JP6654193B2 - Equipment for coating large area substrates - Google Patents
Equipment for coating large area substrates Download PDFInfo
- Publication number
- JP6654193B2 JP6654193B2 JP2017527300A JP2017527300A JP6654193B2 JP 6654193 B2 JP6654193 B2 JP 6654193B2 JP 2017527300 A JP2017527300 A JP 2017527300A JP 2017527300 A JP2017527300 A JP 2017527300A JP 6654193 B2 JP6654193 B2 JP 6654193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hanger
- inlet member
- gas
- gas inlet
- outlet plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 40
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 92
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
Description
本発明は、プロセスガスをプロセスチャンバに供給するために反応炉ハウジング内に配置されたガス入口部材を有し、ガス入口部材は、ガス出口孔をもつガス出口プレートとそれに対して平行に延在する背後壁とを具備するガス分配室を有すると共に、ハンガーにより反応炉ハウジングに取り付けられ、ハンガーはガス入口部材の側縁から離間してガス入口部材に取り付けられている、少なくとも1枚の基板のコーティングのための装置に関する。 The present invention has a gas inlet member disposed within a reactor housing for supplying process gas to a process chamber, the gas inlet member extending parallel to a gas outlet plate having gas outlet holes. A gas distribution chamber having a rear wall that is attached to the reactor housing by a hanger, wherein the hanger is attached to the gas inlet member at a distance from a side edge of the gas inlet member. It relates to an apparatus for coating.
このようなコーティング装置は、基板にコーティングするために用いられる。このために、CVD又はPVDプロセスが行われるプロセスチャンバ内に基板が載置される。プロセスガスがガス分配器を用いてプロセスチャンバに供給される。このようなガス分配器は、特許文献1又は特許文献2に記載されている。特許文献3によりガス入口部材が知られており、それは複数のガス分配室を有し、それらは1つの平面内に互いに並んでいる。特許文献4は複数のセグメントからなるガス入口部材を記載している。
Such a coating apparatus is used for coating a substrate. For this purpose, a substrate is placed in a process chamber where a CVD or PVD process is performed. Process gas is supplied to the process chamber using a gas distributor. Such a gas distributor is described in Patent Document 1 or
特許文献5及び特許文献6によりガス入口部材が知られており、それはガス出口孔を具備するガス出口面を有する。入口部材は保持部材により上方に取り付けられている。 From U.S. Pat. Nos. 5,059,086 and 5,086,086 a gas inlet member is known, which has a gas outlet surface with a gas outlet hole. The inlet member is attached upward by a holding member.
OLEDの堆積の際には有機開始物質が用いられ、それらは搬送ガスに補助されて加熱されたガス分配器に供給される。このようなガス分配器は、ガス入口部材の一部品とすることができる。プロセスガスは、ガス通過孔をもつガス出口面と背後壁とを具備するガス入口部材のガス分配室に供給される。ガス入口部材の温度は、有機開始物質の凝縮を回避する値に維持される。 During the deposition of OLEDs, organic starting materials are used, which are supplied to a heated gas distributor with the aid of a carrier gas. Such a gas distributor can be a part of the gas inlet member. The process gas is supplied to a gas distribution chamber of a gas inlet member having a gas outlet surface having a gas passage hole and a back wall. The temperature of the gas inlet member is maintained at a value that avoids condensation of the organic starting material.
プロセスチャンバの床はサセプタから形成され、その上に1又は複数の基板が載置される。ガス状の開始物質は、搬送ガスを用いてプロセスチャンバ内の基板の表面に運ばれ、そこで層を形成するように凝縮する。このために、サセプタは、ガス入口部材の温度より低い温度に温度制御される。サセプタは、特に冷却される。基板は、1m2以上の表面積を有することができるので、サセプタ対角線が2〜3mのコーティング装置を作製することが必要となる。ガス入口部材は、サセプタの全表面に亘って延在しなければならない。よってガス入口部材は、2〜3mの対角線を有する。しかしながら、上方がガス出口面により、そして下方がサセプタ表面により規定されるプロセスチャンバの高さはわずか数cmである。 The floor of the process chamber is formed from a susceptor, on which one or more substrates are mounted. The gaseous starting material is carried to the surface of the substrate in the process chamber using a carrier gas, where it condenses to form a layer. To this end, the susceptor is temperature controlled to a temperature lower than the temperature of the gas inlet member. The susceptor is particularly cooled. Since the substrate can have a surface area of 1 m 2 or more, it is necessary to make a coating device with a susceptor diagonal of 2-3 m. The gas inlet member must extend over the entire surface of the susceptor. Thus, the gas inlet member has a diagonal of 2-3 m. However, the height of the process chamber, defined above by the gas outlet surface and below by the susceptor surface, is only a few cm.
本発明の目的は、プロセスチャンバ内で大面積基板への堆積を可能とする本発明による装置をさらに発展させることである。 It is an object of the present invention to further develop an apparatus according to the present invention that allows deposition on large area substrates in a process chamber.
この課題は、請求項に記載された本発明により実現され、各請求項は、この課題の別々の解決手段を構成している。 This problem is achieved by the invention as described in the claims, each claim constituting a separate solution to this problem.
本発明の第1の態様は、ハンガーの下端をガス入口部材に固定することに関する。本発明によれば、背後壁とガス出口プレートの間にスペーサ要素を有する。このスペーサ要素に、ガス出口プレートと、背後壁と、ハンガーの下端とが取り付けられる。好適には、ガス入口部材を保持するために、反応炉ハウジングの内部で複数のハンガーが用いられ、それらの各々の上端により保持装置に固定され、保持装置は反応炉ハウジングの上部に確実に接続されている。各ハンガーが1つのスペーサ要素に割り当てられることにより、複数のスペーサ要素が背後壁とガス出口プレートの間の間隙空間に配置される。反応炉ハウジングの内部でガス入口部材の保持のために用いられるハンガーのうち少なくとも幾つかは、ガス入口部材の側縁から離間したスペーサ要素に係合し、さらにガス入口部材のベース面上に分散している。 A first aspect of the present invention relates to fixing a lower end of a hanger to a gas inlet member. According to the invention, there is a spacer element between the back wall and the gas outlet plate. The gas outlet plate, the back wall, and the lower end of the hanger are attached to this spacer element. Preferably, a plurality of hangers are used inside the reactor housing to hold the gas inlet member, fixed to the holding device by their respective upper ends, the holding device being securely connected to the top of the reactor housing. Have been. By assigning each hanger to one spacer element, a plurality of spacer elements are arranged in the interstitial space between the back wall and the gas outlet plate. At least some of the hangers used for retaining the gas inlet member inside the reactor housing engage spacer elements spaced from the side edges of the gas inlet member and disperse on the base surface of the gas inlet member. are doing.
本発明の第2の態様は、ハンガーの構造に関する。本発明によれば、ハンガーが、その延在方向において互いに離間した第1及び第2の湾曲ゾーンを有する。第1の湾曲ゾーンは、ハンガーの第1の湾曲方向のみの湾曲を許容する。第2の湾曲ゾーンは、ハンガーの第2の湾曲方向のみの湾曲を許容する。第1の湾曲方向は、第2の湾曲方向と垂直である。ガス入口部材すなわちそのガス出口プレート及びその背後壁が延在する面をXY平面とすると、ハンガーはZ軸方向に延在する。それは鉛直方向である。ハンガーは、このZ軸方向に対してわずかな傾斜を有することができる。湾曲方向はXY平面内にあり、湾曲ゾーンにより得られる湾曲軸に対して垂直である。ハンガーは、2つの湾曲方向のうち少なくとも1つがガス入口部材の面中心に向くように配置されている。なぜなら、ガス入口部材の熱膨張の際に、各ハンガーの下側取付点が面中心に向いた線に沿って動かされると想定されるからである。好適には、第1の湾曲方向が面中心に向いており、かつ、第1の湾曲ゾーンがハンガーの上端又は下端の直ぐ隣にある。 A second aspect of the present invention relates to a hanger structure. According to the invention, the hanger has first and second curved zones spaced apart from each other in the direction of its extension. The first bending zone allows the hanger to bend only in the first bending direction. The second bending zone allows the hanger to bend only in the second bending direction. The first bending direction is perpendicular to the second bending direction. Assuming that the surface on which the gas inlet member, that is, the gas outlet plate and the rear wall extend is an XY plane, the hanger extends in the Z-axis direction. It is vertical. The hanger may have a slight inclination with respect to this Z-axis direction. The bending direction is in the XY plane and perpendicular to the bending axis provided by the bending zone. The hanger is arranged so that at least one of the two bending directions faces the center of the surface of the gas inlet member. This is because, when the gas inlet member is thermally expanded, it is assumed that the lower mounting point of each hanger is moved along a line facing the center of the plane. Preferably, the first bending direction is towards the center of the plane and the first bending zone is immediately next to the upper or lower end of the hanger.
本発明の第3の態様は、ハンガーの上端を保持要素に取り付けることに関する。本発明によれば、保持装置に対するハンガーの鉛直位置を調整可能である。好適には、調整要素が設けられ、それによりハンガーの鉛直位置が調整できることにより、調整要素の調整によっていずれのハンガー位置においてもプロセスチャンバの高さを調整することができる。このために、反応炉ハウジングの上部が開口を有し、それを通して、調整要素に係合して調整要素を調整するために調整ツールを入れることができる。 A third aspect of the invention relates to attaching the upper end of the hanger to the holding element. According to the present invention, the vertical position of the hanger with respect to the holding device can be adjusted. Advantageously, an adjusting element is provided, by means of which the vertical position of the hanger can be adjusted, so that the adjustment of the adjusting element allows the height of the process chamber to be adjusted at any hanger position. For this purpose, the top of the reactor housing has an opening through which an adjustment tool can be inserted to engage and adjust the adjustment element.
本発明の上述した態様の更なる好適な進展は、本発明の主旨において、独立して又は組み合わせて実施可能でありかつさらに従来技術を独立して進展させるものであり、以下に記載される。
スペーサ要素が下側の取付要素を形成し、それによりハンガーの下端がガス出口プレートに取り付けられる。スペーサ要素は、上方に開口しかつ床を有するキャビティを有することができる。ハンガーの下端は、このキャビティの床に固定することができる。これは好適には螺子を用いて行われ、その螺子は、床の螺子山付き貫通孔を下側から通ってハンガーの下端の内側螺子山に螺合される。床の下側には螺子山付き貫通孔を有する脚部が設けられ、それを通して取付螺子を挿入可能であり、それを用いて脚部がガス出口プレートに固定されている。
中心孔を具備しその中にスペーサ要素が挿入されるベローズを設けることもできる。従って、スペーサ要素は部分的にベローズにより取り巻かれる。ベローズの下端は、スペーサ要素に、好適にはキャビティの壁から径方向外側に突出するカラーに固定されている。しかしながらベローズの下端は、ガス出口プレートに接続することもできる。ベローズの上端は、スペーサ要素の反対側にて鉛直方向に移動可能な要素に接続される。これは保持要素であり、背後壁に強固に接続されることにより、背後壁が、ガス出口プレートの反対側にて鉛直方向にわずかに変位可能である。ベローズは、第1の部分と、第1の部分に対して変位可能な第2の部分とを有する。このために、第1の部分と第2の部分の間に蛇腹構造がある。第1の部分は好適にはスペーサ要素に、そして第2の部分は背後壁に固定されている。ストッパ要素が設けられ、それにより、ガス出口プレートに対する背後壁の鉛直方向の変位可能性が制限される。このために、特に、リング片又は閉鎖蓋が設けられる。
反応炉ハウジングの内部空間の上部領域に設けられる保持装置は、好適には、剛性の、特に軽量に形成された本体により形成されている。それは、互いに垂直に延在するセル壁を具備する格子枠構造とすることができる。ハンガーの上端は、好適には、過負荷により壊れるピンを用いて保持装置に取り付けられている。このために、ハンガーの上端が横孔を有することができ、その中にピンが挿入される。ピンは、2つの端部を有する。一方の端部はハンガーの孔に挿入される。ピンの他方の端部は、取付本体の孔に挿入され、好適には保持要素と強固に接続される。ハンガーに加わる軸力がピンの破壊強度を超えた場合、ピンは壊れる。そしてハンガーは、重力の効果により鉛直下方に変位する。ハンガーにより保持されたガス入口部材がサセプタ上に落下しないように、ハンガーの頭部に配置された肩の形状の安全索が設けられている。その肩は、保持要素に強固に接続されたフランクから鉛直方向に離れている。ピンの破壊後、ハンガーは、肩がフランクに衝突するまでの間だけ下方に動くことができる。このためにハンガーの上端は、保持要素の孔に、鉛直方向に移動可能であるように装着されている。
調整要素は、好適には調整リングであり、それは径方向外側に向いたカラーを有し、それは保持装置の鍔部分又はフランジ上で支持されている。このように形成された調整リングは、回転させることが可能な1又は複数のツール係合孔を有する。調整リングの内側螺子山が保持要素の外側螺子山と螺合することにより、調整リングのねじ込みによって保持要素が鉛直方向に移動することとなる。鉛直方向に保持装置に取り付けられたクランプ要素が設けられている。クランプ要素は、保持要素に対して鉛直下方向きの力を及ぼし、そしてハンガーの上端が保持要素に強固に接続されているのでハンガーに対しても鉛直下方向きの力を及ぼす。
本発明の実施形態の例は、以下に示す添付の図面を参照して説明される。
Further preferred developments of the above-mentioned aspects of the invention are those which can be implemented independently or in combination in the spirit of the invention and which further develop the prior art independently and are described below.
The spacer element forms the lower mounting element, whereby the lower end of the hanger is mounted on the gas outlet plate. The spacer element can have a cavity that opens upward and has a floor. The lower end of the hanger can be fixed to the floor of this cavity. This is preferably done with screws, which are threaded from below through threaded through holes in the floor and into the inner threads at the lower end of the hanger. Below the floor is provided a leg with a threaded through hole through which a mounting screw can be inserted, with which the leg is fixed to the gas outlet plate.
A bellows having a central hole into which the spacer element is inserted may also be provided. Thus, the spacer element is partially surrounded by the bellows. The lower end of the bellows is fixed to the spacer element, preferably to a collar that projects radially outward from the wall of the cavity. However, the lower end of the bellows can also be connected to a gas outlet plate. The upper end of the bellows is connected to a vertically movable element on the opposite side of the spacer element. This is a holding element and is rigidly connected to the back wall so that the back wall can be displaced slightly vertically in the opposite side of the gas outlet plate. The bellows has a first portion and a second portion displaceable with respect to the first portion. For this purpose, there is a bellows structure between the first part and the second part. The first part is preferably fixed to the spacer element and the second part is fixed to the back wall. A stop element is provided, which limits the vertical displacement of the rear wall with respect to the gas outlet plate. For this purpose, in particular, ring pieces or closure lids are provided.
The holding device provided in the upper region of the interior space of the reactor housing is preferably formed by a rigid, in particular lightweight, body. It can be a grid frame structure with cell walls extending perpendicular to each other. The upper end of the hanger is preferably attached to the holding device using a pin that breaks due to overload. To this end, the upper end of the hanger can have a lateral hole into which the pin is inserted. The pin has two ends. One end is inserted into a hole in the hanger. The other end of the pin is inserted into a hole in the mounting body and is preferably firmly connected to the holding element. If the axial force on the hanger exceeds the breaking strength of the pin, the pin will break. The hanger is displaced vertically downward by the effect of gravity. In order to prevent the gas inlet member held by the hanger from falling onto the susceptor, a safety rope in the form of a shoulder is provided on the head of the hanger. Its shoulder is vertically separated from the flank rigidly connected to the holding element. After the pin breaks, the hanger can only move down until the shoulder hits the flanks. For this purpose, the upper end of the hanger is mounted in the hole of the holding element so as to be movable vertically.
The adjusting element is preferably an adjusting ring, which has a radially outwardly directed collar, which is supported on a collar or flange of the holding device. The adjustment ring thus formed has one or more tool engagement holes that can be rotated. As the inner thread of the adjusting ring is screwed with the outer thread of the holding element, the screwing of the adjusting ring causes the holding element to move vertically. A clamping element is provided which is mounted vertically on the holding device. The clamping element exerts a vertically downward force on the holding element and also exerts a vertically downward force on the hanger as the upper end of the hanger is rigidly connected to the retaining element.
Examples of embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings shown below.
図1は、OLEDの堆積のためのコーティング装置のハウジング1を概略的に示している。この反応炉ハウジング1の内部には、冷却媒体チャネル6により冷却され得るサセプタ5がある。サセプタ5は、水平に延在する上面を有し、その上にコーティングされる基板が載置される。サセプタ5の鉛直上方にガス入口部材が延在し、それによりプロセスガスを、ガス入口部材4の下面とサセプタ5の上面の間にあるプロセスチャンバに供給可能である。このために、ガス入口部材4はガス出口プレート9を有し、それは、温度制御チャネル8を通って流れる温度制御媒体により、サセプタ5の温度より高い温度に維持可能である。ガス出口プレート9には、実質的に均一に分散した複数の篩い状に配置されたガス出口孔7があり、それらはプロセスチャンバをガス分配室4’と接続し、ガス分配室は背後壁10により鉛直上方を閉じられている。
FIG. 1 schematically shows a housing 1 of a coating device for the deposition of an OLED. Inside the reactor housing 1 there is a
複数のハンガー3が設けられ、それによりガス入口部材4が保持装置2に取り付けられている。保持装置2は、好適には、格子枠状の軽量構造に作製された本体から形成されており、ハウジング1の上部に取り付けられている。保持装置2は、好適には、水平に延在する輪郭面の縁のみにて反応炉ハウジングに取り付けられている。ハンガー3が実質的にこの輪郭面に亘って均一に分散していることにより、ガス入口部材4は、ガス入口部材のベース面全体に亘って均一に分散して配置された複数の点にて保持される。
A plurality of
図2は、さらに別の実施例を概略的に示した図であり、それによれば、各ハンガー3の下端3’が下側取付要素11によりガス入口部材4に取り付けられており、その場合、下側取付要素11は、ガス出口プレート9と背後壁10に対する間隙保持の機能も有する。ハンガー3の上端3”は、上側取付要素12を有し、それによりハンガー3の高さ調整を行うことができる。
FIG. 2 schematically shows a further embodiment in which the
図1及び図2から、少なくとも幾つかの、好適にはほとんどのハンガー3がガス入口部材4の外縁上ではなく、ガス入口部材4のベース面の縁から離れた複数の取付箇所に取り付けられており、それにより下側取付要素11がガス分配室4’の内部に配置される。
1 and 2 that at least some, and preferably most,
図3〜図6は、下側取付要素11の好適な実施例の構成を示している。それは、金属体で形成されたスペース要素13を有する。スペーサ要素13は下方に突出した脚部15を有する。脚部15は軸方向の孔を有し、それらの孔を通して螺子16が貫通し、螺子16の螺子山付き軸がガス出口プレート9の螺子山付き孔にそれぞれ螺合される。このように脚部15は、ガス出口プレート9の上向きの面と当接する。
3 to 6 show the configuration of the preferred embodiment of the lower mounting
スペーサ要素13は、上方に開口したキャビティ14を形成しており、それは床14’と、キャビティ14を環状に取り囲む壁14”を有する。床14’は2つの螺子付き貫通孔を有し、それらを通して螺子17がそれぞれ貫通し、その螺子付き軸がハンガー3の下端3’の内側螺子山に螺合されることにより、ハンガー3の下端3’が床14’と強固に接続される。
The
およそ床14’の高さ位置にて壁14”から径方向外側にカラー18が突出している。このカラー18にベローズ20の下端が固定されている。スペーサ要素13はベローズの孔を貫通している。ベローズ20の上端は、リング片22と強固に固定されており、リング片22は閉鎖蓋21に当接し、そして好適には閉鎖蓋21と強固に接続されている。閉鎖蓋21もまた、壁14”の上部が通過して延在している背後壁10の開口の縁に当接している。閉鎖蓋21は、クランプ片として作用するリング片23により覆われている。螺子24によりリング片23は背後壁10と螺合されている。
At approximately the level of the floor 14 ', a
リング片23は開口を有し、それをハンガー3が貫通している。この開口には、より小径の開口をもつさらに別のリング片23’が載置されており、その開口をハンガー3が貫通している。壁14”の上端縁はリング片23又はリング片23’から鉛直方向において離間している。それにより背後壁10が、ガス出口プレート9に対して鉛直方向にわずかに変位することができる。ベローズ20によりガス分配室4’は上方に対して気密にシールされている。
The
カラー18には環状皿形状の部材19が取り付けられている。これは、ベローズ20の蛇腹構造の外面上に堆積してベローズ20の機械的運動の際に剥がれ落ちる可能性のある粒子を受容するための収集皿である。
An annular dish-shaped
ハンガー3は、その上端3”及び下端3’の領域に円筒形状の断面を有する。それは円形の断面をもつ中央部29も具備する。
The
下端3’と中央部29の間に、第1の湾曲ゾーン25及び第2の湾曲ゾーン26を有する。中央部29と上端3”の間にも同様に、第1の湾曲ゾーン28及び第2の湾曲ゾーン27を有する。
There is a first
第1の湾曲ゾーン25、28の各々は、それを横切って延在する第1の湾曲軸の周りの第1の湾曲方向へのハンガー3のある程度の湾曲を許容する。2つの第2の湾曲ゾーン26、27は、第1の湾曲軸に対して垂直に延在する第2の湾曲軸の周りの、第1の湾曲方向に対して垂直な第2の湾曲方向へのハンガー3のある程度の湾曲を許容する。
Each of the
第1の湾曲ゾーン25、28及び第2の湾曲ゾーン26、27は、それぞれハンガー3の平坦部分により形成されている。それらは実質的に板バネの形状を有する。
The first
下側の第1の湾曲ゾーン25は下端3’に直接結合されているので、湾曲ゾーン25の部分はなお、キャビティ14の内部に位置する。
Since the lower first
上側の第1の湾曲ゾーン28は保持要素36に直接結合されており、その保持要素により上端3”が保持装置2と接続される。
The upper first
保持要素36は、鉛直方向に延在する孔を有し、その中にハンガー3の上端3”が挿入される。保持要素36のキャビティ38の中には、キャビティ38の床38’上に取付部材45がある。取付部材45はリング状であり、そのリング孔は保持要素36の孔と繋がっている。取付部材45における床38’とは反対側の広い面はフランク45’を形成する。
The holding
ハンガー3の上端3”の上面は、螺子42によりヘッド片40と接続される。ヘッド片40は、上端3”と同じ高さ位置にある下部を有する。ヘッド片40は径方向に突出するカラーを有し、そのカラーは下向きにフランク45’に対向する肩40’を有する。肩40’は、フランク45’から鉛直方向に離間している。
The upper surface of the
上端3”とヘッド片40の下面の間の境界領域には、横方向のチャネル又は孔43が形成され、その中に保持ピン44が挿入されている。横孔43は、角柱状のクランプジャックから形成されており、それによって保持ピン44が螺子42により横孔43に把持固定される。
A lateral channel or
保持ピン44の一端は横孔43に係合する。保持ピン44の他端は取付部材45の穴に係合し、取付部材45は螺子46により床38’に接続される。ハンガー3に加わる引張り力は、保持ピン44を介して保持要素36に伝達される。この引張り力が、保持ピン44の破壊強度に対応する限界の力を超えた場合、保持ピンは壊れる。そのとき、ハンガー3は、フランク45’と肩40’の間の離間距離だけ下方に動くことができる。重力により生じる不可避の動きによって肩40’がフランク45’に衝突するので、保持ピン44が過負荷の印加により壊れたときにガス入口部材4がサセプタ5の上に落下することが避けられる。
One end of the holding
保持ピン44はまた、目印としての機能も有する。横孔43は、第1の湾曲ゾーン28の第1の湾曲方向の方に延在する。
The holding
保持要素36は外側螺子山37を有する。この外側螺子山37に調整リング32の内側螺子山34が螺合する。調整リング32は同時に保持リングを構成し、それにより、保持要素36が保持装置2に取り付けられている。このために、調整リング32は、径方向に突出した支持部33を有し、支持部33が保持装置2のフランジ30の支持領域30’上に載置される。調整リング32はツール係合孔35を有し、それを通して調整ツールが調整リング32を回すために係合することができる。このような調整リング32の回転動作の結果、保持要素36とハンガー3が鉛直方向に動かされる。ハンガー3又は保持要素36が供回りすることを防ぐために、ハンガー3と回転不能に接続されたヘッド片40が、保持/係合ツール係合孔41を有する。
The retaining
実質的に星状の形状を有するクランプ要素47が設けられる。それは孔47’を有し、それを通してキャビティ38にアクセス可能である。クランプ要素47の環状部から径方向アーム47”が突出しており、それらは螺子48の螺子山付き軸に取付可能である。螺子48の頭部は、フランジ30に下から係合する。フランジ30は、径方向に開いた切欠き31を有し、それを通して螺子48の頭部に直接繋がった螺子山付き部分が通過する。螺子48はナットを用いてフランジ30に固定される。クランプ要素47は、ホールダウン器具の機能を有する。それは、鉛直位置を調整された保持要素36が上方に変位することを阻止する。
A clamping
ハンガー3の鉛直位置を調整するためには、螺子48のナットが緩められなければならない。その後、調整リング32を回すことができる。その際、ヘッド片40は保持される。調整プロセスの完了後、螺子48のナットが締められることにより、クランプ要素47の下面が保持要素36の上面に載置される。
In order to adjust the vertical position of the
図13は、保持装置2及びその下に配置されたガス入口部材4を概略的に示しており、ガス入口部材4の面中心はライン49により示されている。ガス入口部材4のベース面上のいずれの点も、ガス入口部材4の温度変化の際に面中心49を通るライン上で動く。ハンガー3は、第1の湾曲ゾーン24、25の湾曲方向が面中心49の方に向くように、向けられている。保持ピン44は第1の湾曲方向に延在しているので、組立時には保持ピン44の目印としての機能に補助されてこれを行うことができる。
FIG. 13 schematically shows the holding
熱膨張の際、傾斜位置cの基本位置にあるハンガー3が鉛直位置bまで変位することができる。しかしながら、ハンガー3はさらに傾斜位置aまで変位することもできる。また、ハンガー3が基本位置で鉛直に吊下しており、そしてガス入口部材4が加熱されたとき傾斜位置aまで変位することも可能である。
During thermal expansion, the
上述した説明は、本願により集約的に包括される発明を説明するためのものであり、少なくとも以下の特徴の組合せにより従来技術をそれぞれさらに進展させる。すなわち: The above description is for describing the invention comprehensively covered by the present application, and further advances the related art by at least the combination of the following features. That is:
背後壁10とガス出口プレート9の間にスペーサ要素13が設けられ、それに対してガス出口プレート9と、背後壁10と、ハンガー3の下端3’とが取り付けられていることを特徴とする装置。
A device characterized in that a
ハンガー3が、その延在方向において互いに離間した第1及び第2の湾曲ゾーン25〜28を有し、第1の湾曲ゾーン25、28は第1の湾曲方向のみの湾曲を許容し、そして第2の湾曲ゾーン26、27は第1の湾曲方向に垂直な第2の湾曲方向のみの湾曲を許容することを特徴とする装置。
The
ハンガー3の上端3”が、保持装置2に対する鉛直位置を調整可能である保持要素36に取り付けられていることを特徴とする装置。
Device, characterized in that the
ガス出口プレート9の反対側の背後壁10がハンガー3の延在方向にわずかに変位することができ、かつ、気密性のためにベローズ20が設けられ、そのベローズ20は特に、第1の部分によりスペーサ要素13に取り付けられていると共に、第1の部分に対して変位可能な第2の部分により背後壁10に取り付けられていることを特徴とする装置。
The
スペーサ要素13が、床14’を具備するキャビティ14を有し、その床14’にハンガー3の下端3’が取り付けられていることを特徴とする装置。
An apparatus, characterized in that the
スペーサ要素13が、ガス出口プレート9に強固に接続された脚部15を有することを特徴とする装置。 Device, characterized in that the spacer element (13) has legs (15) rigidly connected to the gas outlet plate (9).
スペーサ要素13の背後壁10に対する変位行程を制限するために背後壁10に取り付けられているリング片23を特徴とする装置。
Device characterized by a
湾曲ゾーン25〜28が、ハンガー3における板バネ状の平坦部分により形成されていることを特徴とする装置。 The device according to claim 1, wherein the curved zones (25 to 28) are formed by flat portions of the hanger (3) in a leaf spring shape.
ハンガー3の下端3’及び上端3”がそれぞれ第1の湾曲ゾーン25、28の直ぐ隣に配置されており、かつ、これらの第1の湾曲ゾーン25、28はそれぞれ第2の湾曲ゾーン26、27の直ぐ隣にあることを特徴とする装置。
The
ベローズ20から剥離する可能性のある粒子を収集するために、特に皿19の形態でスペーサ要素13に配置された装置を特徴とする装置。
An apparatus characterized in that it is arranged on the
ハンガー3の上端3”が、過負荷の際に壊れるピン44により保持要素36と接続されていることを特徴とする装置。
Device, characterized in that the
フランク45’に対して隣り合う下向きの肩40’を具備するヘッド片40がハンガー3の上端3”に配置されており、ピン44が壊れた際にハンガー3が重力によってフランク45’から肩40’までの距離だけ下方に変位するように、ハンガー3が保持要素36に配置されていることを特徴とする装置。
A
保持要素36が、調整リング32により保持装置2のフランジ30上で支持されていることを特徴とする装置。 Device, characterized in that the holding element (36) is supported on the flange (30) of the holding device (2) by an adjusting ring (32).
調整要素32が、内側螺子山34を有する調整リングであり、保持要素36の外側螺子山37と螺合されることを特徴とする装置。
The device characterized in that the adjusting
複数のハンガー3の各々が、その上端3”により保持装置2に取り付けられると共にその下端3’によりガス入口部材4に取り付けられており、かつ、ガス入口部材4の熱膨張によって、ガス入口部材4の延在面に対する面法線に対してハンガー3の角度位置が変化し、その場合、第1の湾曲ゾーン25、28の各々の湾曲方向が、ガス入口部材4のベース面の面中心49の方に向けられていることを特徴とする装置。
Each of the plurality of
開示された全ての特徴(それ自体もまた互いの組合せにおいても)本発明の本質である。本願の開示には、関係する優先権書類(先願の複写)もまたその全体が、それらの書類の特徴を本願の請求の範囲に組み込む目的も含め、ここに包含される。従属項はその構成により特徴付けられ、従来技術に対する独立した進歩性ある改良であり、特にこれらの請求項に基づく分割出願を行うためである。 All the features disclosed (in themselves and in combination with each other) are the essence of the invention. The disclosure of the present application also includes the related priority documents (copy of the earlier application) in their entirety, including for the purpose of incorporating the features of those documents into the claims of the present application. Dependent claims are characterized by their construction and are independent and inventive improvements over the prior art, in particular for filing divisional applications based on these claims.
1 反応炉ハウジング
2 保持装置
3 ハンガー
3’ 下端
3” 上端
4 ガス入口部材
4’ ガス分配室
5 サセプタ
6 冷却媒体チャネル
7 ガス出口孔
8 温度制御チャネル
9 ガス出口プレート
10 背後壁
11 下側取付要素
12 上側取付要素
13 スペーサ要素
14 キャビティ
14’ 床
14” 壁
15 脚部
16 螺子
17 螺子
18 カラー
19 皿
20 ベローズ
21 閉鎖蓋
22 リング片
23 リング片
23’ リング片
24 螺子
25 湾曲ゾーン
26 湾曲ゾーン
27 湾曲ゾーン
28 湾曲ゾーン
29 円筒ゾーン、中間部
30 フランジ
30’ 支持領域
31 切欠き、縁開口
32 調整リング
33 支持部
34 内側螺子山
35 ツール係合孔
36 保持要素
37 外側螺子山
38 キャビティ
38’ 床
39 孔
40 ヘッド片
40’ 肩
41 ツール係合孔
42 螺子
43 横孔
44 保持ピン
45 取付部材
45’ フランク
46 螺子
47 クランプ要素
47’ 開口
47” アーム
48 螺子
49 面中心
a 傾斜位置
b 鉛直位置
c 傾斜位置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (14)
背後壁(10)とガス出口プレート(9)の間にスペーサ要素(13)が設けられ、それに対してガス出口プレート(9)と、背後壁(10)と、ハンガー(3)の下端(3’)とが取り付けられていることを特徴とする装置。 A gas inlet member (4) arranged in the reactor housing (1) for supplying process gas to the process chamber, the gas inlet member having a gas outlet plate (9) having an outlet hole (7) and a gas outlet plate (9) parallel thereto. And a gas distribution chamber (4 ') with a rear wall (10) extending to the reactor housing (1) by a hanger (3), wherein the hanger (3) An apparatus for coating at least one substrate attached to a gas inlet member (4) spaced apart from a side edge of the inlet member (4),
A spacer element (13) is provided between the back wall (10) and the gas outlet plate (9), for which the gas outlet plate (9), the back wall (10) and the lower end (3) of the hanger (3) are provided. ') And an attached device.
ハンガー(3)が、その延在方向において互いに離間した第1及び第2の湾曲ゾーン(25〜28)を有し、その場合、第1の湾曲ゾーン(25、28)は第1の湾曲方向のみの湾曲を許容し、そして第2の湾曲ゾーン(26、27)は第1の湾曲方向に垂直な第2の湾曲方向のみの湾曲を許容することを特徴とする装置。 A gas inlet member (4) arranged in the reactor housing (1) for supplying process gas to the process chamber, the gas inlet member having a gas outlet plate (9) having an outlet hole (7) and a gas outlet plate (9) parallel thereto. And a gas distribution chamber (4 ') with a rear wall (10) extending to the reactor housing (1) by a hanger (3), wherein the hanger (3) An apparatus for coating at least one substrate attached to a gas inlet member (4) spaced apart from a side edge of the inlet member (4),
The hanger (3) has first and second curved zones (25-28) spaced apart from each other in the direction of its extension, wherein the first curved zone (25, 28) has a first curved direction. The second bending zone (26, 27) allows bending only in a second bending direction perpendicular to the first bending direction.
ハンガー(3)の上端(3”)が、保持装置(2)に対する鉛直位置を調整可能である保持要素(36)に取り付けられており、その保持要素(36)は、外側螺子山(37)を有し、その外側螺子山(37)に調整リング(32)の内側螺子山(34)が螺合しており、かつ、
クランプ要素(47)が設けられ、そのクランプ要素(47)は、鉛直位置を調整された保持要素(36)が上方に変位することを阻止するためのホールダウン器具の機能を有することを特徴とする装置。 A gas inlet member (4) arranged in the reactor housing (1) for supplying process gas to the process chamber, the gas inlet member having a gas outlet plate (9) having an outlet hole (7) and a gas outlet plate (9) parallel thereto. And a gas distribution chamber (4 ') with a rear wall (10) extending to the reactor housing (1) by a hanger (3), wherein the hanger (3) An apparatus for coating at least one substrate attached to a gas inlet member (4) spaced apart from a side edge of the inlet member (4),
The upper end (3 ") of the hanger (3) is mounted on a holding element (36) whose vertical position with respect to the holding device (2) is adjustable , the holding element (36) being an outer thread (37). And an inner thread (34) of the adjusting ring (32) is screwed to the outer thread (37), and
A clamping element (47) is provided, said clamping element (47) having the function of a hole-down device for preventing the vertically aligned holding element (36) from displacing upwards. Equipment to do.
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014019721.2 | 2014-11-20 | ||
DE102014019721 | 2014-11-20 | ||
DE102015012715.2 | 2015-02-02 | ||
DE102015012715 | 2015-02-02 | ||
DE102015118765.5A DE102015118765A1 (en) | 2014-11-20 | 2015-11-03 | Device for coating a large-area substrate |
DE102015118765.5 | 2015-11-03 | ||
PCT/EP2015/077086 WO2016079232A1 (en) | 2014-11-20 | 2015-11-19 | Device for coating a large-surface-area substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017536480A JP2017536480A (en) | 2017-12-07 |
JP6654193B2 true JP6654193B2 (en) | 2020-02-26 |
Family
ID=55974269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017527300A Active JP6654193B2 (en) | 2014-11-20 | 2015-11-19 | Equipment for coating large area substrates |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6654193B2 (en) |
KR (1) | KR102535314B1 (en) |
CN (1) | CN107109648B (en) |
DE (1) | DE102015118765A1 (en) |
TW (1) | TWI684670B (en) |
WO (1) | WO2016079232A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017106431A1 (en) | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Aixtron Se | Apparatus and method for reducing the water partial pressure in an OVPD coating device |
DE102017119565A1 (en) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | Aixtron Se | Apparatus and method for conveying a powder, in particular as a component of a coating device |
DE102017122886A1 (en) | 2017-10-02 | 2019-04-04 | Aixtron Se | Method for producing a luminous pixel arrangement |
DE102020109265A1 (en) | 2020-04-02 | 2021-10-07 | Apeva Se | Substrate holder with an elastic substrate support |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI306782B (en) * | 2005-09-02 | 2009-03-01 | Applied Materials Inc | Suspension for showerhead in process chamber |
US20080317973A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-25 | White John M | Diffuser support |
US20090133631A1 (en) | 2007-11-23 | 2009-05-28 | Applied Materials Inc. | Coating device and method of producing an electrode assembly |
KR101444873B1 (en) * | 2007-12-26 | 2014-09-26 | 주성엔지니어링(주) | System for treatmenting substrate |
JP5285403B2 (en) * | 2008-04-15 | 2013-09-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Vacuum container and plasma processing apparatus |
US8721791B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-05-13 | Applied Materials, Inc. | Showerhead support structure for improved gas flow |
KR101352925B1 (en) * | 2011-09-16 | 2014-01-22 | 주식회사 에스에프에이 | Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Display |
JP2013187318A (en) | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Nippon Seisan Gijutsu Kenkyusho:Kk | In-line type plasma cvd apparatus |
CN103103501B (en) | 2013-01-14 | 2016-05-11 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | A kind of material vapour phase epitaxy Fan spray head structure |
DE102013101534A1 (en) | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Aixtron Se | Gas distributor for a CVD reactor |
DE102014116991A1 (en) | 2014-11-20 | 2016-05-25 | Aixtron Se | CVD or PVD reactor for coating large-area substrates |
-
2015
- 2015-11-03 DE DE102015118765.5A patent/DE102015118765A1/en active Pending
- 2015-11-19 CN CN201580072444.9A patent/CN107109648B/en active Active
- 2015-11-19 JP JP2017527300A patent/JP6654193B2/en active Active
- 2015-11-19 KR KR1020177016818A patent/KR102535314B1/en active IP Right Grant
- 2015-11-19 WO PCT/EP2015/077086 patent/WO2016079232A1/en active Application Filing
- 2015-11-20 TW TW104138549A patent/TWI684670B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170087918A (en) | 2017-07-31 |
TW201629262A (en) | 2016-08-16 |
JP2017536480A (en) | 2017-12-07 |
CN107109648B (en) | 2021-01-05 |
KR102535314B1 (en) | 2023-05-19 |
DE102015118765A1 (en) | 2016-06-09 |
TWI684670B (en) | 2020-02-11 |
CN107109648A (en) | 2017-08-29 |
WO2016079232A1 (en) | 2016-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6654193B2 (en) | Equipment for coating large area substrates | |
US10605530B2 (en) | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace | |
JP6647301B2 (en) | CVD or PVD reactor for large area substrate coating | |
US9167625B2 (en) | Radiation shielding for a substrate holder | |
JP6794526B2 (en) | A device for manipulating a semiconductor wafer in an epitaxy reactor and a method for manufacturing a wafer on a semiconductor having an epitaxy layer. | |
JP6291478B2 (en) | Susceptor assembly for supporting a wafer in a reactor apparatus | |
JP2007501329A (en) | CVD coating equipment | |
WO2017130809A1 (en) | Epitaxial growth device and holding member | |
EP3678165A1 (en) | Vapor-phase deposition method | |
JP6367469B2 (en) | Seed chuck and ingot growth apparatus including the same | |
US10450649B2 (en) | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance | |
US10670243B2 (en) | Adjustable hanging element for suspended light fixtures | |
JP2020092113A (en) | SiC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SiC EPITAXIAL WAFER | |
KR102431713B1 (en) | A semiconductor crystal growth apparatus | |
KR101680338B1 (en) | Screw assembly for fixing heater, and chemical vapor deposition device having the same | |
JP6602378B2 (en) | CVD or PVD reactor for large area substrate coating | |
KR20200088045A (en) | Unit for supplying raw material and apparatus for growing silicon single crytal ingot including the same | |
KR101694378B1 (en) | Cantilever system | |
WO2010024713A1 (en) | Crucible for evaporating aluminium in the molecular beam epitaxy process | |
KR20230153489A (en) | Apparatus and method for producing single crystal rods from silicon in a zone pulling plant | |
EP2628823A2 (en) | Chemical vapour deposition apparatus | |
KR101586937B1 (en) | Reactor for EPI wafer | |
EA026093B1 (en) | Gas deposition reactor | |
JP2009018957A (en) | Method and apparatus for producing silicon carbide monocrystal | |
JP2013133273A (en) | Single crystal production apparatus and single crystal production method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170720 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181026 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6654193 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |