JP6614612B2 - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 233
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 219
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 326
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 5
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N ac1ldcw0 Chemical compound Cl.C1CN(C)CCN1C1=C(F)C=C2C(=O)C(C(O)=O)=CN3CCSC1=C32 LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005516 deep trap Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
- H10B43/35—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region with cell select transistors, e.g. NAND
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
-
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- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
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Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)〜図1(c)は、第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する模式図である。
図1(a)は、断面図である。図1(b)は、エネルギーバンド図である。図1(c)は、不揮発性半導体記憶装置に含まれる分子を示す模式図である。
図2(a)〜図2(c)は、第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する模式図である。
図2(a)は、断面図である。図2(b)は、エネルギーバンド図である。図2(c)は、不揮発性半導体記憶装置に含まれる分子を示す模式図である。
図3(a)及び図3(b)は、第3の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する模式図である。
図3(a)は、断面図である。図3(b)は、エネルギーバンド図である。
第4の実施形態においては、半導体層20はピラー状である。
図4(a)及び図4(b)は、第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する模式的断面図である。
図4(b)は、図4(a)のA1−A2線断面図である。
本製造方法は、半導体層20と、第1電極41と、半導体層20と第1電極41との間に設けられた第1層31と、第1層31と第1電極41との間に設けられた第2層32と、第2層32と第1電極41との間に設けられた第3層33と、を含む不揮発性半導体記憶装置121の製造方法である。既に説明したように、第2層32の伝導帯端Bcの第2エネルギーE2は、第1層31の伝導帯端Bcの第1エネルギーE1よりも低い。第3層33の伝導帯端Bcの第3エネルギーE3は、第2エネルギーE2よりも高い。本製造方法は、第1層31の形成、第2層32の形成、第3層33の形成、及び、複数の窒化物部35の形成を含む。
図5(a)に示すように、基体10の上に、電極40となる導電層40fと、層間絶縁膜45iとなる絶縁層45ifと、を交互に積層する。導電層40fは、例えばタングステンである。絶縁層45ifは、例えば、酸化シリコンである。積層体SBが形成される。積層方向が、Z軸方向に対応する。
図6(a)に示すように、基体10の上に、複数の第1膜61及び複数の第2膜62を交互に積層する。第1膜61は、例えば、犠牲層である。第2膜62は、例えば、層間絶縁膜45iとなる。第1膜61は、例えばシリコン窒化膜である。第2膜62は、例えばシリコン酸化膜である。これにより、積層体SB0が形成される。
図6(c)に示すように、スリットSTを介して、第1膜61を除去する。
図6(d)に示すように、第1膜61が除去されて形成された空間に導電材料を埋め込んで電極40を形成する。残っている第2膜62が、層間絶縁膜45iとなる。
これにより、不揮発性半導体記憶装置121が形成される。
図7(b)は、図7(a)のA1−A2線断面図である。
図8(a)〜図8(d)は、第4の実施形態に係る別の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図8(a)及び図8(b)に示すように、基体10の上に、電極40となる導電層40fと、層間絶縁膜45iとなる絶縁層45ifと、を交互に積層して積層体SBを形成し、さらに、積層体SBに孔SBhを形成する。
図9(a)に示すように、基体10の上に、積層体SB0を形成し、積層体SB0にピラー部PPを形成する。ピラー部PPにおいては、複数の窒化物部35は、第3層33と第2層32との間に設けられる。
図10(b)は、図10(a)のA1−A2線断面図である。
図11(a)〜図11(d)は、第4の実施形態に係る別の不揮発性半導体記憶装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図11(a)及び図11(b)に示すように、基体10の上に、電極40となる導電層40fと、層間絶縁膜45iとなる絶縁層45ifと、を交互に積層して積層体SBを形成し、さらに、積層体SBに孔SBhを形成する。
図12(a)に示すように、基体10の上に、積層体SB0を形成し、積層体SB0にピラー部PPを形成する。ピラー部PPにおいては、複数の窒化物部35は、第2層32の第1領域32aと第2領域32bとの間に設けられる。
図13においては、図を見易くするために、絶縁部分の少なくとも一部が省略されている。
第5の実施形態においては、半導体層20は基板状である。
図14(a)〜図14(c)は、第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置を例示する模式的断面図である。
図14(a)〜図14(c)に示すように、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置151〜153は、半導体層20と、第1電極41と、第1層31と、第2層32と、第3層33と、複数の窒化物部35と、を含む。
半導体層20の上に第1層31を形成する。第1層31の形成の後に第2層32を形成する。第2層32の形成の後に第3層32を形成する。第3層33の形成の後に第1電極41(及び第2電極42など)を形成する。
Claims (19)
- 半導体層と、
第1電極と、
前記半導体層と前記第1電極との間に設けられた第1層と、
前記第1層と前記第1電極との間に設けられた第2層であって、前記第2層の伝導帯端の第2エネルギーは、前記第1層の伝導帯端の第1エネルギーよりも低く、前記第2層は第1領域及び第2領域を含み、前記第1領域は前記第1層と前記第2領域との間に設けられた、前記第2層と、
前記第2層と前記第1電極との間に設けられた第3層であって、前記第3層の伝導帯端の第3エネルギーは、前記第2エネルギーよりも高い、前記第3層と、
前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、のいずれかに設けられ窒化物分子の複数の窒化物部と、
を備え、
前記第1層は、トンネル絶縁膜であり、
前記第2層は、電荷蓄積膜であり、
前記第3層は、ブロック絶縁層であり、
前記窒化物分子は、TiN、ZrN、HfN、VN、NbN、TaN、CrN、MoN、WN、BN、AlN、GaN及びInNの少なくとも1つを含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向の長さは、前記窒化物分子の大きさの最大値以下であり、
前記複数の窒化物部は、前記半導体層の前記第1層に対向する第1面に沿って並ぶ、不揮発性半導体記憶装置。 - 前記複数の窒化物部は、前記第1電極の前記第3層に対向する第2面に沿って並ぶ、請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、の前記いずれかに設けられ、第1元素の粒子をさらに含む、請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記複数の窒化物部の、前記第1方向に対して垂直な面における密度は、1×1013cm−2以上1×1015cm−2以下である、請求項1〜3のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記窒化物分子は、4族、5族、6族及び13族のいずれかの第1元素と、窒素と、を含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向と交差する面における密度は、1×1013cm−2以上1×1015cm−2以下である、請求項1〜3のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体層と、
第1電極と、
前記半導体層と前記第1電極との間に設けられた第1層と、
前記第1層と前記第1電極との間に設けられた第2層であって、前記第2層の伝導帯端の第2エネルギーは、前記第1層の伝導帯端の第1エネルギーよりも低く、前記第2層は第1領域及び第2領域を含み、前記第1領域は前記第1層と前記第2領域との間に設けられた、前記第2層と、
前記第2層と前記第1電極との間に設けられた第3層であって、前記第3層の伝導帯端の第3エネルギーは、前記第2エネルギーよりも高い、前記第3層と、
前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、のいずれかに設けられ窒化物分子の複数の窒化物部と、
を備え、
前記第1層は、トンネル絶縁膜であり、
前記第2層は、電荷蓄積膜であり、
前記第3層は、ブロック絶縁層であり、
前記窒化物分子は、TiN、ZrN、HfN、VN、NbN、TaN、CrN、MoN、WN、BN、AlN、GaN及びInNの少なくとも1つを含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向の長さは、前記窒化物分子の大きさの最大値以下であり、
前記複数の窒化物部は、前記第1電極の前記第3層に対向する第2面に沿って並ぶ、不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、の前記いずれかに設けられ、第1元素の粒子をさらに含む、請求項6記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記複数の窒化物部の、前記第1方向に対して垂直な面における密度は、1×1013cm−2以上1×1015cm−2以下である、請求項6または7に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記窒化物分子は、4族、5族、6族及び13族のいずれかの第1元素と、窒素と、を含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向と交差する面における密度は、1×1013cm−2以上1×1015cm−2以下である、請求項6記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体層と、
第1電極と、
前記半導体層と前記第1電極との間に設けられた第1層と、
前記第1層と前記第1電極との間に設けられた第2層であって、前記第2層の伝導帯端の第2エネルギーは、前記第1層の伝導帯端の第1エネルギーよりも低く、前記第2層は第1領域及び第2領域を含み、前記第1領域は前記第1層と前記第2領域との間に設けられた、前記第2層と、
前記第2層と前記第1電極との間に設けられた第3層であって、前記第3層の伝導帯端の第3エネルギーは、前記第2エネルギーよりも高い、前記第3層と、
前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、のいずれかに設けられ窒化物分子の複数の窒化物部と、
を備え、
前記第1層は、トンネル絶縁膜であり、
前記第2層は、電荷蓄積膜であり、
前記第3層は、ブロック絶縁層であり、
前記窒化物分子は、TiN、ZrN、HfN、VN、NbN、TaN、CrN、MoN、WN、BN、AlN、GaN及びInNの少なくとも1つを含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向の長さは、前記窒化物分子の大きさの最大値以下であり、
前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、の前記いずれかに設けられ、第1元素の粒子をさらに含む、不揮発性半導体記憶装置。 - 前記複数の窒化物部の、前記第1方向に対して垂直な面における密度は、1×1013cm−2以上1×1015cm−2以下である、請求項10記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記窒化物分子は、4族、5族、6族及び13族のいずれかの前記第1元素と、窒素と、を含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向と交差する面における密度は、1×1013cm−2以上1×1015cm−2以下である、請求項10記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体層と、第1電極と、前記半導体層と前記第1電極との間に設けられた第1層と、前記第1層と前記第1電極との間に設けられた第2層であって、前記第2層の伝導帯端の第2エネルギーは、前記第1層の伝導帯端の第1エネルギーよりも低く、前記第2層は第1領域及び第2領域を含み、前記第1領域は前記第1層と前記第2領域との間に設けられた、前記第2層と、前記第2層と前記第1電極との間に設けられた第3層であって、前記第3層の伝導帯端の第3エネルギーは、前記第2エネルギーよりも高い、前記第3層と、を含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記第2層の一部と前記第2層の他の一部との間、前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、のいずれかに、窒化物分子の複数の窒化物部を形成することを備え、
前記窒化物分子は、4族、5族、6族及び13族のいずれかの第1元素と、窒素と、を含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向の長さは、前記窒化物分子の大きさの最大値以下であり、
前記第1層を形成することと、
前記第2層を形成することと、
前記第3層を形成することと、
をさらに備え、
前記第3層の前記形成の後に、前記複数の窒化物部の前記形成を実施し、
前記複数の窒化物部の前記形成の後に前記第2層の前記形成を実施し、
前記第2層の前記形成の後に前記第1層の前記形成を実施する、不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体層と、第1電極と、前記半導体層と前記第1電極との間に設けられた第1層と、前記第1層と前記第1電極との間に設けられた第2層であって、前記第2層の伝導帯端の第2エネルギーは、前記第1層の伝導帯端の第1エネルギーよりも低く、前記第2層は第1領域及び第2領域を含み、前記第1領域は前記第1層と前記第2領域との間に設けられた、前記第2層と、前記第2層と前記第1電極との間に設けられた第3層であって、前記第3層の伝導帯端の第3エネルギーは、前記第2エネルギーよりも高い、前記第3層と、を含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記第2層の一部と前記第2層の他の一部との間、前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、のいずれかに、窒化物分子の複数の窒化物部を形成することを備え、
前記窒化物分子は、4族、5族、6族及び13族のいずれかの第1元素と、窒素と、を含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向の長さは、前記窒化物分子の大きさの最大値以下であり、
前記第1層を形成することと、
前記第2層を形成することと、
前記第3層を形成することと、
をさらに備え、
前記第3層の前記形成の後に、前記第2層の前記一部を形成し、
前記第2層の前記一部の形成の後に前記複数の窒化物部の前記形成を実施し、
前記複数の窒化物部の前記形成の後に前記第2層の前記他の一部を形成し、
前記第2層の前記他の一部の形成の後に、前記第1層の前記形成を実施する、不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第2層は前記第1領域及び前記第2領域を含み、前記第1領域は前記第1層と前記第2領域との間に設けられ、
前記複数の窒化物部の、前記第1方向と交差する面における密度は、1×1013cm−2以上1×1015cm−2以下である、請求項13または14に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記複数の窒化物部は、前記第1元素を含むガスと、窒素を含むガスと、を用いた原子層堆積により形成される、請求項13〜15のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第3層の前記形成の前に前記第1電極を形成することと、
前記第1層の前記形成の後に前記半導体層を形成することと、
をさらに備えた、請求項13〜16のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 犠牲層を形成することと、
前記犠牲層を除去することと、
前記第1電極を形成することと、
をさらに備え、
前記第3層の形成は、前記犠牲層の面の上に前記第3層を形成することを含み、
前記第1層の前記形成の後に前記半導体層を形成し、
前記半導体層の前記形成の後に前記犠牲層の前記除去を実施し、
前記第1電極の前記形成は、前記犠牲層の除去により露出した前記第3層の面の上に前記第1電極を形成することを含む、請求項13〜16のいずれか1つに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体層と、第1電極と、前記半導体層と前記第1電極との間に設けられた第1層と、前記第1層と前記第1電極との間に設けられた第2層であって、前記第2層の伝導帯端の第2エネルギーは、前記第1層の伝導帯端の第1エネルギーよりも低い、前記第2層と、前記第2層と前記第1電極との間に設けられた第3層であって、前記第3層の伝導帯端の第3エネルギーは、前記第2エネルギーよりも高い、前記第3層と、を含み、前記第2層は第1領域及び第2領域を含み、前記第1領域は前記第1層と前記第2領域との間に設けられた、不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記第2層の一部と前記第2層の他の一部との間、前記第1領域と前記第2領域との間、前記第1層と前記第2層との間、及び、前記第2層と前記第3層との間、のいずれかに、窒化物分子の複数の窒化物部を形成することを備え、
前記窒化物分子は、4族、5族、6族及び13族のいずれかの第1元素と、窒素と、を含み、
前記複数の窒化物部の、前記半導体層から前記第1電極に向かう第1方向の長さは、前記窒化物分子の大きさの最大値以下であり、
前記第1層を形成することと、
前記第2層を形成することと、
前記第3層を形成することと、
をさらに備え、
前記第3層の前記形成の後に、前記第2層の前記形成を実施し、
前記第2層の前記形成の後に、前記複数の窒化物部の前記形成を実施し、
前記複数の窒化物部の前記形成の後に前記第1層の前記形成を実施し、
犠牲層を形成することと、
前記犠牲層を除去することと、
前記第1電極を形成することと、
をさらに備え、
前記第3層の形成は、前記犠牲層の面の上に前記第3層を形成することを含み、
前記第1層の前記形成の後に前記半導体層を形成し、
前記半導体層の前記形成の後に前記犠牲層の前記除去を実施し、
前記第1電極の前記形成は、前記犠牲層の除去により露出した前記第3層の面の上に前記第1電極を形成することを含む、不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048788A JP6614612B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US15/456,033 US20170263640A1 (en) | 2016-03-11 | 2017-03-10 | Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same |
US17/366,537 US20210335816A1 (en) | 2016-03-11 | 2021-07-02 | Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048788A JP6614612B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019194915A Division JP7079762B2 (ja) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017163108A JP2017163108A (ja) | 2017-09-14 |
JP6614612B2 true JP6614612B2 (ja) | 2019-12-04 |
Family
ID=59787123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016048788A Active JP6614612B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20170263640A1 (ja) |
JP (1) | JP6614612B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102505240B1 (ko) * | 2017-11-09 | 2023-03-06 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 |
JP2020031151A (ja) | 2018-08-23 | 2020-02-27 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2020043285A (ja) | 2018-09-13 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR102653530B1 (ko) * | 2018-12-27 | 2024-04-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP2020141092A (ja) | 2019-03-01 | 2020-09-03 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
JP2020150227A (ja) | 2019-03-15 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP7086883B2 (ja) * | 2019-03-22 | 2022-06-20 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR20200141150A (ko) | 2019-06-10 | 2020-12-18 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 |
CN110687138B (zh) * | 2019-09-05 | 2022-08-05 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体结构的测量与边界特征提取方法及其装置 |
KR20210030533A (ko) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 |
KR20240100079A (ko) * | 2022-12-22 | 2024-07-01 | 삼성전자주식회사 | 수직형 낸드 플래시 메모리 소자 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1818978A4 (en) * | 2004-11-30 | 2009-04-01 | Fujitsu Microelectronics Ltd | SEMICONDUCTOR MEMORY COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP2007294874A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5306604B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-10-02 | 富士通株式会社 | 二値半導体記憶装置 |
KR100855993B1 (ko) * | 2007-04-03 | 2008-09-02 | 삼성전자주식회사 | 전하 트랩 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP2010161154A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP5531252B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2014-06-25 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
JP2013187362A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5878797B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2016-03-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014187286A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR102321877B1 (ko) * | 2015-02-16 | 2021-11-08 | 삼성전자주식회사 | 전하 저장층들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치 |
JP2016034045A (ja) * | 2015-12-08 | 2016-03-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-03-11 JP JP2016048788A patent/JP6614612B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-10 US US15/456,033 patent/US20170263640A1/en not_active Abandoned
-
2021
- 2021-07-02 US US17/366,537 patent/US20210335816A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017163108A (ja) | 2017-09-14 |
US20170263640A1 (en) | 2017-09-14 |
US20210335816A1 (en) | 2021-10-28 |
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JP7079762B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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