JP6611881B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置に関する。
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）
を利用する発光素子を用いた自発光型の表示装置、発光装置などが注目されている。この
ような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子
などが知られている。これらの発光素子は自ら発光するため、液晶素子を用いた表示装置
よりも表示画像の視認性が高い。また、バックライトが不要であることや、応答速度が速
い等の利点もある。
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層という）
を備える。当該一対の電極の間に電圧を印加すると、当該ＥＬ層から発光が得られる。こ
のような有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に開示されている。
特開２００２−３２４６７３号公報
有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型発光装置では、個々の画素が有するトラン
ジスタで有機ＥＬ素子に流す電流を調整することにより階調を表現し、全体の映像を表示
する。
発光装置内において画素のトランジスタの電気特性にばらつきが生じていると、表示の品
位が低下することがある。また、トランジスタの電気特性が経時変化してしまう場合も同
様である。
このため、画素のトランジスタの電気特性をモニタする回路を設け、トランジスタの電気
特性のばらつき、および変動を補正する方法が用いられている。しかしながら、有機ＥＬ
素子に接続されたトランジスタの電気特性をモニタするには、有機ＥＬ素子を非発光とし
なければならない。したがって、非発光状態が視認されないような短時間でトランジスタ
の電気特性をモニタしなければならず、その精度は十分ではなかった。逆に、トランジス
タの電気特性を正確にモニタするには、一時的に表示品質を低下させる必要があった。
したがって、本発明の一態様では、表示品質を低下させず、画素のトランジスタの電気特
性をモニタすることのできる発光装置を提供することを目的の一つとする。または、表示
品質の高い発光装置を提供することを目的の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本明細書で開示する本発明の一態様は、アクティブマトリクス型発光装置において、一方
の画素が有する画素回路が、当該画素の発光素子および他方の画素が有する発光素子を駆
動することができる発光装置に関する。
本発明の一態様は、Ｎ行（Ｎは３以上の自然数）Ｍ列（Ｍは１以上の自然数）からなる複
数の画素を有し、画素は発光素子を駆動する画素回路を有し、第１行目の画素は、発光素
子を有さない画素であり、第２行目乃至第Ｎ行目の画素は発光素子を有する画素であり、
第１行目の画素が有する画素回路は、同列の第２行目の画素が有する発光素子と第１のス
イッチを介して電気的に接続され、第ｋ行目（ｋは２以上Ｎ未満の自然数）の画素が有す
る画素回路は、同列の第ｋ行目の画素が有する発光素子と第２のスイッチを介して電気的
に接続され、かつ、同列の第ｋ＋１行目の画素が有する発光素子と第３のスイッチを介し
て電気的に接続され、第Ｎ行目の画素が有する画素回路は、同列の第Ｎ行目の画素が有す
る発光素子と第４のスイッチを介して電気的に接続されていることを特徴とする発光装置
である。
また、上記画素回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジ
スタと、容量素子と、を有し、第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一
方は、第１の配線と電気的に接続され、第１のトランジスタのソース電極またはドレイン
電極の他方は、第２のトランジスタのゲート電極および容量素子の一方の電極と電気的に
接続され、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第２の配線と
電気的に接続され、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第３
のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方および容量素子の他方の電極と電
気的に接続され、第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第３の
配線と電気的に接続され、第１のトランジスタのゲート電極および第３のトランジスタの
ゲート電極は、第４の配線と電気的に接続されている構成とすることができる。
ここで、第１の配線は信号線駆動回路と接続する配線であり、第２の配線は電源回路と接
続する配線であり、第３の配線は補正用回路と接続する配線であり、第４の配線は第１の
ゲート線駆動回路と接続する配線とすることができる。
また、第１のスイッチはトランジスタであり、第１行目の画素が有する画素回路は、第２
のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方が前記第１のスイッチであるトラ
ンジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、第１のスイッチで
あるトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方が第２行目の画素が有する発光
素子の一方の電極と電気的に接続され、第１のスイッチであるトランジスタのゲート電極
が第５の配線に電気的に接続されている構成とすることができる。
ここで、第５の配線は第２のゲート線駆動回路と接続する配線とすることができる。
また、第２のスイッチおよび第３のスイッチはトランジスタであり、第ｋ行目の画素が有
する画素回路は、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方が第２のス
イッチであるトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方および第３のスイッチ
であるトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、第２の
スイッチであるトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第ｋ行目の画素
が有する発光素子の一方の電極と電気的に接続され、第３のスイッチであるトランジスタ
のソース電極またはドレイン電極の他方は、第ｋ＋１行目の画素が有する発光素子の一方
の電極と電気的に接続され、第２のスイッチであるトランジスタのゲート電極が第６の配
線に電気的に接続され、第３のスイッチであるトランジスタのゲート電極が第７の配線に
電気的に接続されている構成とすることができる。
ここで、第６の配線は第３のゲート線駆動回路と接続する配線であり、第７の配線は第２
のゲート線駆動回路と接続する配線とすることができる。
また、第４のスイッチはトランジスタであり、第Ｎ行目の画素が有する画素回路は、第２
のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方が第４のスイッチであるトランジ
スタのソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、第４のスイッチである
トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第Ｎ行目の画素が有する発光素
子の一方の電極と電気的に接続され、第４のスイッチであるトランジスタのゲート電極が
第８の配線に電気的に接続されている構成とすることができる。
ここで、第８の配線は第３のゲート線駆動回路と接続する配線とすることができる。
本発明の一態様を用いることで、表示品質を低下させず、画素のトランジスタの電気特性
をモニタすることのできる発光装置を提供することができる。または、表示品質の高い発
光装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
発光装置の回路構成を説明図。 画素回路および補正用回路の構成を説明する図。 画素回路の接続形態を説明する図。 画素回路の接続形態を説明する図。 画素回路の接続形態を説明する図。 発光装置の回路構成を説明図。 画素の一列分の接続形態を模式化した図。 画素の一列分の接続形態を模式化した図。 発光装置の回路構成を説明図。 画素回路の接続形態を説明する図。 発光装置の回路構成を説明図。 発光装置を説明する上面図および断面図。 電子機器の一例を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成
において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通
して用い、その繰り返しの説明は省略することがある。
なお、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、Ｘ
とＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、Ｘ
とＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例え
ば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。したがっ
て、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または
文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
なお、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続
されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟んで接続されてい
る場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路
を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり
、ＸとＹとの間に別の素子または別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むもの
とする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続され
ている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
なお、本明細書等において、様々な基板を用いて、トランジスタを形成することが出来る
。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体
基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プ
ラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有
する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合
わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、または基材フィルムなどがある。ガラス基板の一
例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、またはソーダライ
ムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表さ
れるプラスチック、またはアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせ
フィルムの一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、またはポ
リ塩化ビニルなどがある。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リイミド、無機蒸着フィルム、または紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、
またはＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、ま
たは形状などのばらつきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造
することができる。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電
力化、または回路の高集積化を図ることができる。
なお、ある基板を用いてトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを転置
し、別の基板上にトランジスタを配置してもよい。トランジスタが転置される基板の一例
としては、上述したトランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファ
ン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、
ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再
生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、またはゴム基板などがある。これらの基板を
用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形
成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、または薄型化を図ることができる。
また、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含
む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎ
ｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ
）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、
または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩ
Ｃ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について説明する。
発光装置において画素のトランジスタの電気特性にばらつきや経時変化が生じると、表示
の品位が低下することがある。
このため、図２（Ａ）に示すような、画素をスイッチングするための第１のトランジスタ
２０１、発光素子２１０に供給する電流を制御する第２のトランジスタ２０２、図２（Ｂ
）に示す積分回路などの補正用回路との接続をスイッチングする第３のトランジスタ２０
３を有する画素回路が知られている。補正用回路は第２のトランジスタ２０２の電気特性
を定期的にモニタし、補正信号を生成する。
例えば、第２のトランジスタ２０２の電気特性に経時変化が生じたとしても、補正用回路
で生成した補正信号を上乗せしたデータ信号を第２のトランジスタ２０２のゲートに供給
することで、発光素子２１０に供給する電流を補正し、当該発光素子の輝度の変動を抑え
ることができる。
第２のトランジスタ２０２の電気特性を補正用回路でモニタする場合には、発光素子が発
光しない、しきい値電圧（順方向電圧）未満で第２のトランジスタ２０２を動作させる必
要があり、正確な情報を得るにはモニタ時間を長くとることが好ましい。しかしながら、
実際には非発光状態が視認されないような短時間でトランジスタの電気特性をモニタしな
ければならず、その精度は十分ではなかった。逆に、トランジスタの電気特性を正確にモ
ニタするには、一時的に表示品質を低下させなければならなかった。
上記問題を顧み、本発明の一態様は、表示品質を低下させず、正確に画素のトランジスタ
の電気特性をモニタすることのできる発光装置を提供することを目的の一つとする。
図１は本発明の一態様の発光装置の回路構成を示す図である。当該発光装置はＮ行（Ｎは
３以上の自然数）Ｍ列（Ｍは１以上の自然数）からなる複数の画素を有し、第１行目の画
素、第ｋ行目の画素（ｋは２以上Ｎ未満の自然数）、第Ｎ行目の画素で異なる構成を有す
る。
第１行目の画素１０１は、発光素子を有さない画素であり、第２行目乃至第Ｎ行目の画素
１０２、１０３、１０５は発光素子を有する画素である。なお、各画素に含まれる回路１
２０は画素回路であり、図２（Ａ）に示す回路と同様に、第１のトランジスタ２０１、第
２のトランジスタ２０２、第３のトランジスタ２０３、および容量素子２０４を含む構成
とすることができる。
図３は第１行目の画素１０１および第２行目の画素１０２の接続構成の詳細である。第１
行目の画素が有する画素回路は、同列の第２行目の画素が有する発光素子２１２と第１の
スイッチである第４のトランジスタ３０４を介して電気的に接続される。
第１行目の画素１０１において、回路１２０として適用することができる画素回路は、第
１のトランジスタ２０１のソース電極またはドレイン電極の一方が第１の配線５０１（Ｓ
Ｌ）と電気的に接続され、第１のトランジスタ２０１のソース電極またはドレイン電極の
他方が第２のトランジスタ２０２のゲート電極および容量素子２０４の一方の電極と電気
的に接続され、第２のトランジスタ２０２のソース電極またはドレイン電極の一方が第２
の配線５０２（ＶＤＤ）と電気的に接続され、第２のトランジスタ２０２のソース電極ま
たはドレイン電極の他方が第３のトランジスタ２０３のソース電極またはドレイン電極の
一方および容量素子２０４の他方の電極と電気的に接続され、第３のトランジスタ２０３
のソース電極またはドレイン電極の他方が第３の配線５０３（ＶＯ）と電気的に接続され
、第１のトランジスタ２０１のゲート電極および第３のトランジスタ２０３のゲート電極
が第４の配線５０４（ＧＬ１）と電気的に接続されている構成を有する。
第１行目の画素１０１が有する画素回路は、第２のトランジスタ２０２のソース電極また
はドレイン電極の他方が第１のスイッチである第４のトランジスタ３０４のソース電極ま
たはドレイン電極の一方と電気的に接続され、第４のトランジスタ３０４のソース電極ま
たはドレイン電極の他方が第２行目の画素１０２が有する発光素子２１２の一方の電極と
電気的に接続され、第４のトランジスタ３０４のゲート電極が第５の配線５０５（ＧＬ２
）に電気的に接続されている。なお、第２行目の画素１０２の詳細については、図４を用
いて説明する。
図４は第２行目の画素１０２および第３行目の画素１０３の接続構成の詳細である。第２
行目の画素１０２が有する画素回路は、画素１０２が有する発光素子２１２と第２のスイ
ッチである第５のトランジスタ３０５を介して電気的に接続され、かつ、同列の第３行目
の画素１０３が有する発光素子２１３と第３のスイッチである第６のトランジスタ３０６
を介して電気的に接続される。
第２行目の画素１０２が有する画素回路は、第２のトランジスタ２０２のソース電極また
はドレイン電極の他方が第２のスイッチである第５のトランジスタ３０５のソース電極ま
たはドレイン電極の一方および第３のスイッチである第６のトランジスタ３０６のソース
電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、第５のトランジスタ３０５のソース
電極またはドレイン電極の他方は、第２行目の画素１０２が有する発光素子２１２の一方
の電極と電気的に接続され、第６のトランジスタ３０６のソース電極またはドレイン電極
の他方は、第３行目の画素が有する発光素子２１３の一方の電極と電気的に接続され、第
５のトランジスタ３０５のゲート電極が第６の配線５０６（ＧＬ３）に電気的に接続され
、第６のトランジスタ３０６のゲート電極が第７の配線５０７（ＧＬ２）に電気的に接続
されている。なお、各発光素子の他方の電極は第９の配線５０９に電気的に接続されてい
る。
なお、第２行目を第ｋ行目（ｋは２以上Ｎ未満の自然数）、第３行目を第ｋ＋１行目と表
すことで、第２行目から第Ｎ−１行目までの画素の接続構成を説明することができる。
図５は第Ｎ−１行目の画素１０４および第Ｎ行目の画素１０５の接続構成の詳細である。
なお、画素１０４は、図１には図示されていない。第Ｎ−１行目の画素１０４が有する画
素回路は、同列の第Ｎ行目の画素１０５が有する発光素子２１５と第７のスイッチである
第１０のトランジスタ３１０を介して電気的に接続される。
前記第Ｎ行目の画素１０５が有する画素回路は、第２のトランジスタ２０２のソース電極
またはドレイン電極の他方が第４のスイッチである第７のトランジスタ３０７のソース電
極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、第７のトランジスタ３０７のソース電
極またはドレイン電極の他方は、第Ｎ行目の画素が有する発光素子２１５の一方の電極と
電気的に接続され、第７のトランジスタ３０７のゲート電極が第８の配線５０８（ＧＬ３
）に電気的に接続されている。
上記回路構成において、第１の配線５０１（ＳＬ）は信号線駆動回路と接続する配線、第
２の配線５０２（ＶＤＤ）は高電位電源回路と接続する配線、第３の配線５０３（ＶＯ）
は図２（Ｂ）に示すような補正用回路と接続する配線、第４の配線５０４（ＧＬ１）は第
１のゲート線駆動回路と接続する配線、第５の配線５０５（ＧＬ２）および第７の配線５
０７（ＧＬ２）は第２のゲート線駆動回路と接続する配線、第６の配線５０６（ＧＬ３）
および第８の配線５０８（ＧＬ３）は第３のゲート線駆動回路と接続する配線とすること
ができる。また、第９の配線５０９（ＶＳＳ）は低電位電源回路と接続する配線または接
地配線とすることができる。
なお、画素回路は上述した構成に限られない。また、補正用回路と画素回路を接続する形
態も上述した構成に限られない。本発明の一態様は、発光素子を駆動するための画素回路
を選択するスイッチを含むことを特徴とする。したがって、発光装置の構成は図６のよう
に表すこともできる。ここで、画素回路１２１は画素をスイッチングするための回路、発
光素子に供給する電流を制御するための回路を含む任意の構成である。また、画素回路１
２１に補正用回路を接続するためのスイッチング素子を含ませることができる。
次に、本発明の一態様の発光装置を用いて表示品質を低下させず、正確に第２のトランジ
スタ２０２の電気特性をモニタする方法の一例について説明する。
図７（Ａ）は図１で示した画素の一列分の接続形態を模式化した図である。Ｐは画素、Ｌ
は発光素子、Ｃは画素回路を示す。また、それぞれの画素回路と第３の配線５０３とを接
続するためのスイッチは第３のトランジスタ２０３であり、発光素子と画素回路を接続す
るためのスイッチ（ＳＷ１乃至ＳＷ１１）に関しては、図３乃至図５と対応するスイッチ
（トランジスタ）のみ同じ符号を付してある。なお、図２乃至図５では第３のトランジス
タ２０３は画素回路の一部として説明したが、ここでは画素回路（第１のトランジスタ２
０１、第２のトランジスタ２０２および容量素子２０４）と第３の配線５０３とを接続す
るためのスイッチとして説明する。また、前述したように第３の配線５０３には補正用回
路が接続されている。
図７（Ａ）は、全てのスイッチがオフであり、発光装置は動作していない状態を示してい
る。
図７（Ｂ）は、全ての画素回路において、第２のトランジスタ２０２の電気特性をモニタ
していない状態の一例を示している。図７（Ｂ）に例示している状態は、ＳＷ２［２］、
ＳＷ２［３］、ＳＷ２［４］、ＳＷ２［Ｎ−１］、ＳＷ４［Ｎ］をオンすることによって
、それぞれの画素が有する画素回路がそれぞれの画素が有する発光素子を駆動させている
状態を示している。ここで、Ｐ［１］が有する画素回路Ｃ［１］は発光素子の駆動に関与
していない状態である。
なお、第２のトランジスタ２０２の電気特性をモニタしていない状態は、図７（Ｂ）に例
示した形態に限らず様々な形態があり得る。例えば、ＳＷ１［１］をオンとし、ＳＷ２［
２］をオフとし、その他は図７（Ｂ）と同じ状態とすることで、画素回路Ｃ［１］がＰ［
２］が有する発光素子Ｌ［２］を駆動し、Ｐ［２］が有する画素回路Ｃ［２］が発光素子
の駆動に関与していない状態としてもよい。
図８（Ａ）はＰ［１］が有する画素回路Ｃ［１］において、第２のトランジスタ２０２の
電気特性をモニタする状態を示している。第３のトランジスタ２０３をオンとして第３の
配線５０３と画素回路Ｃ［１］を接続することにより画素回路Ｃ［１］が有する第２のト
ランジスタ２０２の電気特性をモニタする。
このとき、他の画素においては、図７（Ｂ）と同様にそれぞれの画素が有する画素回路が
それぞれの画素が有する発光素子を駆動させている状態である。したがって、画素回路Ｃ
［１］が有する第２のトランジスタ２０２の電気特性のモニタは、発光素子の発光、すな
わち発光装置の表示と関連なく行うことができる。そのため、当該モニタの時間を十分に
とることができる。
図８（Ｂ）はＰ［３］が有する画素回路Ｃ［３］において、第２のトランジスタ２０２の
電気特性をモニタする状態を示している。第３のトランジスタ２０３をオンとして第３の
配線５０３と画素回路Ｃ［３］を接続することにより当該モニタを行う。
このとき、Ｐ［３］が有する発光素子Ｌ［３］は、ＳＷ３［２］をオンすることによりＰ
［２］が有する画素回路Ｃ［２］で駆動する。また、Ｐ［２］が有する発光素子Ｌ［２］
は、ＳＷ１［１］をオンすることによりＰ［１］が有する画素回路Ｃ［１］で駆動する。
そして、Ｐ［４］乃至Ｐ［Ｎ］の画素においては、それぞれの画素が有する画素回路でそ
れぞれの画素が有する発光素子を駆動する。したがって、画素回路Ｃ［３］が有する第２
のトランジスタ２０２の電気特性のモニタは、発光素子の発光、すなわち発光装置の表示
と関連なく行うことができる。
図８（Ｃ）はＰ［Ｎ］が有する画素回路Ｃ［Ｎ］において、第２のトランジスタ２０２の
電気特性をモニタする状態を示している。第３のトランジスタ２０３をオンとして第３の
配線５０３と画素回路Ｃ［Ｎ］を接続することにより当該モニタを行う。
このとき、Ｐ［Ｎ］が有する発光素子Ｌ［Ｎ］は、ＳＷ３［Ｎ−１］をオンすることによ
りＰ［Ｎ−１］が有する画素回路Ｃ［Ｎ−１］で駆動する。また、Ｐ［Ｎ−１］が有する
発光素子Ｌ［Ｎ−１］は、ＳＷ３［Ｎ−２］をオンすることによりＰ［Ｎ−２］（図示せ
ず）が有する画素回路Ｃ［Ｎ−２］（図示せず）で駆動する。また、Ｐ［４］が有する発
光素子Ｌ［４］は、ＳＷ３［３］をオンすることによりＰ［３］が有する画素回路Ｃ［３
］で駆動する。また、Ｐ［３］が有する発光素子Ｌ［３］は、ＳＷ３［２］をオンするこ
とによりＰ［２］が有する画素回路Ｃ［２］で駆動する。また、Ｐ［２］が有する発光素
子Ｌ［２］は、ＳＷ１［１］をオンすることによりＰ［１］が有する画素回路Ｃ［１］で
駆動する。したがって、画素回路Ｃ［Ｎ］が有する第２のトランジスタ２０２の電気特性
のモニタは、発光素子の発光、すなわち発光装置の表示と関連なく行うことができる。
以上の説明のように本発明の一態様の発光装置は、一つの発光素子を駆動することのでき
る画素回路が二つある構成であることから第２のトランジスタ２０２の電気特性のモニタ
は発光素子の発光と関連なく行うことができ、当該モニタの時間を十分にとることができ
る。また、発光装置の表示に影響を与えることなく当該モニタを行うことができる。
なお、本発明の一態様の発光装置は、図９に示す回路構成であってもよい。図１に示す発
光装置は、隣接する行にある画素が画素回路を共有する構成であることに対し、図９に示
す発光装置は、隣接する列にある画素が画素回路を共有する構成となっている。
当該発光装置はＮ行（Ｎは１以上の自然数）Ｍ列（Ｍは３以上の自然数）からなる複数の
画素を有し、第１列目の画素、第Ｊ列目の画素（Ｊは２以上Ｍ未満の自然数）、第Ｍ列目
の画素で異なる構成を有する。なお、各配線は図１に示す発光装置と同様であり、その詳
細は先の説明を参照することができる。
第１列目の画素１０６は、発光素子を有さない画素であり、第２列目乃至第Ｊ列目の画素
１０７、１０８、１１０は発光素子を有する画素である。なお、各画素に含まれる回路１
２０は画素回路であり、図２（Ａ）に示す回路と同様に、第１のトランジスタ２０１、第
２のトランジスタ２０２、第３のトランジスタ２０３、および容量素子２０４を含む構成
とすることができる。
図１０は第２列目の画素１０７および第３列目の画素１０８の接続構成の詳細である。第
２列目の画素１０７が有する画素回路は、画素１０７が有する発光素子２１６と第５のス
イッチである第８のトランジスタ３０８を介して電気的に接続され、かつ、同行の第３列
目の画素１０８が有する発光素子２１７と第６のスイッチである第９のトランジスタ３０
９を介して電気的に接続される。
なお、画素回路は上述した構成に限られない。また、補正用回路と画素回路を接続する形
態も上述した構成に限られない。本発明の一態様は、発光素子を駆動するための画素回路
を選択するスイッチを含むことを特徴とする。したがって、発光装置の構成は図１１のよ
うに表すこともできる。ここで、画素回路１２２は画素をスイッチングするための回路、
発光素子に供給する電流を制御するための回路を含む任意の構成である。また、画素回路
１２２に補正用回路を接続するためのスイッチング素子を含ませることができる。
また、本発明の一態様の発光装置と同様の動作は、一つの画素に二つの画素回路を設け、
それらを切り替えることでも可能である。しかしながら、当該構成で補正を行うには画素
数×２の情報を記憶するメモリが必要となる。一方、本発明の一態様の発光装置では、発
光素子を有する画素＋発光素子を有さない画素（一行分）の情報を記憶するメモリがあれ
ばよいので、より少ないメモリで補正を行うことができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様であるアクティブマトリクス型発光装置の一例につい
て、図１２を用いて説明する。
図１２（Ａ）に本発明の一態様の発光装置の平面図である。また、図１２（Ｂ）は、図１
２（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２およびＢ１−Ｂ２における断面図に相当する。
図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すアクティブマトリクス型の発光装置は、支持基板８０１上に
、発光部８０２、駆動回路部８０３（ゲート線駆動回路等）、駆動回路部８０４（信号線
駆動回路等）および封止材８０５を有する。発光部８０２および駆動回路部８０３、８０
４は、支持基板８０１、封止基板８０６および封止材８０５で形成された空間８１０に封
止されている。
駆動回路部８０３には実施の形態１で説明した第１乃至第３のゲート線駆動回路を含むこ
とができる。また、駆動回路部８０４には実施の形態１で説明した信号線駆動回路および
補正用回路を含むことができる。なお、それぞれの駆動回路部を分割し、画素を挟んだ対
向側に配置してもよい。
図１２（Ｂ）に示す発光部８０２は、スイッチング用の第１のトランジスタ２０１と、電
流制御用の第２のトランジスタ２０２と、第２のトランジスタ２０２の配線（ソース電極
またはドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極２２１とを含む複数の画素により
形成されている。
発光素子２３０はトップエミッション（上面射出）構造であり、第１の電極２２１、ＥＬ
層２２３、および第２の電極２２５によって構成されている。また、第１の電極２２１の
端部を覆って隔壁２２９が形成されている。
支持基板８０１上には、駆動回路部８０３、８０４に外部からの信号（ビデオ信号、クロ
ック信号、スタート信号、またはリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続
するための引き出し配線８０９が設けられる。ここでは、外部入力用の配線としてＦＰＣ
８０８（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を設ける例を示している
。
駆動回路部８０３、８０４は複数のトランジスタを有する。図１２（Ｂ）では、駆動回路
部８０３が、ｎチャネル型のトランジスタ２４２およびｐチャネル型のトランジスタ２４
３を組み合わせたＣＭＯＳ回路を有する例を示している。駆動回路部の回路は、種々のＣ
ＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で形成することができる。また、本実施の
形態では、発光部が形成された基板上に駆動回路が形成された駆動回路一体型を示すが、
この構成に限定されるものではなく、発光部が形成された基板とは別の基板に駆動回路を
形成することもできる。
工程数の増加を防ぐため、引き出し配線８０９は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配
線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。例えば、引き出し配線８０９を
発光部８０２および駆動回路部８０３に含まれるトランジスタのゲート電極と同一の材料
、同一の工程で作製することができる。
支持基板８０１は発光装置の作製工程に耐えられる程度の耐熱性を備えた基板を用いるこ
とができる。当該基板の厚さおよび大きさは製造装置に適用可能であれば特に限定されな
い。
支持基板８０１はガスバリア性を有すると好ましい。また、ガスバリア性を有する膜を積
層して用いても良い。具体的には、ガスバリア性が水蒸気透過率として１０−５ｇ／ｍ２
・ｄａｙ以下、好ましくは１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であると、発光装置の信頼性を
高めることができる。
また、支持基板８０１は可撓性を有していてもよい。可撓性を有する基板としては、代表
的にはプラスチック基板をその例に挙げる事ができる他、厚さが５０μｍ以上５００μｍ
以下の薄いガラスや、金属箔などを用いることもできる。
例えば、支持基板８０１に適用可能な基板としては、無アルカリガラス基板、バリウムホ
ウケイ酸ガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板、金属基板、ステンレス基板、プラスチック基板、ポリエチレンテレフタレー
ト基板、ポリイミド基板等が挙げられる。
発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。図１２（Ｂ）に図示したトラ
ンジスタは、チャネルエッチ型のボトムゲート構造を一例として示したが、チャネル保護
型のボトムゲート構造、セルフアライン型のトップゲート構造またはノンセルフアライン
型のトップゲート構造であってもよい。
トランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体材料を用いることがで
きる。具体的には、非晶質シリコン、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン
の他、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体などを用い
ることができる。
チャネルが形成される領域に酸化物半導体を用いたトランジスタには、極めてオフ電流が
低い特性を有する。当該トランジスタを用いると、画素（容量素子）に入力された信号の
保持能力が高くなり、例えば静止画表示などにおいてフレーム周波数を小さくすることが
できる。フレーム周波数を小さくすることによって、発光装置の消費電力を低減させるこ
とができる。
隔壁２２９の材料としては、樹脂または無機絶縁材料を用いることができる。樹脂として
は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキ
シ樹脂、またはフェノール樹脂等を用いることができる。また、容易に隔壁２２９を形成
するために、これらの樹脂は光硬化性であることが好ましい。
隔壁２２９は、第１の電極２２１の端部を覆って設けられている。隔壁２２９は当該隔壁
の上層に形成されるＥＬ層２２３や第２の電極２２５の被覆性を向上させるため、側壁が
曲面となるような形状とすることが好ましい。
隔壁の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、
液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を
用いることができる。
また、隔壁２２９は、ＥＬ層２２３よりも屈折率の小さい材料を用いることが好ましい。
当該材料で隔壁２２９を形成することで、ＥＬ層２２３と隔壁２２９の界面で全反射を起
こさせることができ、隔壁２２９中に進入する光を減少させ、光の取り出し効率を向上さ
せることができる。
発光装置が備える発光素子は、一対の電極（第１の電極２２１および第２の電極２２５）
と、当該一対の電極間に設けられたＥＬ層２２３とを有する。当該一対の電極の一方は陽
極として機能し、他方は陰極として機能する。
トップエミッション構造の発光素子では、上部電極に可視光に対して透光性を有する導電
膜を用いる。また、下部電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。ボ
トムエミッション（下面射出）構造の発光素子では、下部電極に可視光に対して透光性を
有する導電膜を用いる。また、上部電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。デュアルエミッション（両面射出）構造の発光素子では、上部電極および下部電
極の双方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用いる。
可視光に対して透光性を有する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物
、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成する
ことができる。また、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、またはこれら金属材料の窒化物
（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることがで
きる。また、グラフェン等を用いても良い。
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、アル
ミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合
金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、または、銀と銅の合金等の銀を含
む合金を用いて形成することができる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。ま
た、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されてい
ても良い。また、銀ペースト等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
第１の電極２２１および第２の電極２２５は、それぞれ、真空蒸着法やスパッタリング法
を用いて形成することができる。また、導電性樹脂材料を用いる場合には、印刷法やイン
クジェット法を用いることができる。
第１の電極２２１と第２の電極２２５の間に、発光素子のしきい値電圧より高い電圧を印
加すると、ＥＬ層２２３に第１の電極２２１側から正孔が注入され、第２の電極２２５側
から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層２２３において再結合し、ＥＬ層
２２３に含まれる発光物質が発光する。
ＥＬ層２２３は発光層を有する。ＥＬ層２２３は、発光層以外の層として、正孔注入性の
高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入
性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性および正孔輸送性が高い物質）等
を含む層をさらに有していても良い。
ＥＬ層１２３には低分子系化合物および高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいても良い。ＥＬ層２２３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
また、発光素子２３０の第１の電極２２１と第２の電極２２５を用いて、微小共振器（マ
イクロキャビティともいう）を構成できる。例えば、第１の電極２２１にＥＬ層２２３が
発する光を反射する導電膜を用い、第２の電極２２５に、当該光の一部を反射し、一部を
透過する半透過・半反射膜性の導電膜を用いて構成できる。
また、光学調整層を第１の電極２２１と第２の電極２２５の間に設けることができる。光
学調整層は反射性の第１の電極２２１と半透過・半反射性の第２の電極２２５の間の光学
距離を調整する層であり、光学調整層の厚さを調整することにより、第２の電極２２５か
ら優先的に取り出す光の波長を調整できる。
光学調整層に用いることができる材料としては、ＥＬ層を適用できる。例えば、電荷発生
領域を用いて、その厚さを調整してもよい。特に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性
物質を含む領域を光学調整層に用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上
昇を抑制できるため好ましい。
また、光学調整層に用いることができる他の材料としては、ＥＬ層２２３が発する光を透
過する透光性の導電膜を適用できる。例えば、反射性の導電膜の表面に該透光性を有する
導電膜を積層して、第１の電極２２１を構成できる。この構成によれば、隣接する第１の
電極２２１の光学調整層の厚さを変えることが容易であるため好ましい。
絶縁層２３４は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制するために設け
られる。絶縁層２３４としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
絶縁層２３６としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有す
る絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料
（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を
複数積層させることで、絶縁層２３６を形成してもよい。
封止材８０５および封止基板８０６は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸
素）をできるだけ透過しない材料で形成することが望ましい。封止材８０５にはエポキシ
系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。
封止基板８０６に用いることができる材料としては、支持基板８０１に適用可能な基板の
他、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチ
ック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等をその
例に挙げることができる。
また、支持基板８０１側に形成する構造物と封止基板８０６側に形成する構造物とが接し
ない空間８１０には、透光性を有する材料が含まれていてもよい。
当該透光性を有する材料としては、例えば、発光素子の信頼性を損なう不純物（代表的に
は水および／または酸素）と反応、或いは不純物を吸着する材料を用いることができる。
これにより、当該不純物は、発光素子の信頼性を損なう前に、充填物に含まれる材料と優
先的に反応、または吸着され、その活性を失わせることができる。したがって、発光装置
の信頼性を向上させることができる。
当該透光性を有する材料には、例えば、正孔輸送性の高い物質、発光物質、ホスト材料、
電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質または／およびアクセプター性物質等を用
いることができる。
具体的には、導電性高分子、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチ
レンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、乾燥剤、ＥＬ層２２３に適用可能な材料、４
，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ
またはα−ＮＰＤ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌ
ｑ）などが挙げられる。
また、当該透光性を有する材料は、第２の電極２２５と封止基板８０６（封止基板８０６
上に形成される構造物を含む）とを光学的に接続することができる。これにより、発光素
子２３０から射出される光が第２の電極２２５から封止基板８０６に至る光路において、
屈折率の急激な変化（屈折率の段差ともいう）が抑制され、第２の電極２２５側から封止
基板８０６に、発光素子２３０の発光を効率よく取り出すことができる。したがって、発
光装置の発光効率を向上させることができる。
当該透光性を有する材料は、第２の電極２２５よりも屈折率が大きい材料であることが好
ましい。当該材料を用いることで、第２の電極２２５と当該材料との界面における全反射
を抑制し、光を効率よく取り出すことができる。
なお、第２の電極２２５と封止基板８０６とを光学的に接続することができる材料として
は、上述した材料の他に、液晶材料、フッ素系不活性液体（パーフルオロカーボン等）、
透光性を有する樹脂などを用いることができる。なお、これらの材料から、必要に応じて
発光素子の信頼性を損なう不純物を除去してもよい。また、これらの材料に当該不純物と
反応、または吸着する材料を分散してもよい。
なお、液晶材料としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、デ
ィスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液
晶、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高
分子液晶、バナナ型液晶等の液晶、またはこれらの液晶とカイラル剤等の混合材料を用い
ることができる。
カラーフィルタ１６６は、画素からの透過光を調色し、色純度を高める目的で設けられて
いる。例えば、白色の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色
のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青
色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを用いてもよいし、これに黄色（Ｙ）を加えた４色とす
ることもできる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ（およびＹ）に加えて白色（Ｗ）の画素を用い、４色
（または５色）としてもよい。
また、隣接するカラーフィルタ１６６の間に、ブラックマトリクス１６４が設けられてい
る。ブラックマトリクス１６４は隣接する画素から回り込む光を遮光し、隣接画素間にお
ける混色を抑制する。ブラックマトリクス１６４は異なる発光色の隣接画素間にのみ配置
し、同色画素間には設けない構成としてもよい。ここで、カラーフィルタ１６６の端部を
、ブラックマトリクス１６４と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することが
できる。
ブラックマトリクス１６４は、画素の透過光を遮光する材料を用いることができ、金属材
料や顔料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、ブラックマトリクス
１６４を駆動回路部などの発光部８０２以外の領域に重ねて設けると、導波光などによる
意図しない光漏れを抑制することができる。
また、図１２（Ｂ）に示すように、カラーフィルタ１６６とブラックマトリクス１６４を
覆うオーバーコート１６８を設けると、カラーフィルタ１６６やブラックマトリクス１６
４に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できる。オーバーコー
ト１６８は透光性を有し、無機絶縁材料や有機絶縁材料で形成することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を搭載することのできる電子機器について
説明する。
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビ
ジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデ
オカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、
携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙
げられる。これらの電子機器の具体例を図１３に示す。
図１３（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、
筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示
することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここで
は、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモ
ートコントローラ７１１０により行うことができる。リモートコントローラ７１１０が備
える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０
３に表示される映像を操作することができる。また、リモートコントローラ７１１０に、
当該リモートコントローラから出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成とし
てもよい。
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機に
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図１３（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キ
ーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む
。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される
。
図１３（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成さ
れており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部
７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図
１３（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０
７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７
３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、
化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振
動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備
えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部
７３０４および表示部７３０５の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その
他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１３（Ｃ）に示す携帯型遊技機
は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機
能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１３
（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することが
できる。
図１３（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光
装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図１３（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は
、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを
有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表
示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、または筐体７４０１の操
作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図１３（Ｅ）は、折りたたみ式のコンピュータの一例を示している。折りたたみ式のコン
ピュータ７４５０は、ヒンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備
えている。また、操作ボタン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４
５５Ｒの他、コンピュータ７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６
を備える。なお、筐体７４５１Ｌに設けられた表示部７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設
けられた表示部７４５２Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を折り畳むと、表示部
を筐体で保護することができる。
表示部７４５２Ｌと表示部７４５２Ｒは、画像を表示する他、指などで触れると情報を入
力できる。例えば、インストール済みのプログラムを示すアイコンを指でふれて選択し、
プログラムを起動できる。または、表示された画像の二箇所に触れた指の間隔を変えて、
画像を拡大または縮小できる。または、表示された画像の一箇所に触れた指を移動して画
像を移動できる。また、キーボードの画像を表示して、表示された文字や記号を指で触れ
て選択し、情報を入力することもできる。
また、コンピュータ７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏ
ｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、指紋センサ、ビデオカメラを搭載すること
もできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置
を設けることで、コンピュータ７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の
向きを自動的に切り替えるようにすることができる。
また、コンピュータ７４５０はネットワークに接続できる。コンピュータ７４５０はイン
ターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から
操作する端末として用いることができる。
図１３（Ｆ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７５００は、筐体７５０１に光
源として本発明の一態様の発光装置７５０３ａ、発光装置７５０３ｂ、発光装置７５０３
ｃ、発光装置７５０３ｄが組み込まれている。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付
けることが可能である。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
１０１ 画素
１０２ 画素
１０３ 画素
１０４ 画素
１０５ 画素
１０６ 画素
１０７ 画素
１０８ 画素
１１０ 画素
１２０ 回路
１２１ 画素回路
１２２ 画素回路
１２３ ＥＬ層
１６４ ブラックマトリクス
１６６ カラーフィルタ
１６８ オーバーコート
２０１ 第１のトランジスタ
２０２ 第２のトランジスタ
２０３ 第３のトランジスタ
２０４ 容量素子
２１０ 発光素子
２１２ 発光素子
２１３ 発光素子
２１５ 発光素子
２１６ 発光素子
２１７ 発光素子
２２１ 第１の電極
２２３ ＥＬ層
２２５ 第２の電極
２２９ 隔壁
２３０ 発光素子
２３４ 絶縁層
２３６ 絶縁層
２４２ トランジスタ
２４３ トランジスタ
３０４ 第４のトランジスタ
３０５ 第５のトランジスタ
３０６ 第６のトランジスタ
３０７ 第７のトランジスタ
３０８ 第８のトランジスタ
３０９ 第９のトランジスタ
３１０ 第１０のトランジスタ
５０１ 第１の配線
５０２ 第２の配線
５０３ 第３の配線
５０４ 第４の配線
５０５ 第５の配線
５０６ 第６の配線
５０７ 第７の配線
５０８ 第８の配線
５０９ 第９の配線
８０１ 支持基板
８０２ 発光部
８０３ 駆動回路部
８０４ 駆動回路部
８０５ 封止材
８０６ 封止基板
８０８ ＦＰＣ
８０９ 配線
８１０ 空間
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモートコントローラ
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４５０ コンピュータ
７４５１Ｌ 筐体
７４５１Ｒ 筐体
７４５２Ｌ 表示部
７４５２Ｒ 表示部
７４５３ 操作ボタン
７４５４ ヒンジ
７４５５Ｌ 左側スピーカ
７４５５Ｒ 右側スピーカ
７４５６ 外部接続ポート
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ 発光装置
７５０３ｂ 発光装置
７５０３ｃ 発光装置
７５０３ｄ 発光装置

Claims (2)

  1. 第１及び第２の画素を有し、
    前記第１の画素は、第１乃至第５のトランジスタと、第１の容量素子と、第１の発光素子と、を有し、
    前記第２の画素は、第６乃至第１０のトランジスタと、第２の容量素子と、第２の発光素子を有し、
    前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第２のトランジスタのゲート電極及び前記第１の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、前記第４のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、前記第５のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、及び前記第１の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の発光素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第２の発光素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのゲート電極及び前記第３のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲート電極は、第６の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのゲート電極及び前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第７の配線と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第８のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、前記第９のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、前記第１０のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、及び前記第２の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第２の発光素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのゲート電極及び前記第８のトランジスタのゲート電極は、第８の配線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのゲート電極は、第９の配線と電気的に接続され、
    前記第１０のトランジスタのゲート電極は、第１０の配線と電気的に接続される発光装置。
  2. 第１及び第２の画素を有し、
    前記第１の画素は、第１乃至第４のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
    前記第２の画素は、第５乃至第９のトランジスタと、第２の容量素子と、第１の発光素子を有し、
    前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第１の配線と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第２のトランジスタのゲート電極及び前記第１の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第２の配線と電気的に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、前記第４のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、及び前記第１の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
    前記第３のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、第３の配線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の発光素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第１のトランジスタのゲート電極及び前記第３のトランジスタのゲート電極は、第４の配線と電気的に接続され、
    前記第４のトランジスタのゲート電極は、第５の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第１の配線と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第６のトランジスタのゲート電極及び前記第２の容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第６の配線と電気的に接続され、
    前記第６のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第７のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、前記第８のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、前記第９のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、及び前記第２の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、
    前記第７のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の発光素子の一方の電極と電気的に接続され、
    前記第５のトランジスタのゲート電極及び前記第７のトランジスタのゲート電極は、第７の配線と電気的に接続され、
    前記第８のトランジスタのゲート電極は、第８の配線と電気的に接続され、
    前記第９のトランジスタのゲート電極は、第９の配線と電気的に接続される発光装置。
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