JP6633309B2 - 電極構造体およびこれを用いる接触感知センサ - Google Patents

電極構造体およびこれを用いる接触感知センサ Download PDF

Info

Publication number
JP6633309B2
JP6633309B2 JP2015140748A JP2015140748A JP6633309B2 JP 6633309 B2 JP6633309 B2 JP 6633309B2 JP 2015140748 A JP2015140748 A JP 2015140748A JP 2015140748 A JP2015140748 A JP 2015140748A JP 6633309 B2 JP6633309 B2 JP 6633309B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
conductive
film
touch
conductive material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015140748A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016024825A (ja
Inventor
燦 郭
燦 郭
在 榮 崔
在 榮 崔
光 熙 金
光 熙 金
鍾 旭 盧
鍾 旭 盧
賢 哲 朴
賢 哲 朴
源 鎬 辛
源 鎬 辛
輪 成 禹
輪 成 禹
李　孝　錫
孝 錫 李
珍 榮 黄
珍 榮 黄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2016024825A publication Critical patent/JP2016024825A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6633309B2 publication Critical patent/JP6633309B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Description

本発明は、電極構造体およびこれを用いる接触感知センサに関するものである。
表示装置をはじめとする様々な電子機器には多様な形状と機能の電極が使用される。これら電極の中には、優れた伝導性と共に、光が透過できるように透明度を有した透明電極も含まれる。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ２）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などがある。ＩＴＯは柔軟性が不十分であり、インジウムの埋蔵量も限られているため価格上昇が避けられず、これを代替する素材の開発が切実に要求されている。スズ酸化物および亜鉛酸化物は、伝導性および柔軟性が不十分である。
最近、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ ｄｉｓｐｌａｙ）、および電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板表示装置の中には、映像を表示する機能のほか、ユーザとの相互作用が可能なタッチ感知機能を有するものが多い。タッチ感知機能は、ユーザが画面上に指やタッチペン（ｔｏｕｃｈ ｐｅｎ）などを接近させたり接触させたりして文字や絵が描かれたときに、表示装置が画面に加えられた圧力、電荷、光などの変化を感知する。このとき、表示装置は、物体の画面への接近や接触、およびその接触位置などを、接触情報として得ることができる。表示装置は、このような接触情報に基づいて映像信号を受信し、映像を表示できる。
このようなタッチ感知機能は、接触感知センサにより実現可能である。接触感知センサは、抵抗膜方式（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）、静電容量方式（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）、電磁誘導型（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｙｐｅ、ＥＭ）、光感知方式（ｏｐｔｉｃａｌ ｔｙｐｅ）などの多様な方式によって分類される。
例えば、静電容量方式の接触感知センサは、感知信号を伝達可能な複数の感知電極からなる感知キャパシタを含み、指のような導電体が接触感知センサに接近した時に発生する感知キャパシタの充電静電容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）の変化または充電電荷量の変化を感知して、接触の有無と接触位置などを知ることができる。静電容量式の接触感知センサは、接触感知領域に配置されている複数のタッチ電極と、タッチ電極に接続されている信号伝達配線とを含む。信号伝達配線は、タッチ電極に感知入力信号を伝達したり、タッチによって生成されたタッチ電極の感知出力信号を感知信号制御部に伝達したりすることができる。
このような接触感知センサにも透明電極が広い領域で用いられ、ここに用いられる透明電極は、低い面抵抗と共に、優れた透明度が要求される。同時に、可撓性表示装置に適用するためには柔軟性も要求される。しかし、ＩＴＯなどの既存の透明電極材料はこのような特性を満たさないことがある。
一実施形態に係る電極構造体は、第１不導体膜と、前記第１不導体膜上に形成されている第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されている第２不導体膜と、前記第２不導体膜上に形成されている第２導電膜と、前記第２導電膜上に形成されている第３不導体膜とを含み、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの１つは、２次元導電素材を含み、他の１つは、銀ナノワイヤ、グラフェン、炭素ナノチューブ、メタルメッシュを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含み、前記２次元導電素材は、アルカリ金属亜酸化物、アルカリ金属サブカーバイド、アルカリ土類金属亜窒化物、遷移元素のサブカーバイド、遷移金属亜酸化物、遷移元素過剰含有カルコゲナイド、遷移金属含有サブハライド、ボライド化合物、酸化物のうちのいずれか１つであり、前記第１導電膜と前記第２導電膜が含む前記導電材料は、一部が前記第２不導体膜にも位置し、前記第１不導体膜、前記第２不導体膜、および前記第３不導体膜は、前記第１導電膜と前記第２導電膜が含む前記導電材料と混合して湿式塗布されたバインダーを含むことを特徴とする、電極構造体。
前記第１導電膜と前記第２導電膜との間に配置されている反射防止膜をさらに含み、前記反射防止膜は、屈折率（ｎ）が１．６〜１．８であり、厚さは７５ｎｍ〜９５ｎｍであってよい。
前記第３不導体膜は、前記バインダーを含む下部膜と、ポリアクリレート系物質を含むオーバーコート膜とを含むことができる。
前記電極構造体は、第１不導体膜と、前記第１不導体膜上に形成されている第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されている第２不導体膜と、前記第２不導体膜上に形成されている第２導電膜と、前記第２導電膜上に形成されている第３不導体膜とを含み、前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの１つは、２次元導電素材を含み、他の１つは、銀ナノワイヤ、グラフェン、炭素ナノチューブ、メタルメッシュを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含み、前記２次元導電素材は、アルカリ金属亜酸化物、アルカリ金属サブカーバイド、アルカリ土類金属亜窒化物、遷移元素のサブカーバイド、遷移金属亜酸化物、遷移元素過剰含有カルコゲナイド、遷移金属含有サブハライド、ボライド化合物、酸化物のうちのいずれか１つであり、前記第３不導体膜上に形成されている第３導電膜と、前記第３導電膜上に形成されている第４不導体膜とをさらに含み、前記第３導電膜は、２次元導電素材、銀ナノワイヤ、メタルメッシュ、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェンを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含み、前記第４不導体膜は、前記第３導電膜が含む前記導電材料と混合して湿式塗布されたバインダーを含むことができる。
前記第４不導体膜は、前記バインダーを含む下部膜と、ポリアクリレート系物質を含むオーバーコート膜とを含むことができる。
前記電極構造体は、前記第１不導体膜、前記第１導電膜、前記第２不導体膜、前記第２導電膜、および前記第３不導体膜のなす積層構造の少なくとも一側面に形成されており、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に接続する導電性接続部材をさらに含むことができる。前記導電性接続部材は、前記第１導電膜や前記第２導電膜が含む導電材料、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）のうちの少なくとも１つを含むことができる。
一実施形態に係る接触感知センサは、横方向に配列されている複数の第１タッチ電極と、縦方向に配列されている複数の第２タッチ電極と、前記複数の第１タッチ電極および前記複数の第２タッチ電極に接続されており、感知入力信号を印加し感知出力信号を受信してタッチを感知するタッチ制御部とを含み、前記複数の第１タッチ電極と前記複数の第２タッチ電極それぞれは、複数の導電膜と複数の不導体膜とが交互に積層されている積層構造を含み、前記複数の導電膜は、２次元導電素材を含む第１導電膜と、銀ナノワイヤ、グラフェン、炭素ナノチューブ、メタルメッシュを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含む第２導電膜とを含み、前記２次元導電素材は、アルカリ金属亜酸化物、アルカリ金属サブカーバイド、アルカリ土類金属亜窒化物、遷移元素のサブカーバイド、遷移金属亜酸化物、遷移元素過剰含有カルコゲナイド、遷移金属含有サブハライド、ボライド化合物、酸化物のうちのいずれか１つであり、前記複数の不導体膜は、前記複数の導電膜が含む前記導電材料と混合して湿式塗布されたバインダーを含む。
前記接触感知センサは、前記積層構造の少なくとも一側面に形成されており、前記複数の導電膜の第１導電膜と第２導電膜とを電気的に接続する導電性接続部材をさらに含むことができ、前記導電性接続部材は、前記積層構造の側面と共に、前記積層構造の上面の一部を覆っていてもよい。前記導電性接続部材は、前記複数の第１タッチ電極と前記複数の第２タッチ電極を前記タッチ制御部に接続するために配線と接触することができ、前記導電性接続部材は、前記複数の第２タッチ電極を互いに接続する接続部の役割を兼ねることができる。
一実施形態によれば、面抵抗が低く、透明度と柔軟性に優れた電極構造体を得ることができる。
一実施形態によれば、面抵抗が低く、透明度と柔軟性に優れた透明電極を用いて、接触感知機能に優れた接触感知センサを得ることができる。
多様な実施形態に係る電極構造体の断面図である。 多様な実施形態に係る電極構造体の断面図である。 多様な実施形態に係る電極構造体の断面図である。 一実施形態に係る接触感知センサを備えた表示装置のブロック図である。 一実施形態に係る接触感知センサを示す平面図である。 図５に示した接触感知センサの一部の拡大図である。 図６に示した接触感知センサのＩＶ−ＩＶ線断面図である。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は、種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面において、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一の図面符号を付した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
まず、実施形態に係る電極構造体について説明する。
図１〜図３は、多様な実施形態に係る電極構造体の断面図である。
図１は、基板１０上に、第１不導体膜５１、第１導電膜４１、第２不導体膜５２、第２導電膜４２、第３不導体膜５３が順次に積層されており、積層構造の側面に導電性接続部材３０が配置されている電極構造体を示す。ここで、第１導電膜４１は、第１導電材料１１を含んでおり、第２導電膜４２は、第２導電材料２１を含んでいる。第１導電材料１１と第２導電材料２１は、少なくとも１つが２次元導電素材を含み、残りの１つは、２次元導電素材、銀ナノワイヤ（ＡｇＮｗ）、メタルメッシュ（ｍｅｔａｌ ｍｅｓｈ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェンなどの透明な導電物質のうちの少なくとも１つを含むことができる。ここで、２次元導電素材とは、アルカリ金属亜酸化物、アルカリ金属サブカーバイド、アルカリ土類金属亜窒化物、遷移元素のサブカーバイド、遷移金属亜酸化物、遷移元素過剰含有カルコゲナイド、遷移金属含有サブハライド、ボライド化合物、酸化物などの導電性材料である。具体的には、アルカリ金属は、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｎａ、またはこれらの組み合わせであり、アルカリ土類金属は、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、またはこれらの組み合わせであり、遷移元素は、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ａｇ、またはこれらの組み合わせであってよい。アルカリ金属亜酸化物は、一般式Ａ３Ｏ、Ａ２Ｏ、Ａ６Ｏ、またはＡ７Ｏ（ここで、ＡはＣｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｎａ、またはこれらの組み合わせである）で表されてよい。アルカリ土類金属亜窒化物は、ＡＥ２Ｎ（ここで、ＡＥはＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、またはこれらの組み合わせである）、またはＡＥ３Ｎ（ここで、ＡＥはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、またはこれらの組み合わせである）で表されてよい。遷移元素サブカーバイドは、Ｍ２ＣまたはＭ４Ｃ（ＭはＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ａｇ、またはこれらの組み合わせである）であってよい。遷移元素過剰含有カルコゲナイドは、遷移金属過剰含有カルコゲナイドであってよい。遷移金属過剰含有カルコゲナイドは、Ｍ３Ｅ２、Ｍ２Ｅ、Ｍ５Ｅ、Ｍ４Ｅ３、またはＭＥ（ＭはＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ａｇ、またはこれらの組み合わせであり、ＥはＳ、Ｓｅ、またはＴｅである）で表されてよい。遷移元素含有サブハライドは、Ｍ２ＸまたはＭＸ（ＭはＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ａｇ、またはこれらの組み合わせであり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩである）であってよい。ボライド化合物は、ＡｕＢ２、ＡｌＢ２、ＡｇＢ２、ＭｇＢ２、ＴａＢ２、ＮｂＢ２、ＹＢ２、ＷＢ２、ＶＢ２、ＭｏＢ２、ＳｃＢ２、またはこれらの組み合わせを含むことができる。酸化物は、ＲｕＯ２などを含むことができる。このような２次元導電素材は、２つ以上の金属原子層を含む単位構造が繰り返され、繰り返される単位構造の間に２次元の電子ガス層が存在してもよい。
このような実施形態において、第１導電材料１１および第２導電材料２１のうちの少なくとも１つが２次元導電素材を含むことにより、電極構造体の柔軟性を向上させることができる。
導電性接続部材３０は、第１導電膜４１や第２導電膜４２が含む導電物質、またはモリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）などの低抵抗物質を含むことができる。
第１導電材料１１の一部は、第１導電膜４１の範囲を外れて第１不導体膜５１や第２不導体膜５２にまで入り込んでおり、第２導電材料２１もその一部が、第２導電膜４２の範囲を外れて第２不導体膜５２や第３不導体膜５３にまで入り込んでいる。したがって、第２不導体膜５２に入り込んでいる第１導電材料１１と第２導電材料２１とが互いに接触し、第１導電膜４１と第２導電膜４２とが電気的に接続可能である。これとは異なり、第１導電材料１１と第２導電材料２１は、互いに直接接触しないようになっており、導電性接続部材３０を介して接続されるように形成されてもよい。
本実施形態に係る電極構造体がこのような構造を有する理由は、その形成方法に起因する。第１導電材料１１を第１バインダーと混合して基板１０上に所定の厚さに塗布し乾燥すれば、第１バインダーをなす不導体材料が第１不導体膜５１と第２不導体膜５２の一部を形成し、第１導電材料１１の主に分布する中間部分が第１導電膜４１を形成する。その上に第２導電材料２１を第２バインダーと混合して塗布し乾燥すれば、第２バインダーをなす不導体材料が第２不導体膜５２の残りの一部と第３不導体膜５３の一部を形成し、第２導電材料２１の主に分布する中間部分が第２導電膜４２を形成する。この時、第１導電材料１１と第２導電材料２１は分布が均一でないので、その一部が隣接する不導体膜を侵して位置することができる。したがって、第１導電材料１１の一部を第２不導体膜５２が覆うことができず、その部分が第２導電材料２１と接触することにより、第１導電膜４１と第２導電膜４２とが電気的に接続可能である。あるいは、第２不導体膜５２に孔が形成されており、第１導電材料１１と第２導電材料２１の一部がその孔に配置されていてもよい。この場合、第１導電材料１１と第２導電材料２１とが互いに電気的に接続され、電極構造体の柔軟性が向上できる。
第１不導体膜５１、第２不導体膜５２、および第３不導体膜５３のうちの少なくとも一部を構成するバインダーとしては、ＨＰＭＣ（Ｈｙｄｒｏｘｙｐｒｏｐｙｌ Ｍｅｔｈｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）をはじめとするセルロース系、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ポリビニルアクリル酸（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）などが使用できる。第３不導体膜５３は、第２バインダーによって形成された部分と、これとは別途に積層されたオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔｉｎｇ）材料からなる部分とを含むことができる。第３不導体膜５３を構成するオーバーコート材料としては、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）系物質が使用できる。
図１の実施形態では、電極構造体が２つの導電膜と３つの不導体膜とを含むが、導電膜と不導体膜の数は、必要に応じてそれぞれ３つ以上であってもよい。
図２を参照すれば、基板１０上に、第１不導体膜５１、第１導電膜４１、第２不導体膜５２、第２導電膜４２、第３不導体膜５３、第３導電膜４３、第４不導体膜５４が順次に積層されている。このような積層構造の側面には導電性接続部材３０が配置されていて、第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３を電気的に接続する。導電性接続部材３０は、積層構造の側面だけでなく、最上層の第４不導体膜５４の上面の一部とも接するように形成可能である。
基板１０は、積層構造の基礎となる要素を意味する層であって、電極構造体を適用する素子によって、絶縁膜であるか、プラスチックまたはガラスなどからなる基板などになってもよい。
第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３のうちの少なくとも１つは、２次元導電素材を含む。例えば、第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３のうちの１つは、２次元導電素材を含み、残りの２つは、２次元導電素材、銀ナノワイヤ（ＡｇＮｗ）、メタルメッシュ（ｍｅｔａｌ ｍｅｓｈ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェン、またはこれらの組み合わせを含む層であってよい。第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３が含む導電材料は、互いに異なっていてもよい。例えば、第１導電膜４１が２次元導電素材を含むと、第２導電膜４２は銀ナノワイヤを含み、第３導電膜４３は炭素ナノチューブやグラフェンまたはメタルメッシュを含むことができる。あるいは、第１導電膜４１がグラフェンを含み、第２導電膜４２は２次元導電素材を含み、第３導電膜４３は炭素ナノチューブやメタルメッシュまたは銀ナノワイヤを含むなどの多様な組み合わせにより、第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３の導電材料を構成することができる。第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３の導電材料は、互いに異なる２次元導電素材を含むことができる。第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３は、それぞれが様々な導電材料を混成で含んでもよい。例えば、第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３それぞれが銀ナノワイヤと２次元導電素材を含んでもよく、２次元導電素材と銀ナノワイヤおよびグラフェンを含んでもよいなど、多様な混成の導電材料を含むことができる。また、第１導電膜４１、第２導電膜４２、および第３導電膜４３は、互いに異なる混成で様々な導電材料を含んでもよい。例えば、第１導電膜４１は銀ナノワイヤを含み、第２導電膜４２は銀ナノワイヤとグラフェンを含み、第３導電膜４３は２次元導電素材と炭素ナノチューブやメタルメッシュを含んでもよい。あるいは、第１導電膜４１はグラフェンと２次元導電素材を含み、第２導電膜４２は銀ナノワイヤと２次元導電素材を含み、第３導電膜４３はグラフェンとメタルメッシュや２次元導電素材を含むなど、多様な混成の組み合わせで様々な導電材料を含むことができる。
第１不導体膜５１、第２不導体膜５２、第３不導体膜５３、第４不導体膜５４は、第１導電膜４１、第２導電膜４２、第３導電膜４３を形成する材料と混合して塗布するバインダーを含むことができる。バインダーとしては、ＨＰＭＣ（Ｈｙｄｒｏｘｙｐｒｏｐｙｌ Ｍｅｔｈｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）をはじめとするセルロース系、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ポリビニルアクリル酸（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）などが使用できる。第４不導体膜５４は、バインダーによって形成された部分と、これとは別途に積層されたオーバーコート（ｏｖｅｒｃｏａｔｉｎｇ）材料からなる部分とを含むことができる。第４不導体膜５４を構成するオーバーコート材料としては、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）系物質が使用できる。
導電性接続部材３０は、第１導電膜４１、第２導電膜４２、または第３導電膜４３が含む導電物質、またはモリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）などの低抵抗物質を含むことができる。
第２不導体膜５２は、その下の第１導電膜４１全体を覆ってもよく、一部だけを覆ってもよい。また、第３不導体膜５３は、その下の第２導電膜４２全体を覆ってもよく、一部だけを覆ってもよい。したがって、第１導電膜４１と第２導電膜４２は互いに接触して電気的に接続可能であり、第２導電膜４２と第３導電膜４３も互いに接触して電気的に接続可能である。
第１不導体膜５１、第２不導体膜５２、第３不導体膜５３、および第４不導体膜５４は、バインダーのみからなってもよいが、バインダーからなる層に加えて、別個の誘電体層をさらに含んでもよい。
図３を参照すれば、基板１０上に、第１不導体膜５１、第１導電膜４１、第２不導体膜５２、第２導電膜４２、第３不導体膜５３が順次に積層されている。このような積層構造の側面には導電性接続部材（図示せず）が配置され、第１導電膜４１と第２導電膜４２とを電気的に接続することができる。
第２不導体膜５２は、２つのバインダー膜５２’と、これら２つのバインダー膜５２’の間に配置されている反射防止膜５２”とを含み、第３不導体膜５３は、下部のバインダー膜５３’と、上部のオーバーコート膜５３”とを含む。
反射防止膜５２”は、光が電極構造体を透過する過程で屈折率の異なる様々な膜の間の界面で反射するのを低減するために形成する膜であって、その屈折率と厚さを、電極構造体をなす様々な膜の厚さおよび屈折率を考慮して設定する。本実施形態では、屈折率（ｎ）が１．７の透明な誘電体を８５ｎｍの厚さに積層して形成した。この時、電極構造体をなす不導体膜は、屈折率が１．５９のポリカーボネートフィルム（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ｆｉｌｍ）、屈折率が１．５５のＨＰＭＣバインダー、屈折率が１．４７のウレタンアクリレートオーバーコート膜（Ｕｒｅｔｈａｎｅ ａｃｒｙｌａｔｅ ｏｖｅｒｃｏａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）に形成した（伝導体膜は屈折率が波長に応じて異なる）。反射防止膜５２”は、屈折率（ｎ）が１．６〜１．８の透明な誘電体を７５ｎｍ〜９５ｎｍの厚さに積層して形成することができる。
下記表１は、図１の実施形態において、２つの導電膜４１、４２のうちの１つを銀ナノワイヤ（ＡｇＮｗ）で形成し、他の１つを２次元導電素材の１つであるＲｕＯ２で形成した場合の面抵抗とヘイズ（Ｈａｚｅ）を、銀ナノワイヤの単一膜およびＲｕＯ２の単一膜と比較したものである。ＡｇＮｗ層は４０ｎｍであり、ＲｕＯ２層は１０ｎｍ以下である。
表１から明らかなように、銀ナノワイヤ膜とＲｕＯ２膜を不導体膜と共に積層して並列接続した複合電極構造体の面抵抗が、銀ナノワイヤの単一膜やＲｕＯ２の単一膜に比べて低く、ヘイズは、銀ナノワイヤの単一膜と同等水準であることが分かる。つまり、２次元導電素材膜を銀ナノワイヤ膜と複合して電極構造体を形成すると、面抵抗は低くなり、ヘイズは銀ナノワイヤ膜と同等水準に維持される。したがって、このような電極構造体は、透明電極などへの使用に適する。
このような電極構造体は、多様な用途に使用可能であり、その中でも、表示装置に用いられる接触感知センサの電極として使用可能である。
以下、図４〜図７を参照して、一実施形態に係る接触感知センサを含む表示装置について説明する。
図４は、一実施形態に係る接触感知センサを備えた表示装置のブロック図であり、図５は、一実施形態に係る接触感知センサを示す平面図であり、図６は、図５に示した接触感知センサの一部の拡大図であり、図７は、図６に示した接触感知センサのＩＶ−ＩＶ線断面図である。
図４を参照すれば、本発明の一実施形態に係る接触感知センサを備えた表示装置は、表示板（ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）３００と、表示板３００に接続された表示制御部（ｄｉｓｐｌａｙ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）６００と、タッチ制御部（ｔｏｕｃｈ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）７００とを含む。
表示板３００は、映像を表示し、タッチを感知することができる。表示板３００は、平面構造からみて、映像を表示する表示領域（ｄｉｓｐｌａｙ ａｒｅａ）ＤＡと、表示領域ＤＡ周辺の周辺領域（ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ ａｒｅａ）ＰＡとを含む。
表示板３００の一部または全体領域は、タッチを感知可能なタッチ活性領域（ｔｏｕｃｈ ａｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）ＴＡであってよい。タッチ活性領域ＴＡは、実際に物体が表示板３００に接近したり表示板３００に接触すると、タッチを感知できる領域である。ここで、接触とは、ユーザの手といった外部物体が表示板３００に直接的に当たる場合だけでなく、外部物体が表示板３００に接近したり、接近した状態で動く（ｈｏｖｅｒｉｎｇ）場合も含む。
図５は、表示領域ＤＡの略全体がタッチ活性領域ＴＡの例を示すが、これに限定されるものではない。周辺領域ＰＡの一部もタッチ活性領域ＴＡとして用いられてもよく、表示領域ＤＡの一部だけがタッチ活性領域ＴＡをなしてもよい。
図４を参照すれば、表示領域ＤＡには、複数の画素ＰＸと、画素ＰＸに接続され、駆動信号を伝達する複数の表示信号線（図示せず）とが位置する。
表示信号線は、走査信号を伝達する複数の走査信号線（図示せず）と、データ信号を伝達する複数のデータ線（図示せず）とを含む。走査信号線とデータ線は互いに交差して延びることができる。表示信号線は、周辺領域ＰＡに延びてパッド部（図示せず）を形成することができる。
複数の画素ＰＸは、略行列状に配列されていてもよいが、これに限定されるものではない。各画素ＰＸは、ゲート線およびデータ線に接続されたスイッチング素子（図示せず）と、これに接続された画素電極（図示せず）とを含むことができる。スイッチング素子は、表示板３００に集積されている薄膜トランジスタなどの三端子素子であってよい。スイッチング素子は、ゲート線が伝達するゲート信号によってターンオンまたはターンオフされ、データ線が伝達するデータ信号を選択的に画素電極に伝達することができる。画素ＰＸは、画素電極に対向する対向電極（図示せず）をさらに含むことができる。有機発光表示装置の場合、画素電極と対向電極との間には発光層が位置し、発光素子を形成することができる。対向電極は、共通電圧を伝達することができる。
色表示を実現するためには、各画素ＰＸは、基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを表示することができ、これら基本色の色合わせで所望する色が認識されるようにする。基本色の例としては、赤色、緑色、青色などの三原色または四原色が挙げられる。各画素ＰＸは、各画素電極に対応する所に位置し、基本色のうちの１つを示すカラーフィルタをさらに含んでもよく、発光素子の含む発光層が有色の光を発光してもよい。
タッチ活性領域ＴＡには、接触感知センサが位置する。接触感知センサは、多様な方式で接触を感知することができる。例えば、接触感知センサは、抵抗膜方式（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）、静電容量方式（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）、電磁誘導型（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｙｐｅ、ＥＭ）、光感知方式（ｏｐｔｉｃａｌ ｔｙｐｅ）などの多様な方式で分類される。
本実施形態では、静電容量方式の接触感知センサを例に挙げて説明する。
図５を参照すれば、一実施形態に係る接触感知センサは、複数のタッチ電極を含み、複数のタッチ電極は、複数の第１タッチ電極４１０と、複数の第２タッチ電極４２０とを含むことができる。第１タッチ電極４１０と第２タッチ電極４２０は互いに分離されている。
図５を参照すれば、複数の第１タッチ電極４１０および複数の第２タッチ電極４２０は、タッチ活性領域ＴＡで互いに重ならないように交互に分散して配置されてもよい。複数の第１タッチ電極４１０は、列方向および行方向に沿ってそれぞれ複数個ずつ配置され、複数の第２タッチ電極４２０も、列方向および行方向に沿ってそれぞれ複数個ずつ配置されてもよい。
第１タッチ電極４１０と第２タッチ電極４２０は、互いに同一層に位置することができる。
第１タッチ電極４１０と第２タッチ電極４２０それぞれは、四角形であってもよいが、これに限定されるものではなく、接触感知センサの感度向上のために突出部を有するなど、多様な形態を有することができる。
同一の行または列に配列された複数の第１タッチ電極４１０は、タッチ活性領域ＴＡの内部または外部で互いに接続されていてもよく、分離されていてもよい。同様に、同一の列または行に配列された複数の第２タッチ電極４２０の少なくとも一部は、タッチ活性領域ＴＡの内部または外部で互いに接続されていてもよく、分離されていてもよい。例えば、図５に示しているように、同一行に配置された複数の第１タッチ電極４１０がタッチ活性領域ＴＡの内部で互いに接続されている場合、同一列に配置された複数の第２タッチ電極４２０がタッチ活性領域ＴＡの内部で互いに接続されていてもよい。
より具体的には、各行に位置する複数の第１タッチ電極４１０は、第１接続部４１２を介して互いに接続されており、各列に位置する複数の第２タッチ電極４２０は、第２接続部４２２を介して互いに接続されていてもよい。
図６および図７を参照すれば、互いに隣接する第１タッチ電極４１０の間を接続する第１接続部４１２は、第１タッチ電極４１０と同一層に位置し、第１タッチ電極４１０と同じ物質で形成可能である。つまり、第１タッチ電極４１０と第１接続部４１２は、互いに一体化されていてもよく、同時にパターニングされてもよい。
互いに隣接する第２タッチ電極４２０の間を接続する第２接続部４２２は、第２タッチ電極４２０と異なる層に位置することができる。つまり、第２タッチ電極４２０と第１接続部４１２は、互いに分離されていてもよく、別途にパターニングされてもよい。第２タッチ電極４２０と第２接続部４２２は、直接的な接触により互いに接続可能である。
第１接続部４１２と第２接続部４２２との間には絶縁膜４３０が位置し、第１接続部４１２と第２接続部４２２とを互いに絶縁させる。絶縁膜４３０は、図６および図７に示しているように、第１接続部４１２と第２接続部４２２との交差部ごとに配置された複数の独立した島状の絶縁体であってよい。絶縁膜４３０は、第２接続部４２２が第２タッチ電極４２０に接続できるように、第２タッチ電極４２０の少なくとも一部を露出してもよい。
絶縁膜４３０は、その周縁が丸まった形状を有してもよく、多角形であってもよい。
他の実施形態によれば、絶縁膜４３０は全面的に形成され、列方向に隣接する第２タッチ電極４２０の接続のために、第２タッチ電極４２０の一部の上に位置する絶縁膜４３０が除去されていてもよい。
図６および図７に示しているのとは異なり、互いに隣接する第２タッチ電極４２０の間を接続する第２接続部４２２が第１タッチ電極４１０と同一層に位置し、第１タッチ電極４１０と一体化されており、互いに隣接する第１タッチ電極４１０の間を接続する第１接続部４１２は、第１タッチ電極４１０と異なる層に位置してもよい。
図５を参照すれば、各行の互いに接続された第１タッチ電極４１０は、第１タッチ配線４１１を介してタッチ制御部７００に接続され、各列の互いに接続された第２タッチ電極４２０は、第２タッチ配線４２１を介してタッチ制御部７００に接続可能である。第１タッチ配線４１１と第２タッチ配線４２１は、図５に示しているように、表示板３００の周辺領域ＰＡに位置することができるが、これとは異なり、タッチ活性領域ＴＡに位置してもよい。
第１タッチ配線４１１および第２タッチ配線４２１の端部分は、表示板３００の周辺領域ＰＡでパッド部４５０を形成する。
第１タッチ電極４１０および第２タッチ電極４２０は、表示板３００から光が透過できるように、所定の値以上の透過度を有することができる。第１タッチ電極４１０および第２タッチ電極４２０は、２次元導電素材を含む少なくとも１つの導電膜と、２次元導電素材、銀ナノワイヤ（ＡｇＮｗ）、メタルメッシュ（ｍｅｔａｌ ｍｅｓｈ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェンなどの導電物質のうちの少なくとも１つを含む導電膜とが、複数の不導体膜と交互に積層されてなる電極構造体として作られてもよい。
不導体膜は、銀ナノワイヤ、炭素ナノチューブ、グラフェンなどを液状にして塗布するために使用する有機バインダーであってよい。有機バインダーとしては、ＨＰＭＣ（Ｈｙｄｒｏｘｙｐｒｏｐｙｌ Ｍｅｔｈｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）をはじめとするセルロース系、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ポリビニルアクリル酸（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）などが使用できる。また、最上層の不導体膜は、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）系オーバーコート膜であってよい。複数の導電膜は、２次元導電素材を含む少なくとも１つの導電膜と共に、２次元導電素材、銀ナノワイヤ（ＡｇＮｗ）、メタルメッシュ（ｍｅｔａｌ ｍｅｓｈ）、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェンなどの透明な導電膜を形成可能な物質のうちの少なくとも１つを含む導電膜を含むことができ、各膜ごとに互いに異なる種類の導電物質を含むことができる。例えば、導電膜のうち最も下層の第１導電膜は、２次元導電素材をバインダーと混合して塗布し乾燥して形成し、その上に銀ナノワイヤを有機バインダーと混合して塗布し乾燥して、有機バインダーを含む不導体膜と、銀ナノワイヤを含む第２導電膜とを形成し、さらに炭素ナノチューブやグラフェンを有機バインダーと混合して塗布し乾燥して、有機バインダーを含む不導体膜と、炭素ナノチューブやグラフェンを含む第３導電膜とを形成することができる。有機バインダーは、炭素ナノチューブやグラフェンの表面のどこにでも位置するので、第３導電膜上にも不導体膜が形成可能である。このような複数の導電膜は、電極構造体の少なくとも一側面で接続部材を介して電気的に互いに接続可能である。図５を参照すれば、本実施形態では、複数の第２タッチ電極４２０の間を接続する第２接続部４２２が、電極構造体の複数の導電膜を側面で接続する接続部材の役割も兼ねている。また、第１タッチ配線４１１と第２タッチ配線４２１も、電極構造体の複数の導電膜を側面で接続する接続部材の役割を兼ねるようにしてもよい。電極構造体の複数の導電膜を側面で接続する接続部材は、第２接続部４２２、第１タッチ配線４１１および第２タッチ配線４２１とは別個に形成されてもよい。
第１タッチ配線４１１と第２タッチ配線４２１は、第１タッチ電極４１０および第２タッチ電極４２０が含む透明な導電物質、またはモリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）などの低抵抗物質を含むことができる。
互いに隣接する第１タッチ電極４１０と第２タッチ電極４２０は、接触感知センサとして機能する相互感知キャパシタ（ｍｕｔｕａｌ ｓｅｎｓｉｎｇ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を形成する。相互感知キャパシタは、第１タッチ電極４１０および第２タッチ電極４２０のうちの１つを介して感知入力信号を受信し、外部物体の接触による電荷量の変化を感知出力信号として残りのタッチ電極を介して出力することができる。
図５〜図７に示しているのとは異なり、複数の第１タッチ電極４１０と複数の第２タッチ電極４２０は互いに分離され、それぞれタッチ配線（図示せず）を介してタッチ制御部７００に接続されてもよい。この場合、各タッチ電極は、接触感知センサとして自己感知キャパシタ（ｓｅｌｆ ｓｅｎｓｉｎｇ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を形成することができる。自己感知キャパシタは、感知入力信号を受信して所定の電荷量で充電可能であり、指などの外部物体の接触があれば、充電電荷量に変化が生じて、入力された感知入力信号と異なる感知出力信号を出力することができる。
さらに図４を参照すれば、表示制御部６００は、表示板３００の映像表示動作を制御する。
より具体的には、表示制御部６００は、外部から各画素ＰＸの輝度情報を含んでいる入力映像信号およびその表示を制御する入力制御信号を受信する。表示制御部６００は、入力映像信号と入力制御信号に基づいて入力映像信号を処理して出力映像信号に変換し、ゲート制御信号およびデータ制御信号などの制御信号を生成する。表示制御部６００は、ゲート制御信号をゲート駆動部（図示せず）に送り出し、データ制御信号と出力映像信号をデータ駆動部（図示せず）に送り出す。
図示しないが、データ駆動部は、データ制御信号によって１行の画素ＰＸに対する出力映像信号を受信し、各出力映像信号に対応する階調電圧を選択することにより、出力映像信号をデータ電圧に変換した後、これを当該データ線に印加する。ゲート駆動部は、ゲート制御信号によってゲートオン電圧をゲート線に印加して、ゲート線に接続されたスイッチング素子をターンオンさせる。すると、データ線に印加されたデータ電圧がターンオンされたスイッチング素子を介して当該画素ＰＸに印加される。画素ＰＸにデータ電圧が印加されると、画素ＰＸは、発光素子などの多様な光学変換素子によりデータ電圧に対応する輝度を表示することができる。
タッチ制御部７００は、タッチ活性領域に位置する接触感知センサに接続され、接触感知センサの動作を制御する。タッチ制御部７００は、接触感知センサに感知入力信号を伝達したり、感知出力信号を受信して処理したりすることができる。タッチ制御部７００は、感知出力信号を処理して、タッチの有無およびタッチ位置などのタッチ情報を生成することができる。
データ駆動部、ゲート駆動部、および表示制御部６００などの駆動装置は、少なくとも１つの集積回路チップの形態で表示板３００上に直接装着されたり、可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着され、ＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で表示板３００に付着したり、別途の印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）（図示せず）上に装着されてもよい。これとは異なり、駆動装置は、表示信号線およびスイッチング素子などと共に、表示板３００に集積されてもよい。
タッチ制御部７００も、少なくとも１つの集積回路チップの形態で表示板３００上に直接装着されたり、可撓性印刷回路膜上に装着され、ＴＣＰの形態で表示板３００に付着したり、別途の印刷回路基板上に装着されてもよい。タッチ制御部７００は、表示板３００のパッド部４５０を介して第１タッチ配線４１１および第２タッチ配線４２１に接続可能である。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、以下の請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。
１０ 基板、
１１、２１ 導電材料、
３０ 導電性接続部材、
４１、４２、４３ 導電膜、
５１、５２、５３、５４ 不導体膜、
４１０、４２０ タッチ電極、
４１１、４２１ タッチ配線、
４１２、４２２ 接続部、
４５０ パッド部、
６００ 表示制御部、
７００ タッチ制御部。

Claims (11)

  1. 第１不導体膜と、
    前記第１不導体膜上に形成されている第１導電膜と、
    前記第１導電膜上に形成されている第２不導体膜と、
    前記第２不導体膜上に形成されている第２導電膜と、
    前記第２導電膜上に形成されている第３不導体膜とを含み、
    前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの１つは、２次元導電素材を含み、他の１つは、銀ナノワイヤ、グラフェン、炭素ナノチューブ、メタルメッシュを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含み、
    前記２次元導電素材は、アルカリ金属亜酸化物、アルカリ金属サブカーバイド、アルカリ土類金属亜窒化物、遷移元素のサブカーバイド、遷移金属亜酸化物、遷移元素過剰含有カルコゲナイド、遷移金属含有サブハライド、ボライド化合物、酸化物のうちのいずれか１つであり、
    前記第１導電膜と前記第２導電膜が含む前記導電材料は、一部が前記第２不導体膜にも位置し、
    前記第１不導体膜、前記第２不導体膜、および前記第３不導体膜は、前記第１導電膜と前記第２導電膜が含む前記導電材料と混合して湿式塗布されたバインダーを含むことを特徴とする、電極構造体。
  2. 第１不導体膜と、
    前記第１不導体膜上に形成されている第１導電膜と、
    前記第１導電膜上に形成されている第２不導体膜と、
    前記第２不導体膜上に形成されている第２導電膜と、
    前記第２導電膜上に形成されている第３不導体膜とを含み、
    前記第１導電膜および前記第２導電膜のうちの１つは、２次元導電素材を含み、他の１つは、銀ナノワイヤ、グラフェン、炭素ナノチューブ、メタルメッシュを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含み、
    前記２次元導電素材は、アルカリ金属亜酸化物、アルカリ金属サブカーバイド、アルカリ土類金属亜窒化物、遷移元素のサブカーバイド、遷移金属亜酸化物、遷移元素過剰含有カルコゲナイド、遷移金属含有サブハライド、ボライド化合物、酸化物のうちのいずれか１つであり、
    前記第３不導体膜上に形成されている第３導電膜と、
    前記第３導電膜上に形成されている第４不導体膜とをさらに含み、
    前記第３導電膜は、２次元導電素材、銀ナノワイヤ、メタルメッシュ、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）、グラフェンを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含み、
    前記第４不導体膜は、前記第３導電膜が含む前記導電材料と混合して湿式塗布されたバインダーを含むことを特徴とする、電極構造体。
  3. 前記第４不導体膜は、前記バインダーを含む下部膜と、ポリアクリレート系物質を含むオーバーコート膜とを含むことを特徴とする、請求項２に記載の電極構造体。
  4. 前記第１導電膜と前記第２導電膜との間に配置されている反射防止膜をさらに含み、前記反射防止膜は、屈折率（ｎ）が１．６〜１．８であり、厚さは７５ｎｍ〜９５ｎｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極構造体。
  5. 前記第３不導体膜は、前記バインダーを含む下部膜と、ポリアクリレート系物質を含むオーバーコート膜とを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電極構造体。
  6. 前記第１不導体膜、前記第１導電膜、前記第２不導体膜、前記第２導電膜、および前記第３不導体膜のなす積層構造の少なくとも一側面に形成されており、前記第１導電膜と前記第２導電膜とを電気的に接続する導電性接続部材をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極構造体。
  7. 前記導電性接続部材は、前記第１導電膜や前記第２導電膜が含む導電材料、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項６に記載の電極構造体。
  8. 第１方向に配列されている複数の第１タッチ電極と、
    第１方向と交差する第２方向に配列されている複数の第２タッチ電極と、
    前記複数の第１タッチ電極および前記複数の第２タッチ電極に接続されており、感知入力信号を印加し感知出力信号を受信してタッチを感知するタッチ制御部とを含み、
    前記複数の第１タッチ電極と前記複数の第２タッチ電極それぞれは、複数の導電膜と複数の不導体膜とが交互に積層されている積層構造を含み、
    前記複数の導電膜は、２次元導電素材を含む第１導電膜と、銀ナノワイヤ、グラフェン、炭素ナノチューブ、メタルメッシュを含む導電材料のうちの少なくとも１つを含む第２導電膜とを含み、
    前記２次元導電素材は、アルカリ金属亜酸化物、アルカリ金属サブカーバイド、アルカリ土類金属亜窒化物、遷移元素のサブカーバイド、遷移金属亜酸化物、遷移元素過剰含有カルコゲナイド、遷移金属含有サブハライド、ボライド化合物、酸化物のうちのいずれか１つであり、
    前記複数の不導体膜は、前記複数の導電膜が含む前記導電材料と混合して湿式塗布されたバインダーを含むことを特徴とする、接触感知センサ。
  9. 前記積層構造の少なくとも一側面に形成されており、前記複数の導電膜の第１導電膜と第２導電膜とを電気的に接続する導電性接続部材をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の接触感知センサ。
  10. 前記導電性接続部材は、前記積層構造の側面と共に、前記積層構造の上面の一部を覆っていることを特徴とする、請求項９に記載の接触感知センサ。
  11. 前記導電性接続部材は、前記複数の第１タッチ電極と前記複数の第２タッチ電極を前記タッチ制御部に接続するために配線と接触することを特徴とする、請求項９に記載の接触感知センサ。
JP2015140748A 2014-07-18 2015-07-14 電極構造体およびこれを用いる接触感知センサ Active JP6633309B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140091127A KR102251775B1 (ko) 2014-07-18 2014-07-18 전극 구조체 및 이를 사용하는 접촉 감지 센서
KR10-2014-0091127 2014-07-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016024825A JP2016024825A (ja) 2016-02-08
JP6633309B2 true JP6633309B2 (ja) 2020-01-22

Family

ID=53716383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015140748A Active JP6633309B2 (ja) 2014-07-18 2015-07-14 電極構造体およびこれを用いる接触感知センサ

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20160018845A1 (ja)
EP (1) EP2975506B1 (ja)
JP (1) JP6633309B2 (ja)
KR (1) KR102251775B1 (ja)
CN (1) CN105278787B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170037573A (ko) * 2015-09-25 2017-04-04 삼성전자주식회사 도전체, 도전성 구조물, 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102632730B1 (ko) * 2016-03-23 2024-02-06 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR101908982B1 (ko) * 2016-08-31 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2019022552A1 (ko) * 2017-07-28 2019-01-31 한양대학교 산학협력단 고분자 오버코트층을 포함하는 투명 전극 및 이의 제조 방법
CN110096184B (zh) * 2018-04-18 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 导电结构及其制备方法、触摸屏和触摸显示装置
CN108538450B (zh) * 2018-06-30 2020-07-07 广州国显科技有限公司 导电膜结构及其制作方法、触控面板及显示屏
CN108899279B (zh) * 2018-06-30 2021-03-02 广州国显科技有限公司 纳米银线结构及其制备方法、显示面板
JP7281599B2 (ja) * 2019-08-26 2023-05-25 イー インク コーポレイション 識別マーカを備えている電気光学デバイス

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4421007A1 (de) 1994-06-18 1995-12-21 Philips Patentverwaltung Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
KR0155877B1 (ko) 1995-09-12 1998-12-15 이대원 다층 회로기판 및 그 제조방법
US7045454B1 (en) * 1999-05-11 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization of conductive material
CN100341629C (zh) * 2002-05-21 2007-10-10 艾考斯公司 使碳纳米管涂层形成图案的方法和碳纳米管布线
US7585349B2 (en) 2002-12-09 2009-09-08 The University Of Washington Methods of nanostructure formation and shape selection
JPWO2006075362A1 (ja) * 2005-01-12 2008-06-12 富士通株式会社 磁気ヘッドおよびその製造方法、磁気ディスク装置
US7535462B2 (en) * 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
DE102006045514B4 (de) 2006-08-16 2012-04-05 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Transparente Flächenelektrode
JP4998919B2 (ja) * 2007-06-14 2012-08-15 ソニーモバイルディスプレイ株式会社 静電容量型入力装置
WO2009011232A1 (ja) 2007-07-13 2009-01-22 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 複合酸化物焼結体、アモルファス複合酸化膜の製造方法、アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜の製造方法及び結晶質複合酸化膜
KR101368597B1 (ko) * 2009-03-31 2014-02-27 코오롱인더스트리 주식회사 투명전극, 전도성 적층체 및 전도성 수지막
WO2010119687A1 (ja) 2009-04-15 2010-10-21 昭和電工株式会社 透明導電性材料の製造方法
CN102470570B (zh) 2009-07-15 2017-03-29 阿克伦大学 多功能性导电性/透明的/挠性膜的制造
CA2772768A1 (en) * 2009-09-03 2011-03-10 Molecular Nanosystems, Inc. Methods and systems for making electrodes having at least one functional gradient therein and devices resulting therefrom
US8730184B2 (en) * 2009-12-16 2014-05-20 3M Innovative Properties Company Touch sensitive device with multilayer electrode having improved optical and electrical performance
KR20110120121A (ko) 2010-04-28 2011-11-03 강석주 정전용량 터치패널
CN103026326B (zh) * 2010-05-14 2016-08-10 电子触控产品解决方案 用于检测触摸传感器上的触摸位置的系统和方法
KR101142566B1 (ko) * 2010-06-01 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 터치스크린패널 및 이를 구비한 영상표시장치
KR101119251B1 (ko) 2010-06-07 2012-03-16 삼성전기주식회사 터치패널
CN103109391B (zh) * 2010-09-24 2016-07-20 加利福尼亚大学董事会 纳米线-聚合物复合材料电极
KR20120060664A (ko) 2010-12-02 2012-06-12 삼성전자주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR20120065008A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
KR101927562B1 (ko) 2011-04-15 2018-12-10 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 전자 디스플레이를 위한 투명 전극
US20120300168A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Raytheon Company Optically transparent conductors
US20130181910A1 (en) * 2012-01-17 2013-07-18 Esat Yilmaz Dual-Substrate-Sensor Stack
KR101881389B1 (ko) 2012-03-13 2018-07-24 삼성전자 주식회사 터치스크린, 그의 제조 방법 및 그를 구비하는 휴대 단말기
KR20130107460A (ko) 2012-03-22 2013-10-02 동우 화인켐 주식회사 도전성 적층 필름, 이를 포함하는 터치패널 및 표시장치
JP2013218648A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Touch Panel Kenkyusho:Kk タッチパネル構造体
US9894781B2 (en) * 2012-06-06 2018-02-13 Apple Inc. Notched display layers
KR101931737B1 (ko) * 2012-07-17 2018-12-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그의 구동방법
CN103576954A (zh) * 2012-07-26 2014-02-12 介面光电股份有限公司 用于触控面板的复合式感应电极结构
JP6050076B2 (ja) * 2012-09-27 2016-12-21 グンゼ株式会社 透明導電性積層体およびタッチパネル
CN104685976B (zh) * 2012-10-04 2019-05-31 东丽株式会社 导电图案的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105278787A (zh) 2016-01-27
US11422658B2 (en) 2022-08-23
KR102251775B1 (ko) 2021-05-12
KR20160010144A (ko) 2016-01-27
EP2975506B1 (en) 2020-11-04
US20160018845A1 (en) 2016-01-21
EP2975506A1 (en) 2016-01-20
CN105278787B (zh) 2020-12-15
US20200333827A1 (en) 2020-10-22
JP2016024825A (ja) 2016-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6633309B2 (ja) 電極構造体およびこれを用いる接触感知センサ
JP7023904B2 (ja) タッチセンサを含む表示装置
JP6625355B2 (ja) タッチパネルを備えるフレキシブル表示装置
US9489094B2 (en) Touch sensing panel
CN103439818B (zh) 触控面板及触控显示面板
US20140015772A1 (en) Flexible touch-sensing display panel
CN105830004B (zh) 触控屏幕面板及图像显示设备
TWM471626U (zh) 窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構
US20110267289A1 (en) Touch screen panel and image display device having the same
CN103135839B (zh) 触控面板及触控显示面板
JP2019034548A (ja) 透明電極積層体及びその製造方法
US9362060B2 (en) Touch electrode device
US9218079B2 (en) In-cell touch display panel structure
TWM480723U (zh) 高準確度之窄邊框內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構
KR102305463B1 (ko) 터치 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
US20140252322A1 (en) Display device integrated with touch screen panel
TWM477622U (zh) 窄邊框之內嵌式主動矩陣有機發光二極體顯示觸控結構
KR102237956B1 (ko) 터치 윈도우
CN203178954U (zh) 触控感应器及触控面板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191024

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20191031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191119

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6633309

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250