JP6658051B2 - ウエハの検査装置、ウエハの検査方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第2の目的は、ウエハの表面から裏面まで貫通したクラックを検出するウエハの検査方法を得ることである。
第3の目的は、ウエハの表面から裏面まで貫通したクラックを検出するウエハの検査方法を用いた半導体装置の製造方法を得ることである。
図1は、本発明の実施の形態1におけるウエハの検査装置100の断面図である。ウエハの検査装置100は、ステージ14を備える。ステージ14は、上面が開放された筐体である。ステージ14の上面には、ウエハ10を保持するためのウエハ保持ステージ12が配置される。ここで、ウエハ10には検査対象である半導体装置が形成されている。ステージ14およびウエハ保持ステージ12は、ウエハ保持機構16を構成する。
図4は、実施の形態2におけるウエハの検査装置200の断面図である。本実施の形態では、ウエハの検査装置200は、圧力調整部230を備える。圧力調整部230は、ウエハ保持機構216およびウエハ10によって囲まれた空間18を加圧する。本実施の形態では、圧力調整部230は、空間18にガスを入れることで加圧を行う。この時、空間18の圧力はウエハ10の厚さに応じて調整する。本実施の形態では、加圧前との差圧を0.5kPa以下に設定する。
図5は、実施の形態3におけるウエハの検査装置300の断面図である。ウエハの検査装置300は、圧力調整部230が温度調整部332に置き換わった以外は、ウエハの検査装置200と同様である。温度調整部332は、ウエハ10の温度を調整する。本実施の形態ではウエハ10を加熱することで、ウエハ10に応力を与える。これにより、クラックの隙間が広がる。従って、ウエハ10を加熱した状態で受光工程を実施することで、実施の形態2と同様に、潜在したクラックを検出することが出来る。
Claims (24)
- ウエハを保持するためのウエハ保持機構と、
前記ウエハに遮断され、前記ウエハの第1面から第2面までを貫通したクラックを通過する照射光を前記第1面に照射する光源と、
前記第2面側に設けられ、前記ウエハを通過した前記照射光を受光し、受光した前記照射光に応じた信号を発する受光部と、
を備え、
前記光源が発する光は赤外光を含み、
前記受光部は前記赤外光を撮像せず、前記赤外光の周波数には感度を有しないことを特徴とするウエハの検査装置。 - 前記照射光は、波長が1100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のウエハの検査装置。
- 前記照射光は、非赤外光であることを特徴とする請求項1に記載のウエハの検査装置。
- 前記受光部は、前記照射光の周波数に感度を有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のウエハの検査装置。
- 前記信号を用いて前記クラックの有無を判定する判定部を備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のウエハの検査装置。
- 前記信号は、前記ウエハを通過した前記照射光の輝度を示す信号を含み、
前記判定部は、前記輝度を閾値と比較することを特徴とする請求項5に記載のウエハの検査装置。 - 前記光源は、前記ウエハと前記ウエハ保持機構によって遮光された空間に配置されることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載のウエハの検査装置。
- 前記空間の圧力を調整する圧力調整部を備え、
前記ウエハ保持機構は、前記ウエハを吸着するための吸着機構を備えることを特徴とする請求項7に記載のウエハの検査装置。 - 前記圧力調整部は、前記空間を加圧することを特徴とする請求項8に記載のウエハの検査装置。
- 前記圧力調整部は、前記空間を減圧することを特徴とする請求項8に記載のウエハの検査装置。
- 前記ウエハを加熱する温度調整部を備えることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載のウエハの検査装置。
- 前記光源、前記ウエハ保持機構および前記受光部を外部空間から遮光するための筐体を備えることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載のウエハの検査装置。
- ウエハに遮断され、前記ウエハの第1面から第2面までを貫通したクラックを通過する照射光を赤外光とともに前記第1面に照射した状態で、前記第2面側に設けられた受光部によって前記ウエハを通過した前記照射光を受光する受光工程と、
前記受光部が発する、前記ウエハを通過した前記照射光に応じた信号から前記貫通したクラックの有無を判定する判定工程と、
を備え、
前記受光部は前記赤外光を撮像せず、前記赤外光の周波数には感度を有しないことを特徴とするウエハの検査方法。 - 前記照射光は、波長が1100nm以下であることを特徴とする請求項13に記載のウエハの検査方法。
- 前記照射光は、非赤外光であることを特徴とする請求項13に記載のウエハの検査方法。
- 前記受光部は、前記照射光の周波数に感度を有することを特徴とする請求項13〜15の何れか1項に記載のウエハの検査方法。
- 前記信号は、前記ウエハを通過した前記照射光の輝度を示す信号を含み、
前記判定工程は、前記輝度を閾値と比較する工程を含むことを特徴とする請求項13〜16の何れか1項に記載のウエハの検査方法。 - 前記照射光は、前記ウエハと、前記ウエハを保持するウエハ保持機構によって遮光された空間に配置された光源から発せられることを特徴とする請求項13〜17の何れか1項に記載のウエハの検査方法。
- 前記受光工程は、
前記ウエハ保持機構に前記ウエハを吸着する工程と、
前記空間の圧力を調整する圧力調整工程と、
を備えることを特徴とする請求項18に記載のウエハの検査方法。 - 前記圧力調整工程は、前記空間を加圧することを特徴とする請求項19に記載のウエハの検査方法。
- 前記圧力調整工程は、前記空間を減圧することを特徴とする請求項19に記載のウエハの検査方法。
- 前記受光工程は、前記ウエハを加熱する工程を備えることを特徴とする請求項13〜21の何れか1項に記載のウエハの検査方法。
- 前記受光工程は、前記照射光を発する光源、前記ウエハおよび前記受光部を外部空間から遮光する工程を含むことを特徴とする請求項13〜22の何れか1項に記載のウエハの検査方法。
- 請求項13〜23の何れか1項に記載のウエハの検査方法を実施する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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KR20100005754A (ko) * | 2008-07-08 | 2010-01-18 | 홍석기 | 광분할기를 이용한 실리콘 구조물의 검사 장치 및 검사방법. |
US8492721B2 (en) * | 2009-10-15 | 2013-07-23 | Camtek Ltd. | Systems and methods for near infra-red optical inspection |
DE102009050711A1 (de) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von Rissen in Halbleitersubstraten |
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KR101615117B1 (ko) * | 2014-07-23 | 2016-04-26 | 한국기계연구원 | 그래핀 결함 검출 장치 및 방법 |
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