JP6653228B2 - 基板の洗浄方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
<洗浄方法>
図1は、第1実施形態に係る基板の洗浄方法の一例を示す流れ図である。図2は、テンプレートの一例を示す模式断面図である。図3(A)〜(D)は、第1実施形態に係る基板の洗浄方法の一例を示す模式断面図である。
被処理基板を、洗浄装置の処理チャンバー内に搬入する。図2に示すように、被処理基板の一例は、例えば、ナノインプリントリソグラフィに使用されるテンプレート10である。
図1中のステップST1に示すように、テンプレート(被処理基板)10を、洗浄装置のチャンバー内に設けられたステージ(図示せず)上に載置する。
図1中のステップST2に示すように、凝固対象液の表面張力を、調節する。凝固対象液の一例は、純水(DeIonized Water:DIW)である。DIWは、溶媒である。DIW中には、調節剤が調合される。調節剤は、凝固対象液の表面張力を調節する。調節剤の例は、界面活性剤、およびアルコールの少なくとも1つを含む。実施形態では、アルコールを用いた。アルコールの一例は、イソプロピルアルコール(IsoPropyl Alcohol:IPA)である。IPAを、DIWに調合すると、DIWの表面張力は、調合前に比較して、低くなる。DIWの温度は、例えば、常温である。
凝固対象液の表面張力を調節した後、図1中のステップST3、および図3(A)に示すように、凝固対象液を、テンプレート(被処理基板)10上に供給する。これにより、液膜14が、テンプレート10のパターン面1a上に、例えば、パドル(puddle)状に形成される。パターン面1a上には、微小パーティクルが存在する。微小パーティクル15のサイズは、例えば、約15nm以下である。
図1中のステップST4、および図3(B)に示すように、凝固対象液(液膜14)を、凝固(凍結)させる。これにより、凝固膜14aが、テンプレート10上のパターン面1a上に形成される。液膜14を凝固させるには、冷却ガスを、例えば、液膜14、あるいはテンプレート10の裏面に吐出し、液膜14を冷却する。冷却ガスの一例は、窒素(N2)ガスである。N2ガスの温度の一例は、−100℃である。液膜14の冷却は、冷却ガスの吐出の他、チャンバー内を低温に保つ、いわゆる“冷蔵庫方式”であってもよい。
図1中のステップST5および図3(C)に示すように、融解液を、凝固膜14aに供給し、凝固膜14aを、融解(解凍)する。融解液の一例は、DIWである。融解液は、流体であればよい。流体は、気体であってもよい。流体は、温度調節されていてもよい。流体は、凝固膜14aに供給するばかりでなく、凝固膜14aに接触させるだけもよい。融解液を用いずに、凝固膜14aを自然解凍させてもよい。
図1中のステップST6および図3(C)に示すように、リンス液を、テンプレート10に供給し、テンプレート(被処理基板)10をリンスする。リンス液の一例は、DIWである。微小パーティクル15は、融解した凝固膜14aとともに、テンプレート10のパターン面1a上から除去される。なお、テンプレート10のリンスは、DIWで行うこともあるし、極低濃度のアルカリ性水溶液で行うこともある。
図1中のステップST7および図3(D)に示すように、テンプレート(被処理基板)10を、乾燥させる。乾燥終了後、テンプレート10を、洗浄装置の処理チャンバー内から搬出する。これにより、第1実施形態に係る基板の洗浄方法の一例が終了する。
図4(A)は、参考例の凍結洗浄の結果を示す図、(B)〜(D)は、参考例の微小パーティクルの除去の様子を示す模式断面図である。図5(A)は、実施形態の凍結洗浄の結果を示す図、(B)〜(D)は、実施形態の微小パーティクルの除去の様子を示す模式断面図である。
第2実施形態は、第1実施形態に係る基板の洗浄方法を実行することが可能な基板処理装置の例である。実施形態の基板処理装置は、例えば、洗浄装置である。
図6は、第2実施形態に係る基板の洗浄装置を概略的に示す模式断面図である。
図6に示すように、洗浄装置20aは、ステージ11と、凝固対象液供給機構16と、冷却ガス供給機構17と、融解液供給機構18とを備えている。
第3実施形態は、実施形態に係る基板の洗浄方法を、実際の基板の洗浄に応用する場合の1つの例である。
図7は、第3実施形態に係る基板の洗浄方法の一例を示す流れ図である。図8は、ステップST12、およびステップST13の一例を示す流れ図である。
図7中のステップST11に示すように、被処理基板、例えば、図2に示したテンプレート10を、洗浄装置の処理チャンバー内に搬入する。次いで、テンプレート10を、ステージ上に載置する。
図7中のステップST12に示すように、テンプレート10に対して、通常洗浄を行う。通常洗浄は、例えば、図8中のステップST121、およびステップST122に示すように、酸処理、およびアルカリ処理を行う。酸処理、およびアルカリ処理の順序は、逆であってもよい。通常洗浄は、酸処理、又はアルカリ処理のいずれか1つだけを実施してもよい。
図9中のステップST120に示すように、例えば、ステップST121の前に、基板表面改質処理を行ってもよい。基板表面改質処理の一例は、例えば、テンプレート10のパターン面1aの親水化処理である。
1.パーティクルが、パターン面1a上に付着すること
2.雰囲気中を漂う有機物が、パターン面1a上に付着すること
を抑制できる、という利点を得ることができる。
通常洗浄の後、図7中のステップST12に示すように、テンプレート10に対して、凍結洗浄を行う。凍結洗浄は、例えば、図8中のステップST131〜ステップST134に示すように、第1実施形態で説明した洗浄方法が実施される。例えば、ステップST131〜ST134は、それぞれ図1中のステップST2〜ステップST5に対応する。
図7中のステップST14に示すように、テンプレート10に対して、リンス処理を行う。ステップST14は、図1中のステップST6に対応する。リンス液としては、DIWの他、アルカリ性水溶液を用いてもよい。例えば、アルカリ性水溶液を用いると、DIWに比較して、テンプレート10のパターン面1aへのパーティクルの再付着を抑制することが可能である。
図7中のステップST15に示すように、テンプレート10に対して、乾燥処理を行う。ステップST15は、図1中のステップST7に対応する。第3実施形態においても、テンプレート10の乾燥は、必要に応じて実施されればよい。
図7中のステップST16に示すように、テンプレート10を、洗浄装置の処理チャンバーから搬出する。これにより、第3実施形態に係る基板の洗浄方法の一例が終了する。
図12は、通常洗浄におけるパーティクルサイズと除去率との関係を示す。
図13に示すように、凍結洗浄ST13の除去率は、通常洗浄ST12とは反対に、パーティクルサイズが小さくなるにつれて上昇する傾向を示す。凍結洗浄ST13では、パーティクルサイズが、おおよそ40nmよりも小さくなると、除去率は50%を超える。図10に示す傾向から、凍結洗浄ST13では、パーティクルサイズが約20nm以下となると、除去率が約90%に達する。さらに、パーティクルサイズが約15nm以下となると、除去率が約90%を超える。
図14に示すように、第3実施形態は、通常洗浄ST12と、凍結洗浄ST13とを行う。したがって、第3実施形態によれば、例えば、サイズが約15nm以下の微小パーティクルから、サイズが約15nmを超えるパーティクルまでの除去率が、約90%を超える。例えば、除去率は、100%に限りなく近づけることも可能となる。凍結洗浄ST13は、例えば、第1実施形態に係る基板の洗浄方法を用いて行うことが好ましい。
第4実施形態は、第3実施形態に係る基板の洗浄方法を実行することが可能な基板の生産システムの例である。
図15は、基板の生産システムの第1例を示す模式ブロック図である。
図15に示すように、生産システム100aは、処理部101と、操作部102と、記憶部103と、制御装置104とを含む。生産システム100aは、被処理基板に対して処理を施す基板処理装置である。
図16に示すように、搬送装置112は、テンプレート10を、パターン面1aを液膜19によって覆った状態で搬送可能なものであってもよい。この場合、搬送装置112は、パターン面1a上に液膜19が形成されたテンプレート10を、搬送ピック120上に保持する。搬送装置112は、図16に示すテンプレート10を、搬送ピック120上に保持した状態で、例えば、搬送路107aの中を移動する。
1.パーティクルが、パターン面1a上に付着すること
2.雰囲気中を漂う有機物が、パターン面1a上に付着すること
を抑制できる、という利点を得ることができる。
図17は、基板の生産システムの第2例を示す模式ブロック図である。
図17に示すように、生産システム100bが、図15に示した生産システム100aと異なるところは、凍結処理ユニット110aに代えて、酸/アルカリ/凍結処理ユニット100bを備えていることである。酸/アルカリ/凍結処理ユニット100bは、テンプレート10に対して、酸処理と、アルカリ処理と、凍結処理とを行う。酸処理、アルカリ処理、および凍結処理は、例えば、洗浄処理である。この洗浄処理は、通常洗浄処理と、凍結洗浄処理とを含む。
Claims (5)
- 被処理基板を洗浄する第1洗浄工程と、
前記第1洗浄工程に続いて、前記第1洗浄工程とは異なった洗浄法を用いて、前記被処理基板を洗浄する第2洗浄工程と、
を備え、
前記第1洗浄工程は、酸性洗浄およびアルカリ洗浄の少なくとも1つを含み、
前記第2洗浄工程は、凍結洗浄を含み、
前記被処理基板は、その上に液膜を形成した状態で、前記第1洗浄工程から前記第2洗浄工程へ搬送され、
前記凍結洗浄は、
凝固対象液を液体の状態で、被処理基板上に供給する工程と、
前記被処理基板上の前記凝固対象液を、凝固させる工程と、
前記被処理基板上の前記凝固対象液の凝固体を、融解させる工程と、
を含む、基板の洗浄方法。 - 前記被処理基板を、前記第1洗浄工程から前記第2洗浄工程へ搬送する際、
前記被処理基板を大気にさらすことなく搬送する、請求項1記載の基板の洗浄方法。 - 前記凝固対象液は、前記凝固対象液の表面張力を調節する調節剤を含む、請求項1又は2に記載の基板の洗浄方法。
- 被処理基板に対して第1洗浄を行う、第1洗浄装置と、
前記被処理基板に対して、前記第1洗浄とは異なる第2洗浄を行う、第2洗浄装置と、
前記第1洗浄装置と前記第2洗浄装置とを接続し、内部に搬送路を含む基板搬送部と、
前記搬送路に設けられた、前記被処理基板を搬送する搬送装置と、
を備え、
前記第1洗浄装置は、酸処理ユニットおよびアルカリ処理ユニットの少なくとも1つを含み、
前記第2洗浄装置は、前記被処理基板上の凝固対象液を凝固させる凍結処理ユニットを含み、
前記第1洗浄装置において、前記被処理基板上に液膜を形成し、
前記液膜が形成された前記被処理基板を、前記基板搬送部を介して、前記第1洗浄装置から前記第2洗浄装置へ搬送し、
前記第2洗浄装置において、前記被処理基板上に前記凝固対象液を供給するように制御される、基板処理装置。 - 前記搬送路は、大気に対して気密状態に保持可能である、請求項4記載の基板処理装置。
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