一実施形態と同様に、ステップ８において準備されるシリンドリカルレンズ９は、湾曲しておらず、ｙ方向に延伸している（図６参照）。続いて、レンズマウント２１を準備する（ステップ９）。なおステップ９において、第一実施形態と同様に、シリンドリカルレンズ９に半導体レーザアレイ３の各エミッタ３１から射出されるレーザ光が入射可能となるように、高さ（ｘ方向の長さ）が調整されたレンズマウント２１を準備する。なお、ステップ８が工程（ｅ）に対応し、ステップ９が工程（ｉ）に対応する。

＜ステップ１０〜１２＞
続いて、レンズマウント２１の凹部２３の底面２２に接着剤２４を載置する（ステップ１０）。続いて、シリンドリカルレンズ９を接着剤２４の上面に載置する（ステップ１１）具体的には、シリンドリカルレンズ９の中央が接着剤２４に接するように載置する。続いて、接着剤２４を光照射または加熱により硬化することで、シリンドリカルレンズ９及びレンズマウント２１を接着する（ステップ１２）。なお、ステップ１０が工程（ｊ）に対応し、ステップ１１が工程（ｋ１）に対応し、ステップ１２が工程（ｋ２）に対応する。

なおシリンドリカルレンズ９は、ステップ１２によりレンズマウント２１に接着されると、図７（ｂ）に示すように湾曲する。上記のように、シリンドリカルレンズ９の中央は接着剤２４に接するが、シリンドリカルレンズ９の端部は接着剤２４に接しない。そのため、シリンドリカルレンズ９の中央が接着剤２４の硬化に伴い収縮する結果、シリンドリカルレンズ９は、レンズマウント１１に向かう方向（即ち、−ｘ方向）に向かって突き出すように湾曲する。

（第三実施形態）
［構成］
続いて、第三実施形態の半導体レーザ光源装置について説明する。第三実施形態の半導体レーザ光源装置は、第一実施形態の半導体レーザ光源装置１と、シリンドリカルレンズ、及び、当該シリンドリカルレンズをレンズマウントに接着する方法が異なり、他の構成は同様である。以下、第三実施形態が第一実施形態と相違する点について図８を参照して説明する。

第三実施形態の半導体レーザ光源装置は、シリンドリカルレンズ９に代わり、図８（ａ）に示すシリンドリカルレンズ２５を備える。図８（ａ）は、シリンドリカルレンズ２５を−ｚ方向（図１参照）にみたときの模式図である。シリンドリカルレンズ２５は、−ｘ方向に突き出すように湾曲している。即ち、シリンドリカルレンズ２５は後述のレンズマウント２９に接着される前の段階から湾曲している。

図８（ｂ）は、第三実施形態の半導体レーザ光源装置を−ｚ方向（図１参照）にみたときの模式的な図である。なお、説明の便宜上、半導体レーザアレイ３、ハンダ層４、サブマウント５、ハンダ層６、及びヒートシンク７の図示を省略している。図８（ｂ）に示すように、湾曲したシリンドリカルレンズ２５は、接着剤２７によりレンズマウント２９と接着される。なお、シリンドリカルレンズ２５の端部及びレンズマウント２９の間には接着剤２７が介在し、シリンドリカルレンズ２５の中央及びレンズマウント２９の間には接着剤２７が介在しない。

［製法］
続いて、第三実施形態の半導体レーザ光源装置の製造方法について説明する。

＜ステップ１〜７＞
まず、第一実施形態の半導体レーザ光源装置１の製造方法におけるＳ１〜Ｓ７までの工程を行う。詳細は第一実施形態にて記載の通りであるため説明を省略する。

＜ステップ８、９＞
ステップ７を終了後、シリンドリカルレンズ２５を準備する（ステップ８）。ステップ８において準備されるシリンドリカルレンズ２５は、第一実施形態のシリンドリカルレンズ９と異なり、図８（ａ）に示すように−ｘ方向に突き出すように湾曲している。続いて、レンズマウント２９を準備する（ステップ９）。なおステップ９において、第一実施形態と同様に、シリンドリカルレンズ２５に半導体レーザアレイ３の各エミッタ３１から射出されるレーザ光が入射可能となるように、高さ（ｘ方向の長さ）が調整されたレンズマウント２９を準備する。

＜ステップ１０〜１２＞
続いて、レンズマウント２９の上面に接着剤２７を載置する（ステップ１０）。具体的には、接着剤２７がシリンドリカルレンズ２９の一方の端部（即ち、ｙ方向側の端部）及び他方の端部（即ち、−ｙ方向側の端部）に接するように載置する。続いて、シリンドリカルレンズ２５を接着剤２７の上面に載置する（ステップ１１）。具体的には、シリンドリカルレンズ２５の端部が接着剤２７に接するように載置する。続いて、接着剤２７を光照射または加熱により硬化することで、シリンドリカルレンズ２５及びレンズマウント２７を接着する（ステップ１２）。

（作用効果）
続いて、実施形態の半導体レーザ光源装置による作用効果について説明する。まず初めに比較例の半導体レーザ光源装置の構成、及び比較例の半導体レーザ光源装置に生じた問題について説明する。

比較例の半導体レーザ光源装置は、実施形態の半導体レーザ光源装置と、シリンドリカルレンズが湾曲せずに延伸している点で異なり、他の構成は同様である。即ち、比較例の半導体レーザ光源装置では、半導体レーザアレイは湾曲するのに対し、シリンドリカルレンズは湾曲しない。

図９に比較例の半導体レーザ光源装置を−ｚ方向（図１参照）にみたときの模式図を示す。なお図９では、説明の便宜上、半導体レーザアレイ３、ハンダ層４、サブマウント５、ハンダ層６、及びヒートシンク７の図示を省略している。図９に示すように、シリンドリカルレンズ１０１及びレンズマウント１０５は、接着剤１０３により接着されている。シリンドリカルレンズ１０１は、複数のレンズ領域１０２からなる。シリンドリカルレンズ１０１は、半導体レーザアレイ３に含まれるエミッタ３１と同数のレンズ領域１０２を含む。

なお、接着剤１０３は、シリンドリカルレンズ１０１の下面全体に接するように載置される。そのため、シリンドリカルレンズ１０１は、接着剤１０３の硬化に伴い均一に収縮する。その結果、シリンドリカルレンズ１０１はレンズマウント１０５に接着後においても湾曲していない。

本発明者は、比較例の半導体レーザ光源装置をＰＩＶの光源に使用すると、レーザシートＬＳの厚みが拡大し、ＰＩＶの計測結果の精度が低下することを確認した。本発明者は、比較例の半導体レーザ光源装置によるとレーザシートＬＳの厚みが拡大する原因を次のように考察している。以下、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を参照して具体的に説明する。

図１０（ａ）は、比較例の半導体レーザ光源装置を、半導体レーザアレイ３の中央のエミッタ３１ａを通過するように、ｚ方向に平行に切断したときの模式的な断面図である。図１０（ａ）に示すように、中央のエミッタ３１ａから射出されるレーザ光Ｌは、対向するレンズ領域１０２により、平行光ＬＰに変換される。また、変換後の平行光ＬＰは、レンズ領域１０２の光軸ＯＡに平行である。これは、中央のエミッタ３１ａ及びレンズ領域１０２の中心Ｏが、ｘ方向に関して同じ位置に存在するためである。なお、光軸とは、レンズ領域１０２の中心Ｏ及びレンズ領域１０２の焦点ｆを結んだ直線である。

図１０（ｂ）は、比較例の半導体レーザ光源装置を、半導体レーザアレイ３の端部のエミッタ３１ｂを通過するように、ｚ方向に平行に切断したときの模式的な断面図である。図１０（ｂ）に示すように、端部のエミッタ３１ｂから射出されるレーザ光Ｌは、対向するレンズ領域１０２により、平行光ＬＰに変換される。しかし、変換後の平行光ＬＰは、レンズ領域１０２の光軸ＯＡに対し角度θ１をなして進行する。これは、半導体レーザアレイ３が湾曲するのに対し、シリンドリカルレンズ１０１が湾曲しない結果、端部のエミッタ３１ｂがレンズ領域１０２の中心Ｏに対して、ｘ方向側にｄ１だけずれた位置に存在するためである。

なお、図示を省略するが、中央のエミッタ３１ａ及び端部のエミッタ３１ｂの間にある他のエミッタ３１（以下、他のエミッタ３１と呼ぶ）も同様に、対向するレンズ領域１０２の中心Ｏに対して、ｘ方向側にずれた位置に存在している。即ち、他のエミッタ３１において、レンズ領域１０２により変換後の平行光ＬＰは、レンズ領域１０２の光軸ＯＡに対し所定の角度をなして進行する。なお、エミッタ３１の位置が中央のエミッタ３１ａに近いほど、変換後の平行光ＬＰとレンズ領域１０２の光軸ＯＡとがなす角は小さい。

以上のように、比較例の半導体レーザ光源装置では、各レンズ領域から射出される平行光ＬＰは、それぞれ非平行に進行する。そのため、比較例の半導体レーザ光源装置において、各レンズ領域１０２から射出される平行光ＬＰが重なり合うと、光はｘ方向に発散して進行する結果、レーザシートＬＳの厚みが拡大したものと考えられる。なお、それぞれ非平行に進行する複数の平行光ＬＰが重なり合う結果、光がｘ方向に発散することを、本明細書では「レーザシートＬＳの厚みが拡大する」と表現している。

これに対し本発明者は、実施形態の半導体レーザ光源装置によれば、各レンズ領域９１から射出される平行光ＬＰが重なり合っても、光がｘ方向に発散することなく一定の厚みを有して進行することを確認した。即ち、実施形態の半導体レーザ光源装置によれば、レーザシートＬＳの厚みが拡大することを抑制できることを確認できた。具体的に、図１１を参照して説明する。

図１１は、実施形態の半導体レーザ光源装置を、半導体レーザアレイ３の端部のエミッタ３１ｂを通過するように、ｚ方向に平行に切断したときの模式的な断面図である。図１１に示すように、端部のエミッタ３１ｂから射出されるレーザ光Ｌは、レンズ領域９１により、平行光ＬＰに変換される。さらに当該平行光ＬＰは、レンズ領域９１の光軸ＯＡに平行である。実施形態の半導体レーザ光源装置では、シリンドリカルレンズ９、２５が半導体レーザアレイ３と同様に湾曲するため（図４、図７（ｂ）、図８（ｂ）参照）、端部のエミッタ３１ｂ及びレンズ領域９１の中心Ｏが、ｘ方向に関して同じ位置に存在するためである（図１１参照）。

なお、図示を省略するが他のエミッタ３１においても同様に、エミッタ３１及びレンズ領域９１の中心Ｏが、ｘ方向に関して同じ位置に存在している。その結果、他のエミッタ３１に対向するレンズ領域９１から射出される平行光ＬＰは、当該レンズ領域９１の光軸ＯＡに平行となっている。

このように、実施形態の半導体レーザ光源装置によれば、各レンズ領域９１は、対向するエミッタ３１から射出されるレーザ光Ｌを、当該レンズ領域９１の光軸ＯＡに平行な平行光ＬＰに変換することができる。その結果、平行光ＬＰが重なり合っても、ｘ方向に発散することなく、一定の厚みを有するレーザシートＬＳを形成することができる。即ち、実施形態の半導体レーザ光源装置によれば、レーザシートＬＳの厚みが拡大することを抑制できる結果、ＰＩＶの計測結果の精度が低下することを抑制できる。

（検証）
続いて、本発明者が行った検証結果を示す。本発明者は、比較例の半導体レーザ光源装置及び実施形態の半導体レーザ光源装置を使用して、エミッタ３１から１ｍ離れた流体を照射する検証を行った。なお、シリンドリカルレンズ９は、焦点距離が１ｍｍのレンズを用いた。

半導体レーザアレイ３を、ハンダ層４によりサブマウント５に接合すると、半導体レーザアレイ３が図２に示すように湾曲した結果、端部のエミッタ３１ｂが、中央のエミッタ３１ａに対し、１０μｍだけｘ方向側にずれた。

比較例の半導体レーザ光源装置を使用した場合、半導体レーザアレイ３から１ｍ離れた場所において、光のｘ方向の厚みは１０ｍｍであった。これに対し、実施形態の半導体レーザ光源装置を使用した場合、半導体レーザアレイ３から１ｍ離れた場所において、光のｘ方向の厚みは１ｍｍとなった。

ＰＩＶにおいて、レーザシートＬＳの厚みは１〜２ｍｍの範囲であることが望ましい。実施形態の半導体レーザ光源装置によれば、ＰＩＶにおいて要求される厚みのレーザシートＬＳを形成できる。

（別実施形態）
なお、半導体レーザ光源装置は、上記の実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、以下の別実施形態に係る構成を任意に選択して、上記の実施形態に係る構成に採用してもよいことは勿論である。

〈１〉実施形態の半導体レーザ光源装置では、図１１に示すように、端部のエミッタ３１ｂ及びレンズ領域９１の中心Ｏが、ｘ方向に関して同じ位置に存在すると説明したが、これに限らない。例えば、図１２に示すように、端部のエミッタ３１ｂが、レンズ領域９１の中心Ｏに対して、ｘ方向側にずれた位置に存在しても構わない。

なお、図１２において、端部のエミッタ３１ｂ及びレンズ領域９１の中心Ｏの間のｘ方向におけるズレｄ２は、図１０（ｂ）に示すズレｄ１に比べて小さい。そのため、図１２において、平行光ＬＰと、レンズ領域９１の光軸ＯＡとがなす角θ２は、図１０（ｂ）に示す角θ１に比べて小さい。その結果、各レンズ領域９１から射出される平行光ＬＰが重なり合っても、光がｘ方向に発散することを抑制できる。即ち、比較例の半導体レーザ光源装置に比べて、光のｘ方向における発散角を小さくすることができる。以上のように、別実施形態の半導体レーザ光源装置によっても、レーザシートＬＳの厚みが拡大することを抑制できる。

〈２〉実施形態の半導体レーザ光源装置では、半導体レーザアレイ３及びシリンドリカルレンズ９、２５が−ｘ方向側に突き出すように湾曲すると説明したが（図２、図４、図７（ｂ）、図８（ｂ）参照）、半導体レーザアレイ３及びシリンドリカルレンズ９、２５は、ｘ方向側に突き出すように湾曲するものとしても構わない。

また、実施形態の半導体レーザ光源装置では、半導体レーザアレイ３は、図２に示すように、隣り合うエミッタ３１のｘ方向における位置が異なるように湾曲するが、これに限らない。例えば、半導体レーザアレイ３は、中央では湾曲し、端部ではｙ方向に平行に延伸した形状であっても構わない。同様に、シリンドリカルレンズ９、２５は、隣り合うレンズ領域の光軸ＯＡのｘ方向における位置が異なるように湾曲する形態に限られない。例えば、シリンドリカルレンズ９、２５は、中央では湾曲し、端部ではｙ方向に平行に延伸した形状であっても構わない。

以上をより一般的に言うと、半導体レーザアレイ３は、少なくとも２つのエミッタ３１のｘ方向における位置が異なるように湾曲すれば構わないし、シリンドリカルレンズ９、２５は、少なくとも２つのレンズ領域９１の光軸ＯＡのｘ方向における位置が異なるように湾曲すれば構わない。

〈３〉実施形態の半導体レーザ光源装置では、ｘ方向（速軸方向）において平行に変換するレンズとしてシリンドリカルレンズを使用したが、これに限らない。即ち、ｘ方向（速軸方向）において平行に変換するレンズであれば何れのレンズを使用しても構わない。例えば、ｘ方向（速軸方向）のみならず、ｙ方向（遅軸方向）においても平行に変換するレンズを使用しても構わない。

〈４〉実施形態の半導体レーザ光源装置は、ＰＩＶの光源として使用されると説明したが、ＰＩＶに限らず、例えばシート状のレーザ光を照射する照明装置や、シート状のレーザ光を利用して物体の形状等を計測する計測装置にも使用可能である。

〈５〉また、実施形態の半導体レーザ光源装置の製造方法のステップ３及びステップ４において、半導体レーザアレイ３をハンダ層４の上面に載置した後に当該ハンダ層４を加熱する形態に限らない。即ち、半導体レーザアレイ３を載置する前にハンダ層４を加熱し、その後半導体レーザアレイ３を加熱後の当該ハンダ層４の上面に載置しても構わない。

〈６〉また、レーザ光Ｌは、ｘ方向に大きな発散角を有し、ｙ方向に小さな発散角を有して進行すると説明したが、これに限らない。即ちレーザ光Ｌは、ｘ方向及びｙ方向に同程度の発散角を有して進行しても構わない。またレーザ光Ｌは、ｘ方向に小さな発散角を有し、ｙ方向に大きな発散角を有して進行しても構わない。

１：実施形態の半導体レーザ光源装置
３：半導体レーザアレイ
４、６：ハンダ層
５：サブマウント
７：ヒートシンク
９：シリンドリカルレンズ
１１：第一実施形態のレンズマウント
２１：第二実施形態のレンズマウント
２２：底面
２３：凹部
２５：第三実施形態のシリンドリカルレンズ
２９：第三実施形態のレンズマウント
３０：側面
３１：エミッタ
３１ａ：中央のエミッタ
３１ｂ：端部のエミッタ
１７、１９、２４、２７：接着剤
９１：レンズ領域
Ｌ：レーザ光
ＬＰ：平行光
ＬＳ：レーザシート
Ｏ：レンズ領域の中心
ＯＡ：光軸
ｄ１：比較例における端部のエミッタとレンズ領域の中心との距離
ｄ２：別実施形態における端部のエミッタとレンズ領域の中心との距離

Claims (6)

1. サブマウントと、
   前記サブマウントの上面に載置されるハンダ層と、
   第一の方向に並ぶ複数のエミッタを含み、前記ハンダ層により前記サブマウントと接合され、前記サブマウントよりも熱膨張係数が大きい材料からなる半導体レーザアレイと、
   複数の前記エミッタから射出されるレーザ光を、前記第一の方向に直交し、且つ、前記サブマウントの前記上面に垂直な第二の方向において、平行に変換するレンズと、を有し、
   前記レンズは、前記エミッタごとに、当該エミッタから射出される前記レーザ光を前記第二の方向において平行に変換するレンズ領域を含み、
   少なくとも二つの前記レンズ領域の光軸が、前記第二の方向においてずれており、
   前記半導体レーザアレイは、前記第一の方向及び前記第二の方向に直交する第三の方向からみたとき、端部から中央に向かうほど前記サブマウントに接近するように湾曲し、
   前記レンズは、前記第三の方向からみたとき、端部から中央に向かうほど前記レンズ領域の光軸が前記サブマウント側に位置するように湾曲し、
   上面に第一接着剤と、前記第一接着剤に比べて収縮率の大きい材料によって構成される第二接着剤とが載置され、前記第一接着剤及び前記第二接着剤により前記レンズと接着されるレンズマウントを有し、
   前記レンズの中央及び前記レンズマウントの間に前記第二接着剤が介在し、前記レンズの端部及び前記レンズマウントの間に前記第一接着剤が介在し、
   前記第二の方向に関して前記半導体レーザアレイの中央と端部との間のズレ量よりも、前記第二の方向に関して前記レンズの中央と端部とのズレ量が小さいことを特徴とする半導体レーザ光源装置。
2. 前記第一接着剤及び前記第二接着剤は、いずれも光硬化型の接着剤であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ光源装置。
3. 前記レンズは、シリンドリカルレンズであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ光源装置。
4. 前記半導体レーザアレイは、端面発光型の半導体レーザであり、
   前記第一の方向は遅軸方向であり、
   前記第二の方向は速軸方向であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ光源装置。
5. 請求項１に記載の半導体レーザ光源装置の製造方法であって、
   前記サブマウントを準備する工程（ａ）と、
   前記サブマウントの上面にハンダ層を載置する工程（ｂ）と、
   前記半導体レーザアレイを準備する工程（ｃ）と、
   前記ハンダ層により前記サブマウントに前記半導体レーザアレイを接合する工程（ｄ）と、
   前記レンズを準備する工程（ｅ）と、
   前記レンズマウントを準備する工程（ｆ）と、
   前記レンズマウントに、前記第一接着剤及び前記第二接着剤を載置する工程（ｇ）と、
   前記第一接着剤及び前記第二接着剤により前記レンズマウントに前記レンズを接着する工程（ｈ）と、を有し、
   前記工程（ｇ）は、前記第二接着剤が前記レンズの中央に接し、前記第一接着剤が前記レンズの端部に接するように載置する工程であり、
   前記工程（ｈ）は、
   前記レンズの中央が前記第二接着剤に接し、前記レンズの端部が前記第一接着剤に接するように、前記レンズを載置する工程（ｈ１）と、
   前記第一接着剤及び前記第二接着剤を硬化する工程（ｈ２）と、を含むことを特徴とする半導体レーザ光源装置の製造方法。
6. 前記第一接着剤及び前記第二接着剤は、いずれも光硬化型の接着剤であり、
   前記工程（ｈ２）は、光を照射することで前記第一接着剤及び前記第二接着剤を硬化する工程であることを特徴とする、請求項５に記載の半導体レーザ光源装置の製造方法。

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