TW201925757A - 寬頻晶圓缺陷偵測系統及寬頻晶圓缺陷偵測方法 - Google Patents

Abstract

本揭露提供了一種系統，包含：寬頻光源；具有面對寬頻光源之第一側的晶圓；設置以偵測自寬頻光源發射且由第一側反射之反射光之第一光感應器；設置以偵測反射自與晶圓之第一側相對的第二側之透射光之第二光感應器，其中透射光是源自於寬頻光源；以及設置以分析反射光與透射光以辨別晶圓缺陷之偵測模組。

Description

寬頻晶圓缺陷偵測

現代的組裝產線製造流程多已高度自動化，以操控材料與元件製造出產品。品質控管流程通常需仰賴人力技術、知識與專業以檢測製造中以及完成後之產品。

目前用於半導體元件的組裝產線流程運用需仰賴分散且針對不同形式晶圓缺陷而特製的感測器檢測技術。舉例來說，矽晶格破損缺陷(例如：裂縫)通常是利用x-ray偵測系統，而晶圓表面的刮痕通常是利用晶圓表面掃描系統偵測。不同的偵測系統通常無法互換且仰賴分散的發射光種類以及光感測器以偵測缺陷。除此之外，一般的缺陷偵測僅判定缺陷於沿著晶圓截面上的二維位置。此種檢測技術需要大量先進與昂貴的硬體，但仍無法產生滿意的結果。因此，傳統的檢測技術並無法完全符合檢測需求。

100、200、230、260‧‧‧寬頻晶圓缺陷偵測系統

102、202、232、272‧‧‧寬頻光源

104、204、236、270‧‧‧晶圓

106、206、234、264‧‧‧反射光感測器

108、208、238、268‧‧‧透射光感測器

110‧‧‧寬頻光輻射

112、502‧‧‧反射光

114、212、242、504‧‧‧透射光

210‧‧‧晶圓平台

240‧‧‧晶圓支架

244‧‧‧末端

262A、262B‧‧‧感測器軌道

274‧‧‧中心軸

276‧‧‧軌道

302‧‧‧偵測模組

304‧‧‧處理器

306‧‧‧電腦可讀之儲存模組

308‧‧‧網絡連接模組

310‧‧‧使用者介面模組

312‧‧‧控制器模組

400‧‧‧寬頻晶圓缺陷偵測流程

402、404、406、408、410‧‧‧步驟

為讓本揭露更明顯易懂，所附圖式將於下文中詳細說明。應瞭解到，這些圖式並非繪示各組件的實際尺寸。為了清楚表達這些實施例中各元件之間的連接關係，將於圖式中將元件尺寸增加或縮減。

第1圖為根據本揭露一些實施例之寬頻晶圓缺陷偵測系統之示意圖。

第2A圖為根據本揭露一些實施例中位於晶圓平台上之寬頻晶圓缺陷偵測系統之示意圖。

第2B圖為根據本揭露一些實施例中具有晶圓支架的寬頻晶圓缺陷偵測系統之示意圖。

第2C圖為根據本揭露一些實施例中具有感測器運動控制系統的寬頻晶圓缺陷偵測系統之示意圖。

第3圖為根據本揭露一些實施例之寬頻晶圓缺陷偵測系統的多種功能模組方塊圖。

第4圖為根據本揭露一些實施例之寬頻晶圓缺陷偵測流程之流程圖。

第5圖為根據本揭露一些實施例中反射光波長與透射光波長於能量及波長圖表中之示意圖。

以下將以圖式揭露複數個實施例，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說，在本揭露部分實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。並且，除非有其他表示，在不同圖式中相同之元件符號可視為相對應的組件。這些圖式之繪示是為了清楚表達這些實施例中各元件之間的連接關係，並非繪示各元 件的實際尺寸。

為讓本揭露更明顯易懂，標號以及/或是文字會於不同實施例中重複，然而其並非用於表示不同實施例間的關係。

空間相對詞彙，如『下方』、『下』、『上方』、『上』或與上述詞彙相似者，是用來描述附圖中所示的一元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對詞彙是用來描述裝置在附圖中所描述之方位以外的不同方位。例如，如果一附圖中的裝置被翻轉(旋轉90度或翻轉到其他方向)，元件將會被描述原為位於其它元件之『下』側將被定向為位於其他元件之『上』側。例示性的詞彙『下』，根據附圖的特定方位可以包含『下』和『上』兩種方位。

本揭露提出多種用於半導體元件製程中的寬頻晶圓缺陷偵測之實施例。晶圓可以是任意種類的半導體元件或材料，例如矽晶圓。寬頻晶圓缺陷偵測包含利用可發射寬頻光的寬頻光源。寬頻光可自晶圓反射也可穿透晶圓。自晶圓反射的寬頻光(例如：反射光)可由設置以偵測寬頻反射光的反射光感測器所偵測。穿透晶圓的寬頻光(例如：透射光)可由設置以偵測寬頻透射光的透射光感測器所偵測。反射光感測器與透射光感測器可設置以偵測不同頻段的光(例如：不同波長的光)。根據上述，單一的寬頻光源可提供至少兩種不同波長的光，以與檢測中的晶圓以不同方式產生交互作用。舉例來說，反射光感測器可設置以偵測波長自約400奈米(nm)至約700奈米(nm)的近紅外光，或者於一些實施例中為約500奈米(例如：0.5微米 (um))。此外，舉例來說，透射光感測器可設置以偵測波長自約1000奈米(nm)至約1400奈米(nm)的紅外光，或者於一些實施例中為約1.1微米(um)。反射光感測器可設置以收集用於偵測如沿著晶圓表面的刮痕等缺陷的反射光感測器資料。透射光感測器可設置以收集用於偵測如晶圓內的裂縫或晶格形變等缺陷的反射光感測器資料。缺陷至每一感測器的距離也可被收集以提供缺陷的深度資訊。

寬頻晶圓缺陷偵測系統可包含像是寬頻光源、晶圓平台、感測器(例如：透射光感測器與反射光感測器)以及偵測模組等組件。偵測模組可分析由感測器收集的資料以及/或是於寬頻晶圓缺陷偵測執行時控制不同組件。如同後續將討論的，偵測模組可包含至少一處理器以及電腦可讀取的儲存區，用以分析感測器所收集的資料以及推斷晶圓缺陷。於一些實施例中，偵測模組可即時分析感測器所收集的資料並控制感測器去得到更細部的感測器資料(例如：需要特定的感測器控制才能獲得的感測器資料，像是控制感測器聚焦於檢測中的晶圓的特定部位以收集更多細部的感測器資料)。於一些實施例中，偵測模組可分析由感測器收集、而並非於感測器收集資料時便已即時分析的感測器資料。

於不同實施例中，三維感測器資料可針對晶圓缺陷而收集，像是內部裂縫(例如：晶格形變)的位置資訊(例如：沿著X軸或Y軸)或是檢測中的晶圓表面的刮痕，以及晶圓缺陷所在的深度(例如：沿著Z軸)。舉例來說，位置資料(例如：沿著X軸或Y軸)可收集自一晶圓的二維影像(無論是從反射光或 是透射光)。接著，深度資訊可藉由像是孔徑成像技術或是立體成像技術的深度影像技術而收集到。孔徑成像技術可包含調整感測器視野深度以判定缺陷至感測器的距離。舉例來說，在執行孔徑成像技術時，具有特定焦距的感測器可調整覆蓋感測器的孔徑以判定何種孔徑大小可得到聚焦的晶圓缺陷感測器資料。再舉另一例，位置與深度資訊也可藉由立體成像技術，利用兩者或更多於空間上分散的感測器(例如：兩者或更多透射光感測器以及/或是兩者或更多反射光感測器)來收集。於立體成像技術中，可比較來自兩者或更多於空間上分散的感測器資料，並從兩者或更多於空間上分散的感測器資料間的差異擷取深度資訊。於一些實施例中，可利用傳統的孔徑成像技術以及/或是立體成像技術，但可被調整以適用於寬頻晶圓缺陷偵測。集結的三維感測器資料，加上缺陷相對於其他缺陷以及相對於晶圓之方向的三維資訊，可作為晶圓缺陷的三維分布圖。

於不同實施例中，寬頻光源可為任意產生寬頻光的光源。寬頻光可包含反射光以及透射光。反射光可以是由檢測中的晶圓所反射的任意波長的光。透射光可以是透過檢測中的晶圓的任意波長的光。以另一方式描述，反射光可以是在穿透檢測中的晶圓到某個深度後才被反射。相對地，透射光可穿透整個檢測中的晶圓。舉例來說，反射光可包含波長自約400奈米(nm)至約700奈米(nm)的近紅外光，或者於一些實施例中為約500奈米(例如：0.5微米(um))。此外，透射光可包含波長自約1000奈米(nm)至約1400奈米(nm)的紅外光，或者於一些實施例中為約1.1微米。於一些實施例中，反射光感測器可以 是設置以偵測反射光的任意形式的光感測器。此外，透射光感測器可以是設置以偵測透射光的任意形式的光感測器。於一些實施例中，晶圓台可以是設置以將晶圓相對於寬頻光源與感測器定位的任意形式之支柱、平台、支撐架或是連接器。

第1圖為根據本揭露一些實施例之寬頻晶圓缺陷偵測系統100之示意圖。寬頻晶圓缺陷偵測系統100可包含一寬頻光源102、一檢測中的晶圓104、一反射光感測器106以及一透射光感測器108。寬頻晶圓缺陷偵測系統100也可包含一偵測模組(圖未示)，雖未明確繪示偵測模組與各個圖中所繪示的組件間的相對關係，然而其將進一步與第3圖及後述內容連接。每個繪示出的反射光感測器106以及透射光感測器108可代表依據需求而使用於不同實施例之應用中的至少一反射光感測器106以及/或是至少一透射光感測器108。舉例來說，至少兩反射光感測器106以及至少兩透射光感測器108可被利用於執行如上述之立體成像技術。

寬頻晶圓缺陷偵測系統100可產生寬頻光輻射110。部分之寬頻光輻射110可被晶圓104反射且被反射光感測器106偵測為反射光112。此外，部分之寬頻光輻射110可通過晶圓104且被透射光感測器108偵測為透射光114。為了簡化圖示，光輻射被繪示為光束110、112以及114。除此之外，為了簡化圖示，光束110、112以及114的折射光並未特地繪示為穿透不同介質的光輻射(例如：進入晶圓104或是離開晶圓104)。

第2A圖為根據本揭露一些實施例中位於晶圓平台上之寬頻晶圓缺陷偵測系統200之示意圖。如同先前介紹 的，晶圓平台可以是一種可靜置晶圓或是將晶圓於寬頻晶圓缺陷偵測時固定住的晶圓台。寬頻晶圓缺陷偵測系統100可包含一寬頻光源202、一檢測中的晶圓204、一反射光感測器206以及一透射光感測器208。一晶圓平台210可用於支撐晶圓204。晶圓平台210可由透明材料所製成，使通過晶圓204的透射光212也通過晶圓平台210。根據上述，透射光感測器208可偵測通過晶圓204以及晶圓平台210的透射光212。除此之外，晶圓平台210可被控制以相對於寬頻光源202、反射光感測器206或是透射光感測器208移動。舉例來說，當寬頻光源202、反射光感測器206或是透射光感測器208維持不動時，可使晶圓平台210旋轉。

第2B圖為根據本揭露一些實施例中具有晶圓支架的寬頻晶圓缺陷偵測系統230之示意圖。寬頻晶圓缺陷偵測系統230可包含一寬頻光源232、一檢測中的晶圓236、一反射光感測器234以及一透射光感測器238。晶圓236可由晶圓支架240支撐住。晶圓支架240可以是無需使透射光242通過以抵達透射光感測器238的晶圓平台。舉例來說，晶圓支架240可藉由卡固晶圓236之一末端244(例如：位於晶圓236邊緣的一側，像是圓形晶圓236的外緣)以固定晶圓236。於一些實施例中，相對於圍繞圓形晶圓236的整個外圍，晶圓支架240可藉由僅藉由卡固晶圓236的特定位置以固定晶圓236。也就是說，透射光感測器238可偵測通過晶圓236且未被晶圓支架240干擾的透射光242。除此之外，晶圓支架240可被控制以相對於寬頻光源232、反射光感測器234或是透射光感測器238移 動。舉例來說，當寬頻光源232、反射光感測器234或是透射光感測器238維持不動時，可使晶圓支架240旋轉。

第2C圖為根據本揭露一些實施例之具有感測器以及/或是寬頻光源之運動控制系統的寬頻晶圓缺陷偵測系統260之示意圖。感測器以及/或是寬頻光源之運動控制系統可相對於其他寬頻晶圓缺陷偵測系統260之組件去移動感測器以及/或是寬頻光源。舉例來說，感測器軌道262A、262B可移動至少一反射光感測器264以及/或是至少一透射光感測器268。運動控制系統可相對於晶圓270、另一感測器以及/或是寬頻光源272中至少一者去移動每一個感測器。舉例來說，透射光感測器268可相對於晶圓270、反射光感測器264以及/或是寬頻光源272中至少一者而移動。同樣地，反射光感測器264可相對於晶圓270、透射光感測器268以及/或是寬頻光源272中至少一者而移動。此外，於一些實施例中，運動控制系統(例如：軌道276)可控制寬頻光源272。也就是說，寬頻光源272可相對於晶圓270、透射光感測器268以及反射光感測器264中至少一者而移動。於一些實施例中，當運動控制系統控制一感測器以及/或是寬頻光源272時，可藉由繞著一通過晶圓270中心的中心軸274旋轉晶圓270而移動晶圓270。舉例來說，當感測器沿著軌道262A、262B移動或是寬頻光源272沿著軌道276移動時，可旋轉晶圓270。

第3圖為根據本揭露一些實施例之寬頻晶圓缺陷偵測系統的多種功能模組方塊圖。偵測模組302可包含一處理器304。於其他實施例中，實施中的處理器304可為一個或更 多個處理器。

處理器304可有效連接一電腦可讀之儲存模組306(例如：記憶體以及/或是資料儲存)、一網絡連接模組308、一使用者介面模組310、一控制器模組312以及一感測器模組。於一些實施例中，電腦可讀之儲存模組306可包含使處理器304執行多種此處討論的流程的寬頻晶圓缺陷偵測邏輯。電腦可讀之儲存模組306也可儲存資料，像是感測器所收集的資料(例如：藉由至少一透射光感測器以及/或是至少一反射光感測器)、缺陷資訊(例如：缺陷位置、特定晶圓的缺陷數量、以及/或是晶圓缺陷的三維分布圖)、缺陷的識別碼、缺陷種類的識別碼、半導體平台的識別碼、寬頻光源的識別碼、感測器的識別碼以及任意其他可用以執行此處討論的不同流程的參數或資訊。

網絡連接模組308可促進寬頻晶圓缺陷偵測系統與其他可與偵測模組302進行內部或外部溝通之裝置間的網絡連接。於一些實施例中，網絡連接模組308可促進物理連接，像是鐵路或公車。於一些其他實施例中，網絡連接模組308可促進無線連接，像是藉由使用發射器、接收器以及/或是收發器以達成無線區域網路。

偵測模組302也可包含使用者介面模組310。使用者介面模組310可包含任意形式的介面，用於輸入以及/或是輸出至一寬頻晶圓缺陷偵測系統的操作者，包含一監控器、一筆記型電腦、一平板或是一行動裝置，但不限制於此。

偵測模組302也可包含控制器模組312。控制器模 組312可設置以控制多種用於控制上述之感測器、寬頻光源以及/或是晶圓平台之運動的物理性裝置。舉例來說，控制器模組312可藉由控制可移動感測器、晶圓平台或是寬頻光源缺陷偵測系統之寬頻光源中至少一者之馬達以控制運動控制系統。控制器模組312可由處理器304控制且可實現如下所述之多種層面的寬頻光源缺陷偵測流程。

第4圖為根據本揭露一些實施例之寬頻晶圓缺陷偵測流程400之流程圖。寬頻晶圓缺陷偵測流程可由上述討論之寬頻晶圓缺陷偵測系統執行。流程400僅為示例，並非用以限定本揭露。根據上述，應當理解到，額外的操作步驟可提供於第4圖中的流程400之前、之中以及之後，一些步驟可省略，一些步驟可與其他步驟一起執行，且一些其他操作步驟僅簡短描述。

於步驟402中，晶圓可裝載至寬頻晶圓缺陷偵測流程晶圓台上。晶圓可為任意形式之半導體元件，像是矽晶圓，以執行寬頻晶圓缺陷偵測。晶圓可由使透射光及反射光皆可由感測器偵測到的材料所組成。

於步驟404中，寬頻光源缺陷偵測系統的多種組件可因寬頻晶圓缺陷偵測而定位。舉例來說，寬頻光源、至少一透射光感測器、一反射光感測器以及晶圓可相對於彼此定位以執行寬頻晶圓缺陷偵測。舉例來說，晶圓可相對於寬頻光源缺陷偵測系統的其他組件而定位，以使得每一感測器可擷取用於判斷晶圓內至少一晶圓缺陷的感測器資料。可選擇地，於一些實施例中，寬頻光源缺陷偵測系統的組件可於初次的感測器 資料收集後定位，以收集更精確的感測器資料(例如：聚焦於晶圓特定區域的感測器資料)。

於步驟406中，可暴露寬頻光源於系統中。於一些實施例中，照射寬頻光源可執行於步驟404前(例如：定位寬頻光源缺陷偵測系統的組件)。寬頻光源可發射包含反射光及透射光的寬頻光。如上所述，自晶圓反射的寬頻光(例如：反射光)可由設置以偵測反射的寬頻光之反射光感測器所偵測。穿透晶圓的寬頻光(例如：透射光)可由設置以偵測透射的寬頻光之透射光感測器所偵測。反射光及透射光可為不同頻段的光(例如：不同波長的光)且與晶圓以不同方式產生交互作用。舉例來說，反射光可為波長自約400奈米(nm)至約700奈米(nm)的近紅外光，或者於一些實施例中為約500奈米(例如：0.5微米(um))。此外，透射光可包含波長自約1000奈米(nm)至約1400奈米(nm)的紅外光，或者於一些實施例中為約1.1微米。雖然上述僅討論單一寬頻光源，仍可依據不同實施例中之不同應用的設計需求而使用多個寬頻光源。舉例來說，於一些實施例中，為了使晶圓的光照均勻，可使用多於一個的寬頻光源。於一些實施例中，一寬頻光源可包含多個光源，其組合包含反射光與透射光，像是同一外殼裡或是自同一位置輻射出的反射光源以及透射光源。

於步驟408中，感測器資料可由不同反射光感測器及透射光感測器所收集。如上所述，一寬頻光源晶圓缺陷偵測系統使用至少一反射光感測器及至少一透射光感測器。感測器資料可由反射光感測器自檢測中的晶圓反射的輻射寬頻光 收集到。此外，感測器資料可由透射光感測器自通過晶圓的輻射寬頻光收集到。感測器可設置以於透射光以及/或是寬頻光的波長頻譜內產生影像資料。舉例來說，感測器可設置以產生影像或是一系列影像(例如：影片)，且可接續地或即時地被分析以判定晶圓裡的裂縫或是晶圓上的刮痕。

如上所述，於不同實施例中，三維感測器資料可針對晶圓缺陷而收集，像是內部裂縫(例如：晶格形變)的位置資訊(例如：沿著X軸或Y軸)或是檢測中的晶圓表面的刮痕，以及晶圓缺陷所在的深度(例如：沿著Z軸)。舉例來說，位置資料(例如：沿著X軸或Y軸)可收集自一晶圓的二維影像(無論是從反射光或是透射光)。接著，深度資訊可藉由像是孔徑成像技術或是立體成像技術的深度影像技術而收集到。孔徑成像技術可包含調整感測器視野深度以判定缺陷至感測器的距離。舉例來說，在執行孔徑成像技術時，具有特定焦距的感測器可調整覆蓋感測器的孔徑以判定何種孔徑大小可得到聚焦的晶圓缺陷感測器資料。再舉另一例，位置與深度資訊也可藉由立體成像技術，利用兩者或更多於空間上分散的感測器(例如：兩者或更多透射光感測器以及/或是兩者或更多反射光感測器)來收集。於立體成像技術中，可比較來自兩者或更多於空間上分散的感測器資料，並從兩者或更多於空間上分散的感測器資料間的差異擷取深度資訊。於一些實施例中，可利用傳統的孔徑成像技術以及/或是立體成像技術，但可被調整以適用於寬頻晶圓缺陷偵測。

於一些實施例中，感測器資料可自檢測中的晶圓 的掃描圖而收集到，像是沿著晶圓表面擷取影像並於個別感測器的不同距離外收集資訊。接著，不同距離處的影像資料可被編譯為三維感測器資料(例如：三維晶圓缺陷分布圖)。

於步驟410中，可分析多個感測器收集到的感測器資料以得到晶圓缺陷。於一些實施例中，步驟408與410皆可為單一步驟，分析感測器資料並接著進一步根據分析結果收集感測器資料(例如：根據晶圓的分析再從晶圓的一特定區域收集聚焦的或是更高解析度的影像資料)。

於一些實施例中，晶圓缺陷可能是檢測中的晶圓內或沿著表面上無法預測的(例如：不在可接受變異範圍內)非均勻區域。舉例來說，完全位在晶格結構內的非均勻區域可被判定為是屬於裂縫的晶圓缺陷。此外，沿著晶圓表面的非均勻區域(例如：自晶圓表面曝露)可被判定為是屬於刮痕的晶圓缺陷。於一些實施例中，晶圓缺陷可藉由閥值判定，像是判定沿著晶圓表面或是晶格結構內部的非均勻性超過閥值的程度(例如：大於或小於一閥值)。於一些實施例中，閥值數值可表示遠大於沿著晶圓表面或是晶格結構內部之平均或可接受程度的非均勻性。於一些實施例中，閥值可表示非均勻性數值上升到會影響進一步晶圓半導體製程的顯著水準(例如：晶圓內部顯著大小的裂縫可能，或者可能性很大地，會造成晶圓於半導體製程中破裂)。

第5圖為根據本揭露一些實施例中反射光波長與透射光波長於能量及波長圖表中之示意圖。圖表中之寬頻光可為來自一波長自約300奈米(nm)至波長約2500奈米(nm)之寬 頻光源。反射光502為波長自約400奈米(nm)至約700奈米(nm)之紅外光的寬頻光區段，或者於一些實施例中為約500奈米(例如：0.5微米(um))。透射光504為波長自約1000奈米(nm)至約1400奈米(nm)的寬頻光區段，或者於一些實施例中為約1.1微米(um)。

於一些實施例中，一系統包含：寬頻光源；具有面對寬頻光源之第一側的晶圓；設置以偵測自寬頻光源發射且由第一側反射之反射光之第一光感應器；設置以偵測反射自與晶圓之第一側相對的第二側之透射光之第二光感應器，其中透射光是源自於寬頻光源；以及設置以分析反射光與透射光以辨別晶圓缺陷之偵測模組。於一些實施例中，偵測模組是設置以根據透射光偵測晶圓內的內部裂縫。於一些實施例中，偵測模組是設置以組是設置以判定內部裂縫之深度。於一些實施例中，偵測模組是設置以根據內部裂縫之焦距判定內部裂縫之深度。於一些實施例中，偵測模組是設置以根據反射光偵測沿著第一側之刮痕。於一些實施例中，偵測模組是設置以判定沿著第一側之刮痕之位置。於一些實施例中，偵測模組是設置以根據刮痕之焦距判定刮痕之位置。於一些實施例中，晶圓包含矽。於一些實施例中，反射光之波長實質上為0.5微米。於一些實施例中，透射光之波長實質上為1.1微米。

於一些實施例中，一系統包含：寬頻光源；具有面對寬頻光源之第一側之晶圓；設置以偵測自寬頻光源發射且由第一側反射之反射光之第一光感應器；設置以偵測反射自與晶圓之第一側相對的第二側之透射光之第二光感應器，其中透 射光是源自於寬頻光源；以及設置以根據反射光與透射光產生晶圓缺陷之三維分布圖之偵測模組。於一些實施例中，系統還包含光源控制器，設置以相對於晶圓、第一光感應器以及第二光感應器移動寬頻光源。於一些實施例中，系統還包含晶圓平台控制器，設置以相對於寬頻光源、第一光感應器以及第二光感應器移動晶圓。於一些實施例中，系統還包含第一第二光感應器控制器，設置以相對於寬頻光源以及晶圓移動第一光感應器以及第二光感應器。於一些實施例中，系統還包含第一光感應器控制器，設置以相對於第二光感應器移動第一光感應器。

於另一些實施例中，一種方法包含：照射寬頻光於晶圓之第一側上；自第一表面之反射光收集第一光感應器資料；自晶圓之與第一表面相對之第二表面透射之透射光收集第二光感應器資料；以及根據反射光與透射光偵測晶圓缺陷。於一些實施例中，方法還包含根據透射光偵測晶圓內之內部裂縫。於一些實施例中，方法還包含根據內部裂縫之焦距判定內部裂縫之深度。於一些實施例中，方法還包含根據反射光偵測沿著第一側之刮痕。於一些實施例中，方法還包含根據刮痕之焦距判定沿著第一側之刮痕之位置。

前述已概略描述多個實施例以使熟悉此領域者可更佳地理解本揭露之意義。熟悉此領域者可將本揭露作為基礎而設計或改進其他製程與結構以達成如本揭露實施例所示之相同的目的以及/或是達到同樣的功效。熟悉此領域者應理解，上述同等的操作並不脫離本揭露的範疇與本意，且可在不脫離本揭露的精神和範圍內作各種的更動與潤飾。

條件用語像是，除此之外，『可以』、『可能』或是『可』，除非特別定義，否則應理解為廣義地表示於特定實施例中包含，而其他實施例不包含，特定特徵、元件以及/或是步驟。因此，此種條件用語通常並非用於表示特定特徵、元件以及/或是步驟於一或多個實施例中是必須的，或是無論使用者有無輸入或提示這些特徵、元件以及/或是步驟是否包含或執行於任何特定實施例中，都必須包含於一或多個實施例中的判定規則。

除此之外，熟悉此領域者於閱讀本揭露後應當能夠設置用以執行此處所述之操作的裝置。此處對於特定的操作或功能所用的『設置』一詞，是指一系統、元件、組件、電路、結構、機器等，是實體或虛擬地被建構、計畫以及/或是排列為以執行特定的操作或功能。

分裂集用語，像是『X、Y或是Z中至少一』，除非特別強調，否則應理解為廣義地表示一項目或術語等可為X、Y或是Z，或是其組合(例如：X、Y以及/或是Z)。因此，此分裂集並非普遍地用於，且不應用於，表示特定實施例中需要至少一X、至少一Y或是至少一Z。

雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並不用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為准。

Claims (20)

1. 一種系統，包含：一寬頻光源；一晶圓，具有面對該寬頻光源之一第一側；一第一光感應器，設置以偵測自該寬頻光源發射且由該第一側散發之一反射光；一第二光感應器，設置以偵測來自與該晶圓之該第一側相對的一第二側散發之一透射光，其中該透射光是源自於該寬頻光源；一偵測模組，設置以分析該反射光與該透射光以辨別晶圓缺陷。
2. 如請求項第1項所述之系統，其中該偵測模組是設置以根據該透射光偵測該晶圓內的一內部裂縫。
3. 如請求項第2項所述之系統，其中該偵測模組是設置以判定該內部裂縫之一深度。
4. 如請求項第3項所述之系統，其中該偵測模組是設置以根據該內部裂縫之一焦距判定該內部裂縫之該深度。
5. 如請求項第1項所述之系統，其中該偵測模組是設置以根據該反射光偵測沿著該第一側之一刮痕。
6. 如請求項第5項所述之系統，其中該偵測模組是設置以判定沿著該第一側之該刮痕之一位置。
7. 如請求項第6項所述之系統，其中該偵測模組是設置以根據該刮痕之一焦距判定該刮痕之該位置。
8. 如請求項第1項所述之系統，其中該晶圓包含矽。
9. 如請求項第1項所述之系統，其中該反射光之一波長實質上為0.5微米。
10. 如請求項第1項所述之系統，其中該透射光之一波長實質上為1.1微米。
11. 一種系統，包含：一寬頻光源；一晶圓，具有面對該寬頻光源之一第一側；一第一光感應器，設置以偵測自該寬頻光源發射且由該第一側散發之一反射光；一第二光感應器，設置以偵測來自與該晶圓之該第一側相對的一第二側散發之一透射光，其中該透射光是源自於該寬頻光源；一偵測模組，設置以根據該反射光與該透射光產生晶圓缺陷之一三維分布圖。
12. 如請求項第11項所述之系統，進一步包含：一光源控制器，設置以相對於該晶圓、該第一光感應器以及該第二光感應器移動該寬頻光源。
13. 如請求項第11項所述之系統，進一步包含：一晶圓平台控制器，設置以相對於該寬頻光源、該第一光感應器以及該第二光感應器移動該晶圓。
14. 如請求項第11項所述之系統，進一步包含：一第一第二光感應器控制器，設置以相對於該寬頻光源以及該晶圓移動該第一光感應器以及該第二光感應器。
15. 如請求項第11項所述之系統，進一步包含：一第一光感應器控制器，設置以相對於該第二光感應器移動該第一光感應器。
16. 一種方法，包含：照射一寬頻光於一晶圓之一第一側上；自該第一表面之一反射光收集第一光感應器資料；自該晶圓之與該第一表面相對之一第二表面所發散之一透射光收集一第二光感應器資料；以及根據該反射光與該透射光偵測晶圓缺陷。
17. 如請求項第16項所述之方法，進一步包含： 根據該透射光偵測該晶圓內之一內部裂縫。
18. 如請求項第17項所述之方法，進一步包含：根據該內部裂縫之一焦距判定該內部裂縫之一深度。
19. 如請求項第16項所述之方法，進一步包含：根據該反射光偵測沿著該第一側之一刮痕。
20. 如請求項第19項所述之方法，進一步包含：根據該刮痕之一焦距判定沿著該第一側之該刮痕之一位置。