JP6638316B2 - 液晶組成物の弾性定数測定装置、及び液晶組成物の弾性定数測定方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を測定するための弾性定数測定方法、及び前記測定方法を利用して、液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を測定するための弾性定数測定装置に関する。

液晶表示素子は、一対の基板間に液晶層が挟持され、前記液晶層に液晶組成物を備えて構成される。このような液晶表示素子は、液晶テレビ、コンピュータ用モニター、携帯電話機、情報端末機、ゲーム機等の画像表示装置において広く利用されている。
液晶表示素子の代表的な表示方式としては、例えば、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＥＣＢ（電界効果複屈折）型等がある。また、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示素子では、液晶分子を垂直配向させるＶＡ型があり、液晶分子を水平配向させるＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型やその一種であるＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）型等がある。

近年、スマートフォン用の液晶ディスプレイとしては、高品位で視覚特性に優れるＦＦＳ型が広く用いられている。特にｎ型液晶組成物を用いたＦＦＳ型の液晶ディスプレイは、ｐ型液晶組成物を用いた場合よりも高い透過率が得られるために、積極的に開発が進められている。
しかし、ｎ型液晶組成物は、ＶＡ型の表示方式に用いるのは一般的であるが、ＶＡ型とＦＦＳ型とでは、液晶分子の配向の方向、電界の向き、必要とされる光学特性等のどの点でも異なる。したがって、ＶＡ型で用いる液晶組成物を、単純にＦＦＳ型に転用しただけでは、今日求められるような高性能な液晶表示素子を構成することは困難であり、ＦＦＳ型で用いるのに適したｎ型液晶組成物の開発が求められている。

一方で、目的とする表示モードにおける液晶組成物の特性を、液晶組成物に特有の弾性定数を用いてシミュレーションすることにより、液晶組成物を最適化することが検討されている。そして、このような手法を採用することで、ＦＦＳ型で用いるのに適したｎ型液晶組成物を効率よく開発することが期待されている。液晶分子の挙動は、外部電界に応じたスプレイ（広がり）、ツイスト（ねじれ）及びベンド（曲がり）の３つのモードによって説明される。上記の弾性定数とは、これらのモードに対応したスプレイの弾性定数（以下、「Ｋ_１１」と称することがある）、ツイストの弾性定数（以下、「Ｋ_２２」と称することがある）、及びベンドの弾性定数（以下、「Ｋ_３３」と称することがある）のことである。そこで、液晶組成物のこれら弾性定数の測定方法が種々検討されている。

Ｋ_１１、Ｋ_２２及びＫ_３３の測定方法としては、従来、散乱法、磁界法及び電界法が知られている。しかし、散乱法及び磁界法は、手順が煩雑であり、複雑な光学装置や大出力の電磁石を備えた高価な装置が必要であるなど、実用性が低いために、比較的簡便に行うことが可能な電界法が汎用されている。

電界法では、例えば、ホモジニアス（水平）配向処理を行い、２枚の基板表面で液晶分子の配向方向をずらして、ねじれ角φを付与した液晶セルを用いて、電圧を印加したときの静電容量を測定し、この測定結果から閾値電圧を求めて、特定の関係式にこの閾値電圧の値を代入することで、Ｋ_２２が求められる。Ｋ_１１及びＫ_３３は、ホモジニアス（水平）配向処理を行った液晶セルを用いて、電圧を印加したときの静電容量を測定し、この測定結果から閾値電圧を求めて、上記のものとは異なる特定の関係式にこの閾値電圧の値を代入することで求められる。このような手法としては、ｐ型液晶組成物を対象としたものが開示されている（特許文献１参照）。

ところが、ｎ型液晶組成物の場合、液晶分子が垂直方向に配向されているホメオトロピック配向の液晶セルでは、上記のねじれ角自体が存在しないため、そもそもねじれ角φを付与した液晶セルを準備出来ない。したがって、上記の手法では、ｎ型液晶組成物の場合、Ｋ_２２を求めることができないという問題点があった。

このような問題点を解決する手法として、ホメオトロピック配向処理を施したセルギャップｄが異なる２種類のセルに、キラル化合物を添加してなる誘電率が負のネマチック液晶組成物又はｎ型コレステリック液晶組成物を封入し、この２種類のセルについてそれぞれ電圧対静電容量特性を測定して閾値電圧Ｖｔｈを求め、あらかじめ求めておいたらせんピッチＰ_０、誘電率異方性Δε及び前記閾値電圧Ｖｔｈを下記式（１）に代入して２元連立方程式とし、これを解くことによって、Ｋ_２２及びＫ_３３を求める弾性定数の測定方法が開示されている（特許文献２参照）。

（式中、Δε＝｜ε_‖−ε_⊥｜であり、ε_０は真空の誘電率であり、ε_‖は液晶分子の長軸方向の比誘電率であり、ε_⊥は液晶分子の短軸方向の比誘電率である。）

しかしながら、この測定方法では、必ずしも精度よくＫ_２２を測定できず、Ｋ_２２の新規の測定方法の開発が望まれていた。

米国特許第８１６８０８３号明細書 特開平８−１７８８８３号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ｎ型液晶組成物についてもツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を精度よく測定できる液晶組成物の弾性定数測定方法、及び前記測定方法を利用してツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を測定するための、液晶組成物の弾性定数測定装置を提供することを課題とする。

本発明は、ツイストの弾性定数（Ｋ_２２）の測定対象である液晶組成物を挟持するための、電極及び相対する２枚の基板を有するセルと、前記電極間に、任意の電圧を印加するための電圧印加手段と、前記電極間に電圧が印加された状態で、前記液晶組成物が充填された前記セルの静電容量（Ｃ）を測定するための実測手段と、前記実測手段によって測定された静電容量（Ｃ）から閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定する手段と、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）、真空の誘電率（ε_０）及び誘電率異方性（Δε）、並びに前記セルのセルギャップ（ｄ）を入力することで、下記式（１）により、前記液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を決定する弾性定数決定手段と、を備えることを特徴とする液晶組成物の弾性定数測定装置を提供する。

また、本発明は、電極及び相対する２枚の基板を有するセルにおいて、ツイストの弾性定数（Ｋ_２２）の測定対象である液晶組成物を挟持し、前記電極間に電圧が印加された状態で、前記液晶組成物が充填された前記セルの静電容量（Ｃ）を測定し、前記静電容量（Ｃ）から閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定し、前記閾値電圧（Ｖｔｈ）、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）、真空の誘電率（ε_０）及び誘電率異方性（Δε）、並びに前記セルのセルギャップ（ｄ）から、下記式（１）により、前記液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を決定することを特徴とする液晶組成物の弾性定数測定方法を提供する。

本発明によれば、ｎ型液晶組成物についてもツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を精度よく測定できる液晶組成物の弾性定数測定方法、及び前記測定方法を利用してツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を測定するための、液晶組成物の弾性定数測定装置が提供される。

本発明で使用されるセルの一実施形態の要部を模式的に示す断面図である。 本発明の弾性定数測定装置の一実施形態を示す概略図である。 液晶表示素子で使用されるセルの一実施形態の要部を模式的に示す断面図である。 液晶表示素子で使用されるセルの他の実施形態の要部を模式的に示す断面図である。 実施例１におけるｄ／Ｐ_０と閾値電圧（Ｖｔｈ）の測定結果をプロットしたグラフである。

＜＜液晶組成物の弾性定数測定方法＞＞
本発明の液晶組成物の弾性定数測定方法は、電極及び相対する２枚の基板を有するセルにおいて、ツイストの弾性定数（Ｋ_２２）の測定対象である液晶組成物を挟持し、前記電極間に電圧が印加された状態で、前記液晶組成物が充填された前記セルの静電容量（Ｃ）を測定し、前記静電容量（Ｃ）から閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定し、前記閾値電圧（Ｖｔｈ）、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）、真空の誘電率（ε_０）及び誘電率異方性（Δε）、並びに前記セルのセルギャップ（ｄ）から、下記式（１）により、前記液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を決定することを特徴とする。

本発明の液晶組成物の弾性定数測定方法は、ｎ型液晶組成物に対して適用するのに特に好適なものである。以下、前記測定方法の説明で記載している「液晶組成物」とは、特に断りのない限り、「ｎ型液晶組成物」を意味する。

前記式（１）を用いてＫ_２２を算出する際に用いる前記セルは、電極及び相対する２枚（一対）の基板を有し、（前記電極間に）液晶組成物を挟持できるようになっており、前記電極間に電圧を印加可能となっているものである。
このような前記セル、すなわち、本発明の弾性定数測定方法を適用するのに特に好適なセルとしては、ＶＡ型の液晶表示素子で使用されるセルが挙げられる。

前記セルの２枚の基板には、ガラス又はプラスチック等の柔軟性を有する透明な絶縁性材料からなるものを用いることができ、一方は、シリコン等の不透明な絶縁性材料からなるものであってもよい。透明電極を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得られる。

前記基板は、透明電極が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調節してもよい。このときは、得られる調光層（液晶組成物を含む液晶層）の厚さが１〜１００μｍとなるように調節するのが好ましく、１．５〜１０μｍとなるように調節するのがより好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積を調節することが好ましい。また、２枚の偏光板がある場合は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調節することもできる。さらに、視野角を広げるための位相差フィルムも使用できる。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等からなる柱状スペーサー等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で前記基板にスクリーン印刷し、前記基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。

図１は、本発明で使用されるセルの一実施形態の要部を模式的に示す断面図である。
ここに示すセル２Ｃは、第１基板２３及び第２基板２４の一対の基板を備える。第１基板２３の第２基板２４に対向（相対）する面には、第２基板２４に向かって第１電極２３１及び第１配向膜２３２がこの順に積層されている。また、第２基板２４の第１基板２３に対向（相対）する面には、第１基板２３に向かって第２電極２４１及び第２配向膜２４２がこの順に積層されている。セル２Ｃは、第１基板２３と第２基板２４との間に、液晶組成物を挟持できるようになっている。そして、第１配向膜２３２及び第２配向膜２４２は、この挟持された液晶組成物の配向状態を制御する。
図１中、符号ｄ_３は、セル２Ｃにおけるセルギャップを表す。
セル２Ｃは、ＶＡ型の液晶表示素子で使用されるセルであり、本発明の弾性定数測定方法では、このようなセルが好適に使用できる。

なお、図１で示すセルは、本発明において使用できるセルの一部の例に過ぎず、本発明において使用できるセルはこれらに限定されない。例えば、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、これらセルに種々の変更を加えたものも、本発明においては使用可能である。

前記式（１）中のパラメータのうち、閾値電圧（Ｖｔｈ）は、以下の方法により測定できる。
すなわち、前記セルを用い、その中に測定対象の液晶組成物を封入して、電極間に液晶組成物を挟持し、電極間に任意の電圧を印加した状態で、液晶組成物が充填された前記セルの静電容量（Ｃ）を測定する。このとき、印加する電圧を変化させて、そのときの静電容量（Ｃ）をそれぞれ測定することで、電圧と静電容量（Ｃ）との関係を確認できるが、電圧を大きくしていく過程で、ほぼ又は完全に一定であった静電容量（Ｃ）が急激に大きくなるタイミングがある。このタイミングの電圧が閾値電圧（Ｖｔｈ）となる。閾値電圧（Ｖｔｈ）の測定方法は以上のとおりである。

前記式（１）中のパラメータのうち、誘電率異方性（Δε）は、公知の方法で測定できる。すなわち、垂直配向処理されたセルに測定対象の液晶組成物を封入して、液晶分子の長軸方向の比誘電率ε_‖を測定し、水平配向処理されたセルに測定対象の液晶組成物を封入して、液晶分子の短軸方向の比誘電率ε_⊥を測定し、これら測定値の差により、誘電率異方性（Δε）を求めることができる（Δε＝｜ε_‖−ε_⊥｜）。前記式（１）中のパラメータのうち、ε_０は真空の誘電率を示している。

前記式（１）中のパラメータのうち、Ｋ_３３は、Ｐ_０を無限大（∞）、すなわち、測定対象である液晶組成物としてキラル化合物を含有しないものを用意し、この液晶組成物について、前記式（１）を適用して求めればよい。このときのＫ_３３を求める液晶組成物としては、キラル化合物を含有しない点以外は、Ｋ_２２の測定対象である液晶組成物と同じ組成のものを用いればよい。Ｐ_０が無限大の場合、前記式（１）は、ｄ／Ｐ_０が０となるため、Ｖｔｈ＝π（Ｋ_３３／｜ε_０・Δε｜）^１／２と表される。そして、Ｖｔｈ及びΔεは、いずれも上記のように実験的に算出できるため、その値を前記式（１）の近似式に代入することで、Ｋ_３３が求められる。
このように、本発明の弾性定数測定方法でのＫ_３３を求める方法は、「特開平８−１７８８８３号公報」（特許文献２）に記載の、２元連立方程式を解いてＫ_３３を求める方法とは全く相違し、前記特許文献に記載の方法で求める場合よりも、高精度にＫ_３３を求められる。

前記式（１）中のパラメータのうち、らせんピッチ（Ｐ_０）及びセルギャップ（ｄ）は、既知の値である。例えば、図１におけるｄ_３は、セルギャップ（ｄ）の一例である。

本発明においては、前記液晶組成物の誘電率異方性（Δε）は−１０〜−１であることが好ましく、−８〜−１．５であることがより好ましく、−６〜−１．８であることがさらに好ましく、−５〜−２であることが特に好ましい。前記液晶組成物の誘電率異方性（Δε）が前記下限値より小さいと、液晶組成物を駆動するための印加電圧の変化に液晶組成物が極めて鋭敏に応答することになり、階調表示が困難になる。また、前記液晶組成物の誘電率異方性（Δε）が前記上限値より大きいと、駆動電圧が上昇し、省電力化の要求に対応することができなくなる。

本発明においては、測定対象である前記液晶組成物を、特定のらせんピッチ（Ｐ_０）を有する様に、ツイスト配向させる必要がある。そのためには、例えば、前記液晶組成物へのキラル化合物の添加と、前記電極間への電圧の印加により、前記液晶組成物をツイスト配向させることが好ましい。キラル化合物については、後ほど詳細に説明する。

上記の手順によって、前記式（１）中のパラメータ、Ｖｔｈ、Δε及びＫ_３３が求まり、さらに、Ｐ_０及びｄは既知の値であるため、前記式（１）中のパラメータで確定できていないのはＫ_２２のみとなる。したがって、これら５種類のパラメータを前記式（１）に代入することで、Ｋ_２２が求まる。
このように、本発明の弾性定数測定方法（Ｋ_２２を求める方法）は、「特開平８−１７８８８３号公報」（特許文献２）に記載の、２元連立方程式を解いてＫ_２２を求める方法とは全く相違し、前記特許文献に記載の方法で求める場合よりも、高精度にＫ_２２を求められる。

本発明においては、例えば、上述の方法で、ｄ／Ｐ_０の値が異なる条件で閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定し、得られた複数の閾値電圧（Ｖｔｈ）の測定値と、対応する複数のｄ／Ｐ_０の値とから、回帰計算によって、Ｖｔｈ及びｄ／Ｐ_０を変数とする関数を導出できる。
このとき、ｄ／Ｐ_０の値が異なるようにするためには、ｄ及びＰ_０のいずれか一方を変化させればよいが、実施例で後述するように、Ｐ_０を一定としてｄを変化させて閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定した場合よりも、ｄを一定としてＰ_０を変化させて閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定した場合の方が、関数の精度が高くなる。すなわち、ｄを一定としてＰ_０を変化させて導出した関数から算出される閾値電圧（Ｖｔｈ）は、閾値電圧（Ｖｔｈ）の実測値との誤差が極めて小さい。したがって、上述の方法で閾値電圧（Ｖｔｈ）からＫ_３３を求めた後に、目的とする液晶組成物のＫ_２２を求めるときには、このＫ_３３を求めたときとｄを同じとして、Ｐ_０を変化させてＫ_２２を求めることにより、高精度にＫ_２２を求められる。

なお、本発明において、「セルギャップ（ｄ）が一定である」とは、セルギャップ（ｄ）が互いに全く同じであるか、又はセルギャップ（ｄ）の差が無視し得るほどに十分に小さいことを意味し、例えば、セルギャップ（ｄ）の差が０〜１．２μｍであることを意味する。
また、本発明において、「らせんピッチ（Ｐ_０）が一定である」とは、らせんピッチ（Ｐ_０）が互いに全く同じであるか、又はらせんピッチ（Ｐ_０）の差が無視し得るほどに十分に小さいことを意味し、例えば、らせんピッチ（Ｐ_０）の差が０〜０．６μｍであることを意味する。

Ｐ_０を変化させて、閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定するためには、Ｐ_０が異なる複数種類の液晶組成物を用いる必要がある。このようにＰ_０が異なる複数種類の液晶組成物としては、１種類又は２種類以上のキラル化合物を含有し、かつ前記キラル化合物の総含有量が互いに異なる２種類以上の液晶組成物、又は、含有するキラル化合物の前記ヘリカルツイスティングパワーが互いに異なる２種類以上の液晶組成物を用いることが好ましく、含有するキラル化合物の前記ヘリカルツイスティングパワーが互いに異なり、かつこれらキラル化合物の含有量が互いに同じである２種類以上の液晶組成物を用いることがより好ましい。このような複数種類の液晶組成物を用いることで、Ｋ_２２の測定精度がより向上する。なお、キラル化合物として前記ヘリカルツイスティングパワーが互いに異なるものを用いる場合には、通常、キラル化合物として異なる種類のものを用いればよい。ヘリカルツイスティングパワーについては、後ほど詳細に説明する。

本発明においては、前記セルのセルギャップ（ｄ）を好ましくは３〜２００μｍ、より好ましくは３〜１５０μｍ、さらに好ましくは３．１〜１２０μｍ、さらに好ましくは３．２〜１００μｍ、さらに好ましくは３．３〜９０μｍ、さらに好ましくは３．４〜８０μｍ、さらに好ましくは３．５〜７０μｍとして、Ｋ_２２及びＫ_３３を測定する。セルギャップ（ｄ）を前記下限値以上とすることで、一対の基板間で挟持されている液晶分子のうち、基板からの距離が遠いものの比率がより高くなり、配向処理された基板の影響を受けて、基板表面に対して垂直な方向に配向させようとする力を強く受ける液晶分子の比率がより低くなって、例えば、閾値電圧（Ｖｔｈ）をより高精度で測定できるなど、Ｋ_２２の測定精度がより向上する。また、セルギャップ（ｄ）を前記上限値以下とすることで、セルギャップ（ｄ）を規定している前記基板のすべての領域において、セルギャップ（ｄ）のばらつきを抑制する効果が高くなることにより、前記セルのセルギャップ（ｄ）の均一性がより高くなる。
なお、本発明において「セルギャップ（ｄ）」とは、後述する方法で求められたものである。

前記セルにおいて、セルギャップ（ｄ）の大きさは、所望の値に調節可能とされていることが好ましい。このようなセルを用いて、セルギャップ（ｄ）を目的とする大きさに調節して測定を行うことで、複数種類のセルを用意する必要がなくなる。また、Ｋ_２２、Ｋ_３３等の弾性定数の測定や、それに必要なＶｔｈ等の他のパラメータの測定を、セルを交換することなく連続的に行うことができ、本発明の弾性定数測定方法を簡略化できる。

セルギャップ（ｄ）の大きさが調節可能とされている前記セルとしては、例えば、前記一対（２枚）の基板のうち、一方の基板のみが、セルギャップ（ｄ）の大きさを変えられるように調節可能とされていてもよいし、両方の基板がともに、セルギャップ（ｄ）の大きさを変えられるように調節可能とされていてもよい。

セルギャップ（ｄ）の大きさを変えられるように、基板を調節する方法としては、例えば、一対の基板のいずれか一方又は両方について、これら基板の表面に対して直交する方向における、セル中での配置位置を変える方法等が挙げられ、一の方法を単独で適用してもよいし、二以上の方法を併用してもよい。
セル中での基板の配置位置を変えるためには、例えば、セルとして、ピエゾ素子等を備えたアクチュエータが基板に設けられたものを用い、このアクチュエータを駆動することで、セル中において基板を移動させればよい。

セルギャップ（ｄ）を求める方法は、特に限定されないが、簡便かつ高精度に求められる点から、以下に示すように、液晶組成物が充填された前記セルを空気中に置いたときの前記セルの静電容量（Ｃ_０）を測定することにより求める方法、液晶組成物が充填された前記セルに光を入射させたときに発生する干渉光を観測することにより前記セルギャップ（ｄ）を求める方法等が挙げられる。

静電容量（Ｃ_０）を測定することによりセルギャップ（ｄ）を求める方法は、以下のとおりである。
静電容量（Ｃ_０）は、液晶組成物が充填された前記セルを空気中に置いたときに、閾値電圧よりも十分に低い電圧を印加した場合の前記セルの静電容量である。ここで、「閾値電圧よりも十分に低い電圧」とは、例えば、閾値電圧に０．１を乗じた電圧（Ｖ）以上、閾値電圧に０．９を乗じた電圧（Ｖ）以下、程度の電圧である。周知のように、セルギャップ（ｄ）は、静電容量（Ｃ_０）、前記セル中の液晶組成物の比誘電率（ε_‖）、真空の誘電率（ε_０）、及び前記セルの電極面積（Ｓ）との間に、下記式で表される関係を有する。ここで、ε_‖、ε_０及びＳは既知であるため、Ｃ_０を測定することにより、セルギャップ（ｄ）が求められる。
Ｃ_０＝ε_‖・ε_０・Ｓ／ｄ

一方、前記干渉光を観測することにより前記セルギャップ（ｄ）を求める方法としては、「Ｔ．Ｊ．Ｓｃｈｅｆｆｅｒ ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ４８， ｐ１７８３（１９７７）」、及び「Ｆ．Ｎａｋａｎｏ，ｅｔ．ａｌ．，ＪＰＮ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．１９，ｐ２０１３（１９８０）」に記載の方法に準拠して、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光を用いる回転結晶法で測定する場合と同様の方法が挙げられる。

＜キラル化合物＞
前記キラル化合物は、公知のものでよく、例えば、不斉原子を有する化合物、軸不斉を有する化合物、面不斉を有する化合物、及びアトロプ異性体のいずれでもよいが、不斉原子を有する化合物又は軸不斉を有する化合物が好ましい。不斉原子を有する化合物において、不斉原子は不斉炭素原子であると、立体反転が起こりにくく好ましいが、ヘテロ原子が不斉原子となっていてもよい。不斉原子は鎖状構造の一部に導入されていても、環状構造の一部に導入されていてもよい。螺旋誘起力が強いことを特に要求される場合には、軸不斉を有する化合物が好ましい。
また、前記キラル化合物は重合性基を有するものでも、重合性基を有しないものでもよい。
前記キラル化合物は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。

不斉原子を有する化合物としては、側鎖部分に不斉炭素を有する化合物、環構造部分に不斉炭素を有する化合物及びその両方を満たす化合物が挙げられる。具体的には下記一般式（Ｃｈ−Ｉ）で表される化合物が挙げられる。

一般式（Ｃｈ−Ｉ）中、Ｒ^１００及びＲ^１０１は互いに独立して、水素原子、シアノ基、ＮＯ_２、ハロゲン、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＳＦ_５、炭素原子数１〜３０個のキラル又はアキラルなアルキル基、重合性基又は環構造を含むキラルな基を表すが、該アルキル基中の１個又は２個以上の隣接していないＣＨ_２基は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又はＣ≡Ｃ−により置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は互いに独立して、ハロゲン又はシアノ基によって置換されていてもよく、該アルキル基は直鎖状であっても、分岐していても又は環構造を含んでいてもよい。
ＣＨ_２基が置換されているキラルなアルキル基としては、以下の式（Ｒａ）〜（Ｒｋ）が好ましい。

式中、Ｒ^３及びＲ^５は、各々独立に炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は水素原子を表し、該アルキル基の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−基は酸素原子又は硫黄原子が相互に直接結合しないものとして−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｏ−ＳＯ_２−、−ＳＯ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、シクロプロピレン基又は−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−で置き換えられてもよく、さらにアルキル基の１つ又はそれ以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子あるいはシアノ基で置き換えられていてもよく、重合性基を有していてもよい。重合性基としては、下記の式（Ｒ−１）〜（Ｒ−１５）で表される構造が好ましい。

また、Ｘ^３及びＸ^４は、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、フェニル基（該フェニル基の１つ又は２つ以上の任意の水素原子はハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、メチル基、メトキシ基、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）、メチル基、メトキシ基、−ＣＦ_３、又は−ＯＣＦ_３であることが好ましい。ただし、一般式（Ｒｃ）及び（Ｒｈ）において、アステリスク＊を付した位置が不斉原子となるためには、Ｘ^４はＸ^３と異なる基が選択される。

また、ｎ_３は０〜２０の整数であり、ｎ_４は０又は１であり、
一般式（Ｒｄ）及び（Ｒｉ）におけるＲ^５は、水素原子又はメチル基が好ましく、
一般式（Ｒｅ）及び（Ｒｊ）におけるＱは、メチレン基、イソプロピリデン基、シクロヘキシリデン基などの二価の炭化水素基が挙げられ、
一般式（Ｒｋ）におけるｋは、０〜５の整数であり、
より好ましくは、Ｒ^３＝Ｃ_４Ｈ_９、Ｃ_６Ｈ_１３、Ｃ_８Ｈ_１７などの炭素原子数４〜８の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。また、Ｘ^３としては、Ｆ、ＣＦ_３、ＣＨ_３が好ましい。
中でも特に、ＣＨ_２基が置換されているキラルなアルキル基としては、

（式中、ｏは０又は１であり、ｎは２〜１２、好ましくは３〜８、より好ましくは４、５又は６の整数であり、アステリスク＊は、キラルな炭素原子を表す。）が好ましい。

一般式（Ｃｈ−Ｉ）中、Ｚ^１００及びＺ^１０１は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^ａ）−、−Ｎ（Ｒ^ａ）−ＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−又は単結合を表し、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^ａ）−又は−Ｎ（Ｒ^ａ）−ＣＯ−におけるＲ^ａは水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を表すが、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合であるのが好ましい。

一般式（Ｃｈ−Ｉ）中、Ａ^１００及びＡ^１０１は互いに独立して、
（ａ） トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は互いに独立して−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は窒素原子に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） １，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、インダン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これら（ｃ）群の基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は互いに独立して−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよく、これら（ｃ）群の基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は窒素原子に置き換えられてもよい。）からなる群より選ばれる基を表すが、これらの全ての基は、非置換であるか、ハロゲン、シアノ基、ＮＯ_２又は、１個若しくは２個以上の水素原子がＦ若しくはＣｌにより置換されていてもよい炭素原子数１〜７個のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基若しくはアルコキシカルボニル基で一置換若しくは多置換されていてもよい。

Ａ^１００及びＡ^１０１は、１，４−フェニレン又はトランス−１，４−シクロヘキシレンが好ましいが、これらの環が、非置換であるか、あるいは１〜４位において、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮあるいは、１〜４個の炭素原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル又はアルコキシカルボニルで置換されているのが好ましい。

一般式（Ｃｈ−Ｉ）中、ｎ^１１は０又は１を表し、ｎ^１１が０のとき、ｍ^１２は０であり、かつｍ^１１は０、１、２、３、４又は５であり、ｎ^１１が１のとき、ｍ^１１とｍ^１２は各々独立に０、１、２、３、４又は５であり、ｎ^１１が０のとき、Ｒ^１００及びＲ^１０１の少なくとも１つは、キラルなアルキル基、重合性基又は環構造を含むキラルな基である。
ｎ^１１及びｍ^１２が０のとき、ｍ^１１は１、２又は３であるのが好ましく、ｎ^１１が１のとき、ｍ^１１及びｍ^１２は各々独立に１、２又は３であるのが好ましい。

一般式（Ｃｈ−Ｉ）中、Ｄは、不斉炭素原子及び／又は軸不斉を有する２価の有機基を表す。Ｄは、軸不斉を有さず、１個又は２個以上の不斉炭素原子を有していてもよいし、不斉炭素原子を有さず、１又は２以上の軸不斉を有していてもよいし、１個又は２個以上の不斉炭素原子と、１又は２以上の軸不斉と、をともにを有していてもよい。

Ｄは、下記式（Ｄ１）〜（Ｄ３）

（式中、ベンゼン環の任意の１個又は２個以上の任意の水素原子はハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、炭素原子数１〜２０のアルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよく、該アルキル基又はアルコキシ基の水素原子は任意にフッ素原子に置換されていてもよく、また該アルキル基又はアルコキシ基中のメチレン基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又はＣ≡Ｃ−により、酸素原子又は硫黄原子が互いに直接結合しないように置換されていてもよい。）で表される。）で表される基であることが好ましい。

一般式（Ｃｈ−Ｉ）における部分構造、−（Ａ^１００−Ｚ^１００）ｍ^１１−（Ｄ）ｎ^１１−（Ｚ^１０１−Ａ^１０１）ｍ^１２−においてｎ^１１が０である場合には、該部分構造は以下の構造が好ましい。

（但し、これらの式においてベンゼン環の任意の１つ又は２つ以上の任意の水素原子はハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、メチル基、メトキシ基、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３で置換されていてもよく、ベンゼン環の任意の１つ又は２つ以上の炭素原子は、窒素原子に置換されていてもよく、これらの置換基及び窒素原子の導入は結晶性の低下及び誘電率異方性の向きや大きさを制御するのに好ましい。Ｚの定義は式（Ｃｈ−Ｉ）におけるＺ^１００及びＺ^１０１と同じである。）が挙げられる。信頼性の面では、ピリジン環、ピリミジン環等の複素環よりもベンゼン環やシクロヘキサン環の方が好ましい。誘電率異方性を大きくするという面では、ピリジン環、ピリミジン環等の複素環を有する化合物を使うことがよいが、その場合には化合物が有する分極性が比較的大きく、結晶性を低下させ液晶性を安定化するために好ましく、ベンゼン環やシクロヘキサン環等の炭化水素環である場合には、化合物が有する分極性が低い。このため、キラル化合物の分極性に応じて、適切な含有量を選択することが好ましい。

ｎ^１１及びｍ^１２が０のとき、一般式（Ｃｈ−Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、以下のとおりである。

式中、Ｒ^１００、Ｒ^１０１及びＺ^１００は、一般式（Ｃｈ−Ｉ）におけるＲ^１００、Ｒ^１０１及びＺ^１００と同じ意味を表し、Ｒ^１００及びＲ^１０１の少なくとも一つはキラルな基を表し、Ｌ^１００〜Ｌ^１０５は各々独立に水素原子又はフッ素原子を表す。
中でも、一般式（Ｃｈ−Ｉ）で表される化合物は、下記式で表される化合物が好ましい。

ｎ^１１が１を表すとき、一般式（Ｃｈ−Ｉ）で表される化合物は環構造部分に不斉炭素を有する構造となるが、キラルな構造Ｄは式（Ｄ２）が好ましい。
Ｄが式（Ｄ２）を表す場合の一般式（Ｃｈ−Ｉ）で表される化合物は、具体的には以下の式（２Ｄ−１）〜（２Ｄ−８）

（式中、Ｒ^ｄは各々独立して、炭素原子数３〜１０のアルキルであり、このアルキル中の環に隣接する−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよい。）で表される化合物が好ましい。

軸不斉化合物としては、下記一般式（ＩＶ−ｄ４）、（ＩＶ−ｄ５）、（ＩＶ−ｃ１）及び（ＩＶ−ｃ２）で表される化合物が好ましい。ここで軸不斉の軸は、一般式（ＩＶ−ｄ４）、（ＩＶ−ｄ５）、（ＩＶ−ｃ２）の場合、２つのナフタレン環のα位を結ぶ結合であり、一般式（ＩＶ−ｃ１）の場合、２つのベンゼン環を結ぶ単結合である。

一般式（ＩＶ−ｄ４）及び（ＩＶ−ｄ５）中、Ｒ^７１及びＲ^７２は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ（ＣＮ）基、イソシアネート（ＮＣＯ）基、イソチオシナネート（ＮＣＳ）基又は炭素原子数１〜２０のアルキル基を表すが、このアルキル基中の任意の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、このアルキル中の任意の水素はハロゲン原子で置き換えられてもよい。

一般式（ＩＶ−ｄ４）及び（ＩＶ−ｄ５）中、Ａ^７１及びＡ^７２は各々独立に、芳香族性あるいは非芳香族性の３、６ないし８員環、又は、炭素原子数９以上の縮合環を表すが、これらの環の任意の水素原子がハロゲン原子、炭素原子数１〜３のアルキル基又はハロアルキル基で置き換えられてもよく、環の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＮＨ−で置き換えられてもよく、環の１つ又は２つ以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよい。

一般式（ＩＶ−ｄ４）及び（ＩＶ−ｄ５）中、Ｚ^７１及びＺ^７２は各々独立に、単結合又は炭素原子数１〜８のアルキレン基を表すが、任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＳＯ−、−ＯＣＳ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ（Ｏ）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ（Ｏ）−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、又は−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、任意の水素原子はハロゲン原子で置き換えられてもよい。

一般式（ＩＶ−ｄ４）及び（ＩＶ−ｄ５）中、Ｘ^７１及びＸ^７２は各々独立に単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表す。

一般式（ＩＶ−ｄ４）及び（ＩＶ−ｄ５）中、ｍ_７１及びｍ_７２は各々独立に１〜４の整数を表す。ただし、一般式（ＩＶ−ｄ５）におけるｍ_７１及びｍ_７２のいずれか一方は０でもよい。
Ｒ^ｋは、水素原子、ハロゲン原子、又はＸ^７１−（Ａ^７１−Ｚ^７１）−Ｒ^７１と同じ意味を表す。

一般式（ＩＶ−ｃ１）及び（ＩＶ−ｃ２）中、Ｘ^６１とＹ^６１、Ｘ^６２とＹ^６２は、それぞれ、いずれか少なくとも一方が存在し、Ｘ^６１、Ｘ^６２、Ｙ^６１、Ｙ^６２は、各々独立にＣＨ_２、Ｃ＝Ｏ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉのいずれかを表す。また、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉである場合は、所要の原子価を満足するように、アルキル基、アルコキシ基、アシル基等の置換基と結合されていてもよい。

一般式（ＩＶ−ｃ１）及び（ＩＶ−ｃ２）中、Ｅ^６１及びＥ^６２は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アリール基、アリル基、ベンジル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルエーテル基、アルキルエステル基、アルキルケトン基、複素環基又はこれらの誘導体のいずれかを表す。
また、一般式（ＩＶ−ｃ１）及び（ＩＶ−ｃ２）中、
Ｒ^６１及びＲ^６２は、各々独立に、アルキル基、アルコキシル基もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいフェニル基、シクロペンチル基、又はシクロヘキシル基を表す。

一般式（ＩＶ−ｃ１）中、 Ｒ^６３、Ｒ^６４、Ｒ^６５、Ｒ^６６、Ｒ^６７及びＲ^６８は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、又はジアルキルアミノ基を示し、Ｒ^６３、Ｒ^６４及びＲ^６５のうちの２つが、置換基を有していてもよいメチレン鎖、又は置換基を有していてもよい、モノ又はポリメチレンジオキシ基を形成していてもよく、Ｒ^６６、Ｒ^６７及びＲ^６８のうちの２つが、置換基を有していてもよいメチレン鎖、又は置換基を有していてもよい、モノ又はポリメチレンジオキシ基を形成していてもよい。ただし、Ｒ^６５とＲ^６６が共に水素原子の場合は除く。

らせん誘起力が強いことを特に要求される場合には、一般式（ＩＶ−ｄ４）及び（ＩＶ−ｄ５）で表される化合物が特に好ましい。

前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）は、前記液晶組成物中のキラル化合物の濃度が高くなると小さくなるが、前記液晶組成物中のキラル化合物の濃度が低い場合には、キラル化合物の濃度（ｃ（質量％））とらせんピッチ（Ｐ_０（μｍ））の積は一定となることが知られており、その逆数を用いて、下記式（４）で表されるヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ（μｍ^−１））が定義されている。ヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ）は、キラル化合物の液晶組成物をツイスト配向させる能力（らせん誘起力）の大きさを示す。
ＨＴＰ＝１／（Ｐ_０×０．０１ｃ） ・・・（４）

本発明においては、前記キラル化合物のヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ）は、１．０〜１００．０μｍ^−１であることが好ましく、２．０〜７０．０μｍ^−１であることがより好ましく、３．０〜２０．０μｍ^−１であることが特に好ましい。
キラル化合物のヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ）が前記下限値以上であることで、液晶組成物は、キラル化合物の含有量によって物性値が影響を受けることなく、十分なツイスト配向能が得られる。また、キラル化合物のヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ）が前記上限値以下であることで、液晶組成物は、キラル化合物の含有量が少なくても、十分なツイスト配向能が得られる。

通常、測定対象である前記液晶組成物の前記キラル化合物の含有量が多いほど、閾値電圧（Ｖｔｈ）は小さくなる。このような効果も考慮し、測定対象である前記液晶組成物の前記キラル化合物の含有量は、例えば、好ましくは０．０００１質量％以上、より好ましくは０．０００５質量％以上、さらに好ましくは０．００１質量％以上、さらに好ましくは０．００２５質量％以上、さらに好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．００７５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０２５質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．０７５質量％以上である。また、測定対象である前記液晶組成物の前記キラル化合物の含有量は、例えば、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは７．５質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは３．５質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．６質量％以下、さらに好ましくは０．４質量％以下である。

＜液晶組成物＞
本発明におけるＫ_２２の測定対象の液晶組成物は、ｎ型液晶組成物であることが好ましい。
以下、本発明において好ましいｎ型液晶組成物について、詳細に説明する。
なお、本明細書中、液晶組成物に関する説明での単なる「％」との記載は、特に断りのない限り「質量％」を意味する。

ｎ型液晶組成物は、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物からなる群より選ばれる化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。これら化合物は誘電的に負の化合物（Δεの符号が負で、その絶対値が２より大きい。）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。）

一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物は、Δεが負でその絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。
一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。
また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。
Ｘ^Ｎ２１はフッ素原子が好ましい。
Ｔ^Ｎ３１は酸素原子が好ましい。
ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は１又は２が好ましく、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、が好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。

前記液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。さらに、前記液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性のよい組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高く上限値が高いことが好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、一般式（Ｎ−１−１）〜（Ｎ−１−２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１１１及びＲ^Ｎ１１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｎ１１１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、プロピル基又はペンチル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１１２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１．１）から式（Ｎ−１−１．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）及び式（Ｎ−１−１．３）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、前記液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１２１及びＲ^Ｎ１２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｎ１２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３７％であり、４０％であり、４２％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４８％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましく、Δεの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）で表される化合物が好ましく、Ｔ_ＮＩの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、前記液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１３１及びＲ^Ｎ１３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｎ１３１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^Ｎ１３２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、式（Ｎ−１−３．１）から式（Ｎ−１−３．１１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）、式（Ｎ−１−３．２）、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−３．１）〜式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、式（Ｎ−１−３．１）及び式（Ｎ−１−３．２）の組み合わせ、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）から選ばれる２種類又は３種類の組み合わせが好ましい。前記液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１１％であり、１０％であり、８％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、式（Ｎ−１−４．１）から式（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）及び式（Ｎ−１−４．２）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、前記液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１１％であり、１０％であり、８％である。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましくエチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、式（Ｎ−１−５．１）から式（Ｎ−１−５．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．２及び式（Ｎ−１−３．４）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−３．２及び式（Ｎ−１−３．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、前記液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}及びＲ^{Ｎ１１０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１０１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１０２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１０．１）から式（Ｎ−１−１０．１１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、前記液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}及びＲ^{Ｎ１１１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１１１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１１２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１１．１）から式（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物が好ましい。

式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、前記液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１２１}及びＲ^{Ｎ１１２２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１２１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１２２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１３１}及びＲ^{Ｎ１１３２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１３１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１３２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１４１}及びＲ^{Ｎ１１４２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１４１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１４２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１５１}及びＲ^{Ｎ１１５２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１５１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１５２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１６１}及びＲ^{Ｎ１１６２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１６１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１６２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１７１}及びＲ^{Ｎ１１７２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１７１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１７２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１１８１}及びＲ^{Ｎ１１８２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

Ｒ^{Ｎ１１８１}は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。Ｒ^{Ｎ１１８２}は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、Ｔ_ＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１２０１}及びＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^{Ｎ１２１１}及びＲ^{Ｎ１２１２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

一般式（Ｎ−２）で表される化合物は一般式（Ｎ−２−１）〜（Ｎ−２−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−２−１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ２１１及びＲ^Ｎ２１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

一般式（Ｎ−２−２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ２２１及びＲ^Ｎ２２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

一般式（Ｎ−２−３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ２３１及びＲ^Ｎ２３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

一般式（Ｎ−３）で表される化合物は一般式（Ｎ−３−１）〜（Ｎ−３−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

一般式（Ｎ−３−１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ３１１及びＲ^Ｎ３１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｎ３２１及びＲ^Ｎ３２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。）

一般式（ｉｉ）で表される化合物は、一般式（ｉｉ−１Ａ）、一般式（ｉｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉｉ−１Ｃ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉ１及びＸ^ｉｉ１は、それぞれ独立して一般式（ｉｉ）におけるＲ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉ１及びＸ^ｉｉ１と同じ意味を表し、Ａ^ｉｉ１ｃ及びＡ^ｉｉ１ｄはそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよく、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、Ｚ^ｉｉ１ｃ及びＺ^ｉｉ１ｄはそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表す。）

一般式（ｉｉ−１Ａ）又は一般式（ｉｉ−１Ｂ）で表される化合物において、Ｚ^ｉｉ１は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉ−１Ｃ）で表される化合物は、下記一般式（ｉｉ−１Ｃ−１）〜一般式（ｉｉ−１Ｃ−４）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉ１及びＲ^ｉｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉｉ）におけるＲ^ｉｉ１及びＲ^ｉｉ２と同じ意味を表す。）

一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、一般式（ｉｉｉ−１Ａ）、一般式（ｉｉｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉｉｉ−１Ｃ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉｉ１、Ｒ^ｉｉｉ２及びＺ^ｉｉｉ１は、それぞれ独立して一般式（ｉｉｉ）におけるＲ^ｉｉｉ１、Ｒ^ｉｉｉ２及びＺ^ｉｉｉ１と同じ意味を表し、Ａ^{ｉｉｉ１ｃ}及びＡ^{ｉｉｉ１ｄ}はそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよく、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されてもよく、Ｚ^{ｉｉｉ１ｃ}及びＺ^{ｉｉｉ１ｄ}はそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表す。）

一般式（ｉｉｉ−１Ａ）又は一般式（ｉｉｉ−１Ｂ）で表される化合物において、Ｚ^ｉｉｉ１は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉｉ−１Ｃ）で表される化合物は、下記一般式（ｉｉｉ−１Ｃ−１）〜一般式（ｉｉｉ−１Ｃ−３）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉｉｉ）におけるＲ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２と同じ意味を表す。）

前記液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表される化合物を２種類以上含有する場合は、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表される化合物のうちいずれかの式のみから選ばれる化合物を２種類以上含有してもよいし、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表される化合物から選ばれる２つ以上の式から選ばれる化合物を２種類以上含有してもよい。

前記液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましく、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉ−１Ｃ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましく、２種類から１０種類含有することがより好ましい。

更に詳述すると、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）及び一般式（ｉ−１Ｃ）は一般式（ｉ−１Ａ−１）、一般式（ｉ−１Ｂ−１）及び一般式（ｉ−１Ｃ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましく、一般式（ｉ−１Ａ−１）で表される化合物及び一般式（ｉ−１Ｂ−１）で表される化合物の組み合わせであることがより好ましい。

一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の含有量の総量は１０から９０質量％であることが好ましく、２０から８０質量％が更に好ましく、２０から７０質量％が更に好ましく、２０から６０質量％が更に好ましく、２０から５５質量％が更に好ましく、２５から５５質量％が更に好ましく、３０から５５質量％が特に好ましい。

より具体的には、一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の含有量の総量は、組成物中に下限値として、１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましく、２３％以上含有することが好ましく、２５％以上含有することが好ましく、２８％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、３３％以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、３８％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８８％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８３％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７８％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７３％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６８％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６３％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましい。

前記液晶組成物は、一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。一般式（Ｌ）で表される化合物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）に該当する。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよいが、一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）

一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

前記液晶組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。

前記液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、前記液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性のよい組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合にはＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）

ｎ^Ｌ１は応答速度を重視する場合には０が好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３が好ましく、これらのバランスをとるためには１が好ましい。また、組成物として求められる特性を満たすためには異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。
一般式（Ｌ）で表される化合物は、分子内に存在するハロゲン原子の数が０又は１個であることが好ましい。
一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

好ましい含有量の下限値は、前記液晶組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、４５％であり、５０％であり、５５％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、９５％であり、９０％であり、８５％であり、８０％であり、７５％であり、７０％であり、６５％であり、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。

前記液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、前記液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性のよい組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）

一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１）から式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）又は式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４２％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は前記液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）又は式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−２．３）及び式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度をよくするために３０％以上にすることは好ましくない。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３８％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物及び式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）から式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）又は式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は前記液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物の合計の含有量は、低温での溶解度をよくするために２０％以上にすることは好ましくない。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−４）及び／又は（Ｌ−１−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）

Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−４）及び（Ｌ−１−５）で表される化合物は、式（Ｌ−１−４．１）から式（Ｌ−１−５．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）又は式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物であることが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。

式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種類以上の化合物を組み合わせることが好ましく、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）及び式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種類以上の化合物を組み合わせることが好ましく、これら化合物の合計の含有量の好ましい含有量の下限値は、前記液晶組成物の総量に対して、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、８０％であり、７０％であり、６０％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％である。組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）及び式（Ｌ−１−３．４））で表される化合物から選ばれる２種類以上の化合物を組み合わせることが好ましく、組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種類以上の化合物を組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ２１及びＲ^Ｌ２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｌ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）から式（Ｌ−２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）及び式（Ｌ−２．６）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、前記液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。

高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）から式（Ｌ−３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−３．２）から式（Ｌ−３．７）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ４１及びＲ^Ｌ４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｌ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ４２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

前記液晶組成物において、一般式（Ｌ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物であることが好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有していてもよいし、式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物を全て含んでいてもよい。前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．１）又は式（Ｌ−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、前記液晶組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５％であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．４）から式（Ｌ−４．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることが好ましい。

低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有していてもよい。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．４）又は式（Ｌ−４．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％である。好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有する場合は、前記液晶組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５％であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．７）から式（Ｌ−４．１０）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ５１及びＲ^Ｌ５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）

Ｒ^Ｌ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^Ｌ５２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

前記液晶組成物において、一般式（Ｌ−５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．１）又は式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．３）又は式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．５）から式（Ｌ−５．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）

Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２のうち一方がフッ素原子他方が水素原子であることが好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。Δｎを大きくすることに重点を置く場合には含有量を多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置いた場合には含有量は少ない方が好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１）から式（Ｌ−６．９）で表される化合物であることが好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種類〜３種類含有することが好ましく、１種類〜４種類含有することがさらに好ましい。また、選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）又は（Ｌ−６．２）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．４）又は（Ｌ−６．５）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．６）又は式（Ｌ−６．７）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．８）又は（Ｌ−６．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）及び式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−６．１０）から式（Ｌ−６．１７）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は下記の化合物である。

（式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３と同じ意味を表すが、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｚ^Ｌ７１は一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表し、Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）

式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基又は１,４-フェニレン基が好ましく、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、Ｑ^Ｌ７１は単結合又はＣＯＯ−が好ましく、単結合が好ましく、Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２は水素原子が好ましい。

組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

前記液晶組成物において、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％である。前記液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。

前記液晶組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）から式（Ｌ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）から式（Ｌ−７．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）から式（Ｌ−７．２３）で表される化合物である。式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）から式（Ｌ−７．３４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）又は／及び式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）から式（Ｌ−７．４４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）又は／及び式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることが好ましい。

前記液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、一般式（Ｌ）及び（Ｎ）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。

前記液晶組成物の総量に対しての一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（Ｌ−１）から（Ｌ−７）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、８０％であり、８５％であり、８８％であり、９０％であり、９２％であり、９３％であり、９４％であり、９５％であり、９６％であり、９７％であり、９８％であり、９９％であり、１００％である。好ましい含有量の上限値は、１００％であり、９９％であり、９８％であり、９５％である。

前記液晶組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

前記液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５％以下とすることが好ましく、３％以下とすることがより好ましく、１％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０％以上とすることが好ましく、９０％以上とすることがより好ましく、９５％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで組成物を構成することが最も好ましい。

前記液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善及びＴｎｉの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本明細書において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。

前記液晶組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。

本発明の弾性定数測定方法によれば、従来、ｎ型液晶組成物について精度のよい測定方法がなかったツイストの弾性定数（Ｋ_２２）も高精度に測定でき、その測定の過程において、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）及び閾値電圧（Ｖｔｈ）も高精度に測定できる。したがって、これらの数値と、従来より測定方法が知られているスプレイの弾性定数（Ｋ_１１）とを利用することで、ｎ型液晶組成物の特性を高精度に予測でき、例えば、目的とする液晶表示素子をより簡略化されたプロセスで設計できるなど、優れた効果を奏する。

なお、Ｋ_１１は、例えば、電極間に高電圧（Ｖ）を印加した場合における、液晶組成物が充填されたセルの静電容量（Ｃ）から求められる。電極間に電圧を印加していない状態での液晶セルでは、液晶分子は垂直配向する。垂直配向した液晶分子の基板に対するダイレクタの傾き角（φ）を０とすれば、電極間に高電圧（Ｖ）を印加した場合、セルの厚さ方向の中央における液晶分子のダイレクタの傾き角（φｍ）がπ／２ラジアンに近似されることを考慮し、Ｃ_‖を特に閾値電圧（Ｖｔｈ）よりも十分に低い電圧を印加したときの、液晶組成物が充填されたセルの静電容量とした場合、下記式（３）が成り立つことが知られている。ただし、式（３）中のａ、γはそれぞれ下記式（３１）、（３３）で表され、式（３１）中のκは、下記式（３２）で表される。なお、ここで「閾値電圧よりも十分に低い電圧」とは、先に説明したとおりである。

ここで、ａ及びγは定数であり、前記式（３）から明らかなように、「（Ｃ−Ｃ_‖）／Ｃ_‖」を縦軸にとり、「Ｖｔｈ／Ｖ」を横軸にとってグラフにプロットすると、これら変数の間には直線関係が成り立つ。そこで、印加電圧（Ｖ）を変化させて静電容量（Ｃ）を測定し、実際に「（Ｃ−Ｃ_‖）／Ｃ_‖」及び「Ｖｔｈ／Ｖ」をグラフにプロットして、得られた直線の傾き（すなわち、「Ｖｔｈ／Ｖ」の変化量に対する「（Ｃ−Ｃ_‖）／Ｃ_‖」の変化量の割合）を求めることができる。このとき得られる傾きの値は、前記式（３）より「ａ・γ」に等しくなるので、ａが求められ、さらに前記式（３１）によりκが求められ、前記式（３２）によりＫ_１１が求められる。

＜＜液晶組成物の弾性定数測定装置＞＞
本発明の液晶組成物の弾性定数測定装置（以下、単に「測定装置」と略記することがある）は、ツイストの弾性定数（Ｋ_２２）の測定対象である液晶組成物を挟持するための、電極及び相対する２枚の基板を有するセルと、前記電極間に、任意の電圧を印加するための電圧印加手段と、前記電極間に電圧が印加された状態で、前記液晶組成物が充填された前記セルの静電容量（Ｃ）を測定するための実測手段と、前記実測手段によって測定された静電容量（Ｃ）から閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定する手段と、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）、真空の誘電率（ε_０）及び誘電率異方性（Δε）、並びに前記セルのセルギャップ（ｄ）を入力することで、下記式（１）により、前記液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を決定する弾性定数決定手段と、を備えることを特徴とする。

本発明の弾性定数測定装置は、上述の本発明の弾性定数測定方法を適用するのに好適なものである。

本発明の弾性定数測定装置における前記セルは、上述の弾性定数測定方法で説明したセルと同じものである。

前記電圧印加手段は、液晶表示素子においてセル中の電極間に電圧を印加する公知のものでよい。
前記実測手段は、電極間に電圧を印加したときの静電容量を測定できる公知のものでよい。
前記電圧印加手段及び実測手段は、通常、セルと電気的に接続される。

前記実測手段によって測定された静電容量（Ｃ）から閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定する手段（以下、「閾値電圧測定手段」と略記することがある）としては、例えば、前記電圧印加手段で電極間に印加する電圧を変化させたときの、静電容量（Ｃ）の変化を検出できるものが挙げられ、一定値以上の静電容量（Ｃ）の変化量を自動で検出できるものが好ましい。前記閾値電圧測定手段は、前記実測手段を兼ねるものであってもよい。

前記弾性定数決定手段は、入力された前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）、真空の誘電率（ε_０）及び誘電率異方性（Δε）、並びに前記セルのセルギャップ（ｄ）の値に基づいて、前記式（１）により、前記液晶組成物のＫ_２２を決定するものであり、このようなものとして、例えば、コンピュータの演算装置等を用いることができる。

本発明の弾性定数測定装置は、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）を測定する手段として、液晶組成物の比誘電率ε_‖を測定する手段と、液晶組成物の比誘電率ε_⊥を測定する手段と、比誘電率ε_‖及び比誘電率ε_⊥に基づいて、誘電率異方性（Δε）を算出する手段と、を有するものを備えていてもよい。
比誘電率ε_‖を測定する手段としては、例えば、垂直配向処理されたセルと、このセルと電気的に接続されたＬＣＲメータと、を有するものが挙げられる。
比誘電率ε_⊥を測定する手段としては、例えば、水平配向処理されたセルと、このセルと電気的に接続されたＬＣＲメータと、を有するものが挙げられる。
誘電率異方性（Δε）を算出する手段は、例えば、入力された比誘電率ε_‖及び比誘電率ε_⊥の値に基づいて、式「Δε＝｜ε_‖−ε_⊥｜」により、前記液晶組成物のΔεを算出するものであり、このようなものとして、例えば、コンピュータの演算装置等を用いることができる。なお、前記式（１）中のパラメータのうち、ε_０は真空の誘電率を示している。

本発明の弾性定数測定装置は、セルギャップ（ｄ）を測定する手段を備えていてもよい。
セルギャップ（ｄ）を測定する手段としては、例えば、セルに光を入射させる光源と、干渉光の干渉縞のピッチを測定する測定器と、入力された干渉縞のピッチの測定値に基づいて、液晶組成物の屈折率の波長分散を考慮したセルギャップ（ｄ）を算出する手段と、有するものも挙げられる。
また、セルギャップ（ｄ）を測定する手段としては、例えば、セルの静電容量（Ｃ_０）を測定する手段と、入力された液晶組成物の比誘電率（ε_‖）、真空の誘電率（ε_０）、セルの電極面積（Ｓ）、及びセルの静電容量（Ｃ_０）の値に基づいて、式「Ｃ_０＝ε_‖・ε_０・Ｓ／ｄ」によりセルギャップ（ｄ）を算出する手段と、を有するものも挙げられる。
上述の、入力された干渉縞のピッチの測定値に基づいて、セルギャップ（ｄ）を算出する手段と、入力された液晶組成物の比誘電率（ε_‖）、真空の誘電率（ε_０）、セルの電極面積（Ｓ）、及びセルの静電容量（Ｃ_０）の値に基づいて、セルギャップ（ｄ）を算出する手段としては、例えば、コンピュータの演算装置等を用いることができる。

本発明の弾性定数測定装置の一実施形態を図２に概略的に示す。ここに示す測定装置１は、セル２、電圧印加手段３、実測手段４、閾値電圧測定手段５及び弾性定数決定手段６を備える。なお、図２中、符号９は配線を示している。

測定装置１において、セル２としては、例えば、図１に示すセル２Ｃ等を用いることができる。

測定装置１において、電圧印加手段３及び実測手段４は、セル２と電気的に接続されており、閾値電圧測定手段５は実測手段４及び弾性定数決定手段６と電気的に接続されている。これにより、例えば、実測手段４により測定された静電容量（Ｃ）の情報が、閾値電圧測定手段５に自動で送信され、閾値電圧測定手段５において、閾値電圧（Ｖｔｈ）が自動的に求められるように設定できる。

測定装置１がセルギャップ（ｄ）を測定する手段７１を備えている場合、セルギャップ（ｄ）を測定する手段７１は、セル２と電気的に接続され、セルギャップ（ｄ）を自動で測定できるよう設定されていることが好ましく、さらに、セルギャップ（ｄ）を測定する手段７１は、弾性定数決定手段６と電気的に接続され、セルギャップ（ｄ）の測定値を弾性定数決定手段６に自動で入力できるよう設定されていることが好ましい。

また、測定装置１が誘電率異方性（Δε）を算出する手段７２を備えている場合、誘電率異方性（Δε）を算出する手段７２は、弾性定数決定手段６と電気的に接続され、誘電率異方性（Δε）の測定（算出）値を弾性定数決定手段６に自動で入力できるよう設定されていることが好ましい。

ただし、測定装置１は、本発明の一例に過ぎず、本発明の弾性定数測定装置は、これに限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更が加えられたものでもよい。

液晶組成物は、これに特有の弾性定数（Ｋ_１１、Ｋ_２２、Ｋ_３３）を使用してシミュレーションすることにより、目的とする特性を有しているか否かを推測することが可能であり、このような手法は、液晶組成物の設計に極めて有用である。
しかし、ｎ型液晶組成物を駆動するときに、液晶分子は、そのセル中での存在箇所によって加えられる力の大きさ及び方向が異なり、さらに近傍に存在する液晶分子との間で及ぼし合う相互作用の大きさ及び方向も異なる。したがって、弾性定数（Ｋ_１１、Ｋ_２２、Ｋ_３３）のうち一部のものしか考慮しなかったり、誤差の大きい弾性定数（特にＫ_２２）を使用したりすると、液晶組成物の特性を精度よく推測することができず、この点で従来法は、不十分なものであった。
これに対して、本発明によれば、Ｋ_２２も含めて高精度な弾性定数に基づいて、液晶組成物の特性を高精度で推測可能であり、極めて高い精度で液晶組成物を設計できる。したがって、このような液晶組成物を使用して、液晶表示素子も極めて高い精度で設計できる。

＜＜本発明により物性値を測定した液晶組成物の使用方法＞＞
上述の本発明の液晶組成物の弾性定数測定方法及び弾性定数測定装置を利用して、設計を行い、液晶表示素子において実用に供する液晶組成物は、ｎ型液晶組成物であることが特に好ましい。
実用に供する前記ｎ型液晶組成物としては、例えば、上述の本発明の液晶組成物の弾性定数測定方法を適用するｎ型液晶組成物と同じものが挙げられる。

実用に供する前記ｎ型液晶組成物は、前記弾性定数測定方法の適用対象であるｎ型液晶組成物が、さらに重合性化合物を含有したものでもよい。

使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。更に具体的には、一般式（ＸＸ）

（式中、Ｘ^２０１及びＸ^２０２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、
Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）が好ましく、
Ｚ^２０１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｍ^２０１は１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい。）で表される二官能モノマーが好ましい。

一般式（ＸＸ）で表される二官能モノマーは単独で使用することも、混合して使用することもできる。その含有量は０．００１から５％であることが好ましく、０．０１から３％が好ましく、０．０５から２％が好ましく、０．０８から１％が好ましく、０．１から０．５％が特に好ましい。

Ｘ^２０１及びＸ^２０２は、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を有するジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。

Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表すが、ＰＳＡ表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す態様が好ましい。この場合１〜４のアルキル基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

Ｚ^２０１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。

Ｍ^２０１は任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４−フェニレン基又は単結合が好ましい。Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^２０１は単結合以外の連結基も好ましく、Ｍ^２０１が単結合の場合、Ｚ^２０１は単結合が好ましい。

これらの点から、一般式（ＸＸ）において、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２の間の環構造は、具体的には次に記載する構造が好ましい。

一般式（ＸＸ）において、Ｍ^２０１が単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合において、次の式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−５）を表すことが好ましく、式（ＸＸａ−１）から式（ＸＸａ−３）を表すことがより好ましく、式（ＸＸａ−１）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^２０１又はＳｐ^２０２に結合するものとする。）

これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力が液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない。

以上のことから、重合性モノマーとしては、一般式（ＸＸ−１）〜一般式（ＸＸ−４）が特に好ましく、中でも一般式（ＸＸ−２）が最も好ましい。

（式中、Ｓｐ^２０は炭素原子数２から５のアルキレン基を表す。）

前記液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。

重合性化合物を重合させる方法としては、液晶の良好な配向性能を得るためには、適度な重合速度が望ましいので、紫外線又は電子線等の活性エネルギー線を単一又は併用又は順番に照射することによって重合させる方法が好ましい。紫外線を使用する場合、偏光光源を用いてもよいし、非偏光光源を用いてもよい。また、重合性化合物含有組成物を２枚の基板間に挟持させて状態で重合を行う場合には、少なくとも照射面側の基板は活性エネルギー線に対して適当な透明性が与えられていなければならない。また、光照射時にマスクを用いて特定の部分のみを重合させた後、電場や磁場又は温度等の条件を変化させることにより、未重合部分の配向状態を変化させて、さらに活性エネルギー線を照射して重合させるという手段を用いてもよい。特に紫外線露光する際には、重合性化合物含有組成物に交流電界を印加しながら紫外線露光することが好ましい。印加する交流電界は、周波数１０Ｈｚから１０ｋＨｚの交流が好ましく、周波数６０Ｈｚから１０ｋＨｚがより好ましく、電圧は液晶表示素子の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する電圧により液晶表示素子のプレチルト角を制御することができる。ＰＳＡの液晶表示素子においては、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０度から８９．９度に制御することが好ましい。

照射時の温度は、前記液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。室温に近い温度、即ち、典型的には１５〜３５℃での温度で重合させることが好ましい。紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等を用いることができる。また、照射する紫外線の波長としては、組成物の吸収波長域でない波長領域の紫外線を照射することが好ましく、必要に応じて、紫外線をカットして使用することが好ましい。照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２が好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２がより好ましい。照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２〜５００Ｊ／ｃｍ^２が好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２〜２００Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。紫外線を照射する際に、強度を変化させてもよい。紫外線を照射する時間は照射する紫外線強度により適宜選択されるが、１０秒〜３６００秒が好ましく、１０秒〜６００秒がより好ましい。

実用に供する前記ｎ型液晶組成物は、前記弾性定数測定方法の適用対象であるｎ型液晶組成物が、さらに一般式（Ｑ）で表される化合物を含有したものでもよい。

（式中、Ｒ^Ｑは炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、Ｍ^Ｑはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基又は単結合を表す。）

Ｒ^Ｑは炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されてよいが、炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基が好ましく、炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−に置換された分岐鎖アルキル基が更に好ましい。Ｍ^Ｑはトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基又は単結合を表すが、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基が好ましい。

一般式（Ｑ）で表される化合物は、より具体的には、下記の一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^Ｑ１は炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ２は炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ３は炭素原子数１から８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基又は分岐鎖アルコキシ基が好ましく、Ｌ^Ｑは炭素原子数１から８の直鎖アルキレン基又は分岐鎖アルキレン基が好ましい。一般式（Ｑ−ａ）から一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物中、一般式（Ｑ−ｃ）及び一般式（Ｑ−ｄ）で表される化合物が更に好ましい。

前記液晶組成物において、一般式（Ｑ）で表される化合物を１種類又は２種類を含有することが好ましく、１種類から５種類含有することが更に好ましく、その含有量は０．００１から１％であることが好ましく、０．００１から０．１％が更に好ましく、０．００１から０．０５％が特に好ましい。

＜＜本発明を利用した液晶表示素子＞＞
上述の実用に供する液晶組成物を用いて構成する、実用に供する液晶表示素子としては、例えば、図１で示したものと同様のセルを備えたＶＡ型の液晶表示素子が挙げられる。
また、実用に供する前記液晶表示素子としては、これ以外にも、図３若しくは４に示すセルを備えた、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型又はＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）型の液晶表示素子が挙げられる。
実用に供する前記液晶表示素子は、液晶組成物として、上述の本発明の液晶組成物の弾性定数測定方法及び弾性定数測定装置を利用して、設計を行って得られたものを有する点以外は、公知の液晶表示素子と同様の構成とすることができる。
以下、図３及び４に示すセルについて、詳細に説明する。

図３は、実用に供する前記液晶表示素子で使用されるセルの一実施形態の要部を模式的に示す断面図である。
ここに示すセル２Ａは、第１基板２１及び第２基板２２の一対の基板を備える。第１基板２１の第２基板２２に対向（相対）する面には、第１電極２１１Ａ及び第２電極２１２Ａが交互に配置されている。ここでは、第１電極２１１Ａが＋極、第２電極２１２Ａが−極に相当する場合を示している。セル２Ａは、第１基板２１と第２基板２２との間に、液晶組成物を挟持できるようになっている。

セル２Ａは、セルギャップｄ_１、第１電極２１１Ａ及び第２電極２１２Ａの電極幅Ｗ_１、第１電極２１１Ａ及び第２電極２１２Ａの電極間距離Ｌ_１が、Ｌ_１／ｄ_１＞１かつＬ_１／Ｗ_１＞１という条件を満たしており、電極間距離Ｌ_１がセルギャップｄ_１及び電極幅Ｗ_１よりも大きく、第１電極２１１Ａ及び第２電極２１２Ａが互いに接近した構造を有しないものであって、ＩＰＳ型液晶表示素子で使用される電極構成を有する。

図４は、実用に供する前記液晶表示素子で使用されるセルの他の実施形態の要部を模式的に示す断面図である。なお、図４に示す構成要素のうち、図３に示す構成要素と同じものには、図３の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。

ここに示すセル２Ｂは、第１基板２１及び第２基板２２の一対の基板を備える。第１基板２１の第２基板２２に対向する面には、第２基板２２側に向かって、第２電極２１２Ｂ及び絶縁層２１３がこの順に積層され、さらに絶縁層２１３の第２基板２２に対向する面には、複数個の第１電極２１１Ｂが所定の間隔を空けて配置されている。ここでは、第１電極２１１Ｂが＋極、第２電極２１２Ｂが−極に相当する場合を示している。セル２Ｂは、第１基板２１と第２基板２２との間に、液晶組成物を挟持できるようになっている。
セル２Ｂにおいて、セルギャップｄ_２、第１電極２１１Ｂの電極幅Ｗ_２は、例えば、それぞれセル２Ａにおけるｄ_１、Ｗ_１と同様とすることができる。セル２Ｂは、いわばセル２Ａにおいて電極間距離Ｌ_１を０（ゼロ）とするために、絶縁層２１３を介して第１電極２１１Ｂ及び第２電極２１２Ｂを積層した構造を有し、ＦＦＳ型液晶表示素子で使用される電極構成を有する。

特にＦＦＳ型であるセル２Ｂでは、第１基板２１及び第２基板２２の表面に平行な方向（横方向）に加えて、さらに第１基板２１及び第２基板２２の表面に対して垂直な方向（縦方向）にも電界を発生する。特に、第１電極２１１Ｂの側面の近傍領域においては、縦方向に強い電界を発生する。この場合、ＩＰＳ型液晶表示素子で使用されるセルとは異なり、電極間（第１電極２１１Ｂ及び第２電極２１２Ｂ間）に位置する液晶分子だけでなく、電極上（第１電極２１１Ｂ上、第２電極２１２Ｂ上）に位置する液晶分子も、より強く駆動される。したがって、このようなセル２Ｂは第１電極２１１Ｂ及び第２電極２１２Ｂを、それぞれ透明電極とすることで、これら電極部分でも表示機能を発現させることができ、このようなセルを備えた液晶表示素子は、開口率を大きくすることができる。

なお、図１、３及び４で示すセルは、実用に供する前記液晶表示素子において使用できるセルの一部の例に過ぎず、前記液晶表示素子において使用できるセルはこれらに限定されない。例えば、図１、３及び４で示すセルに種々の変更を加えたものも使用可能である。

以下、実施例により、本発明についてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。

［実施例１］
図１に示す構成の液晶表示素子用セルを用いて、Ｋ_２２を測定した。より具体的には、以下のとおりである。
誘電率異方性（Δε）が−２．９０である液晶組成物を調製し、これに下記式で表されるキラル化合物を、その濃度が０質量％、０．１５質量％、０．２５質量％となるように添加した３種類の測定対象となる液晶組成物を調製した。なお、このキラル化合物のヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ）は、１１．１μｍ^−１である。

上記の液晶組成物を、垂直配向膜Ａを備えたセルへ充填し、本発明の弾性定数測定方法によりＫ_２２を測定した。このＫ_２２の測定結果を、他のパラメータ（らせんピッチ（Ｐ_０）、セルギャップ（ｄ）、閾値電圧（Ｖｔｈ）、ｄ／Ｐ_０、Ｋ_１１、Ｋ_３３）とともに表１に示す（実施例１−１）。なお、らせんピッチ（Ｐ_０）は、アンチパラレルにラビングされたくさび型液晶セルのディスクリネーションラインの間隔Ｌを、測長器等を用いて測定し、ディスクリネ−ションラインの間隔Ｌとくさび型液晶セルの傾き角θとから、式「Ｐ_０＝２×Ｌ×ｔａｎθ」を用いて算出した。また、セルギャップ（ｄ）は、「Ｔ．Ｊ．Ｓｃｈｅｆｆｅｒ ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ４８， ｐ１７８３（１９７７）」、及び「Ｆ．Ｎａｋａｎｏ，ｅｔ．ａｌ．，ＪＰＮ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．１９，ｐ２０１３（１９８０）」に記載の方法に準拠して、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光を用いる回転結晶法で測定する場合と同様の方法により、前記セルに液晶組成物が充填された状態で求めた。また、Ｖｔｈ、Ｋ_１１及びＫ_３３は、前記式（３）等を使用する方法により求めた。

さらに、セルとして、垂直配向膜Ａに代えて垂直配向膜Ｂを備えたものを用いた点以外は、上記の実施例１−１と同じ方法で測定を行った（実施例１−２）。結果を表１に示す。

さらに、測定対象となる液晶組成物として、キラル化合物の濃度が０質量％、０．１５質量％、０．２５質量％であるものに加えて、０．１０質量％、０．２０質量％であるものも調製して、これら５種類の液晶組成物を用い、セルとして、垂直配向膜Ａに代えて垂直配向膜Ｃを備えたものを用いた点以外は、上記の実施例１−１と同じ方法で測定を行った（実施例１−３）。結果を表１に示す。

上記の実施例１−１〜１−３における、ｄ／Ｐ_０と閾値電圧（Ｖｔｈ）の測定結果をプロットしたグラフを図５に示す。

図５から明らかなように、ｄ／Ｐ_０とＶｔｈの測定結果をプロットしたところ、これらの測定値は回帰計算によって求めた関数の曲線と精度よく重なっており、Ｖｔｈを高精度に測定できたことを示していた。これらデータを用いて求めたＫ_２２も高精度なものであった。

［実施例２］
誘電率異方性（Δε）が−３．５２である液晶組成物を用い、この液晶組成物に前記キラル化合物を、その濃度が０質量％、０．１２質量％、０．２４質量％となるように添加した点以外は、実施例１−３と同じ方法でＫ_２２を測定した。このＫ_２２の測定結果を、他のパラメータ（らせんピッチ（Ｐ_０）、セルギャップ（ｄ）、閾値電圧（Ｖｔｈ）、ｄ／Ｐ_０、Ｋ_１１、Ｋ_３３）とともに表２に示す。表２には、液晶組成物以外の測定条件が同じである実施例１−３の結果もあわせて示す。

［実施例３］
誘電率異方性（Δε）が−３．１６である液晶組成物を用い、この液晶組成物に前記キラル化合物を、その濃度が０質量％、０．１２質量％、０．２４質量％となるように添加した点以外は、実施例１−３と同じ方法でＫ_２２を測定した。このＫ_２２の測定結果を、他のパラメータ（らせんピッチ（Ｐ_０）、セルギャップ（ｄ）、閾値電圧（Ｖｔｈ）、ｄ／Ｐ_０、Ｋ_１１、Ｋ_３３）とともに表２に示す。

［実施例４］
誘電率異方性（Δε）が−４．３９である液晶組成物を用い、この液晶組成物に前記キラル化合物を、その濃度が０質量％、０．１２質量％、０．２４質量％となるように添加した点以外は、実施例１−３と同じ方法でＫ_２２を測定した。このＫ_２２の測定結果を、他のパラメータ（らせんピッチ（Ｐ_０）、セルギャップ（ｄ）、閾値電圧（Ｖｔｈ）、ｄ／Ｐ_０、Ｋ_１１、Ｋ_３３）とともに表２に示す。

［実施例５］
誘電率異方性（Δε）が−４．５４である液晶組成物を用い、この液晶組成物に前記キラル化合物を、その濃度が０質量％、０．１２質量％、０．２４質量％となるように添加した点以外は、実施例１−３と同じ方法でＫ_２２を測定した。このＫ_２２の測定結果を、他のパラメータ（らせんピッチ（Ｐ_０）、セルギャップ（ｄ）、閾値電圧（Ｖｔｈ）、ｄ／Ｐ_０、Ｋ_１１、Ｋ_３３）とともに表２に示す。

［比較例１］
誘電率異方性（Δε）が−２．９０である液晶組成物に前記キラル化合物を、その濃度が０．１５質量％となるように添加して調製した、実施例１−３で用いたものと同じ液晶組成物について、「特開平８−１７８８８３号公報」（特許文献２）の実施例１に記載の方法で、前記式（１）から導かれる２元連立方程式を解くことで、Ｋ_３３とともにＫ_２２を求めた。セルとしては、ホメオトロピック配向処理を施したセルギャップｄが４．８４μｍ、１８．７７μｍの２種類のものを用い、閾値電圧Ｖｔｈはそれぞれ２．３３Ｖ、２．１９Ｖであった。その結果、Ｋ_２２は１０．６ｐＮ、Ｋ_３３は１４．３ｐＮであり、実施例１−３よりもＫ_２２の測定精度が劣っていた。

［比較例２］
誘電率異方性（Δε）が−２．９０である液晶組成物に前記キラル化合物を、その濃度が０．１５質量％となるように添加して調製した、実施例１−３で用いたものと同じ液晶組成物について、「特開平８−１７８８８３号公報」（特許文献２）の実施例２に記載の方法で、前記式（１）から導かれる３元連立方程式を解くことで、Ｋ_３３とともにＫ_２２及びΔεを求めた。セルとしては、ホメオトロピック配向処理を施した、セルギャップｄが４．８４μｍ、９．３０μｍ、１８．７μｍの３種類のものを用い、閾値電圧Ｖｔｈはそれぞれ２．３３Ｖ、２．２７Ｖ、２．１９Ｖであった。その結果、Ｋ_２２は１０．６ｐＮ、Ｋ_３３は１４．３ｐＮ、Δεは−２．９３であり、実施例１−３よりもＫ_２２の測定精度が劣っていた。

本発明は、液晶表示素子で用いる液晶組成物の設計に利用可能である。

１・・・弾性定数測定装置、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ・・・セル、２１，２３・・・第１基板、２２，２４・・・第２基板、２１１Ａ，２１１Ｂ，２３１・・・第１電極、２１２Ａ，２１２Ｂ，２４１・・・第２電極、２１３・・・絶縁層、２３２・・・第１配向膜、２４２・・・第２配向膜、３・・・電圧印加手段、４・・・実測手段、５・・・閾値電圧測定手段、６・・・弾性定数決定手段、７１・・・セルギャップ（ｄ）を測定する手段、７２・・・誘電率異方性（Δε）を算出する手段、９・・・配線、ｄ_１，ｄ_２，ｄ_３・・・セルギャップ、Ｗ_１，Ｗ_２・・・電極幅、Ｌ_１・・・電極間距離

Claims (16)

1. ツイストの弾性定数（Ｋ_２２）の測定対象である液晶組成物を挟持するための、電極及び相対する２枚の基板を有するセルと、
   前記電極間に、任意の電圧を印加するための電圧印加手段と、
   前記電極間に電圧が印加された状態で、前記液晶組成物が充填された前記セルの静電容量（Ｃ）を測定するための実測手段と、
   前記実測手段によって測定された静電容量（Ｃ）から閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定する手段と、
   前記セルのセルギャップ（ｄ）を一定とし、前記液晶組成物にキラル化合物を添加して、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ _０ ）を変化させて、前記閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定し、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）、真空の誘電率（ε_０）及び誘電率異方性（Δε）、並びに前記セルのセルギャップ（ｄ）を入力することで、下記式（１）により、前記液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を決定する弾性定数決定手段と、を備えることを特徴とする液晶組成物の弾性定数測定装置。
   

   
2. 前記セルギャップ（ｄ）が３〜２００μｍである請求項１に記載の弾性定数測定装置。
3. 前記液晶組成物が充填された前記セルを空気中に置いたときの前記セルの静電容量（Ｃ_０）を測定することにより、前記セルギャップ（ｄ）を求める手段を備える請求項１又は２に記載の弾性定数測定装置。
4. 前記液晶組成物が充填された前記セルに光を入射させたときに発生する干渉光を観測することにより、前記セルギャップ（ｄ）を求める手段を備える請求項１又は２に記載の弾性定数測定装置。
5. 前記セルにおいて、セルギャップ（ｄ）の大きさが調節可能とされている請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性定数測定装置。
6. 前記液晶組成物へのキラル化合物の添加と、前記電極間への電圧の印加により、前記液晶組成物をツイスト配向させる請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性定数測定装置。
7. 前記キラル化合物のヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ）が１．０〜１００．０μｍ^−１である請求項６に記載の弾性定数測定装置。
8. 前記液晶組成物として、１種類又は２種類以上の前記キラル化合物を含有し、かつ前記キラル化合物の総含有量が互いに異なる２種類以上のものを用いる請求項６又は７に記載の弾性定数測定装置。
9. 前記液晶組成物として、含有する前記キラル化合物のヘリカルツイスティングパワー（ＨＴＰ）が互いに異なる２種類以上のものを用いる請求項６又は７に記載の弾性定数測定装置。
10. 前記液晶組成物の誘電率異方性（Δε）が−１０〜−１である請求項１〜９のいずれか一項に記載の弾性定数測定装置。
11. 前記液晶組成物が下記一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物からなる群より選ばれる化合物を１種類又は２種類以上含有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の弾性定数測定装置。
    

    

    （式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
    Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２はそれぞれ独立して
    （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
    （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
    （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
    からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
    Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
    Ｘ^Ｎ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
    Ｔ^Ｎ３１は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、
    ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
12. 前記液晶組成物が下記一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の弾性定数測定装置。
    

    

    （式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
    ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
    Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
    （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）、
    （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
    （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
    からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよく、
    Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
    ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていてもよいが、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）
13. 前記液晶組成物の前記一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量が１〜９５質量％である請求項１２に記載の弾性定数測定装置。
14. 前記キラル化合物が下記一般式（Ｃｈ−Ｉ）で表される化合物である請求項６〜１３のいずれか一項に記載の弾性定数測定装置。
    

    

    （式中、Ｒ^１００及びＲ^１０１は互いに独立して、水素原子、シアノ基、ＮＯ_２、ハロゲン、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＳＦ_５、炭素原子数１〜３０個のキラル又はアキラルなアルキル基、重合性基又は環構造を含むキラルな基を表すが、該アルキル基中の１個又は２個以上の隣接していないＣＨ_２基は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又はＣ≡Ｃ−により置換されていてもよく、該アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は互いに独立して、ハロゲン又はシアノ基によって置換されていてもよく、該アルキル基は直鎖状であっても、分岐していても又は環構造を含んでいてもよく、
    Ａ^１００及びＡ^１０１は互いに独立して、
    （ａ） トランス−１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は互いに独立して−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよい。）、
    （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は窒素原子に置き換えられてもよい。）及び
    （ｃ） １，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、インダン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基及び１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これら（ｃ）群の基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は互いに独立して−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられてもよく、これら（ｃ）群の基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は窒素原子に置き換えられてもよい。）からなる群より選ばれる基を表すが、これらの全ての基は、非置換であるか、ハロゲン、シアノ基、ＮＯ_２又は、１個若しくは２個以上の水素原子がＦ若しくはＣｌにより置換されていてもよい炭素原子数１〜７個のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基若しくはアルコキシカルボニル基で一置換若しくは多置換されていてもよく、
    Ｚ^１００及びＺ^１０１は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^ａ）−、−Ｎ（Ｒ^ａ）−ＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｓ−、−ＳＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＦ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＦ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−又は単結合を表し、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^ａ）−又は−Ｎ（Ｒ^ａ）−ＣＯ−におけるＲ^ａは水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を表し、
    ｎ^１１は０又は１を表し、ｎ^１１が０のとき、ｍ^１２は０であり、かつｍ^１１は０、１、２、３、４又は５であり、ｎ^１１が１のとき、ｍ^１１とｍ^１２は各々独立に０、１、２、３、４又は５であり、ｎ^１１が０のとき、Ｒ^１００及びＲ^１０１の少なくとも１つは、キラルなアルキル基、重合性基又は環構造を含むキラルな基であり、
    Ｄは、不斉炭素原子及び／又は軸不斉を有する２価の有機基を表す。）
15. 電極及び相対する２枚の基板を有するセルにおいて、ツイストの弾性定数（Ｋ_２２）の測定対象である液晶組成物を挟持し、
    前記電極間に電圧が印加された状態で、前記液晶組成物が充填された前記セルの静電容量（Ｃ）を測定し、
    前記セルのセルギャップ（ｄ）を一定とし、前記液晶組成物にキラル化合物を添加して、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ _０ ）を変化させて、前記静電容量（Ｃ）から閾値電圧（Ｖｔｈ）を測定し、
    前記閾値電圧（Ｖｔｈ）、前記液晶組成物のらせんピッチ（Ｐ_０）、ベンドの弾性定数（Ｋ_３３）、真空の誘電率（ε_０）及び誘電率異方性（Δε）、並びに前記セルのセルギャップ（ｄ）から、下記式（１）により、前記液晶組成物のツイストの弾性定数（Ｋ_２２）を決定することを特徴とする液晶組成物の弾性定数測定方法。
    

    
16. 前記セルのセルギャップ（ｄ）が３〜２００μｍである請求項１５に記載の弾性定数測定方法。

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