JP6824467B2 - 排ガス浄化用触媒 - Google Patents
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Description
貴金属の排ガス浄化作用を利用した排ガス浄化用触媒では、触媒層を排ガス流動方向の上流側と下流側とで異なる構成に区画化した触媒が提案されている。例えば特許文献1には、下層触媒層における排ガス流動方向の上流側と下流側とで貴金属濃度を異ならせた排ガス浄化用触媒が記載されている。また特許文献2には触媒層中の貴金属を排ガス流動方向の上流側から下流側に向けて漸次的に減少させて上流端部近傍に貴金属を集中させた排ガス浄化用触媒が記載されている。
しかしながら、近年の環境基準の厳格化及びコスト低減化に加え、繰り返しの走行による熱耐久性能の要求はますます強いものとなっている。このため、貴金属の使用量を抑制しながら排ガスの温度が低い内燃機関の始動時における浄化率を高めることが大きな課題となっているところ、特許文献1の記載のように、単に排ガス流動方向の上流側に下流側に比してより多く貴金属を配置させる場合、上記の課題解決に対する効果は十分とはいいがたい。
また、特許文献2に記載のように、排ガス流動方向に沿って貴金属量に傾斜をつける方法では、繰り返しの走行による熱耐久条件において触媒活性成分が凝集しやすく、触媒の熱耐久性が得難い。
従って、本発明は、上記の従来技術の有する課題を解決できる排ガス浄化用触媒を提供することを課題としたものである。
その結果、驚くべきことに、触媒層を排ガス流動方向に沿って2つ以上の区画に区分し、上流側区画の貴金属の濃度を下流側区画に比べて高くするだけでなく、排ガス流動方向上流側区画では下流側区画に比べて該貴金属の濃度の厚み方向の傾斜が緩やかな構成とすることで触媒活性成分の分散性が得られ、内燃機関の始動時の排ガス浄化性能を向上させながら排ガス浄化用触媒の熱耐久性が実現できることを見出した。
前記第1の触媒層は、排ガスの流動方向に沿って第一区画及び第二区画を有しており、前記第一区画は前記第二区画よりも排ガスの流動方向の上流側に位置しており、
前記第一区画及び前記第二区画はいずれも特定の元素を含む触媒活性成分を有しており、
前記特定の元素の濃度が、前記第二区画よりも前記第一区画の方が高く、
前記第一区画における前記第1の触媒層の厚み方向における前記特定の元素の濃度傾斜が、前記第二区画の厚み方向における前記特定の元素の濃度傾斜に対して緩やかである、排ガス浄化用触媒を提供するものである。
本実施形態の排ガス浄化用触媒の例を図1及び図2に示す。図1に示すように、排ガス浄化用触媒10は、ケーシング20内に配置されて、内燃機関(不図示)から排出される排ガスの流通経路に設置されている。図1及び図2に示すように、排ガス浄化用触媒10は、多孔質基材11と、該多孔質基材11上に形成された触媒層18を有する。触媒層18は、一層であってもよく、二層以上の異なる組成の触媒層からなる多層であってもよい。触媒層18が多層である場合は、そのうちの一層が、排ガス流動方向Xに沿って配置された第一区画14及び第二区画15を有していればよい。第一区画14は第二区画15に対して排ガス流動方向Xの上流側に位置する。図2に示す例では、触媒層18は下層触媒層12と下層触媒層12における多孔質基材11とは反対側の表面に形成された上層触媒層13とを有しており、下層触媒層12が第一区画14及び第二区画15を有する。
また、第二区画15の特定の元素の厚み方向における濃度傾斜とは、第二区画15を触媒層12の厚み方向に沿って触媒層12の表面側とその反対側(多孔質基材11側)とで二等分したときに、表面側における特定の元素の質量b1の、表面側とは反対側(多孔質基材11側)における特定の元素の質量b2に対する比率b1/b2を指す。
第一区画の特定の元素の厚み方向における濃度傾斜が、前記第二区画の特定の元素の厚み方向における濃度傾斜よりも緩やかとは、a1/a2が、b1/b2よりも小さいことを指す。
排ガス浄化用触媒を、バンドソーなどで基材ごと排ガス流動方向に対して直交する断面で切断する。切断後の触媒を、エポキシ樹脂に埋め込み、前記の断面が表面に現れたサンプルとする。このサンプルについてEDXのライン分析により特定の元素の分布を数値化(単位:cps)して得られる特定の元素のゆらぎ曲線において、触媒層12における厚み方向の半分の位置よりも表面側におけるカウント数の積分値と、当該位置よりも基材側におけるカウント数の積分値との比率を求めて、これを質量比率に換算し、特定の元素の厚み方向における濃度傾斜とする。カウント数の積分値は、試料は傾斜させず、ステージ上に水平にセットし、加速電圧を25kV、電子線のスポット径を1μm、測定距離を100μmの条件で、10カ所の観察視野に対して測定を行い、10カ所の測定結果の平均値を求めることで得ることができる。具体的には、上記方法で規定される第一区画14の厚み方向の特定の元素の分布曲線を第一区画14中の異なる10ヶ所について、取得する。特定の元素の分布を、図5に示すように第一区画14の総厚みが1となるように厚み方向に規格化し、10ヶ所の分析結果を平均化することで、第一区画14の厚み方向の平均的な分布を得ることができる。第二区画15についても同様とする。
まず、触媒10は、通常、そのままでは後述する各装置による測定を行うことが難しい大きさであるため、触媒10を切り抜き、直径が20〜30mmである円筒状の触媒サンプルを得る。円筒状の触媒サンプルは、触媒10の長手方向において、触媒10の全長に亘る長さを有するように、且つその中心軸が触媒10の長手方向と同方向となるように切り抜かれたものである。円筒状の触媒サンプルを、その中心軸と直交する断面により、中心軸に沿って触媒10の上流側の端部から下流側の端部まで均等に20分割することで、20個の試験片を得る。得られた20個の試験片について、それぞれ、重量、体積、組成の分析を行い、特定の元素の濃度(g/L)を計算する。各試験片における特定の元素の濃度は、例えば、蛍光X線分析(XRF)装置やICP発光分光分析(ICP−AES)装置により求めることができる。
次いで、各試験片について分析した結果に基づいて、例えば図4に示すような方法で第一区画14、第二区画15及び第三区画16の長さを求めることができる。すなわち、各試験片について分析した結果に基づいて、触媒10の上流側の端部から下流側の端部まで20分割された区間毎に特定の元素の濃度を求め(図4の上のグラフ)、その後、ある区間の濃度の、当該区間の一つ前の区間の濃度に対する比を求め(すなわち、隣接する2つの区間の濃度比を求め)、サンプルの中心軸方向における各区間の位置を横軸に、該区間に係る前記の濃度の比をプロットする(図4の下のグラフ)。なお、図4の上のグラフ及び下のグラフにおいては、横軸は、触媒10の上流側の端部を0.00とし、触媒10の下流側の端部を1.00としている。得られたグラフにおいて、値が0.9以下の変曲点が得られた場合、その変曲点を区画の境界として定義し、第一区画14、第二区画15及び第三区画16における触媒10の排ガス流動方向Xにおける位置及び長さを特定する。変曲点とは、その一つ前の区間よりも前記の濃度比が小さく、且つ、その一つ後の区間よりも前記の濃度比が小さい点を指す。図4に示すグラフは、単に触媒10について測定した結果の一例を示すものにすぎず、これらのグラフは何ら本発明を限定するものではない。
円筒状のサンプルは、例えば10個以上作成し、各サンプルごとに上記の方法で区画長さを特定し、L1、L2及びL3はこれらのサンプルの測定結果の平均値とすることができる。
ZrO2系材料はZrO2を主成分とし、添加材としてY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Yb,Mg,Ca,Sr,Ba等を含んでいても良い。
無機酸化物はAl2O3材料を主成分とし、添加材としてY,Zr,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Yb,Mg,Ca,Sr,Ba等を含んでなるものが好ましい。
(2)担体成分と液媒とを含む下流側区画用スラリーを多孔質基材11における第一区画14形成予定箇所よりも排ガス流動方向Xの下流側に塗布し、次いで多孔質基材11に形成された塗膜を乾燥及び焼成して、表面濃化処理前の第一区画14よりも、特定の元素の濃度を低くした、表面濃化処理前の触媒層区画(以下、下流側区画ともいう)を形成する工程。
(3)(1)及び(2)終了後の多孔質基材11の一部又は全部である第一区画及び第二区画の形成予定箇所を、特定の元素の塩を含有する水溶液中に含浸後、乾燥、焼成して、当該含浸箇所における、触媒層12の表面側の特定の元素の濃度を濃化させる工程。
更に基材に塗布したスラリーは、焼成前に乾燥することが好ましく、その温度としては、40℃〜200℃が好ましく、70℃〜150℃がより好ましい。乾燥時間としては、5分〜6時間が好ましく、10分〜2時間がより好ましい。
また、乾燥後の基材を焼成する温度としては、400℃〜800℃が好ましく、450℃〜600℃がより好ましい。焼成時間としては、30分〜6時間が好ましく、1時間〜4時間がより好ましい。
〔1.下層触媒層用ベーススラリーの調製〕
下記組成及び比表面積のOSC材料を用意した。
OSC材料;CeO2:30質量%、ZrO2:58質量%、La2O3:8質量%、Nd2O3:4質量%、BET比表面積:50m2/g
なお、OSC材料中、CeO2、La2O3、Nd2O3及びZrO2が固溶体を形成していることは上記方法にて確認した。
ボールミルポットに、OSC材料、酸化ランタン修飾アルミナ(La2O3修飾量:3質量%、BET比表面積:100m2/g)、酢酸バリウム及びアルミナゾル、並びに水を加え、ボールミルにより2時間混合し、下層触媒層用ベーススラリーを得た。スラリー中の各成分の量比は、OSC材料50質量%、酸化ランタン修飾アルミナ30質量%、炭酸バリウム10質量%及びアルミナ10質量%となる量とした。
前記の下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウム水溶液を混合し、第一区画用スラリーを得た。第一区画用スラリーに、日本碍子社製のコージェライト製ハニカム状多孔質基材11の排ガス流動方向Xの上流端部から同方向下流に向けて長さLの25%までの部分(以下A領域ともいう)を浸漬させて、多孔質基材11にスラリーを塗工した。その後、多孔質基材11上に形成された塗膜を基材ごと150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、表面濃化処理前の第一区画14を形成した。この第一区画14の量は、多孔質基材11における第一区画14存在部分の体積V1に対して160g/Lであった。表面濃化処理前の第一区画14におけるPd含量は、多孔質基材11の第一区画存在部分の体積V1に対して3g/Lであった。
前記の下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウムの水溶液とを混合し、下流側区画用スラリーを得た。下流側区画用スラリー中の硝酸パラジウム量は、焼成後、表面濃化処理前、下流側区画において、後述するPd濃度を与える量とした。このスラリーに、ハニカム状多孔質基材11における第一区画14非形成部分(多孔質基材11の排ガス流動方向X下流端部から同方向上流に向けて長さLの75%までの部分、以下B+C領域ともいう)を浸漬させて、多孔質基材11にスラリーを塗工した。その後、多孔質基材11を150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、表面濃化処理前の下流側区画(第二区画15及び第三区画16に相当する区画)を形成した。第一区画と、下流側区画との隙間はなかった。この下流側区画の量は、多孔質基材11の下流側区画存在部分の体積(V2+V3)に対して160g/Lであった。下流側区画中のPd含量は、多孔質基材11の下流側区画存在部分の体積(V2+V3)に対して2g/Lであった。第一区画14と下流側区画の厚さの比は概ね1:1であった。
上記〔3.下流側区画の形成〕後の多孔質基材11における、排ガス流動方向Xにおける上流側の半分を、25℃の硝酸パラジウム水溶液(Pd換算濃度:3.5g/L)に48時間浸漬させた。浸漬後の多孔質基材11を、150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成した。第一区画14におけるPd量は、多孔質基材11の第一区画14の存在部分の体積V1に対し6.5g/Lとなった。また、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液の浸漬処理を受けた部分(基材のB領域)として、第二区画15が形成され、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液に浸漬されなかった部分(基材のC領域)として第三区画16が形成された。第二区画15におけるPd量は、多孔質基材11の第二区画15の存在部分の体積V2に対し5.5g/Lとなった。第三区画16におけるPd量は、多孔質基材11の第三区画16の存在部分の体積V3に対し2g/Lとなった。
下記組成及び比表面積のZrO2系材料を用意した。
ZrO2系材料:CeO2:15質量%、ZrO2:73質量%、La2O3:8質量%、Nd2O3:4質量%、BET比表面積:50m2/g
なお、ZrO2系材料中、CeO2、ZrO2、La2O3及びNd2O3が固溶体を形成していることは上記方法にて確認した。
ボールミルポットに、ZrO2系材料、ランタン修飾アルミナ(La2O3修飾量:3質量%、BET比表面積:100m2/g)、アルミナゾル、水を加えてボールミルにより2時間混合し、上層触媒層用ベーススラリーを得た。このスラリーと硝酸ロジウムの水溶液とを混合し、上層触媒層用スラリーを得た。上層触媒層用スラリー中の各成分の量比は、焼成後、上層触媒層13においてロジウム以外の成分比率が、ZrO2系材料60質量%、ランタン修飾アルミナ30質量%、アルミナ10質量%となる量であり、上層触媒層13中のロジウムが0.5質量%となる量とした。
この上層触媒層用スラリーに、下層触媒層12が形成された多孔質基材11全体を浸漬させた。塗工後の多孔質基材11を150℃で2.5時間乾燥させた後、450℃で2.5時間焼成して、上層触媒層13を形成し、これにより、実施例1の排ガス浄化用触媒10を形成した。上層触媒層13は下層触媒層12の表面全域を被覆し、上層触媒層13及び下層触媒層12の面積は一致していた。
この上層触媒層13の量は、多孔質基材11の体積(V1+V2+V3)に対して60g/Lであった。上層触媒層13中のロジウム含量は多孔質基材11の体積(V1+V2+V3)に対して0.3g/Lであった。上層触媒層13の厚さは、下層触媒層を1とした時に0.6であった。
上記の実施例1の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において前記の下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウム水溶液との混合質量比率を変更して第一区画用スラリーを調製した以外は実施例1と同様にして、表面濃化処理前の第一区画14を製造した。表面濃化処理前の第一区画14中のパラジウム含量は4g/Lであった。その後、実施例1と同様の手順で〔3.下流側区画の形成〕を行った後、実施例1と硝酸パラジウム水溶液の濃度を、Pd換算濃度で3g/Lとした以外は、実施例1と同様にして、第一区画14及び下流側区画の上流側において、表面側におけるPd濃化処理を行った。第一区画14におけるPd量は、多孔質基材11の第一区画14の存在部分の体積V1に対し7g/Lとなった。また、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液の浸漬処理を受けた部分として、第二区画15が形成され、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液に浸漬されなかった部分として第三区画16が形成された。第二区画15におけるPd量は、多孔質基材11における第二区画15の存在部分の体積V2に対し5g/Lとなった。第三区画16におけるPd量は、多孔質基材11における第三区画16の存在部分の体積V3に対し2g/Lとなった。更に実施例1の〔5.上層触媒層の形成〕と同様にして上層触媒層13を形成して、排ガス浄化用触媒10を得た。
上記の実施例1の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において前記の下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウム水溶液との混合質量比率を変更して第一区画用スラリーを調製した以外は実施例1と同様にして、表面濃化処理前の第一区画14を製造した。第一区画14中のパラジウム含量は6g/Lであった。その後、実施例1と同様の手順で〔3.下流側区画の形成〕を行った後、実施例1と硝酸パラジウム水溶液の濃度を、Pd換算濃度で2g/Lとした以外は、実施例1と同様にして、第一区画14及び下流側区画の上流側において、表面側におけるPd濃化処理を行った。第一区画14におけるPd量は、多孔質基材11の第一区画14の存在部分の体積V1に対し8g/Lとなった。また、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液の浸漬処理を受けた部分として、第二区画15が形成され、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液に浸漬されなかった部分として第三区画16が形成された。第二区画15におけるPd量は、多孔質基材11における第二区画15の存在部分の体積V2に対し4g/Lとなった。第三区画16におけるPd量は、多孔質基材11における第三区画16の存在部分の体積V3に対し2g/Lとなった。更に実施例1の〔5.上層触媒層の形成〕と同様にして上層触媒層13を形成して、排ガス浄化用触媒10を得た。
上記の実施例1の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において前記の下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウム水溶液との混合質量比率を変更して第一区画用スラリーを調製した以外は実施例1と同様にして、表面濃化処理前の第一区画14を製造した。第一区画14中のパラジウム含量は2g/Lであった。その後〔3.下流側区画の形成〕において、下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウムの水溶液との混合質量比率を変更して下流側区画用スラリーを調製した以外は実施例1と同様にして、表面濃化処理前の下流側区画を得た。下流側区画中のPd含量は、多孔質基材11の下流側区画存在部分の体積(V2+V3)に対して1g/Lであった。次に〔4.Pd表面濃化担持〕において、硝酸パラジウム水溶液の濃度を、Pd換算濃度で5.5g/Lとした以外は、実施例1と同様にして、第一区画14及び下流側区画の上流側において、表面側におけるPd濃化処理を行った。第一区画14におけるPd量は、多孔質基材11の第一区画14の存在部分の体積V1に対し7.5g/Lとなった。また、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液の浸漬処理を受けた部分として、第二区画15が形成され、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液に浸漬されなかった部分として第三区画16が形成された。第二区画15におけるPd量は、多孔質基材11における第二区画15の存在部分の体積V2に対し6.5g/Lとなった。第三区画16におけるPd量は、多孔質基材11における第三区画16の存在部分の体積V3に対し1g/Lとなった。更に実施例1の〔5.上層触媒層の形成〕と同様にして上層触媒層13を形成して、排ガス浄化用触媒10を得た。
上記の実施例1の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕において前記の下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウム水溶液との混合質量比率を変更して第一区画用スラリーを調製した以外は実施例1と同様にして、表面濃化処理前の第一区画14を製造した。第一区画14中のパラジウム含量は3g/Lであった。その後実施例1の〔3.下流側区画の形成〕において下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウムの水溶液とを混合との混合質量比率を変更して下流側区画用スラリーを調製した以外は実施例1と同様にして、表面濃化処理前の下流側区画を得た。下流側区画中のPd含量は、多孔質基材11の下流側区画存在部分の体積(V2+V3)に対して1g/Lであった。次に実施例1の〔4.Pd表面濃化担持〕において、実施例1と硝酸パラジウム水溶液の濃度を、Pd換算濃度で5g/Lとした以外は、実施例1と同様にして、第一区画14及び下流側区画の上流側において、表面側におけるPd濃化処理を行った。第一区画14におけるPd量は、多孔質基材11の第一区画14の存在部分の体積V1に対し8g/Lとなった。また、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液の浸漬処理を受けた部分として、第二区画15が形成され、下流側区画のうち硝酸パラジウム水溶液に浸漬されなかった部分として第三区画16が形成された。第二区画15におけるPd量は、多孔質基材11における第二区画15の存在部分の体積V2に対し6g/Lとなった。第三区画16におけるPd量は、多孔質基材11における第三区画16の存在部分の体積V3に対し1g/Lとなった。更に実施例1の〔5.上層触媒層の形成〕と同様にして上層触媒層13を形成して、排ガス浄化用触媒10を得た。
実施例3の〔2.表面濃化処理前の第一区画の形成〕で得た第一区画用スラリーに、多孔質基材11における排ガス流動方向Xの上流側半分(実施例1の第一区画及び第二区画に対応する部分)を浸漬させたのち、実施例3と同様に乾燥、焼成させて、パラジウムが均一分散した区画を形成した。この区画の量は、多孔質基材11における当該区画存在部分の体積(V1+V2)に対して160g/Lであった。当該上流側の区画におけるパラジウム含量は、多孔質基材11の当該区画存在部分の体積(V1+V2)に対して6g/Lであった。次いで、実施例3の〔3.下流側区画の形成〕で得た下流側区画用スラリーに多孔質基材11の排ガス流動方向Xにおける下流側半分(実施例1の第三区画に対応する部分)を浸漬させた後、実施例3と同様に乾燥、焼成させて、パラジウムが均一に分散した下流側の区画を形成した。この区画の量は、多孔質基材11の当該区画存在部分の体積V3に対して160g/Lであった。当該区画中のPd含量は、多孔質基材11の当該区画存在部分の体積V3に対して2g/Lであった。
その後、実施例3の〔4.Pd表面濃化担持〕を行わずにそのまま〔5.上層触媒層の形成〕を行い、排ガス浄化用触媒10を得た。
実施例3の〔1.下層触媒層用ベーススラリーの調製〕で得た下層触媒層用ベーススラリーに多孔質基材11の排ガス流動方向Xにおける上流側半分(実施例1の第一区画及び第二区画に対応する部分)を浸漬させた後に、実施例3と同様に乾燥、焼成させて、触媒活性成分を非含有である表面濃化処理前の区画を形成した。この区画の量は、多孔質基材11の当該区画の存在部分体積(V1+V2)に対して160g/Lであった。次いで、実施例3の〔3.下流側区画の形成〕で得た下流側区画用スラリーに多孔質基材11の排ガス流動方向Xにおける下流側半分を浸漬させた後、実施例3と同様に乾燥、焼成させて、パラジウムが均一に分散した下流側の区画(実施例1の第三区画16に対応する部分)を形成した。当該区画の量は、多孔質基材11の当該区画存在部分の体積V3に対して160g/Lであった。当該区画中のPd含量は、多孔質基材11の当該区画存在部分の体積V3に対して2g/Lであった。下層触媒層が形成された多孔質基材11について、硝酸パラジウム水溶液の濃度を、Pd換算濃度で6g/Lとした以外は、実施例1の〔4.Pd表面濃化担持〕と同様にして、多孔質基材11の排ガス流動方向Xにおける上流側半分に形成された触媒層について、表面側におけるPd濃化処理を行った。下層触媒層12におけるPd濃化処理を受けた部分(実施例1における第一区画14及び第二区画15に対応する部分)におけるPd量は、多孔質基材11の上流側区画の存在部分の体積(V1及びV2)に対し6g/Lとなった。また、下層触媒層12における硝酸パラジウム水溶液に浸漬されなかった部分(実施例1における第三区画16に対応する部分)におけるPd量は、多孔質基材11におけるこの非浸漬部分の存在部分の体積に対し2g/Lとなった。更に実施例1の〔5.上層触媒層の形成〕と同様にして上層触媒層13を形成して、排ガス浄化用触媒10を得た。
実施例1の〔1.下層触媒層用ベーススラリーの調製〕で得た下層触媒層用ベーススラリーと硝酸パラジウム水溶液との混合比率を実施例1から変更して第一区画用スラリーを調製し、これに多孔質基材11における、排ガス流動方向Xの上流端部から下流に向けて長さLの25%までの部分を浸漬させたのち、実施例3と同様に乾燥、焼成させて、パラジウムが均一分散した第一区画14を形成した。この第一区画14の量は、多孔質基材11における第一区画14存在部分の体積V1に対して160g/Lであった。第一区画14におけるパラジウム含量は、多孔質基材11の第一区画14存在部分の体積V1に対して10g/Lであった。次いで、実施例3の〔2.第一区画の形成〕で得た下流側区画用スラリーに多孔質基材11の排ガス流動方向X下流端部から上流側に向けて長さLの75%までの部分(実施例1の第二区画15及び第三区画16対応部分)を浸漬させた後、実施例3と同様に乾燥、焼成させて、パラジウムが均一に分散した下流側の区画を形成した。当該区画の量は、多孔質基材11の当該区画存在部分の体積(V2+V3)に対して160g/Lであった。当該区画中のPd含量は、多孔質基材11の当該区画存在部分の体積(V2+V3)に対して2g/Lであった。
その後、実施例3の〔4.Pd表面濃化担持〕を行わずにそのまま〔5.上層触媒層の形成〕を行い、排ガス浄化用触媒10を得た。
実施例3の〔1.下層触媒層用ベーススラリーの調製〕で得た下層触媒層用ベーススラリーに、多孔質基材11における排ガス流動方向Xの上流側25%の長さ部分を浸漬させた後に実施例3と同様に乾燥、焼成させて、触媒活性成分を非含有である表面濃化処理前の第一区画14対応部分を形成した。この第一区画14対応部分の量は、多孔質基材11の第一区画14存在部分の体積V1に対して160g/Lであった。次いで、実施例3の〔3.下流側区画の形成〕で得た下流側区画用スラリーに、基材11における、排ガス流動方向Xの下流端部から上流に向けて長さLの75%までの部分(実施例1の第二区画15及び第三区画16に対応する部分)を浸漬させた後、実施例3と同様に乾燥、焼成させて、パラジウムが均一に分散した下流側の区画を形成した。下流側の区画の量は、多孔質基材11の下流側区画存在部分の体積(V2+V3)に対して160g/Lであった。下流側区画中のPd含量は、多孔質基材11の下流側区画存在部分の体積(V2+V3)に対して2g/Lであった。下層触媒層12が形成された多孔質基材11について、実施例1と硝酸パラジウム水溶液の濃度を、Pd換算濃度で10g/Lとした以外は、実施例1の〔4.Pd表面濃化担持〕と同様にして、下層触媒層12の排ガス流動方向Xにおける上流側25%の長さ部分において、表面側におけるPd濃化処理を行った。下層触媒層12におけるPd濃化処理を受けた部分におけるPd量は、多孔質基材11の第一区画14の対応部分の体積V1に対し10g/Lとなった。また、下層触媒層12における硝酸パラジウム水溶液に浸漬されなかった部分におけるPd量は、多孔質基材11におけるこの非浸漬部分の存在部分の体積(V2+V3)に対し2g/Lとなった。更に実施例1の〔5.上層触媒層の形成〕と同様にして上層触媒層13を形成して、排ガス浄化用触媒10を得た。
具体的には、排ガス浄化用触媒に、下記条件にてエンジンを稼働させて排出した排ガスを接触させた状態で、触媒温度を下記温度に保ち、下記の時間処理した。
(耐久条件)
・耐久用エンジン:乗用NA 2L ガソリンエンジン
・使用ガソリン:市販レギュラーガソリン
・耐久温度・時間:900℃−100hr
・触媒前段空燃比変動:A/F=13.5(10sec)→15.5(20sec)→13.5(10sec)の繰り返し
(T50、η500測定条件)
下記エンジンの下流に排気管を介して温調装置、耐久後の排ガス浄化用触媒をこの順で配置した。排ガス浄化用触媒に流入するガス温度を常温から漸次上昇させていき、触媒を通過した排ガスに含まれるHC量を下記装置にて求め、A:触媒未設置のHC検出量、B:触媒設置後のHC検出量としたときに、下記式にてHC浄化率を求めた。結果を表1及び図6に示す。
HC浄化率(%)=(A−B)/A×100
HC浄化率が50%に達したときの触媒のガス温度をライトオフ温度T50として求めた。T50は、30℃/分昇温時と、400℃/分昇温時それぞれの場合について測定した。
またη500はT50測定と同様にして、装置に流入する排ガスを、500℃で温度一定としたときのHC浄化率である。
・評価エンジン:乗用NA 2L ガソリンエンジン
・使用ガソリン:認証試験用燃料
・触媒前段空燃比:A/F=14.6
・昇温速度:100℃から500℃まで30℃/min、及び100℃から500℃まで400℃/min
・SV=10万/h
・全炭化水素(THC)量の測定:堀場製作所社製のFID検出器を用いて行った。
各実施例は400℃/分の昇温速度でのT50が、359.2℃以下であり、比較例3、4と同程度以上の性能を有している。しかも、熱耐久性が改善しており、30℃/分の昇温速度でのT50が、300.5℃以下と低く、500℃での浄化率η500は94.9%以上と高水準にある。
これに対し、図6に示すように、比較例1から比較例4にかけて、400℃/分の昇温速度は一応改善する傾向にある。しかし、耐熱性が必要な30℃/分の昇温速度及びη500は比較例1から比較例4にかけて悪化する傾向にある。
具体的には、比較例1は、各実施例と低速昇温時のT50、η500は同レベル以下であるが、高速昇温時のT50は極端に高い。つまり各実施例に比してエンジン始動時の排ガス浄化性能が極端に劣っている。
比較例2は、η500が各実施例と同レベル以下であるが、上流側のA領域に含まれるPd量が不十分であるため、高速昇温時のT50が大幅に高く、また、表層付近の過度なPdの濃化によってPdのシンタリングが生じたため低速昇温時のT50も高い。従って、各実施例に比してエンジン始動時の排ガス浄化性能が大幅に劣っている。
比較例3及び4は、各実施例に比してη500が低く、低速昇温時のT50が高い。従って各実施例に比してエンジン始動時の排ガス浄化性能に劣り、触媒活性成分の分散性及びそれによる耐熱性も劣っている。
Claims (10)
- 第1の触媒層を有する排ガス浄化用触媒であって、
前記第1の触媒層は、排ガスの流動方向に沿って第一区画及び第二区画を有しており、前記第一区画は前記第二区画よりも排ガスの流動方向の上流側に位置しており、
前記第一区画及び前記第二区画はいずれも特定の元素を含む触媒活性成分を有しており、
前記特定の元素の濃度が、前記第二区画よりも前記第一区画の方が高く、
前記第一区画を前記第1の触媒層の厚み方向に沿って2等分した際に、該第1の触媒層の表面側に存在する前記特定の元素の質量a1の該第1の触媒層の表面側に対して反対側に存在する前記特定の元素の質量a2に対する濃度傾斜をa1/a2としたときにa1/a2が1.0以上であり、
前記第二区画を前記第1の触媒層の厚み方向に沿って2等分した際に、該第1の触媒層の表面側に存在する前記特定の元素の質量b1の該第1の触媒層の表面側に対して反対側に存在する前記特定の元素の質量b2に対する濃度傾斜をb1/b2とした場合、a1/a2が、b1/b2よりも小さく、
前記特定の元素はパラジウム、ロジウム又は白金であり、
パラジウム、白金及びロジウムの合計濃度が、前記第二区画よりも前記第一区画の方が高く、
前記第一区画を前記第1の触媒層の厚み方向に沿って2等分し、該第1の触媒層の表面側に存在するパラジウム、白金及びロジウムの合計の質量a1’の該第1の触媒層の表面側に対して反対側に存在するパラジウム、白金及びロジウムの合計の質量a2’に対する濃度傾斜をa1’/a2’としたときにa1’/a2’が1.0以上であり、前記第二区画を前記第1の触媒層の厚み方向に沿って2等分した際に、該第1の触媒層の表面側に存在するパラジウム、白金及びロジウムの合計の質量b1’の該第1の触媒層の表面側に対して反対側に存在するパラジウム、白金及びロジウムの合計の質量b2’に対する濃度傾斜をb1’/b2’とした場合、a1’/a2’が、b1’/b2’よりも小さい、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1記載の排ガス浄化用触媒であって、
b1/b2に対するa1/a2の比が0.33以上0.95以下である排ガス浄化用触媒。 - 請求項1又は2記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記濃度傾斜a1/a2が1.0〜3.0である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1〜3の何れか1項記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記濃度傾斜b1/b2が1.1〜5.0である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1〜4の何れか1項記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第1の触媒層は、前記第二区画の下流側に更に第三区画を備えており、
前記第三区画は前記特定の元素を含む触媒活性成分を有しており、
前記第三区画における前記第1の触媒層の厚み方向における前記特定の元素の濃度傾斜が、前記第二区画の厚み方向における前記特定の元素の濃度傾斜に対して緩やかである、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1〜5の何れか1項記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第一区画と前記第二区画は、前記特定の元素の濃度が、単位体積当たりの質量比で第二区画を1とした際に第一区画が1.1以上である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項5記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第二区画と前記第三区画は、前記特定の元素の濃度が、単位体積当たりの質量比で第三区画を1とした際に第二区画が1.1以上である、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1〜7の何れか1項記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記特定の元素は、パラジウムである、排ガス浄化用触媒。 - 請求項1〜8の何れか1項記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記第1の触媒層の表面に更に別の第2の触媒層を設けてなる排ガス浄化用触媒。 - 請求項9記載の排ガス浄化用触媒であって、
前記特定の元素は、パラジウムであり、
前記第2の触媒層がロジウムを含有する排ガス浄化用触媒。
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