JP6635228B2 - 液晶化合物及びその組成物 - Google Patents

Description

本発明は有機電子材料や医農薬、特に液晶表示素子用材料として有用な縮合環を有する化合物及びこれらを用いた液晶組成物に関する。

液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等の駆動方式がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的要因に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相（ネマチック相、スメクチック相及びブルー相等）を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。更に液晶組成物は個々の表示素子にあわせて誘電率異方性（Δε）及び屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物を選択し、構成されている。

液晶組成物を表示素子等として使用する際には、広い温度範囲において安定なネマチック相を示すことが求められる。広い温度範囲にてネマチック相を維持するためには、液晶組成物を構成する個々の成分が他の成分との高い混和性を持つこと、及び高い透明点（Ｔ_ｎｉ）を持つ事が求められる。 また、液晶組成物を表示素子等として使用する際には、可能な限り回転粘性係数（γ_１）が低いことが求められる。γ_１の低い液晶組成物を得るためには様々な方法があるが、その一つとして大きな｜Δε｜（外挿値）を有する化合物を用いる事が知られている。この理由について以下に説明する。液晶組成物のγ_１を低下させるためには、｜Δε｜（外挿値）がほぼ０であり低いγ_１（外挿値）を示す非極性化合物の使用量を可能な限り増やすことが有効である。一般的に必要とされる組成物のΔεは液晶パネルごとに決まっており、Δεを付与するためにγ_１（外挿値）の大きな極性化合物を添加している。したがって、大きな｜Δε｜（外挿値）を示す化合物に置き換える事で、非極性化合物の使用量を増やすことが出来るため、結果として液晶組成物のγ_１低下を達成することが出来る。

このように、高いＴ_ｎｉを示し、また、大きな｜Δε｜（外挿値）を示す化合物の開発が求められている。これまで、ジベンゾフラン構造を有する下記のような化合物が報告されているが、Ｔ_ｎｉが十分に大きくないという課題があった（特許文献１及び特許文献２）。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルキニル基を表し、ｍ及びｎは各々独立して０又は１を表す。）

独国特許出願公開第１０２０１５００２２９８号明細書 独国特許出願公開第１０２０１５００３４１１号明細書

本発明が解決しようとする課題は、高いＴ_ｎｉを示し、また、大きなΔεを有する化合物を提供し、併せて当該化合物を構成部材とする液晶組成物及び液晶表示素子を提供することである。

前記課題を解決するため、本願発明者らは種々の化合物の検討を行った結果、下記縮合環を有する化合物が効果的に課題を解決できることを見出し、本願発明の完成に至った。

本願発明は、一般式（ｉ）

（式中、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基を表し、
Ｙ^ｉ１及びＹ^ｉ２はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯＯ−、−ＣＦ_２−、−ＣＯ−、−ＣＸ^ｉ３Ｘ^ｉ４−を表し、ただし、Ｙ^ｉ１及びＹ^ｉ２のいずれか一つ以上は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯＯ−を表し、
Ｘ^ｉ３、Ｘ^ｉ４はそれぞれ独立してＸ^ｉ１と同じ意味を表し、
Ｗ^ｉ１は

（但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）を表し、
Ｗ^ｉ２は単結合又は−ＣＬ^ｉ９Ｌ^ｉ１０−を表し、
Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４、Ｌ^ｉ５、Ｌ^ｉ６、Ｌ^ｉ７、Ｌ^ｉ８、Ｌ^ｉ９及びＬ^ｉ１０はそれぞれ独立して水素原子、臭素原子、よう素原子、水酸基、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基又は

（式中、Ｒ^ｉ１は水素原子、臭素原子、よう素原子、水酸基、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基又は炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表し、
Ａ^ｉ１は
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する１つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
（ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、また、ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、
Ｚ^ｉ１は、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
ｎ^ｉ１は１又は２を表すが、ｎ^ｉ１が２を表しＡ^ｉ１及びＺ^ｉ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
で表される基を表し、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４、Ｌ^ｉ５、Ｌ^ｉ６、Ｌ^ｉ７、Ｌ^ｉ８、Ｌ^ｉ９及びＬ^ｉ１０中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、また、アルキル基又はアルケニル基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
で表される基を表す。）
で表される化合物を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子、並びに当該化合物の製造方法及びその中間体を提供する。

本発明により提供される、一般式（ｉ）で表される化合物は、高い透明点（Ｔ_ｎｉ）を有する。従って、一般式（ｉ）で表される化合物を液晶組成物の成分として用いる事により、広い温度範囲において安定なネマチック相を示すことができる。また、本発明により提供される、一般式（ｉ）で表される化合物は、大きな｜Δε｜を示しさらに化学的に高い安定性を併せ持つ。従って、一般式（ｉ）で表される化合物を液晶組成物の成分として用いる事により、低いγ_１を示す液晶組成物を得ることができる。このため、高速応答が求められる液晶表示素子用の液晶組成物の構成成分として非常に有用である。

Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２はそれぞれ独立して、フッ素原子を表すことが好ましく、より負に大きなΔεを示すにはＸ^ｉ１及びＸ^ｉ２が共にフッ素原子を表すことがより好ましい。

Ｙ^ｉ１及びＹ^ｉ２はそれぞれ独立して、酸素原子または硫黄原子を表すことが好ましく、より負に大きなΔεを示すにはＹ^ｉ１及びＹ^ｉ２が共に酸素原子または硫黄原子を表すことがより好ましい。負に大きなΔεを示しつつ液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには共に酸素原子であることが好ましい。γ_１を重視する場合にはＹ^ｉ１及びＹ^ｉ２のいずれかが−ＣＨ_２−であることが好ましく、Ｙ^ｉ２が−ＣＨ_２−であることがより好ましい。より大きなΔｎを示すには共に硫黄原子であることが好ましい。

Ｗ^ｉ１は

（但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
であることが好ましく、Ｔ_ｎｉ及びγ_１を重視する場合には

（但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
であることがより好ましく、他の液晶成分との混和性を上昇させるためには

（但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
であることがより好ましく、大きなΔｎを示すには

（但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
であることがより好ましい。

Ｗ^ｉ２は単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましい。

Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ２はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表すことが好ましく、γ_１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。｜Δε｜を大きくさせるためには、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基であることが特に好ましい。他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ２が異なることが好ましく、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基はＬ^ｉ１及びＬ^ｉ２のいずれか一方であることが好ましく、アルコキシ基はＬ^ｉ１であることが特に好ましい。Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ２中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されていても良いが、フッ素原子に置換されていないことが好ましい。

また、Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ２は

を表すことが好ましい。

Ｒ^ｉ１はγ_１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。｜Δε｜を大きくさせるためには、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基であることが特に好ましい。Ｒ^ｉ１が複数存在する場合、他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｒ^ｉ１が互いに異なることが好ましく、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基は複数存在するＲ^ｉ１のうちいずれか一つであることが好ましく、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基はＬ^ｉ１中のＲ^ｉ１であることが特に好ましい。Ｒ^ｉ１中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されていても良いが、フッ素原子に置換されていないことが好ましい。

Ａ^ｉ１は

から選ばれる基を表すことが好ましい。具体的には、Ａ^１はγ_１を低下させる為にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが特に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。Ｔ_ｎｉを上昇させる為には、無置換の１，４−フェニレン基、無置換の１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は無置換のナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましい。負に大きなΔεを示すためには、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基又は２，３−ジフルオロー１，４−フェニレン基であることが好ましい。負に大きなΔεを示しながら、他の液晶成分との混和性を両立させるためには、Ａ^ｉ１中に存在するフッ素原子の数の合計は、１〜４であることが好ましく、１〜３であることが特に好ましい。

Ｚ^ｉ１は、γ_１を低下させる為には単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＯＣＨ_２−であることが好ましく、単結合又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−であることが更に好ましい。Ｔ_ｎｉを上昇させるためには、単結合、−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−であることが好ましく、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−であることが更に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＯＣＨ_２−であることが好ましい。液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには単結合であることが好ましい。

ｎ^ｉ１が２を表す場合、複数存在するＺ^ｉ１のいずれか一つ以上が単結合を表すことが好ましい。ｎ^ｉ１はγ_１を重視する場合には１であることが好ましい。Ｔ_ｎｉを重視する場合には２であることが好ましい。

Ｌ^ｉ３は水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、γ_１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。

また、Ｌ^ｉ１が水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表す場合、Ｌ^ｉ３は

を表すことが好ましい。

Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表すことが好ましく、水素原子を表すことがより好ましい。

Ｌ^ｉ６及びＬ^ｉ７はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表すことが好ましく、γ_１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。
Ｌ^ｉ８は水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、γ_１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。

また、Ｌ^ｉ２が水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表す場合、Ｌ^ｉ８が、

を表すことが好ましい。

Ｌ^ｉ９及びＬ^ｉ１０はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表すことが好ましく、水素原子を表すことがより好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物において

で表される基が存在する場合、他の液晶成分との混和性を高くする為に、当該基の数は２つ以下であることが好ましい。一般式（ｉ）中に当該基の数が２つ存在する場合、Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ２、Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ８、Ｌ^ｉ３及びＬ^ｉ２、又はＬ^ｉ３及びＬ^ｉ８の位置に存在することが好ましい。一般式（ｉ）中に当該基の数が２つ存在する場合、Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ２の位置に存在することが好ましい。 なお、一般式（ｉ）で表される化合物において、ヘテロ原子同士が直接結合する構造となることはない。
一般式（ｉ）の中では以下の一般式（ｉ−１）〜一般式（ｉ−９４６）で表される各化合物が好ましい。その中で特に好ましい化合物は、（ｉ−１）、（ｉ−２）、（ｉ−３）、（ｉ−４）、（ｉ−５）、（ｉ−６）、（ｉ−７）、（ｉ−８）、（ｉ−９）、（ｉ−１０）、（ｉ−１１）、（ｉ−１２）である。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１と同じ意味を表す。）

本発明において、一般式（ｉ）で表される化合物は、例えば、一般式（ｉ−ｒ１）

（式中Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ１、Ｌ^ｉ２及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ２、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ１、Ｌ^ｉ２及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表すが、複数存在するＸ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、もしくはプロピル基を表すか、またはＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４は互いに結合して環状の構造となり−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、又は−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−を表し、
破線は結合が存在しなくても良く、存在しても良いことを表す。）
で表される化合物と、一般式（ｉ−ｒ２）

（式中Ｘ^ｉ１、Ｙ^ｉ１、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＷ^ｉ２は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｙ^ｉ１、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＷ^ｉ２とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｘ^ｉ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。）
で表される化合物を遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより、一般式（ｉ−ｒ３）

（式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ１、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ１、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表すが、複数存在するＸ^ｉ２は同一であっても異なっていてもよく、
破線は結合が存在しなくても良く、存在しても良いことを表す。）
で表される化合物を得た後、該一般式（ｉ−ｒ３）中の−Ｙ^ｉ１−Ｈを塩基により脱プロトン化しアニオンを生成することで分子内反応させることによって得られる。
また一般式（ｉ）で表される化合物は、例えば、一般式（ｉ−ｒ４）

（式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｌ^ｉ１１はＬ^ｉ１と同じ意味を表す。）
で表される化合物を有機金属試薬により脱プロトン化した後、臭素又はよう素と反応させることにより、一般式（ｉ−ｒ５）

（式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｌ^ｉ１１はＬ^ｉ１と同じ意味を表し、
Ｘ^ｉ３は臭素原子又はよう素原子を表す。）
で表される化合物を得、一般式（ｉ−ｒ６）

（式中Ｌ^ｉ２は一般式（ｉ）におけるＬ^ｉ２と同じ意味を表す。）
で表される化合物と遷移金属触媒、銅触媒及び塩基存在下反応させることにより、一般式（ｉ−ｒ７）

（式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｌ^ｉ１１はＬ^ｉ１と同じ意味を表す。）
で表される化合物を得た後、該一般式（ｉ−ｒ７）中の−Ｙ^ｉ２−Ｌ^ｉ１１を水存在下酸による脱保護反応と分子内反応を同時に進行させることによってＷ^ｉ１が

（但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
で表されるものとして得られる。またその化合物の二重結合に付加反応させることによってＷ^ｉ１が

（但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
で表されるものが得られる。より具体的には、以下のようにして製造することができる。勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。
（製造方法１）

（式中、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２は、一般式（ｉ）におけるＬ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２と同じ意味を表し、
Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、もしくはプロピル基を表すか、またはＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４は互いに結合して環状の構造となり−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、又は−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−を表し、
Ｌ^ｉ１１はＬ^ｉ１と同じ意味を表し、
Ｘ^ｉ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し、
Ｘ^ｉ４は塩素原子、臭素原子又はよう素原子を表し、
Ｘ^ｉ５は臭素原子又はよう素原子を表し、
Ｙ^ｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−１）で表される化合物を（Ｓ−２）で表される化合物と遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより一般式（Ｓ−３）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。

使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じて水を用いても良い。

使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、りん酸三カリウム、りん酸二水素カリウム等のりん酸塩が好ましく、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸三カリウムが更に好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。
一般式（Ｓ−３）で表される化合物を分子内反応させることによって一般式（Ｓ−４）で表される化合物を得ることができる。この分子内反応は一般式（Ｓ−３）の−Ｙ^ｉ３−Ｈを塩基により脱プロトン化しアニオンを生成することで行うことができる。
この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属りん酸塩としてはりん酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。

反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。

反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。

一般式（Ｓ−４）で表される化合物を酸化することにより一般式（Ｓ−５）で表される化合物を得ることができる。この酸化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、ほう酸トリアルキルと反応させてほう素化合物とし、その後酸化剤を作用させることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム ジイソプロピルアミドおよびリチウム ２，２，４，４−テトラメルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。

ほう酸トリアルキルとしては、ほう酸トリメチル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリプロピルおよびほう酸トリイソプロピルを用いるのが好ましいが、入手および取り扱いの容易さからほう酸トリメチルおよびほう酸トリイソプロピルがより好ましい。ほう酸トリアルキルと有機金属試薬の組み合わせとしては、上記で挙げたいずれの組み合わせも可能であるが、ｓｅｃ−ブチルリチウムとほう酸トリメチルの組み合わせ、およびリチウム ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせが好ましく、リチウム ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせがより好ましい。ほう素化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。得られたほう素化合物は一度単離してもよく、単離せずそのまま酸化剤と反応させてもよい。また、得られたほう素化合物を加水分解してほう酸化合物へと変換した後に酸化剤と反応させても構わない。

酸化剤としては、過酸化水素水、過酢酸または過ギ酸を用いるのが好ましい。反応温度は−７８℃から７０℃が好ましく、０℃から５０℃がより好ましい。また、酸化剤との反応時には、溶媒に水が含まれていても構わない。
一般式（Ｓ−５）の水酸基を塩基によりフェノラートとして一般式（Ｓ−６）と反応させることによって一般式（Ｓ−７）で表される化合物を得ることができる。

この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属リン酸塩としてはリン酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。

反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。なお、生成したフェノラートを一度単離してから一般式（Ｓ−５）で表される化合物と反応させてもよく、単離せずに反応させてもよいが、作業の容易さから単離せずに反応させたほうがよい。
一般式（Ｓ−７）で表される化合物をハロゲン化することにより一般式（Ｓ−８）で表される化合物を得ることができる。このハロゲン化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、臭素又はよう素と反応させてハロゲン化合物とすることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。

有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム ジイソプロピルアミドおよびリチウム ２，２，４，４−テトラメチルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
一般式（Ｓ−８）で表される化合物を（Ｓ−９）で表される化合物と遷移金属触媒、銅触媒及び塩基存在下反応させることにより一般式（Ｓ−１０）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。
使用する銅触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、よう化銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）等の１価の銅触媒が好ましく、よう化銅（Ｉ）であることが更に好ましい。

使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等の極性溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じて水を用いても良い。

使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、トリエチルアミン、ジエチルアミン、エチルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン、メチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン、イソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−テトラメチルエチレンジアミン、エチレンジアミン、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、エタノールアミン等のアミン、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、りん酸三カリウム、りん酸二水素カリウム等のりん酸塩が好ましく、トリエチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミンが更に好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。

一般式（Ｓ−１０）で表される化合物を水存在下酸による脱保護と分子内反応を同時に行うことにより一般式（Ｓ−１１）で表される化合物を得ることができる。

使用する酸としては反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、塩酸、硫酸等の無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸類等が好ましく、塩酸が更に好ましい。

使用する溶媒としては反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール等の水溶性溶媒が好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、室温から溶媒の沸点までの温度が好ましい。

一般式（Ｓ−１１）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させることにより一般式（Ｓ−１２）で表される化合物を得ることができる。

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。

使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。

反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。
（製造方法２）

（式中、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１は、一般式（ｉ）におけるＬ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１と同じ意味を表し、
Ｒ^ｉ３及びＲ^ｉ４はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、もしくはプロピル基を表すか、またはＲ^ｉ３及びＲ^ｉ４は互いに結合して環状の構造となり−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、又は−ＣＨ_２−Ｃ（ＣＨ_３）_２−ＣＨ_２−を表し、
Ｘ^ｉ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し、
Ｘ^ｉ４は臭素原子又はよう素原子を表し、
Ｙ^ｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−１３）で表される化合物をほう素化することにより一般式（Ｓ−１４）で表される化合物を得ることができる。このほう素化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、ほう酸トリアルキルと反応させてほう素化合物とすることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。

有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム ジイソプロピルアミドおよびリチウム ２，２，４，４−テトラメチルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。

ほう酸トリアルキルとしては、ほう酸トリメチル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリプロピルおよびほう酸トリイソプロピルを用いるのが好ましいが、入手および取り扱いの容易さからほう酸トリメチルおよびほう酸トリイソプロピルがより好ましい。ほう酸トリアルキルと有機金属試薬の組み合わせとしては、上記で挙げたいずれの組み合わせも可能であるが、ｓｅｃ−ブチルリチウムとほう酸トリメチルの組み合わせ、およびリチウム ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせが好ましく、リチウム ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせがより好ましい。ほう素化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
一般式（Ｓ−１４）で表される化合物を（Ｓ−１５）で表される化合物と遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより一般式（Ｓ−１６）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。

使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じて水を用いても良い。

使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、りん酸三カリウム、りん酸二水素カリウム等のりん酸塩が好ましく、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸三カリウムが更に好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。
一般式（Ｓ−１６）で表される化合物を分子内反応させることによって一般式（Ｓ−１７）で表される化合物を得ることができる。この分子内反応は一般式（Ｓ−１６）の−Ｙ^ｉ３−Ｈを塩基により脱プロトン化しアニオンを生成することで行うことができる。
この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属りん酸塩としてはりん酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。

反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。

反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。
一般式（Ｓ−１７）で表される化合物をハロゲン化することにより一般式（Ｓ−１８）で表される化合物を得ることができる。このハロゲン化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、臭素又はよう素と反応させてハロゲン化合物とすることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。

有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム ジイソプロピルアミドおよびリチウム ２，２，４，４−テトラメチルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
一般式（Ｓ−１８）で表される化合物を（Ｓ−１９）で表される化合物と遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより一般式（Ｓ−２０）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。

使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じて水を用いても良い。

使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、りん酸三カリウム、りん酸二水素カリウム等のりん酸塩が好ましく、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸三カリウムが更に好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。
（製造方法３）

（式中、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１は、一般式（ｉ）におけるＬ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１と同じ意味を表し、
Ｘ^ｉ５は塩素、臭素、よう素、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し、
Ｙ^ｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表し、
Ｒ^ｉ２は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表す。）
一般式（Ｓ−１７）で表される化合物を酸化することにより一般式（Ｓ−２１）で表される化合物を得ることができる。この酸化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、ほう酸トリアルキルと反応させてほう素化合物とし、その後酸化剤を作用させることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム ジイソプロピルアミドおよびリチウム ２，２，４，４−テトラメルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。

ほう酸トリアルキルとしては、ほう酸トリメチル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリプロピルおよびほう酸トリイソプロピルを用いるのが好ましいが、入手および取り扱いの容易さからほう酸トリメチルおよびほう酸トリイソプロピルがより好ましい。ほう酸トリアルキルと有機金属試薬の組み合わせとしては、上記で挙げたいずれの組み合わせも可能であるが、ｓｅｃ−ブチルリチウムとほう酸トリメチルの組み合わせ、およびリチウム ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせが好ましく、リチウム ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせがより好ましい。ほう素化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。得られたほう素化合物は一度単離してもよく、単離せずそのまま酸化剤と反応させてもよい。また、得られたほう素化合物を加水分解してほう酸化合物へと変換した後に酸化剤と反応させても構わない。

酸化剤としては、過酸化水素水、過酢酸または過ギ酸を用いるのが好ましい。反応温度は−７８℃から７０℃が好ましく、０℃から５０℃がより好ましい。また、酸化剤との反応時には、溶媒に水が含まれていても構わない。

一般式（Ｓ−２１）で表される化合物に一般式（Ｓ−２２）で表される化合物を反応させることによって一般式（Ｓ−２３）で表される化合物を得ることができる。この反応は一般式（Ｓ−２１）の水酸基を塩基によりフェノラートとして一般式（Ｓ−２２）と反応させることで行うことができる
この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属リン酸塩としてはリン酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。

反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。なお、生成したフェノラートを一度単離してから一般式（Ｓ−２２）で表される化合物と反応させてもよく、単離せずに反応させてもよいが、作業の容易さから単離せずに反応させたほうがよい。
（製造方法４）

（式中、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１１は、一般式（ｉ）におけるＬ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１と同じ意味を表し、
Ｙ^ｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−１７）で表される化合物を一般式（Ｓ−２４）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−２５）で表される化合物を得ることができる。この反応は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、一般式（Ｓ−２４）と反応させることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。
有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム ジイソプロピルアミドおよびリチウム ２，２，４，４−テトラメチルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。

一般式（Ｓ−２５）で表される化合物を脱水することにより一般式（Ｓ−２６）で表される化合物を得ることができる。脱水の方法としては、酸の存在下で加熱する方法が挙げられる。酸としては、例えば塩酸、硫酸、重硫酸カリウムなどの無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸、トリフッ化ホウ素などのルイス酸が挙げられる。あるいは、脱水の方法として、水酸基をｐ−トルエンスルホン酸クロリド、トリフルオロメタンスルホン酸クロリド、トリホスゲンなどと反応させて脱離基に変換した後、脱離反応を行うことで脱水することもできる。
一般式（Ｓ−２６）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させる事で一般式（Ｓ−２７）で表される化合物を得ることが出来る。

使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。

使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。

反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。
（製造方法５）

（式中、Ｌ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１は、一般式（ｉ）におけるＬ^ｉ２、Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ２及びＷ^ｉ１と同じ意味を表し、
Ｒ^ｉ３は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、アルキル基又はアルケニル基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ｘ^ｉ４は臭素原子又はよう素原子を表し、
Ｘ^ｉ５は塩素原子又は臭素原子を表し、
Ｙ^ｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−１８）で表される化合物を（Ｓ−２８）で表される化合物と遷移金属触媒存在下反応させることにより一般式（Ｓ−２９）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。

使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。

反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。

このように、一般式（ｉ）で表される化合物と混合して使用することのできる化合物の好ましい代表例としては、本発明の提供する組成物においては、その第一成分として一般式（ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有するが、その他の成分として特に以下の第二から第四成分から少なくとも１種含有することが好ましい。

即ち、第二成分は誘電率異方性が負のいわゆるｎ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で示される化合物を挙げることができる。

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ３１、Ａ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ４１、Ａ^ＬＣ４２、Ａ^ＬＣ５１及びＡ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ３１、Ｚ^ＬＣ３２、Ｚ^ＬＣ４１、Ｚ^ＬＣ４２、Ｚ^ＬＣ５１及びＺ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、Ｚ^５は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、Ｘ^ＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ＬＣ３１、ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１、ｍ^ＬＣ４２、ｍ^ＬＣ５１及びｍ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍ^ＬＣ３１＋ｍ^ＬＣ３２、ｍ^ＬＣ４１＋ｍ^ＬＣ４２及びｍ^ＬＣ５１＋ｍ^ＬＣ５２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２、Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
Ｒ^ＬＣ３１〜Ｒ^ＬＣ５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ３１〜Ａ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、

Ｚ^ＬＣ３１〜Ｚ^ＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＯＣＨ_２−が好ましい。

一般式（ＬＣ３）は、下記一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）

（式中、Ｒ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１、Ｒ^ＬＣ３２、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１と同じ意味を表し、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}〜Ｘ^{ＬＣ３ｂ６}は水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ^{ＬＣ３ｂ１}及びＸ^{ＬＣ３ｂ２}又はＸ^{ＬＣ３ｂ３}及びＸ^{ＬＣ３ｂ４}のうちの少なくとも一方の組み合わせは共にフッ素原子を表し、ｍ^{ＬＣ３ａ１}は１、２又は３であり、ｍ^{ＬＣ３ｂ１}は０又は１を表し、Ａ^ＬＣ３１及びＺ^ＬＣ３１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。ただし、一般式（ＬＣ３−ａ）において一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される群より選ばれる化合物を除く。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。

Ａ^ＬＣ３１は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すことが好ましく、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^ＬＣ３１は単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。

一般式（ＬＣ３−ａ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ａ１）〜一般式（ＬＣ３−ａ４）を表すことが好ましい。

（式中、Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２と同じ意味を表す。）
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ＬＣ３１が炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、Ｒ^ＬＣ３２が炭素原子数１〜７のアルコキシ基を表すことがより好ましい。

一般式（ＬＣ３−ｂ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ｂ１）〜一般式（ＬＣ３−ｂ１２）を表すことが好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）、一般式（ＬＣ３−ｂ６）、一般式（ＬＣ３−ｂ８）、一般式（ＬＣ３−ｂ１１）を表すことがより好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）及び一般式（ＬＣ３−ｂ６）を表すことがさらに好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）を表すことが最も好ましい。

（式中、Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２と同じ意味を表す。）
Ｒ^ＬＣ３１及びＲ^ＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ＬＣ３１が炭素原子数２又は３のアルキル基を表し、Ｒ^ＬＣ３２が炭素原子数２のアルキル基を表すことがより好ましい。

一般式（ＬＣ４）は下記一般式（ＬＣ４−ａ）から一般式（ＬＣ４−ｃ）、一般式（ＬＣ５）は下記一般式（ＬＣ５−ａ）から一般式（ＬＣ５−ｃ）

（式中、Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ４）におけるＲ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２及びＸ^ＬＣ４１と同じ意味を表し、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ５）におけるＲ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２と同じ意味を表し、Ｚ^{ＬＣ４ａ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｂ１}、Ｚ^{ＬＣ４ｃ１}、Ｚ^{ＬＣ５ａ１}、Ｚ^{ＬＣ５ｂ１}及びＺ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

Ｒ^ＬＣ４１、Ｒ^ＬＣ４２、Ｒ^ＬＣ５１及びＲ^ＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。

Ｚ^{ＬＣ４ａ１}〜Ｚ^{ＬＣ５ｃ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。

第三成分は誘電率異方性が０程度である、いわゆる非極性液晶化合物であり、以下の一般式（ＬＣ６）で示される化合物を挙げることができる。

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ６１〜Ａ^ＬＣ６３はそれぞれ独立して下記

（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、Ｚ^ＬＣ６１及びＺ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ^Ｌｃ６は０〜３を表す。ただし、一般式（ＬＣ１）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物、及び一般式（ｉ）を除く。）
Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ６１〜Ａ^ＬＣ６３はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、

Ｚ^ＬＣ６１及びＺ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましい。

一般式（ＬＣ６）は、一般式（ＬＣ６−ａ）から一般式（ＬＣ６−ｍ）

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。

第四成分は誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ１）及び一般式（ＬＣ２）で示される化合物を挙げることができる。

（式中、Ｒ^ＬＣ１１及びＲ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ１１、及びＡ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の何れかの構造

（該構造中、シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３で置換されていてもよい。）を表し、Ｘ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１２、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｙ^ＬＣ１１及びＹ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、−ＣＦ_３、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、ｍ^ＬＣ１１及びｍ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して１〜４の整数を表し、Ａ^ＬＣ１１、Ａ^ＬＣ２１、Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
Ｒ^ＬＣ１１及びＲ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましく、直鎖状であることが更に好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましい。

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
Ａ^ＬＣ１１及びＡ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の構造が好ましい。

Ｙ^ＬＣ１１及びＹ^ＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、シアノ基、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましく、フッ素原子又は−ＯＣＦ_３が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。

Ｚ^ＬＣ１１及びＺ^ＬＣ２１は単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＯＣＨ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−がより好ましい。

ｍ^ＬＣ１１及びｍ^ＬＣ２１は１、２又は３が好ましく、低温での保存安定性、応答速度を重視する場合には１又は２が好ましく、ネマチック相上限温度の上限値を改善するには２又は３が好ましい。

一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ａ）から一般式（ＬＣ１−ｃ）

（式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ａ１}、Ａ^{ＬＣ１ａ２}及びＡ^{ＬＣ１ｂ１}は、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｂ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｂ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｃ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。

Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｃ４}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。

Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

また、一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ｄ）から一般式（ＬＣ１−ｍ）

（式中、Ｒ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲ^ＬＣ１１、Ｙ^ＬＣ１１、Ｘ^ＬＣ１１及びＸ^ＬＣ１２と同じ意味を表し、Ａ^{ＬＣ１ｄ１}、Ａ^{ＬＣ１ｆ１}、Ａ^{ＬＣ１ｇ１}、Ａ^{ＬＣ１ｊ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ１}、Ａ^{ＬＣ１ｋ２}、Ａ^{ＬＣ１ｍ１}〜Ａ^{ＬＣ１ｍ３}は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、Ｘ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｄ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｆ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｇ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｈ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｉ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｊ１}〜Ｘ^{ＬＣ１ｊ４}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｘ^{ＬＣ１ｋ２}、Ｘ^{ＬＣ１ｍ１}及びＸ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｅ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｊ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｋ１}、Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。

Ｒ^ＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

Ｘ^ＬＣ１１〜Ｘ^{ＬＣ１ｍ２}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。

Ｙ^ＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

Ｚ^{ＬＣ１ｄ１}〜Ｚ^{ＬＣ１ｍ１}はそれぞれ独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−が好ましい。
一般式（ＬＣ２）は、下記一般式（ＬＣ２−ａ）から一般式（ＬＣ２−ｇ）

（式中、Ｒ^ＬＣ２１、Ｙ^ＬＣ２１、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ２）におけるＲ^ＬＣ２１、Ｙ^ＬＣ２１、Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^ＬＣ２３と同じ意味を表し、Ｘ^{ＬＣ２ｄ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｄ４}、Ｘ^{ＬＣ２ｅ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｅ４}、Ｘ^{ＬＣ２ｆ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｆ４}及びＸ^{ＬＣ２ｇ１}〜Ｘ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｚ^{ＬＣ２ａ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｂ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｃ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｄ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｅ１}、Ｚ^{ＬＣ２ｆ１}及びＺ^{ＬＣ２ｇ１}はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。

Ｒ^ＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。

Ｘ^ＬＣ２１〜Ｘ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましく、
Ｙ^ＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ_３又は−ＯＣＦ_３が好ましい。

Ｚ^{ＬＣ２ａ１}〜Ｚ^{ＬＣ２ｇ４}はそれぞれ独立して−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−が好ましい。 本発明の組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５％以下とすることが好ましく、３％以下とすることがより好ましく、１％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善及びＴ_ＮＩの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本願において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。

本発明の第一実施形態の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。

本発明に使用される液晶組成物の平均弾性定数（Ｋ_ＡＶＧ）は１０から２５が好ましいが、その下限値としては、１０が好ましく、１０．５が好ましく、１１が好ましく、１１．５が好ましく、１２が好ましく、１２．３が好ましく、１２．５が好ましく、１２．８が好ましく、１３が好ましく、１３．３が好ましく、１３．５が好ましく、１３．８が好ましく、１４が好ましく、１４．３が好ましく、１４．５が好ましく、１４．８が好ましく、１５が好ましく、１５．３が好ましく、１５．５が好ましく、１５．８が好ましく、１６が好ましく、１６．３が好ましく、１６．５が好ましく、１６．８が好ましく、１７が好ましく、１７．３が好ましく、１７．５が好ましく、１７．８が好ましく、１８が好ましく、その上限値としては、２５が好ましく、２４．５が好ましく、２４が好ましく、２３．５が好ましく、２３が好ましく、２２．８が好ましく、２２．５が好ましく、２２．３が好ましく、２２が好ましく、２１．８が好ましく、２１．５が好ましく、２１．３が好ましく、２１が好ましく、２０．８が好ましく、２０．５が好ましく、２０．３が好ましく、２０が好ましく、１９．８が好ましく、１９．５が好ましく、１９．３が好ましく、１９が好ましく、１８．８が好ましく、１８．５が好ましく、１８．３が好ましく、１８が好ましく、１７．８が好ましく、１７．５が好ましく、１７．３が好ましく、１７が好ましい。消費電力削減を重視する場合にはバックライトの光量を抑えることが有効であり、液晶表示素子は光の透過率を向上させることが好ましく、そのためにはＫ_ＡＶＧの値を低めに設定することが好ましい。応答速度の改善を重視する場合にはＫ_ＡＶＧの値を高めに設定することが好ましい。 本発明の液晶組成物は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４であるが、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明の液晶組成物は、２０℃における粘度（η）が１０から３０ｍＰａ・ｓであるが、１０から２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から２２ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、２０℃における回転粘性（γ_１）が６０から２００ｍＰａ・ｓであるが、６０から１２０ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、６０から１００ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。

本発明の液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃であるが、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。加えて、２０℃においてネマチック液晶を示す事が好ましい。

本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、重合性モノマー又は光安定剤等を含有してもよい。 本発明の化合物を含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子は、高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用等の種々のモードの液晶表示素子に適用できる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。

Ｔ_ｎ−ｉはネマチック相−等方相の転移温度を表す。

化合物記載に下記の略号を使用する。
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン
ＬＤＡ：リチウム ジイソプロピルアミド
Ｍｅ：メチル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｒ：ｎ−プロピル基、Ｂｕ：ｎ−ブチル基、
Ｐｅｎｔ：ｎ−ペンチル基
（実施例１〜２）化合物１−８−２０３及び化合物２−８−２０３の合成

（化合物１−２−２０の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、３−フルオロ−２−ヒドロキシクロロベンゼン（５０．０ｇ）、ビス（ジターシャリーブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）錯体（６．０ｇ）、ＴＨＦ（３５０ｍｌ）および２Ｍ炭酸セシウム水溶液（３４０ｍｌ）を加え、攪拌しながら６０℃に昇温した。反応混合物にあらかじめＴＨＦ（２００ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−２（７５．８ｇ）を滴下した。６０℃で７時間攪拌後、加熱を止め溶液温度を室温に戻した。その後、１０％塩酸（５００ｍｌ）を加えた。有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（２００ｍｌ）で再抽出した。得られた有機層を合わせた後、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮後、ヘキサン（１５０ｍｌ）、トルエン（１５０ｍｌ）を加えて溶解した溶液を、シリカゲル（３０ｇ）を詰めたカラムを通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮した後、トルエン／ヘキサン混合溶媒を用いて再結晶を繰り返すことで、化合物１−２−２０（４６．０ｇ）を得た。

（化合物１−３−２０の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル分散）（５．４ｇ）およびＤＭＦ（５４ｍｌ）を加え、攪拌しながら氷冷した。そこにあらかじめＤＭＦ（１５０ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−２−２０（３０．０ｇ）を滴下した。その後室温に戻し、１時間かけて溶液温度を５０℃に加熱した。その後さらに１．５時間かけて溶液温度を１０５℃まで加熱した。１０５℃で４時間攪拌後、溶液温度を１０℃以下まで冷却した。反応溶液に水（２００ｍｌ）を加えた。結晶をろ過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥した。得られた結晶にトルエン（３００ｍｌ）を加えて溶解した溶液を、シリカゲル（２０ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにトルエン（２００ｍｌ）を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物１−３−２０（２８．６ｇ）を得た。

（化合物１−４−２０の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物１−３−２０（３０．１ｇ）をＴＨＦ（３００ｍｌ）に溶かし、−７０℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液（９０．０ｍｌ）を−７０℃にて滴下し、１時間攪拌し、次にホウ酸トリイソプロピル（２９．７ｇ）を−７０℃にて滴下し、１時間攪拌した。この反応混合物を室温に昇温した後、１０％塩酸（１５０ｍｌ）とヘキサン（１００ｍｌ）を加えて攪拌し、得られた有機層を合わせた後、水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、２９．５ｇを得た。得られた固体をＴＨＦ（１５０ｍｌ）、炭酸水素ナトリウム（０．４２ｇ）を攪拌している中に、３０％過酸化水素水（１４．９ｇ）を室温にて滴下し、１２時間攪拌した。溶液温度を０℃に冷却し、１５％チオ硫酸ナトリウム水溶液（１５０ｍｌ）を加えた。有機層を分け取り、さらに水層を酢酸エチル（１００ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物１−４−２０（２６．２ｇ）を得た。

（化合物１−５−２０の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−４−２０（５．３ｇ）、クロロメチルメチルエーテル（２．４ｇ）、水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル分散）（１．２ｇ）およびＴＨＦ（２０ｍｌ）を加え、攪拌した。６０℃で１．５時間攪拌後、溶液温度を１０℃以下まで冷却した。反応溶液に水（２０ｍｌ）および酢酸エチル（２０ｍｌ）を加えた。有機層を分けとり、さらに水層を酢酸エチル（３０ｍｌ）で再抽出した。得られた有機層を合わせた後、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物１−５−２０の粗体（６．９ｇ）を得た。

（化合物１−６−２０の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物１−５−２０（４．７ｇ）をＴＨＦ（５６ｍｌ）に溶かし、−７０℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液（１０．０ｍｌ）を−７０℃にて滴下し１時間攪拌し、−２０℃まで昇温した。再び−７０℃に冷却した後、あらかじめＴＨＦ（１５ｍｌ）に溶解させたヨウ素（４．７ｇ）を−７０℃にて滴下し、１時間攪拌した。この反応混合物を室温に昇温した後、２０％亜硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）とヘキサン（１００ｍｌ）を加えて攪拌し、得られた有機層を合わせた後、水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物１−６−２０（６．４ｇ）を得た。
（化合物１−７−２０３の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−６−２０（６．３ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２７０．０ｍｇ）、ヨウ化銅（１４５ｍｇ）をＴＨＦ（３５０ｍｌ）および１Ｎアンモニア水（３５ｍＬ）に溶解攪拌している中に、室温下、１−ペンチン（１．８ｍｌ）を滴下した後、反応温度を４５℃にした。４５℃で２時間攪拌した後、酢酸エチル（１００ｍｌ）を加えた。有機層を分けとり、さらに水層を酢酸エチル（５０ｍｌ）で再抽出した。得られた有機層を合わせた後、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮後、化合物１−７−２０３（５．７ｇ）を得た。

（化合物１−８−２０３の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物１−７−２０３（６．０ｇ）をＴＨＦ（６０ｍｌ）及びイソプロピルアルコール（２０ｍｌ）に溶かし、室温下１０％塩酸（４０ｍｌ）を滴下した。反応温度を５５℃に昇温し、５時間攪拌した。室温に戻し、酢酸エチル（１００ｍｌ）を加え、水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、粗体（６．６ｇ）を得た。得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製した後、エタノール／酢酸エチル混合溶媒を用いて再結晶を繰り返すことで、化合物１−８−２０３（３．２ｇ）を得た。相転移温度はＣｒ１０６Ｉｓｏ。
（化合物２−８−２０３の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置を備えた反応容器に、化合物１−８−２０３（１．５ｇ）、１０％パラジウムカーボン（１５０ｍｇ）をＴＨＦ（９．０ｍｌ）およびメタノール（６ｍｌ）に溶解させ、水素雰囲気とした。窒素雰囲気に戻した後、触媒をろ別。得られた溶液を濃縮後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製した。エタノール／酢酸エチル混合溶媒を用いて再結晶を繰り返すことで、化合物２−８−２０３（０．９ｇ）を得た。相転移温度はＣｒ７４Ｉｓｏ。
（実施例３〜３２４）化合物１−８−０〜化合物４−８−８０８の合成
実施例１、実施例２と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例３（化合物１−８−０）〜実施例３２４（化合物４−８−８０８）を合成した。

（実施例３２５）液晶組成物の調製−１
以下の物性値を示すホスト液晶（Ｈ）
を調製した。値はいずれも実測値である。

Ｔ_ｎ−ｉ（ネマチック相−等方性液体相転移温度）：７３．８℃
Δε（２５℃における誘電率異方性） ：−２．７９
Δｎ（２５℃における屈折率異方性） ：０．１０１
γ_１ （２５℃における回転粘性係数）：１１８
この母体液晶（Ｈ）９０％と、実施例１で得られた化合物（１−８−２０３）１０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ａ）のＴ_ｎ−ｉ、Δε、Δｎ及びγ_１の値を測定し母体液晶からの変化量をもとに、実施例１で得られた化合物（１−８−２０３）の各物性値の外挿値を求めると、以下のとおりであった。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：７０．８℃
外挿Δε：−１４．６
外挿Δｎ：０．２４６
外挿γ_１：３６２ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ａ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ａ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。

（実施例３２６）液晶組成物の調製―２
母体液晶（Ｈ）９０％と、実施例２で得られた化合物（１−８−２０３）１０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ｂ）より、実施例２で得られた化合物（１−８−２０３）の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：３８．９℃
外挿Δε：−１７．９
外挿Δｎ：０．１９８
外挿γ_１：３７２ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｂ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。

さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。

（比較例１）液晶組成物の調製―３
母体液晶（Ｈ）８５％と、以下に示す化合物（Ａ）１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を調製した。

この組成物（Ｍ−Ｃ）より、上記化合物（Ａ）の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：１８．３℃
外挿Δε：−１５．７
外挿Δｎ：０．１８４
外挿γ_１：２４１ｍＰａ・ｓ
上記結果を実施例３２５と比較するとΔεは同程度でありながら、Ｔ_ｎ−ｉ及びΔｎが小さいことがわかり、実施例３２６と比較するとＴ_ｎ−ｉ、Δｎ及びΔεが小さいことが分かる。

（比較例２）液晶組成物の調製―４
母体液晶（Ｈ）８５％と、以下に示す化合物（Ｂ）１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｄ）を調製した。

この組成物（Ｍ−Ｄ）より、上記化合物（Ｂ）の外挿Ｔ_ｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ_１の値は以下のとおりである。

外挿Ｔ_ｎ−ｉ：３．２℃
外挿Δε：−９．７
外挿Δｎ：０．０７３
外挿γ_１：９４ｍＰａ・ｓ
上記結果を実施例３２５および実施例３２６と比較すると｜Δε｜が大幅に小さくなり、Ｔ_ｎ−ｉも大幅に低いことが分かる。

Claims (9)

1. 一般式（ｉ）
   

   

   （式中、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基を表し、
   Ｙ^ｉ１及びＹ^ｉ２は−Ｏ−を表し、
   Ｗ^ｉ１は
   

   

   （但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）を表し、
   Ｗ^ｉ２は単結合を表し、
   Ｌ^ｉ１及びＬ^ｉ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基又は炭素原子数１から１５のアルコキシ基を表し、
   Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４、Ｌ^ｉ５、Ｌ^ｉ６、Ｌ^ｉ７及びＬ^ｉ８は水素原子を表す。）
   で表される化合物。
2. 一般式（ｉ）において、Ｘ^ｉ１及びＸ^ｉ２が互いにフッ素原子を表す請求項１に記載の化合物。
3. 請求項１又は２に記載の化合物を一種又は二種以上含有する組成物。
4. 請求項３記載の組成物を使用した液晶表示素子。
5. 一般式（ｉ）においてＷ^ｉ１が
   

   

   （但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
   で表される化合物の二重結合に付加反応させることによる、一般式（ｉ）においてＷ^ｉ１が
   

   

   （但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
   で表される化合物の製造方法。
6. 一般式（ｉ−ｒ７）
   

   

   （式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
   Ｌ^ｉ１１は水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基又は
   

   

   （式中、Ｒ ^ｉ１ は水素原子を表し、
   Ａ ^ｉ１ は１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は−Ｏ−に置き換えられても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、
   Ｚ ^ｉ１ は単結合を表し、
   ｎ ^ｉ１ は１を表す。）
   で表される基を表し、ここでＬ ^ｉ１１ 中に存在する１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は−Ｏ−により置き換えられている。）
   で表される化合物中の−Ｙ^ｉ２−Ｌ^ｉ１１を水存在下酸による脱保護反応と分子内反応を同時に進行させることによる、一般式（ｉ）においてＷ^ｉ１が
   

   

   （但し、式中の黒点はＬ^ｉ２又はＹ^ｉ２への結合点を表す。）
   で表される化合物の製造方法。
7. 一般式（ｉ−ｒ５）
   

   

   （式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
   Ｌ^ｉ１１は一般式（ｉ−ｒ７）におけるＬ ^ｉ１１ と同じ意味を表し、
   Ｘ^ｉ３は臭素原子又はよう素原子を表す。）
   で表される化合物と一般式（ｉ−ｒ６）
   

   

   （式中Ｌ^ｉ２は一般式（ｉ）におけるＬ^ｉ２と同じ意味を表す。）
   で表される化合物を遷移金属触媒、銅触媒及び塩基存在下反応させることによる、一般式（ｉ−ｒ７）
   

   

   （式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
   Ｌ^ｉ１１は水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基又は
   

   

   （式中、Ｒ ^ｉ１ は水素原子を表し、
   Ａ ^ｉ１ は１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は−Ｏ−に置き換えられても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、
   Ｚ ^ｉ１ は単結合を表し、
   ｎ ^ｉ１ は１を表す。）
   で表される基を表し、ここでＬ ^ｉ１１ 中に存在する１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は−Ｏ−により置き換えられている。）
   で表される化合物の製造方法。
8. 一般式（ｉ−ｒ４）
   

   

   （式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
   Ｌ^ｉ１１は一般式（ｉ−ｒ７）におけるＬ ^ｉ１１ と同じ意味を表す。）
   で表される化合物を有機金属試薬により脱プロトン化した後、臭素又はよう素と反応させることによる、一般式（ｉ−ｒ５）
   

   

   （式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
   Ｌ^ｉ１１は一般式（ｉ−ｒ７）におけるＬ ^ｉ１１ と同じ意味を表し、
   Ｘ^ｉ３は臭素原子又はよう素原子を表す。）
   で表される化合物の製造方法。
9. 一般式（ｉ−ｒ７）
   

   

   （式中Ｘ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５は一般式（ｉ）におけるＸ^ｉ１、Ｘ^ｉ２、Ｙ^ｉ１、Ｙ^ｉ２、Ｗ^ｉ２、Ｌ^ｉ１、Ｌ^ｉ２、Ｌ^ｉ３、Ｌ^ｉ４及びＬ^ｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
   Ｌ^ｉ１１は水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基又は
   

   

   （式中、Ｒ ^ｉ１ は水素原子を表し、
   Ａ ^ｉ１ は１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は−Ｏ−に置き換えられても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、
   Ｚ ^ｉ１ は単結合を表し、
   ｎ ^ｉ１ は１を表す。）
   で表される基を表し、ここでＬ ^ｉ１１ 中に存在する１個の−ＣＨ _２ −又は隣接していない２個以上の−ＣＨ _２ −は−Ｏ−により置き換えられている。）
   で表される化合物。