TW201823431A

TW201823431A - 液晶組成物及液晶顯示元件

Info

Publication number: TW201823431A
Application number: TW106122542A
Authority: TW
Inventors: 谷口士朗; 大石晴己
Original assignee: 日商迪愛生股份有限公司
Priority date: 2016-10-25
Filing date: 2017-07-05
Publication date: 2018-07-01
Also published as: JP7047390B2; WO2018079218A1; TWI724197B; JP2018076535A; CN109715760A

Abstract

本發明所欲解決的課題在於提供一種組成物，其係△ε為正之組成物，且具有廣泛的溫度範圍之液晶相，黏性小、低溫下之溶解性良好，比電阻或電壓保持率高，對熱或光穩定；進一步產率良好地提供一種FFS型、IPS型或TN型等之液晶顯示元件，其藉由使用該組成物而顯示品質優異、難以發生殘影或滴加痕跡等之顯示不良。

本發明人對各種液晶化合物及各種化學物質進行探討，結果發現藉由組合特定之液晶化合物而可解決上述課題，從而完成本發明。

本發明提供含有通式(i)所表示之化合物之組成物、使用有該組成物之液晶顯示元件。

Description

液晶組成物及液晶顯示元件

本案發明係關於一種液晶顯示装置，其使用介電異向性為正或負之向列型液晶組成物，且具有高穿透率、高開口率之特徵。

液晶顯示元件被用於以時鐘、計算器為代表之各種測定機器、汽車用面板、文字處理機、電子記事本、印表機、電腦、電視、時鐘、廣告顯示板等。作為液晶顯示方式，可以使用TN(扭轉向列)型、STN(超扭轉向列)型、TFT(薄膜電晶體)之垂直配向型或IPS(橫向電場效應)型等為其代表。

近年來，液晶TV之高解析度化發展，已經大量開發出具有8K解析度的產品。即便高解析度化發展，但未必TV整體的尺寸都會變大，其結果，一個像素的尺寸隨著高解析度化而縮小。為了彌補由此所造成之穿透率降低進而導致的亮度的降低，更高亮度之背光變得必要，而此種背光勢必會導致耗費電力的上升，從而變得無法因應近年來之強力省電化的要求。再者，為了使開口率提高，亦產生了對於「使像素電極寬度減小而製成之液晶組成物」之新的要求。

除此之外，對於液晶組成物，要求：對於水、空氣、熱、光等外在刺激穩定，且以室溫為中心儘可能地於廣泛之溫度範圍下顯示液晶相，低黏性且驅動電壓低。為了滿足該等要求，液晶組成物為了使介電異向性(△ε)或/及折射率異向性(△n)等對於各個顯示元件而言成為最適當的值，而使用數種至數十種化合物來構成。

於全部的驅動方式中，被要求有低電壓驅動、高速應答、廣泛的動作溫度範圍，且要求有△ε為正或負且絕對值大、黏度(η)小、向列相-等向性液相轉移溫度(Tni)高。又，必須根據△n與單元間隙(d)之積即△n×d之設定，配合單元間隙而將液晶組成物之△n調整於適當的範圍。此外，將液晶顯示元件應用於電視等時，由於重視高速應答性，故要求旋轉黏性(γ1)小之液晶組成物。

作為謀求高速應答性之液晶組成物之構成，例如揭示有組合△ε為正之液晶化合物及△ε為中性之液晶化合物來使用的液晶組成物(專利文獻1至4)。

作為謀求高速應答性之液晶組成物之構成，例如揭示有組合△ε為負之液晶化合物及△ε為中性之液晶化合物來使用之液晶組成物(專利文獻5至7)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開平11-202356號公報

專利文獻2：日本特開2012-190029號公報

專利文獻3：日本特開2002-31812號公報

專利文獻4：WO2014/188612號公報

專利文獻5：WO2014/006963

專利文獻6：WO2014/148197

專利文獻7：WO2015/060056

本發明所欲解決之課題在於提供一種組成物，其係△ε為正之組成物，且具有廣泛的溫度範圍之液晶相、黏性小、低溫下之溶解性良好、比電阻或電壓保持率高、對熱或光穩定；進一步產率良好地提供一種FFS型、IPS型或TN型等之液晶顯示元件，其藉由使用上述組成物，而顯示品質優異、殘影或滴加痕跡等之顯示不良難以產生。

本發明人對各種液晶化合物及各種化學物質進行探討，發現藉由組合特定之液晶化合物而可解決上述課題，從而完成本發明。

提供一種含有1種或2種以上通式(i)所表示之化合物之組成物、使用有該組成物之液晶顯示元件、及使用有該組成物之TN(Twisted Nematic)、ECB(Electrically Controlled Birefringence)、IPS(In Plane Switching)或FFS(Fringe Field Switching)。

(上述通式(1)中，Rⁱ¹及Rⁱ²分別獨立地表示碳原子數2~8個之烯基；Xⁱ¹表示氫原子、碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子；nⁱ¹¹及nⁱ¹²分別獨立地表示0或1，nⁱ¹¹+nⁱ¹²表示0或1；nⁱ²¹及nⁱ²²分別獨立地表示0、1或2，nⁱ²¹+nⁱ²²表示2；Aⁱ¹¹及Aⁱ¹²分別獨立地表示1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-取代，氫原子亦可分別獨立地被碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子取代)；Aⁱ²¹及Aⁱ²²分別獨立地表示1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代，存在於該基中之一個氫原子亦可被碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子取代)；Aⁱ²¹或Aⁱ²²可相同亦可不同)

本發明之具有正或負之介電異向性的組成物，由於可得到大幅降低之黏性、低溫下之溶解性良好、比電阻或電壓保持率因熱或光所受到之變化極小，因此製品之實用性高，使用有其之IPS型或FFS型等之液晶顯示元件可達成高速應答。又，由於在液晶顯示元件製造步驟中可發揮穩定的性能，因此由步驟所引起之顯示不良受到抑制，從而可高產率地進行製造，故而非常有用。

本發明之組成物較佳為於室溫(25℃)中呈現液晶相，更佳為呈現向列相。又，本發明之組成物適當地含有介電性大致為中性之化合物(△ε值為-2~2)、負之化合物(△ε值小於-2)及正之化合物(△ε值大於2)。再者，化合物之介電異向性為下述值：從添加於在25℃之介電性大致為中性之組成物所製備之組成物的介電異向性之測量值外插之值。再者，以%記載以下含量，其意指質量%。

Rⁱ¹及Rⁱ²分別獨立地表示碳原子數2~8個之烯基，較佳為碳原子數2~5之烯基。

又，於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為碳原子數4~5之烯基，於其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二烷等飽和環結構之情形時，較佳為碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定，較佳為碳原子及存在之情形時之氧原子的合計在5以下，較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳為選自式(R1)至式(R5)中任一者所表示之基(各式中之黑點表示環結構中之碳原子)，於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為式(R4)或(R5)所表示之基。

Xⁱ¹表示氫原子、碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子，於重視與其他之液晶分子的相溶性之情形時，較佳為氟原子或甲基，較佳為氟原子。

nⁱ¹¹及nⁱ¹²分別獨立地表示0或1，nⁱ¹¹+nⁱ¹²表示0或1，於重視與其他之液晶分子的相溶性之情形時，較佳為皆為0。

nⁱ²¹及nⁱ²²分別獨立地表示0、1或2，nⁱ²¹+nⁱ²²表示2，較佳為nⁱ²¹表示1且nⁱ²²表示1，較佳為nⁱ²¹表示2且nⁱ²²表示0，較佳為nⁱ²¹表示0且nⁱ²²表示2。於特別重視與其他之液晶分子的相溶性之情形時，較佳為nⁱ²¹表示1且nⁱ²²表示1。

於存在Aⁱ¹¹及Aⁱ¹²之情形時，其係分別獨立地表示1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-取代，氫原子亦可分別獨立地被碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子取代)，更佳為表示下述結構，較佳為表示反式-1,4-伸環己基。

Aⁱ²¹及Aⁱ²²更佳為表示下述結構，較佳為表示1,4-伸苯基。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物之較佳之含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%。其等化合物之較佳之含量的上限值為20%、15%、13%、10%、9%。

可組合之化合物的種類並無特別限制，較佳為自該等化合物中含有1種~3種，較佳為含有1種~4種，較佳為含有2種。

作為式(i)所表示之化合物，較佳為式(i-1)~(i-12)所表示之化合物，較佳為式(i-4)~(i-9)所表示之化合物，較佳為式(i-4)、(i-5)、(i-7)及(i-8)所表示之化合物。

於將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述下限值為低，且上限值為低。於將本發明之組成物的T_NI保持得較高，需要溫度穩定性良好之組成物的情形時，較佳為上述下限值為高，且上限值為高。於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電異向性時，較佳為上述下限值為高，且上限值為高。於想要使△n較大時，較佳為上述下限值為高，且上限值為高。

本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物中之化合物。該等化合物相當於介電性為負之化合物(△ε之符號為負，且其絕對值大於2)。

(式中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代； A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-取代)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)、(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)、及(d)1,4-伸環己烯基

所組成之群中的基，上述基(a)、基(b)、基(c)及基(d)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代；Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-；X^N21表示氫原子或氟原子；T^N31表示-CH₂-或氧原子；n^N11、n^N12、n^N21、n^N22、n^N31及n^N32分別獨立地表示0~3之整數，n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32分別獨立地為1、2或3，於存在多個A^N11~A^N32、Z^N11~Z^N32之情形時，其等可相同亦可不同)

通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物較佳係△ε為負且其絕對值大於3之化合物。

於通式(N-1)、(N-2)及(N-3)中，R^N11、R^N12、R^N21、R^N22、R^N31及R^N32較佳為分別獨立地為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，特佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

又，於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二烷等飽和環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定，較佳為碳原子及存在之情形時之氧原子的合計在5以下，較佳為直鏈狀。

作為烯基，較佳為選自式(R1)至式(R5)中任一者所表示之基。(各式中之黑點表示環結構中之碳原子)

當要求增大△n之情形時，A^N11、A^N12、A^N21、A^N22、A^N31及A^N32較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3 -氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，更佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基。

Z^N11、Z^N12、Z^N21、Z^N22、Z^N31及Z^N32較佳為分別獨立地表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-CH₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，特佳為-CH₂O-或單鍵。

X^N21較佳為氟原子。

T^N31較佳為氧原子。

n^N11+n^N12、n^N21+n^N22及n^N31+n^N32較佳為1或2，較佳為n^N11為1且n^N12為0之組合、n^N11為2且n^N12為0之組合、n^N11為1且n^N12為1之組合、n^N11為2且n^N12為1之組合、n^N21為1且n^N22為0之組合、n^N21為2且n^N22為0之組合、n^N31為1且n^N32為0之組合、n^N31為2且n^N32為0之組合。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、 60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量的上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量的上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量的上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%、20%。

於將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述下限值為低，且上限值為低。進一步，於將本發明之組成物的T_NI保持得較高，需要溫度穩定性良好之組成物的情形時，較佳為上述下限值為低，且上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電異向性時，較佳為上述下限值為高，且上限值為高。

作為通式(N-1)所表示之化合物，可列舉下述通式(N-1a)~(N-1g)所表示之化合物群。

(式中，R^N11及R^N12表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義，n^Na11表示0或1，n^Nb11表示1或2，n^Nc11表示0或1，n^Nd11表示1或2，n^Ne11表示1或2，n^Nf11表示1或2，n^Ng11表示1或2，A^Ne11表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^Ng11雖然表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基或1,4-伸苯基，惟至少一個表示1,4-伸環己烯基，Z^Ne11雖然表示單鍵或乙烯，惟至少一個表示乙烯)

更具體而言，通式(N-1)所表示之化合物較佳為選自通式(N-1-1)~(N-1-21)所表示之化合物群中之化合物。

通式(N-1-1)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N111及R^N112分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基、戊基或乙烯基。R^N112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較少則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-1)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

進一步，通式(N-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-1.1)至式(N-1-1.23)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-1.1)~(N-1-1.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-1.1)及式(N-1-1.3)所表示之化合物。

式(N-1-1.1)~(N-1-1.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可加以組合而使用，相對於本發明之組成物之總量，單獨或其等化合物之較佳之含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

通式(N-1-2)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N121及R^N122分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基或戊基。R^N122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、甲氧基、乙氧基或丙氧基。

通式(N-1-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較少則效果高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、37%、40%、42%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為50%、48%、45%、43%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%。

進一步，通式(N-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)、式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)、式(N-1-2.13)及式(N-1-2.20)所表示之化合物，於重視△ε之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.3)至式(N-1-2.7)所表示之化合物，於重視T_NI之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.10)、式(N-1-2.11)及式(N-1-2.13)所表示之化合物，於重視應答速度之改良之情形時，較佳為式(N-1-2.20)所表示之化合物。

式(N-1-2.1)至式(N-1-2.22)所表示之化合物可單獨使用，亦可加以組合而使用，相對於本發明之組成物之總量，單獨或其等化合物之較佳之含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

通式(N-1-3)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N131及R^N132分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及 R^N12相同涵義)

R^N131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數3~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為1-丙烯基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

進一步，通式(N-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-3.1)至式(N-1-3.21)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-3.1)~(N-1-3.7)及式(N-1-3.21)所表示之化合物，較佳為式(N-1-3.1)、式(N-1-3.2)、式(N-1-3.3)、式 (N-1-3.4)及式(N-1-3.6)所表示之化合物。

式(N-1-3.1)~式(N-1-3.4)、式(N-1-3.6)及式(N-1-3.21)所表示之化合物可單獨使用，亦可加以組合而使用，較佳為式(N-1-3.1)及式(N-1-3.2)之組合、選自式(N-1-3.3)、式(N-1-3.4)及式(N-1-3.6)中之2種或3種之組合。相對於本發明之組成物之總量，單獨或其等化合物之較佳之含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-4)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N141及R^N142分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N141及R^N142較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為甲基、丙基、乙氧基或丁氧基。

通式(N-1-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-4)所表示之化合物之較佳含量的下限值為3%、5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、11%、10%、8%。

進一步，通式(N-1-4)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-4.1)至式(N-1-4.14)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-4.1)~(N-1-4.4)所表示之化合物，較佳為式(N-1-4.1)、式(N-1-4.2)及式(N-1-4.4)所表示之化合物。

式(N-1-4.1)~(N-1-4.14)所表示之化合物可單獨使用，亦可加以組合而使用，相對於本發明之組成物之總量，單獨或其等化合物之較佳之含量的下限值為3%、5%、7%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、11%、10%、8%。

通式(N-1-5)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N151及R^N152分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及 R^N12相同涵義)

R^N151及R^N152較佳為分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-5)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、8%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

進一步，通式(N-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-5.1)至式(N-1-5.6)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物。

式(N-1-5.1)、式(N-1-5.2)及式(N-1-5.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可加以組合而使用，相對於本發明之組成物之總量，單獨或其等化合物之較佳之含量的下限值為5%、8%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-10)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1101及R^N1102分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1101較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1102較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-10)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較高則效果高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較高則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-10)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

進一步，通式(N-1-10)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-10.1)至式(N-1-10.21)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-10.1)~(N-1-10.5)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物，較佳為式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物。

式(N-1-10.1)、式(N-1-10.2)、式(N-1-10.20)及式(N-1-10.21)所表示之化合物可單獨使用，亦可加以組合而使用，相對於本發明之組成物之總量，單獨或其等化合物之較佳之含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-11)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1111及R^N1112分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1111較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R^N1112較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-11)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較低擇效果高，於重視T_NI之情形時，若將含量設定為較高則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-11)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

進一步，通式(N-1-11)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-11.1)至式(N-1-11.15)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-11.1)~(N-1-11.15)所表示之化合物，較佳為式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物。

式(N-1-11.2)及式(N-1-11.4)所表示之化合物可單獨使用，亦可加以組合而使用，相對於本發明之組成物之總量，單獨或其等化合物之較佳之含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-12)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1121及R^N1122分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1121較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1122較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-12)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-12)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-13)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1131及R^N1132分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1131較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1132較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-13)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-13)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-14)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1141及R^N1142分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1141較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1142較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-14)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-14)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、 25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-15)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1151及R^N1152分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1151較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1152較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-15)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-15)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-16)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1161及R^N1162分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1161較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1162較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-16)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-16)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-17)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1171及R^N1172分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1171較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。R^N1172較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-17)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-17)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-18)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1181及R^N1182分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1181較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為甲基、乙基、丙基或丁基。R^N1182較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，較佳為乙氧基、丙氧基或丁氧基。

通式(N-1-18)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於重視△ε之改善之情形時，較佳為將含量設定為較高，於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果高，於重視 T_NI之情形時，若將含量設定為較多則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-18)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

進一步，通式(N-1-18)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-18.1)至式(N-1-18.5)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-18.1)~(N-1-11.3)所表示之化合物，較佳為式(N-1-18.2)及式(N-1-18.3)所表示之化合物。

通式(N-1-20)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1201及R^N1202分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1201及R^N1202較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-20)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-20)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-21)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1211及R^N1212分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1211及R^N1212較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-21)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-21)所表示之化合物之較佳含量的下限值為5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(N-1-22)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^N1221及R^N1222分別獨立地表示與通式(N-1)中之R^N11及R^N12相同涵義)

R^N1221及R^N1222較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為乙基、丙基或丁基。

通式(N-1-22)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-1-21)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為35%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、5%。

進一步，通式(N-1-22)所表示之化合物較佳為選自式(N-1-22.1)至式(N-1-22.12)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.5)所表示之化合物，較佳為式(N-1-22.1)~(N-1-22.4)所表示之化合物。

通式(N-3)所表示之化合物較佳為選自通式(N-3-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^N321及R^N322分別獨立地表示與通式(N-3)中之R^N11及 R^N12相同涵義)

R^N321及R^N322較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為丙基或戊基。

通式(N-3-2)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(N-3-2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為3%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為50%、40%、38%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%。

進一步，通式(N-3-2)所表示之化合物較佳為選自式(N-3-2.1)至式(N-3-2.3)所表示之化合物群中之化合物。

本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上通式(J)所表示之化合物。該等化合物相當於介電性為正之化合物(△ε大於2)。

(式中，R^J1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代；n^J1表示0、1、2、3或4；A^J1、A^J2及A^J3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-取代)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)、及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)

所組成之群中的基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地被氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代；Z^J1及Z^J2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-；於n^J1為2、3或4且存在多個A^J2之情形時，其等可相同亦可不同，於n^J1為2、3或4且存在多個Z^J1之情形時，其等可相同亦可不同；X^J1表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基)

通式(J)中，R^J1較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，特佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

於重視可靠性之情形時，R^J1較佳為烷基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為烯基。

作為烯基，較佳為選自式(R1)至式(R5)中任一者所表示之基。(各式中之黑點表示烯基所鍵結之環結構中的碳原子)

當要求增大△n之情形時，A^J1、A^J2及A^J3較佳為分別獨立地為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，其等亦可被氟原子取代，更佳為表示下述結構，

更佳為表示下述結構。

Z^J1及Z^J2較佳為分別獨立地表示-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-OCH₂-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，特佳為-OCH₂-、-CF₂O-或單鍵。

X^J1較佳為氟原子或三氟甲氧基，較佳為氟原子。

n^J1較佳為0、1、2或3，較佳為0、1或2，於將重點放在改善△ε之情形時，較佳為0或1，於重視T_NI之情形時，較佳為1或2。

可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種。更進一步，於本發明之另一實施形態中，為4種、5種、6種、7種以上。

於本發明之組成物中，通式(J)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，通式(J)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。關於較佳之含量之上限值，例如於本發明之一個形態中，為相對於本發明之組成物的總量為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。

於將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為使上述下限值為低、使上限值為低。進一步，於將本發明之組成物的T_NI保持得較高，需要溫度穩定性良好之組成物的情形時，較佳為使上述下限值為低、使上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為高、使上限值為高。

作為通式(J)所表示之化合物，較佳為通式(M)所表示之化合物及通式(K)所表示之化合物。

本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上通式(M)所表示之化合物。其等化合物相當於介電性為正之化合物(△ε大於2)。

(式中，R^M1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、 -CO-、-COO-或-OCO-取代；n^M1表示0、1、2、3或4；A^M1及A^M2分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-或-S-取代)及(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)

所組成之群中的基，上述基(a)及基(b)上之氫原子亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代；Z^M1及Z^M2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-；於n^M1為2、3或4且存在多個A^M2之情形時，其等可相同亦可不同，於n^M1為2、3或4且存在多個Z^M1之情形時，其等可相同亦可不同；X^M1及X^M3分別獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子；X^M2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基。

通式(M)中，R^M1較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，特佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

於重視可靠性之情形時，R^M1較佳為烷基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為烯基。

A^M1及A^M2分別獨立，於要求增大△n之情形時，較佳為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，

更佳為表示下述結構。

Z^M1及Z^M2較佳為分別獨立地表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-CF₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，特佳為-CF₂O-或單鍵。

n^M1較佳為0、1、2或3，較佳為0、1或2，於將重點放在改善△ε之情形時，較佳為0或1，於重視T_NI之情形時，較佳為1或2。

於本發明之組成物中，通式(M)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(M)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。關於較佳之含量之上限值，例如於本發明之一個形態中，為相對於本發明之組成物的總量為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。

通式(M)所表示之化合物較佳為例如選自通式(M-1)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^M11表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M11至X^M15分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^M11表示氟原子或OCF₃)

可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-1)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(M-1)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-1.1)至式(M-1.4)所表示之化合物，較佳為式(M-1.1)或式(M-1.2)所表示之化合物，更佳為式(M-1.2)所表示之化合物。又，同時使用式(M-1.1)或式(M-1.2)所表示之化合物亦佳。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-1.1)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量的上限值為15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-1.2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量的上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-1.1)及式(M-1.2)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量的上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

進一步，通式(M)所表示之化合物較佳為例如選自通式(M-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^M21表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M21及X^M22分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^M21表示氟原子、氯原子或OCF₃)

於將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為使上述下限值為低、使上限值為低。進一步，於將本發明之組成物之T_NI保持得較高，需要難以產生殘影之組成物的情形時，較佳為使上述下限值為低、使上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為高、使上限值為高。

進一步，通式(M-2)所表示之化合物較佳為式(M-2.1)至式(M-2.5)所表示之化合物，較佳為式(M-2.3)或/及式(M-2.5)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量的上限值為15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量的上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.5)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量的上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-2.2)、(M-2.3)及式(M-2.5)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、6%。較佳之含量的上限值為30%、25%、23%、20%、18 %、15%、13%、10%、8%。

含量較佳為相對於本發明之組成物的總量為1%以上，更佳為5%以上，更佳為8%以上，更佳為10%以上，更佳為14%以上，特佳為16%以上。又，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性等，較佳為使最大比率在30%以下，更佳為25%以下，更佳為22%以下，特佳為未達20%。

本發明之組成物中所使用之通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-3)所表示之化合物。

(式中，R^M31表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M31至X^M36分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^M31表示氟原子、氯原子或OCF₃)

可組合之化合物並無特別限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等，較佳為組合一種至兩種以上。

關於通式(M-3)所表示之化合物之含量，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等特性，於每個實施形態中有其上限值與下限值。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15 %、18%、20%。較佳之含量的上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-3)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-3.1)至式(M-3.8)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-3.1)及/或式(M-3.2)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-3.1)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-3.2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-3.1)及式(M-3.2)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(M)所表示之化合物較佳為選自通式(M-4)所表示之群中之化合物。

(式中，R^M41表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M41至X^M48分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M41表示氟原子、氯原子或OCF₃)

可組合之化合物並無特別限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等，較佳為組合1種、2種或3種以上。

關於通式(M-4)所表示之化合物之含量，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等特性而於每個實施形態中有其上限值及下限值。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-4)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

本發明之組成物於用於單元間隙小之液晶顯示元件用的情形時，通式(M-4)所表示之化合物之含量較多較為適合。於用於驅動電壓小之液晶顯示元件用的情形時，通式(M-4)所表示之化合物之含量較多較為適合。又，於用於低溫環境下使用之液晶顯示元件用的情形時，通式(M-4)所表示之化合物之含量較少較為適合。於為用於應答速度快之液晶顯示元件之組成物的情形時，通式(M-4)所表示之化合物之含量較少較為適合。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-4)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-4.1)至式(M-4.4)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-4.2)至式(M-4.4)所表示之化合物，更佳為含有式(M-4.2)所表示之化合物。

又，較佳為含有1種或2種以上選自通式(M-3)及(M-4)所表示之化合物中之化合物，相對於本發明之組成物之總量，通式(M-3)及(M-4)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%，較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-5)所表示之化合物。

(式中，R^M51表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M51及X^M52分別獨立地表示氫原子或氟原子， Y^M51表示氟原子、氯原子或OCF₃)

可組合之化合物的種類並無限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等，於每個實施形態中適當組合使用。例如，於本發明之一個實施形態中，為1種，於另一實施形態中，為2種組合，於再一實施形態中，為3種組合，於再另一實施形態中，為4種組合，於再另一實施形態中，為5種組合，於再另一實施形態中，為6種以上組合。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-5)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為50%、45%、40%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.1)至式(M-5.4)所表示之化合物，較佳為式(M-5.1)至式(M-5.4)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物之較佳之含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.11)至式(M-5.17)所表示之化合物，較佳為式(M-5.11)、式(M-5.13)及式(M-5.17)所表示之化合物。

進一步，通式(M-5)所表示之化合物較佳為式(M-5.21)至式(M-5.28)所表示之化合物，較佳為式(M-5.21)、式(M-5.22)、式(M-5.23)及式(M-5.25)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物之較佳之含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為40%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-6)所表示之化合物。

(式中，R^M61表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^M61至X^M64分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M61表示氟原子、氯原子或OCF₃)

可組合之化合物的種類並無限制，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等，於每個實施形態中適當組合。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-6)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

本發明之組成物於用於驅動電壓小之液晶顯示元件用途的情形時，使通式(M-6)所表示之化合物的含量較多較為適合。又，於為用於應答速度快之液晶顯示元件之組成物的情形時，使通式(M-6)所表示之化合物的含量較少較為適合。

進一步，通式(M-6)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-6.1)至式(M-6.4)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-6.2)及式(M-6.4)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，其等化合物之較佳之含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(M-6)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-6.11)至式(M-6.14)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-6.12)及式(M-6.14)所表示之化合物。

進一步，通式(M-6)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-6.21)至式(M-6.24)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-6.21)、式(M-6.22)及式(M-6.24)所表示之化合物。

進一步，通式(M-6)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-6.31)至式(M-6.34)所表示之化合物。當中，較佳為含有式(M-6.31)及式(M-6.32)所表示之化合物。

進一步，通式(M-6)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-6.41)至式(M-6.44)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-6.42)所表示之化合物。

進一步，通式(M)所表示之化合物較佳為選自通式(M-7)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，X^M71至X^M76分別獨立地表示氟原子或氫原子，R^M71表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，Y^M71表示氟原子或OCF₃)

可組合之化合物的種類並無特別限制，較佳為從該等化合物中含有1 種~2種，更佳為含有1種~3種，更佳為含有1種~4種。

關於通式(M-7)所表示之化合物含量，考慮低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等特性，而於每個實施形態中有其上限值及下限值。

相對於本發明之組成物之總量，式(M-7)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

本發明之組成物於用於單元間隙小之液晶顯示元件用途的情形時，使通式(M-7)所表示之化合物的含量較多較為適合。於用於驅動電壓小之液晶顯示元件用的情形時，使通式(M-7)所表示之化合物的含量較多較為適合。又，於用於低溫環境下使用之液晶顯示元件用的情形時，使通式(M-7)所表示之化合物的含量較少較為適合。於為用於應答速度快之液晶顯示元件之組成物的情形時，使通式(M-7)所表示之化合物的含量較少較為適合。

進一步，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.1)至式(M-7.4)所表示之化合物，較佳為式(M-7.2)所表示之化合物。

進一步，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.11)至式(M-7.14)所表示之化合物，較佳為式(M-7.11)及式(M-7.12)所表示之化合物。

進一步，通式(M-7)所表示之化合物較佳為式(M-7.21)至式(M-7.24)所表示之化合物，較佳為式(M-7.21)及式(M-7.22)所表示之化合物。

進一步，通式(M)所表示之化合物較佳為通式(M-8)所表示之化合物。

(式中，X^M81至X^M84分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M81表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M81表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A^M81及A^M82分別獨立地表示1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或，1,4-伸苯基上之氫原子亦可被氟原子取代)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-8)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

於將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為使上述下限值為低、使上限值為低。進一步，於需要難以產生殘影之組成物之情形時，較佳為使上述下限值為低、使上限值為低。又，於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電異向性時，較佳為使上述下限值為高、使上限值為高。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-8.1)至式(M-8.4)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-8.1)及式(M-8.2)所表示之化合物。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-8.11)至式(M-8.14)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-8.12)所表示之化合物。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-8.21)至式(M-8.24)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-8.22)所表示之化合物。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-8.31)至式(M-8.34)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-8.32)所表示之化合物。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-8.41)至式(M-8.44)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-8.42)所表示之化合物。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-8)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-8.51)至式(M-8.54)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-8.52)所表示之化合物。

進一步，通式(M)所表示之化合物亦可於其結構中具有下述部分結構。

(式中之黑點表示上述部分結構所鍵結之環結構中的碳原子)

作為具有上述部分結構之化合物，較佳為通式(M-10)~(M- 18)所表示之化合物。

通式(M-10)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M101及X^M102分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M101表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M101表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，W^M101及W^M102分別獨立地表示-CH₂-或-O-)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-10)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-10)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-10.1)至式(M-10.12)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-10.5)至式(M-10.12)所表示之化合物。

通式(M-11)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M111~X^M114分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M111表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M111表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-11)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-11)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-11.1)至式(M-11.8)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-11.1)至式(M-11.4)所表示之化合物。

通式(M-12)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M121及X^M122分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M121表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M121表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，W^M121及W^M122分別獨立地表示-CH₂-或-O-)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-12)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-12)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-12.1)至式(M-12.12)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-12.5)至式(M-12.8)所表示之化合物。

通式(M-13)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M131~X^M134分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M131表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M131表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，W^M131及W^M132分別獨立地表示-CH₂-或-O-)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-13)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-13)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-13.1)至式(M-13.28)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-13.1)至(M-13.4)、(M-13.11)至(M-13.14)、(M-13.25)至(M-13.28)所表示之化合物。

通式(M-14)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M141~X^M144分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M141表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M141表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，W^M141及W^M142分別獨立地表示-CH₂-或-O-)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-14)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-14)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-14.1)至式(M-14.8)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-14.5)及式(M-14.8)所表示之化合物。

通式(M-15)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M151及X^M152分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M151表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M151表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，W^M151及W^M152分別獨立地表示-CH₂-或-O-)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-15)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-15)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-15.1)至式(M-15.14)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-15.5)至式(M-15.8)、式(M-15.11)至式(M-15.14)所表示之化合物。

通式(M-16)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M161~X^M164分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M161表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M161表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-16)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-16)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-16.1)至式(M-16.8)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-16.1)至式(M-16.4)所表示之化合物。

通式(M-17)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M171~X^M174分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M171表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M171表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，W^M171及W^M172分別獨立地表示-CH₂-或-O-)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-17)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-17)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-17.1)至式(M-17.52)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-17.9)至式(M-17.12)、式(M-17.21)至式(M-17.28)、式(M-17.45)至式(M-17.48)所表示之化合物。

通式(M-18)所表示之化合物為下述者。

(式中，X^M181~X^M186分別獨立地表示氟原子或氫原子，Y^M181表示氟原子、氯原子或-OCF₃，R^M181表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)

相對於本發明之組成物之總量，通式(M-18)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、4%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，本發明之組成物中所使用之通式(M-18)所表示之化合物，具體而言較佳為式(M-18.1)至式(M-18.12)所表示之化合物，當中，較佳為含有式(M-18.5)至式(M-18.8)所表示之化合物。

本發明之組成物較佳為含有1種或2種以上通式(K)所表示之化合物。其等化合物相當於介電性為正之化合物(△ε大於2)。

(式中，R^K1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上的-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代；n^K1表示0、1、2、3或4； A^K1及A^K2分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-或-S-取代)及(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)

所組成之群中的基，上述基(a)及基(b)上之氫原子亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代；Z^K1及Z^K2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-、-CF₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-；於n^K1為2、3或4且存在多個A^K2之情形時，其等可相同亦可不同，於n^K1為2、3或4且存在多個Z^K1之情形時，其等可相同亦可不同；X^K1及X^K3分別獨立地表示氫原子、氯原子或氟原子；X^K2表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基)

通式(K)中，R^K1較佳為碳原子數1~8之烷基、碳原子數1~8之烷氧基、碳原子數2~8之烯基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數1~5之烷氧基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~3之烯基，特佳為碳原子數3之烯基(丙烯基)。

於重視可靠性之情形時，R^K1較佳為烷基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為烯基。

A^K1及A^K2分別獨立，當要求增大△n之情形時，較佳為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，

更佳為表示下述結構。

Z^K1及Z^K2分別獨立地表示-CH₂O-、-CF₂O-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-CF₂O-、-CH₂CH₂-或單鍵，特佳為-CF₂O-或單鍵。

n^K1較佳為0、1、2或3，較佳為0、1或2，於將重點放在改善△ε之情形時，較佳為0或1，於重視T_NI之情形時，較佳為1或2。

於本發明之組成物中，通式(K)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(K)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。關於較佳之含量之上限值，例如於本發明之一個形態中，為相對於本發明之組成物的總量為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。

通式(K)所表示之化合物例如較佳為選自通式(K-1)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^K11表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^K11~X^K14分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^K11表示氟原子或OCF₃)

相對於本發明之組成物之總量，式(K-1)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(K-1)所表示之化合物，具體而言較佳為式(K-1.1)至式(K-1.4)所表示之化合物，較佳為式(K-1.1)或式(K-1.2)所表示之化合物，更佳為式(K-1.2)所表示之化合物。又，同時使用式(K-1.1)或式(K-1.2)所表示之化合物亦佳。

通式(K)所表示之化合物例如較佳為選自通式(K-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^K21表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^K21~X^K24分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^K21表示氟原子或OCF₃)

相對於本發明之組成物之總量，式(K-2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(K-2)所表示之化合物，具體而言較佳為式(K-2.1)至式(K-2.6)所表示之化合物，較佳為式(K-2.5)或式(K-2.6)所表示之化合物，更佳為式(K-2.6)所表示之化合物。又，同時使用式(K-2.5)或式(K-2.6)所表示之化合物亦佳。

通式(K)所表示之化合物例如較佳為選自通式(K-3)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^K31表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^K31~X^K36分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^K31表示氟原子或OCF₃)

相對於本發明之組成物之總量，式(K-3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(K-3)所表示之化合物，具體而言較佳為式(K-3.1)至式(K-3.4)所表示之化合物，更佳為式(K-3.1)或式(K-3.2)所表示之化合物。又，同時使用式(K-3.1)及式(K-3.2)所表示之化合物亦佳。

通式(K)所表示之化合物例如較佳為選自通式(K-4)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^K41表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^K41~X^K46分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^K41表示氟原子或OCF₃，Z^K41表示-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-或-CF₂O-)

相對於本發明之組成物之總量，式(K-4)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(K-4)所表示之化合物，具體而言較佳為式(K-4.1)至式(K-4.18)所表示之化合物，更佳為式(K-4.1)、式(K-4.2)、式(K-4.11)、(K-4.12)所表示之化合物。又，同時使用式(K-4.1)、式(K-4.2)、式(K-4.11)、(K-4.12)所表示之化合物亦佳。

通式(K)所表示之化合物例如較佳為選自通式(K-5)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^K51表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^K51~X^K56分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^K51表示氟原子或OCF₃，Z^K51表示-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-或-CF₂O-)

相對於本發明之組成物之總量，式(K-5)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(K-5)所表示之化合物，具體而言較佳為式(K-5.1)至式(K-5.18)所表示之化合物，較佳為式(K-5.11)至式(K-5.14)所表示之化合物，更佳為式(K-5.12)所表示之化合物。

通式(K)所表示之化合物例如較佳為選自通式(K-6)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^K61表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，X^K61~X^K68分別獨立地表示氫原子或氟原子，Y^K61表示氟原子或OCF₃，Z^K61表示-OCH₂-、-CH₂O-、-OCF₂-或-CF₂O-)

相對於本發明之組成物之總量，式(K-6)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、5%、8%、10%、13%、15%、18%、20%、22%、25%、30%。較佳之含量的上限值為30%、28%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%、5%。

進一步，通式(K-6)所表示之化合物，具體而言較佳為式(K-6.1)至式(K-6.18)所表示之化合物，較佳為式(K-6.15)至式(K-6.18)所表示之化合物，更佳為式(K-6.16)及式(K-6.17)所表示之化合物。又，同時使用式(K-6.16)與式(K-6.17)所表示之化合物亦佳。

本發明之液晶組成物較佳為含有1種或2種以上通式(L)所表示之化合物。通式(L)所表示之化合物相當於介電性大致為中性之化合物(△ε值為-2~2)。

(式中，R^L1及R^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上之-CH₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代；n^L1表示0、1、2或3；A^L1、A^L2及A^L3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH₂-或未相鄰之2個以上之-CH₂-亦可被-O-取代)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)、及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)

所組成之群中的基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代；Z^L1及Z^L2分別獨立地表示單鍵、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF₂-、-CF₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-；於n^L1為2或3且存在多個A^L2之情形時，其等可相同亦可不同，於 n^L1為2或3且存在多個Z^L2之情形時，其等可相同亦可不同；惟，不包含通式(N-1)、(N-2)、(N-3)、(J)及(i)所表示之化合物)

通式(L)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種。或是於本發明之另一實施形態中，為2種、3種、4種、5種、6種、7種、8種、9種、10種以上。

於本發明之組成物中，通式(L)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、10%、20%、30%、40%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%。較佳之含量的上限值為95%、85%、75%、65%、55%、45%、35%、25%。

於將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述下限值為高，且上限值為高。進一步，於將本發明之組成物的T_NI保持得較高，需要溫度穩定性良好之組成物的情形時，較佳為上述下限值為高，且上限值為高。又，於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電異向性時，較佳為上述下限值為低，且上限值為低。

於重視可靠性之情形時，較佳為R^L1及R^L2均為烷基，於重視使化合物之揮發性降低之情形時，較佳為烷氧基，於重視黏性之降低之情形時，較佳為至少一者為烯基。

分子內所存在之鹵素原子較佳為0、1、2或3個，較佳為0或1個，於重視與其他之液晶分子的相溶性之情形時，較佳為1個。

關於R^L1及R^L2，於其所鍵結之環結構為苯基(芳香族)之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及碳原子數4~5之烯基，於其所鍵結之環結構為環己烷、哌喃及二烷等飽和環結構之情形時，較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。為了使向列相穩定，較佳為碳原子及存在之情形時之氧原子的合計在5以下，較佳為直鏈狀。

n^L1於重視應答速度之情形時，較佳為0，為了改善向列相之上限溫度，較佳為2或3，為了取得其等之平衡，較佳為1。又，為了滿足作為組成物所要求之特性，較佳為組合不同值之化合物。

關於A^L1、A^L2及A^L3，當要求增大△n之情形時，較佳為芳香族，為了改善應答速度，較佳為脂肪族，較佳為分別獨立地表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、3-氟-1,4-伸苯基、3,5-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環〔2.2.2〕伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，更佳為表示下述結構，

更佳為表示反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

Z^L1及Z^L2於重視應答速度之情形時，較佳為單鍵。

通式(L)所表示之化合物較佳為分子內之鹵素原子數為0個或1個。

通式(L)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1)~(L-8)所表示之化合物群中之化合物。

通式(L-1)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L11及R^L12分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L11及R^L12較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

通式(L-1)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

較佳之含量之下限值為相對於本發明之組成物之總量，為1%、2%、3%、5%、7%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量，為95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、50%、45%、40%、35%、30%、25%。

於將本發明之組成物的黏度保持得較低，需要應答速度快之組成物的情形時，較佳為上述下限值為高，且上限值為高。進一步，於將本發明之組成物的T_NI保持得較高，需要溫度穩定性良好之組成物的情形時，較佳為上述下限值為中等，且上限值為中等。又，於為了將驅動電壓保持得較低而想要增大介電異向性時，較佳為上述下限值為低，且上限值為低。

R^L11及R^L12較佳為分別獨立地為碳原子數1~3之烷基及碳原子數2或3之烯基。其等化合物之較佳之含量的下限值為相對於本發明之組成物的總量，為1%、2%、3%、5%、7%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量，為95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、50%、45%、40%、35%、30%、25%。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-1)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L12表示與通式(L-1)中之涵義相同涵義)

通式(L-1-1)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-1.1)至式(L-1-1.3)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-1.2)或式(L-1-1.3)所表示之化合物，特佳為式(L-1-1.3)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-1.3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、15%、13%、10 %、8%、7%、6%、5%、3%。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-2)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L12表示與通式(L-1)中之涵義相同涵義)

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、5%、10%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、35%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、42%、40%、38%、35%、33%、30%。

進一步，通式(L-1-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-2.1)至式(L-1-2.4)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-2.2)至式(L-1-2.4)所表示之化合物。特別是，為了改善本發明之組成物的應答速度，式(L-1-2.2)所表示之化合物特佳。又，相較於應答速度更需要較高之T_NI時，較佳為使用式(L-1-2.3)或式(L-1-2.4)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度良好，將式(L-1-2.3)及式(L-1-2.4)所表示之化合物的含量設為30%以上為不佳。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-2.2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為10%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%、38%、40%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-1.3)所表示之化合物及式(L-1-2.2)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為10%、15%、20%、25%、27%、30%、35%、40%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、43%、40%、38%、35%、32%、30%、27%、25%、22%。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-3)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L13及R^L14分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L13及R^L14較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%、23%、25%、30%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、27%、25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。

進一步，通式(L-1-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-3.1)至式(L-1-3.12)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)或式(L-1-3.4)所表示之化合物。特別是，為了改善本發明之組成物的應答速度，式(L-1-3.1)所表示之化合物特佳。又，相較於應答速度更需要較高之T_NI時，較佳為使用式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物。為了使低溫下之溶解度良好，將式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物之合計含量設為20%以上為不佳。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-3.1)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-4)及/或(L-1-5)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L15及R^L16分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基或碳原子數1~8之烷氧基)

R^L15及R^L16較佳為直鏈狀之碳原子數1~5之烷基、直鏈狀之碳原子數1~4之烷氧基及直鏈狀之碳原子數2~5之烯基。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-4)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-5)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、5%、10%、13%、15%、17%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為25%、23%、20%、17%、15%、13%、10%。

進一步，通式(L-1-4)及(L-1-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-4.1)至式(L-1-5.3)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-1-4.2)或式(L-1-5.2)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-4.2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、17%、15%、13%、10%、8%、7%、6%。

較佳為組合選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)、式(L-1-3.11)及式(L-1-3.12)所表示之化合物中之2種以上之化合物，較佳為組合選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)、式(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)、式(L-1-3.4)及式(L-1-4.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物，關於其等化合物之合計含量的較佳含量之下限值，相對於本發明之組成物之總量，為1%、2%、3%、5%、7%、10%、13%、15%、18%、20%、23%、25%、27%、30%、33%、35%，上限值為相對於本發明之組成物的總量，為80%、70%、60%、50%、45%、40%、37%、35%、33%、30%、28%、25%、23%、20%。於重視組成物之可靠性之情形時，式較佳為組合選自(L-1-3.1)、式(L-1-3.3)及式(L-1-3.4)所表示之化合物中之2種以上之化合物，於重視組成物之應答速度之情形時，較佳為組合選自式(L-1-1.3)、式(L-1-2.2)所表示之化合物中之2種以上之化合物。

通式(L-1)所表示之化合物較佳為選自通式(L-1-6)所表示之化合物群中之化合物。

(式中，R^L17及R^L18分別獨立地表示甲基或氫原子)

相對於本發明之組成物之總量，式(L-1-6)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、5%、10%、15%、17%、20%、23%、25%、27%、30%、35%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為60%、55%、50%、45%、42%、40%、38%、35%、33%、30%。

進一步，通式(L-1-6)所表示之化合物較佳為選自式(L-1-6.1)至式(L-1-6.3)所表示之化合物群中之化合物。

通式(L-2)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L21及R^L22分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L21較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L22較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

於重視低溫下之溶解性之情形時，若將含量設定為較多則效果高，相反地，於重視應答速度之情形時，若將含量設定為較少則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

進一步，通式(L-2)所表示之化合物較佳為選自式(L-2.1)至式(L-2.6)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-2.1)、式(L-2.3)、式(L-2.4)及式(L-2.6)所表示之化合物。

通式(L-3)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L31及R^L32分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L31及R^L32分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基為較佳。

通式(L-3)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-3)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%。較佳之含量之上限值為相對於本發明之組成物的總量為20%、15%、13%、10%、8%、7%、6%、5%、3%。

於得到高雙折射率之情形時，若將含量設定為較多則效果高，相反地，於重視高T_NI之情形時，若將含量設定為較少則效果高。進一步，於改良滴加痕跡或殘影特性之情形時，較佳為將含量之範圍設定為中間。

進一步，通式(L-3)所表示之化合物較佳為選自式(L-3.1)至式(L-3.4)所表示之化合物群中之化合物，較佳為式(L-3.2)至式(L-3.7)所表示之化合物。

通式(L-4)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L41及R^L42分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L41較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L42較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基)

通式(L-4)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本發明之組成物中，通式(L-4)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-4)所表示之化合物之較佳之含量的上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。

通式(L-4)所表示之化合物，例如較佳為式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能，亦可含有式(L-4.1)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.2)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物此兩者，亦可含有全部的式(L-4.1)至式(L-4.3)所表示之化合物。相對於本發明之組成物之總量，式(L-4.1)或式(L-4.2)所表示之化合物之較佳含量的下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%，較佳上限值為45、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

於含有式(L-4.1)所表示之化合物與式(L-4.2)所表示之化合物此兩者之情形時，相對於本發明之組成物之總量，兩化合物之較佳之含量的下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(L-4)所表示之化合物例如較佳為式(L-4.4)至式(L-4.6)所表示之化合物，較佳為式(L-4.4)所表示之化合物。

根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能，亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.5)所表示之化合物，亦可含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物此兩者。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-4.4)或式(L-4.5)所表示之化合物之較佳含量的下限值為3%、5%、7%、9%、11%、12%、13%、18%、21%。較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%、10%、8%。

於含有式(L-4.4)所表示之化合物與式(L-4.5)所表示之化合物此兩者之情形時，相對於本發明之組成物之總量，兩化合物之較佳之含量的下限值為15%、19%、24%、30%，較佳之上限值為45%、40%、35%、30%、25%、23%、20%、18%、15%、13%。

通式(L-4)所表示之化合物較佳為式(L-4.7)至式(L-4.10)所表示之化合物，特佳為式(L-4.9)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L51及R^L52分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義)

R^L51較佳為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R^L52較佳為碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基。

通式(L-5)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

於本發明之組成物中，通式(L-5)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-5)所表示之化合物之較佳之含量的上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.1)或式(L-5.2)所表示之化合物，特佳為式(L-5.1)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為式(L-5.3)或式(L-5.4)所表示之化合物。

通式(L-5)所表示之化合物較佳為選自式(L-5.5)至式(L-5.7)所表示之化合物群中之化合物，特佳為式(L-5.7)所表示之化合物。

通式(L-6)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L61及R^L62分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義，X^L61及X^L62分別獨立地表示氫原子或氟原子)

R^L61及R^L62較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，較佳為X^L61及X^L62中之一者為氟原子、另一者為氫原子。

通式(L-6)所表示之化合物可單獨使用，亦可組合2個以上之化合物來使用。可組合之化合物的種類並無特別限制，可根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來適當組合使用。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種、5種以上。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%、23%、26%、30%、35%、40%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-6)所表示之化合物之較佳之含量的上限值為50%、40%、35%、30%、20%、15%、10%、5%。於將重點放在使△n較大之情形時，使含量較多為較佳，於將重點放在低溫下之析出的情形時，含量較少為較佳。

通式(L-6)所表示之化合物較佳為式(L-6.1)至式(L-6.9)所表示之化合物。

可組合之化合物的種類並無特別限制，較佳為自該等化合物中含有1種~3種，更佳為含有1種~4種。又，所選擇之化合物的分子量分布較廣，對於溶解性而言亦是有效的，因此例如選擇式(L-6.1)或(L-6.2)所表示之化合物中之1種化合物、選擇式(L-6.4)或(L-6.5)所表示之化合物中之1種化合物、選擇式(L-6.6)或式(L-6.7)所表示之化合物中之1種化合物、選擇式(L-6.8)或(L-6.9)所表示之化合物中之1種化合物，較佳為將其等適當組合。當中，較佳為含有式(L-6.1)、式(L-6.3)、式(L-6.4)、式(L-6.6)及式(L-6.9) 所表示之化合物。

進一步，通式(L-6)所表示之化合物例如較佳為式(L-6.10)至式(L-6.17)所表示之化合物，當中，較佳為式(L-6.11)所表示之化合物。

通式(L-7)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L71及R^L72分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義，A^L71及A^L72分別獨立地表示與通式(L)中之A^L2及A^L3相同涵義，惟，A^L71及A^L72上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，Z^L71表示與通式(L)中之Z^L2相同涵義，X^L71及X^L72分別獨立地表示氟原子或氫原子)

式中，R^L71及R^L72較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A^L71及A^L72較佳為分別獨立地為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^L71及A^L72上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，Z^L71較佳為單鍵或COO-，較佳為單鍵，X^L71及X^L72較佳為氫原子。

可組合之化合物的種類並無特別限制，根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率等所要求的性能來進行組合。關於所使用之化合物的種類，例如作為本發明之一個實施形態，為1種、2種、3種、4種。

於本發明之組成物中，通式(L-7)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-7)所表示之化合物之較佳之含量的上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、10%、5%。

於本發明之組成物為高T_NI的實施形態較為理想之情形時，較佳為使式(L-7)所表示之化合物的含量較多，於低黏度之實施形態較為理想之情形時，較佳為使含量較少。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.1)至式(L-7.4)所表示之化合物，較佳為式(L-7.2)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.11)至式(L-7.13)所表示之化合物，較佳為式(L-7.11)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物為式(L-7.21)至式(L-7.23)所表示之化合物。較佳為式(L-7.21)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.31)至式(L-7.34)所表示之化合物，較佳為式(L-7.31)或/及式(L-7.32)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.41)至式(L-7.44)所表示之化合物，較佳為式(L-7.41)或/及式(L-7.42)所表示之化合物。

進一步，通式(L-7)所表示之化合物較佳為式(L-7.51)至式(L-7.53)所表示之化合物。

通式(L-8)所表示之化合物為下述化合物。

(式中，R^L81及R^L82分別獨立地表示與通式(L)中之R^L1及R^L2相同涵義，A^L81表示與通式(L)中之A^L1相同涵義或單鍵，A^L81上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，X^L81~X^L86分別獨立地表示氟原子或氫原子)

式中，R^L81及R^L82較佳為分別獨立地為碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~4之烷氧基，A^L81較佳為1,4-伸環己基或1,4-伸苯基，A^L71及A^L72上之氫原子亦可分別獨立地被氟原子取代，通式(L-8)中之相同環結構上，氟原子較佳為0個或1個，於分子內，氟原子較佳為0個或1個。

於本發明之組成物中，通式(L-8)所表示之化合物之含量必需根據低溫下之溶解性、轉移溫度、電方面的可靠性、雙折射率、製程合適性、滴加痕跡、殘影、介電異向性等所要求的性能來適當調整。

相對於本發明之組成物之總量，式(L-8)所表示之化合物之較佳含量的下限值為1%、2%、3%、5%、7%、10%、14%、16%、20%。相對於本發明之組成物之總量，式(L-8)所表示之化合物之較佳之含量的上限值為30%、25%、23%、20%、18%、15%、10%、5%。

於本發明之組成物為高T_NI之實施形態較為理想之情形時，使式(L-8)所表示之化合物之含量較多為較佳，於低黏度之實施形態較為理想之情形時，使含量較少為較佳。

進一步，通式(L-8)所表示之化合物較佳為式(L-8.1)至式(L-8.4)所表示之化合物，更佳為式(L-8.3)、式(L-8.5)、式(L-8.6)、式(L-8.13)、式(L-8.16)至式(L-8.18)、式(L-8.23)至式(L-8.28)所表示之化合物。

相對於本發明之組成物之總量，通式(i)、(L)、(N-1)、(N-2)、(N-3)及(J)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳之含量的上限值為100%、99%、98%、95%。其中，從得到△ε之絕對值大之組成物此觀點而言，較佳為通式(N-1)、(N-2)、(N-3)或(J)所表示之化合物中之任一者為5%以下，較佳為3%以下，較佳為0%。

相對於本發明之組成物之總量，通式(i)、(L-1)~(L-8)、通式(M-1)~(M-18)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳之含量的上限值為100%、99%、98%、95%。

相對於本發明之組成物之總量，通式(i)、(L-1)~(L-8)、通式(N-1a)~(N-1g)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳之含量的上限值為100%、99%、98%、95%。

相對於本發明之組成物之總量，通式(i)、(L-1)~(L-8)、通式(N-1-1)~(N-1-21)所表示之化合物之合計之較佳含量的下限值為80%、85%、88%、90%、92%、93%、94%、95%、96%、97%、98%、99%、100%。較佳之含量的上限值為100%、99%、98%、95%。

本案發明之組成物，較佳為不含有下述之化合物，即：於分子內具有過酸(-CO-OO-)構造等之氧原子彼此鍵結的構造。

當重視組成物之可靠性及長期穩定性的情形時，相對於上述組成物的總質量，較佳將具有羰基之化合物的含量設為5%以下，更佳設為3%以下，再更佳設為1%以下，最佳為實質上不含有。

於重視照射UV之穩定性的情形時，相對於上述組成物的總質量，較佳將經氯原子取代之化合物的含量設為15%以下，較佳設為10%以下，較佳設為8%以下，更佳設為5%以下，較佳設為3%以下，再更佳為實質上不含有。

於重視照射UV之穩定性的情形時，相對於上述組成物的總質量，較佳將經氰基取代之化合物的含量設為15%以下，較佳設為10%以下，較佳設為8%以下，更佳設為5%以下，較佳設為3%以下，再更佳為實質上不含有。

較佳使分子內之環構造全部為6員環之化合物的含量多，相對於上述組成物的總質量，較佳將分子內之環構造全部為6員環之化合物的含量設為80%以上，更佳設為90%以上，再更佳設為95%以上，最佳為實質上僅以分子內之環構造全部為6員環之化合物構成組成物。

為了抑制組成物因氧化所導致之劣化，較佳減少具有伸環己烯基作為環構造之化合物的含量，相對於上述組成物的總質量，較佳將具有伸環己烯基之化合物的含量設為10%以下，較佳設為8%以下，更佳設為5%以下，較佳設為3%以下，再更佳為實質上不含有。

當重視黏度之改善及T_NI之改善的情形時，較佳減少下述化合物之含量，即：在分子內具有氫原子亦可被取代成鹵素之2-甲苯(methylbenzene)-1,4-二基；相對於上述組成物的總質量，較佳將上述分子內具有2-甲苯-1,4-二基之化合物的含量設為10%以下，較佳設為8%以下，更佳設為5%以下，較佳設為3%以下，再更佳為實質上不含有。

於本案中所謂實質上不含有，意指除了不特意含有之物以外不含有。

當本發明之第一實施形態之組成物所含有的化合物具有烯基作為側鏈之情形時，於上述烯基鍵結在環己烷之情形，該烯基之碳原子數較佳為2~5，於上述烯基鍵結在苯之情形，該烯基之碳原子數較佳為4~5，上述烯基之不飽和鍵結與苯較佳為不直接鍵結。

本發明所使用之液晶組成物之平均彈性常數(K_AVG)較佳為10至25，作為其下限值，較佳為10，較佳為10.5，較佳為11，較佳為11.5，較佳為12，較佳為12.3，較佳為12.5，較佳為12.8，較佳為13，較佳為13.3，較佳為13.5，較佳為13.8，較佳為14，較佳為14.3，較佳為14.5，較佳為14.8，較佳為15，較佳為15.3，較佳為15.5，較佳為15.8，較佳為16，較佳為16.3，較佳為16.5，較佳為16.8，較佳為17，較佳為17.3，較佳為17.5，較佳為17.8，較佳為18，作為其上限值，較佳為25，較佳為24.5，較佳為24，較佳為23.5，較佳為23，較佳為22.8，較佳為22.5，較佳為22.3，較佳為22，較佳為21.8，較佳為21.5，較佳為21.3，較佳為21，較佳為20.8，較佳為20.5，較佳為20.3，較佳為20，較佳為19.8，較佳為19.5，較佳為19.3，較佳為19，較佳為18.8，較佳為18.5，較佳為18.3，較佳為18，較佳為17.8，較佳為17.5，較佳為17.3，較佳為17。於重視減少耗費電力之情形時，抑制背光的光量較為有效，液晶顯示元件較佳為使光之穿透率提高，為此，較佳為將K_AVG之值設定為較低。於重視應答速度之改善的情形時。較佳為將K_AVG之值設定為較高。

為了製作PS模式、橫向電場型PSA模式或橫向電場型PSVA模式等之液晶顯示元件，於本發明之組成物可含有聚合性化合物。作為可使用之聚合性化合物，可舉藉由光等之能量線進行聚合的光聚合性單體等，作為構造，例如可列舉：聯苯衍生物、聯三苯衍生物等具有連結複數個六員環之液晶骨架的聚合性化合物等。更具體而言，較佳為由通式 (XX)所表示之二官能單體，

(式中，X²⁰¹及X²⁰²分別獨立地表示氫原子或甲基；Sp²⁰¹及Sp²⁰²較佳為分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂)_s-(式中，s表示自2至7之整數，氧原子鍵結於芳香環)；Z²⁰¹表示-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH₂CH₂-、-OCO-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-COO-、-CH₂CH₂-OCO-、-COO-CH₂-、-OCO-CH₂-、-CH₂-COO-、-CH₂-OCO-、-CY¹=CY²-(式中，Y¹及Y²分別獨立地表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵；M²⁰¹表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中所有之1,4-伸苯基的任意氫原子亦可被氟原子取代)。

X²⁰¹及X²⁰²皆表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物、X²⁰¹及X²⁰²皆表示甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物中任一者皆佳，X²⁰¹及X²⁰²其中一者表示氫原子而另一者表示甲基之化合物亦佳。關於此等化合物之聚合速度，二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物較慢，非對稱化合物為其中間，可根據其用途，使用較佳之態樣。於PSA顯示元件中，特佳為二甲基丙烯酸酯衍生物。

Sp²⁰¹及Sp²⁰²分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH₂)_s-，於PSA顯示元件中，較佳至少一者為單鍵，較佳為皆表示單鍵之化合物、或一者為單鍵而另一者表示碳原子數1~8之伸烷基或O-(CH₂)_s-的態樣。於此情形時，較佳為1~4之烷基，s較佳為1~4。

Z²⁰¹較佳為-OCH₂-、-CH₂O-、-COO-、-OCO-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂CH₂-、-CF₂CF₂-或單鍵，更佳為-COO-、-OCO-或單鍵，特佳為單鍵。

M²⁰¹表示任意氫原子亦可被氟原子取代之1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，較佳為1,4-伸苯基或單鍵。當C表示單鍵以外之環構造的情形時，Z²⁰¹亦較佳為單鍵以外之連結基，當M²⁰¹為單鍵之情形時，Z²⁰¹較佳為單鍵。

從此等方面，於通式(XX)中，Sp²⁰¹及Sp²⁰²之間的環構造，具體而言較佳為以下所記載之構造。

於通式(XX)中，當M²⁰¹表示單鍵，環構造為兩個環所形成之情形時，較佳表示以下之式(XXa-1)至式(XXa-5)，更佳表示式(XXa-1)至式(XXa-3)，特佳表示式(XXa-1)。

(式中，兩端鍵結於Sp²⁰¹或Sp²⁰²)

含有此等骨架之聚合性化合物，聚合後之配向調控力最適於PSA型液晶顯示元件，可得到良好之配向狀態，因此顯示不均會受到抑制或完全不會發生。

從以上所述，作為聚合性單體，特佳為通式(XX-1)~通式(XX-4)，其中，最佳為通式(XX-2)。

(式中，苯亦可被氟原子取代，Sp²⁰表示碳原子數2至5之伸烷基)

於將單體添加於本發明之組成物的情形時，即使是不存在聚合起始劑之情形，聚合亦會進行，但為了促進聚合亦可含有聚合起始劑。作為聚合起始劑，可列舉：安息香醚類、二苯基酮(benzophenone)類、苯乙酮類、二苯乙二酮縮酮(benzil ketal)類、氧化醯基膦(acyl phosphine oxide)類等。

本發明之組成物，可進一步含有通式(Q)所表示之化合物。

(式中，R^Q表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上的CH₂基，可以氧原子不直接相鄰之方式被-O-、- CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵)

R^Q表示碳原子數1至22之直鏈烷基或支鏈烷基，該烷基中之1個或2個以上的CH₂基，可以氧原子不直接相鄰之方式被-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-取代，較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基、直鏈烷氧基、1個之CH₂基被取代成-OCO-或COO-的直鏈烷基、支鏈烷基，支鏈烷氧基、1個之CH₂基被取代成-OCO-或COO-的支鏈烷基，更佳為碳原子數1至20之直鏈烷基、1個之CH₂基被取代成-OCO-或COO-的直鏈烷基、支鏈烷基、支鏈烷氧基、1個之CH₂基被取代成-OCO-或COO-的支鏈烷基。M^Q表示反式-1,4-伸環己基、1,4-伸苯基或單鍵，較佳為反式-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基。

通式(Q)所表示之化合物，更具體而言，較佳為下述通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示之化合物。

式中，R^Q1較佳為碳原子數1至10之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q2較佳為碳原子數1至20之直鏈烷基或支鏈烷基，R^Q3較佳為碳原子數1至8之直鏈烷基、支鏈烷基、直鏈烷氧基或支鏈烷氧基，L^Q較佳為碳原子數1至8之直鏈伸烷基或支鏈伸烷基。通式(Q-a)至通式(Q-d)所表示之化合物中，更佳為通式(Q-c)及通式(Q-d)所表示之化合物。

於本案發明之組成物中，較佳含有1種或2種通式(Q)所表示之化合物，更佳含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1%，更佳為0.001至0.1%，特佳為0.001至0.05%。

又，作為可使用於本發明之抗氧化劑或光穩定剤，更具體而言，較佳為以下(III-1)~(III-38)所表示之化合物。

(式中，n表示0至20之整數)

於本案發明之組成物中，較佳為含有1種或2種以上通式(Q)所表示之化合物或選自通式(III-1)~(III-38)中之化合物，更佳為含有1種至5種，其含量較佳為0.001至1%，更佳為0.001至0.1%，特佳為0.001至0.05%。

本發明之含有聚合性化合物之組成物，其所含之聚合性化合物藉由照射紫外線進行聚合，藉此賦予液晶配向能力，使用於利用組成物之雙折射來控制光之透光量的液晶顯示元件。

於本發明之液晶組成物含有聚合性化合物之情形時，作為使聚合性化合物聚合的方法，為了得到液晶之良好配向性能，較理想為適當的聚合速度，因此較佳為藉由單獨、併用或依序照射紫外線或電子束等之活性能量線而進行聚合的方法。當使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，或亦可使用非偏光光源。又，當於將含有聚合性化合物之組成物夾持於2片基板間之狀態下進行聚合的情形時，必須對至少照射面側之基板賦予對活性能量線之適當之透明性。又，亦可使用下述之手段：藉由於光照射時使用遮罩而僅使特定之部分聚合後，改變電場或磁場或者溫度等條件，而使未聚合部分之配向狀態發生變化，進一步照射活性能量線使之聚合。尤其當進行紫外線曝光時，較佳為一邊對含聚合性化合物之組成物施加交流電場一邊進行紫外線曝光。施加之交流電場，較佳為頻率10Hz至10kHz之交流電，更佳為頻率60Hz至10kHz，電壓可依據液晶顯示元件所欲之預傾角而選擇。亦即，可藉由施加之電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA模式之液晶顯示元件中，從配向穩定性及對比之觀點而言，較佳為將預傾角控制在80度至89.9度。

照射時之溫度，較佳為可保持本發明之組成物的液晶狀態之溫度範圍內。較佳為於接近室溫之溫度即典型為15~35℃之溫度下進行聚合。作為產生紫外線之燈，可使用：金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線的波長，較佳為照射非組成物之吸收波長區域的波長區域之紫外線，且較佳為視需要濾除(cut)紫外線來使用。照射之紫外線的強度，較佳為0.1mW/cm²~100W/cm²，更佳為2mW/cm²~50W/cm²。照射之紫外線的能量可適當調整，較佳為10mJ/cm²至500J/cm²，更佳為100mJ/cm²至200J/cm²。當照射紫外線時，亦可改變強度。照射紫外線之時間，係根據照射之紫外線強度適當加以選擇，較佳為10秒至3600秒，更佳為10秒至600秒。

作為使聚合性化合物聚合之方法，為了獲得液晶的良好之配向性能，較理想為適當之聚合速度，故而較佳為藉由單獨、併用或依序照射紫外線或電子束等活性能量線而進行聚合之方法。於使用紫外線之情形時，可使用偏光光源，亦可使用非偏光光源。又，於在2片基板間夾持含聚合性化合物之組成物之狀態下進行聚合之情形時，必須對至少照射面側之基板賦予對活性能量線之適當之透明性。又，亦可使用下述之手段：藉由於光照射時使用遮罩而僅使特定之部分聚合後，改變電場或磁場或者溫度等條件，而使未聚合部分之配向狀態發生變化，進一步照射活性能量線使之聚合。尤其於進行紫外線曝光時，較佳為一面對含聚合性化合物之組成物施加交流電場一面進行紫外線曝光。施加之交流電場較佳為頻率10Hz至10kHz之交流電，更佳為頻率60Hz至10kHz，電壓可依據液晶顯示元件所欲之預傾角而選擇。即，可藉由施加之電壓來控制液晶顯示元件之預傾角。於橫向電場型MVA模式之液晶顯示元件中，就配向穩定性及對比度之觀點而言，較佳將預傾角控制為80度~89.9度。

照射時之溫度，較佳為可保持本發明之組成物的液晶狀態之溫度範圍內。較佳為於接近室溫之溫度即典型為15~35℃之溫度下進行聚合。作為產生紫外線之燈，可使用：金屬鹵素燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈等。又，作為照射之紫外線之波長，較佳照射非組成物之吸收波長區域的波長區域之紫外線，且較佳為視需要濾除紫外線來使用。照射之紫外線之強度較佳為0.1mW/cm²~100W/cm²，更佳為2mW/cm²~50W/cm²。照射之紫外線之能量可適當調整，較佳為10mJ/cm²至500J/cm²，更佳為100mJ/cm²至200J/cm²。於照射紫外線時，亦可改變強度。照射紫外線之時間，係根據照射之紫外線強度適當加以選擇，較佳為10秒至3600秒，更佳為10秒至600秒。

[實施例]

於實施例中，關於化合物之記載，使用以下之簡稱。再者，n表示自然數。

(側鏈)

-n -C_nH_2n+1碳原子數n之直鏈狀之烷基

n- C_nH_2n+1-碳原子數n之直鏈狀之烷基

-On -OC_nH_2n+1碳原子數n之直鏈狀之烷氧基

nO- C_nH_2n+1O-碳原子數n之直鏈狀之烷氧基

-V -CH=CH₂

V- CH₂=CH-

-V1 -CH=CH-CH₃

1V- CH₃-CH=CH-

-2V -CH₂-CH₂-CH=CH₃

V2- CH₂=CH-CH₂-CH₂-

-2V1 -CH₂-CH₂-CH=CH-CH₃

1V2- CH₃-CH=CH-CH₂-CH₂

(連結基)

-n- -C_nH_2n-

-nO- -C_nH_2n-O-

-On- -O-C_nH_2n-

-COO- -C(=O)-O-

-OCO- -O-C(=O)-

-CF2O- -CF₂-O-

-OCF2- -O-CF₂-

(環結構)

於實施例中，關於化合物之記載，使用以下之簡稱。

(環結構)

(側鏈結構及連結結構)

實施例中所測定之特性如下。

T_NI：等向性液相轉移溫度(℃)

△n：於20℃之折射率異向性

△ε：於20℃之介電異向性

η：於20℃之黏度(mPa‧s)

γ₁：於20℃之旋轉黏度(mPa‧s)

K₁₁：於20℃之彈性常數K₁₁(pN)

K₃₃：於20℃之彈性常數K₃₃(pN)

K_AVG：K₁₁與K₃₃之平均值(K_AVG=(K₁₁+K₃₃)/2)(pN)

驅動電壓評價：利用Autronic公司製造之電光學測定裝置DMS703測定IPS型液晶顯示元件之20℃之驅動電壓(V)。如下所述般評價所得到之數值。

◎：未達8.5

○：8.5以上且未達10

△：10以上且未達11.5

×：13.0以上

應答速度評價：利用Autronic公司製造之電光學測定裝置DMS703測定IPS型液晶顯示元件之於20℃的應答速度。如下所述般評價所得到之數值。

◎：未達9.0ms

○：9.0以上且未達10ms

△：10以上且未達11.0ms

×：11.0ms以上

穿透率評價：利用Autronic公司製造之電光學測定裝置DMS703測定IPS型液晶顯示元件之電光學特性，將最大亮度作為穿透率而進行評價。

對比度評價：利用Autronic公司製造之電光學測定裝置DMS703測定 IPS型液晶顯示元件之電氣光學特性，算出「最大亮度/最小亮度」作為對比度之參數。如下所述般以四個階段對所獲得之參數之數值進行評價。

◎：1600以上

○：1400以上且未達1600

△：1200以上且未達1400

×：未達1200

Vth：向厚度6微米之TN單元內封入液晶，於298K、正交偏光(cross nicol)偏光板下使穿透率變化10%之電壓。

VHR：於頻率60Hz、施加電壓5V之條件下，333K時之電壓保持率(%)

耐熱試驗後VHR：將封入有組成物樣品之電光學特性評價用TEG(測試元件組)於130℃之恆溫槽中保持1小時後，於與上述VHR測定方法相同之條件下進行測定。

殘影：液晶顯示元件之殘影評價係在顯示區域內對特定之固定圖案進行任意試驗時間之顯示後，進行全畫面均勻顯示，計測此時固定圖案之殘像達到無法容許之殘像程度之前的試驗時間。

1)此處提及之所謂試驗時間表示固定圖案之顯示時間，該時間越長則表示越能夠抑制殘像之產生，性能越高。

2)所謂無法容許之殘像程度係觀察到“出貨合格與否之判定中不合格之殘像”之程度。

樣品A：1000小時

樣品B：500小時

樣品C：200小時

樣品D：100小時

性能為A>B>C>D。

滴加痕跡：液晶顯示裝置之滴加痕跡之評價係目視觀察於全黑屏顯示之情形時泛白之滴加痕跡，分下述5個階段進行評價。

5：無滴加痕跡(優)

4：即便有極少數滴加痕跡，亦為可容許之程度(良)

3：有少數滴加痕跡，處於合格與否判定之臨界程度(於有條件下為可)

2：有滴加痕跡且為無法容許之程度(不可)

1：有滴加痕跡且相當惡劣(差)

製程適合性：製程適合性係於ODF製程中，使用定體積計量泵以每次50pL滴加液晶「0~100次、101~200次、201~300次、‧‧‧‧」，每滴加100次時計測該100次所滴加之液晶之質量，根據質量之偏差達到無法適於ODF製程之大小時之滴加次數進行評價。

滴加次數越多則越能夠長時間持續穩定地滴加，製程適合性可謂越高。

樣品A：95000次

樣品B：40000次

樣品C：100000次

樣品D：10000次

性能為C>A>B>D。

低溫保存性：低溫下之保存性評價係製備組成物後，稱量0.5g之組成物放入1mL之樣品瓶內，將其於-25℃之控溫式試驗槽中保存240小時，以目視觀察自組成物之析出物產生情況，計測觀察到析出物時之試驗時間。析出發生前之試驗時間越長則低溫下之保存性可謂越良好。

低溫下之溶解性：低溫下之溶解性評價係製備組成物後，稱量1g之組成物放入2mL之樣品瓶內，將其於控溫式試驗槽中，將下述運轉狀態即「-20℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→升溫(0.1℃/每分鐘)→20℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→0℃(保持1小時)→降溫(-0.1℃/每分鐘)→-20℃」設為一個循環而持續賦予溫度變化，以目視觀察自組成物之析出物產生情況，並計測觀察到析出物時之試驗時間。

試驗時間越長則越能夠長時間地穩定保持液晶相，而低溫下之溶解性良好。

樣品A：72小時

樣品B：600小時

樣品C：384小時

樣品D：1440小時

性能為D>B>C>A。

揮發性/製造裝置污染性：液晶材料之揮發性評價係藉由使用頻閃儀觀察真空攪拌脫泡混合機之運轉狀態，以目視觀察液晶材料之發泡而進行。具體而言，向容量2.0L之真空攪拌脫泡混合機之專用容器內添加組成物0.8kg，於4kPa之脫氣下以公轉速度15S-1、自轉速度7.5S-1使真空攪拌脫泡混合機運轉，計測直至發泡開始前之時間。

直至發泡開始前之時間越長則表示越不易揮發、污染製造裝置之可能越低，因此越為高性能。

樣品A：200秒

樣品B：45秒

樣品C：60秒

樣品D：15秒

性能為A>C>B>D。

(實施例1~33)

製作本案發明之液晶組成物及使用該組成物之液晶顯示元件，測定其物性值。

如上所述，可知本發明顯示優異之效果。

Claims

一種液晶組成物，其含有1種或2種以上通式(i)所表示之化合物， (上述通式(1)中，R ⁱ¹及R ⁱ²分別獨立地表示碳原子數2~8個之烯基；X ⁱ¹表示氫原子、碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子；n ⁱ¹¹及n ⁱ¹²分別獨立地表示0或1，n ⁱ¹¹+n ⁱ¹²表示0或1；n ⁱ²¹及n ⁱ²²分別獨立地表示0、1或2，n ⁱ²¹+n ⁱ²²表示2；A ⁱ¹¹及A ⁱ¹²分別獨立地表示1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH ₂-或未相鄰之2個以上之-CH ₂-亦可被-O-取代，氫原子亦可分別獨立地被碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子取代)；A ⁱ²¹及A ⁱ²²分別獨立地表示1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代，存在於該基中之一個氫原子亦可被碳原子數1~4之烷基、碳原子數1~4之烷氧基、氰基、氟原子或氯原子取代)；A ⁱ²¹或A ⁱ²²可相同亦可不同)。
如申請專利範圍第1項之液晶組成物，其進一步含有1種或2種以上選自通式(N-1)、(N-2)及(N-3)所表示之化合物中之化合物， (式中，R ^N11、R ^N12、R ^N21、R ^N22、R ^N31及R ^N32分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上之-CH ₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代；A ^N11、A ^N12、A ^N21、A ^N22、A ^N31及A ^N32分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH ₂-或未相鄰之2個以上之-CH ₂-亦可被-O-取代)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)、(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)、及(d)1,4-伸環己烯基所組成之群中的基，上述基(a)、基(b)、基(c)及基(d)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代；Z ^N11、Z ^N12、Z ^N21、Z ^N22、Z ^N31及Z ^N32分別獨立地表示單鍵、-CH ₂CH ₂-、-(CH ₂) ₄-、-OCH ₂-、-CH ₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF ₂-、-CF ₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-；X ^N21表示氫原子或氟原子；T ^N31表示-CH ₂-或氧原子；n ^N11、n ^N12、n ^N21、n ^N22、n ^N31及n ^N32分別獨立地表示0~3之整數，n ^N11+n ^N12、n ^N21+n ^N22及n ^N31+n ^N32分別獨立地為1、2或3，於存在多個A ^N11~A ^N32、Z ^N11~Z ^N32之情形時，其等可相同亦可不同；惟，不包含通式(i)所表示之化合物)。
如申請專利範圍第1或2項之液晶組成物，其進一步含有1種或2種以上通式(J)所表示之化合物， (式中，R ^J1表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上之-CH ₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代；n ^J1表示0、1、2、3或4；A ^J1、A ^J2及A ^J3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH ₂-或未相鄰之2個以上之-CH ₂-亦可被-O-取代)(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)、及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)所組成之群中的基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地被氰基、氟原子、氯原子、甲基、三氟甲基或三氟甲氧基取代；Z ^J1及Z ^J2分別獨立地表示單鍵、-CH ₂CH ₂-、-(CH ₂) ₄-、-OCH ₂-、-CH ₂O-、-OCF ₂-、-CF ₂O-、-COO-、-OCO-或-C≡C-；於n ^J1為2、3或4且存在多個A ^J2之情形時，其等可相同亦可不同，於n ^J1為2、3或4且存在多個Z ^J1之情形時，其等可相同亦可不同；X ^J1表示氫原子、氟原子、氯原子、氰基、三氟甲基、氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基或2,2,2-三氟乙基，惟，不包含通式(i)所表示之化合物)。
如申請專利範圍第1至3項中任一項之液晶組成物，其進一步含有1種或2種以上通式(L)所表示之化合物， (式中，R ^L1及R ^L2分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基，該烷基中之1個或非相鄰之2個以上之-CH ₂-亦可分別獨立地被-CH=CH-、 -C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代；n ^L1表示0、1、2或3；A ^L1、A ^L2及A ^L3分別獨立地表示選自由(a)1,4-伸環己基(存在於該基中之1個-CH ₂-或未相鄰之2個以上之-CH ₂-亦可被-O-取代)、(b)1,4-伸苯基(存在於該基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上之-CH=亦可被-N=取代)、及(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基(存在於萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中之1個-CH=或未相鄰之2個以上的-CH=亦可被-N=取代)所組成之群中的基，上述基(a)、基(b)及基(c)亦可分別獨立地被氰基、氟原子或氯原子取代；Z ^L1及Z ^L2分別獨立地表示單鍵、-CH ₂CH ₂-、-(CH ₂) ₄-、-OCH ₂-、-CH ₂O-、-COO-、-OCO-、-OCF ₂-、-CF ₂O-、-CH=N-N=CH-、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-；於n ^L1為2或3且存在多個A ^L2之情形時，其等可相同亦可不同，於n ^L1為2或3且存在多個Z ^L2之情形時，其等可相同亦可不同；惟，不包含通式(i)、(N-1)、(N-2)、(N-3)、及(J)所表示之化合物)。
一種液晶顯示元件，其使用有申請專利範圍第1至4項中任一項之液晶組成物。