TWI621700B - Liquid crystal composition and liquid crystal display element using same - Google Patents
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Abstract
一種液晶組成物,含有至少1種以上由通式(i)表示之化合物與至少1種以上由通式(M-1)表示之化合物,該液晶組成物在25℃之介電各向導性大於0且在5以下。並且提供一種使用該液晶組成物之液晶顯示元件。
本發明之液晶組成物及使用該液晶組成物之液晶顯示元件,係Δε為正之液晶組成物,可將液晶層之電容(CLC)抑制得較低,且實用上以足夠之低電壓進行驅動,並且提供一種至少滿足廣溫度範圍之液晶相、黏性小、低溫之溶解性良好、比電阻或電壓保持率高,或者對熱、光穩定之其中一者的液晶組成物,且產率佳地提供一種由殘影或滴痕等所引起之顯示不良受到抑制,呈現優異之顯示品質的液晶顯示元件,以及提供一種使用此液晶組成物之液晶顯示元件。
Description
本發明係關於一種適用作為液晶顯示材料之介電各向導性(Δε)呈正值的向列型液晶組成物及使用其之液晶顯示元件。
液晶顯示元件一直被使用於鐘錶、計算器等之各種測量設備、汽車用面板、文字處理機、電子記事本、印表機、電腦、電視、鐘錶、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式,其代表性者有TN(扭曲向列)型,STN(超扭曲向列)型、使用TFT(薄膜電晶體)之垂直配向型及IPS(共平面切換)型或FFS(邊界電場切換)型等。對於被使用於此等之液晶顯示元件的液晶組成物,要求對水分、空氣、熱、光等外在的刺激為穩定,且以室溫為中心盡可能地於廣溫度範圍呈液晶相,為低黏性,以及驅動電壓低。並且為了使介電各向導性(Δε)及折射率異向性(Δn)等對於各顯示元件而言為最佳值,液晶組成物係由數種至數十種之化合物構成。又,不僅是TN型、STN型或IPS型、FFS型等水平配向型,且垂直配向(VA)型顯示器等所有之驅動方式,係要求低電壓驅動、高速應答、具有廣動作溫度範圍之液晶組成物。並且,為了將Δn與單元(cell)間隙(d)之積即Δn×d設定在既定值,必須配合單元間隙,將液晶組成物之Δn調節至適當之範圍。而且當將液晶顯示元件應用於電視等之情形時,由於重視高速應答性,故要求旋轉黏性(γ 1)小之液晶組成物。
作為想要獲得此種高速應答性之p型液晶組成物的構成,例如,揭示有將Δε為正之液晶化合物的由式(A-1)、(A-2)表示之化合物及Δε為中性之液晶化合物的(B)組合使用之液晶組成物。作為此等液晶組成物之特徴,Δε為正之液晶化合物具有-CF2O-構造及Δε為中性之液晶化合物具有烯基在液晶組成物領域廣為人知(專利文獻1)。
另一方面,由於減少因燃燒化石燃料所排出之CO2(為地球暖化原因)的風潮亦吹向電視用及車載等之液晶顯示器等,故低耗電模式之液晶顯示元件的要求自近年來特別高漲。又,因智慧型手機所代表之攜帶型平板的普及,對於低耗電模式之液晶面板的要求逐漸升高。
作為此種注重低電壓驅動及高速應答性之技術,例如如專利文獻2所示,具有含有含-CH2CHFCF2O-連結基團之化合物的液晶組成物。
[專利文獻1]特開2011-052120號
[專利文獻2]特開2013-112621號
上述專利文獻1注重組成物之高介電各向導性會有助於元件之低閾值電壓、低耗電與高反差比,而提供一種具有高介電各向導性之組成物,於該專利文獻1之實施例,揭示最大之Δε為12.6等。又,於專利文獻2,由於含有-CF2O-連結基團之化合物及含有-CH2CH2CF2O-連結基團之化合物會有因構造而分解-CF2O-之問題及製造步驟繁雜,故提供一種下述之液晶化合物:藉由含有含-CH2CHFCF2O-連結基團之化合物的液晶組成物,而在廣溫度範圍具有優異之高速應答性,且具有可進行低電壓驅動之性質。
然而,當液晶層中之液晶組成物本身具有高介電係數的情形時,由於以液晶層之電容(CLC)與TFT基板側之電容(CST)之和所求得的面板驅動部分之電容(CTOTAL)會變大,故對TFT之電壓寫入掃描時相當於CTOTAL之電容器的充電時間會達到無法忽視之程度,此會引起電壓波形之變形或延遲,而使顯示器發生閃爍或應答速度惡化等之現象。因此,當液晶組成物本身之介電係數高的情形時,必須將TFT基板側之電容(CST)抑制低至某程度,結果於ITO電極或TFT構造,以及FFS模式中,絕緣層之材質或厚度明顯地受到限制。又,一般而言,具有高介電係數之液晶組成物為高黏性,從應答速度之觀點而言並不利。因此,考慮下述方法來作為用以提高顯示品質以及達成高速應答之手段:降低液晶層之電容,亦即使用Δε為正且非常小之液晶組成物。然而,已經確認Δε小之液晶組成物由於組成中之大部分為介電中性之成分,故相溶性低,亦會發生無法確保堪用之低溫保存性的問題。又,為了確保相溶性,必須添加一定量之黏性上不利的化合物,而對應答速度造成不良影響。亦即想要得到Δε為正且小,並且
相溶性高、黏性低之液晶組成物。
因此,本發明之液晶組成物及使用其之液晶顯示元件,係一種Δε為正之液晶組成物,可將液晶層之電容(CLC)抑制得較低,且能以足堪實際使用之低電壓進行驅動,並且提供一種至少滿足廣溫度範圍之液晶相、黏性小、低溫之溶解性良好、比電阻或電壓保持率高,或者對熱、光穩定之其中一者的液晶組成物,並且藉由使用該液晶組成物,而可產率佳地提供一種由殘影或滴痕等所引起之顯示不良受到抑制,呈現優異之顯示品質的液晶顯示元件,以及提供一種使用該液晶組成物之液晶顯示元件。
本發明藉由下述之液晶組成物,以解決上述課題;該液晶組成物含有至少1種以上由通式(i)表示之化合物與至少1種以上由通式(M-1)表示之化合物,該液晶組成物於25℃之介電各向導性大於0且在5以下,
(上述通式(i)中,Ri1及Ri2各自獨立地為碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基或碳原子數1~10個之烷氧基,前述Ri1或Ri2中之至少一者為烯基。),
(上述通式(M-1)中,XM12、XM13、XM14、XM15、XM16及XM17各自獨立地表示氫原子或氟原子,環A各自獨立地表示選自由(a)及(b)組成之群中之基,
(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之至少2個-CH2-亦可被-O-取代),(b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之至少2個-CH=亦可被-N=取代),上述之基(a)與基(b)亦可各自獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代,RM1為碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基或碳原子數1~10個之烷氧基,YM11表示碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基、碳原子數1~10個之烷氧基、氫原子、氟原子、氰基、-CF3或-OCF3,n為0以上2以下之整數。)。
根據本發明,可提供一種黏性低、相溶性高或者減輕熱或光所導致之劣化的介電各向導性相對較小之液晶組成物及使用其之液晶顯示元件。
本發明之液晶組成物,對於可將驅動電壓設定得較高之液晶顯示器(例如TV或汽車導航(car navi)等)有用。
100‧‧‧第1基板
102‧‧‧TFT層
103‧‧‧像素電極
104‧‧‧鈍化膜
105‧‧‧第1配向膜
200‧‧‧第2基板
201‧‧‧平坦化膜(保護膜層)
202‧‧‧黑矩陣
203‧‧‧濾色器
204‧‧‧透明電極
205‧‧‧第2配向膜
301‧‧‧密封材
302‧‧‧突起(柱狀間隔物)
303‧‧‧液晶層
304‧‧‧突起(柱狀間隔物)
401‧‧‧遮罩圖案
402‧‧‧樹脂層
L‧‧‧光
1,8‧‧‧偏光板
2‧‧‧第一基板
3‧‧‧電極層
4‧‧‧配向膜
5‧‧‧液晶層
6‧‧‧濾色器
6G‧‧‧濾色器綠
6R‧‧‧濾色器紅
7‧‧‧第二基板
11‧‧‧閘極
12‧‧‧閘極絕緣膜
13‧‧‧半導體層
14‧‧‧絕緣層
15‧‧‧歐姆接觸層
16‧‧‧汲極
17‧‧‧源極
18‧‧‧絕緣保護層
21‧‧‧像素電極
22‧‧‧共用電極
23‧‧‧儲存電容器
24‧‧‧汲極
25‧‧‧資料配線
27‧‧‧源極配線
29‧‧‧共用線
30‧‧‧緩衝層
圖1係示意地顯示本發明之液晶顯示元件的構成一例之圖。
圖2係示意地顯示本發明之液晶顯示元件的構成一例之圖。
圖3係示意地顯示本發明之液晶顯示元件的構成一例之圖。
圖4係將圖3中形成在基板2上之電極層3以II線圍繞之區域放大的平面圖。
圖5係於圖4中之III-III線方向將液晶顯示元件切開之剖面圖。
圖6係將圖3中形成在基板2上之電極層3以II線圍繞之區域其他例
放大的平面圖。
圖7係於圖6中與圖4相同之線方向將液晶顯示元件切開之其他例的剖面圖。
以下,說明本發明之較佳例,但本發明並不限定於此等之例。可在不脫離本發明意旨之範圍,作構成之附加、省略、取代及其他之變更。
本發明之第一態樣為一種液晶組成物,該液晶組成物含有至少1種以上由通式(i)表示之化合物與至少1種以上由通式(M-1)表示之化合物,該液晶組成物於25℃之介電各向導性大於0且在5以下,
(上述通式(1)中,Ri1及Ri2各自獨立地為碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基或碳原子數1~10個之烷氧基,前述Ri1或Ri2中之至少一者為烯基。),
(上述通式(M-1)中,XM12、XM13、XM14、XM15、XM16及XM17各自獨立地表示氫原子或氟原子,環A各自獨立地表示選自由(a)及(b)組成之群中之基,(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之至少2個-CH2-亦可被-O-取代),
(b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之至少2個-CH=亦可被-N=取代),上述之基(a)與基(b)亦可各自獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代,RM1為碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基或碳原子數1~10個之烷氧基,YM11表示碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基、碳原子數1~10個之烷氧基、氫原子、氟原子、氰基、-CF3或-OCF3,n為0以上2以下之整數。)。
藉此,由於具備有較低之介電各向導性,故可將CLC抑制得較低,且可達成低黏性、高相溶性(溶解性)或減輕因熱、光導致之劣化的任一作用、效果。尤其由於通式(i)所表示之化合物與通式(M-1)所表示之化合物的相溶性優異,故可提供一種對介電係數大之哌喃系化合物混合有大量低黏度之非極性化合物的液晶組成物。
特別是由於不僅通式(i)所表示之化合物具有非常大之折射率異向性(Δn=0.25左右),通式(M-1)所表示之化合物亦具有與液晶組成物所要求之一般的折射率異向性(Δn=0.1程度)相同程度或更大之折射率異向性,故可使用相對較多之通常在黏性、溶解性方面有利的低Δn之化合物來作為其他介電中性之成分,而可提供溶解性優異、黏性減低之液晶組成物。又,通式(i)所表示之化合物及通式(M-1)所表示之化合物,由於具有100度以上之相對較高的向列上限溫度範圍,故當合併使用一般而言向列溫度上限範圍低之介電中性的聯苯系液晶化合物之情形時,可提供下述之液晶組成物:具備有適合作為液晶顯示元件用之向列溫度範圍,並且
具備有適於薄單元間隙用之高折射率異向性。
本發明之液晶組成物較佳為p型液晶組成物,該液晶組成物之介電各向導性,較佳在5以下,更佳在4.5以下,進而更佳在4以下,再進而更佳在3.5以下,尤佳在3以下。
若在5以下,則由於具備有相對較低之介電各向導性,故能夠將液晶層之電容(CLC)抑制得較低,對於抑制對TFT之電壓寫入掃描時電壓波形之變形或延遲所導致的閃爍或應答速度惡化等現象具有效果。
本發明之液晶組成物,必須含有1種以上由通式(i)表示之化合物,可組合之化合物的種類則無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來加以組合。
本發明之由通式(i)表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。例如,相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(i)所表示之化合物的含量(合計)較佳為1~35質量%。更佳之含量依序為1~32質量%、2~31質量%、3~30質量%、4~28質量%、5~26質量%及6~25質量%。
於本發明之由通式(i)表示的化合物中,作為碳原子數2~10個之烯基,可列舉乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、2-己烯基等,較佳為直鏈狀或支鏈狀,更佳為直鏈狀。
本發明之「碳原子數1~10個之烷基」之例,可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、異丙基、異丁基、三級丁基、3-戊基、異戊基、新戊基、戊基、
己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二基、十五基等。另,於本說明書中,烷基之例為共通,可根據各烷基之碳原子數的數目適當地從上述例示加以選擇。又,於本說明書中,烯基之例為共通,本發明之碳原子數1~10之烯基,較佳為直鏈狀或支鏈狀,更佳為直鏈狀。又,本發明之更佳之烯基,係以下述記載之式(xi)(乙烯基)、式(xii)(1-丙烯基)、式(xiii)(3-丁烯基)及式(xiv)(3-戊烯基)表示,
(上述式(i)~(iv)中,*表示鍵結於環構造之部位。)。
作為本發明之「碳原子數1~10個之烷基」之例,可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、異丙基、異丁基、三級丁基、3-戊基、異戊基、新戊基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等。另,於本說明書中,烷基之例為共通,可根據各烷基之碳原子數的數目適當地從上述例示加以選擇。又,本發明之碳原子數1~10之烷基,較佳為直鏈狀或支鏈狀,更佳為直鏈狀。
並且,通式(i)所表示之化合物,例如較佳為式(i.1)~式(i.20)所表示之化合物,其中,較佳為式(i.1)、(i.2)、(i.5)、(i.6)、(i.11)、(i.12)所表示之化合物。
本發明之液晶組成物所含之由通式(i)表示之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為1~2種。又,於本發明之另外的實施形態,為1~3種。進而於本發明之另外的實施形態,為1~5種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~5種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~4種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~3種。
被選擇作為液晶組成物之成分的化合物其分子量分布廣由於亦對溶解性有效,故尤佳例如從式(i.1)或(i.2)所表示之化合物選擇1種,從式(i.5)或(i.6)所表示之化合物選擇1種,從式(i.11)或式(i.12)所表示
之化合物選擇1種,然後將此等適當地加以組合。
本發明之由通式(M-1)表示之化合物,較佳為選自由下述通式(M-2)及(M-3)所表示之化合物組成之群中的至少1種。
於上述通式(M-2)中,XM12及XM13較佳為氟原子。並且,XM12、XM13、XM14及XM15較佳為氟原子。
本發明之液晶組成物,於上述通式(M-2),可組合之化合物並無特別限制,但考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,例如作為本發明之一個實施形態,為1~5種。或者於本發明之另外的實施形態,為1~4種。又,於本發明之另外的實施形態,為1~3種。進而於本發明之另外的實施形態,為1~2種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~5種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~4種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~3種。
若於本發明之液晶組成物存在由通式(i)及通式(M-2)表示之化合物,則可確認到高的轉變點、大的Δε介電係數,且若為4環之化合物的話,會顯示出低黏性。並且,對通式(i)、通式(M-1)、通式(M-2)及
通式(M-3)確認到顯示出特別良好之相溶性。
於本發明之液晶組成物中由通式(M-2)表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,每個實施形態皆具有上限值與下限值。含量之下限值,例如於本發明之一個實施形態中,相對於本發明之液晶組成物的總量,為1%,於另外之實施形態,為3%,於再另外之實施形態,為4%,又進而於另外之實施形態,為5%,又進而於另外之實施形態,為6%,又進而於另外之實施形態,為7%,又進而於另外之實施形態,為8%。又進而於另外之實施形態,為9%。
又,於本發明之液晶組成物中,通式(M-2)所表示之化合物之含量的上限值,例如,於本發明之一個實施形態,為30%,於另外之實施形態,為28%,進而於另外之實施形態,27%,又進而於另外之實施形態,為26%,又進而於另外之實施形態,為7%,又進而於另外之實施形態,為25%。
於上述通式(M-3)中,XM14及XM15較佳為氟原子。
於上述通式(M-3)中,可組合之化合物並無特別限制,但考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,例如作為本發明之一個實施形態,為1~5種。或者於本發明之另外的實施形態,為1~4種。又,於本發明之另外的實施形態,為1~3種。進而於本發明之另外的實施形態,為1~2種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~5種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~4種。進而於本發明之另外的實施形態,為2~3種。
於本發明之液晶組成物中,若存在由通式(i)及通式(M-3)表示之
化合物,則可確認到高的轉變點、大的Δε介電係數,且若為3環之化合物的話,會顯示出低黏性。並且,對通式(i)、通式(M-1)、通式(M-2)及通式(M-3)確認到顯示出特別良好之相溶性。
由通式(M-3)表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,每個實施形態皆具有上限值與下限值。含量之下限值,例如於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為1%,於另外之實施形態,為2%,於再另外之實施形態,為3%,又進而於另外之實施形態,為4%,又進而於另外之實施形態,為5%,又進而於另外之實施形態,為6%,又進而於另外之實施形態,為8%。又進而於另外之實施形態,為10%。
又,含量之上限值,例如於本發明之一個實施形態,為30%,於另外之實施形態,為20%,進而於另外之實施形態,為13%,又進而於另外之實施形態,為10%,又進而於另外之實施形態,為7%,又進而於另外之實施形態,為3%。
作為本發明之由通式(M-2)表示之化合物的較佳例示,較佳為選自由下式(m.1)~(m.20)組成之群中的至少1種。
作為本發明之由通式(M-3)表示之化合物的較佳例示,較佳為選自由下式(m.21)~(m.28)組成之群中的至少1種。
本發明之液晶組成物由於在25℃之介電各向導性大於0且在5以下,故可將液晶層之電容(CLC)抑制得較低,對於抑制閃爍或應答速度之惡化等現象具有效果。且於另一方面,近年來,液晶顯示元件之用途擴大,其使用
方法、製造方法亦有大幅變化。為了因應此等之變化,而想要對以往習知之基本物性值以外的特性進行最佳化。亦即,隨著液晶顯示元件之大小亦大型化至50型以上,液晶組成物向基板之注入方法亦有所變化,從以往之真空注入法,滴入(ODF:One Drop Fill)法逐漸成為注入方法的主流。然而,卻暴露出將液晶組成物滴入基板時之滴痕會導致顯示品質降低的問題。
並且,於利用ODF法之液晶顯示元件製造步驟中,必須根據液晶顯示元件之尺寸滴入最佳量。若滴入量之偏差大於最佳值,則預先所設計之液晶顯示元件的折射率或驅動電場之平衡將會瓦解,而產生不均或對比不良等之顯示不良。尤其是經常使用於最近流行之智慧型手機的小型液晶顯示元件,由於最佳之液晶滴入量少,故要將偏離最佳值之偏差控制在一定範圍內本身並不容易。因此,為了將液晶顯示元件之生產率保持得較高,對液晶組成物要求例如於滴入液晶時所產生之滴入裝置內之急遽的壓力變化或衝撃造成的影響小,可持續長時間穩定地滴入。
本發明之液晶組成物,其他目的在於以上述通式(i)所表示之化合物及通式(M-1)所表示之化合物作為必要成分,藉此解決該問題。
本發明之液晶組成物,亦可進一步含有下述通式(L)所表示之化合物作為任意成分,該通式(L)所表示之化合物,較佳為非極性化合物(介電各向導性為-1.0~1.0)。
較佳含有由前述通式(L)表示之化合物,
(上述通式(L)中,RL1及RL2各自獨立地表示碳原子數1~8之烷基,該烷基
中之1個或非鄰接之至少2個-CH2-亦可各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代,OL表示0、1、2或3,BL1、BL2及BL3各自獨立地表示選自由(a)及(b)組成之群中之基,(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之至少2個-CH2-亦可被-O-取代),及,(b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之至少2個-CH=亦可被-N=取代),上述之基(a)與基(b)亦可各自獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代,LL1及LL2各自獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF2-、-CF2O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-,當OL為2或3而存在複數個LL2之情形時,其等可相同或亦可不同,當OL為2或3而存在複數個BL3之情形時,其等可相同或亦可不同,但不包括前述通式(i)及前述通式(M-1)所表示之化合物)。又,通式(L)中,RL1及RL2各自獨立地表示碳原子數1~8之烷基,該烷基中之1個或非鄰接之至少2個-CH2-較佳各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代,該RL1及RL2更佳各自獨立地表示碳原子數1~8個之烷基、碳原子數1~8個之烷氧基或碳原子數2~10個之烯基。後述之通式(M)亦相同。
本發明之液晶組成物,亦可含有1種以上之由通式(L)表示之化合物。可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度
、電性之可靠性、雙折射率等想要之性能作適當組合來加以使用。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。又,於本發明之另外的實施形態,為3種。進而於本發明之另外的實施形態,為5種。進而於本發明之另外的實施形態,為6種。進而於本發明之另外的實施形態,為7種。進而於本發明之另外的實施形態,為8種。進而於本發明之另外的實施形態,為9種。進而於本發明之另外的實施形態,為10種。進而於本發明之另外的實施形態,為12種以上。又,較佳含有1種~15種由通式(L)表示之化合物,又,更佳含有3種~14種由通式(L)表示之化合物,再更佳含有5種~12種由通式(L)表示之化合物。
於本發明之液晶組成物中,通式(L)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(L)所表示之化合物的含量,例如作為本發明之一個實施形態,為20~98質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~90質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為40~85質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為45~85質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為50~75質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為55~70質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為56~65質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為25~85質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~80質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為
47~75質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為53~70質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為60~98質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為62~95質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為58~78質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為65~85質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為70~98質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為47~97.5質量%。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳為上述之下限值高且上限值高。並且,當將本發明之液晶組成物的Tni保持得較高,需要溫度穩定性佳之液晶組成物的情形時,較佳為上述之下限值高且上限值高。又,於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電各向導性時,較佳降低上述之下限值且上限值低。
RL1及RL2當其所鍵結之環構造為苯基(芳香族)的情形時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或4以上)的烷氧基及碳原子數4~5的烯基,當其所鍵結之環構造為環己烷、哌喃及二烷等飽和之環構造的情形時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4(或4以上)的烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5的烯基。
本發明之通式(L)所表示之化合物,當想要得到液晶組成物之化學穩定性的情形時,較佳在其分子內不具有氯原子。
本發明之通式(L)所表示之化合物,例如較佳為選自由通式(I)所表示之化合物群中的化合物。
R11-A11-A12-R12 (I)(上述通式(I)中,R11及R12各自獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原
子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯基,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之1個以上的氫原子亦可被氟原子取代,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之亞甲基(methylene),只要氧原子不連續地鍵結,亦可被氧原子取代,只要羰基不連續地鍵結,亦可被羰基取代,A11及A12各自獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或3-氟-1,4-伸苯基。)
於前述通式(I)所表示之化合物群中可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、黏性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等想要之性能作適當組合來加以使用。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。又,於本發明之另外的實施形態,為3種。進而於本發明之另外的實施形態,為4種。進而於本發明之另外的實施形態,為5種。進而於本發明之另外的實施形態,為6種以上。
本發明之液晶組成物中由通式(I)表示之所謂的二環化合物之含量,必須根據低溫之溶解性、黏性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I)所表示之化合物的含量,例如作為本發明之一個實施形態,為10~75質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~70質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~65質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~59質量
%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~56質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~52質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~51質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~48質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~47質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~45質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~44質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~43質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~41質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~39質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~38質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~35質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~33質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~31質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~29質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~28質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為17~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為20~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為27~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為28~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為31~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為32~60質量%。進
而於本發明之另外的實施形態,前述含量為33~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為34~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為35~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為36~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為37~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為39~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為41~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為42~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為43~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為44~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為46~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為47~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為48~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為49~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為51~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為17~45質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為27~29質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為32~43質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為34~38質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為36~45質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為37~48質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為42~56質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為43~52質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為43~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為43~44質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為44~48質量%。進而於本發
明之另外的實施形態,前述含量為47~51質量%。
於本發明之液晶組成物中,從能夠提供將黏度保持得較低,應答速度快之液晶組成物的觀點而言,尤佳含有通式(I)所表示之化合物群。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳為前述通式(I)所表示之化合物(群)的含量下限值高且上限值高。
並且,前述通式(I)所表示之化合物較佳為選自通式(I-1)所表示之化合物群中的化合物。
於本發明之液晶組成物中,作為通式(I-1)所表示之化合物,較佳混合含有1~10種、1~9種、1~8種、1~7種、1~6種、2~9種、2~8種、2~6種、3~9種、3~7種、3~6種或4~6種。
於本發明之液晶組成物中,從能夠提供將黏度保持得較低,應答速度快之液晶組成物的觀點而言,尤佳含有通式(I-1)所表示之化合物群。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I-1)所表示之化合物的含量,例如作為本發明之一個實施形態,為10~70質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~60質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~59質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~56質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~52質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~50質量%。進而於
本發明之另外的實施形態,前述含量為15~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~48質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~47質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~46質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~45質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~39質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~38質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~35質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~33質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~28質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~20質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為17~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為20~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為21~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為23~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為26~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為27~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為33~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為34~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為35~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為36~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為37~60質量%。又,於本發明之
另外的實施形態,前述含量為38~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為39~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為42~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為43~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為46~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為47~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為49~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為50~60質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為17~45質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為21~24質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為27~38質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為28~29質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為23~46質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為34~38質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為36~45質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為37~48質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為42~48質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為38~49質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為42~56質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為42~50質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為43~52質量%,又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為46~47質量%。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳為上述之下限值高且上限值高。
並且,前述通式(I-1)所表示之化合物較佳為選自通式(I-1-1)
所表示之化合物群中的化合物。
於本發明之液晶組成物中,從能夠提供將黏度保持得較低,應答速度快之液晶組成物的觀點而言,尤佳含有通式(I-1-1)所表示之化合物群。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I-1-1)所表示之化合物的含量,例如作為本發明之一個實施形態,為1~45質量%。又,作為本發明之一個實施形態,為1~35質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~30質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~16質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~13質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~12質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~7質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~5質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~4質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~30質量%。進而於本發明之另外的實施形
態,前述含量為6~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為7~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為9~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為12~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為13~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~13質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~7質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~12質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為9~12質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為6~16質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為7~16質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為7~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~13質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為9~25質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為12~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為13~16質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~26質量%。
並且,前述通式(I-1-1)所表示之化合物,較佳為選自式(1.1)至
式(1.5)所表示之化合物群中的化合物,較佳為式(1.2)或式(1.3)所表示之化合物,尤佳為式(1.3)所表示之化合物。
於各別單獨使用前述式(1.2)或前述式(1.3)所表示之化合物的情形時,式(1.2)所表示之化合物的含量高會有改善應答速度之效果,式(1.3)所表示之化合物的含量在下述之範圍由於會得到應答速度快且電性上、光學上之可靠性高的液晶組成物,故較佳。
前述式(1.3)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,例如作為本發明之一個實施形態,為1~45質量%。又,作為本發明之一個實施形態,為1~35質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~30質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~25質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~18質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~16質量%。或者於本發明之另外的實施形
態,前述含量為1~15質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~13質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~12質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~11質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~10質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~8質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~7質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~5質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~4質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為6~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為7~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為9~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為12~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為13~21質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~13質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~8質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~7質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~12質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為9~12質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為6~16質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~16質量%。或者於本發明之另外的
實施形態,前述含量為13~16質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為7~16質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為7~10質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~18質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~15質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~13質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為9~13質量%。
並且,本發明之由通式(I-1)表示之化合物,較佳為選自通式(I-1-2)所表示之化合物群中的化合物。
作為前述通式(I-1-2)使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。又,於本發明之另外的實施形態,為3種。
於本發明之液晶組成物中,通式(I-1-2)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、黏性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I-1-2)所表示之化合物的含量,例如作為本發明之一個實施形態,為1~70質量%。又,作為本發明之一個實施形態,為1~65質量%。並且,作為本發明之一個實施形態,為1~55質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~50質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~47質量%。進而於本發明之另
外的實施形態,前述含量為1~45質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~44質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~40質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~39質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~38質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~36質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~35質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~32質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~28質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~27質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~24質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~19質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~16質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為12~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為13~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為16~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為17~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為20~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為23~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為24~49質量%。進而
於本發明之另外的實施形態,前述含量為25~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為28~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為33~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為35~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為38~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為39~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為45~49質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~44質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為12~24質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為13~16質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~32質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為17~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為16~27質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為17~28質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為20~35質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為23~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為24~40質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為28~38質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~38質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為25~36質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為27~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~40質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為30~39質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為35~44質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為35
~40質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為33~47質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為39~47質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為38~45質量%。
並且,通式(I-1-2)所表示之化合物,較佳為選自式(2.1)至式(2.8)所表示之化合物群中的化合物,較佳為式(2.2)至式(2.4)所表示之化合物。尤其是式(2.2)所表示之化合物特別可改善本發明之液晶組成物的應答速度,故較佳。又,於想要得到高於應答速度之Tni時,較佳使用式(2.3)或式(2.4)所表示之化合物。為了使低溫之溶解度佳,較佳使式(2.3)及式(2.4)所表示之化合物的含量未達30%。
於本發明之液晶組成物中,式(2.2)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上70質量%以下,較佳在1質量%以上65質量%以下,較佳在1質量%以上60質量%以下,較佳在1質量%以上55質量%以下,較佳在1質量%以上50質量%以下,較佳在5質量%以上50質量%以下。此等之中,較佳在9質量%以上47質量%以下、9質量%以上15質量%以下、11質量%以上44質量%以下、15質
量%以上32質量%以下、20質量%以上35質量%以下、23質量%以上26質量%以下、24質量%以上40質量%以下、25質量%以上36質量%以下、28質量%以上38質量%以下、30質量%以上40質量%以下、30質量%以上39質量%以下、30質量%以上38質量%以下、33質量%以上47質量%以下、35質量%以上44質量%以下、35質量%以上40質量%以下、38質量%以上45質量%以下、39質量%以上47質量%以下。
於本發明之液晶組成物中,式(2.3)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上30質量%以下,較佳在1質量%以上25質量%以下,較佳在3質量%以上25質量%以下,較佳在4質量%以上22質量%以下,較佳在5質量%以上22質量%以下,較佳在11質量%以上22質量%以下,較佳在13質量%以上22質量%以下,較佳在4質量%以上16質量%以下,較佳在4質量%以上15質量%以下,較佳在4質量%以上10質量%以下,較佳在5質量%以上10質量%以下,較佳在12質量%以上15質量%以下,較佳在13質量%以上16質量%以下。
於本發明之液晶組成物中,式(2.4)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上30質量%以下,更佳在1質量%以上25質量%以下,較佳在3質量%以上25質量%以下,較佳在4質量%以上25質量%以下,較佳在12質量%以上25質量%以下,較佳在17質量%以上25質量%以下,較佳在20質量%以上25質量%以下,較佳在4質量%以上20質量%以下,較佳在4質量%以上13質量%以下,較佳在12質量%以上24質量%以下,較佳在17質量%以上20質量%以下。
本發明之液晶組成物,亦可進一步含有具有與通式(I-1-2)所表示
之化合物類似之構造的由式(2.5)所表示之化合物。
較佳為根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,來調整由式(2.5)表示之化合物的含量,含量之較佳範圍如下表所示。
較佳為根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,來調整由前述式(2.5)表示之化合物的含量,較佳相對於本發明之液晶組成物的總質量,含有0~40質量%之此化合物,較佳含有1~35質量%,較佳含有1~30質量%,較佳含有5~30質量%,較佳含有10~30質量%,較佳含有15~30質量%,較佳含有20~30質量%,較佳含有25~30質量%。
並且,本發明之由通式(I)表示之化合物,較佳為選自通式(I-2)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能還加以組合。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。又,於本發明之另外的實施形態,為3種。
於本發明之液晶組成物中,通式(I-2)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、
滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I-2)所表示之化合物的含量例如作為本發明之一個實施形態,為1~30質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~30質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~25質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~23質量%。
並且,通式(I-2)所表示之化合物較佳為選自式(3.1)至式(3.4)所表示之化合物群中的化合物,較佳為式(3.1)、式(3.3)或式(3.4)所表示之化合物。尤其是式(3.2)所表示之化合物特別可改善本發明之液晶組成物的應答速度,故較佳。又,於想要得到高於應答速度之Tni時,較佳使用式(3.3)或式(3.4)所表示之化合物。為了使低溫之溶解度佳,較佳使式(3.3)及式(3.4)所表示之化合物的含量未達20%。
並且,通式(I-2)所表示之化合物較佳為選自式(3.1)至式(3.4)所表示之化合物群中的化合物,較佳為式(3.1)、式(3.3)及/或式(3.4)所表示之化合物。
於本發明之液晶組成物中,前述式(3.3)所表示之化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上25質量%以下,較佳在1質量%以上20質量%以下,較佳在1質量%以上15質量%以下,較佳在1質量%以上10質量%以下,較佳在1質量%以上5質量%以下。
並且,本發明之由通式(I)表示之化合物較佳為選自通式(I-3)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來加以組合。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。又,於本發明之另外的實施形態,為3種。
於本發明之液晶組成物中,通式(I-3)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
含量之較佳範圍如下表所示。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I-3)所表示之化合物的含量例如作為本發明之一個實施形態,為3~30質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~30質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為25~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~25質
量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~5質量%。
於重視低溫之溶解性的情形時,若將含量設定得多一些,則效果高,反之,於重視應答速度的情形時,若將含量設定得少一些,則效果高。並且,於改良滴痕或殘影特性之情形時,較佳將含量之範圍設定在中間。
並且,通式(I-3)所表示之化合物較佳為選自式(4.1)至式(4.3)所表示之化合物群中的化合物,較佳為式(4.3)所表示之化合物。
前述式(4.3)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在2質量%以上30質量%以下,較佳在4質量%以上30質量%以下,較佳在6質量%以上30質量%以下,較佳在8質量%以上30質量%以下,較佳在10質量%以上30質量%以下,較佳在12質量%以上30質量%以下,較佳在14質量%以上30質量%以下,較佳在16質量%以上30質量%以下,較佳在18質量%以上25質量%以下,較佳在20質量%以上24質量%以下,尤佳在22質量%以上23質量%以下。
並且,本發明之由通式(I)表示之化合物,較佳為選自通式(I-0)所表示之化合物群中的化合物。
於本發明之液晶組成物中,通式(I-0)所表示之化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上55質量%以下,較佳在1質量%以上50質量%以下,較佳在5質量%以上50質量%以下。此等之中,較佳在9質量%以上47質量%以下、9質量%以上15質量%以下、11質量%以上44質量%以下、15質量%以上32質量%以下、20質量%以上35質量%以下、23質量%以上26質量%以下、24質量%以上40質量%以下、25質量%以上36質量%以下、28質量%以上38質量%以下、30質量%以上40質量%以下、30質量%以上39質量%以下、30質量%以上38質量%以下、33質量%以上47質量%以下、35質量%以上44質量%以下、35質量%以上40質量%以下、38質量%以上45質量%以下、39質量%以上47質量%以下。
於本發明之液晶組成物中,式(2.3)所表示之化合物的含量相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上30質量%以下,較佳在1質量%以上25質量%以下,較佳在3質量%以上25質量%以下,較佳在4質量%以上22質量%以下,較佳在5質量%以上22質量%以下,較佳在11質量%以上22質量%以下,較佳在13質量%以上22質量%以下,較佳
在4質量%以上16質量%以下,較佳在4質量%以上15質量%以下,較佳在4質量%以上10質量%以下,較佳在5質量%以上10質量%以下,較佳在12質量%以上15質量%以下,較佳在13質量%以上16質量%以下。
於本發明之液晶組成物中,通式(I-0)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、黏性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
尤其是若組成物含有後述之由通式(II-2)表示之化合物,則從液晶組成物之應答速度上升的觀點而言,為較佳。
並且,本發明之由通式(I)表示之化合物,較佳為選自通式(I-4)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來加以組合。所使用之化合物的種類例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。
於本發明之液晶組成物中,通式(I-4)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
尤其是若組成物含有後述之式(5.4),則從液晶組成物之應答速度上升的觀點而言,為較佳。且從偶奇效應或彈性係數(K33)的觀點而言,亦較佳。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I-4)所表示之化合物的含量例如作為本發明之一個實施形態,為2~30質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~30質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為6~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為12~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為20~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為25~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~25質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~8質量%。
於本發明之液晶組成物中,前述通式(I-4)所表示之化合物可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來加以組合。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1~10種。或者於本發明之另外的實施形態,為1~8種。又,於本發明之另外的實施形態,為1~5種。於其他之實施形態,則為1~3種。
於得到高雙折射率之情形時,若將含量設定得多一些,則效果高,反之,於重視高Tni之情形時,若將含量設定得少一些,則效果高。並且,於改良滴痕或殘影特性之情形時,較佳將含量之範圍設定在中間。
並且,通式(I-4)所表示之化合物較佳為選自式(5.1)至式(5.4)所表示之化合物群中的化合物,更佳為式(5.2)至式(5.7)所表示之化合物,進而更佳含有至少1種選自由式(5.2)~式(5.4)組成之群中的化合物。
若在前述通式(I-4)所表示之骨架之端部的取代基之一者含碳原子數1~8個之烯基,則從液晶組成物之高速應答性的觀點而言,為較佳。
尤其是前述式(5.1)~(5.7)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上30質量%以下。此等之中,例如亦較佳在4質量%以上30質量%以下、6質量%以上30質量%以下、8質量%以上30質量%以下、10質量%以上30質量%以下、12質量%以
上30質量%以下、14質量%以上30質量%以下、16質量%以上30質量%以下、18質量%以上30質量%以下、20質量%以上30質量%以下、22質量%以上30質量%以下、23質量%以上30質量%以下、24質量%以上30質量%以下、25質量%以上30質量%以下、或者、4質量%以上6質量%以下、4質量%以上8質量%以下、4質量%以上10質量%以下、4質量%以上12質量%以下、4質量%以上14質量%以下、4質量%以上16質量%以下、4質量%以上18質量%以下、4質量%以上20質量%以下、4質量%以上22質量%以下、4質量%以上23質量%以下、4質量%以上24質量%以下、4質量%以上25質量%以下、2質量%以上25質量%以下、2質量%以上20質量%以下、2質量%以上15質量%以下。
並且,本發明之由通式(I)表示之化合物,較佳為選自通式(I-5)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來加以組合。所使用之化合物的種類例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。
於本發明之液晶組成物中,通式(I-5)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
含量之較佳範圍如下表所示。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(I-5)所表示之化合物的含量例如作為本發明之一個實施形態,為1~30質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~25質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~5質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~4質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為10~11質量%。
於重視低溫之溶解性的情形時,若將含量設定得多一些,則效果高,反之,於重視應答速度的情形時,若將含量設定得少一些,則效果高。並且,於改良滴痕或殘影特性的情形時,較佳將含量之範圍設定在中間。
並且,通式(I-5)所表示之化合物較佳為選自式(6.1)至式(6.6)所表示之化合物群中的化合物,較佳為式(6.3)、式(6.4)及式(6.6)所表示之化合物。
前述式(6.1)~(6.6)所表示之化合物的含量例如作為本發明之一個實施形態,為1~30質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~25質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~5質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~4質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為6~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為8~11質量%。
本發明之液晶組成物,亦可進一步含有具有與通式(I-5)所表示之化合物類似之構造的由式(6.7)~式(6.11)所表示之化合物。
較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來調整由式(6.7)~式(6.10)表示之化合物的含量。
前述式(6.7)~(6.10)所表示之化合物的含量例如作為本發明之一個實施形態,為1~15質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~14質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~12質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~9質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~5質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~4質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~11質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為6~11質量%。
並且,本發明之由通式(A)表示之化合物,較佳為選自通式(I-6)所表示之化合物群中的化合物。
前述通式(I-6)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在2質量%以上30質量%以下,較佳在4質量%以上30質量%以下,較佳在5質量%以上30質量%以下,較佳在6質量%以上30質量%以下,較佳在9質量%以上30質量%以下,較佳在12質量%以上30質量%以下,較佳在14質量%以上30質量%以下,較佳在16質量%以上30質量%以下,較佳在18質量%以上25質量%以下,較佳在20質量%以上24質量%以下,較佳在22質量%以上23質量%以下。並且,通式(I-6)所表示之化合物,較佳為式(7.1)所表示之化合物。
並且,通式(I)所表示之化合物,較佳為選自通式(I-7)所表示之化合物群中的化合物。
相對於本發明之液晶組成物總質量的前述通式(I-7)所表示之化合物的含量,較佳在1質量%以上20質量%以下,較佳在1質量%以上15質量%以下,較佳在1質量%以上10質量%以下,較佳在1質量%以上5質量%以下。
並且,通式(I-7)所表示之化合物較佳為式(8.1)所表示之化合物。
並且,通式(I)所表示之化合物較佳為選自通式(I-8)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,組合1種至3種。又,前述通式(I-8)所表示之化合物的含量,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能,相對於本發明之液晶組成物的總質量,為1~30質量%,較佳為1~25質量%,較佳為1~20質量%,較佳為1~18質量%,較佳為3~18質量%,較佳為4~9質量%,較佳為4~6質量%。
並且,通式(I-8)所表示之化合物較佳為選自式(9.1)至式(9.10)所表示之化合物群中的化合物,較佳為式(9.2)、式(9.4)及式(9.7)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(L)表示之化合物,例如較佳為選自通式(II)所表示之化合物中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來加以組合。所使用之化合物的種類例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外
的實施形態,為2種。又,於本發明之再另外之實施形態,為3種。進而於本發明之另外的實施形態,為4種以上。
於本發明之液晶組成物中,通式(II)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(II)所表示之化合物的含量例如作為本發明之一個實施形態,為3~35質量%。或者於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~30質量%。又,於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~25質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~18質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~12質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為13~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為16~21質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為4~12質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為13~15質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為15~18質量%。
並且,前述通式(II)所表示之化合物,例如較佳為選自通式(II-1)
所表示之化合物群中的化合物。
通式(II-1)所表示之化合物的含量,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能加以調整。
含量之較佳範圍如下表所示。
前述通式(II-1)所表示之化合物的含量,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能加以調整,較佳在4質量%以上24質量%以下,較佳在8質量%以上18質量%以下,較佳在12質量%以上14質量%以下。
並且,通式(II-1)所表示之化合物例如較佳為式(10.1)及式(10.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(II)表示之化合物,例如較佳為選自通式(II-2)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能來加以組合。若組成物含有
式(11.1)、式(11.2),則有助於提升液晶組成物之高速應答相關的參數。又,所使用之化合物的種類例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種以上。
於本發明之液晶組成物中,通式(II-2)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、高速應答性、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
前述通式(II-2)所表示之化合物的較佳含量,例如可舉相對於本發明之液晶組成物的總質量,為2~45質量%。此等之中,例如亦較佳為5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~35質量%、17~31質量%、18~28質量%、18~27質量%、18~26質量%、或者2~45質量%、3~40質量%、4~35質量%、5~30質量%、6~25質量%、7~24質量%、8~23質量%、9~23質量%。
並且,本發明之由通式(II-2)表示之化合物,例如較佳為式(11.1)至式(11.9)所表示之化合物。
可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,含有一個式(11.1)~(11.9)所表示之化合物,亦可含有二個式(11.1)~(11.9)所表示之化合物,或亦可含有三個式(11.1)~(11.9)所表示之化合物,並且,亦可含有1種由式(11.1)表示之化合物,或亦可含有1種由式(11.2)表示之化合物,或亦可含有由式(11.1)表示之化合物與由式(11.2)表示之化合物兩者,亦可含有所有由式(11.1)至式(11.3)表示之化合物。更佳含有由式(11.1)及/或式(11.2)表示之化合物,各含量之較佳範圍如下所示。
於本發明之液晶組成物中,式(11.1)所表示之化合物的各含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上55質量%以下,較佳在1質量%以上35質量%以下,較佳在1質量%以上25質量%以下。此等之中,較佳在1質量%以上20質量%以下、2質量%以上19質量%以下、3質量%以上18質量%以下、3質量%以上16質量%以下、4質量%以上
15質量%以下。
於本發明之液晶組成物中,式(11.2)所表示之化合物的各含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上55質量%以下,較佳在1質量%以上35質量%以下,較佳在1質量%以上25質量%以下。此等之中,較佳在1質量%以上20質量%以下、2質量%以上19質量%以下、3質量%以上18質量%以下、3質量%以上16質量%以下、4質量%以上15質量%以下。
於本發明之液晶組成物中,當含有式(11.1)所表示之化合物與式(11.2)所表示之化合物兩者的情形時,於相溶性之觀點,為較佳。當含有該式(11.1)所表示之化合物與該式(11.2)所表示之化合物兩者的情形時,兩化合物之合計含量的較佳範圍,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在5質量%以上35質量%以下,較佳在6質量%以上30質量%以下,較佳在7質量%以上28質量%以下。此等之中,較佳在8質量%以上27質量%以下、9質量%以上28質量%以下、10質量%以上25質量%以下。
並且,通式(II)所表示之化合物,例如較佳為選自通式(II-3)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,從此等之化合物中含有1種~3種。
通式(II-3)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
前述通式(II-3)所表示之化合物的較佳含量,例如可舉相對於本發明之液晶組成物的總質量,為2~45質量%。此等之中,例如較佳為5~45質量%、8~45質量%、11~45質量%、14~45質量%、17~45質量%、20~45質量%、23~45質量%、26~45質量%、29~45質量%或者2~45質量%、2~40質量%、2~35質量%、2~30質量%、2~25質量%、2~20質量%、2~15質量%、2~10質量%。
並且,通式(II-3)所表示之化合物,例如較佳為式(12.1)至式(12.3)所表示之化合物。
根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,可含有由式(12.1)表示之化合物,亦可含有由式(12.2)表示之化合物,或亦可含有由式(12.1)表示之化合物與由式(12.2)表示之化合物兩者。由式(12.3)表示之化合物亦可為光學活性化合物。
前述式(12.1)~(12.3)所表示之化合物的較佳含量,例如可舉相對於本發明之液晶組成物的總質量,為1~15質量%。此等之中,例如較佳
為1~13質量%、1~10質量%、2~15質量%、2~14質量%、2~11質量%、3~10質量%。
並且,本發明之由通式(II-3)表示之化合物,例如較佳為選自通式(II-3-1)所表示之化合物群中的化合物。
前述通式(II-3-1)所表示之化合物的含量,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能加以調整,較佳在1質量%以上24質量%以下,較佳在4質量%以上18質量%以下,較佳在6質量%以上14質量%以下。
並且,通式(II-3-1)所表示之化合物,例如較佳為式(13.1)至式(13.4)所表示之化合物,尤佳為式(13.3)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(II)表示之化合物,例如較佳為選自通式(II-4)所表示之化合物群中的化合物。
可僅含有此等化合物之中的1種,或亦可含有2種以上,較佳根據所需求之性能作適當組合。可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,從此等之化合物中含有1~2種,更佳含有1~3種。
前述通式(II-4)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上15質量%以下,較佳在2質量%以上15質量%以下,較佳在3質量%以上15質量%以下,較佳在4質量%以上12質量%以下,較佳在5質量%以上7質量%以下。
並且,通式(II-4)所表示之化合物,例如較佳為式(14.1)至式(14.5)所表示之化合物,尤佳為式(14.2)或/及式(14.5)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(L)表示之化合物,較佳為選自通式(III)所表示之化合物群中的化合物。
前述通式(III)所表示之化合物的含量,考慮所需求之溶解性或雙折射率等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳含有1質量%以上25質量%以下,較佳含有2質量%以上20質量%以下,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有2質量%以上10質量%以下,較佳含有4質量%以上6質量%以下。
並且,通式(III)所表示之化合物,例如較佳為式(15.1)或式(15.2)所表示之化合物,尤佳為式(15.1)所表示之化合物。
並且,前述通式(III)所表示之化合物,較佳為選自通式(III-1)所表示之化合物群中的化合物。
前述通式(III-1)所表示之化合物,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能調整其含量。相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在4質量%以上23質量%以下,較佳在6質量%以上18質量%以下,較佳在10質量%以上13質量%以下。
前述通式(III-1)所表示之化合物,例如較佳為式(16.1)~式(16.10)所表示之化合物。
並且,通式(III)所表示之化合物,較佳為選自通式(III-2)所表示之化合物群中的化合物。
前述通式(III-2)所表示之化合物的含量,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能加以調整,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在4質量%以上23質量%以下,較佳在6質量%以上18質量%以下,較佳在10質量%以上13質量%以下。
並且,該通式(III-2)所表示之化合物,例如較佳為選自式(17.1)至式(17.3)所表示之化合物群中的化合物,尤佳為式(17.3)所表示之化合物。
本發明之由通式(L)表示之化合物,較佳選自通式(IV)所表示之群
中。
該通式(IV)所表示之化合物可組合的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能作適當組合。若將後述之式(18.1)至式(18.9)所表示的化合物等具備有通式(IV)之構造的化合物添加於液晶組成物,則液晶組成物的Δn或與構成其他液晶組成物之成分的溶解性會獲得提升。
所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1~6種。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(IV)所表示之化合物的含量,例如於一個實施形態中,為1~35質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~22質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~6質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為20~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~8質量%。進而
於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~6質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~22質量%。
並且,通式(IV)所表示之化合物,例如較佳為選自通式(IV-1)所表示之化合物群中的化合物。
通式(IV-1)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(IV-1)所表示之化合物的含量,例如於一個實施形態中,為1~35質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~22質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~6質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為3~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為11~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為20~26質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~6質量%。進而於本發明之另
外的實施形態,前述含量為11~22質量%。
並且,通式(IV-1)所表示之化合物,例如較佳為式(18.1)至式(18.9)所表示之化合物。
於上述通式(IV-1)所表示之化合物,可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳從此等化合物之中含有1種~3種,更佳含有1種~4種。又,選自通式(IV-1)所表示之化合物群中的化合物之分子量分布廣由於亦對溶解性有效,故較佳例如從式(18.1)或(18.2)所表示之化合物選擇1種,從式(18.4)或(18.5)所表示之化合物選擇1種,從式(18.6)或式(18.7)所表示之化合物選擇1種,從式(18.8)或式(18.9)所表示之化合物選擇1種化合物,然後將此等適當地加以組合。其中,較佳含有式(18.1)、式(18.3)、式(18.4)、式(18.6)及式(18.9)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(L)表示之化合物,較佳為選自通式(V)所表示之群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能加以適當組合。所使用之化合物的種類,例如於本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。進而於本發明之另外的實施形態,為3種。進而於本發明之另外的實施形態,為4種。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(V)所表示之化合物的含量,例如於一個實施形態,為1~25質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~20質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~19質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~9質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~7質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1質~5量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~3質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為1~2質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~19質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為5~19質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為9~19質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為2~8質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述含量為6~8質量%。
並且,本發明之由通式(V)表示之化合物,較佳為通式(V-1)所表示之化合物。
並且,前述通式(V-1)所表示之化合物較佳為通式(V-1-1)所表示之化合物。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之由前述通式(V-1-1)表示之化合物,更佳含有1質量%以上10質量%以下,較佳含有3質量%以上10質量%以下,較佳含有3質量%以上7質量%以下,較佳含有3質量%以上5質量%以下,較佳含有3質量%以上4質量%以下。
並且,前述通式(V-1-1)所表示之化合物較佳為式(20.1)至式(20.4)所表示之化合物,較佳為式(20.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(V-1)表示之化合物,較佳為通式(V-1-2)所表示之化合物。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之由前述通式(V-1-2)表示之化合物,較佳含有1質量%以上10質量%以下,較佳含有1質量%以上7質量%以下,較佳含有1質量%以上5質量%以下。
並且,前述通式(V-1-2)所表示之化合物,較佳為式(21.1)至式(21.3)所表示之化合物,較佳為式(21.1)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(V-1)表示之化合物,較佳為通式(V-1-3)所表示之化合物。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之由前述通式(V-1-3)表示之化合物,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有3質量%以上10質量%以下,較佳含有4質量%以上8質量%以下。
並且,前述通式(V-1-3)所表示之化合物較佳為式(22.1)至式(22.3)
所表示之化合物。較佳為式(22.1)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(V)表示之化合物,較佳為通式(V-2)表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能加以適當組合。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種以上。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(V-2)所表示之化合物的含量,例如於一個實施形態,為1~30質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為2~25質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為5~19質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為6~10質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為10~19質量%。進而於本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為4~8質量%。
於期望本發明之液晶組成物為高Tni之實施形態的情形時,較佳使式(V-2)所表示之化合物的含量多一些,於期望低黏度之實施形態的情形時,則較佳使含量少一些。
並且,本發明之由通式(V-2)表示之化合物,較佳為通式(V-2-1)所表示之化合物。
並且,前述通式(V-2-1)所表示之化合物,較佳為式(23.1)至式(23.4)所表示之化合物,較佳為式(23.1)或/及式(23.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(V-2)表示之化合物,較佳為通式(V-2-2)所表示之化合物。
並且,前述通式(V-2-2)所表示之化合物,較佳為式(24.1)至式
(24.4)所表示之化合物,較佳為式(24.1)或/及式(24.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(V)表示之化合物,較佳為通式(V-3)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能加以適當組合。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。進而於本發明之另外的實施形態,為3種以上。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳含有1質量%以上16質量%以下之由前述通式(V-3)表示之化合物,較佳含有1質量%以上13質量%以下,較佳含有1質量%以上9質量%以下,較佳含有3質量%以上9質量%以下。
並且,通式(V-3)所表示之化合物,較佳為式(25.1)至式(24.3)
所表示之化合物。
本發明之由通式(V)表示之化合物,較佳為通式(V-4)所表示之化合物。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之由前述通式(V-4)表示之化合物,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有3質量%以上10質量%以下,較佳含有4質量%以上8質量%以下。
並且,前述通式(V-4)所表示之化合物,較佳為選自式(25.11)至式(25.13)所表示之化合物群中的至少1種化合物,更佳為式(25.13)所表示之化合物。
本發明之由通式(L)表示之化合物,較佳為通式(V’-5)所表示之化合物。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳含有1質量%以上15質量%以下之由前述通式(V’-5)表示之化合物,較佳含有2質量%以上15質量%以下,較佳含有2質量%以上10質量%以下,較佳含有5質量%以上10質量%以下。
並且,前述通式(V’-5)所表示之化合物,較佳為選自式(25.21)至式(25.24)所表示之化合物群中的至少1種化合物,更佳為式(25.21)及/或式(25.23)所表示之化合物。
本發明之液晶組成物,更佳含有選自由通式(VI)所表示之化合物及通式(VII)所表示之化合物組成之群中的至少1種以上。又,本發明之由通式(L)表示之化合物,較佳為通式(VI)所表示之化合物及/或通式(V1I)所表示之化合物。
前述通式(VI)所表示之化合物,具體而言,可適合使用下述所列舉之化合物。
前述通式(VII)所表示之化合物,具體而言,可適合使用下述所列舉之化合物。
於滿足上述通式(VI)或通式(VII)所表示之化合物之各者,滿足各構造式之化合物可組合的種類並無特別限制,較佳根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等所需求之性能,從滿足各式之化合物之中摻合1~3種,更佳含有1~4種,尤佳含有1~5種以上。
前述通式(VI)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳為0~35質量%,較佳為0~25質量%,較佳為0~15質量%。
前述通式(VII)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳為0~35質量%,更佳為0~25質量%,較佳為0~15質量%
。
本發明之液晶組成物,亦可進一步含有下述通式(M)所表示之化合物,該通式(M)所表示之化合物較佳為極性化合物(介電各向導性為+5~+30)。
本發明之通式(M)為:
(上述通式(M)中,RM1表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之1個以上的氫原子亦可被氟原子取代,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之1個或非鄰接之2個以上的-CH2-亦可各自獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代,PM表示0、1、2、3或4,CM1及CM2各自獨立地表示選自由下述(d)及(e)組成之群中的基,(d)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之2個以上的-CH2-亦可被-O-或-S-取代。)及(e)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之2個以上的-CH=亦可被-N=取代。)上述之基(d)、基(e)亦可各自獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代,KM1及KM2各自獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-、-CF2O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-,當PM為2、3或4而存在複數個KM1之情形時,其等可相同或亦可不
同,當PM為2、3或4而存在複數個CM2之情形時,其等可相同或亦可不同,XM1及XM3各自獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子,XM2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。惟,不包括通式(L)所表示之化合物。)。
可組合作為第二成分之由上述通式(M)表示之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、介電係數、雙折射率等想要的性能加以組合使用。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。進而於本發明之另外的實施形態,為3種。又進而於本發明之另外的實施形態,為4種。進而於本發明之另外的實施形態,為5種。進而於本發明之另外的實施形態,為6種類。進而於本發明之另外的實施形態,為7種以上。
於本發明之液晶組成物中,通式(M)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
前述通式(M)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,作為本發明之一個實施形態,為0.5~35質量%。並且,例如作為本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為1~30質量%。例如,作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為3~28質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為5~27質量%。
例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為7~26質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為8~25質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為9~24質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為10~23質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為11~20質量%。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。並且,當將本發明之液晶組成物的Tni保持得較高,需要溫度穩定性佳之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。又,於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電各向導性時,較佳使上述之下限值高一些,且使上限值高一些。
當RM1其所鍵結之環構造為苯基(芳香族)的情形時,RM1較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4的烷氧基及碳原子數4~5的烯基,當其所鍵結之環構造為環己烷、哌喃及二烷等飽和之環構造的情形時,較佳為直鏈狀之碳原子數1~5的烷基、直鏈狀之碳原子數1~4的烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5的烯基。
本發明之由通式(M)表示之化合物,當要求液晶組成物之化學穩定性的情形時,較佳在其分子內不具有氯原子。更佳為液晶組成物內具有氯原子之化合物在5%以下,較佳在3%以下,較佳在1%以下,較佳在0.5%以下,較佳為實質上不含有。所謂實質上不含有,意指製造化合物時以雜質之形態生成的化合物等在未刻意下僅有含氯原子之化合物混入於液晶組成
物。
本發明之由通式(M)表示之化合物,較佳為通式(B)所表示之化合物。
本發明之由通式(M)表示之化合物,較佳為通式(X)所表示之化合物。
於前述通式(X)所表示之化合物中可組合之化合物並無特別限制,可考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,作適當組合。例如於本發明之一個實施形態,為1種。又,於本發明之另外的實施形態,為2種。進而於另外之實施形態,為3種。再進而於另外之實施形態,為4種。再進而於另外之實施形態,為5種以上。
前述通式(X)所表示之化合物的含量,可考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,於每個實施形態作適當調整。例如,前述通式(X)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,於本發明之一個實施形態,為1~35質量%,於另外之實施形態,為1~30質量%,於再另外之實施形態,為1~25質量%,又進而於另外之實施
形態,為1~24質量%,又進而於另外之實施形態,為1~20質量%,又進而於另外之實施形態,為1~19質量%,又進而於另外之實施形態,為1~16質量%,又進而於另外之實施形態,為1~12質量%,又進而於另外之實施形態,為1~11質量%,又進而於另外之實施形態,為1~10質量%,又進而於另外之實施形態,含量為1~9質量%,又進而於另外之實施形態,含量為1~8質量%,又進而於另外之實施形態,含量為1~7質量%,又進而於另外之實施形態,含量為1~3質量%,又進而於另外之實施形態,含量為3~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為5~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為6~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為8~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為11~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為13~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為15~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為17~24質量%,又進而於另外之實施形態,含量為3~7質量%,又進而於另外之實施形態,含量為5~10質量%,又進而於另外之實施形態,含量為6~9質量%,又進而於另外之實施形態,含量為6~8質量%,又進而於另外之實施形態,含量為8~11質量%,又進而於另外之實施形態,含量為11~19質量%,又進而於另外之實施形態,含量為11~12質量%,又進而於另外之實施形態,含量為13~16質量%,又進而於另外之實施形態,含量為15~19質量%,又進而於另外之實施形態,含量為17~20質量%。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。並且,當需要不易發生殘影之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一
些,且使上限值低一些。又,於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電各向導性時,較佳使上述之下限值高一些,且使上限值高一些。
本發明之由通式(M)表示之化合物,較佳為通式(X-1)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,可考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,於每個實施形態作適當組合。例如,於本發明之一個實施形態,為1種。又,於本發明之另外的實施形態,為2種。進而於另外之實施形態,為3種。再進而於另外之實施形態,為4種。再進而於另外之實施形態,為5種以上。
前述通式(X-1)所表示之化合物的含量,可考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性作適當調整。
例如,前述通式(X-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,於本發明之一個實施形態,為1~20質量%,於另外之實施形態,為1~15質量%,於再另外之實施形態,為1~10質量%,又進而於另外之實施形態,為1~9質量%,又進而於另外之實施形態,為1~8質量%,又進而於另外之實施形態,為1~7質量%,又進而於另外之實施形態,為1~6質量%,又進而於另外之實施形態,為1~3質量%,又進而於另外之實施形態,為3~9質量%,又進而於另外之實施形態,為4~9質量%,又進
而於另外之實施形態,為5~9質量%,又進而於另外之實施形態,為6~9質量%,又進而於另外之實施形態,為8~9質量%,又進而於另外之實施形態,為3~7質量%,又進而於另外之實施形態,為5~7質量%,又進而於另外之實施形態,為6~7質量%。
並且,本發明之由通式(X-1)表示之化合物,較佳為通式(X-1-1)所表示之化合物。
前述通式(X-1-1)所表示之化合物的含量,可考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性作適當調整。
前述通式(X-1-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,於本發明之一個實施形態,為1~25質量%,於另外之實施形態,為1~20質量%,於再另外之實施形態,為1~15質量%,又進而於另外之實施形態,為1~10質量%,又進而於另外之實施形態,為3~10質量%,又進而於另外之實施形態,為5~10質量%。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-1-1)表示之化合物,具體而言,較佳為式(36.1)至式(36.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(36.1)及/或式(36.2)所表示之化合物。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-1)表示之化合物,較佳為通式(X-1-2)所表示之化合物。
前述通式(X-1-2)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在2質量%以上,再更佳在6質量%以上。又,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,較佳使最大比率在20質量%以下,更佳在16質量%以下,再更佳在12質量%以下,尤佳在10質量%以下。
並且,前述通式(X-1-2)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(37.1)至式(37.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(37.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(X-1)表示之化合物,較佳為通式(X-1-3)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上。
前述通式(X-1-3)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在2質量%以上,再更佳在6質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在20質量%以下,更佳在16質量%以下,再更佳在12質量%以下,尤佳在10質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-1-3)表示之化合物,具體而言,較佳為式(38.1)至式(38.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(38.2)所表示之化合物。
本發明之液晶組成物的由通式(X)表示之化合物,較佳為通式(X-2)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上。
並且,本發明之由通式(X-2)表示之化合物,較佳為通式(X-2-1)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上,更佳組合1種至3種以上。
前述通式(X-2-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在2質量%以上,再更佳在3質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在20質量%以下,更佳在16質量%以下,再更佳在12質量%以下,尤佳在10質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-2-1)表示之化合物,具體而言,較佳為式(39.1)至式(39.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(39.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(X-2)表示之化合物,較佳為通式(X-2-2)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上。通式(X-2-2)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在2質量%以上,再更佳在3質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在20質量%以下,更佳在16質量%以下,再更佳在12質量%以下,尤佳在10質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-2-2)表示之化合物,具體而言,較佳為式(40.1)至式(40.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(40.2)所表示之化合物。
本發明之由通式(M)表示之化合物,較佳為通式(IIb)所表示之化
合物。
較佳自式(IIb)所表示之化合物群中選擇至少1種化合物,
(上述通式(IIb)中,R3b表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之1個以上的氫原子亦可被氟原子取代,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之亞甲基,只要氧原子不連續地鍵結,亦可被氧原子取代,只要羰基不連續地鍵結,亦可被羰基取代,A2b各自獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、四氫哌喃-2,5-二基、二烷-2,5-二基或嘧啶-2,5-二基,當A2b表示1,4-伸苯基之情形時,該1,4-伸苯基中之1個以上的氫原子亦可被氟原子取代,Z2b各自獨立地表示單鍵、-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-或-CF2O-,m2b表示1、2、3或4,Y3b各自獨立地表示氟原子或氫原子,X1b表示氟原子、-CN基或-OCF3基。),前述m2b更佳為2、3。
前述通式(IIb)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,每個實施形態具有上限值與下限值。該化合物之含量的下限值,例如於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為0.01%,於另外之實施形態,為0.05%,於再另外之實施形態,為0.1%,又進而於另外之實施形態,為0.2%,又進而於另外之實施形態,為0.3%,又進而於另外之實施形態,為0.4%,又進而於另外
之實施形態,為0.5%。又,前述通式(IIb)所表示之化合物的含量上限值,例如於本發明之一個實施形態,為10%,於另外之實施形態,為8%,進而於另外之實施形態,為2%,又進而於另外之實施形態,為1%,又進而於另外之實施形態,為0.8%,又進而於另外之實施形態,為0.7%。
若液晶組成物含有上述通式(IIa)所表示之化合物,則不僅可確保Δε等之介電性,亦無損與通式(L)之相溶性。
本發明之由通式(X)表示之化合物,較佳為通式(X-3)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上。若液晶組成物含有前述通式(X-3)所表示之化合物,則不僅可確保Δε等之介電性,亦無損與通式(L)等之第一成分的相溶性。
通式(X-3)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在0.1質量%以上,更佳在0.2質量%以上,再更佳在0.3質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在8質量%以下,更佳在5質量%以下,再更佳在2質量%以下,尤佳在1質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-3)表示之化合物,
較佳為通式(X-3-1)所表示之化合物。
於滿足通式(X-3-1)之化合物,可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上。
通式(X-3-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在0.05質量%以上,更佳在0.2質量%以上,再更佳在0.3質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在5質量%以下,更佳在3質量%以下,再更佳在2質量%以下,尤佳在1質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-3-1)表示之化合物,具體而言,較佳為式(41.1)至式(41.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(41.2)所表示之化合物。若液晶組成物含有前述式(41.1)至式(41.4)所表示之化合物,則不僅可確保Δε等之介電性,亦無損與非極性之第一成分的相溶性。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-3)表示之化合物,較佳為通式(X-3-1)所表示之化合物。
於滿足通式(X-3-2)之化合物,可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上。
通式(X-3-2)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在0.05質量%以上,更佳在0.2質量%以上,再更佳在0.3質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在5質量%以下,更佳在3質量%以下,再更佳在2質量%以下,尤佳在1.5質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-3-2)表示之化合物,具體而言,較佳為式(41.5)至式(41.8)所表示之化合物,其中,較佳含有式(41.6)所表示之化合物。若液晶組成物含有前述式(41.5)至式(41.7)所表示之化合物,則不僅可確保Δε等之介電性,亦無損與非極性之第一
成分的相溶性。
並且,通式(X)所表示之化合物較佳為通式(X-4)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上,更佳組合1種至3種以上。
並且,本發明之由通式(X-4)表示之化合物,較佳為通式(X-4-1)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上,更佳組合1種至3種以上。
前述通式(X-4-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在2質量%以上,更佳在5質量%以上,再更佳在I0質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在20質量%以下,更佳在17質量%以下,再更佳在15質量%以下,尤佳在13質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-4-1)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(42.1)至式(42.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(42.3)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(X)表示之化合物,較佳為通式(X-5)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上,更佳組合1種至3種以上。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-5)表示之化合物,較佳為通式(X-5-1)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上,更佳組合1種至3種以上。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(X-5-1)表示之化合物,具體而言,較佳為式(43.1)至式(43.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(43.2)所表示之化合物。
前述式(43.1)至式(43.4)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在2質量%以上,再更佳在3質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在18質量%以下,更佳在15質量%以下,再更佳在12質量%以下,尤佳在10質量%以下。
使用於本發明之液晶組成物的由通式(M)表示之化合物,較佳為通式(IIa)所表示之化合物。
較佳自通式(IIa)所表示之化合物群中選擇至少1種化合物(上述通式(IIa)中,R3a表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之1個以上的氫原子亦可被氟原子取代,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之亞甲基,只要氧原子不連續地鍵結,亦可被氧原子取代,只要羰基不連續地鍵結,亦可被羰基取代,A2a各自獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、四氫哌喃-2,5-二基、二烷-2,5-二基或嘧啶-2,5-二基,當A2a表示1,4-伸苯基之情形時,該1,4-伸苯基中之1個以上的氫原子亦可被氟原子取代,Z2a各自獨立地表示單鍵、-OCH2-、-OCF2-、-CH2O-或-CF2O
-,m2a表示1、2、3或4,Y3a各自獨立地表示氟原子或氫原子,X1a表示氟原子、-CN基或-OCF3基。),更佳自前述通式(IIa)所表示之化合物選擇至少2種化合物。又,於前述通式(IIa)中,m2a更佳為2、3或4,m2a再更佳為2或3,m2a尤佳為3。
確認藉由組合具備有化學骨架之共通性或化學骨架之特徴性的化合物彼此,相溶性顯著獲得提升。其中,具有含有為該通式(IIa)所表示之化合物之下位概念的由前述通式(M-1)表示之化合物的成分與含有由通式(i)表示之化合物的成分的液晶組成物,可改善以往之問題即液晶化合物之析出化。
前述通式(IIa)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,每個實施形態具有上限值與下限值。該化合物之含量的下限值,例如於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為2%,於另外之實施形態,為3%,於再另外之實施形態,為4%,又進而於另外之實施形態,為5%,又進而於另外之實施形態,為6%,又進而於另外之實施形態,為7%,又進而於另外之實施形態,為8%。且於其他之實施形態,為9%。其他於另外之實施形態,為11%,於再另外之實施形態,為15%,又進而於另外之實施形態,為18%。又,前述通式(IIa)所表示之化合物的含量上限值,例如於本發明之一個實施形態,為30%,於另外之實施形態,為20%,進而於另外之實施形態,為13%,又進而於另外之實施形態,為10%,又進而於另外之實施形態,為7%,又進而於另外之實施形態,為3%。
並且,通式(X)所表示之化合物,較佳為選自通式(XI)所表示之群中的化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至3種以上。
若液晶組成物存在由通式(XI)表示之化合物,則可確認到高的轉變點、大的Δε介電係數、高Δn,且若為4環之化合物的話,會顯示出低黏性。並且,確認該通式(XI)所表示之化合物對於通式(i)、通式(M-1)、通式(M-2)及通式(M-3)所示之化合物顯示出良好之相溶性。藉此,於本發明之液晶組成物中,亦更佳於Δε不超過5之範圍含有通式(XI)作為通式(M)。
前述通式(XI)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,每個實施形態具有上限值與下限值。含量之下限值,例如於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為2%,於另外之實施形態,為4%,於再另外之實施形態,為5%,又進而於另外之實施形態,為7%,又進而於另外之實施形態,為9%,又進而於另外之實施形態,為10%,又進而於另外之實施形態,為12%。又進而於另外之實施形態,為13%。又進而於另外之實施形態,為15%。又進
而於另外之實施形態,為18%。
又,含量之上限值,例如於本發明之一個實施形態,為30%,於另外之實施形態,為25%,進而於另外之實施形態,為20%,又進而於另外之實施形態,為15%,又進而於另外之實施形態,為10%,又進而於另外之實施形態,為5%。
當本發明之液晶組成物被使用於單元間隙小之液晶顯示元件用的情形時,宜使通式(XI)所表示之化合物的含量多一些。當被使用於驅動電壓小之液晶顯示元件用的情形時,則宜使通式(XI)所表示之化合物的含量多一些。又,當被使用於在低溫環境下所使用之液晶顯示元件用的情形時,宜使通式(XI)所表示之化合物的含量少一些。當為被使用於應答速度快之液晶顯示元件的液晶組成物之情形時,宜使通式(XI)所表示之化合物的含量少一些。
另,本說明書中之單元間隙,係指對向之配向層間的平均距離,換言之,係指填充有液晶組成物之液晶層的平均厚度(例如,該厚度係以10點平均等所算出。)。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(XI)表示之化合物,較佳為通式(XI-1)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,可考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電
性之可靠性、雙折射率等,於每個實施形態作適當組合。例如,於本發明之一個實施形態,為1種,於另外之實施形態,組合2種,進而於另外之實施形態,組合3種以上。
又,亦認為前述通式(XI-1)所表示之化合物左起第2個苯環之氟特別有助於相溶性,可確認到高的轉變點、大的Δε介電係數、高Δn,且若為4環之化合物的話,會顯示出低黏性。因此,可確認該通式(XI-1)所表示之化合物對於含有通式(i)、通式(M-1)、通式(M-2)及通式(M-3)所示之化合物的組成物顯示出良好的相溶性。
通式(XI-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在2質量%以上,再更佳在3質量%以上,再更佳在4質量%以上,尤佳在5質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在20質量%以下,更佳在15質量%以下,再更佳在12質量%以下,尤佳在10質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(XI-1)表示之化合物,具體而言,較佳為式(45.1)至式(45.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(45.2)至式(45.4)所表示之化合物,更佳含有式(45.2)所表示之化合物。
前述式(45.1)至式(45.4)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在1.5質量%以上,再更佳在2質量%以上,再更佳在2.5質量%以上,尤佳在3質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在18質量%以下,更佳在15質量%以下,再更佳在12質量%以下,尤佳在10質量%以下。
並且,通式(X)所表示之化合物較佳為選自通式(XII)所表示之群中的化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至3種以上,更佳組合1種至4種以上。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(XII)表示之化合物,較佳為通式(XII-1)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上,更佳組合1種至3種以上。
通式(XII-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在2質量%以上,再更佳在3質量%以上,尤佳在4質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在15質量%以下,更佳在10質量%以下,再更佳在8質量%以下,尤佳在6質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(XII-1)表示之化合物,具體而言,較佳為式(46.1)至式(46.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(46.2)至式(46.4)所表示之化合物。
並且,通式(XII)所表示之化合物,較佳為通式(XII-2)所表示之化合物。
可組合之化合物並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至2種以上,更佳組合1種至3種以上。
通式(XII-2)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在3質量%以上,再更佳在4質量%以上,再更佳在6質量%以上,尤佳在9質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在20質量%以下,更佳在17質量%以下,再更佳在15質量%以下,尤佳在13質量%以下。
並且,使用於本發明之液晶組成物的由通式(XII-2)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(47.1)至式(47.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(47.2)至式(47.4)所表示之化合物。
本發明之由通式(M)表示之化合物,例如較佳為選自通式(VIII)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,可根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等想要的性能作適當組合來使用。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。並且,於本發明之另外的實施形態,為3種以上。若液晶組成物中存在前述通式(VIII)所表示之化合物,則會達成下述作用、效果:顯示出高Δn,且藉由調整與其他之4環化合物的比率而可輕易控制轉變點。
於本發明之液晶組成物,前述通式(VIII)所表示之化合物的含量,必須根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率、處理適合性、滴痕、殘影、介電各向導性等所需求之性能作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(VIII)所表示之化合物的含量,例如作為本發明之一個實施形態,為1~25質量%。並且,例如作為本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為1~20質量%。例如,作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為1~15質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為1~10質量%。
例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為1~7質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為1~6質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為1~5質量%。例如,作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為1~4質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為3~7質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為3~6質量%。例如作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為4~7質量%。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。並且,當將本發明之液晶組成物的Tni保持得較高,需要溫度穩定性佳之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。又,於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電各向導性時,較佳使上述之下限值高一些,且使上限值高一些。
並且,本發明之由通式(VIII)表示之化合物,較佳為通式(VIII-1)所表示之化合物。
並且,通式(VIII-1)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(26.1)至式(26.4)所表示之化合物,較佳為式(26.1)或式(26.2)所表示之化合物,再更佳為式(26.2)所表示之化合物。
前述式(26.1)~(26.4)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上20質量%以下,更佳在1質量%以上15質量%以下,再更佳在1質量%以上10質量%以下,較佳在1質量%以上7質量%以下。此等之中,例如,較佳在1質量%以上6質量%以下、1質量%以上5質量%以下、3質量%以上7質量%以下、3質量%以上6質量%以下、4質量%以上7質量%以下。
並且,本發明之由通式(VIII)表示之化合物,較佳為通式(VIII-2)所表示之化合物。
作為通式(VIII-2)可組合之化合物的種類並無特別限制,係根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等想要的性能作適當組
合來使用。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。或者於本發明再另外之實施形態,為3種以上。
前述通式(VIII-2)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在2.5質量%以上25質量%以下,較佳在8質量%以上25質量%以下,較佳在10質量%以上20質量%以下,較佳在12質量%以上15質量%以下。
並且,前述通式(VIII-2)所表示之化合物,較佳為式(27.1)至式(27.4)所表示之化合物,較佳為式(27.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(M)表示之化合物,例如較佳為選自通式(IX)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,係根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等想要的性能作適當組合來使用。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種以上。
前述通式(VIII-3)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在0.5質量%以上15質量%以下,較佳在0.5質量%以上10質量%以下,較佳在0.5質量%以上5質量%以下,較佳在1質量%以上5質量%以下。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。並且,將本發明之液晶組成物的Tni保持得較高,需要不易發生殘影之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。又,於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電各向導性時,較佳使上述之下限值高一些,且使上限值高一些。
並且,本發明之由通式(IX)表示之化合物,較佳為通式(IX-1)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(IX-1)表示之化合物,較佳為通式(IX-1-1)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,係根據低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等想要的性能作適當組合來使用。所使用之化合物的種類,例如作為本發明之一個實施形態,為1種。或者於本發明之另外的實施形態,為2種。並且,於本發明之另外的實施形態,為3種以上。
前述通式(IX-1-1)所表示之化合物的含量,係考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等根據實施形態作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(IX-1-1)所表示之化合物的含量,例如作為本發明之一個實施形態,為1~30質量%。並且,例如作為本發明之另外的實施形態,前述化合物之含量為2~25質量%。例如,作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為3~20質量%。例如,作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為9~15質量%。例如,作為本發明之進而另外的實施形態,前述化合物之含量為12~20質量%。
並且,通式(IX-1-1)所表示之化合物,較佳為式(28.1)至式(28.5)所表示之化合物,較佳為式(28.3)或/及式(28.5)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(IX-1)表示之化合物,較佳為通式(IX-1-2)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至3種,更佳組合1種至4種。
前述通式(IX-1-2)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上30質量%以下,較佳在5質量%以上25質量%以下,較佳在8質量%以上20質量%以下。
並且,通式(IX-1-2)所表示之化合物,較佳為式(29.1)至式(29.4)
所表示之化合物,較佳為式(29.2)或/及式(29.4)所表示之化合物。
並且,通式(IX)所表示之化合物,較佳為通式(IX-2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(IX-2)表示之化合物,較佳為通式(IX-2-1)所表示之化合物。
例如,於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(IX-2-1)所表示之化合物的含量,為1~25質量%。於另外之實施形態,前述化合物之含量為1~20質量%。進而於另外之實施形態,前述化合物之含量為1~15質量%。又進而於另外之實施形態,前述化合物之含量為1~10質量%。又進而於另外之實施形態,前述化合物之
含量為1~5質量%。又進而於另外之實施形態,前述化合物之含量為1~4質量%。
並且,前述通式(IX~2-1)所表示之化合物,較佳為式(30.1)至式(30.4)所表示之化合物,較佳為式(30.1)至式(30.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(IX-2)表示之化合物,較佳為通式(IX-2-2)所表示之化合物。
前述通式(IX-2-2)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,於每個實施形態作適當調整。
相對於本發明之液晶組成物的總質量,前述通式(IX-2-2)所表示之化合物的含量,於本發明之一個實施形態,為1~30質量%,於另外之實施形態,為1~25質量%,於再另外之實施形態,為1~20質量%,於再另外之實施形態,為1~17質量%,於再另外之實施形態,為1~16質量%,於再另外之實施形態,為1~12質量%,又進而於另外之實施形態,為1~11質量%,又進而於另外之實施形態,為1~10質量%,又進而於另外之實施形態,為1~9質量%,又進而於另外之實施形態,為2~17質量%,又進而於另外之實施形態,為6~17質量%,又進而於另外之實施形態,
為8~17質量%,又進而於另外之實施形態,為9~17質量%,又進而於另外之實施形態,為14~17質量%,又進而於另外之實施形態,為14~16質量%,又進而於另外之實施形態,為2~9質量%,又進而於另外之實施形態,為6~10質量%,又進而於另外之實施形態,為8~11質量%,又進而於另外之實施形態,為9~12質量%。
並且,前述通式(IX-2-2)所表示之化合物,較佳為式(31.1)至式(31.4)所表示之化合物,較佳為式(31.1)至式(31.4)所表示之化合物。
並且,通式(IX-2)所表示之化合物,較佳為通式(IX-2-3)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1~2種。
前述通式(IX-2-3)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上30質量%以下,更佳在3質量%以上20質量%以下,再更佳在6質量%以上15質量%以下,再更佳在8質量%以上10質量%以下。
並且,前述通式(IX-2-3)所表示之化合物,較佳為式(32.1)至式
(32.4)所表示之化合物,較佳為式(32.2)及/或式(32.4)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(IX-2)表示之化合物,較佳為通式(IX-2-4)所表示之化合物。
前述通式(IX-2-4)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在1質量%以上25質量%以下,較佳在1質量%以上20質量%以下,較佳在1質量%以上15質量%以下,較佳在1質量%以上12質量%以下,較佳在5質量%以上12質量%以下,較佳在7質量%以上12質量%以下。
並且,通式(IX-2-4)所表示之化合物,較佳為式(33.1)至式(33.8)所表示之化合物,更佳為式(33.1)、式(33.8)及式(33.2)~式(33.5)所表示之化合物。
於上述式(33.8)中,R25較佳為碳原子數2~6之烯基。
並且,本發明之由通式(IX-2)表示之化合物,較佳為通式(IX-2-5)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,係考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,於每個實施形態作適當組合來使用。例如,於本發明之一個實施形態,為1種,於另外之實施形態,為2種,進而於另外之實施形態,為3種,又進而於另外之實施形態,為4種以上。
前述通式(IX-2-5)所表示之化合物的含量,可考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,於每個實施形態作適當調整。
例如,前述通式(IX-2-5)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總質量,於本發明之一個實施形態,為0.1~30質量%,於另外之實施形態,為0.3~25質量%,於再另外之實施形態,為0.5~20質量%,又進而於另外之實施形態,為1~15質量%,又進而於另外之實施形態,為2~14質量%,又進而於另外之實施形態,為2.5~15質量%,又進而於另外之實施形態,為3~12質量%。
當將本發明之液晶組成物的黏度保持得較低,需要應答速度快之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。並且,於將本發明之液晶組成物的Tni保持得較高,需要不易發生殘影之液晶組成物的情形時,較佳使上述之下限值低一些,且使上限值低一些。又,於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電各向導性時,較佳使上述之下限值高一些,且使上限值高一些。
並且,通式(IX-2-5)所表示之化合物,較佳為式(34.1)至式(34.5)所表示之化合物,較佳為式(34.1)、式(34.2)、式(34.3)及/或式(34.5)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(IX)表示之化合物,較佳為通式(IX-3)所表示之化合物。
並且,前述通式(IX-3)所表示之化合物,較佳為通式(IX-3-1)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1~2種。
前述通式(IX-3-1)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、
轉變溫度、電性之可靠性等,相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳在3質量%以上30質量%以下,較佳在7質量%以上30質量%以下,較佳在13質量%以上20質量%以下,較佳在15質量%以上18質量%以下。
並且,通式(IX-3-1)所表示之化合物,較佳為式(35.1)至式(35.4)所表示之化合物,較佳為式(35.1)及/或式(35.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(M)表示之化合物,較佳為選自通式(XIII)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳從此等化合物之中含有1種~2種,更佳含有1種~3種,再更佳含有1種~4種。
通式(XIII)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,於每個實施形態具有上限值與下限值。含量之下限值,例如於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為2%,於另外之實施形態,為4%,於再另外之實施形態,為5%,又進而於另外之實施形態,為7%,又進而於另外之實施形態,為9%,又進而於另外之實施形態,為11%,又進而於另外之實施形態,為13%。又進而於另外之實施形態,為14%。又進而於另外之實施形態,為16%。又進而於另外之實施形態,為20%。
又,含量之上限值,例如,於本發明之一個實施形態,為30%,於另外之實施形態,為25%,進而於另外之實施形態,為20%,又進而於另外之實施形態,為15%,又進而於另外之實施形態,為10%,又進而於另外之實施形態,為5%。
當本發明之液晶組成物被使用於單元間隙小之液晶顯示元件用的情形時,宜使通式(XIII)所表示之化合物的含量多一些。而當被使用於驅動電壓小之液晶顯示元件用的情形時,則宜使通式(XIII)所表示之化合物的含量多一些。又,當被使用於低溫環境下所使用之液晶顯示元件用的情形時,宜使通式(XIII)所表示之化合物的含量少一些。當為被使用於應答速度快之液晶顯示元件的液晶組成物之情形時,宜使通式(XIII)所表示之化合物的含量少一些。
並且,本發明之由通式(XIII)表示之化合物,較佳為通式(XIII-1)所表示之化合物。
較佳相對於本發明之液晶組成物的總量,含有1質量%以上之由通式(XIII-1)表示之化合物,更佳含有3質量%以上,再更佳含有5質量%以上,尤佳含有10質量%以上。又,最大可含有之比率,較佳在25質量%以下,更佳在20質量%以下,再更佳在15質量%以下。
並且,通式(XIII-1)所表示之化合物,較佳為式(48.1)至式(48.4)所表示之化合物,較佳為式(48.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(XIII)表示之化合物,較佳為通式(XIII-2)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳從此等化合物之中含有1種~2種以上。
較佳相對於本發明之液晶組成物的總量,含有5質量%以上之由通式(XIII-2)表示之化合物,更佳含有6質量%以上,再更佳含有8質量%以上,尤佳含有10質量%以上。又,最大可含有之比率,較佳在25質量%以下,更佳在20質量%以下,再更佳在15質量%以下。
並且,通式(XIII-2)所表示之化合物,較佳為式(49.1)至式(49.4)所表示之化合物,較佳為式(49.1)或/及式(49.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(XIII)表示之化合物,較佳為通式(XIII-3)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳可從此等化合物之中含有1種~2種。
較佳相對於本發明之液晶組成物的總量,含有2質量%以上之由通式(XIII-3)表示之化合物,更佳含有4質量%以上,再更佳含有9質量%以上,尤佳含有11質量%以上。又,最大可含有之比率,較佳在20質量%以下,更佳在17質量%以下,再更佳在14質量%以下。
並且,通式(XIII-3)所表示之化合物,較佳為式(50.1)至式(50.4)所表示之化合物,較佳為式(50.1)或/及式(50.2)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(M)表示之化合物,較佳為選自通式(XIV)所表示之化合物群中的化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,係考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,於每個實施形態作適當組合。例如,於本發明之一個實施形態,為1種。進而於本發明之另外的實施形態,為2種。或者,於本發明之再另外之實施形態,為3種。又,於本發明之再另外之實施形態,為4種。或者,於本發明之再另外之實施形態,為5種。或者,於本發明之再另外之實施形態,為6種以上。
通式(XIV)所表示之化合物的含量,考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,於每個實施形態具有上限值與下限值。含量之下限值,例如於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為3%,於另外之實施形態,為7%,於再另外之實施形態,為8%,又進而於另外之實施形態,為11%,又進而於另外之實施形態,為12%,又進而於另外之實施形態,為16%,又進而於另外之實施形態,為18%。又進而於另外之實施形態,為19%。又進而於另外之實施形態,為22%。又進而於另外之實施形態,為25%。
又,含量之上限值,例如於本發明之一個實施形態,為40%,於另外之實施形態,為35%,進而於另外之實施形態,為30%,又進而於另外之實施形態,為25%,又進而於另外之實施形態,為20%,又進而於另外之實施形態,為15%。
當本發明之液晶組成物被使用於驅動電壓小之液晶顯示元件用的情形時,宜使通式(XIV)所表示之化合物的含量多一些。由當為被使用於應答速度快之液晶顯示元件的液晶組成物之情形時,宜使通式(XIV)所表示之化合物的含量少一些。
並且,本發明之由通式(XIV)表示之化合物,較佳為通式(XIV-1)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等組合1種至3種。
並且,通式(XIV-1)所表示之化合物,較佳為通式(XIV-1-1)所表示之化合物。
前述通式(XIV-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在2質量%以上,更佳在4質量%以上,再更佳在7質量%以上,再更佳在10質量%以上,尤佳在18質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在30質量%以下,更佳在27質量%以下,再更佳在24質量%以下,尤佳未達21質量%。
並且,通式(XIV-1-1)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(51.1)
至式(51.4)所表示之化合物,更佳含有式(51.1)所表示之化合物。
並且,通式(XIV-1)所表示之化合物,較佳為通式(XIV-1-2)所表示之化合物。
通式(XIV-1-2)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在3質量%以上,再更佳在5質量%以上,尤佳在7質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在15質量%以下,更佳在13質量%以下,再更佳在11質量%以下,尤佳未達9質量%。
並且,前述通式(XIV-1-2)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(52.1)至式(52.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(52.4)所表示之化合物。
並且,本發明之由通式(XIV)表示之化合物,較佳為通式(XIV-2)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,係考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,於每個實施形態作適當組合。例如,於本發明之一個實施形態,為1種。進而於本發明之另外的實施形態,為2種。或者,於本發明再另外之實施形態,為3種。又,於本發明之再另外之實施形態,為4種。或者,於本發明之再另外之實施形態,為5種以上。
通式(XIV-2)所表示之化合物的含量,係考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,於每個實施形態,具有上限值與下限值。含量之下限值,例如,於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為0.1%,於另外之實施形態,為0.5%,再另外之實
施形態,為1%,又進而於另外之實施形態,為1.2%,又進而於另外之實施形態,為1.5%,又進而於另外之實施形態,為2%,又進而於另外之實施形態,為2.5%。又進而於另外之實施形態,為3%。
又,含量之上限值,例如,於本發明之一個實施形態,為20%,於另外之實施形態,為18%,進而於另外之實施形態,為12%,又進而於另外之實施形態,為10%,又進而於另外之實施形態,為8%,又進而於另外之實施形態,為7%。
當本發明之液晶組成物被使用於驅動電壓小之液晶顯示元件用的情形時,宜使通式(XIV-2)所表示之化合物的含量多一些。又當為被使用於應答速度快之液晶顯示元件的液晶組成物之情形時,則宜使通式(XIV-2)所表示之化合物的含量少一些。
並且,本發明之由通式(XIV-2)表示之化合物,較佳為通式(XIV-2-1)所表示之化合物。
通式(XIV-2-1)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在1質量%以上,更佳在3質量%以上,再更佳在5質量%以上,尤佳在7質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在15質量%以下,更佳在13質量%以下,再更佳在11質量%以下,尤佳未達9質量%。
並且,通式(XIV-2-1)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(53.1)
至式(53.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(53.4)所表示之化合物。
並且,通式(XIV-2)所表示之化合物,較佳為通式(XIV-2-2)所表示之化合物。
通式(XIV-2-2)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在3質量%以上,更佳在6質量%以上,再更佳在9質量%以上,尤佳在12質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在20質量%以下,更佳在17質量%以下,再更佳在15質量%以下,尤佳在14質量%以下。
並且,通式(XIV-2-2)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(54.1)至式(54.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(54.2)及/或式(54.4)所表示之化合物。
並且,通式(XIV-2)所表示之化合物,較佳為通式(XIV-2-3)所表示之化合物。
通式(XIV-2-3)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在5質量%以上,更佳在9質量%以上,尤佳在12質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在30質量%以下,更佳未達27質量%,再更佳在24質量%以下,尤佳未達20質量%。
並且,通式(XIV-2-3)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(55.1)至式(55.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(55.2)及/或式(55.4)所表示之化合物。
並且,通式(XIV-2)所表示之化合物,較佳為通式(XIV-2-4)所表示之化合物。
可組合之化合物的種類並無特別限制,係考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等,於每個實施形態作適當組合。例如,於本發明之一個實施形態,為1種。進而於本發明之另外的實施形態,為2種。或者,於本發明之再另外之實施形態,為3種以上。
通式(XIV-2-4)所表示之化合物的含量,係考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性、雙折射率等特性,於每個實施形態具有上限值與下限值。含量之下限值,例如,於本發明之一個實施形態,相對於本發明之液晶組成物的總量,為0.1%,於另外之實施形態,為0.5%,再另外之實施形態,為0.7%,又進而於另外之實施形態,為1%,又進而於另外之實施形態,為1.2%,又進而於另外之實施形態,為1.8%,又進而於另外之實施形態,為2%。又進而於另外之實施形態,為2.5%。又進而於另外之實施形態,為3%。
又,含量之上限值,例如,於本發明之一個實施形態,為15%,於另外之實施形態,為12%,進而於另外之實施形態,為11%,又進而於另外之實施形態,為10%,又進而於另外之實施形態,為8%,又進而於另外之實施形態,為6%。
當本發明之液晶組成物被使用於驅動電壓小之液晶顯示元件用的情形時,宜使通式(XIV-2-4)所表示之化合物的含量多一些。又當為被使用於應答速度快之液晶顯示元件的液晶組成物之情形時,宜使通式(XIV-2-4)所表示之化合物的含量少一些。
並且,通式(XIV-2-4)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(56.1)至式(56.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(56.1)、式(56.2)及式(56.4)所表示之化合物。
並且,通式(XIV-2)所表示之化合物,較佳為通式(XIV-2-5)所表示之化合物。
通式(XIV-2-5)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在5質量%以上,更佳在10質量%以上,尤佳在13質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在25質量%以下,更佳未達22質量%,再更佳在18質量%以下,尤佳未達15質量%。
並且,通式(XIV-2-5)所表示之化合物,具體而言,為式(57.1)至式(57.4)所表示之化合物。其中,較佳含有式(57.1)所表示之化合物。
並且,通式(XIV-2)所表示之化合物,較佳為通式(XIV-2-6)所表示之化合物。
通式(XIV-2-6)所表示之化合物的含量,相對於本發明之液晶組成物的總量,較佳在5質量%以上,更佳在10質量%以上,尤佳在15質量%以上。又,較佳考慮低溫之溶解性、轉變溫度、電性之可靠性等,使最大比率在25質量%以下,更佳在22質量%以下,再更佳在20質量%以下,尤佳未達17質量%。
並且,通式(XIV-2-6)所表示之化合物,具體而言,較佳為式(58.1)至式(58.4)所表示之化合物,其中,較佳含有式(58.2)所表示之化合物。
使用於本發明之化合物,於分子內不具有過酸(-CO-OO-)構造。又,於重視液晶組成物之可靠性及長期穩定性的情形時,較佳不使用具有羰基之化合物。又,於重視利用UV照射之穩定性的情形時,宜不使用取代
有氯原子之化合物。亦較佳僅為分子內之環構造皆為6員環之化合物。
本發明之液晶組成物的較佳實施形態,為下述之液晶組成物:含有至少1種以上由通式(i)表示之化合物、至少1種以上由通式(M-1)表示之化合物及至少1種以上由通式(I-1)表示之化合物,且於25℃之介電各向導性大於0且在5以下,
(上述通式(i)中,Ri1及Ri2各自獨立地為碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基或碳原子數1~10個之烷氧基,前述Ri1或Ri2中之至少一者為烯基。),
(上述通式(M-1)中,XM12、XM13、XM14、XM15、XM16及XM17各自獨立地表示氫原子或氟原子,環A各自獨立地表示選自由下述(a)及(b)組成之群中的基,(a)1,4-伸環己基(存在於此基中之1個-CH2-或未鄰接之至少2個-CH2-亦可被-O-取代),及,(b)1,4-伸苯基(存在於此基中之1個-CH=或未鄰接之至少2個-CH=亦可被-N=取代),上述之基(a)與基(b)各自獨立地亦可被氰基、氟原子或氯原子取代,RM1為碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基或碳原子數1~
10個之烷氧基,YM11表示碳原子數1~10個之烷基、碳原子數2~10個之烯基、碳原子數1~10個之烷氧基、氫原子、氟原子、氰基、-CF3或-OCF3,n為0以上2以下之整數。),
(上述通式(I-1)中,R11及R12各自獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯基,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之1個以上的氫原子亦可被氟原子取代,該烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中之亞甲基,只要氧原子不連續地鍵結,亦可被氧原子取代,只要羰基不連續地鍵結,亦可被羰基取代。)。
亦即,於本發明之液晶組成物中,若從通式(i)所表示之化合物群中選擇至少1種化合物作為第一成分,且從通式(M-1)所表示之化合物群中選擇至少1種作為第二成分,則會降低液晶層之電容,藉此可減小對TFT之電壓寫入掃描時對相當於CTOTAL之電容器充電的影響,使之不發生因電壓波形之變形或延遲所導致之閃爍或應答速度惡化等現象,或者僅發生可忽視之程度,低溫穩定性之相關問題、滴痕之問題或維持高速應答性之效果皆可達成。
又視需要,亦可含有選自由通式(I-4)、通式(I-5)、通式(II-2)及通式(II-3)所表示之化合物組成之群中的至少1種化合物作為非極性成分(通式(L)),亦可含有選自由通式(X-2)、通式(X-3)、通式(X-5)、通式(VIII)及通式(XI)所表示之化合物組成之群中的至少1種化合物作為極性成分(通式(M))。
又,分別從通式(i)及通式(M-1)所表示之化合物群中至少選擇1種之化合物,較佳於液晶組成物整體之中含有1~50質量%,更佳含有2~45質量%,再更佳含有3~40質量%,進而再更佳含有4~38質量%,尤佳含有5~35質量%。
本發明之液晶組成物的較佳實施形態,分別從通式(i)、通式(M-1)、通式(L)及通式(M)所表示之化合物群中選擇至少1種之化合物,較佳於液晶組成物整體之中含有50~100質量%,更佳含有55~98質量%,再更佳含有60~95質量%,進而再更佳含有65~90質量%,尤佳含有68~85質量%。
本發明之液晶組成物的其他較佳實施形態,分別從通式(i)、通式(M-1)及通式(I-1)所表示之化合物群中選擇至少1種之化合物,較佳於液晶組成物整體之中含有40~100質量%,更佳含有50~90質量%,再更佳含有55~85質量%,進而再更佳含有60~80質量%,尤佳含有65~75質量%。
本發明之液晶組成物的其他較佳實施形態,分別從通式(i)、通式(M-1)及通式(L)所表示之化合物群中選擇至少1種之化合物,較佳於液晶組成物整體之中含有40~100質量%,更佳含有50~93質量%,再更佳含有55~88質量%,進而再更佳含有58~85質量%,尤佳含有60~82質量%。
本發明之液晶組成物的其他較佳實施形態,分別從通式(i)、通式(M-1)及通式(M)所表示之化合物群中選擇至少1種之化合物,較佳於液晶組成物整體之中含有20~90質量%,更佳含有30~80質量%,再更佳含
有35~75質量%,進而再更佳含有40~70質量%,尤佳含有45~60質量%。
於重視改善黏度及Tni之情形時,較佳減少分子內具有氫原子亦可被鹵素取代之2-甲苯-1,4-二基的化合物的含量,較佳使前述分子內具有2-甲苯-1,4-二基之化合物的含量相對於前述組成物之總質量在10質量%以下,更佳在5質量%以下,再更佳為實質上不含有。
為了抑制液晶組成物氧化所造成之劣化,較佳減少具有伸環己烯基(cyclohexenylene)作為環構造之化合物的含量,較佳使具有伸環己烯基之化合物的含量相對於前述組成物之總質量在10質量%以下,更佳在5質量%以下,再更佳為實質上不含有。
本發明之液晶組成物的其他較佳實施形態,為一種含有通式(i)、通式(M-1)及通式(II-2)所表示之化合物的液晶組成物,且於25℃之介電各向導性較佳大於0且在5以下,於25℃之介電各向導性更佳大於0且在4以下,於25℃之介電各向導性尤佳大於0且在3以下。
於此含有通式(i)、通式(M-1)及通式(II-2)所表示之化合物的組成物之情形時,較佳此等3種化合物於液晶組成物整體之中含有3~75質量%,更佳含有6~70質量%,再更佳含有9~65質量%,進而再更佳含有12~60質量%,尤佳含有15~55質量%。
尤其是含有通式(II-2)所表示之化合物之中由式(11.1)及/或式(11.2)所表示之化合物10~30質量%左右之情形時,可在不會損及由通式(i)與通式(M)之組合所帶來之優異的相溶性下,提供一種較佳具備有更高之向列上限溫度範圍、更低之黏性、高可靠性、高彈性係數等液晶顯示元件用
之液晶組成物所要求之各種性能的液晶組成物。於更佳重視低黏性之情形時,可較佳使用式(11.1),於重視更高之彈性係數的情形時,可較佳使用式(11.2)。並且藉由將通式(i)與式(11.1)及/或式(11.2)所表示之化合物於組成物中的比率在20~60質量%之範圍內任意調整總量,可在不損及本發明之效果下,在具備高彈性係數之狀態下任意調整液晶媒體之折射率異向性。
本發明之液晶組成物於25℃之介電各向導性(Δε)大於0且在+5以下,較佳為+0.5至+4.0,更佳為+1.0至+3.5,尤佳為+1.5至+3.0。
本發明之液晶組成物於25℃之折射率異向性(Δn)為0.06至0.20,更佳為0.07至0.18,尤佳為0.08至0.16。若更詳而言之,則當對應於薄的單元間隙之情形時,較佳為0.11至0.14,當對應於厚的單元間隙之情形時,較佳為0.08至0.11。
本發明之液晶組成物的向列相-等向性液相轉變溫度(Tni)為60℃至120℃,更佳為70℃至110℃,尤佳為70℃至100℃。
本發明之液晶組成物於25℃之黏度(η)為5至20mPa‧s,更佳為18mPa‧s以下,尤佳為15mPa‧s以下。
本發明之液晶組成物於25℃之旋轉黏性(γ1)為20至60mPa‧s,更佳為50mPa‧s以下,尤佳為40mPa‧s以下。
本發明之含有聚合性化合物的液晶組成物,較佳被使用於下述之液晶顯示元件:液晶組成物所含之聚合性化合物因照射紫外線而聚合,藉此賦予液晶配向能力,利用液晶組成物之雙折射控制光的透光量。
於本發明之液晶組成物,為了製作PSA模式或橫電場型PSA模式等之
液晶顯示元件,亦可含有聚合性化合物。作為可使用之聚合性化合物,可舉利用光等之能量線進行聚合之光聚合性單體等,作為構造,例如可舉聯苯衍生物、聯三苯衍生物等具有連結複數個六員環之液晶骨架的聚合性化合物等。更具體而言,較佳為通式(XX)所表示之二官能單體。
前述通式(XX)中,X201及X202各自獨立地表示氫原子或碳原子數1~3個之烷基(甲基、乙基、丙基),Sp201及Sp202各自獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基(alkylene group)或-O-(CH2)S-(式中,s表示2~7之整數,氧原子鍵結於芳香環。),Z201表示-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2CH2-、-CF2CF2-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH2CH2-、-OCO-CH2CH2-、-CH2CH2-COO-、-CH2CH2-OCO-、-COO-CH2-、-OCO-CH2-、-CH2-COO-、-CH2-OCO-、-CY1=CY2-(式中,Y1及Y2各自獨立地表示氟原子或氫原子。)、-C≡C-或單鍵,M201表示反式-1,4-伸環己基、單鍵或任意之氫原子亦可被氟原子取代之1,4-伸苯基,上述通式(XX)中之所有的1,4-伸苯基,其任意之氫原子亦可被氟原子取代。
本發明之聚合性化合物的較佳形態,無論是X201及X202皆表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物,或是X201及X202皆表示甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物皆佳,亦較佳為其中一者表示氫原子而另一者表示甲基之化合物。此等化合物之聚合速度,二丙烯酸酯衍生物最快,二甲基丙烯酸酯衍生物較慢,非對稱化合物則為中等,可根據其用途,使用較佳之態樣。於PSA顯示元件,尤佳為二甲基丙烯酸酯衍生物。
Sp201及Sp202各自獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2)s-,於PSA顯示元件,較佳為至少一者為單鍵,較佳為皆表示單鍵之化合物或其中一者為單鍵而另一者表示碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2)s-的態樣。此情形時,更佳為碳原子數1~4之伸烷基,s較佳為1~4。
Z201較佳為-OCH2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2CH2-、-CF2CF2-或單鍵,更佳為-COO-、-OCO-或單鍵,尤佳為單鍵。
M201表示任意之氫原子亦可被氟原子取代之1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵,較佳為任意之氫原子亦可被氟原子取代之1,4-伸苯基或單鍵。M201表示單鍵以外之環構造的情形時,Z201較佳為單鍵以外之連結基團,M201為單鍵的情形時,Z201較佳為單鍵。
由此等之點,於通式(XX)中,Sp201及Sp202之間的環構造,具體而言,較佳為下述之式(XXa-1)~式(XXa-5)之構造。
前述通式(XX),當M201表示單鍵,環構造由二個環形成之情形時,較佳表示下述式(XXa-1)~式(XXa-5),更佳表示式(XXa-1)~式(XXa-3),尤佳表示式(XXa-1)。
於上述式(XXa-1)~式(XXa-5)中,鍵的兩端鍵結於Sp201或Sp202。
含有此等骨架之聚合性化合物聚合後之配向調控力最適於PSA型液晶顯示元件,由於可得到良好之配向狀態,因此可抑制顯示不均,或完全不會發生。
由以上所述,作為前述聚合性化合物,較佳為選自通式(XX-1)~通式(XX-4)所表示之化合物群中的至少1種化合物,其中,更佳為通式(XX-2)所表示之化合物。
前述通式(XX-3)及通式(XX-4)中,Sp20表示碳原子數2~5之伸烷基。
當於本發明之液晶組成物添加聚合性化合物之情形時,即使是不存在聚合起始劑之情形,聚合亦會進行,但為了促進聚合,亦可含有聚合起始劑。作為聚合起始劑,可列舉:安息香醚類、二苯基酮(benzophenone)類、苯乙酮類、苄基縮酮(benzyl ketal)類、氧化醯基膦(acyl phosphine oxide)類等。
本發明之液晶組成物可進一步含有通式(Q)所表示之化合物作為抗氧化劑。
前述通式(Q)中,RQ表示碳原子數1~22之烷基或烷氧基,該烷基中之1個以上的CH2基可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、
-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-取代,MQ表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵。
於前述通式(Q)中,RQ較佳為碳原子數1~22之烷基或烷氧基,該烷基(包含前述烷氧基中之烷基)亦可為直鏈狀或支鏈狀。又,前述RQ表示碳原子數1~22之直鏈或支鏈烷基或者直鏈或支鏈烷氧基,該烷基(包含前述烷氧基中之烷基)中之1個以上的CH2基,亦可以氧原子不直接鄰接之方式被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-取代。於前述通式(Q)中RQ較佳為碳原子數1~20個且選自由直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個CH2基被-OCO-或-COO-取代之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基及1個CH2基被-OCO-或-COO-取代之支鏈烷基組成之群中的至少1個,更佳為選自由碳原子數1~10之直鏈烷基、1個CH2基被-OCO-或-COO-取代之直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基及1個CH2基被-OCO-或-COO-取代之支鏈烷基組成之群中的至少1個。
MQ表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵,較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。
前述通式(Q)所表示之化合物,較佳為選自下述通式(Q-a)~通式(Q-d)所表示之化合物群中的至少1種化合物,更佳為通式(Q-a)及/或(Q-c)所表示之化合物。
前述通式(Q-a)~式(Q-d)中,RQ1較佳為碳原子數1~10之直鏈烷基或支鏈烷基,RQ2較佳為碳原子數1~20之直鏈烷基或支鏈烷基,RQ3較佳為碳原子數1~8之直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基,LQ較佳為碳原子數1~8之直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。此等之中,通式(Q)所表示之化合物更佳為下述式(Q-a-1)及/或(Q-c-1)所表示之化合物。
於本發明之液晶組成物中,較佳含有1種或2種前述通式(Q)所表示之化合物,更佳含有1種~5種,其含量相對於本發明之液晶組成物的總質量,較佳為0.001~1質量%,較佳為0.001~0.1質量%,較佳為0.001~0.05質量%。
本發明之第二態樣,係具備有液晶組成物之液晶顯示元件,該液晶組成物含有前述通式(i)所表示之化合物及前述通式(M-1)所表示之化合物,且於25℃之介電各向導性大於0且在5以下。
作為本發明之液晶顯示元件,對AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)有用,可使用於透射型或者反射型之液晶顯示元件。
又,本發明之液晶顯示元件的驅動方式(或亦稱為模式。),對ECB-LCD、VA-LCD、VA-IPS-LCD、FFS(邊界電場切換)-LCD、TN(向列型液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭轉向列型液晶顯示元件)、OCB-LCD及IPS-LCD(共平面切換液晶顯示元件)有用,尤佳為IPS模式或FFS模式之液晶顯示元件。
近年來使用於以智慧型手機為代表之攜帶型平板的液晶顯示器,若為迅速開發、不斷普及之IPS模式或FFS模式等之橫電場型液晶顯示器,由於低耗電受到重視,故喜用主要具有高Δε之正介電各向導性的液晶組成物。該情形時,液晶本身之黏性有變高的傾向,並且不僅是液晶層,朝FFS基板絕緣層(例如後述之圖5、圖7中的絕緣層18)之充電所導致之時間損耗亦
變得易於發生,故其應答速度不足。為了改善此點,認為藉由降低液晶層之電容,亦即使用Δε為正且非常小之液晶組成物,可減低液晶層之誘發極化。因此液晶組成物本身之黏性亦下降,作為IPS或FFS模式,可達成極快之應答速度。
使用於前述液晶顯示元件之液晶單元的2片基板,可使用如玻璃或塑膠之具有柔軟性的透明材料,其中一者亦可為矽等之不透明材料。具有透明電極層之透明基板,例如,可藉由在玻璃板等之透明基板上濺鍍銦錫氧化物(ITO)而得。
前述濾色器,例如可藉由顏料分散法、印刷法、電沉積法或染色法等來製作。若以利用顏料分散法進行之濾色器製作方法為一例來說明,則係將濾色器用之硬化性著色組成物塗布在該透明基板上,施以圖案化處理,然後藉由加熱或照光使之硬化。可藉由對紅、綠、藍3色分別進行此步驟,以製作濾色器用之像素部。其他,亦可在該基板上設置設有TFT、薄膜二極體等主動元件之像素電極。
使前述基板相對向成透明電極層成為內側。此時,亦可隔著間隔物來調整基板之間隔。此時,較佳調整成所得之調光層(液晶層)的厚度成為1~100μm。較佳為1.5至10μm,於使用偏光板之情形時,較佳以對比成為最大之方式調整液晶之折射率異向性Δn與單元厚G之積。又,具有二片偏光板之情形時,亦可調整各偏光板之偏光軸,調整成使視野角或對比成為良好。並且,亦可使用用以增廣視野角之相位差膜。作為間隔物,例如可列舉:玻璃粒子、塑膠粒子、氧化鋁粒子、由光阻材料等構成之柱狀間隔物等。然後,以設有液晶注入口之形狀將環氧系熱硬化性組成物等之密封
劑網板印刷於該基板,將該基板彼此貼合,進行加熱使密封劑熱硬化。
於2片基板間夾持液晶組成物(視需要可含有聚合性化合物)之方法,可使用一般之真空注入法或ODF法等。然而於真空注入法,雖然不會發生滴痕,但卻有殘留注入痕跡之課題。於本發明,可較適合使用於使用ODF法製造之顯示元件。於ODF法之液晶顯示元件製造步驟中,在背板(back plane)或前板(front plane)中之任一基板,使用分配器將環氧系光熱併用硬化性等之密封劑描繪成閉環堤狀,在除氣下將既定量之液晶組成物滴入其中後,將前板與背板接合,藉此可製造液晶顯示元件。本發明之液晶組成物,由於可穩定地進行ODF步驟中之液晶組成物的滴入,故可適合使用。
作為將聚合性化合物聚合之方法,為了得到液晶之良好的配向性能,較理想為適度之聚合速度,故較佳為單獨或併用或依序照射紫外線或電子線等活性能量線藉此使之聚合的方法。於使用紫外線之情形時,可使用偏光光源,亦可使用非偏光光源。又,當在2片基板間夾持含有聚合性化合物之液晶組成物的狀態下進行聚合之情形時,至少照射面側之基板對於活性能量線必須具有適當之透明性。又,亦可使用下述手段:於照光時使用遮罩僅使特定之部分聚合後,改變電場或磁場或溫度等條件,藉此改變未聚合部分之配向狀態,並且照射活性能量線使之聚合。尤其是當進行紫外線曝光時,較佳對含有聚合性化合物之液晶組成物一邊施加交流電場一邊進行紫外線曝光。所施加之交流電場,較佳為頻率10Hz至10kHz之交流,更佳為頻率60Hz至10kHz,電壓係取決於液晶顯示元件所欲之預傾角(pretilt angle)來選擇。亦即,可藉由施加之電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於橫電場型MVA模式之液晶顯示元件,從配向穩定性及對比之觀點而言,較佳
將預傾角控制在80度至89.9度。
照射時之溫度,較佳為保持本發明之液晶組成物之液晶狀態的溫度範圍內。較佳以接近室溫之溫度,即典型上為15~35℃之溫度使之聚合。作為產生紫外線之燈,可使用金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又,作為照射之紫外線的波長,較佳照射非為液晶組成物之吸收波長區域的波長區域之紫外線,視需要,較佳分割紫外線來使用。所照射之紫外線的強度,較佳為0.1mW/cm2~100W/cm2,更佳為2mW/cm2~50W/cm2。所照射之紫外線的能量可作適當調整,較佳為10mJ/cm2至500J/cm2,更佳為100mJ/cm2至200J/cm2。當照射紫外線時,亦可改變強度。照射紫外線之時間,係根據所照射之紫外線強度來適當選擇,較佳為10秒至3600秒,更佳為10秒至600秒。
使用本發明之液晶組成物的液晶顯示元件,可同時達成高速應答與抑制顯示不良,尤其對於主動矩陣驅動用液晶顯示元件有用,可適用於VA模式、PSVA模式、PSA模式、IPS(共平面切換)模式、VA-IPS模式、FFS(邊界電場切換)模式或ECB模式用液晶顯示元件。
以下,一邊參照圖式,一邊詳細說明本發明之液晶顯示元件(液晶顯示器之一例)的較佳實施形態。
圖1係顯示具備有相互對向之二片基板、設置在前述基板間之密封材、及被封閉在被前述密封材圍繞之密封區域的液晶之液晶顯示元件剖面圖。
具體而言,係表示下述液晶顯示元件之具體態樣,該液晶顯示元件具備有在第1基板100上設置有TFT層102、像素電極103,並自其上設置有鈍化膜104及第1配向膜105的背板;在第2基板200上設置有黑矩陣202、濾色器203
、平坦化膜(保護膜(overcoat)層)201、透明電極204,並自其上設置有第2配向膜205,且與前述背板相對向之前板;設置在前述基板間之密封材301;封閉在被前述密封材圍繞之密封區域的液晶層303,在前述密封材301接觸之基板面設置有突起(柱狀間隔物)302、304。
前述第1基板或前述第2基板若實質上為透明,則材質並無特別限制,可使用玻璃、陶瓷、塑膠等。作為塑膠基板,可使用纖維素、三乙醯纖維素、二乙醯纖維素等之纖維素衍生物;聚環烯烴衍生物;聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)等之聚酯;聚丙烯、聚乙烯等之聚烯;聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚二氯亞乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺(polyimide amide)、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、聚醚碸(polyether sulfone)、聚芳酯(polyarylate)以及玻璃纖維-環氧樹脂、玻璃纖維-丙烯酸樹脂等無機-有機複合材料等。
另,當使用塑膠基板時,較佳設置障壁膜。障壁膜之功能在於降低塑膠基板所具有之透濕性,提升液晶顯示元件之電特性的可靠性。作為障壁膜,若為透明性高且水蒸氣透過性小者,則無特別限定,一般而言係使用以氧化矽等無機材料藉由蒸鍍或濺鍍、化學氣相沈積法(CVD法)所形成之薄膜。
於本發明中,可使用相同原料或使用不同原料來作為前述第1基板或前述第2基板,並無特別限定。若使用玻璃基板,由於可製作耐熱性及尺寸穩定性優異之液晶顯示元件,故較佳。又,若為塑膠基板,則適於利用卷對卷(roll to roll)法進行之製造方法且適於輕量化或者撓性化,而較佳。又,
如果目的在於賦予平坦性及耐熱性的話,若組合塑膠基板與玻璃基板,則可得到良好之結果。
另,於後述之實施例中,使用基板作為第1基板100或第2基板200之材質。
在背板,於第1基板100上設置有TFT層102及像素電極103。此等係在通常之陣列(array)步驟製造。在其上設置鈍化膜104及第1配向膜105而得到背板。
鈍化膜104(亦稱為無機保護膜)係用以保護TFT層之膜,通常係藉由化學氣相成長(CVD)技術等形成氮化膜(SiNx)、氧化膜(SiOx)等。
又,第1配向膜105為具有使液晶配向之功能之膜,通常大多係使用如聚醯亞胺之高分子材料。塗布液,則使用由高分子材料與溶劑構成之配向劑溶液。配向膜由於可能會阻礙與密封材之接著力,故在密封區域內進行圖案塗布。塗布係使用如曲面印刷法之印刷法、如噴墨之液滴噴出法。所塗布之配向劑溶液,藉由預乾燥使溶劑蒸發後,受到烘烤而交聯硬化。然後,為了顯現出配向功能,故而進行配向處理。
配向處理通常係以摩擦法進行。係在以前述方式形成之高分子膜上使用由人造絲之類的纖維構成之摩擦布於一方向上摩擦,藉此產生液晶配向能力。
又,有時亦使用光配向法。光配向法,係在含有具光感受性之有機材料的配向膜上照射偏光,藉此產生配向能力之方法,摩擦法並不會造成基板損傷或產生粉塵。作為光配向法中之有機材料之例,具有含有二色性染料之材料。作為二色性染料,可使用具有發生因光二色性之魏格特(Weigert
)效應所致之分子的配向誘發或異構化反應(例:偶氮苯基)、二聚化反應(例:桂皮醯基)、光交聯反應(例:二苯基酮基)或光分解反應(例:聚醯亞胺基)般之成為液晶配向能力之起源的光反應之基(以下簡稱光配向性基)者。所塗布的配向劑溶液係在藉由預乾燥而蒸發溶劑後,藉由照射具有任意的偏向之光(偏光),而可得到在任意的方向具有配向能力之配向膜。
一側的前板,係在第2基板200上設有黑矩陣202、濾色器203、平坦化膜201、透明電極204、第2配向膜205。
黑矩陣202例如係藉由顏料分散法來製作。具體而言,於設有障壁膜201之第2基板200上,塗布黑矩陣形成用之黑色著色劑經均勻分散之彩色樹脂液,而形成著色層。接著,烘烤著色層而硬化。於其上塗布光阻,對其進行預烘烤。通過遮罩圖案將光阻曝光後,進行顯影而將著色層圖案化。然後,剝離光阻層,烘烤著色層而完成黑矩陣202。
或者,亦可使用光阻型之顏料分散液。此時,塗布光阻型之顏料分散液,於預烘烤後,通過遮罩圖案進行曝光後,進行顯影而將著色層圖案化。然後,剝離光阻層,烘烤著色層而完成黑矩陣202。
濾色器203係藉由顏料分散法、電沈積法、印刷法或染色法等來製作。若以顏料分散法為例,則將均勻分散有(例如紅色的)顏料之彩色樹脂液塗布在第2基板200上,於烘烤硬化後,在其上塗布光阻,進行預烘烤。通過遮罩圖案將光阻曝光後,進行顯影,而圖案化。然後剝離光阻層,再度藉由烘烤,完成(紅色的)濾色器203。所製作之顏色順序並沒有特別限定。同樣地,形成綠濾色器203、藍濾色器203。
透明電極204係設置在前述濾色器203上(視需要在前述濾色器203上設置表面平坦化用之保護膜層(201))。透明電極204較佳為透射率高者,較佳為電阻小者。透明電極204係藉由濺鍍法等形成ITO等之氧化膜。
又,以保護前述透明電極204為目的,亦有在透明電極204上設置鈍化膜之情形。
第2配向膜205係與前述第1配向膜105相同者。
以上,對於本發明所使用之前述背板及前述前板陳述具體之態樣,惟於本案中並不限定於該具體之態樣,可根據想要之液晶顯示元件之態樣作自由的變更。
前述柱狀間隔物之形狀並沒有特別限定,可使其水平剖面成為圓形、四角形等之多角形等各式各樣的形狀,但考慮製程時的失準邊際(misalign margin),尤佳使水平剖面成為圓形或正多角形。又,該突起形狀較佳為圓錐台或角錐台。
前述柱狀間隔物之材質,只要是密封材或密封材所使用之有機溶劑或液晶所不溶解之材質,則沒有特別限定,從加工及輕量化之面來看,較佳為合成樹脂(硬化性樹脂)。另一方面,前述突起係可藉由光刻(photolithography)之方法或液滴噴出法,設置在第一基板上之密封材接觸之面。基於如此的理由,較佳使用適合光刻之方法或液滴噴出法的光硬化性樹脂。
作為例子,說明藉由光刻法得到前述柱狀間隔物之情況。圖2係使用形成在黑矩陣上之柱狀間隔物製作用圖案作為光罩圖案的曝光處理步驟之圖。
於前述前板之透明電極204上,塗布柱狀間隔物形成用之(不含著色劑)樹脂液。接著,烘烤此樹脂層402而硬化。於其上塗布光阻,將此預烘烤。通過遮罩圖案401對光阻進行曝光後,進行顯影而將樹脂層圖案化。然後,剝離光阻層,烘烤樹脂層而完成柱狀間隔物(圖1之302、304)。
柱狀間隔物之形成位置係可藉由遮罩圖案來定位在所欲之位置。因此,可同時製作液晶顯示元件之密封區域內與密封區域外(密封材塗布部分)兩者。又,較佳以密封區域之品質不降低的方式,將柱狀間隔物形成為位於黑矩陣之上。有時將以此方式藉由光刻法所製作之柱狀間隔物稱為圓柱間隔物或光間隔物。
前述間隔物的材質係使用PVA-茋偶氮(stilbazo)感光性樹脂等之負型水溶性樹脂或多官能丙烯酸系單體、丙烯酸共聚物、三唑系起始劑等之混合物。或者,亦有使用在聚醯亞胺樹脂分散有著色劑之彩色樹脂的方法。於本發明中,並沒有特別限定,可按照所使用之液晶或與密封材的相合性,以公知的材質得到間隔物。
以此方式於前板上之成為密封區域的面設置柱狀間隔物後,在該背板之密封材接觸之面塗布密封材(圖1中之301)。
前述密封材之材質並無特別限定,可使用在環氧系或丙烯酸系之光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性的樹脂添加有聚合起始劑之硬化性樹脂組成物。又,為了控制透濕性或彈性模數、黏度等,有時會添加由無機物或有機物所構成之填料類。此等填料類的形狀並無特別限定,有球形、纖維狀、無定形等。再者,為了良好地控制單元間隙,亦可混合具有單分散徑之球形或纖維狀之間隙材,或亦可為了更加強化與基板之接著力,而混
合與基板上突起容易纏繞之纖維狀物質。此時所使用之纖維狀物質的直徑宜為單元間隙之1/5~1/10以下左右,纖維狀物質之長度宜短於密封塗布寬度。
又,纖維狀物質之材質只要是可得到指定之形狀者,則沒有特別的限定,可適當選擇纖維素、聚醯胺、聚酯等之合成纖維或玻璃、碳等之無機材料。
作為塗布密封材之方法,有印刷法或分配法,但宜為密封材之使用量少的分配法。密封材的塗布位置,為了不對密封區域造成不良影響,通常在黑矩陣上。為了形成下一步驟之液晶滴下區域(以液晶不洩漏之方式),密封材塗布形狀係成為閉環形狀。
於塗布有前述密封材的前板之閉環形狀(密封區域),滴下液晶。通常會使用分配器。滴下的液晶量為了與液晶單元容積一致,基本上與將柱狀間隔物之高度和密封塗布面積相乘而得之體積同量。然而,為了單元貼合步驟中的液晶洩漏或顯示特性之最佳化,可適當調整滴下的液晶量,亦可使液晶滴下位置分散。
其次,塗布前述密封材,在已滴下液晶的前板,貼合背板。具體而言,係使具有如靜電夾頭之吸附基板的機構之載台吸附前述前板與前述背板,前板的第2配向膜與背板的第1配向膜相向,配置在密封材與另一側的基板不相接之位置(距離)。於此狀態下對系統內進行減壓。減壓結束後,一邊確認前板與背板之貼合位置,一邊調整兩基板位置(對準操作)。貼合位置的調整結束後,使基板接近到前板上的密封材與背板相接之位置為止。於此狀態下在系統內填充非活性氣體,一邊慢慢地開放減壓一邊返回常壓
。此時,藉由大氣壓力使前板與背板貼合,在柱狀間隔物的高度位置形成單元間隙。於此狀態下對密封材照射紫外線而使密封材硬化,藉此形成液晶單元。然後,視情況施予加熱步驟,促進密封材硬化。為了密封材之接著力強化或電特性可靠性之提高,大多會施予加熱步驟。
以下,說明本發明更佳之液晶顯示元件的形態。
本發明之液晶顯示元件之第二較佳實施形態,係將於表面具有第一配向層及含有薄膜電晶體之電極層的第一基板、與於表面具有第二配向層之第二基板以配向層彼此相對向之方式隔開地配置,於該上述第一基板與第二基板之間填充有含有液晶組成物之液晶層的液晶顯示元件,上述含有薄膜電晶體之電極層較佳具備:呈網狀配置之複數個閘極配線及資料配線、設置於上述閘極配線與上述資料配線之各交叉部的薄膜電晶體、與上述薄膜電晶體連接之像素電極、及與上述像素電極隔開地設置於第一基板上之共用電極。又,接近上述液晶層設置之第一配向層及第二配向層較佳為對液晶組成物誘發水平配向之配向膜。
即,上述液晶顯示元件較佳為依序積層有第二偏光板、第二基板、含有薄膜電晶體之電極層(或亦稱為薄膜電晶體層)、配向膜、含有液晶組成物之液晶層、配向膜、濾色器、第一基板、及第一偏光板之構成。
藉由將共用電極與像素電極隔開地設置於同一基板(或電極層)上,而可使上述共用電極與上述像素電極之間產生之電場(E)具有平面方向成分。因此,例如若將對液晶組成物誘發水平配向之配向膜使用於上述配向層,則可提供下述之元件:於對共用電極與像素電極之間施加電壓前,沿配向膜之配向方向即面方向排列之液晶分子會遮擋住光,若施加電壓,則
藉由對平面方向施加之電場(E)而使液晶分子旋轉至水平,沿該電場方向排列,藉此遮擋住光。
又,作為本發明之液晶顯示元件之形態,可為所謂之整合式濾色器(COA),亦可於含有薄膜電晶體之電極層與液晶層之間設置濾色器,或者亦可於該含有薄膜電晶體之電極層與第二基板之間設置濾色器。亦即,發明之液晶顯示元件之構成,較佳於與形成有含有薄膜電晶體之電極層3的第一基板相同之基板側形成有濾色器6。
再者,本說明書中之所謂「基板上」,不僅指與基板直接抵接,亦包含間接抵接之所謂被基板支持之狀態。
本發明之液晶顯示組成中之第二實施形態之更佳另一形態(FFS),係將於表面具有第一配向層及含有薄膜電晶體之電極層的第一基板、與於表面具有第二配向層之第二基板以配向層彼此相對向之方式隔開地配置,於該上述第一基板與第二基板之間填充有含有液晶組成物之液晶層的液晶顯示元件,上述含有薄膜電晶體之電極層具備:呈網狀配置之複數個閘極配線及資料配線、設置於上述閘極配線與上述資料配線之各交叉部的薄膜電晶體、與上述薄膜電晶體連接之像素電極、與上述像素電極隔開地一起並排設置於第一基板上之共用電極,較佳為接近之上述共用電極與上述像素電極之最短隔開距離d短於上述配向層彼此之最短隔開距離G。
再者,於本說明書中,將共用電極與像素電極之最短隔開距離d長於配向層彼此之最短隔開距離G的條件之液晶顯示元件稱為IPS方式之液晶顯示元件,將接近之共用電極與像素電極之最短隔開距離d短於配向層彼此之最短隔開距離G的條件之元件稱為FFS。因此,僅接近之共用電極與像素電極
之最短隔開距離d短於配向層彼此之最短隔開距離G的情況為FFS方式之條件,因此與該共用電極之表面和像素電極之表面的厚度方向之位置關係並無限制。因此,作為本發明之FFS方式之液晶顯示元件,如圖3~圖7,可將像素電極設置於較共用電極更靠近液晶層側,亦可將像素電極與共用電極設置於同一面上。
本發明之液晶組成物尤其是若使用於FFS驅動方式(FFS-LCD)之液晶顯示元件,則可降低液晶層之誘發極化。又,就高速應答、殘影減低之觀點而言較佳。
以下,使用圖3~圖7對本發明之第二實施形態之更佳實施形態之一例進行說明。圖3係示意性地顯示液晶顯示元件之一態樣之結構的分解立體圖,為所謂FFS方式之液晶顯示元件。本發明之液晶顯示元件10較佳為依序積層有第二偏光板8、第二基板7、含有薄膜電晶體之電極層(或亦稱為薄膜電晶體層)3、配向膜4、含有液晶組成物之液晶層5、配向膜4、濾色器6、第一基板2、及第一偏光板1之構成。又,如圖3所示,亦可藉由一對偏光板1、8夾持上述第二基板7及上述第一基板2。進而,於圖3中,於上述第二基板7與配向膜4之間設置有濾色器6。進而,亦可以與本發明之液晶層5接近,且與構成該液晶層5之液晶組成物直接抵接的方式於(透明)電極(層)3形成一對配向膜4。
作為本發明之液晶顯示元件10之另一較佳形態,可為所謂之整合式濾色器(COA),亦可於薄膜電晶體層3與液晶層5之間設置濾色器6,或者亦可於該薄膜電晶體層3與第一基板2之間設置濾色器6。
FFS方式之液晶顯示元件係利用邊緣電場(fringe electric field)者,若接
近之共用電極與像素電極之最短隔開距離d短於配向層彼此之最短隔開距離G,則於共用電極與像素電極之間形成邊緣電場,可有效率地利用液晶分子之水平方向及垂直方向之配向。亦即,於FFS方式之液晶顯示元件之情形時,可利用於與像素電極21之形成梳齒形之線垂直的方向上形成之水平方向之電場、與抛物線狀之電場。
圖4係將圖3中之基板上所形成之含有薄膜電晶體之電極層3(或亦稱為薄膜電晶體層3)之II區域放大所得之平面圖。於閘極配線26與資料配線25相互交叉之交叉部附近,含有源極電極27、汲極電極24及閘極電極28之薄膜電晶體20係作為向像素電極21供給顯示訊號之切換元件而被設置為與上述像素電極21連結。於該圖4中,作為一例,揭示於梳齒狀之像素電極21之背面經由絕緣層(未圖示)而於一面形成有平板體狀之共用電極22的構成。又,上述像素電極21之表面亦可被保護絕緣膜及配向膜層被覆。再者,亦可於被上述複數條閘極配線26與複數條資料配線25圍繞之區域設置保存經由資料配線25所供給之顯示訊號的儲存電容器23。進而,與閘極配線26並排地設置共用線29。為了向共用電極22供給共用訊號,將該共用線29與共用電極22連結。
圖5係沿圖4中之III-III線方向將液晶顯示元件切開所得之剖面圖之一例。將表面形成有配向層4及含有薄膜電晶體20(11、12、13、14、15、16、17)之電極層3的第一基板2、與表面形成有配向層4之第二基板7以配向層彼此相對向之方式隔開特定之間隔G,於該空間填充有含有液晶組成物之液晶層5。於上述第一基板2之表面之一部分形成有閘極絕緣膜12,進而於該閘極絕緣膜12之表面之一部分形成有共用電極22,進而以包覆上述共用電極22
及薄膜電晶體20之方式形成有絕緣膜18。又,於上述絕緣膜18上設置有像素電極21,該像素電極21係經由配向層4而與液晶層5連接。因此,像素電極與共用電極之最小隔開距離d可作為閘極絕緣膜12之(平均)膜厚進行調整。又,換言之,於圖5之實施形態中,於像素電極與共用電極間之基板,水平方向之距離成為0。像素電極21之梳齒狀部分之電極寬度:1、及像素電極21之梳齒狀部分之間隙之寬度:m較佳形成為藉由所產生之電場而液晶層5內之液晶分子均可被驅動之程度之寬度。
如圖3~7中所示,於接近之共用電極與像素電極之最短隔開距離d短於配向層彼此之最短隔開距離G的條件之FFS方式之液晶顯示元件之情形時,若對以長軸方向與配向層之配向方向平行之方式配置的液晶分子施加電壓,則於像素電極21與共用電極22之間形成抛物線形之電場之等電位線直至像素電極21與共用電極22之上部,液晶層5內之液晶分子沿著所形成之電場於液晶層5內旋轉而發揮作為切換元件之作用。更詳細而言,例如若將對液晶組成物誘發水平配向之配向膜用於上述配向層,則於對共用電極與像素電極之間施加電壓前,沿配向膜之配向方向即面方向排列之液晶分子會將光遮住,若施加電壓,則由於會產生由將共用電極與像素電極於同一基板(或電極層)上隔開地設置所引起的平面方向成分之電場、與藉由接近之共用電極與像素電極之最短隔開距離d短於配向層彼此之最短隔開距離G所產生的源自該等電極之邊緣之垂直方向成分之電場(邊緣電場),因此即便為具有低介電各向導性之液晶分子亦可驅動。因此,可極力減低液晶組成物本身之特性具有高介電各向導性(Δε)的化合物之量,因此可使液晶組成物本身含有大量低黏度之化合物。
又,即便針對如本發明之液晶組成物般含有大量低黏度之化合物的情形時所產生之液晶化合物之析出等有關低溫穩定性之問題,亦可藉由採用通式(i)與通式(M-1)之組合,更佳為通式(i)、通式(M-1)及通式(L)之組合而將該問題解決,因此若將本發明之液晶組成物應用於FFS,則可最大限度地發揮其特性。
由於使用具有本發明之液晶組成物之Δε為5以下之相對較低之介電各向導性的液晶分子,故液晶分子之長軸方向會沿著所產生之電場方向排列,電極間距離短於IPS方式,因此可進行低電壓驅動,就此觀點而言,即便為具有Δε為5以下之相對較低之介電各向導性的液晶分子亦可驅動。因此,與FFS方式以外之使用具有較大之介電各向導性之液晶分子之驅動方式的液晶顯示元件相比,可獲得優異之特性。
本發明之液晶顯示組成中之第二實施形態之更佳另一形態之構成(FFS)係將表面具有第一配向層及含有薄膜電晶體之電極層的第一基板、與表面具有第二配向層之第二基板以配向層彼此相對向之方式隔開地配置,於該上述第一基板與第二基板之間填充有含有液晶組成物之液晶層的液晶顯示元件,上述含有薄膜電晶體之電極層具備:共用電極、呈網狀配置之複數個閘極配線及資料配線、設置於上述閘極配線與上述資料配線之各交叉部的薄膜電晶體、及與上述薄膜電晶體連接之像素電極,且較佳為上述像素電極被設置為較上述共用電極更向第二基板側突出。又,接近上述液晶層設置之第一配向層及第二配向層較佳為對液晶組成物誘發水平配向之配向膜。
圖6係將圖3中之基板上所形成之含有薄膜電晶體之電極層3(或亦稱為
薄膜電晶體層3)之II區域放大所得之平面圖之另一形態。於閘極配線26與資料配線25相互交叉之交叉部附近,含有源極電極27、汲極電極24及閘極電極28之薄膜電晶體20係作為向像素電極21供給顯示訊號之切換元件而被設置為與上述像素電極21連結。又,像素電極21亦可為於至少一個缺口部被打穿之結構,該圖6揭示其一例。上述像素電極21係於四邊形之平板體之中央部及兩端部為三角形之缺口部被打穿,進而將剩餘區域中之8個長方形之缺口部打穿的形狀,且共用電極22為梳齒體(未圖示)。又,上述像素電極之表面亦可被保護絕緣膜及配向膜層被覆。再者,亦可於被上述複數條閘極配線25與複數條資料配線24所圍繞的區域設置保存經由資料配線24所供給之顯示訊號的儲存電容器23。再者,上述缺口部之形狀或數量等並無特別限制。
圖7係於圖6中在與圖4相同之III-III方向之位置將液晶顯示元件切開所得的剖面圖之另一形態之一例。即,與上述圖5之液晶顯示元件之結構之不同點在於:圖5所示之液晶顯示元件之共用電極為平板體,且像素電極為梳齒體。另一方面,如上所述,於圖7所示之液晶顯示元件中,像素電極21係於四邊形之平板體之中央部及兩端部為三角形之缺口部被打穿,進而將剩餘區域中之8個長方形之缺口部打穿的形狀,且共用電極為梳齒體之結構。因此,像素電極與共用電極之最小隔開距離d為閘極絕緣膜12之(平均)膜厚以上且未達配向層隔開距離G。又,儘管於圖7中共用電極為梳齒體之結構,但於該實施形態中亦可將共用電極設為平板體。又,無論於哪一形態中,本發明之FFS方式之液晶顯示元件只要滿足接近之共用電極與像素電極之最短隔開距離d短於配向層彼此之最短隔開距離G的條件即可。並且,於
圖7所示之液晶顯示元件之構成,像素電極21被保護膜18被覆,於圖5所示之液晶顯示元件之構成,像素電極21被配向層4被覆。於本發明中,像素電極可被保護膜或配向膜之任一者被覆。
又,於圖7中,於第一基板2之一表面形成有偏光板,且以將形成於另一表面之一部分的梳齒狀共用電極22被覆的方式形成有閘極絕緣膜12,於該閘極絕緣膜12之表面之一部分形成有像素電極21,並且以被覆上述像素電極21及薄膜電晶體20之方式形成有絕緣膜18。又,於上述絕緣膜18上積層有配向層4、液晶層5、配向層4、濾色器6、第二基板7及偏光板8。因此,像素電極與共用電極之最小隔開距離d可利用兩電極位置、像素電極21之梳齒狀部分之電極寬度:1、或像素電極21之梳齒狀部分之間隙之寬度:m進行調整。
若如圖7般使上述像素電極較上述共用電極更向第二基板側突出,且兩者均於第一基板上並列設置,則於上述共用電極與上述像素電極之間形成平面方向成分之電場,且像素電極之表面與共用電極之表面的厚度方向之高度不同,因此亦可同時施加厚度方向成分之電場(E)。
再者,FFS方式之液晶顯示元件係利用邊緣電場者,只要為接近之共用電極與像素電極之最短隔開距離d短於配向層彼此之最短隔開距離G的條件,則並無特別限制,因此亦可為例如於梳齒狀之像素電極之複數個齒部及梳齒狀之共用電極之複數個齒部隔開地嚙合的狀態下被設置於基板上之構成。於該情形時,只要使共用電極之齒部與像素電極之齒部的隔開距離短於配向層彼此之最短隔開距離G,則可利用邊緣電場。
於將本發明之組成物與液晶組成物用於FFS方式之液晶顯示元件之情
形時,就所使用之液晶組成物之Δε低之觀點而言,可達成高速應答、殘影減低之效果。
[實施例]
以下,列舉實施例更詳細地說明本發明,惟本發明並不限定於此等實施例。又,以下之實施例及比較例之組成物中之「%」意指「質量%」。
實施例中,所測定之特性如下所示。
Tni:向列相-等向性液相轉變溫度(℃)
Δn:295K之折射率異向性(別名:雙折射率)
Δε:295K之介電各向導性
η:295K之黏度(mPa‧s)
γ 1:295K之旋轉黏性(mPa‧s)
VHR:於頻率60Hz、施加電壓5V之條件下,313K之電壓保持率(%)
殘影:
液晶顯示元件之殘影評價係使特定之固定圖案於顯示區域內顯示1440小時後,用目視以下述4個階段對整個畫面顯示均勻時之固定圖案之殘像程度進行評價。
◎無殘像
○有極微些許之殘像,為可容許之程度
△有殘像,為不可容許之程度
×有殘像,相當差
揮發性/製造裝置汚染性:
液晶材料之揮發性評價係藉由如下方式進行:一面利用頻閃觀測儀(Stroboscope)進行照明,一面觀察真空攪拌脫泡混合機之運轉狀態,以目視觀察液晶材料之發泡。具體而言,於容量2.0L之真空攪拌脫泡混合機之專用容器裝入液晶組成物0.8kg,於4kPa之脫氣下以公轉速度15S-1、自轉速度7.5S-1運轉真空攪拌脫泡混合機,根據至開始發泡之時間,以下述4個階段進行評價。
◎至發泡之時間為3分鐘以上。由揮發引起裝置污染之可能性低。
○至發泡之時間為1分鐘以上且未達3分鐘。有由揮發引起輕微之裝置污染之虞。
△至發泡之時間為30秒以上且未達1分鐘。發生由揮發引起之裝置污染。
×至發泡之時間為30秒以內。有由揮發引起重大之裝置污染之虞。
製程適合性:
製程適合性係於ODF製程中,使用定積計量泵,每次滴加液晶40pL,進行100000次,用下述4個階段對接下來之「0~200次、201~400次、401~600次、‧‧‧‧99801~100000次」之各每200次所滴加之液晶量之變化進行評價。
◎變化極小(可穩定地製造液晶顯示元件)
○有些許變化,為可容許之程度
△有變化,為無法容許之程度(因產生不均,而使產率惡化)
×有變化,相當差(產生液晶洩漏或真空氣泡)
於低溫之溶解性:
於低溫之溶解性評價係製備液晶組成物後,秤量0.5g之液晶組成物置於1mL之樣品瓶,於溫度控制式試驗槽中將以下之「-20℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.2℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.2℃/每分鐘)→-20℃」作為1個循環而對上述樣品瓶持續給予溫度變化,以目視觀察自液晶組成物之析出物之產生,用下述4個階段進行評價。
◎經過600小時以上未觀察到析出物。
○經過300小時以上未觀察到析出物。
△於150小時以內觀察到析出物。
×於75小時以內觀察到析出物。
於實施例中,關於化合物之記載使用以下之代號。
(側鏈結構及連結結構)
(實施例)
對實施例1~6之液晶組成物,使用前述方法進行於低溫之溶解性評價,結果實施例3及實施例5於300小時以上未觀察到析出,實施例1、實施例2、實施例4及實施例6於600小時以上未觀察到析出。
對實施例7~12之液晶組成物,使用前述方法進行於低溫之溶解性評價,結果實施例10及實施例12於300小時以上未觀察到析出,實施例7、實施例8、實施例9及實施例11於600小時以上未觀察到析出。
(比較例)
[表4]
對於比較例1及比較例2之液晶組成物,使用前述方法進行於低溫之溶解性評價,結果比較例1及比較例2之組成物皆於150小時以內觀察到析出物。
Claims (11)
- 一種液晶組成物,含有至少1種以上由通式(i)表示之化合物1~35質量%與至少1種以上由通式(M-1)表示之化合物5~30質量%,並含有由通式(L)表示之至少1種化合物62~90質量%作為介電各向導性為-1.0~1.0之非極性化合物,該液晶組成物於295K之介電各向導性大於0且在5以下,僅為分子內之環構造皆為6員環之化合物,
- 如申請專利範圍第1項之液晶組成物,其進一步含有以通式(M)表示之至少1種化合物,
- 一種液晶組成物,於液晶組成物整體中含有僅由選自由通式(i)、通式(M-1)、通式(L)及通式(M)表示之化合物組成之群中的至少1種化合物構成之化合物群68~100質量%,
- 如申請專利範圍第3項之液晶組成物,其含有由該通式(M)表示之至少1種化合物0.5~28質量%,
- 一種液晶組成物,含有至少1種以上由通式(i)表示之化合物1~35質量%,
- 如申請專利範圍第1項之液晶組成物,其進一步含有通式(Q)表示之抗氧化劑,
- 一種液晶顯示元件,表面具有第一配向層及含有薄膜電晶體之電極層的第一基板與表面具有第二配向層之第二基板以配向層彼此相對向之方式隔開地配置,於該第一基板與第二基板之間填充有含有液晶組成物之液晶層,該含有薄膜電晶體之電極層具備:呈網狀配置之複數個閘極配線及資料配線、設置於該閘極配線與該資料配線之各交叉部的薄膜電晶體、與該薄膜電晶體連接之像素電極、及與該像素電極隔開地設置於第一基板上之共用電極,該液晶層含有申請專利範圍第3項之液晶組成物。
- 一種液晶顯示元件,使用有申請專利範圍第1至6項中任一項之液晶組 成物。
- 一種液晶顯示元件,為IPS模式、OCB模式、ECB模式、VA模式或FFS模式用液晶顯示元件,使用有申請專利範圍第1至6項中任一項之液晶組成物。
- 一種液晶顯示器,使用有申請專利範圍第8或9項之液晶顯示元件。
- 一種申請專利範圍第1至6項中任一項之液晶組成物之用途,係使用於申請專利範圍第7項之液晶顯示元件。
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