JP6637643B1 - 排ガス浄化用触媒 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、特許文献2の記載を考慮して、例えば貴金属濃度を表面側が基材側よりも高い触媒設計とすると、空間速度が高い状態での排ガス浄化性能は一応得られるものの、始動時における排ガス浄化性能は十分に得られなかった。
したがって、限られた貴金属量を用いて始動時及び高速走行時の両方で十分な排ガス浄化率を有する触媒構成が求められている。
その結果、驚くべきことに、触媒層を排ガス流動方向に沿って2以上の区画に区分し、上流側区画の貴金属の濃度を下流側区画に比べて高くし、かつ、上流側区画において表面側の貴金属量が基材側に比して多い構成とすることで、該貴金属の量を抑制しながら始動時及び高速走行時の両方において排ガス浄化性能が高い触媒が得られることを見出した。
前記第1の触媒層は、排ガスの流動方向に沿って第一区画及び第二区画を有しており、前記第一区画は前記第二区画よりも排ガスの流動方向の上流側に位置しており、
前記第1の触媒層は、特定の元素を含む触媒活性成分を有しており、
前記第1の触媒層における前記特定の元素の濃度は、単位体積当たりの質量比で第二区画よりも第一区画の方が高く、
前記第一区画を前記第1の触媒層の厚み方向に沿って2等分し、該触媒層の表面側に存在する前記特定の元素の質量をa1、該触媒層の表面側に対して反対側に存在する前記特定の元素の質量をa2としたときに、a1とa2との比a1/a2が1.1以上である、排ガス浄化用触媒を提供するものである。
本実施形態の排ガス浄化用触媒の例を図1及び図2に示す。図1に示すように、排ガス浄化用触媒10は、ケーシング20内に配置されて、排ガスの流通経路に設置されている。図1及び図2に示すように、排ガス浄化用触媒10は、多孔質基材11と、該多孔質基材11上に形成された触媒層16を有する。触媒層16は、一層であってもよく、多層であってもよい。触媒層16が多層である場合は、そのうちの一層が、排ガス流動方向Xに沿って配置された第一区画14と第二区画15を有していればよい。第一区画14は第二区画15に対して排ガス流動方向Xの上流側に位置する。
図2に示す例では、触媒層16は下層触媒層12と、下層触媒層12における多孔質基材11とは反対側の表面に形成された上層触媒層13との二層構成となっており、下層触媒層12が第一区画14及び第二区画15を有する。第一区画14と第二区画15とは、後述するように、触媒活性成分である特定の元素の厚み方向における濃度傾斜が互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。
濃度傾斜a1/a2は、1.1以上であることが、始動時及び高速運転時の排ガス浄化作用、特に高速運転時の作用を高める点で好ましい。また、5.0以下であることが、触媒活性成分のシンタリングの進行を防止しやすく、触媒活性成分の熱耐久性の点で好ましい。これらの観点から、a1/a2は、1.3以上であることがより好ましい。また、3.0以下であることがより好ましく、2.5以下であることが更に好ましく、2.0以下であることが特に好ましい。
また、従来技術では、空間速度が高い条件下での排ガス浄化性能と、始動時の排ガス浄化性能(ライトオフ性能)はトレードオフの関係にあったが、本発明の構成では、上記のように構成することで、第一区画14における触媒活性成分による暖気効果が効率よく発揮されて、単に上流側に触媒活性成分を集中させた特許文献1の触媒設計に比して、エンジン始動時の低速走行における排ガス浄化活性をも高めることができる。これは触媒活性成分を第一区画14に均一分散させるよりも表面側に集中させることで、発熱反応であるCO酸化、HC酸化が一層促進され、触媒の昇温性を高めることができることに基づくものと考えられる。触媒の昇温性を高めることにより、NOx還元性も向上する。
排ガス浄化用触媒を、バンドソーなどで基材ごと排ガス流動方向に対して直交する断面で切断する。切断後の触媒を、エポキシ樹脂に埋め込み、前記の断面が表面に現れたサンプルとする。このサンプルについてEDXのライン分析により特定の元素の分布を数値化(単位:cps)して得られる特定の元素のゆらぎ曲線において、触媒層12における厚み方向の半分の位置よりも表面側におけるカウント数の積分値と、当該位置よりも基材側におけるカウント数の積分値との比率を求めて、これを質量比率に換算し、特定の元素の厚み方向における濃度傾斜とする。カウント数の積分値は、試料は傾斜させず、ステージ上に水平にセットし、加速電圧を25kV、電子線のスポット径を1μm、測定距離を100μmの条件で、10カ所の観察視野に対して測定を行い、10カ所の測定結果の平均値を求めることで得ることができる。具体的には、上記方法で規定される第一区画14の厚み方向における特定の元素の分布曲線を第一区画14中の異なる10カ所について、取得する。特定の元素の分布を、図4に示すように第一区画14の総厚みが1となるように厚み方向に規格化し、10カ所の分析結果を平均化することで、第一区画14の厚み方向の平均的な分布を得ることができる。第二区画15についても同様とする。
なお、第二区画15における前記3種の触媒活性成分の合計濃度の厚み方向の傾斜も、第一区画14における前記3種の触媒活性成分の合計濃度の厚み方向の傾斜と同じであってもよく、異なっていてもよい。
まず、触媒10は、通常、そのままでは後述する各装置による測定を行うことが難しい大きさであるため、触媒10を切り抜き、直径が20〜30mmである円筒状の触媒サンプルを得る。円筒状の触媒サンプルは、触媒10の長手方向において、触媒10の全長に亘る長さを有するように、且つその中心軸が触媒10の長手方向と同方向となるように切り抜かれたものである。円筒状の触媒サンプルを、その中心軸と直交する断面により、中心軸に沿って触媒10の上流側の端部から下流側の端部まで均等に20分割することで、20個の試験片を得る。得られた20個の試験片について、それぞれ、重量、体積、組成の分析を行い、特定の元素の濃度(g/L)を計算する。各試験片における特定の元素の濃度は、例えば、蛍光X線分析(XRF)装置やICP発光分光分析(ICP−AES)装置により求めることができる。
次いで、各試験片について分析した結果に基づいて、例えば図3に示すような方法で第一区画14及び第二区画15の長さを求めることができる。すなわち、各試験片について分析した結果に基づいて、触媒10の上流側の端部から下流側の端部まで20分割された区間毎に特定の元素の濃度を求め(図3の上のグラフ)、その後、ある区間の濃度の、当該区間の一つ前の区間の濃度に対する比を求め、サンプルの中心軸方向における各区間の位置を横軸に、該区間に係る前記の濃度の比をプロットする(図3の下のグラフ)。なお、図3の上のグラフ及び下のグラフにおいては、横軸は、触媒10の上流側の端部を0.00とし、触媒10の下流側の端部を1.00としている。得られたグラフにおいて、値が0.9以下の変曲点が得られた場合、その変曲点を区画の境界として定義し、第一区画14及び第二区画15における触媒10の排ガス流動方向Xにおける位置及び長さを特定する。図3に示すグラフは、単に触媒10について測定した結果の一例を示すものにすぎず、これらのグラフは何ら本発明を限定するものではない。
円筒状のサンプルは、例えば10個以上作成し、各サンプルごとに上記の方法で区画長さを特定し、L1及びL2はこれらのサンプルの測定結果の平均値とすることができる。
また、第一区画14と第二区画15からなる部分の排ガス流動方向X長さは、多孔質基材11の排ガス流動方向Xの長さにおける60%以上を占めることが好ましく、70%以上を占めることがより好ましく、80%以上を占めることが特に好ましい。
ZrO2系材料はZrO2を主成分とし、添加材としてY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Yb,Mg,Ca,Sr,Ba等を含んでなるものが好ましい。
無機酸化物はAl2O3を主成分とし、添加材として、Y,Zr,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Yb,Mg,Ca,Sr,Ba等を含んでなるものが好ましい。
(2)(1)で製造した下層触媒層12の第一区画14に相当する部分を、特定の元素を含有する水溶液中に含浸後、乾燥、焼成して、当該含浸した部分の該表面側に多く特定の元素が追加されるように特定の元素を担持する工程(以下、表面濃化処理ともいう)。
更に好ましくは(2)の工程の後に、下記(3)の工程を追加してもよい。
(3)担体成分と、触媒活性成分の塩と、液媒とを含有する上層触媒層13用スラリーを調製し、これを(2)の工程後の下層触媒層12上に塗布した後、乾燥及び焼成して、下層触媒層12の表面に上層触媒層13を形成する工程。
(1)’担体成分と、液媒とを含有する第一区画14用スラリー及び第二区画15用スラリーを調製し、両スラリーの一方を基材における第一区画形成予定箇所に塗布した後に、乾燥及び焼成し、次いで、他方のスラリーを基材の第一区画形成予定箇所よりも排ガス流動方向X下流側における第二区画形成予定箇所に塗布した後に焼成して、基材上に表面濃化処理前の第一区画14及び第二区画15を製造する工程。
(1)における下層触媒層用スラリー中の特定の元素の塩の濃度、並びに、(1)’における第一区画14用スラリー及び第二区画15用スラリー中の特定の元素の塩の濃度は、目的とする第一区画14及び第二区画15における特定の元素の量に応じて適宜設計すればよい。
更に基材に塗布したスラリーは、焼成前に乾燥することが好ましく、その温度としては、40℃〜200℃が好ましく、70℃〜150℃がより好ましい。乾燥時間としては、5分〜6時間が好ましく、10分〜2時間がより好ましい。
また、乾燥後の基材を焼成する温度としては、400℃〜800℃が好ましく、450℃〜600℃がより好ましい。焼成時間としては、30分〜6時間が好ましく、1時間〜4時間がより好ましい。
〔1.下層触媒層用ベーススラリーの調製〕
下記組成及び比表面積のOSC材料を用意した。
CeO2:30質量%、ZrO2:58質量%、La2O3:8質量%、Nd2O3:4質量%、比表面積:50m2/g
なお、OSC材料中、CeO2、La2O3、Nd2O3及びZrO2が固溶体を形成していることは上記方法にて確認した。
ボールミルポットに、OSC材料、酸化ランタン修飾アルミナ(La2O3修飾量:3質量%、比表面積:100m2/g)、酢酸バリウム及びアルミナゾルに、水を加え、ボールミルにより2時間混合し、下層触媒層用ベーススラリーを得た。スラリー中の各成分の量比は、OSC材料50質量%、酸化ランタン修飾アルミナ30質量%、炭酸バリウム10質量%及びアルミナ10質量%となる量とした。
前記の下層触媒層用ベーススラリーをそのまま第一区画用スラリーとし、これに、コージェライト製ハニカム状多孔質基材11(日本碍子社製)の排ガス流動方向Xの上流端から基材11の同方向中間位置まで(以下、A領域ともいう)を浸漬して塗工した。その後、多孔質基材11を150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、第一区画14を製造した。この第一区画14の量は、多孔質基材11における第一区画14存在部分の体積V1に対して160g/Lであった。
前記の下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウム水溶液を混合し、第二区画用スラリーを得た。第二区画用スラリー中の硝酸パラジウム量は、焼成後、第二区画において、Pdが1.25質量%を占める量とした。第二区画用スラリーに、多孔質基材11の排ガス流動方向X下流端から基材11の同方向中間位置までの部分(以下、B領域ともいう)を浸漬して塗工した。その後、多孔質基材11を150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、第二区画15を製造した。この第二区画15の量は、多孔質基材11の第二区画存在部分の体積V2に対して160g/Lであった。第二区画15中のPd含量は、多孔質基材11の第二区画存在部分の体積V2に対して2g/Lであった。
第一区画14と第二区画15は、排ガス流動方向Xにおいて基材11上に隙間なく連続していた。第一区画14と第二区画15との排ガス流動方向Xの長さ比は1:1であり、第一区画14と第二区画15からなる下層触媒層12の排ガス流動方向Xの長さは多孔質基材11の排ガス流動方向X長さと同じであった。第一区画14と第二区画15の厚さはおおむね1:1であった。
硝酸パラジウム水溶液(Pd換算濃度:6g/L)に、多孔質基材11の第一区画14が形成された部分のみを、25℃で48時間浸漬させた。浸漬後多孔質基材11を、150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成した。第一区画14におけるPd量は、多孔質基材11の第一区画14の存在部分の体積V1に対し6g/Lとなった。
下記組成及び比表面積のZrO2系材料を用意した。
ZrO2系材料:CeO2:15質量%、ZrO2:73質量%、La2O3:8質量%、Nd2O3:4質量%、BET比表面積:50m2/g
なお、ZrO2系材料において、CeO2、ZrO2、La2O3及びNd2O3が固溶体を形成していることは上記方法にて確認した。
ボールミルポットに、ZrO2系材料、ランタン修飾アルミナ(La2O3修飾量:3質量%、BET比表面積:100m2/g)、アルミナゾル、水を加えてボールミルにより2時間混合し、上層触媒層用ベーススラリーを得た。このスラリーと硝酸ロジウムの水溶液とを混合し、上層触媒層用スラリーを得た。上層触媒層用スラリー中の各成分の量比は、焼成後、上層触媒層においてロジウム以外の成分比率が、ZrO2系材料60質量%、ランタン修飾アルミナ30質量%、アルミナ10質量%となる量であり、上層触媒層中のロジウムが0.5質量%となる量とした。
この上層触媒層用スラリーに、下層触媒層12が形成された多孔質基材11を浸漬させた。その後、多孔質基材11を150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、上層触媒層を形成し、これにより、実施例1の排ガス浄化用触媒を形成した。上層触媒層は下層触媒層の表面全域を被覆し、上層触媒層の厚さは、下層触媒層を1としたときに0.6であった。
この上層触媒層の量は、多孔質基材11の体積(V1+V2)に対して60g/Lであった。上層触媒層中のロジウム含量は多孔質基材11の体積(V1+V2)に対して0.3g/Lであった。
上記の実施例1の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において、前記の下層触媒層用ベーススラリーの代わりに、前記の下層触媒層用ベーススラリーと、硝酸パラジウム水溶液とを混合してなる第一区画用スラリーを、実施例1と同様の方法で基材11のA領域に塗工し、実施例1と同様の条件で乾燥、焼成して、第一区画14を形成した。第一区画用スラリー中の硝酸パラジウムの量は、焼成後、表面濃化処理前の第一区画14において、1.25質量%となる量とした。
焼成後、表面濃化処理前のこの第一区画14の量は、多孔質基材11における第一区画14の存在部分の体積V1に対して160g/Lであり、第一区画14中のパラジウム含量は2g/Lであった。
第一区画14が形成された多孔質基材11について実施例1の〔3.第二区画の形成〕と同様にして、第二区画15を形成した。その後、硝酸パラジウム水溶液のPd換算濃度を4g/Lとした以外は実施例1の〔4.Pd表面濃化担持〕と同様にして第一区画14の表面側におけるPd濃化を行った。この処理後、第一区画14には、多孔質基材11における第一区画14存在部分の体積V1に対して6g/Lのパラジウムが担持されていた。更に実施例1の〔5.上層触媒層の形成〕と同様にして上層触媒層を形成して、排ガス浄化用触媒を得た。
〔2.表面濃化処理前の第一区画14の形成〕において、第一区画用スラリー中の硝酸パラジウムの量を、焼成後・表面濃化処理前の第一区画14において2.5質量%となるように調整し、第一区画14中のパラジウム含量を4g/Lとした以外は実施例2と同様にして第一区画14を形成した。
次いで、実施例1と同様にして、第二区画15を形成した。その後、硝酸パラジウム水溶液のPd換算濃度を2g/Lとした以外は実施例1の〔4.Pd表面濃化担持〕と同様にして第一区画14における表面濃化処理を行った。この処理後、第一区画14におけるパラジウム含有量は、多孔質基材11における第一区画14存在部分の体積V1に対して6g/Lであった。
更に実施例1と同様にして上層触媒層を形成して、排ガス浄化用触媒を得た。
実施例1の2〜4の工程に替えて以下の〔下層触媒層の形成工程〕を行った。その点以外は実施例3と同様とした。
〔下層触媒層の形成工程〕
実施例3で調製した第一区画用スラリーに多孔質基材11全体を浸漬させ、実施例3と同様の条件で乾燥、焼成して、特定の元素の分布が均一な下層触媒層を形成した。この下層触媒層の量は、多孔質基材11の体積(V1+V2)に対して160g/Lであった。下層触媒層中のパラジウム含量は、多孔質基材11の体積(V1+V2)に対して4g/Lであった。その後、実施例3の表面濃化工程を行わずに、そのまま〔5.上層触媒層の形成〕工程を行った。
実施例1の2〜4の工程に替えて以下の〔表面濃化下層触媒層の形成工程〕を行った。その点以外は実施例1と同様として排ガス浄化用触媒を得た。
〔表面濃化下層触媒層の形成工程〕
前記の下層触媒層用ベーススラリーに、多孔質基材11の全体を浸漬させて、多孔質基材11にスラリーを塗工した。その後、多孔質基材11を150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、触媒活性成分を非含有である下層触媒層を形成した。
次いで、硝酸パラジウム水溶液(Pd換算濃度:4g/L)に、多孔質基材11全体を、25℃で48時間浸漬させた。浸漬後の多孔質基材11を、150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、Pdを含有する下層触媒層を形成した。下層触媒層の量は、多孔質基材11の体積(V1+V2)に対して160g/Lであった。下層触媒層におけるパラジウム含量は、多孔質基材11の体積(V1+V2)に対して4g/Lであった。
実施例3の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において、第一区画14用スラリーにおける硝酸パラジウムの量を、焼成後の第一区画14におけるパラジウム量が3.75質量%となる量とした。その点以外は、実施例3の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕と同様にして、パラジウムが均一分散した第一区画を形成した。この第一区画14の量は、多孔質基材11における第一区画14の存在部分の体積V1に対して160g/Lであり、第一区画におけるパラジウム含量は、多孔質基材11の第一区画14存在部分の体積V1に対して6g/Lであった。また、実施例3の〔4.Pd表面濃化担持〕を行わなかった。それらの点以外は実施例3と同様にして、排ガス浄化用触媒を得た。
実施例3の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において、第一区画用スラリーにおける硝酸パラジウムの量を、焼成後の第一区画におけるパラジウム量が5質量%となる量とした。その点以外は、実施例3の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕と同様にして、パラジウムが均一分散した第一区画を形成した。第一区画におけるパラジウム含量は、多孔質基材11の第一区画存在部分の体積V1に対して8g/Lであった。また実施例3の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において、前記の下層触媒層用ベーススラリーをそのまま第二区画用スラリーとした。つまり、第二区画におけるパラジウム濃度は、0g/Lである。また実施例3の〔4.Pd表面濃化担持〕を行わなかった。それらの点以外は実施例3と同様にして、排ガス浄化用触媒を得た。
具体的には、排ガス浄化用触媒に、下記条件にてエンジンを稼働させて排出した排ガスを接触させた状態で、触媒温度を下記温度に保ち、下記の時間処理した。
(耐久条件)
・耐久用エンジン:乗用NA 2L ガソリンエンジン
・使用ガソリン:市販レギュラーガソリン
・耐久温度・時間:900℃-100hr
・触媒前段空燃比変動:A/F=13.5(10sec)→15.5(20sec)→13.5(10sec)の繰り返し
上記条件にて耐久試験を行った後、耐久後の排ガス浄化用触媒を下記車両に設置した。車両試験として、この車両を、国際調和排ガス試験モード(WLTC)の運転条件に従って運転した。運転開始から、589秒までの低速運転時(WLTC―L)、運転開始1022秒から1477秒までの高速運転時のそれぞれにおける排ガス中の炭化水素(HC)の排出量(エミッション値)を測定した。得られた低速運転時(WLTC―L)のエミッション値及び高速運転時(WLTC―H)のエミッション値を、基準となる比較例1の値を1としたときの値を表1に示す。
(浄化率測定条件)
・評価車両:軽乗用車(660cc)
・使用ガソリン:認証試験用燃料
一方、表1に示すように、高速運転時(WTLC−H)の全HC排出量は、単なる二層の触媒層構成(比較例1)から、下層のパラジウムを表面濃化させた構成(比較例2)に変更すると若干低下するものの、下層の上流側(第一区画)にパラジウムを集中させた構成(比較例3)に変更すると増加し、排ガス浄化性能が悪化する。これに対し、各実施例では、下層上流側(第一区画)におけるパラジウムの濃度を下層下流側(第一区画)よりも高くし、かつHCの拡散が有利となる設計である当該第一区画における表面側のパラジウムの濃度を基材側に比して高くしたことで、比較例1と同程度に、高速運転時の排ガス浄化性能を高めることができることがわかる。
Claims (7)
- 第1の触媒層を有する排ガス浄化用触媒であって、
前記第1の触媒層は、排ガスの流動方向に沿って第一区画及び第二区画を有しており、前記第一区画は前記第二区画よりも排ガスの流動方向の上流側に位置しており、
前記第1の触媒層は、前記第一区画と前記第二区画がいずれも、特定の元素を含む触媒活性成分を有しており、
前記第1の触媒層における前記特定の元素の濃度は、単位体積当たりの質量比で第二区画よりも第一区画の方が高く、
前記第一区画を前記第1の触媒層の厚み方向に沿って2等分し、該触媒層の表面側に存在する前記特定の元素の質量をa1、該触媒層の表面側に対して反対側に存在する前記特定の元素の質量をa2としたときに、a1とa2との比a1/a2が1.1以上であり、
前記第二区画を前記第1の触媒層の厚み方向に沿って2等分し、該触媒層の表面側に存在する前記特定の元素の質量をb1、該触媒層の表面側に対して反対側に存在する前記特定の元素の質量をb2としたときに、b1とb2との比b1/b2が、0.9以上1.03以下である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1記載の排ガス浄化用触媒であって、
a1/a2が1.1以上5.0以下である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第一区画と前記第二区画は、前記特定の元素の濃度が、単位体積当たりの質量比で第二区画を1とした際に第一区画が1.1以上である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項3記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第一区画と前記第二区画は、前記特定の元素の濃度が、単位体積当たりの質量比で第二区画を1とした際に第一区画が2.0以上100以下である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1〜4の何れか1項記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第1の触媒層の前記特定の元素は、パラジウムである、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1〜5の何れか1項記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第1の触媒層の表面に更に第2の触媒層を設けてなる排ガス浄化用触媒。 - 請求項6記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第1の触媒層の前記特定の元素は、パラジウムであり、
前記第2の触媒層がロジウムを含有する排ガス浄化用触媒。
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