JP5598053B2 - 信号処理装置、表示装置、電子機器、信号処理方法およびプログラム - Google Patents

Description

本発明は、信号処理装置に関し、特に焼き付きを補正する信号処理装置、表示装置、電子機器および信号処理方法ならびに当該方法をコンピュータに実行させるプログラムに関する。

近年、発光素子として有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を用いた平面自発光型の表示装置の開発が盛んに行われている。この有機ＥＬ素子は表示対象となる画像データに応じて発光量を変えることにより階調を表現するため、有機ＥＬ素子の劣化の度合いが表示装置の表示画面を構成する画素回路ごとに異なる。このように劣化の度合いが画素回路ごとに異なるため、時間の経過に応じて、劣化の大きい画素と、劣化の少ない画素とが表示画面に混在することになる。このように、表示画面において劣化の大きい画素と、劣化の少ない画素とが混在すると、劣化の大きい画素が、周辺の画素よりも暗くなることにより、直前に表示されていた画像が残っているように見える現象（いわゆる、焼き付き現象）が生じる。

この焼き付きを防止する機能を備える表示装置として、例えば、未使用期間中に劣化の度合いの小さい発光素子の劣化を進行させて、劣化の度合いの大きい発光素子の劣化の度合いと均一にする表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００８−１７６２７４号公報（図１）

上述の従来技術では、表示装置の未使用期間中に劣化の度合いを均一にする処理を行うことにより、焼き付きを補正することができる。しかしながら、上述の従来技術では、焼き付きの補正を行うたびに劣化の度合いの小さい発光素子の劣化を、劣化の度合いの大きい発光素子に合わせて進行させるため、発光素子全体の劣化を進行させるおそれがある。また、表示装置の未使用期間に焼き付きの補正をするため、表示装置の使用中には補正をすることができない。そこで、表示装置の使用中に、発光素子自体の劣化を考慮して、映像信号の階調値を変更することにより、焼き付きを補正する方法が考えられる。

例えば、映像信号を表示させる画素回路の劣化の度合いに合わせて映像信号の階調値を変更し、その変更した映像信号を用いて発光素子を発光させる補正方法が考えられる。しかしながら、発光素子の輝度の劣化の度合いは画素回路ごとに異なるため、精度よく階調値の変更をする（焼き付きの補正をする）ことが重要である。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、発光素子を用いた表示装置の焼き付きを精度よく補正することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その第１の側面は、画素回路における発光素子の発光時における温度条件に応じた輝度の劣化に関する輝度劣化情報を、上記画素回路の環境温度と、特定の階調値で発光させる特定発光素子の経過時間に応じて劣化する輝度値とに基づいて生成する輝度劣化情報生成部と、所定状態における上記画素回路に供給される映像信号と当該映像信号に応じて発光される輝度との相関の特性を示す輝度特性と、上記生成された輝度劣化情報とに基づいて、上記画素回路ごとの輝度の劣化に関する輝度劣化値を算出する輝度劣化値算出部と、上記輝度劣化値に基づいて、上記画素回路に入力される映像信号の階調値を補正する補正部とを具備する信号処理装置、表示装置、電子機器、および信号処理方法ならびに当該方法をコンピュータに実行させるプログラムである。これにより、画素回路の環境温度が考慮された輝度劣化情報が生成され、この輝度劣化情報を用いて、画素回路に入力される映像信号の階調値が補正されるという作用をもたらす。

また、この第１の側面において、上記輝度劣化情報生成部は、上記輝度値を測定した際の測定温度および当該輝度値に基づいて、特定温度における上記画素回路の輝度の劣化に関する輝度劣化特性を生成する輝度劣化特性生成部と、上記環境温度と上記輝度劣化特性と上記補正前に上記画素回路について生成された輝度劣化情報と上記画素回路に入力される上記映像信号の階調値とに基づいて、上記画素回路の輝度の劣化に関する新たな劣化量を輝度劣化情報に順次加算して、新たな輝度劣化情報を生成する加算部とを備えるようにしてもよい。これにより、輝度劣化特性と、環境温度と、輝度劣化情報と映像信号の階調値とに基づいて新たな劣化量が順次加算されることによって、新たな輝度劣化情報が生成されるという作用をもたらす。この場合において、上記輝度劣化特性生成部は、上記輝度値を測定した際における上記測定温度および当該輝度値に基づいて、当該測定温度とは異なる温度条件における上記輝度劣化特性を生成するようにしてもよい。これにより、測定温度および輝度値に基づいて、測定温度とは異なる温度条件における輝度劣化特性が生成されるという作用をもたらす。この場合において、上記測定温度に応じて上記特定発光素子に映像信号を供給する映像信号供給部をさらに具備し、上記輝度劣化特性生成部は、上記測定温度が上記特定温度になった際に上記特定発光素子の経過時間に応じて劣化する輝度値に基づいて上記特定温度における上記画素回路の上記輝度劣化特性を生成するようにしてもよい。これにより、測定温度に応じて発光して劣化する特定発光素子の輝度値に基づいて、輝度劣化特性が生成されるという作用をもたらす。この場合において、上記輝度劣化特性生成部は、上記特定発光素子の上記環境温度が上記特定温度とされている状態で上記特定発光素子の経過時間に応じて劣化する輝度値に基づいて上記特定温度における上記画素回路の上記輝度劣化特性を生成するようにしてもよい。これにより、特定発光素子の環境温度が特定温度とされている状態で発光して劣化する特定発光素子の輝度値に基づいて、輝度劣化特性が生成されるという作用をもたらす。

また、この第１の側面において、上記所定状態は、上記輝度の劣化が上記画素回路に生じていない状態であるようにしてもよい。これにより、輝度の劣化が画素回路に生じていない状態が所定状態にされるという作用をもたらす。

本発明によれば、発光素子を用いた表示装置の焼き付きを精度よく補正することができるという優れた効果を奏し得る。

本発明の第１の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示す概念図である。 本発明の第１の実施の形態における画素回路６００乃至６０５の一構成例を模式的に示す回路図である。 図２の構成における画素回路６００の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。 ＴＰ６、ＴＰ１およびＴＰ２の期間にそれぞれ対応する画素回路６００の動作状態を示す模式的な回路図である。 ＴＰ３乃至ＴＰ５の期間にそれぞれ対応する画素回路６００の動作状態を示す模式的な回路図である。 ＴＰ６の期間に対応する画素回路６００の動作状態を示す模式的な回路図である。 本発明の第１の実施の形態において所定の階調値の映像信号で発光させた画素回路６００の使用時間と、画素回路の輝度の劣化量との間の関係を示す図である。 本発明の第１の実施の形態において所定の温度条件で発光させた画素回路６００の使用時間と、画素回路の輝度の劣化量との関係を示す図である。 本発明の第１の実施の形態におけるダミー画素アレイ部３００の一構成例を示す概念図である。 本発明の第１の実施の形態における輝度センサ３１２のダミー画素回路３１１に対する位置の一例を模式的に示す断面図および配置図である。 本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の機能構成例を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態における輝度劣化特性供給部４００の機能構成例を示すブロック図である。 本発明の第１の実施の形態における３つの輝度センサによる輝度測定例と、ダミー画素劣化情報の一例と、温度情報の一例とを示す図である。 本発明の第１の実施の形態における温度条件変換部４４０による温度条件変換の一例および劣化特性生成部４６０による劣化特性生成の一例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態において劣化特性生成部４６０により生成される温度ごとの劣化特性の一例を模式的に示す図である。 本発明の第１の実施の形態における輝度劣化情報更新部２２１による輝度劣化情報の生成例を示す概念図である。 本発明の第１の実施の形態における輝度劣化補正値算出部２３３による輝度劣化補正パターンの生成例を示す図である。 温度ごとの劣化特性を生成しない場合における画素回路の輝度劣化の補正の一例と、本発明の第１の実施の形態における画素回路の輝度劣化の補正の一例とを示す図である。 本発明の第１の実施の形態における映像信号の補正の効果を示す概念図である。 本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化特性供給部４００による劣化特性の生成処理手順例を示すフローチャートである。 本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化情報積算部２２０による輝度劣化情報の更新処理手順例を示すフローチャートである。 本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化補正パターン生成部２３０による輝度劣化補正パターンの生成処理手順例を示すフローチャートである。 本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化補正演算部２４０による映像信号の補正処理手順例を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示す概念図である。 本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素アレイ部５００の一構成例を示す概念図である。 本発明の第２の実施の形態における輝度劣化特性供給部５５０の機能構成例を示すブロック図である。 本発明の第２の実施の形態における９つの輝度センサによる輝度測定例を示す図である。 本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素劣化情報の一例を示す図である。 本発明の第２の実施の形態において劣化特性生成部５９０により生成される温度ごとの劣化特性の一例を模式的に示す図である。 本発明の第２の実施の形態における焼き付き補正部５４５の輝度劣化特性供給部５５０による劣化特性の生成処理手順例を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素発光信号生成部５４０による発光信号の生成処理手順例を示すフローチャートである。 本発明の第３の実施の形態におけるダミー画素アレイ部７００の一構成例を示す概念図である。 本発明の第３の実施の形態における温度制御部７１４の一構成例を示す模式図と、フィルムヒータ７１７のダミー画素回路に対する位置関係を示す上面図および断面図とを模式的に示す図である。 本発明の第３の実施の形態における９つの輝度センサによる輝度測定例を示す図である。 本発明の第３の実施の形態におけるダミー画素劣化情報の一例を示す図である。 本発明の第３の実施の形態において劣化特性生成部５９０により生成される温度ごとの劣化特性の一例を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態のテレビジョンセットへの適用例である。 本発明の実施の形態のデジタルスチルカメラへの適用例である。 本発明の実施の形態のノート型パーソナルコンピュータへの適用例である。 本発明の実施の形態の携帯端末装置への適用例である。 本発明の実施の形態のビデオカメラへの適用例である。

以下、本発明を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（表示制御：温度条件変換部を用いて温度条件変換を行うことにより温度ごとの劣化特性を算出する例）
２．第２の実施の形態（表示制御：特定の温度でのみ劣化するダミー画素回路を用いることにより温度ごとの劣化特性を算出する例）
３．第３の実施の形態（表示制御：ダミー画素回路の温度を特定の温度に一定に保つことにより温度ごとの劣化特性を算出する例）
４．本発明の適用例（表示制御：電子機器の例）

＜１．第１の実施の形態＞
［表示装置の構成例］
図１は、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示す概念図である。表示装置１００は、焼き付き補正部２００と、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ：WriteSCaNner）１１０と、水平セレクタ（ＨＳＥＬ：Horizontal SELector）１２０とを備える。また、この表示装置１００は、電源スキャナ（ＤＳＣＮ：Drive SCaNner）１３０と、画素アレイ部１４０と、ダミー画素発光信号生成部１５０と、ダミー画素アレイ部３００とを備える。画素アレイ部１４０は、ｎ×ｍ（ｍおよびｎは２以上の整数）個の二次元マトリックス状に配列された画素回路６００乃至６０５を備える。ここでは、便宜上、１行目、２行目およびｍ行目における１列目およびｎ列目に配置された６個の画素回路６００乃至６０５が示されている。

また、画素アレイ部１４０は、温度センサ１４１を備える。この温度センサ１４１は、画素回路の環境温度を測定し、その測定した温度情報を、信号線２０８を介して焼き付き補正部２００に供給する。なお、この画素回路の温度は、全ての画素回路において同一の温度であることを想定する。すなわち、画素アレイ部１４０とダミー画素アレイ部３００とにおける温度は同一であることとする。

また、表示装置１００には、画素回路６００乃至６０５とライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０との間を接続する走査線（ＷＳＬ：Write Scan Line）１６０が設けられている。なお、走査線（ＷＳＬ）１６０は、ダミー画素アレイ部３００におけるダミー画素回路とライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０との間も接続している。ここでは、便宜上、第１行目、第２行目および第ｍ行目の走査線（ＷＳＬ）１６１乃至１６３が示されている。

さらに、表示装置１００には、画素回路６００乃至６０５と水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０との間を接続するデータ線（ＤＴＬ：DaTa Line）１７０が設けられている。なお、データ線（ＤＴＬ）１７０は、ダミー画素アレイ部３００におけるダミー画素回路と水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０との間も接続している。ここでは、便宜上、第１列目および第ｎ列目のデータ線（ＤＴＬ）１７１および１７２と、ダミー画素回路に接続されるデータ線（ＤＴＬ）１７３が示されている。

さらに、表示装置１００には、画素回路６００乃至６０５と電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３０との間を接続する電源線（ＤＳＬ：Drive Scan Line）１８０が設けられている。なお、電源線（ＤＳＬ）は、ダミー画素アレイ部３００におけるダミー画素回路と電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３０との間も接続している。ここでは、便宜上、第１行目、第２行目および第ｍ行目の電源線（ＤＳＬ）１８１乃至１８３が示されている。

焼き付き補正部２００は、画素回路６００乃至６０５のそれぞれの劣化の度合いに合わせて映像信号の階調値を変更することによって焼き付きを補正するものである。この焼き付き補正部２００は、信号線３９０を介して供給されるダミー画素回路の輝度と、信号線２０８を介して供給される温度情報と、映像信号の階調値とに基づいて、画素回路６００乃至６０５のそれぞれの劣化の度合いを算出する。そして、この焼き付き補正部２００は、その算出された画素回路６００乃至６０５のそれぞれの劣化の度合いに基づいて、信号線２０１を介して供給された映像信号の階調値を変更する。ここで、映像信号の階調値とは、発光の輝度の大きさの段階を指定する映像信号の階調の値である。また、ダミー画素回路とは、実際には表示されない画素であって、画素回路の劣化の度合いを測定するための画素である。

ここで、発光の輝度の大きさが２５６段階（階調）で表現される場合を想定する。また、画素回路６００の劣化により、階調値が「１００」の映像信号に基づく発光の輝度が２００ｎｉｔから１００ｎｉｔに劣化し、階調値が「２００」の映像信号に基づく発光の輝度が３００ｎｉｔから２００ｎｉｔに劣化したこととする。この場合において、焼き付き補正部２００は、２００ｎｉｔで画素回路を発光させるために映像信号の階調値を「１００」から「２００」に変更することによって焼き付きを補正する。

この焼き付き補正部２００は、その補正した映像信号（補正階調値）を、信号線２０９を介して水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０に供給する。なお、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００については、図１０乃至図１９等を参照して詳細に説明する。

ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０は、行単位により画素回路６００乃至６０５を順次走査する線順次走査を行うものである。このライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０は、データ線（ＤＴＬ）１７０から供給されるデータ信号を画素回路６００乃至６０５に書き込むタイミングを行単位により制御する。また、このライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０は、ダミー画素アレイ部３００のダミー画素回路に対しても線順次走査を行い、データ線（ＤＴＬ）１７０から供給されるデータ信号をダミー画素回路に書き込むタイミングを行単位により制御する。このライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０は、データ信号を書き込むためのオン電位、データ信号の書き込みを停止させるためのオフ電位を走査信号として生成する。このライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０は、その生成した走査信号を走査線（ＷＳＬ）１６０に供給する。

水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０は、画素アレイ部１４０における画素回路６００乃至６０５と、ダミー画素アレイ部３００におけるダミー画素回路とに発光輝度の大きさを設定するためのデータ信号を供給するものである。この水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０は、表示画素用セレクタ部１２１およびダミー画素用セレクタ部１２２を備える。

表示画素用セレクタ部１２１は、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０による線順次走査に合わせて、画素回路６００乃至６０５における発光輝度の大きさを設定するためのデータ信号を各列の画素回路６００乃至６０５に供給するものである。この水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０は、発光の輝度の大きさを設定するための映像信号の電位（信号電位）と、画素回路６００乃至６０５を構成する駆動トランジスタの閾値電圧の補正（閾値補正）を行うための電位（基準電位）とをデータ信号として生成する。この水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０は、その生成したデータ信号をデータ線（ＤＴＬ）１７０に供給する。

ダミー画素用セレクタ部１２２は、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０による線順次走査に合わせて、ダミー画素アレイ部３００におけるダミー画素回路の発光輝度の大きさを設定するためのデータ信号を供給するものである。このダミー画素用セレクタ部１２２は、ダミー画素発光信号生成部１５０から供給される発光信号に基づいて、ダミー画素に供給する信号電位および基準電位をデータ信号として生成する。このダミー画素用セレクタ部１２２は、その生成したデータ信号をデータ線（ＤＴＬ）１７０に供給する。

電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３０は、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０による線順次走査に合わせて、画素回路６００乃至６０５を駆動させるための電源信号を行単位により生成するものである。この電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３０は、画素回路６００乃至６０５を駆動させるための電源電位と、画素回路６００乃至６０５を初期化するための初期化電位とを電源信号として生成する。また、この電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３０は、画素回路６００乃至６０５と同様に、ダミー画素回路に対しても、電源電位と初期化電位とを電源信号として生成する。この電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３０は、その生成した電源信号を電源線（ＤＳＬ）１８０に供給する。

ダミー画素発光信号生成部１５０は、ダミー画素回路における発光輝度の大きさを決定するための発光信号を生成するものである。このダミー画素発光信号生成部１５０は、ダミー画素の劣化を測定する輝度に応じた発光信号を生成し、その生成した発光信号をダミー画素用セレクタ部１２２に供給する。なお、ダミー画素発光信号生成部１５０は、特許請求の範囲に記載の映像信号供給部の一例である。

ダミー画素アレイ部３００は、ダミー画素回路を備える。このダミー画素アレイ部３００については、図９を参照して詳細に説明する。

画素回路６００乃至６０５は、走査線（ＷＳＬ）１６０からの走査信号に基づいて、データ線（ＤＴＬ）１７０からの映像信号の電位を保持してその保持した電位に応じて所定の期間発光するものである。ここで、画素回路６００乃至６０５の構成例については、図２を参照して説明する。

［画素回路の構成例］
図２は、本発明の第１の実施の形態における画素回路６００乃至６０５の一構成例を模式的に示す回路図である。なお、画素回路６００乃至６０５は、同一の構成であるため、この図２以降では、主に画素回路６００について説明し、画素回路６０１乃至６０５についての一部の説明を省略する。

画素回路６００は、書込みトランジスタ６１０と、駆動トランジスタ６２０と、保持容量６３０と、発光素子６４０とを備える。ここでは、書込みトランジスタ６１０および駆動トランジスタ６２０がそれぞれｎチャンネル型トランジスタである場合を想定する。

この画素回路６００において、書込みトランジスタ６１０のゲート端子およびドレイン端子には、走査線（ＷＳＬ）１６０およびデータ線（ＤＴＬ）１７０がそれぞれ接続されている。また、書込みトランジスタ６１０のソース端子には、駆動トランジスタ６２０のゲート端子（ｇ）および保持容量６３０の一方の電極（一端）が接続されている。ここでは、この接続部位を第１ノード（ＮＤ１）６５０とする。また、駆動トランジスタ６２０のドレイン端子（ｄ）には、電源線（ＤＳＬ）１８０が接続され、駆動トランジスタ６２０のソース端子（ｓ）には、保持容量６３０の他方の電極（他端）および発光素子６４０のアノード電極が接続されている。ここでは、この接続部位を第２ノード（ＮＤ２）６６０とする。

書込みトランジスタ６１０は、走査線（ＷＳＬ）１６０からの走査信号に従って、データ線（ＤＴＬ）１７０からのデータ信号を第１ノード（ＮＤ１）６５０に供給するトランジスタである。この書込みトランジスタ６１０は、画素回路６００の駆動トランジスタ６２０の閾値電圧のばらつきを取り除くために、データ信号の基準電位を保持容量６３０の一端に供給する。ここにいう基準電位とは、駆動トランジスタ６２０の閾値電圧に相当する電圧を保持容量６３０に保持させるための基準となる固定電位のことである。

また、書込みトランジスタ６１０は、駆動トランジスタ６２０の閾値電圧に相当する電圧が保持容量６３０に保持された後に、データ信号の信号電位を保持容量６３０の一端に順次書き込む。

駆動トランジスタ６２０は、発光素子６４０を発光させるために、信号電位に応じて保持容量６３０に保持された信号電圧に基づいて、駆動電流を発光素子６４０に出力するものである。この駆動トランジスタ６２０は、駆動トランジスタ６２０を駆動させるための電源電位が電源線（ＤＳＬ）１８０から印加されている状態において、保持容量６３０に保持された信号電圧に応じた駆動電流を発光素子６４０に出力する。

保持容量６３０は、書込みトランジスタ６１０によって供給されたデータ信号に応じた電圧を保持するためのものである。すなわち、保持容量６３０は、書込みトランジスタ６１０によって書き込まれた信号電位に応じた信号電圧を保持する役割を果たす。

発光素子６４０は、駆動トランジスタ６２０から出力された駆動電流の大きさに応じて発光するものである。また、発光素子６４０は、出力端子がカソード線６８０に接続されている。このカソード線６８０からは、発光素子６４０の基準電位としてカソード電位（Ｖｃａｔ）が供給されている。この発光素子６４０は、例えば、有機ＥＬ素子により実現することができる。

なお、この例では、書込みトランジスタ６１０および駆動トランジスタ６２０の各々がｎチャンネル型トランジスタである場合を想定して説明したが、この組み合わせに限られるものではない。例えば、書込みトランジスタ６１０および駆動トランジスタ６２０の各々がｐチェンネル型トランジスタである場合などにおいても適用できる。また、これらのトランジスタは、エンハンスメント型のものでもよく、デプレッション型やデュアルゲート型のものでもよい。

また、ここでは、２つのトランジスタ６１０および６２０および１つの保持容量６３０により発光素子６４０に駆動電流を供給する画素回路６００の構成例について説明したが、これに限られるものではない。すなわち、駆動トランジスタ６２０および発光素子６４０を含むものであれば適用できる。例えば、３つ以上のトランジスタにより発光が制御される画素回路６００の場合においても、駆動トランジスタ６２０および発光素子６４０を含むものであれば適用ができる。次に、上述の画素回路６００の動作例について、図３を参照して詳細に説明する。

［画素の基本動作の例］
図３は、図２の構成における画素回路６００の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。ここでは、横軸を共通の時間軸として、走査線（ＷＳＬ）１６０、電源線（ＤＳＬ）１８０、データ線（ＤＴＬ）１７０、第１ノード（ＮＤ１）６５０および第２ノード（ＮＤ２）６６０における電位変化が示されている。なお、各期間を示す横軸の長さは模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。

このタイミングチャートは、画素回路６００の動作の遷移を、ＴＰ１乃至ＴＰ６の期間に便宜的に区切っている。まず、発光期間ＴＰ６では、発光素子６４０は発光状態にある。この発光期間ＴＰ６において、走査線（ＷＳＬ）１６０の走査信号の電位がオフ電位（Ｖｏｆｆ）に設定されている。また、この発光期間ＴＰ６において、電源線（ＤＳＬ）１８０の電源信号の電位が電源電位（Ｖｃｃ）に設定されている。

この後、線順次走査の新しいフィールドに入り、閾値補正準備期間ＴＰ１では、電源線（ＤＳＬ）１８０の電位が、第２ノード（ＮＤ２）６６０を初期化するための初期化電位（Ｖｓｓ）に設定される。これにより、第１ノード（ＮＤ１）６５０および第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位はそれぞれ低下する。

続いて、閾値補正準備期間ＴＰ２では、走査線（ＷＳＬ）１６０の電位がオン電位（Ｖｏｎ）に設定されることによって、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位が基準電位（Ｖｏｆｓ）に初期化される。これにより、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位は初期化電位（Ｖｓｓ）に初期化される。このように、第１ノード（ＮＤ１）６５０および第２ノード（ＮＤ２）６６０がそれぞれ初期化されることによって、閾値補正動作の準備が完了する。

次に、閾値補正期間ＴＰ３では、画素回路６００の駆動トランジスタ６２０における閾値電圧に対する補正を行うための閾値補正動作が行われる。このとき、電源線（ＤＳＬ）１８０の電源信号が電源電位（Ｖｃｃ）に設定されることによって、第１ノード（ＮＤ１）６５０と第２ノード（ＮＤ２）６６０との間に、駆動トランジスタ６２０の閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）が保持される。すなわち、保持容量６３０には、閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）が保持される。

この後、期間ＴＰ４では、走査線（ＷＳＬ）１６０に供給される走査信号の電位がオフ電位（Ｖｏｆｆ）に遷移した後に、データ線（ＤＴＬ）１７０のデータ信号が基準電位（Ｖｏｆｓ）から信号電位（Ｖｓｉｇ）に切り替えられる。

そして、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５では、映像信号の書込み動作、および、駆動トランジスタ６２０における移動度に対する補正を行うための移動度補正動作が行われる。このとき、走査線（ＷＳＬ）１６０の走査信号の電位がオン電位（Ｖｏｎ）に切り替えられることによって、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位が、信号電位（Ｖｓｉｇ）まで上昇する。すなわち、書込みトランジスタ６１０により、信号電位（Ｖｓｉｇ）が第１ノード（ＮＤ１）６５０に書き込まれる。

これに対して、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位は、閾値補正期間ＴＰ３において与えられた閾値電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）に対し、信号電位（Ｖｓｉｇ）に対応する駆動トランジスタ６２０の移動度に応じた上昇量（ΔＶ）だけ上昇する。すなわち、移動度補正動作により、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位が「ΔＶ」だけ上昇する。

このように、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５では、保持容量６３０の一端に、信号電位（Ｖｓｉｇ）が印加され、保持容量６３０の他端に、閾値電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）に上昇量（ΔＶ）を加えた電位（（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）＋ΔＶ）が印加される。すなわち、保持容量６３０には、映像信号に応じた信号電圧（Ｖｇｓ１）として、「Ｖｓｉｇ−（（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）＋ΔＶ）」が保持される。このようにして、保持容量６３０に保持された信号電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶ）は、駆動トランジスタ６２０の閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）と、移動度補正動作による上昇量（ΔＶ）とによって補正される。このため、画素回路６００ごとの駆動トランジスタ６２０における閾値電圧および移動度のばらつきの影響が取り除かれた信号電圧となる。

この後、発光期間ＴＰ６では、走査線（ＷＳＬ）１６０の走査信号の電位がオフ電位（Ｖｏｆｆ）に設定されることによって、第１ノード（ＮＤ１）６５０が浮遊状態となる。そして、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５において与えられた電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶ）に対し「Ｖｅｌ」だけ上昇する。この第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）は、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が大きくなるほど、大きくなる。このとき、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位が、発光素子６４０の閾値電圧（Ｖｔｈｅｌ）と、カソード線６８０のカソード電位（Ｖｃａｔ）とによって定まる発光電位（Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔ）を超えるため、発光素子６４０が発光する。

これに対し、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位も、保持容量６３０を介したカップリングによって、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇に倣うように、信号電位（Ｖｓｉｇ）から「Ｖｅｌ'」だけ上昇する。このように、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇に伴い、保持容量６３０に起因するカップリングによって、浮遊状態にある第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位が上昇する動作をブートストラップ動作という。

このブートストラップ動作においては、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）が、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に比べて抑制される。この第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）と、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）との関係は、次の式１により表わすことができる。
Ｖｅｌ'＝Ｇｂ×Ｖｅｌ ・・・式１

ここで、Ｇｂは、「１．０」未満の値であり、次の式２により表わすことができる。なお、ここでは、Ｇｂをブートストラップ利得という。
Ｇｂ＝Ｃｓ／（Ｃｓ＋Ｃｐ） ・・・式２

ここで、Ｃｓは、保持容量６３０の容量値である。また、Ｃｐは、書込みトランジスタ６１０のゲート・ソース端子間の寄生容量（書込みトランジスタｇｓ寄生容量）と、駆動トランジスタ６２０のゲート・ドレイン端子間の寄生容量（駆動トランジスタｇｄ寄生容量）との容量値の和である。なお、ここでは、ブートストラップ利得Ｇｂを低下させる寄生容量は、書込みトランジスタｇｓ寄生容量および駆動トランジスタｇｄ寄生容量のみを考慮している。

式２より、書込みトランジスタｇｓ寄生容量および駆動トランジスタｇｄ寄生容量の容量値Ｃｐによって、ブートストラップ利得Ｇｂが「１．０」未満の値となることがわかる。このブートストラップ利得Ｇｂは、書込みトランジスタｇｓ寄生容量および駆動トランジスタｇｄ寄生容量の容量値Ｃｐの大きさに応じて変化する。すなわち、書込みトランジスタｇｓ寄生容量および駆動トランジスタｇｄ寄生容量の容量値Ｃｐが大きいほど、ブートストラップ利得Ｇｂは小さくなる。また、この容量値Ｃｐの大きさは画素回路６００乃至６０５のそれぞれで異なるため、ブートストラップ利得Ｇｂの大きさも画素回路６００乃至６０５のそれぞれで異なる。

このように、書込みトランジスタｇｓ寄生容量および駆動トランジスタｇｄ寄生容量の容量値Ｃｐにより、ブートストラップ利得Ｇｂが「１．０」未満の値となる。このため、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）は、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に比べて小さくなる。このため、発光期間ＴＰ６における信号電圧（Ｖｇｓ２）は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５における信号電圧（Ｖｇｓ１）よりも「Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'＝Ｖｅｌ・（１−Ｇｂ）」だけ小さくなる。なお、発光期間ＴＰ６の途中において、データ線（ＤＴＬ）１７０のデータ信号が、信号電位（Ｖｓｉｇ）から基準電位（Ｖｏｆｓ）に切り替えられる。したがって、発光期間ＴＰ６では、信号電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶ−（Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'））に応じた輝度により、発光素子６４０が発光する。

［画素の動作状態の詳細］
次に、上述の画素回路６００の動作の遷移例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。

図４乃至図６は、本発明の第１の実施の形態における画素回路６００の動作の遷移例を模式的に示す図である。以下に示す図４乃至図６では、図３により示したタイミングチャートのＴＰ１乃至ＴＰ６の期間に対応する画素回路６００の動作状態が示されている。また、便宜上、発光素子６４０の寄生容量６４１を図示している。さらに、書込みトランジスタ６１０をスイッチとして図示しており、走査線（ＷＳＬ）１６０については省略している。

図４（ａ）乃至（ｃ）は、ＴＰ６、ＴＰ１およびＴＰ２の期間にそれぞれ対応する画素回路６００の動作状態を示す模式的な回路図である。まず、発光期間ＴＰ６では、図４（ａ）に示すように、書込みトランジスタ６１０がオフ（非導通）状態であり、電源線（ＤＳＬ）１８０から電源電位（Ｖｃｃ）が駆動トランジスタ６２０に加えられている状態である。そして、駆動トランジスタ６２０から駆動電流（Ｉｄｓ'）が発光素子６４０に供給されているため、その駆動電流（Ｉｄｓ'）に応じた輝度により発光素子６４０が発光している。

そして、閾値補正準備期間ＴＰ１では、図４（ｂ）に示すように、電源線（ＤＳＬ）１８０の電源信号が電源電位（Ｖｃｃ）から初期化電位（Ｖｓｓ）に遷移する。これにより、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位が低下するため、発光素子６４０は非発光状態となる。このとき、第１ノード（ＮＤ１）６５０は浮遊状態にあるため、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位も、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位低下に倣うように、低下する。

続いて、閾値補正準備期間ＴＰ２では、図４（ｃ）に示すように、走査線（ＷＳＬ）１６０（図２に示す）の電位がオン電位（Ｖｏｎ）に遷移することによって、書込みトランジスタ６１０がオン（導通）状態となる。これにより、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位は、データ線（ＤＴＬ）１７０からの基準電位（Ｖｏｆｓ）に初期化される。

これに対し、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位は、電源線（ＤＳＬ）１８０の初期化電位（Ｖｓｓ）に初期化される。これにより、第１ノード（ＮＤ１）６５０および第２ノード（ＮＤ２）６６０の間の電位差は「Ｖｏｆｓ−Ｖｓｓ」となる。なお、ここでは、電源線（ＤＳＬ）１８０の初期化電位（Ｖｓｓ）が、基準電位（Ｖｏｆｓ）よりも十分に低い電位に設定されていることを想定している。

図５（ａ）乃至（ｃ）は、ＴＰ３乃至ＴＰ５の期間にそれぞれ対応する画素回路６００の動作状態を示す模式的な回路図である。

閾値補正準備期間ＴＰ２に続いて、閾値補正期間ＴＰ３では、図５（ａ）に示すように、電源線（ＤＳＬ）１８０の電源信号が電源電位（Ｖｃｃ）に遷移する。これにより、駆動トランジスタ６２０がオン状態となり、駆動トランジスタ６２０から第２ノード（ＮＤ２）６６０に電流が供給されることによって、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位が上昇する。そして、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位は、第１ノード（ＮＤ１）６５０と第２ノード（ＮＤ２）６６０との間の電位差が駆動トランジスタ６２０の閾値電圧に相当する電位差（Ｖｔｈ）になるまで上昇する。

このようにして、駆動トランジスタ６２０の閾値電圧に相当する電圧（Ｖｔｈ）が保持容量６３０に保持される。すなわち、これが閾値補正動作である。なお、カソード線６８０のカソード電位（Ｖｃａｔ）、および、データ線（ＤＴＬ）１７０からの基準電位（Ｖｏｆｓ）は、駆動トランジスタ６２０からの電流が発光素子６４０に流れないように、予め設定しておく。

この後、期間ＴＰ４では、図５（ｂ）に示すように、走査線（ＷＳＬ）１６０から供給される走査信号がオフ電位（Ｖｏｆｆ）に遷移することによって、書込みトランジスタ６１０がオフ状態となる。そして、データ線（ＤＴＬ）１７０のデータ信号の電位が、基準電位（Ｖｏｆｓ）から映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に遷移する。ここでは、このデータ線（ＤＴＬ）１７０のトランジェント特性を考慮して、データ信号が映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に達するまでの間、書込みトランジスタ６１０をオフ状態にしている。

続いて、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５では、図５（ｃ）に示すように、走査線（ＷＳＬ）１６０の走査信号の電位がオン電位（Ｖｏｎ）に遷移することによって、書込みトランジスタ６１０がオン状態となる。これにより、書込みトランジスタ６１０によって映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が保持容量６３０の一端に書き込まれるため、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位が、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）に設定される。

このとき、駆動トランジスタ６２０の移動度に応じた電流が駆動トランジスタ６２０から第２ノード（ＮＤ２）６６０に流れるため、保持容量６３０および寄生容量６４１が充電されて、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位が上昇する。そして、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位は、閾値電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ）に対し、駆動トランジスタ６２０の移動度に応じた上昇量（ΔＶ）だけ上昇する。すなわち、これが移動度補正動作である。

これにより、第１ノード（ＮＤ１）６５０と第２ノード（ＮＤ２）６６０との間の電位差である信号電圧（Ｖｇｓ１）が「Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶ」となる。すなわち、保持容量６３０には、信号電圧（Ｖｇｓ１）として、「Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶ」が保持される。

このようにして、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５において、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）の書込み、および、移動度補正による上昇量（ΔＶ）の調整が行われる。このとき、映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が大きいほど駆動トランジスタ６２０からの電流が大きくなるため、移動度補正による上昇量（ΔＶ）も大きくなる。したがって、輝度レベル（映像信号の電位）に応じた移動度補正を行うことができる。

また、画素回路６００乃至６０５のそれぞれの映像信号の電位（Ｖｓｉｇ）が一定である場合において、駆動トランジスタ６２０の移動度が大きい画素回路６００乃至６０５ほど、移動度補正による上昇量（ΔＶ）も大きくなる。すなわち、駆動トランジスタ６２０の移動度が大きい画素回路６００乃至６０５では、移動度が小さい画素回路に比べて、駆動トランジスタ６２０からの電流が大きくなり、その分だけ駆動トランジスタ６２０のゲート−ソース間電圧が小さくなる。したがって、駆動トランジスタ６２０の移動度が大きい画素回路６００では、その駆動トランジスタ６２０から出力される駆動電流が、移動度の小さい画素回路６０１乃至６０５と同程度の大きさに調整されることになる。このようにして、画素回路６００乃至６０５ごとの駆動トランジスタ６２０の移動度のばらつきが取り除かれる。

図６は、ＴＰ６の期間に対応する画素回路６００の動作状態を示す模式的な回路図である。

発光期間ＴＰ６では、図６に示すように、走査線（ＷＳＬ）１６０から供給される走査信号の電位がオフ電位（Ｖｏｆｆ）に遷移することによって、書込みトランジスタ６１０がオフ状態となる。そして、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５において与えられた電位（Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶ）に対して駆動トランジスタ６２０からの駆動電流の大きさに応じた電位（Ｖｅｌ）だけ上昇する。

これに対して、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位は、保持容量６３０に起因するブートストラップ動作によって、式１に示す割合により上昇する。このときの第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）は、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に「１．０」未満のブートストラップ利得Ｇｂを乗じた値となる。すなわち、第１ノード（ＮＤ１）６５０の電位上昇量（Ｖｅｌ'）は、書込みトランジスタｇｓ寄生容量および駆動トランジスタｇｄ寄生容量の容量値Ｃｐに応じて抑制されるため、第２ノード（ＮＤ２）６６０の電位上昇量（Ｖｅｌ）に比べて小さくなる。

これにより、第１ノード（ＮＤ１）６５０と第２ノード（ＮＤ２）６６０との間の電位差である信号電圧（Ｖｇｓ２）は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ１）に比べて、「Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'」だけ小さくなる。すなわち、発光期間ＴＰ６の終了直前における信号電圧（Ｖｇｓ２）は、書込み期間／移動度補正期間ＴＰ５における信号電圧（Ｖｇｓ１）よりも小さい「Ｖｇｓ１−（Ｖｅｌ−Ｖｅｌ'）」となる。したがって、発光素子６４０は、発光期間ＴＰ６における信号電圧（Ｖｇｓ２）に対応する駆動電流（Ｉｄｓ）に応じた輝度により、発光する。

ここまでの図３乃至６において示したように、本発明の第１の実施の形態における表示装置１００の画素回路６００は、データ線１７０を介して供給される信号電位に応じた駆動電流が発光素子６４０に供給されることにより、駆動電流に応じた輝度により発光する。すなわち、画素回路６００を構成する発光素子６４０などが劣化すると、発光の量の変化などにより、信号電位に対する輝度の値が初期の状態からズレてしまう。このズレは、全ての画素回路において同じ量のズレが発生するのであれば、直前に表示されていた画像が残っているように見える現象（いわゆる、焼き付き現象）が生じることはない。

しかしながら、有機ＥＬ素子は表示する画像データに応じて発光する量を変えることにより階調を表現するため、有機ＥＬ素子の劣化の度合いが表示画面の画素回路ごとに異なる。このため、劣化の大きい画素回路の表示が周辺の画素回路の表示より暗くなることによって、焼き付き現象が生じる。

［画素回路の劣化例］
次に、本発明の第１の実施の形態における画素回路の劣化の特性について図７および図８を参照して説明する。

図７は、本発明の第１の実施の形態において所定の階調値の映像信号で発光させた画素回路６００の使用時間と、画素回路の輝度の劣化量との関係を示す図である。

この図７では、縦軸を画素回路６００の輝度の劣化量（輝度劣化量）を示す軸とし、横軸を画素回路６００の使用時間（発光時間）とする３つの劣化特性（劣化特性６９１乃至６９３）が示されている。なお、この図７では、３つの劣化特性を示す画素回路６００の温度は、同一であることを想定する。

劣化特性（階調値１００）６９１は、階調値が「１００」の映像信号で発光させた画素回路６００の劣化を示す特性である。この劣化特性（階調値１００）６９１には、階調値「１００」の映像信号に基づく劣化は、使用開始直後の劣化は急激に進行し、使用開始から発光時間が経過すると劣化は緩やかに進行することが示されている。

劣化特性（階調値１５０）６９２は、階調値が「１５０」の映像信号で発光させた画素回路６００の劣化を示す特性である。この劣化特性（階調値１５０）６９２には、階調値「１５０」の映像信号に基づく劣化は、階調値「１００」の映像信号で発光させた画素回路６００よりも急激に劣化が進行することが示されている。

劣化特性（階調値２００）６９３は、階調値が「２００」の映像信号で発光させた画素回路６００の劣化を示す特性である。この劣化特性（階調値２００）６９３には、階調値「２００」の映像信号に基づく劣化は、階調値「１５０」の映像信号で発光させた画素回路６００よりも急激に劣化が進行することが示されている。

この図７において示すように、画素回路６００は、階調値が小さい映像信号で発光させると劣化は緩やかに進行し、一方、階調値が大きい映像信号で発光させると劣化が速く進行する。また、画素回路６００の劣化は、画素回路６００の使用開始直後は急激に劣化が進行し、使用開始から発光時間が経過すると緩やかに劣化が進行する。

図８は、本発明の第１の実施の形態において所定の温度条件で発光させた画素回路６００の使用時間と、画素回路の輝度の劣化量との関係を示す図である。

この図８では、縦軸を画素回路６００の輝度の劣化量（輝度劣化量）を示す軸とし、横軸を画素回路６００の使用時間（発光時間）とする３つの劣化特性（劣化特性６９４乃至６９６）が示されている。なお、この図８では、３つの劣化特性を示す画素回路６００に供給される映像信号の階調値は、同一であることを想定する。

劣化特性（温度２０℃）６９４は、温度条件「２０℃」において発光させた画素回路６００の劣化を示す特性である。この劣化特性（温度２０℃）６９４には、図７において示した３つの劣化特性（劣化特性６９１乃至６９３）と同様に、使用開始直後の劣化は急激に進行し、使用開始から発光時間が経過すると劣化は緩やかに進行することが示されている。

劣化特性（温度３０℃）６９５は、温度条件「３０℃」において発光させた画素回路６００の劣化を示す特性である。この劣化特性（温度３０℃）６９５には、温度条件「３０℃」における劣化は、温度条件「２０℃」における劣化よりも急激に劣化が進行することが示されている。

劣化特性（温度４０℃）６９６は、温度条件「４０℃」において発光させた画素回路６００の劣化を示す特性である。この劣化特性（温度４０℃）６９６には、温度条件「４０℃」における劣化は、温度条件「３０℃」における劣化よりも急激に劣化が進行することが示されている。

この図８において示すように、画素回路６００は、温度が低い条件で画素回路６００を発光させると劣化は緩やかに進行する。一方、温度が高い条件で画素回路６００を発光させると劣化が速く進行する。

すなわち、画素回路６００の劣化の進行速度の違いには温度の差が関与する。そこで、本発明の第１の実施の形態では、ダミー画素が測定した輝度の劣化を表示装置の温度情報に基づいて補正することによって、焼き付きを精度よく補正する表示装置の例について説明する。

［ダミー画素アレイ部の構成例］
図９は、本発明の第１の実施の形態におけるダミー画素アレイ部３００の一構成例を示す概念図である。なお、この本発明の第１の実施の形態では、３つの階調値の発光信号に基づく画素回路の劣化について測定するものとする。

この図９では、ダミー画素アレイ部３００と、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１１０と、画素アレイ部１４０と、電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３０とが示されている。また、ダミー画素アレイ部３００に接続する走査線（ＷＳＬ）１６０として走査線（ＷＳＬ）１６４乃至１６６が示され、ダミー画素アレイ部３００に接続するデータ線（ＤＴＬ）１７０としてデータ線（ＤＴＬ）１７３が示されている。さらに、ダミー画素アレイ部３００に接続する電源線（ＤＳＬ）１８０として電源線（ＤＳＬ）１８４乃至１８６が示されている。また、ダミー画素アレイ部３００と焼き付き補正部２００との間を接続する信号線３９０として、信号線３９１乃至３９３が示されている。この図９では、ダミー画素アレイ部３００に着目して説明する。

ダミー画素アレイ部３００は、実際には表示されない画素回路であって、画素回路の劣化の度合いを測定するためのダミー画素回路が配置された領域である。このダミー画素アレイ部３００は、例えば、アレイ基板における表示されない部位（例えば、フレームで隠れる位置）に形成される。このダミー画素アレイ部３００は、輝度検出ユニット３１０、３２０および３３０を備える。なお、この輝度検出ユニット３１０、３２０および３３０は、一列に配置されているものとする。

輝度検出ユニット３１０、３２０および３３０は、所定の階調値の発光信号に基づく画素回路の劣化を測定するためのものである。この輝度検出ユニット３１０、３２０および３３０は、１つのダミー画素回路および１つの輝度センサを備える。なお、輝度検出ユニット３２０および３３０は、輝度検出ユニット３１０と同一のものであるため、ここでは、輝度検出ユニット３１０のダミー画素回路３１１および輝度センサ３１２について説明する。

ダミー画素回路３１１は、図２乃至図８において示した画素回路６００と同様に、走査線（ＷＳＬ）１６０からの走査信号に基づいて、データ線（ＤＴＬ）１７０からの映像信号の電位を保持してその保持した電位に応じて所定の期間発光するものである。このダミー画素回路３１１には、走査線（ＷＳＬ）１６４、データ線（ＤＴＬ）１７３および電源線（ＤＳＬ）１８４が接続されている。なお、本発明の第１の実施の形態において、このダミー画素回路３１１は、図２において示した画素回路６００と同様の構成である。なお、ダミー画素回路３１１は、特許請求の範囲に記載の特定画素回路の一例である。

このダミー画素回路３１１は、特定の階調値でのみ発光する。例えば、輝度検出ユニット３１０のダミー画素回路３１１は階調値「２００」で発光し、輝度検出ユニット３２０のダミー画素回路は階調値「１５０」で発光し、輝度検出ユニット３３０のダミー画素回路は階調値「１００」で発光する。

輝度センサ３１２は、ダミー画素回路３１１の輝度を測定するためのセンサである。この輝度センサ３１２は、例えば、ダミー画素回路３１１の発光のみを受光するためダミー画素回路３１１の近くに配置され、かつ、ダミー画素回路３１１以外の光は受光しないようにダミー画素回路３１１と共に外部の光から遮光される。この輝度センサ３１２は、ダミー画素の輝度に関する情報（ダミー画素輝度情報）を、信号線３９１を介して焼き付き補正部２００に供給する。

このように、ダミー画素アレイ部３００を設けることによって、所定の階調値に基づく発光による画素回路の輝度の劣化（輝度劣化）を、画像を表示する画素回路６００と同様の温度条件において測定することができる。

なお、この図９では輝度検出ユニットを３つとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、輝度検出ユニットの数を増やし計測する階調値を多くすることにより、劣化を測定する階調値の数を増やすことができる。

また、この図９では輝度検出ユニットを１列とし、ダミー画素アレイ部３００用の走査線（ＷＳＬ）、データ線（ＤＴＬ）および電源線（ＤＳＬ）１８４を配置したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、画素アレイ部１４０の信号線と共用させることによる回路の簡略化などが考えられる。

［輝度センサおよびダミー画素回路の配置例］
図１０は、本発明の第１の実施の形態におけるダミー画素回路３１１および輝度センサ３１２の配置構成例を模式的に示す断面図および配置図である。

図１０（ａ）には、輝度センサ３１２およびダミー画素回路３１１の断面構成が模式的に示されている。この図１０（ａ）には、ダミー画素回路３１１を構成する回路として、発光素子６４０およびＴＦＴ（Thin Film Transistor）画素回路１９７が示されている。さらに、この図１０（ａ）には、輝度センサ３１２と、樹脂１９８と、ガラス１９９とが示されている。例えば、ガラス１９９上にＴＦＴ画素回路１９７が配置され、このＴＦＴ画素回路１９７上に発光素子６４０が配置される。また、発光素子６４０が樹脂１９８で覆われ、この樹脂１９８上に輝度センサ３１２が配置される。すなわち、輝度センサ３１２は、樹脂１９８を介して、発光素子６４０上に配置される。

この図１０（ａ）に示すように、輝度センサ３１２は、発光素子６４０からの光を効率よく受光できる位置に配置される。

図１０（ｂ）には、表示装置１００を備えるディスプレイにおける輝度センサ３１２およびダミー画素回路３１１のディスプレイ内部における配置構成例が模式的に示されている。この図１０（ｂ）には、ディスプレイのフレーム部位であるフレーム領域１９１と、画面を表示する部位である表示領域１９２とが示されている。また、フレーム領域１９１の領域内にダミー画素領域１９３、ＴＦＴ画素回路１９７および輝度センサ３１２が示されている。

この図１０（ｂ）に示すように、輝度センサおよびダミー画素回路は、ディスプレイ等における表示されない領域に配置される。

［焼き付き補正部の構成例］
図１１は、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の機能構成例を示すブロック図である。この焼き付き補正部２００は、輝度劣化情報積算部２２０と、輝度劣化補正パターン生成部２３０と、輝度劣化補正演算部２４０と、輝度劣化特性供給部４００とを備える。

ここで、本発明の第１の実施の形態では、劣化が起きていない初期状態の画素回路の輝度を補正の基準として、劣化が起きた画素回路６００乃至６０５の輝度がその基準と一致するように映像信号を補正することを想定する。

また、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００は、便宜上、輝度劣化情報積算部２２０に保持されている情報を、各フレームの補正された映像信号を１分間隔で取得することによって更新するものとする。さらに、便宜上、輝度劣化情報積算部２２０に保持されている情報が更新されるごとに、輝度劣化補正パターン生成部２３０は新たな補正パターンを生成するものとする。

輝度劣化特性供給部４００は、ダミー画素回路の輝度から輝度特性を生成し、その生成した輝度特性を供給するものである。この輝度劣化特性供給部４００は、温度センサ１４１から信号線２０８を介して供給される温度情報と、輝度センサ３１２から信号線３９０を介して供給されるダミー画素輝度情報とに基づいて、温度ごとおよび輝度ごとの劣化特性を生成する。この輝度劣化特性供給部４００は、その生成した劣化特性を、信号線４０１を介して輝度劣化情報積算部２２０に供給する。また、輝度劣化特性供給部４００は、その生成した劣化特性を、信号線４０２を介して輝度劣化補正パターン生成部２３０に供給する。なお、輝度劣化特性供給部４００は、特許請求の範囲に記載の輝度劣化特性生成部の一例である。

輝度劣化情報積算部２２０は、画素回路６００乃至６０５における画素回路の劣化に基づく輝度の劣化に関する情報（輝度劣化情報）を保持し、この輝度劣化情報を順次更新するものである。また、輝度劣化情報積算部２２０は、画素回路６００乃至６０５の輝度劣化に関する新たな劣化の量をその輝度劣化情報に順次加算することにより、輝度劣化情報を更新する。ここで、輝度劣化情報とは、例えば、画素回路６００乃至６０５の輝度劣化の量を、特定の階調値の映像信号による発光時間に換算した値である。この輝度劣化情報積算部２２０は、輝度劣化情報更新部２２１と、輝度劣化情報保持部２２２とを備える。なお、輝度劣化情報積算部２２０は、特許請求の範囲に記載の加算部の一例である。また、輝度劣化特性供給部４００および輝度劣化情報積算部２２０は、特許請求の範囲に記載の輝度劣化情報生成部の一例である。

輝度劣化情報更新部２２１は、輝度劣化情報保持部２２２に保持されている輝度劣化情報を、画素回路６００乃至６０５の輝度の新たな劣化の量を加算することによって更新するものである。この輝度劣化情報更新部２２１は、例えば、輝度劣化補正演算部２４０から供給された補正後の映像信号に基づいて、画素回路６００乃至６０５の輝度の新たな劣化に関する情報を、信号線４０１を介して供給された劣化特性を用いて算出する。

そして、この輝度劣化情報更新部２２１は、その新たな劣化に関する情報を輝度劣化情報に順次加算することによって、更新された輝度劣化情報を生成する。この輝度劣化情報更新部２２１は、その更新された輝度劣化情報を輝度劣化情報保持部２２２に供給する。なお、更新された輝度劣化情報の生成の一例については、図１６を参照して詳細に説明する。

輝度劣化情報保持部２２２は、輝度劣化情報を保持するものであり、画素回路６００乃至６０５のそれぞれの輝度劣化情報を画素回路ごとに保持する。また、この輝度劣化情報保持部２２２は、輝度劣化情報更新部２２１により更新された輝度劣化情報が供給される毎に、その更新された輝度劣化情報を順次保持する。この輝度劣化情報保持部２２２は、保持している輝度劣化情報を、輝度劣化情報更新部２２１および輝度劣化補正パターン生成部２３０に供給する。なお、この輝度劣化情報の一例については、図１７を参照して説明する。

輝度劣化補正パターン生成部２３０は、輝度劣化を補正するためのパターン（輝度劣化補正パターン）を生成するものである。ここで、輝度劣化補正パターンとは、画素回路６００乃至６０５のそれぞれに対する輝度劣化の補正値（輝度劣化補正値）により構成される補正パターンであり、輝度劣化を補正するための補正情報である。この輝度劣化補正パターン生成部２３０は、基準輝度特性情報供給部２３１と、対象輝度特性情報生成部２３２と、輝度劣化補正値算出部２３３と、輝度劣化補正パターン保持部２３４とを備える。なお、輝度劣化補正パターン生成部２３０は、特許請求の範囲に記載の輝度劣化値算出部の一例である。

基準輝度特性情報供給部２３１は、輝度劣化の補正の基準となる画素回路に関する輝度特性情報を基準輝度特性情報として供給するものである。ここで、輝度特性情報とは、画素回路に供給される映像信号と、その映像信号に基づく発光の輝度との相関の特性（輝度特性）に関する情報である。例えば、この基準輝度特性情報供給部２３１は、本発明の第１の実施の形態においては、劣化が起きていない状態（初期状態）の画素回路に関する輝度特性情報を保持する。そして、この基準輝度特性情報供給部２３１は、その保持している輝度特性情報を基準輝度特性情報として、輝度劣化補正値算出部２３３に供給する。なお、輝度特性、輝度特性情報および基準輝度特性情報の一例に関しては、図１８を参照して説明する。

対象輝度特性情報生成部２３２は、輝度劣化補正値の生成対象となる画素回路の輝度特性情報を対象輝度特性情報として供給するものである。例えば、この対象輝度特性情報生成部２３２は、画素回路６００乃至６０５に関する輝度劣化情報を輝度劣化情報保持部２２２から順次取得する。そして、この対象輝度特性情報生成部２３２は、例えば、特定の階調値における発光時間が輝度劣化情報である場合には、輝度劣化特性供給部４００から供給された劣化特性を用いて、取得した輝度劣化情報から画素回路の劣化量を算出する。そして、この対象輝度特性情報生成部２３２は、算出した劣化量から輝度特性情報を算出し（例えば、劣化量と効率係数との相関関係を示す数式を用いて算出）、その算出した輝度特性情報を対象輝度特性情報として輝度劣化補正値算出部２３３に供給する。なお、対象輝度特性情報の一例に関しては、図１８を参照して説明する。

輝度劣化補正値算出部２３３は、輝度劣化補正パターンを生成するため、基準輝度特性情報および対象輝度特性情報に基づいて画素回路６００乃至６０５ごとの輝度劣化補正値を算出するものである。この輝度劣化補正値算出部２３３は、例えば、対象輝度特性情報を分子とし、基準輝度特性情報を分母とする除算により輝度劣化補正値を算出する。この輝度劣化補正値算出部２３３は、画素回路６００乃至６０５の全てに関して輝度劣化補正値を生成する。この輝度劣化補正値算出部２３３は、生成した輝度劣化補正値を輝度劣化補正パターン保持部２３４に供給する。なお、輝度劣化補正値については、図１８を参照して説明する。

輝度劣化補正パターン保持部２３４は、輝度劣化補正値算出部２３３から供給された輝度劣化補正値を画素回路ごとに保持するものである。この各画素回路により構成される輝度劣化補正値を輝度劣化補正パターンとして以下では説明する。この輝度劣化補正パターン保持部２３４は、保持している輝度劣化補正パターンを輝度劣化補正演算部２４０に供給する。なお、この輝度劣化補正パターンの一例については、図１７を参照して説明する。

輝度劣化補正演算部２４０は、輝度劣化補正パターン保持部２３４から供給された輝度劣化補正パターンに基づいて、信号線２０１を介して入力された映像信号の階調値を変更することによって、輝度劣化を補正するものである。また、この輝度劣化補正演算部２４０は、その階調値を補正した映像信号（補正階調値）を、信号線２０９を介して輝度劣化情報積算部２２０と、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２０とに供給する。なお、この輝度劣化補正演算部２４０の補正内容の一例については、図１８を参照して詳細に説明する。なお、輝度劣化補正演算部２４０は、特許請求の範囲に記載の補正部の一例である。

このように、輝度劣化特性供給部４００を焼き付き補正部２００に設けることによって、輝度センサ３１２から供給されるダミー画素輝度情報を用いて、画素回路の劣化に基づく輝度の劣化を補正することができる。

なお、ここでは、各フレームについて補正された映像信号を１分間隔で取得することにより、輝度劣化情報積算部２２０に保持されている情報を更新したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、補正された映像信号を１０分間隔で取得し、その取得した映像信号によって１０分間発光するものと想定して輝度劣化情報を更新するようにしてもよい。このように、輝度劣化情報の更新間隔を比較的長い時間とすることにより、演算量をさらに軽減することができる。また、輝度劣化情報積算部２２０において、各フレームについて補正された映像信号の取得間隔を短くすることにより、さらに精度よく輝度劣化情報を更新することも考えられる。

また、輝度劣化補正パターン生成部２３０は、輝度劣化情報が更新されるごとに、保持している輝度劣化補正パターンを更新したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、輝度劣化補正パターンは、短い間隔での更新では、急激に異なるパターンに更新されるものではない。これは、輝度が画素回路ごとにバラついたとしても、劣化の進行はゆっくり進行するためである。そこで、例えば、輝度劣化情報を１時間間隔で取得し、その取得した情報に基づいて補正パターンを１時間間隔で更新するなどにより、演算量を軽減することが考えられる。

また、ここでは、輝度劣化情報は特定の階調値の映像信号による発光時間に換算した値を想定したが、本発明はこれに限定されるものではない。この輝度劣化情報は、画素回路の劣化に基づく輝度の劣化の度合いを示す値であるため、例えば、初期状態に対する劣化の割合などが考えられる。また、輝度特性情報を算出して輝度劣化情報として保持する場合なども考えられる。

また、画素アレイ部１４０とダミー画素アレイ部３００とにおける温度は同一であることを想定し、１つの温度情報を信号線２０８を介して輝度劣化情報更新部２２１および輝度劣化特性供給部４００に供給したが、本発明はこれに限定されるものではない。輝度劣化特性供給部４００は、ダミー画素回路の温度を取得できればよい。また、輝度劣化情報更新部２２１は、各画素回路における温度を取得できればよい。例えば、温度が場所によって異なる場合には、輝度劣化情報更新部２２１は画素回路に隣接した温度センサからの温度情報を取得し、輝度劣化特性供給部４００はダミー画素回路に隣接した温度センサからの温度情報を取得することなどが考えられる。

［輝度劣化特性供給部の構成例］
図１２は、本発明の第１の実施の形態における輝度劣化特性供給部４００の機能構成例を示すブロック図である。この輝度劣化特性供給部４００は、ダミー画素劣化情報生成部４１０と、ダミー画素劣化情報保持部４２０と、温度情報取得部４３０と、温度条件変換部４４０と、劣化特性生成部４６０と、劣化特性保持部４７０とを備える。

ダミー画素劣化情報生成部４１０は、輝度センサから信号線３９０を介して供給されたダミー画素輝度情報に基づいて、ダミー画素回路の輝度の劣化量に関する情報（ダミー画素劣化情報）を生成するものである。例えば、このダミー画素劣化情報生成部４１０は、ダミー画素回路３１１の初期状態における輝度を予め保持する。そして、このダミー画素劣化情報生成部４１０は、輝度センサ３１２による輝度の測定結果（ダミー画素輝度情報）と、ダミー画素回路３１１の初期状態における輝度とを比較して、ダミー画素回路の劣化量（ダミー画素劣化量）を生成する。このダミー画素劣化情報生成部４１０は、その生成したダミー画素劣化量をダミー画素劣化情報として、ダミー画素劣化情報保持部４２０に供給する。

ダミー画素劣化情報保持部４２０は、ダミー画素劣化情報を保持するものである。このダミー画素劣化情報保持部４２０は、例えば、輝度検出ユニットが３つ（３１０、３２０、３３０）である場合には、それぞれの輝度検出ユニットにおけるダミー画素に関するダミー画素劣化情報を保持する。このダミー画素劣化情報保持部４２０は、保持しているダミー画素劣化情報を、温度条件変換部４４０に供給する。なお、このダミー画素劣化情報保持部４２０に保持されるダミー画素劣化情報の一例については、図１３を参照して説明する。

温度情報取得部４３０は、温度センサ１４１から信号線２０８を介して供給される温度情報を取得して、その取得した温度情報を保持するものである。この温度情報取得部４３０は、例えば、ダミー画素劣化情報生成部４１０がダミー画素劣化情報を生成するタイミングに合わせて温度情報を取得し、その取得した温度情報を保持する。この温度情報取得部４３０は、その保持した温度情報を温度条件変換部４４０に供給する。

温度条件変換部４４０は、ダミー画素劣化情報および温度情報に基づいて、所定の温度における劣化特性を算出するものである。この温度条件変換部４４０は、所定の温度における劣化特性を算出するために、測定期間の劣化から、所定の温度条件において同一の劣化をするための時間を算出し、その時間に関する情報（算出期間情報）を生成する。この温度条件変換部４４０は、例えば、測定時の温度を示す温度情報が「２０℃」であるダミー画素劣化情報を用いて、温度「３０℃」において同一量の劣化をするために要する時間を算出する。この時間の算出は、例えば、温度による劣化特性の差を数式化した情報を温度条件変換部４４０が予め保持し、算出する際にこの数式を用いることにより行われる。この温度条件変換部４４０は、生成した算出期間情報を、ダミー画素劣化情報とともに、劣化特性生成部４６０に供給する。なお、この温度条件変換部４４０による算出期間情報の生成の一例については、図１４（ａ）を参照して説明する。

劣化特性生成部４６０は、算出期間情報およびダミー画素劣化情報に基づいて、所定の温度における画素回路の劣化特性を生成するものである。例えば、この劣化特性生成部４６０は、温度を「３０℃」として算出された算出期間情報と、その算出期間情報の算出に用いられたダミー画素劣化情報を用いて、温度条件が「３０℃」で一定である場合における画素回路の劣化特性を生成する。この劣化特性生成部４６０は、生成した劣化特性を、劣化特性保持部４７０に供給する。なお、この劣化特性生成部４６０による劣化特性の生成の一例については、図１４（ｂ）を参照して説明する。

劣化特性保持部４７０は、劣化特性生成部４６０から供給された劣化特性を保持するものである。この劣化特性保持部４７０は、その保持した劣化特性を、信号線４０１を介して輝度劣化情報更新部２２１に供給する。また、この劣化特性保持部４７０は、その保持した劣化特性を、信号線４０２を介して対象輝度特性情報生成部２３２に供給する。

なお、本発明の第１の実施の形態では、温度条件変換部４４０は算出期間情報を算出することを想定したが、本発明はこれに限定されるものではない。この温度条件変換部４４０は、劣化特性生成部４６０において劣化特性が生成できるような情報を生成するものであればよい。例えば、温度条件変換部４４０は、ダミー画素輝度情報の取得間隔が長い場合などにおいて、算出期間における特性の傾きを算出する例なども考えられる。

また、この図１２において、ダミー画素輝度情報の輝度と初期状態における輝度とを比較してダミー画素劣化量を生成したが、本発明はこれに限定されるものではない。ダミー画素劣化量は、劣化に関する情報であればよい。

［輝度測定例とダミー画素劣化情報の一例と温度情報の一例］
図１３は、本発明の第１の実施の形態における３つの輝度センサによる輝度測定例と、ダミー画素劣化情報の一例と、温度情報の一例とを示す図である。

また、この図１３では、便宜上、輝度センサによる輝度の測定回数は３回であることおよびダミー画素回路は所定の発光信号で発光していることを想定する。

図１３（ａ）には、異なる３つの階調値（１００、１５０および２００）で発光する３つのダミー画素回路の輝度の劣化の測定例を示すグラフが示されている。このグラフでは、縦軸をダミー画素回路の劣化量を示す軸とし、横軸を発光時間を示す軸として、所定の発光信号（階調値「１００、１５０、２００」）で発光させたダミー画素回路の輝度の測定結果である測定劣化特性４１１、４１２および４１３が示されている。なお、この図１３（ａ）で示すグラフの縦軸では、縦軸と横軸が交差する原点に近いほど初期状態のダミー画素回路に近い状態（劣化が小さい状態）を示し、縦軸の下方に向かうほど輝度が弱い状態（劣化が大きい状態）を示す。

また、この図１３（ａ）では、輝度を測定した期間として、１回目の測定を示す測定期間（１）Ｔ１、２回目の測定を示す測定期間（２）Ｔ２、および、３回目の測定を示す測定期間（３）Ｔ３が示されている。また、この図１３（ａ）では、測定期間（１）Ｔ１におけるダミー画素回路の温度は２０℃であり、測定期間（２）Ｔ２におけるダミー画素回路の温度は４０℃であり、測定期間（３）Ｔ３におけるダミー画素回路の温度は３０℃であることを想定する。

測定劣化特性（階調値１００）４１１は、階調値「１００」の発光信号で発光させたダミー画素回路の輝度の測定結果を模式的に示す劣化特性である。この測定劣化特性（階調値１００）４１１には、ダミー画素回路の温度が測定期間ごとに異なるため、劣化の特性が測定期間ごとに異なることが示されている。この測定劣化特性（階調値１００）４１１のうちの測定期間（１）「Ｔ１」における特性は、温度２０℃における劣化の特性（例えば、図８の劣化特性（温度２０℃）６９４）に従ってダミー画素回路が劣化したことに起因する特性である。また、この測定劣化特性（階調値１００）４１１のうちの測定期間（２）「Ｔ２」における特性は、温度４０℃における劣化の特性（例えば、図８の劣化特性（温度４０℃）６９６）に従ってダミー画素回路が劣化したことに起因する特性である。さらに、この測定劣化特性（階調値１００）４１１のうちの測定期間（３）「Ｔ３」における特性は、温度３０℃における劣化の特性（例えば、図８の劣化特性（温度３０℃）６９５）に従ってダミー画素回路が劣化したことに起因する特性である。

測定劣化特性（階調値１５０）４１２は、階調値「１５０」の発光信号で発光させたダミー画素回路の輝度の測定結果を模式的に示す劣化特性である。この測定劣化特性（階調値１５０）４１２には、階調値「１５０」の発光信号による劣化は階調値「１００」の発光信号による劣化よりも急激に劣化が進行することが示されている。なお、この測定劣化特性（階調値１５０）４１２における測定期間ごとの特性については、測定劣化特性（階調値１００）４１１の説明と同様であるため、ここでの説明を省略する。

測定劣化特性（階調値２００）４１３は、階調値「２００」の発光信号で発光させたダミー画素回路の輝度の測定結果を模式的に示す劣化特性である。この測定劣化特性（階調値２００）４１３には、階調値「２００」の発光信号による劣化は階調値「１５０」の発光信号による劣化よりも急激に劣化が進行することが示されている。

この図１３（ａ）に示すように、ダミー画素回路の劣化は、発光時における温度の影響を受ける。

図１３（ｂ）には、図１３（ａ）の測定期間（３）Ｔ３の終了時にダミー画素劣化情報保持部４２０に保持されるダミー画素劣化情報の一例を模式的に示す表が示されている。

なお、この図１３（ｂ）では、測定時の輝度（ダミー画素輝度情報）の強度を、初期状態のダミー画素回路に対する割合（％）で模式的に示したものをダミー画素劣化情報として示す。なお、本発明の実施の形態では、図１３（ｂ）等の表内に示す各値として、説明の容易のため、簡略化した値を例示し、実際の測定値の記載を省略する。

この図１３（ｂ）の列４２１には、測定期間（１）Ｔ１における輝度の測定結果に基づいて生成され、測定期間（１）Ｔ１の間にダミー画素劣化情報保持部４２０に保持されたダミー画素劣化情報が示されている。同様に、列４２２には測定期間（２）Ｔ２の間に保持されたダミー画素劣化情報が示され、列４２３には測定期間（３）Ｔ３の間に保持されたダミー画素劣化情報が示されている。

また、この図１３（ｂ）の行４２４には、階調値「１００」の発光信号に基づいて発光させたダミー画素回路の輝度の測定結果に基づいて生成されたダミー画素劣化情報が示されている。同様に、行４２５には階調値「１５０」で発光させたダミー画素回路のダミー画素劣化情報が示され、行４２６には階調値「２００」で発光させたダミー画素回路のダミー画素劣化情報が示されている。

この図１３（ｂ）には測定期間（３）Ｔ３の終了時におけるダミー画素劣化情報を示したが、この後、４回目の測定期間（図示せず）が終了すると、この測定期間における輝度に基づくダミー画素劣化情報がダミー画素回路ごとに保持される。

この図１３（ｂ）に示すように、ダミー画素劣化情報保持部４２０には、ダミー画素回路ごとに生成されたダミー画素劣化情報が、測定期間ごとに順次保持される。

図１３（ｃ）には、図１３（ａ）の測定期間（３）Ｔ３の終了時に温度情報取得部４３０に保持される温度情報の一例を模式的に示す表が示されている。

この図１３（ｃ）の列４３１には、図１３（ａ）の測定期間（１）Ｔ１において温度センサ１４１が検出し、測定期間（１）Ｔ１の間に温度情報取得部４３０に保持された温度情報（２０℃）が示されている。同様に、列４３２には測定期間（２）Ｔ２の間に保持された温度情報（４０℃）が示され、列４３３には測定期間（３）Ｔ３の間に保持された温度情報（３０℃）が示されている。

この図１３（ｃ）には測定期間（３）Ｔ３の終了時における温度情報を示したが、この後、４回目の測定期間（図示せず）が終了すると、この測定期間において検出された温度を示す温度情報が温度情報取得部４３０に保持される。

この図１３（ｃ）に示すように、温度情報取得部４３０には、測定期間ごとの温度情報が、測定期間ごとに順次保持される。

［温度条件変換および劣化特性生成の一例］
図１４は、本発明の第１の実施の形態における温度条件変換部４４０による温度条件変換の一例および劣化特性生成部４６０による劣化特性生成の一例を示す図である。

図１４（ａ）には、温度条件変換部４４０による温度条件変換の一例を模式的に示すグラフが示されている。なお、この図１４では、ダミー画素回路の温度が「３０℃」である場合における劣化特性を生成することを想定して説明する。

このグラフでは、縦軸をダミー画素回路の劣化量を示す軸とし、横軸を劣化に要する時間を示す軸として、図１３（ａ）において示した測定劣化特性を温度条件変換したものである変換特性４４１乃至４４９が実線の曲線で示されている。また、図１３（ａ）において示した測定劣化特性４１１乃至４１３が破線の曲線で示されている。

なお、このグラフに示されている算出期間（１）Ｔ１１には、図１３（ａ）における測定期間（１）Ｔ１の特性と同程度に劣化をするために必要な時間の量（算出期間情報）が示されている。すなわち、この算出期間（１）Ｔ１１は、「３０℃」において変換特性４４１乃至４４３の劣化に必要な時間の量を示す。同様に、算出期間（２）Ｔ１２では測定期間（２）Ｔ２の特性と同程度に劣化をするために必要な時間の量が示され、算出期間（３）Ｔ１３では測定期間（３）Ｔ３の特性と同程度に劣化をするために必要な時間の量が示されている。

変換特性４４１乃至４４３は、図１３（ａ）において示した測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（１）Ｔ１の間の特性を温度条件変換したものを示す曲線である。この変換特性４４１乃至４４３は、測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（１）Ｔ１の間の特性の温度条件を、「２０℃」から「３０℃」に変換することにより生成される。この変換特性４４１乃至４４３の傾きは、測定時の温度が「２０℃」より「３０℃」の方が劣化が速く進むために、測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（１）Ｔ１の特性の傾きよりも大きくなる。また、測定時の温度は「２０℃」であるため、算出期間（１）Ｔ１１は、測定期間（１）Ｔ１の時間よりも短くなる。

変換特性４４４乃至４４６は、図１３（ａ）において示した測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（２）Ｔ２の間の特性を温度条件変換したものを示す曲線である。この変換特性４４４乃至４４６は、測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（２）Ｔ２の間の特性の温度条件を、「４０℃」から「３０℃」に変換することにより生成される。この変換特性４４４乃至４４６の傾きは、測定時の温度が「４０℃」より「３０℃」の方が劣化が遅く進むために、測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（２）Ｔ２の特性の傾きよりも小さくなる。また、測定時の温度は「４０℃」であるため、算出期間（２）Ｔ１２）は、測定期間（２）Ｔ２の時間よりも長くなる。

変換特性４４７乃至４４９は、図１３（ａ）において示した測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（３）Ｔ３の間の特性を温度条件変換したものを示す曲線である。この変換特性４４７乃至４４９は、測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（３）Ｔ３の間の特性の温度条件が「３０℃」であるため、測定劣化特性４１１乃至４１３における測定期間（３）Ｔ３の間の特性と同一のものである。また、算出期間（１）Ｔ１１）の長さも、測定期間（１）Ｔ１の長さと同一である。

このように、温度条件変換部４４０によって、所定の温度の場合における劣化特性を生成するために、算出期間情報が生成される。

図１４（ｂ）には、劣化特性生成部４６０による劣化特性生成の一例を模式的に示すグラフが示されている。この図１４（ｂ）では、図１４（ａ）において示した情報に基づいて劣化特性を生成する場合を想定して説明する。

このグラフでは、縦軸をダミー画素回路の劣化量を示す軸とし、横軸を劣化に要する時間を示す軸として、図１４（ａ）において示した変換特性４４１乃至４４９を連結したものである算出特性４５４乃至４５６が実線の曲線で示されている。また、劣化特性生成部４６０により生成される劣化特性４６４乃至４６６が破線の曲線で示されている。

算出特性（階調値１００）４５４は、測定劣化特性（階調値１００）４１１（図１３（ａ）参照）に基づいて生成された変換特性４４１、４４４および４４７（図１４（ａ）参照）を連結することにより算出された特性である。この算出特性（階調値１００）４５４は、温度が「３０℃」で一定の条件において、測定劣化特性（階調値１００）４１１と同量（図１３（ｂ）の列４２３における行４２４に記された劣化量）の劣化をするまでの特性である。この算出特性（階調値１００）４５４は、例えば、階調値「１００」で発光させたダミー画素回路のダミー画素劣化情報が示す劣化量を、算出期間情報が示す期間の間隔で配置し、そしてフィッテングを行うことにより生成される。

算出特性（階調値１５０）４５５は、測定劣化特性（階調値１５０）４１２（図１３（ａ）参照）に基づいて生成された変換特性４４２、４４５および４４８（図１４（ａ））を連結することにより算出された劣化特性である。

算出特性（階調値２００）４５６は、測定劣化特性（階調値２００）４１３（図１３（ａ）参照）に基づいて生成された変換特性４４３、４４６および４４９（図１４（ａ））を連結することにより算出された劣化特性である。

なお、算出特性（階調値１５０）４５５および算出特性（階調値２００）４５６は、階調値が「１５０」および「２００」である以外は、算出特性（階調値１００）４５４と同様のものであるため、ここでの詳細な説明を省略する。

このように、劣化特性生成部４６０は、まず、温度条件変換部４４０により生成された変換特性を用いて、算出特性を生成する。そして、劣化特性生成部４６０は、この生成した算出特性を用いて、劣化特性を生成する。

劣化特性（階調値１００）４６４は、算出特性（階調値１００）４５４から算出された劣化特性である。この劣化特性（階調値１００）４６４は、例えば、算出特性（階調値１００）４５４を用いて近似曲線を生成することにより生成される。

劣化特性（階調値１５０）４６５は、算出特性（階調値１５０）４５５から算出された劣化特性である。

劣化特性（階調値２００）４６６は、算出特性（階調値２００）４５６から算出された劣化特性である。

なお、劣化特性（階調値１５０）４６５および劣化特性（階調値２００）４６６は、階調値が「１５０」および「２００」である以外は、劣化特性（階調値１００）４６４と同様のものであるため、ここでの詳細な説明を省略する。

［複数の温度における劣化特性の一例］
図１５は、本発明の第１の実施の形態において劣化特性生成部４６０により生成される温度ごとの劣化特性の一例を模式的に示す図である。この図１５では、「２０℃」、「３０℃」および「４０℃」の温度条件における劣化特性を劣化特性生成部４６０が生成し、その生成された劣化特性を劣化特性保持部４７０が保持することを想定して説明する。この図１５では、縦軸をダミー画素回路の劣化量を示す軸とし、横軸を劣化に要する時間を示す軸とする３つのグラフ（「２０℃」、「３０℃」および「４０℃」）が示されている。

図１５（ａ）には、温度条件が「２０℃」の劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。このグラフには、測定劣化特性４１１乃至４１３の各測定期間の劣化の温度条件を「２０℃」にして生成された算出特性が、実線の曲線（算出特性４５１乃至４５３）で示されている。また、算出特性４５１乃至４５３から算出された劣化特性（劣化特性４６１乃至４６３）が破線の曲線で示されている。

なお、算出特性４５１乃至４５３は、温度条件が「２０℃」である以外は、図１４（ｂ）において示した算出特性４５４乃至４５６と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。また、劣化特性４６１乃至４６３は、温度条件が「２０℃」である以外は、図１４（ｂ）において示した劣化特性４６４乃至４６６と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。

この図１５（ａ）には、算出特性４５１乃至４５３の劣化量を示す劣化量Ｄ１乃至Ｄ３が示されている。なお、この劣化量Ｄ１乃至Ｄ３は、算出特性４５１乃至４５３の劣化量と測定劣化特性４１１乃至４１３の測定期間（３）Ｔ３の終了時の劣化量とが同量のため、図１５（ａ）乃至（ｃ）において同一の劣化量を示している。

また、この図１５（ａ）には、温度条件「２０℃」において劣化量Ｄ１乃至Ｄ３ほど劣化するために要する期間として、期間Ｔ２１が示されている。なお、この期間Ｔ２１は、温度条件を「２０℃」として算出した算出期間を合算したものである。

この図１５（ａ）に示す劣化特性４６１乃至４６３は、温度条件「２０℃」における画素回路の劣化（輝度劣化情報）を算出するための劣化特性として、輝度劣化情報更新部２２１に供給される。

図１５（ｂ）には、温度条件が「３０℃」の劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。この図１５（ｂ）において示すグラフは、図１４（ｂ）において示したグラフと同一のものである。また、この図１５では、温度条件「３０℃」において劣化量Ｄ１乃至Ｄ３ほど劣化するために要する期間として、期間Ｔ２２が示されている。なお、温度条件「２０℃」における劣化速度よりも温度条件「３０℃」における劣化速度の方が速いため、この期間Ｔ２２は、期間Ｔ２１よりも短い期間となる。

この図１５（ｂ）に示す劣化特性４６４乃至４６６は、温度条件「３０℃」における画素回路の劣化（輝度劣化情報）を算出するための劣化特性として、輝度劣化情報更新部２２１に供給される。

図１５（ｃ）には、温度条件が「４０℃」の劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。この図１５（ｃ）において示す算出特性４５７乃至４５９および劣化特性４６７乃至４６９は、温度条件が「４０℃」である以外は、図１５（ａ）および（ｂ）において示した算出特性および劣化特性と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。また、この図１５（ｃ）では、温度条件「４０℃」において劣化量Ｄ１乃至Ｄ３ほど劣化するために要する期間として、期間Ｔ２３が示されている。なお、温度条件「３０℃」における劣化速度よりも温度条件「４０℃」における劣化速度の方が速いため、この期間Ｔ２３は、期間Ｔ２２よりも短い期間となる。

この図１５（ｃ）に示す劣化特性４６７乃至４６９は、温度条件が「４０℃」である場合における画素回路の劣化（輝度劣化情報）を算出するための劣化特性として、輝度劣化情報更新部２２１に供給される。

このように、劣化特性生成部４６０によって、温度条件の変換により生成した複数の算出特性に基づいて、複数の温度条件における劣化特性が生成される。

なお、この本発明の第１の実施の形態では、３つの温度条件（「２０℃」、「３０℃」および「４０℃」）における３つの階調値（「１００」、「２００」および「３００」）の劣化特性を例にして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、より多くの温度条件や階調値に関して劣化特性を生成することにより、画素回路ごとの輝度劣化情報の生成の精度を向上させることなどが考えられる。

また、この本発明の第１の実施の形態では、劣化特性保持部４７０が保持するものを劣化特性としているが、実際に保持されるものとして、生成した劣化特性を数式で示したものが考えられる。

［輝度劣化情報の生成例］
次に、図１５において示した劣化特性４６１乃至４６９を用いて輝度劣化情報を更新する例について、図１６を参照して説明する。

図１６は、本発明の第１の実施の形態における輝度劣化情報更新部２２１による輝度劣化情報の生成例を示す概念図である。

なお、この図１６では、５回の輝度劣化情報の更新が行われたことを想定する。また、輝度劣化情報の更新は１分間間隔で行われることとする。この図１６において示す輝度劣化情報が指し示す画素回路の最初（１回目）の１分間の発光は、温度が「３０℃」である環境において階調値が「１５０」の発光信号による発光であることとする。２回目の発光は温度が「３０℃」である環境において階調値が「２００」の発光信号による発光であることとし、３回目の発光は温度が「４０℃」である環境において階調値が「１５０」の発光信号による発光であることとする。また、４回目の発光は温度が「２０℃」である環境において階調値が「２００」の発光信号による発光であることとし、５回目の発光は温度が「４０℃」である環境において階調値が「２００」の発光信号による発光であることとする。

この図１６では、縦軸を画素回路の劣化量を示す軸とし、横軸を劣化に要する時間を示す軸とする３つのグラフ（劣化特性４７１乃至４７３）が示されている。

劣化特性（２０℃）４７１には、図１５において示した劣化特性４６１乃至４６３が破線の曲線で示されている。また、この劣化特性（２０℃）４７１には、４回目の輝度劣化情報の更新において加算する劣化量を算出するための時間が、劣化時間（４）Ｔ３４として示されている。さらに、この劣化特性（２０℃）４７１には、４回目の輝度劣化情報の更新において加算される新たな劣化量が、劣化量Ｄ３４として示されている。また、劣化特性４６３における劣化量Ｄ３４に相当する区間が実線の曲線で示されている。

劣化特性（３０℃）４７２には、図１５において示した劣化特性４６４乃至４６６が破線の曲線で示されている。この劣化特性（３０℃）４７２には、１回目および２回目の輝度劣化情報の更新において加算する劣化量を算出するための時間が、劣化時間（１）Ｔ３１および劣化時間（２）Ｔ３２として示されている。さらに、この劣化特性（３０℃）４７２には、１回目および２回目の輝度劣化情報の更新において加算される新たな劣化量が、劣化量Ｄ３１およびＤ３２として示されている。また、劣化特性４６６における劣化量Ｄ３２に相当する区間と、劣化特性４６５における劣化量Ｄ３１に相当する区間とが実線の曲線で示されている。

劣化特性（４０℃）４７３には、図１５において示した劣化特性４６７乃至４６９が破線の曲線で示されている。この劣化特性（４０℃）４７３には、３回目および５回目の輝度劣化情報の更新において加算する劣化量を算出するための時間が、劣化時間（３）Ｔ３３および劣化時間（５）Ｔ３５として示されている。さらに、この劣化特性（４０℃）４７３には、３回目および５回目の輝度劣化情報の更新において加算される新たな劣化量が、劣化量Ｄ３３およびＤ３５として示されている。また、劣化特性４６８における劣化量Ｄ３３に相当する区間と、劣化特性４６９における劣化量Ｄ３５に相当する区間とが実線の曲線で示されている。

ここで、輝度劣化情報更新部２２１による輝度劣化情報の更新について、１回目、２回目および３回目の更新を用いて簡単に説明する。

まず、１回目の更新では、輝度劣化情報更新部２２１は、階調値が「１５０」の発光信号と、「３０℃」を示す温度情報と、劣化特性４６５と、輝度劣化情報（無劣化を示す）とから、劣化量Ｄ３１を算出する。そして、この劣化量Ｄ３１に関する情報が、輝度劣化情報として輝度劣化情報保持部２２２に保持される。

続いて、２回目の更新では、輝度劣化情報更新部２２１は、階調値が「２００」の発光信号と、「３０℃」を示す温度情報と、劣化特性４６６と、輝度劣化情報（劣化量Ｄ３１を示す情報）とから、劣化量Ｄ３２を算出する。そして、輝度劣化情報更新部２２１は、輝度劣化情報（劣化量Ｄ３１を示す情報）に劣化量Ｄ３２を加算した新たな輝度劣化情報（劣化量Ｄ３１＋Ｄ３２を示す情報）を輝度劣化情報保持部２２２に保持させる。

続いて、３回目の更新では、輝度劣化情報更新部２２１は、階調値が「１５０」の発光信号と、「４０℃」を示す温度情報と、劣化特性４６８と、輝度劣化情報（劣化量Ｄ３１＋Ｄ３２）とから、劣化量Ｄ３３を算出する。そして、輝度劣化情報更新部２２１は、輝度劣化情報（劣化量Ｄ３１＋Ｄ３２を示す情報）に劣化量Ｄ３３を加算した新たな輝度劣化情報（劣化量Ｄ３１＋Ｄ３２＋Ｄ３３を示す情報）を輝度劣化情報保持部２２２に保持させる。

このように、輝度劣化情報更新部２２１によって、各劣化期間の劣化量が加算されることにより輝度劣化情報が生成される。

なお、この図１６では、劣化特性４６１乃至４６９を用いて輝度劣化情報の生成をしたが、より多くの温度条件や階調値に関する劣化特性を用いることにより、輝度劣化情報の精度（正確性）を向上させることができる。

［輝度劣化補正パターンの生成例］
図１７は、本発明の第１の実施の形態における輝度劣化補正値算出部２３３による輝度劣化補正パターンの生成例を示す図である。この図１７では、輝度劣化情報保持部２２２に保持されている輝度劣化情報に基づいて輝度劣化補正パターン保持部２３４の輝度劣化補正パターンが生成されるまでの流れを模式的に説明する。なお、ここでは、便宜上、表示装置１００に備えられている画素回路を、１乃至ｔにより識別するものとする。また、この図１７では、輝度劣化情報は、温度条件「３０℃」における階調値「１００」による発光時間に劣化量を換算した値とする。

輝度劣化情報（ｎ−１）２６０は、輝度劣化情報保持部２２２に保持されている輝度劣化情報である。図１７に示す例では、輝度劣化情報として、ｎ−１（ｎは２以上の整数）回目の１分間の間の表示に基づいて輝度劣化情報保持部２２２に保持される輝度劣化情報を示す。この輝度劣化情報（ｎ−１）は、ｎ回目の１分間の間の表示を補正する輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０を生成するために用いられる。この輝度劣化情報（ｎ−１）２６０における左側のカラム（画素番号２６１）には、画面を構成する画素回路の番号である画素番号「１」、「２」、「ｉ」および「ｔ」が示されている。

また、輝度劣化情報（ｎ−１）２６０における右側のカラム（劣化情報２６２）には、画素番号の画素回路に関する輝度劣化情報（劣化情報）が示されている。ここで、画素番号２６１「ｉ」に対応する画素回路は、劣化が比較的大きい画素回路であり、画素番号２６１「１」、「２」および「ｔ」に対応する画素回路は、劣化が比較的小さい画素回路であるものとする。例えば、画素番号２６１「ｉ」に対応する輝度劣化情報として、「１６０」時間が保持され、画素番号２６１「１」、「２」および「ｔ」に対応する輝度劣化情報として、「１００」時間が保持されているものとする。

また、輝度劣化情報（ｎ−１）２６０に保持されている劣化情報２６２（点線２６３内に示す）は、輝度劣化情報更新部２２１により更新されて対象輝度特性情報生成部２３２に取得される。

このような輝度劣化情報（ｎ−１）２６０が輝度劣化情報保持部２２２に保持されている場合において、輝度劣化補正パターン生成部２３０は、ｎ回目の輝度劣化補正パターンの更新を行う。

ここで、一例として、画素番号２６１「１」の対象輝度特性情報が輝度劣化補正値算出部２３３に供給される過程について説明する。まず、対象輝度特性情報生成部２３２によって、画素番号２６１「１」の劣化情報２６２の「１００」時間が取得され、劣化特性を用いて画素回路の劣化量が算出される。そして、対象輝度特性情報生成部２３２は、その算出した劣化量から輝度特性情報（ここでは、「ｈ」とする）を生成し、その生成した輝度特性情報「ｈ」を対象輝度特性情報として輝度劣化補正値算出部２３３に供給する。

その後、輝度劣化補正値算出部２３３によって、基準輝度特性情報と対象輝度特性情報とに基づいて画素回路ごとの輝度劣化補正値が生成される。例えば、基準輝度特性情報供給部２３１から基準輝度特性情報として「ｇ」が供給されている場合には、輝度劣化補正値として「ｈ／ｇ」が生成される。なお、この輝度劣化補正値については、図１８を参照して詳細に説明する。

次に、輝度劣化補正値算出部２３３によって生成された画素回路ごとの輝度劣化補正値により構成される輝度劣化補正パターンについて説明する。

輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０は、輝度劣化補正値算出部２３３により生成される輝度劣化補正パターンを模式的に表すものである。図１７に示す例では、輝度劣化補正値算出部２３３により生成された画素回路ごとの輝度劣化補正値を、表示画面を構成する画素の配置に合わせて配置した場合における輝度劣化補正パターンを模式的に表す。具体的には、輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０は、輝度劣化情報（ｎ−１）に基づいて生成された輝度劣化補正値により構成される補正パターンの一例である。また、この輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０は、更新がｎ回目の輝度劣化補正パターンであり、ｎ回目の１分間の間に表示される各フレームに関する映像信号を補正するための輝度劣化補正パターンである。

この輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０における輝度劣化補正値Ｃ１は、輝度劣化情報（ｎ−１）２６０において示した画素番号２６１「１」に対応する画素回路を補正するための輝度劣化補正値である。また、輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０における輝度劣化補正値Ｃ１の位置は、画素番号２６１「１」に対応する画素回路の表示画面における位置に対応する。また、輝度劣化補正値Ｃ２、ＣｉおよびＣｔも輝度劣化補正値Ｃ１と同様に、輝度劣化情報（ｎ−１）２６０において示した画素番号２、ｉおよびｔに対応する画素回路に供給される映像信号を補正するための輝度劣化補正値である。また、輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０における輝度劣化補正値Ｃ２、ＣｉおよびＣｔの位置は、画素番号２６１「２」、「ｉ」および「ｔ」に対応する画素回路の表示画面における位置に対応する。

また、この輝度劣化補正パターン（ｎ）２７０における画素領域２７１乃至２７４は、画素領域２７１乃至２７４以外の画素回路よりも映像信号の階調値を大きくする輝度劣化補正値が配置されている領域を表している。また、画素領域２７１乃至２７４以外の画素回路は、映像信号の階調値を僅かに大きくする輝度劣化補正値が配置されている領域を表している。すなわち、画素領域２７１乃至２７４は、劣化の大きい画素回路に関する輝度劣化補正値が配置されている領域を示し、画素領域２７１乃至２７４以外の画素回路は、劣化の小さい画素回路に関する輝度劣化補正値が配置されている領域を示す。

このように、輝度劣化補正値算出部２３３によって、画素回路ごとの輝度の劣化の度合いに応じてその画素回路で表示される映像信号の階調値を変更するための輝度劣化補正値が生成される。そして、この輝度劣化補正値が全ての画素回路について生成されることによって、表示画面を構成する各画素回路の補正を適切に行うことができる。

［画素回路の輝度劣化の補正例］
図１８は、温度ごとの劣化特性を生成しない場合における画素回路の輝度劣化の補正の一例と、本発明の第１の実施の形態における画素回路の輝度劣化の補正の一例とを示す図である。

図１８（ａ）には、温度ごとの劣化特性を生成しない場合における画素回路の輝度劣化の補正の一例を模式的に示すグラフが示されている。この図１８（ａ）では、輝度劣化特性供給部４００は、温度条件変換部４４０において変換特性を生成しないで劣化特性を生成することを想定する。すなわち、この図１８（ａ）では、図１３において示した測定劣化特性４１１乃至４１３をそのままフィッテングした結果が劣化特性として輝度劣化情報更新部２２１に供給されることとする。また、この図１８（ａ）では、この不正確な劣化特性に基づいて不正確な輝度劣化情報が生成され、そして、この不正確な輝度劣化情報に基づいて不正確な輝度劣化補正値が生成されることを想定する。

この図１８（ａ）では、横軸を焼き付き補正部２００に入力される映像信号の階調の値（入力階調値）とし、縦軸を画素回路による発光の輝度の値（輝度値）とする２つのグラフ（補正前輝度特性グラフ２８１および補正後輝度特性グラフ２８２）を示す。

補正前輝度特性グラフ（誤差有）２８１は、温度ごとの劣化特性を生成しない場合における画素回路の輝度劣化の補正の一例を示すグラフである。この補正前輝度特性（誤差有）グラフ２８１には、基準輝度特性２８５と、補正対象輝度特性（誤差有）２８６と、補正対象輝度特性（実際）２８７とが示されている。

基準輝度特性２８５は、補正の基準となる初期状態の画素回路の輝度特性を示す曲線である。なお、この基準輝度特性２８５は、図１８（ａ）および（ｂ）において示されるグラフにおいて同一のものであるため、これ以降での説明を省略する。

補正対象輝度特性（誤差有）２８６は、補正対象の画素回路の輝度特性であり、温度ごとの劣化特性が無いことによる不正確な輝度劣化情報に基づく輝度特性を示す曲線である。すなわち、この補正対象輝度特性（誤差有）２８６は、焼き付き補正部２００において補正に用いられる対象輝度特性情報が示す輝度特性を示す。

また、この補正対象輝度特性（誤差有）２８６は、基準輝度特性２８５よりも曲線の傾きが緩やかになっている。この傾きの変化は、画素回路の劣化が生じるため（主に、発光素子６４０における駆動電流を輝度に変換する効率の劣化が生じるため）に発生する。

補正対象輝度特性（実際）２８７は、補正対象の画素回路の実際の輝度特性を示す。なお、焼き付き補正部２００において補正に用いられる対象輝度特性情報の正確性が高ければ、対象輝度特性情報が示す輝度特性（補正対象輝度特性（誤差有）２８６）は、この補正対象輝度特性（実際）２８７に近い輝度特性となる。

この図１８（ａ）の補正対象輝度特性（誤差有）２８６に示すような輝度特性に基づいて輝度劣化補正値が算出され、映像信号の階調値の変更が行われる。具体的には、入力階調値に対する発光の輝度が基準輝度特性２８５と同様になるように、画素回路に供給する映像信号の階調値が変更される。

ここで、輝度特性および補正方法について説明する。

まず、輝度特性について説明する。この輝度特性は、例えば、次の式３に示す二次関数により表現される。
Ｌ＝Ａ×Ｓ^２ ・・・式３

ここで、Ｌは、輝度値である。また、Ａは、発光素子６４０における電流を輝度に変換する効率に応じて定まる係数（効率係数）である。

この式３において、Ｓは、駆動トランジスタ６２０のゲート−ソース間電圧に相当する値である。また、Ｓ^２は、駆動トランジスタ６２０の２乗特性を用いて算出した値であって、発光素子６４０に供給される駆動電流に相当する値である。このように、駆動電流Ｓ^２に発光素子６４０の変換効率Ａを乗算することによって、輝度値Ｌを算出することができる。

次に、焼き付き補正部２００の補正方法について説明する。焼き付き補正部２００は、次の式４に基づいて映像信号の階調を変更する。
Ｓ_out＝（ΔＡ）^−１／２×Ｓ_in ・・・式４
ΔＡ＝Ａ_ｄ／Ａ ・・・式５

ここで、Ｓ_ｏｕｔは、焼き付き補正部２００により補正された映像信号の階調値である。また、Ｓ_ｉｎは、焼き付き補正部２００により補正される前の映像信号の階調値である。また、ΔＡは、式５に示すように、補正対象画素回路の効率係数（Ａ_ｄ）を分子とし、初期状態の画素回路の効率係数（Ａ）を分母とした変換効率の比を示す分数の値（輝度劣化補正値）である。なお、補正対象画素回路の効率係数（Ａ_ｄ）は、対象輝度特性情報生成部２３２（図１１を参照）が供給する対象輝度特性情報の一例である。また、初期状態の画素回路の効率係数（Ａ）は、基準輝度特性情報供給部２３１（図１１を参照）が供給する基準輝度特性情報の一例である。

この式４に基づいて映像信号の階調値を変更するために、焼き付き補正部２００は、画素回路のそれぞれの劣化についての情報（輝度劣化情報）を保持し、その劣化の情報から画素回路のそれぞれの効率係数を算出する。そして、焼き付き補正部２００は、輝度劣化補正値ΔＡを算出し、この算出した輝度劣化補正値ΔＡに基づいて映像信号の階調を変更することによって、映像信号の補正された階調の値（補正階調値）を生成する。

補正後輝度特性グラフ（誤差有）２８２は、温度ごとの劣化特性を生成しない場合における画素回路の輝度劣化の補正結果の一例を示すグラフである。この補正後輝度特性グラフ２８２には、基準輝度特性２８５と、補正後輝度特性（実際）２８８とが示されている。

補正後輝度特性（実際）２８８は、補正対象輝度特性（誤差有）２８６に基づいて補正が行われた場合における補正対象の画素回路の補正結果を示す輝度特性である。この補正後輝度特性（実際）２８８は、基準輝度特性２８５よりも曲線の傾きが僅かながらに緩やかになっている。この傾きの違いは、輝度劣化補正値が補正対象輝度特性（誤差有）２８６に関する輝度特性情報から生成されるために発生する。すなわち、補正対象輝度特性（誤差有）２８６の輝度特性と、補正対象の画素回路の実際の輝度特性との間に誤差があるため、補正後の輝度特性が基準輝度特性２８５からこの誤差の分だけズレてしまう。

このように、温度ごとの劣化特性を生成しない場合には、輝度劣化情報が不正確になることにより、画素回路の輝度劣化の補正が不正確になる。

図１８（ｂ）には、本発明の第１の実施の形態における画素回路の輝度劣化の補正の一例を模式的に示すグラフが示されている。この図１８（ｂ）では、横軸を入力階調値を示す軸とし、縦軸を輝度値を示す軸とする２つのグラフ（補正前輝度特性グラフ２８３および補正後輝度特性グラフ２８４）を示す。

補正前輝度特性グラフ（誤差無）２８３は、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００による画素回路の輝度劣化の補正の一例を示すグラフである。この補正前輝度特性（誤差無）グラフ２８３には、基準輝度特性２８５と、補正対象輝度特性（誤差無）２８９とが示されている。

補正対象輝度特性（誤差無）２８９は、補正対象の画素回路の輝度特性であり、温度ごとの劣化特性を用いて正確に（精度よく）生成された輝度劣化情報に基づく輝度特性を示す曲線である。すなわち、この補正対象輝度特性（誤差無）２８９は、焼き付き補正部２００において補正に用いられる対象輝度特性情報が示す輝度特性を示す。また、この図１８では、補正対象輝度特性（誤差無）２８９は、図１８（ａ）において示した補正対象輝度特性（実際）２８７と同様の特性であることとする。

この図１８（ｂ）に示す本発明の第１の実施の形態では、補正対象輝度特性（誤差無）２８９に示すような正確な輝度特性に基づいて輝度劣化補正値が算出され、映像信号の階調値の変更が行われる。

補正後輝度特性グラフ（誤差無）２８４は、温度ごとの劣化特性を用いた場合における画素回路の輝度劣化の補正結果の一例を示すグラフである。この補正後輝度特性グラフ（誤差無）２８４では、補正対象輝度特性（誤差無）２８９に基づいて映像信号を補正することにより、劣化した画素回路における入力値に対する輝度値が、基準輝度特性２８５のものと同様になることが示されている。

このように、焼き付き補正部２００において温度ごとの劣化特性を用いることによって、画素回路ごとの劣化した輝度特性を精度よく算出することができる。そして、焼き付き補正部２００においてその精度よく算出された輝度特性を用いることにより、補正を精度よく行うことができる。

なお、本発明の第１の実施の形態では、劣化が起きていない初期状態の画素回路の輝度を補正の基準とする例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、劣化が最も大きい画素回路の輝度を補正の基準とする場合なども考えられる。

［補正後の表示例］
図１９は、本発明の第１の実施の形態における映像信号の補正の効果を示す概念図である。

ここでは、図１８（ａ）において示した温度ごとの劣化特性を生成しない場合における補正の効果を図１９（ａ）に示し、図１８（ｂ）において示した本発明の第１の実施の形態における補正の効果を図１９（ｂ）に示す。また、ここでは、表示装置１００の表示画面に、文字（ＡＢＣＤ）の焼き付きが生じていることを想定する。

図１９（ａ）には、温度ごとの劣化特性を生成しない場合における表示画面の比較例が示されている。ここでは、高階調の映像信号を用いて、表示画面を均一な輝度で発光させる場合を想定する。

表示画面２９１は、補正されていない映像信号が供給される場合における表示例を表している。また、焼き付き表示領域２９２は、表示画面２９１において焼き付きが生じた画素回路（劣化の程度が大きい画素回路）に対応する領域を表している。図１９（ａ）では、この焼き付き表示領域２９２には、文字「ＡＢＣＤ」が灰色で示されている。また、表示画面２９１における焼き付き表示領域２９２以外の領域（白色で表されている領域）は、ほとんど劣化していない画素回路に対応する領域である。このように、映像信号が補正されない場合には、劣化した画素回路の輝度が低くなるため、焼き付き表示領域２９２に「ＡＢＣＤ」が表示される。

表示画面２９３は、補正された映像信号が供給される場合における表示例を表している。また、焼き付き表示領域２９４は、表示画面２９１における焼き付き表示領域２９２に対応する領域を表している。この焼き付き表示領域２９４には、図１９（ａ）に示すように不正確に補正されたため、表示画面２９１における焼き付き表示領域２９２以外の領域よりも低い輝度だが補正する前よりも高い輝度で「ＡＢＣＤ」が表示される。なお、表示画面２９３のほとんど劣化していない画素回路による発光の輝度も、表示画面２９１における焼き付き表示領域２９２以外の領域よりも低い輝度だが補正する前よりも高い輝度になるように補正される。

図１９（ｂ）には、本発明の第１の実施の形態における補正後の表示画面の比較例が示されている。

表示画面２９５は、補正されていない映像信号が供給される場合における表示例を表している。また、焼き付き表示領域２９６は、表示画面２９５において焼き付きが生じた画素回路（劣化の程度が大きい画素回路）に対応する領域を表している。図１９（ｂ）では、この焼き付き表示領域２９６には、文字「ＡＢＣＤ」が灰色で示されている。また、表示画面２９５における焼き付き表示領域２９６以外の領域（白色で表されている領域）は、ほとんど劣化していない画素回路に対応する領域である。このように、映像信号が補正されない場合には、劣化した画素回路の輝度が低くなるため、図１９（ａ）と同様に、焼き付き表示領域２９６に「ＡＢＣＤ」が表示される。

表示画面２９７は、補正された映像信号が供給される場合における表示例を表している。また、焼き付き表示領域２９８は、表示画面２９５における焼き付き表示領域２９６に対応する領域を表している。この焼き付き表示領域２９８には、図１９（ｂ）に示すように正確に補正され、ほとんど劣化していない画素回路による発光の輝度と同一になったため、「ＡＢＣＤ」が表示されない。なお、表示画面２９７のほとんど劣化していない画素回路による発光の輝度も、初期状態の画素回路の輝度になるように補正される。

このように、劣化した画素回路による発光の輝度が、初期状態の画素回路による発光の輝度となるように精度よく補正されることによって、焼き付きを精度よく解消することができる。

［焼き付き補正部の動作例］
次に、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の動作について図面を参照して説明する。

図２０は、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化特性供給部４００による劣化特性の生成処理手順例を示すフローチャートである。この図２０では、１つの測定期間（例えば、図１３（ａ）の測定期間（３）Ｔ３におけるダミー画素輝度情報の取得から、そのダミー画素輝度情報を用いた劣化特性の生成まで）の処理手順例を示す。

まず、温度センサ１４１により生成された温度情報が温度情報取得部４３０により取得され、その取得された温度情報が保持される（ステップＳ９１１）。次に、輝度センサ３１２により生成されたダミー画素の輝度の情報（ダミー画素輝度情報）がダミー画素劣化情報生成部４１０により取得される（ステップＳ９１２）。

そして、その取得されたダミー画素輝度情報に基づいて、ダミー画素劣化情報生成部４１０により、ダミー画素の劣化の情報（ダミー画素劣化情報）が生成される（ステップＳ９１３）。次に、その生成されたダミー画素劣化情報が、ダミー画素劣化情報保持部４２０により保持される（ステップＳ９１４）。

その後、全てのダミー画素回路についてのダミー画素劣化情報が保持されたか否かが判断される（ステップＳ９１５）。そして、全てのダミー画素回路について保持されていないと判断された場合には、ステップＳ９１２に戻り、まだダミー画素劣化情報が保持されていないダミー画素回路に関するダミー画素劣化情報の生成処理が行われる。

一方、全てのダミー画素回路についてのダミー画素劣化情報が保持されたと判断された場合には（ステップＳ９１５）、温度情報とダミー画素劣化情報とに基づいて、ダミー画素劣化情報の温度条件の変換が温度条件変換部４４０により行われる（ステップＳ９１６）。このステップＳ９１６により、算出期間情報が生成される。そして、ダミー画素劣化情報および算出期間情報に基づいて、劣化特性生成部４６０により、劣化特性が生成される（ステップＳ９１７）。続いて、その生成された劣化特性が、劣化特性保持部４７０により保持される（ステップＳ９１８）。

その後、劣化特性の生成対象の温度および輝度に対する劣化特性が全て生成されたか否かが判断される（ステップ９１９）。そして、温度ごとおよび輝度ごとの劣化特性が全て生成されていないと判断された場合には、ステップＳ９１６に戻り、まだ生成されていない劣化特性の生成処理が行われる。

一方、温度ごとおよび輝度ごとの劣化特性が全て生成されたと判断された場合には（ステップＳ９１９）、輝度劣化特性供給部４００による劣化特性の生成処理手順は終了する。

図２１は、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化情報積算部２２０による輝度劣化情報の更新処理手順例を示すフローチャートである。

まず、輝度劣化特性供給部４００により生成された劣化特性が輝度劣化情報更新部２２１により取得される（ステップＳ９２１）。次に、温度センサ１４１により生成された温度情報が輝度劣化情報更新部２２１により取得される（ステップＳ９２２）。

そして、輝度劣化補正演算部２４０により補正された映像信号が輝度劣化情報更新部２２１に入力される（ステップＳ９２３）。次に、映像信号、温度情報および劣化特性に基づいて、輝度劣化情報更新部２２１により、輝度劣化情報が生成される（ステップＳ９２４）。そして、輝度劣化情報保持部２２２に保持されている輝度劣化情報が更新される（ステップＳ９２５）。すなわち、輝度劣化情報更新部２２１により生成された輝度劣化情報を輝度劣化情報保持部２２２に保持させることにより、輝度劣化情報が更新される。なお、ステップＳ９２４は、特許請求の範囲に記載の輝度劣化情報生成手順の一例である。

その後、表示画面を構成する全ての画素回路について輝度劣化情報が更新されたか否かが判断される（ステップＳ９２６）。そして、全ての画素回路について更新されていないと判断された場合には、ステップＳ９２３に戻り、まだ輝度劣化情報が更新されていない画素回路に関する輝度劣化情報の更新処理が行われる。

一方、表示画面を構成する全ての画素回路について更新がされたと判断された場合には（ステップＳ９２６）、輝度劣化情報積算部２２０による輝度劣化情報の更新処理は終了する。

図２２は、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化補正パターン生成部２３０による輝度劣化補正パターンの生成処理手順例を示すフローチャートである。

まず、輝度劣化情報から画素回路の劣化の度合いを算出するために必要な劣化特性が、対象輝度特性情報生成部２３２により取得される（ステップＳ９３１）。

そして、輝度劣化情報保持部２２２に保持されている輝度劣化情報のうち、輝度劣化特製情報の生成対象の画素回路の輝度劣化情報が対象輝度特性情報生成部２３２により取得される（ステップＳ９３２）。この輝度劣化情報の取得時に、対象輝度特性情報生成部２３２により、取得された輝度劣化情報から対象輝度特性情報が生成される。

次に、基準輝度特性情報と、対象輝度特性情報とに基づいて輝度劣化補正値が輝度劣化補正値算出部２３３により生成される（ステップＳ９３３）。そして、生成された輝度劣化補正値が輝度劣化補正パターン保持部２３４に保持される（ステップＳ９３４）。なお、ステップＳ９３３は、特許請求の範囲に記載の輝度劣化値算出手順の一例である。

その後、表示画面を構成する全ての画素回路について輝度劣化補正値が生成されたか否かが判断される（ステップＳ９３５）。そして、全ての画素回路については生成されていないと判断された場合には、ステップＳ９３２に戻り、まだ生成されていない輝度劣化補正値の生成処理が行われる。

一方、表示画面を構成する全ての画素回路について輝度劣化補正値が生成され、輝度劣化補正パターンが保持されたと判断された場合には（ステップＳ９３５）、輝度劣化補正パターン生成部２３０による輝度劣化補正パターンの生成処理は終了する。

図２３は、本発明の第１の実施の形態における焼き付き補正部２００の輝度劣化補正演算部２４０による映像信号の補正処理手順例を示すフローチャートである。この例では、１つのフレームに関する映像信号の補正処理の例を示す。

まず、輝度劣化補正パターン保持部２３４に保持されている輝度劣化補正パターンが、輝度劣化補正演算部２４０により取得される（ステップＳ９４１）。

そして、信号線２０１を介して、映像信号が輝度劣化補正演算部２４０に入力される（ステップＳ９４２）。次に、輝度劣化補正演算部２４０によって、輝度劣化補正パターンにおける輝度劣化補正値を用いて、映像信号の補正が画素回路ごとに行われる（ステップＳ９４３）。そして、補正された映像信号が出力される（ステップＳ９４４）。なお、ステップＳ９４３は、特許請求の範囲に記載の補正手順の一例である。

その後、表示させる１つのフレームを構成する全ての映像信号が補正されたか否かが判断される（ステップＳ９４５）。そして、全ての画素回路について映像信号が補正されていないと判断された場合には、ステップＳ９４２に戻り、まだ補正されていない映像信号の補正処理が行われる。

一方、表示させる１つのフレームを構成する全ての画素回路に対する映像信号が補正された場合には（ステップＳ９４５）、輝度劣化補正演算部２４０による映像信号の補正処理は終了する。

このように、本発明の第１の実施の形態によれば、劣化した画素回路における発光の輝度が初期状態の画素回路における発光の輝度に一致するように、映像信号の階調値を精度よく変更することができる。

なお、本発明の第１の実施の形態においては初期状態の画素回路を基準にしたが、劣化した画素回路を基準にして焼き付きの補正を行う方法も考えられる。

＜２．第２の実施の形態＞
本発明の第１の実施の形態では、温度ごとの劣化特性を算出するため、温度条件変換部４４０を用いて温度条件変換を行うことにより算出期間情報を生成する例について説明した。温度条件変換部４４０では、予め保持している温度による劣化特性の差（図８参照）を用いて、ダミー画素劣化情報および温度情報に基づいて算出期間情報を算出する。すなわち、本発明の第１の実施の形態では、温度ごとの劣化特性を生成するために、温度による劣化特性の差に関する情報を予め保持している必要がある。そのため、この劣化特性の差に関する情報が実際の値と誤差がある場合には、劣化特性が不正確になる恐れがある。そこで、温度条件変換部４４０を用いないで、温度ごとのダミー画素劣化情報を取得することにより温度ごとの劣化特性を算出する表示装置が考えられる。

次に、本発明の第２の実施の形態では、所定の温度でのみ劣化するダミー画素回路を用いて温度ごとのダミー画素劣化情報を取得する例について説明する。

［表示装置の構成例］
図２４は、本発明の第２の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示す概念図である。この図２４では、図１において示した本発明の第１の実施の形態における表示装置１００との違いについて説明する。

この表示装置１００は、ダミー画素アレイ部５００、ダミー画素発光信号生成部５４０および焼き付き補正部５４５以外の構成は、図１において示した表示装置１００の構成と同一のものである。このため、この図２４では、ダミー画素発光信号生成部５４０および焼き付き補正部５４５について説明する。なお、ダミー画素アレイ部５００については、図２５を参照して説明する。

この表示装置１００は、図１において示したダミー画素アレイ部３００よりダミー画素回路の数が多いため、一例として、データ線（ＤＴＬ）１７３に加えてデータ線（ＤＴＬ）１７４および１７５を備えている。

ダミー画素発光信号生成部５４０は、図１において示したダミー画素発光信号生成部１５０と同様に、発光信号を生成するものである。このダミー画素発光信号生成部５４０は、信号線２０８を介して供給される温度情報に基づいて、ダミー画素アレイ部５００におけるダミー画素回路の発光の有無を決定する。このダミー画素発光信号生成部５４０は、その決定に応じて発光信号を生成し、その生成した発光信号をダミー画素用セレクタ部１２２に供給する。

焼き付き補正部５４５は、図１において示した焼き付き補正部２００と同様に、画素回路６００乃至６０５のそれぞれの劣化の度合いに合わせて映像信号の階調値を変更することによって焼き付きを補正するものである。この焼き付き補正部５４５は、焼き付き補正部２００における輝度劣化特性供給部４００の代わりに、輝度劣化特性供給部５５０を備える。なお、この輝度劣化特性供給部５５０については、図２６乃至２９を参照して説明する。また、輝度劣化特性供給部５５０以外の各構成については、図１１において示した焼き付き補正部２００の各構成と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。

このように、ダミー画素発光信号生成部５４０によって、ダミー画素回路の環境温度に基づいて、ダミー画素回路の発光の有無が決定される。

［ダミー画素アレイ部の構成例］
図２５は、本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素アレイ部５００の一構成例を示す概念図である。なお、この本発明の第２の実施の形態では、３つの階調値の発光信号に基づく画素回路６００の劣化について測定するものとする。

この図２５には、９つの輝度検出ユニット（輝度検出ユニット５１１乃至５１３、５２１乃至５２３および５３１乃至５３３）と、輝度検出ユニットを分類する３つの発光領域（第１発光領域５１０、第２発光領域５２０および第３発光領域５３０）が示されている。

輝度検出ユニット５１１乃至５１３、５２１乃至５２３および５３１乃至５３３は、図９において示した輝度検出ユニット３１０と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。なお、この図２５では、輝度検出ユニット５１１乃至５１３、５２１乃至５２３および５３１乃至５３３におけるダミー画素回路を、ナンバー（＃１乃至＃９）を付して示すものとする。

第１発光領域５１０は、特定の温度（第１温度）においてのみ発光し、その発光に基づく劣化の測定が行われる輝度検出ユニット（輝度検出ユニット５１１乃至５１３）を示す領域である。例えば、第１温度が「２０±２℃」である場合において、この第１発光領域５１０におけるダミー画素回路（＃１乃至＃３）には、温度情報が「２０±２℃」を示す場合においてのみ発光するように、データ信号が供給される。

第２発光領域５２０は、第１温度とは異なる特定の温度（第２温度）においてのみ発光し、その発光に基づく劣化の測定が行われる輝度検出ユニット（輝度検出ユニット５２１乃至５２３）を示す領域である。例えば、第２温度が「３０±２℃」である場合において、この第２発光領域５２０におけるダミー画素回路（＃４乃至＃６）には、信号線２０８を介して供給される温度情報が「３０±２℃」を示す場合においてのみ発光するように、データ信号が供給される。

第３発光領域５３０は、第１温度および第２温度とは異なる特定の温度（第３温度）においてのみ発光し、その発光に基づく劣化の測定が行われる輝度検出ユニット（輝度検出ユニット５３１乃至５３３）を示す領域である。例えば、第３温度が「４０±２℃」である場合において、この第３発光領域５３０におけるダミー画素回路（＃７乃至＃９）には、信号線２０８を介して供給される温度情報が「４０±２℃」を示す場合においてのみ発光するように、データ信号が供給される。

このように、ダミー画素アレイ部５００に多くのダミー画素回路および輝度センサを設けることによって、特定の温度においてのみ発光するダミー画素回路をダミー画素アレイ部５００に備えることができる。

［輝度劣化特性供給部の構成例］
図２６は、本発明の第２の実施の形態における輝度劣化特性供給部５５０の機能構成例を示すブロック図である。この輝度劣化特性供給部５５０は、ダミー画素劣化情報生成部４１０と、ダミー画素劣化情報保持部５７０と、劣化特性生成部５９０と、劣化特性保持部４７０とを備える。なお、ダミー画素劣化情報生成部４１０および劣化特性保持部４７０は、図１２において示した劣化特性保持部４７０と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。

ダミー画素劣化情報保持部５７０は、図１２において示したダミー画素劣化情報保持部４２０と同様に、ダミー画素劣化情報を保持するものである。このダミー画素劣化情報保持部５７０は、例えば、それぞれのダミー画素回路に関するダミー画素劣化情報を保持する。このダミー画素劣化情報保持部５７０は、保持しているダミー画素劣化情報を、劣化特性生成部５９０に供給する。なお、このダミー画素劣化情報保持部５７０に保持されるダミー画素劣化情報の一例については、図２７および図２８を参照して説明する。

劣化特性生成部５９０は、ダミー画素劣化情報に基づいて特定の温度における劣化特性を算出するものである。この劣化特性生成部５９０は、例えば、図２５において示した第１発光領域５１０におけるダミー画素回路のダミー画素劣化情報から、第１温度（２０±２℃）の劣化特性を算出する。この劣化特性生成部５９０は、算出した劣化特性を劣化特性保持部４７０に保持する。なお、この劣化特性生成部５９０による劣化特性の生成の一例については、図２９を参照して説明する。

［輝度測定例］
図２７は、本発明の第２の実施の形態における９つの輝度センサによる輝度測定例を示す図である。

この図２７には、連続した５つの測定期間（測定期間（１）Ｔ４１乃至（５）Ｔ４５）における温度を示す模式図が、縦軸を温度を示す軸とし、横軸を測定期間を示す軸とするグラフによって示されている。また、この図２７には、この５つの測定期間において発光するダミー画素が、輝度検出ユニット５１１乃至５１３、５２１乃至５２３および５３１乃至５３３を示す矩形によって示されている。さらに、この図２７には、各測定期間における各ダミー画素回路の劣化量を模式的に示すグラフ（２０℃劣化特性５６１、３０℃劣化特性５６２および４０℃劣化特性５６３）が示されている。

なお、この図２７では、１回目の測定期間（測定期間（１）Ｔ４１）における温度は「３１℃」とし、２回目の測定期間（測定期間（２）Ｔ４２）における温度は「３９℃」とし、３回目の測定期間（測定期間（３）Ｔ４３）における温度は「３５℃」とする。さらに、４回目の測定期間（測定期間（４）Ｔ４４）における温度は「３０℃」とし、５回目の測定期間（測定期間（５）Ｔ４５）における温度は「２０℃」とする。

ここで、本発明の第２の実施の形態における輝度の測定について、１乃至３回目の測定期間Ｔ４１乃至Ｔ４３を参照して説明する。

まず、測定期間（１）Ｔ４１においては、信号線２０８を介して「３１℃」を示す温度情報がダミー画素発光信号生成部５４０に供給される。そして、ダミー画素発光信号生成部５４０により、第２温度（３０±２℃）においてのみ発光するダミー画素回路（輝度検出ユニット５２１乃至５２３のダミー画素回路（＃４乃至＃６））に対して、所定の階調値の発光信号が供給される。なお、他のダミー画素回路に対しては、無発光状態にするため、階調値「０」の発光信号が供給される。これにより、輝度検出ユニット５２１乃至５２３のダミー画素回路は所定の階調値に基づいて発光し、一方、輝度検出ユニット５１１乃至５１３および５３１乃至５３３のダミー画素回路は発光しない。

この発光状態を示す模式図として、この図２７には、階調値「２００」で発光した輝度検出ユニット５２１が白色の矩形で示され、階調値「１５０」で発光した輝度検出ユニット５２２が薄い灰色の矩形で示されている。また、階調値「１００」で発光した輝度検出ユニット５２３が濃い灰色の矩形で示され、発光しなかった輝度検出ユニット５１１乃至５１３および５３１乃至５３３が黒色の矩形で示されている。

また、この図２７には、輝度検出ユニット５１１乃至５１３のダミー画素回路の劣化の状態を示すグラフとして、２０℃劣化特性５６１が示されている。そして、輝度検出ユニット５２１乃至５２３のダミー画素回路の劣化の状態を示すグラフとして、３０℃劣化特性５６２が示されている。さらに、輝度検出ユニット５３１乃至５３３のダミー画素回路の劣化の状態を示すグラフとして、４０℃劣化特性５６３が示されている。

輝度検出ユニット５２１乃至５２３のダミー画素回路はこの測定期間（１）Ｔ４１において劣化するため、測定期間（１）Ｔ４１において示されている３０℃劣化特性５６２には、測定されたダミー画素回路の劣化を示す実線が示されている。

一方、輝度検出ユニット５１１乃至５１３のダミー画素回路はこの測定期間（１）Ｔ４１において劣化しないため、測定期間（１）Ｔ４１において示されている２０℃劣化特性５６１には、測定されたダミー画素回路の劣化を示す実線が示されていない。また、輝度検出ユニット５３１乃至５３３のダミー画素回路もこの測定期間（１）Ｔ４１において劣化しないため、測定期間（１）Ｔ４１において示されている４０℃劣化特性５６３には、測定されたダミー画素回路の劣化を示す実線が示されていない。

続いて、測定期間（２）Ｔ４２においては、「３９℃」を示す温度情報に基づいて、第３温度（４０±２℃）においてのみ発光するダミー画素回路（輝度検出ユニット５３１乃至５３３のダミー画素回路）に対して、所定の階調値の発光信号が供給される。これにより、輝度検出ユニット５２１乃至５２３のダミー画素回路は所定の階調値に基づいて発光する（白色、薄い灰色および濃い灰色の矩形）。一方、輝度検出ユニット５１１乃至５１３および５３１乃至５３３のダミー画素回路は発光しない（黒色の矩形）。

この測定期間（２）Ｔ４２における発光の結果、輝度検出ユニット５３１乃至５３３のダミー画素回路はこの測定期間（２）Ｔ４２において劣化する（測定期間（２）Ｔ４２の４０℃劣化特性５６３における実線の付加）。一方、輝度検出ユニット５１１乃至５１３のダミー画素回路はこの測定期間（２）Ｔ４２において劣化しない（測定期間（２）Ｔ４２の２０℃劣化特性５６１が測定期間（１）Ｔ４１のものと同じ）。また、輝度検出ユニット５２１乃至５２３のダミー画素回路もこの測定期間（２）Ｔ４２において劣化しない（測定期間（２）Ｔ４２の３０℃劣化特性５６２が測定期間（１）Ｔ４１のものと同じ）。

続いて、測定期間（３）Ｔ４３においては、温度情報が「３５℃」を示す。この「３５℃」は、第１温度（２０±２℃）、第２温度（３０±２℃）および第３温度（４０±２℃）のいずれにも属さない温度である。このため、ダミー画素発光信号生成部５４０は、ダミー画素回路を無発光状態にする発光信号（階調値「０」）を全てのダミー画素回路に供給する。これにより、輝度検出ユニット５１１乃至５１３、５２１乃至５２３および５３１乃至５３３のダミー画素回路は発光しない（黒色の矩形）。

この測定期間（３）Ｔ４３においては全てのダミー画素回路が発光しないため、劣化するダミー画素回路は存在しない（測定期間（３）Ｔ４３の３つの劣化特性（５６１乃至５６３が測定期間（２）Ｔ４２の劣化特性と同じ）。

このように、特定の温度においてのみ発光するダミー画素回路を用いることによって、ダミー画素回路の温度ごとの劣化を測定することができる。

［ダミー画素劣化情報の一例］
図２８は、本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素劣化情報の一例を示す図である。

この図２８には、図２７において示した測定期間（５）Ｔ４５の終了時にダミー画素劣化情報保持部５７０に保持されているダミー画素劣化情報の一例を模式的に示す表が示されている。なお、この図２８では、図１３（ｂ）と同様に、測定時の輝度（ダミー画素輝度情報）の強度を、初期状態のダミー画素回路に対する割合（％）で示したものをダミー画素劣化情報として示す。

この図２８の列５７１には、各ダミー画素回路の最初の測定期間に関するダミー画素劣化情報が示されている。また、列５７２には、各ダミー画素回路の２回目の測定期間に関するダミー画素劣化情報が示されている。

ここで、この図２８の表における各ダミー画素劣化情報について説明する。

ダミー画素回路（＃１乃至＃３）の列５７１には、輝度検出ユニット５１１乃至５１３のダミー画素回路（＃１乃至＃３）による測定期間（５）Ｔ４５（図２７参照）における発光に基づく劣化量の一例が示されている。また、ダミー画素回路（＃４乃至＃６）には、輝度検出ユニット５２１乃至５２３のダミー画素回路（＃４乃至＃６）による測定期間（１）Ｔ４１における発光に基づく劣化量の一例が示されている。そして、ダミー画素回路（＃７乃至＃９）の列５７１には、輝度検出ユニット５３１乃至５３３のダミー画素回路（＃７乃至＃９）による測定期間（２）Ｔ４２における発光に基づく劣化量の一例が示されている。

なお、ダミー画素回路（＃１乃至＃３）およびダミー画素回路（＃７乃至＃９）の列５７２には、測定期間Ｔ４１乃至Ｔ４５において２回目の発光が無かったため、このダミー画素劣化情報はないことを示す「―」が示されている。また、ダミー画素回路（＃４乃至＃６）の列５７２には、図２７において示した測定期間（４）Ｔ４４における発光に基づく劣化量の一例が示されている。

このように、ダミー画素劣化情報保持部５７０には、各ダミー画素回路のダミー画素劣化情報が、各ダミー画素回路の発光回数に応じて保持される。

［複数の温度における劣化特性の一例］
図２９は、本発明の第２の実施の形態において劣化特性生成部５９０により生成される温度ごとの劣化特性の一例を模式的に示す図である。

なお、この図２９では、一例として、図２８で示したダミー画素劣化情報に基づいて劣化特性を生成することを想定する。

図２９（ａ）には、温度条件が「２０±２℃」である劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。このグラフには、第１温度（２０±２℃）においてのみ発光するダミー画素回路（＃１乃至＃３）の劣化に関する劣化特性が、実線の曲線（測定劣化特性５８１乃至５８３）で示されている。また、測定劣化特性５８１乃至５８３から算出された劣化特性（劣化特性５９１乃至５９３）が破線の曲線で示されている。

さらに、この図２９（ａ）には、ダミー画素回路（＃１乃至＃３）を発光させた期間である使用期間Ｔ５１が示されている。

図２９（ｂ）には、温度条件が「３０±２℃」である劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。このグラフには、第２温度（３０±２℃）においてのみ発光するダミー画素回路（＃４乃至＃６）の劣化に関する劣化特性が、実線の曲線（測定劣化特性５８４乃至５８６）で示されている。また、測定劣化特性５８４乃至５８６から算出された劣化特性（劣化特性５９４乃至５９６）が破線の曲線で示されている。

さらに、この図２９（ｂ）には、ダミー画素回路（＃４乃至＃６）を発光させた期間である使用期間Ｔ５２が示されている。なお、図２８の表に示すように、ダミー画素回路（＃１乃至＃３）よりダミー画素回路（＃４乃至＃６）の方が発光回数が多いため、この使用期間Ｔ５２は、使用期間Ｔ５１より長い期間で示されている。同様に、測定劣化特性５８４乃至５８６も、測定劣化特性５８１乃至５８３よりも長い実線で示されている。

図２９（ｃ）には、温度条件が「４０±２℃」である劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。このグラフには、第３温度（４０±２℃）においてのみ発光するダミー画素回路（＃７乃至＃９）の劣化に関する劣化特性が、実線の曲線（測定劣化特性５８７乃至５８９）で示されている。また、測定劣化特性５８７乃至５８９から算出された劣化特性（劣化特性５９７乃至５９９）が破線の曲線で示されている。

さらに、この図２９（ｃ）には、ダミー画素回路（＃７乃至＃９）を発光させた期間である使用期間Ｔ５３が示されている。

このように、劣化特性生成部５９０によって、複数の温度条件における測定劣化特性に基づいて、複数の温度条件における劣化特性が生成される。

［輝度劣化特性供給部の動作例］
次に、本発明の第２の実施の形態における輝度劣化特性供給部５５０の動作について図面を参照して説明する。

図３０は、本発明の第２の実施の形態における焼き付き補正部５４５の輝度劣化特性供給部５５０による劣化特性の生成処理手順例を示すフローチャートである。
この図３０では、１つの測定期間におけるダミー画素輝度情報の取得から、そのダミー画素輝度情報を用いた劣化特性の生成までの処理手順例を示す。

まず、輝度センサにより生成されたダミー画素の輝度情報（ダミー画素輝度情報）がダミー画素劣化情報生成部４１０により取得される（ステップＳ９５２）。

そして、その取得されたダミー画素輝度情報に基づいて、ダミー画素劣化情報生成部４１０により、ダミー画素の劣化情報（ダミー画素劣化情報）が生成される（ステップＳ９５３）。次に、その生成されたダミー画素劣化情報が、ダミー画素劣化情報保持部５７０により保持される（ステップＳ９５４）。

その後、発光させたダミー画素回路についてのダミー画素劣化情報が全て保持されたか否かが判断される（ステップＳ９５５）。そして、発光させたダミー画素回路についてのダミー画素劣化情報が全て保持されていないと判断された場合には、ステップＳ９５２に戻り、発光させたダミー画素回路のうちまだダミー画素劣化情報が保持されていないダミー画素劣化情報の生成処理が行われる。

一方、発光させたダミー画素回路についてのダミー画素劣化情報が全て保持されたと判断された場合には（ステップＳ９５５）、その保持されたダミー画素劣化情報に基づいて、劣化特性生成部５９０により劣化特性が生成される（ステップＳ９５７）。続いて、その生成された劣化特性が、劣化特性保持部４７０により保持される（ステップＳ９５８）。

その後、温度ごとおよび輝度ごとの劣化特性が全て生成されたか否かが判断される（ステップ９５９）。そして、温度ごとおよび輝度ごとの劣化特性が全て生成されていないと判断された場合には、ステップＳ９５７に戻り、まだ生成されていない劣化特性の生成処理が行われる。

一方、温度ごとおよび輝度ごとの劣化特性が全て生成されたと判断された場合には（ステップＳ９５９）、輝度劣化特性供給部５５０による劣化特性の生成処理手順は終了する。

［ダミー画素発光信号生成部の動作例］
次に、本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素発光信号生成部５４０の動作について図面を参照して説明する。

図３１は、本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素発光信号生成部５４０による発光信号の生成処理手順例を示すフローチャートである。

まず、温度センサ１４１により生成された温度情報がダミー画素発光信号生成部５４０により取得される（ステップＳ９６１）。

次に、その取得された温度情報が示す温度は「２０±２℃」であるか否かが、ダミー画素発光信号生成部５４０により判断される（ステップＳ９６２）。そして、取得された温度は「２０±２℃」であると判断された場合には（ステップＳ９６２）、第１発光領域５１０のダミー画素回路を発光させる発光信号がダミー画素用セレクタ部１２２に供給される（ステップＳ９６３）。なお、このステップＳ９６３において、第２発光領域５２０および第３発光領域５３０のダミー画素回路に供給される発光信号は、これらのダミー画素回路を発光させない発光信号（階調値「０」）である。そして、ダミー画素発光信号生成部５４０による発光信号の生成処理手順例は終了する。

一方、取得された温度は「２０±２℃」ではないと判断された場合には（ステップＳ９６２）、その取得された温度は「３０±２℃」であるか否かが判断される（ステップＳ９６４）。そして、取得された温度は「３０±２℃」であると判断された場合には（ステップＳ９６４）、第２発光領域５２０のダミー画素回路を発光させる発光信号がダミー画素用セレクタ部１２２に供給される（ステップＳ９６５）。なお、このステップＳ９６５において、第１発光領域５１０および第３発光領域５３０のダミー画素回路に供給される発光信号は、これらのダミー画素回路を発光させない発光信号（階調値「０」）である。そして、ダミー画素発光信号生成部５４０による発光信号の生成処理手順例は終了する。

一方、取得された温度は「３０±２℃」ではないと判断された場合には（ステップＳ９６４）、その取得された温度は「４０±２℃」であるか否かが判断される（ステップＳ９６６）。そして、取得された温度は「４０±２℃」であると判断された場合には（ステップＳ９６６）、第３発光領域５３０のダミー画素回路を発光させる発光信号がダミー画素用セレクタ部１２２に供給される（ステップＳ９６７）。なお、このステップＳ９６７において、第１発光領域５１０および第２発光領域５２０のダミー画素回路に供給される発光信号は、これらのダミー画素回路を発光させない発光信号（階調値「０」）である。そして、ダミー画素発光信号生成部５４０による発光信号の生成処理手順例は終了する。

一方、取得された温度は「４０±２℃」ではないと判断された場合には（ステップＳ９６６）、全てのダミー画素回路にこれらのダミー画素回路を発光させない発光信号（階調値「０」）を供給する（ステップＳ９６８）。そして、ダミー画素発光信号生成部５４０による発光信号の生成処理手順例は終了する。

このように、本発明の第２の実施の形態によれば、特定の温度でのみ劣化するダミー画素回路を用いることにより、温度ごとの劣化特性を精度よく生成することができる。

＜３．第３の実施の形態＞
本発明の第２の実施の形態では、温度ごとの劣化特性を算出するため、特定の温度においてのみ発光するダミー画素回路を用いる例について説明した。この本発明の第２の実施の形態においては、ダミー画素回路の環境温度が特定の温度になった場合でのみ、その特定の温度における劣化を測定することができる。すなわち、本発明の第２の実施の形態では、表示装置１００に関する周辺環境に応じて、頻繁に劣化が測定できる温度と、劣化がほとんど測定できない温度との差が発生してしまう。その結果、劣化がほとんど測定できない温度に関する劣化特性が不正確になる恐れがある。

次に、本発明の第３の実施の形態では、ダミー画素回路の温度を特定の温度に一定に保つことにより、特定の温度におけるダミー画素回路の劣化を常に測定する例について説明する。

［表示装置の構成例］
図３２は、本発明の第３の実施の形態におけるダミー画素アレイ部７００の一構成例を示す概念図である。この図３２では、図２５において示した本発明の第２の実施の形態におけるダミー画素アレイ部５００との違いについて説明する。なお、この図３２では、輝度検出ユニット７１１乃至７１３、７２１乃至７２３および７３１乃至７３３におけるダミー画素回路を、ナンバー（＃１乃至＃９）を付して示すものとする。

なお、この本発明の第３の実施の形態の表示装置１００の構成は、本発明の第２の実施の形態の表示装置１００におけるダミー画素発光信号生成部５４０およびダミー画素アレイ部５００以外は、本発明の第２の実施の形態の表示装置１００と同様のものとする。この本発明の第３の実施の形態では、画素回路の環境温度に関係なくダミー画素回路が所定の階調値で発光するため、ダミー画素発光信号生成部５４０の代わりに、図１において示したダミー画素発光信号生成部１５０を備えるものとする。また、ダミー画素アレイ部３００の代わりに、ダミー画素アレイ部７００を備えるものとする。

ダミー画素アレイ部７００は、本発明の第２の実施の形態において示したダミー画素アレイ部５００（図２５参照）と同様に、９つの輝度検出ユニット（輝度検出ユニット７１１乃至７１３、７２１乃至７２３および７３１乃至７３３）を備える。また、このダミー画素アレイ部７００は、図２５における３つの発光領域（第１発光領域５１０、第２発光領域５２０および第３発光領域５３０）の代わりに、３つの恒温領域（第１恒温領域７１０、第２恒温領域７２０および第３恒温領域７３０）を備えている。

また、３つの恒温領域（第１恒温領域７１０、第２恒温領域７２０および第３恒温領域７３０）は、温度を一定に保つための温度制御部として、温度制御部７１４、７２４および７３４を備えている。この温度制御部７１４、７２４および７３４については、図３３を参照して説明する。

第１恒温領域７１０は、特定の温度（第１恒温）に温度が常に保たれる領域であり、この温度における劣化の測定が行われる輝度検出ユニット（輝度検出ユニット７１１乃至７１３）が配置される領域である。なお、本発明の第３の実施の形態では、第１恒温は「２０℃」を想定する。この第１恒温領域７１０に配置される輝度検出ユニット７１１乃至７１３のダミー画素回路は、温度が「２０℃」に常に保たれるとともに、所定の階調値に基づいて常に発光する。そして、その発光に関する輝度が、輝度センサにより測定される。

第２恒温領域７２０は、第１恒温とは異なる特定の温度（第２恒温）に温度が常に保たれる領域であり、この温度における劣化の測定が行われる輝度検出ユニット（輝度検出ユニット７２１乃至７２３）が配置される領域である。なお、本発明の第３の実施の形態では、第２恒温は「３０℃」を想定する。この第２恒温領域７２０に配置される輝度検出ユニット７２１乃至７２３のダミー画素回路は、温度が「３０℃」に常に保たれるとともに、所定の階調値に基づいて常に発光する。そして、その発光に関する輝度が、輝度センサにより常に測定される。

第３恒温領域７３０は、第１恒温および第２恒温とは異なる特定の温度（第３恒温）に温度が常に保たれる領域であり、この温度における劣化の測定が行われる輝度検出ユニット（輝度検出ユニット７３１乃至７３３）が配置される領域である。なお、本発明の第３の実施の形態では、第３恒温は「４０℃」を想定する。この第３恒温領域７３０に配置される輝度検出ユニット７３１乃至７３３のダミー画素回路は、温度が「４０℃」に常に保たれるとともに、所定の階調値に基づいて常に発光する。そして、その発光に関する輝度が、輝度センサにより常に測定される。

このように、ダミー画素回路の温度を一定に保つことによって、特定の温度で常に発光するダミー画素回路をダミー画素アレイ部７００に備えることができる。

［温度制御部の構成例およびフィルムヒータの配置例］
図３３は、本発明の第３の実施の形態における温度制御部７１４の一構成例を示す模式図と、フィルムヒータ７１７のダミー画素回路に対する位置関係を示す上面図および断面図とを模式的に示す図である。なお、図３２において示した温度制御部７２４および７３４は、温度制御部７１４と同様のものであるため、ここでは温度制御部７１４について説明し、他の温度制御部に関する説明を省略する。

図３３（ａ）には、温度制御部７１４の一構成例を示す概念図が示されている。温度制御部７１４は、第１恒温領域７１０における温度を一定に保つものであり、温度センサ７１５と、ヒータ制御部７１６と、フィルムヒータ７１７を備える。

温度センサ７１５は、第１恒温領域７１０における温度を測定し、その測定した温度をヒータ制御部７１６に供給するものである。

ヒータ制御部７１６は、温度センサ７１５から供給された温度に基づいて、フィルムヒータ７１７への電源の供給を制御するものである。

フィルムヒータ７１７は、電源が供給されている場合には、発熱することにより第１恒温領域７１０に熱を供給し、第１恒温領域７１０における温度を上昇させるものである。

図３３（ｂ）には、フィルムヒータ７１７と、ダミー画素回路を示すＴＦＴ画素回路１９７と、輝度センサ１９４と、温度センサ７１５との位置関係を模式的に示す上面図が示されている。

図３３（ｃ）には、輝度センサ３１２、ダミー画素回路３１１およびフィルムヒータ７１７の断面構成が模式的に示されている。この図３３（ｃ）には、ダミー画素回路３１１を構成する回路として、発光素子１９６およびＴＦＴ画素回路１９７が示されている。さらに、この図３３（ｃ）には、輝度センサ３１２と、樹脂１９８と、ガラス１９９と、温度センサ７１５とが示されている。例えば、ガラス１９９上にＴＦＴ画素回路１９７が配置され、このＴＦＴ画素回路１９７上に発光素子１９６が配置される。また、発光素子１９６が樹脂１９８で覆われ、この樹脂１９８上に輝度センサ３１２および温度センサ７１５が配置される。

この図３３（ｂ）および（ｃ）に示すように、フィルムヒータ７１７をダミー画素回路に隣接させることによって、ダミー画素回路の温度を一定に保つことができる。

［輝度測定例］
図３４は、本発明の第３の実施の形態における９つの輝度センサによる輝度測定例を示す図である。

この図３４には、連続した３つの測定期間（測定期間（１）Ｔ６１乃至（３）Ｔ６３）におけるダミー画素回路の環境温度を示す模式図が、縦軸を温度を示す軸とし、横軸を測定期間を示す軸とするグラフによって示されている。また、この図３４には、この３つの測定期間において発光するダミー画素が、輝度検出ユニット７１１乃至７１３、７２１乃至７２３および７３１乃至７３３を示す矩形によって示されている。さらに、この図３４には、各測定期間における各ダミー画素回路の劣化量を模式的に示すグラフ（２０℃劣化特性７６１、３０℃劣化特性７６２および４０℃劣化特性７６３）が示されている。

なお、この図３４では、測定期間（１）Ｔ６１乃至（３）Ｔ６３における画素回路の環境温度は、図２７において示した測定期間（１）Ｔ４１乃至Ｔ４３の温度と同一であることとする。

この図３４では、図２７において示した測定期間（１）Ｔ４１乃至（３）Ｔ４３との違いについて説明する。

輝度検出ユニット７１１乃至７１３、７２１乃至７２３および７３１乃至７３３は、温度が所定の温度（２０℃、３０℃、４０℃）で一定に保たれている。そのため、図２７において示した本発明の第２の実施の形態のように、ダミー画素回路の環境温度に基づいて発光の有無を決定する必要が無い。このため、本発明の第３の実施の形態における９つの輝度検出ユニットは、測定期間（１）Ｔ６１乃至（３）Ｔ６３において所定の階調値で常に発光（白色の矩形、薄い灰色の矩形、濃い灰色の矩形）し、その発光に基づいて劣化が算出される。なお、この全ての輝度検出ユニットの劣化量が各測定期間において加算されることが、２０℃劣化特性７６１、３０℃劣化特性７６２および４０℃劣化特性７６３において各測定期間における実線の付加によって示されている。

このように、ダミー画素回路の温度が特定の温度に保たれることによって、ダミー画素回路の温度ごとの劣化を全ての温度条件において常に測定することができる。

［ダミー画素劣化情報の一例］
図３５は、本発明の第３の実施の形態におけるダミー画素劣化情報の一例を示す図である。

この図３５には、図３４において示した測定期間（３）Ｔ６３の終了時にダミー画素劣化情報保持部５７０に保持されているダミー画素劣化情報の一例を模式的に示す表が示されている。なお、この図３５では、図１３（ｂ）と同様に、測定時の輝度（ダミー画素輝度情報）の強度を、初期状態のダミー画素回路に対する割合（％）で示したものをダミー画素劣化情報として示す。

この図３５の列７７１には、各ダミー画素回路の最初の測定期間（測定期間（１）Ｔ６１）に関するダミー画素劣化情報が示されている。また、列７７２には各ダミー画素回路の２回目の測定期間（測定期間（２）Ｔ６２）に関するダミー画素劣化情報が示され、列７７３には、各ダミー画素回路の３回目の測定期間（測定期間（３）Ｔ６３）に関するダミー画素劣化情報が示されている。

この図３５の表に示すように、各ダミー画素回路における劣化の測定回数（ダミー画素劣化情報の数）が全て同一になる。一方、図２８において示した本発明の第２の実施の形態では、ダミー画素回路の環境温度に応じて劣化の測定回数が温度ごとに異なる。

このように、ダミー画素回路の温度が特定の温度に保たれることによって、各ダミー画素回路における劣化の測定回数を全て同一にすることができる。

［複数の温度における劣化特性の一例］
図３６は、本発明の第３の実施の形態において劣化特性生成部５９０により生成される温度ごとの劣化特性の一例を模式的に示す図である。

なお、この図３６では、一例として、図３５で示したダミー画素劣化情報に基づいて劣化特性を生成することを想定する。

図３６（ａ）には、温度条件が「２０℃」である劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。このグラフには、第１恒温（２０℃）において発光するダミー画素回路（＃１乃至＃３）の劣化に関する劣化特性が、実線の曲線（測定劣化特性７８１乃至７８３）で示されている。また、測定劣化特性７８１乃至７８３から算出された劣化特性（劣化特性７９１乃至７９３）が破線の曲線で示されている。また、この図３６（ａ）には、ダミー画素回路（＃１乃至＃３）を発光させた期間である使用期間Ｔ７１が示されている。なお、この使用期間Ｔ７１は、測定期間（１）Ｔ７１乃至（３）Ｔ７３を合わせた期間であり、図３６（ａ）乃至（ｃ）において共通の期間である。

図３６（ｂ）には、温度条件が「３０℃」である劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。このグラフには、第２恒温（３０℃）において発光するダミー画素回路（＃４乃至＃６）の劣化に関する劣化特性が、実線の曲線（測定劣化特性７８４乃至７８６）で示されている。また、測定劣化特性７８４乃至７８６から算出された劣化特性（劣化特性７９４乃至７９６）が破線の曲線で示されている。

図３６（ｃ）には、温度条件が「４０℃」である劣化特性を模式的に示すグラフが示されている。このグラフには、第３恒温（４０℃）において発光するダミー画素回路（＃７乃至＃９）の劣化に関する劣化特性が、実線の曲線（測定劣化特性７８７乃至７８９）で示されている。また、測定劣化特性７８７乃至７８９から算出された劣化特性（劣化特性７９７乃至７９９）が破線の曲線で示されている。

このように、劣化特性生成部５９０によって、使用期間が同一である測定劣化特性に基づいて、複数の温度条件における劣化特性が生成される。

このように、本発明の第３の実施の形態によれば、ダミー画素回路の温度を特定の温度に一定に保つことにより、温度ごとの劣化特性を精度よく生成することができる。

なお、本発明の第１乃至第３の実施の形態における表示装置は、フラットパネル形状を有し、様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラなどのディスプレイに適用することができる。また、電子機器に入力された映像信号や電子機器内で生成した映像信号を画像または映像として表示するあらゆる分野の電子機器のディスプレイに適用することができる。このような表示装置が適用された電子機器の例を以下に示す。

＜４．本発明の適用例＞
［電子機器への適用例］
図３７は、本発明の実施の形態のテレビジョンセットへの適用例である。このテレビジョンセットは、例えば、本発明の第１乃至第３の実施の形態のうちのいずれかの実施の形態が適用されたテレビジョンセットである。このテレビジョンセットは、フロントパネル１２、フィルターガラス１３等から構成される映像表示画面１１を含み、本発明の実施の形態における表示装置１００をその映像表示画面１１に用いることにより作製される。

図３８は、本発明の実施の形態のデジタルスチルカメラへの適用例である。このデジタルスチルカメラは、例えば、本発明の第１乃至第３の実施の形態のうちのいずれかの実施の形態が適用されたデジタルスチルカメラである。ここでは、上段にデジタルスチルカメラの正面図を示し、下段にデジタルスチルカメラの背面図を示す。このデジタルスチルカメラは、撮像レンズ１５、表示部１６、コントロールスイッチ、メニュースイッチ、シャッター１９等を含み、本発明の実施の形態における表示装置１００をその表示部１６に用いることにより作製される。

図３９は、本発明の実施の形態のノート型パーソナルコンピュータへの適用例である。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本発明の第１乃至第３の実施の形態のうちのいずれかの実施の形態が適用されたノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、本体２０には文字等を入力するとき操作されるキーボード２１を含み、本体カバーには画像を表示する表示部２２を含み、本発明の実施の形態における表示装置１００をその表示部２２に用いることにより作製される。

図４０は、本発明の実施の形態の携帯端末装置への適用例である。この携帯端末装置は、例えば、本発明の第１乃至第３の実施の形態のうちのいずれかの実施の形態が適用された携帯端末装置である。ここでは、左側に携帯端末装置の開いた状態を示し、右側に携帯端末装置の閉じた状態を示している。この携帯端末装置は、上側筐体２３、下側筐体２４、連結部（ここではヒンジ部）２５、ディスプレイ２６、サブディスプレイ２７、ピクチャーライト２８、カメラ２９等を含む。また、この携帯端末装置は、本発明の実施の形態における表示装置１００をそのディスプレイ２６やサブディスプレイ２７に用いることにより作製される。

図４１は、本発明の実施の形態のビデオカメラへの適用例である。このビデオカメラは、例えば、本発明の第１乃至第３の実施の形態のうちのいずれかの実施の形態が適用されたビデオカメラである。このビデオカメラは、本体部３０、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ３４、撮影時のスタート／ストップスイッチ３５、モニター３６等を含み、本発明の実施の形態における表示装置１００をそのモニター３６に用いることにより作製される。

このように、本発明の実施の形態によれば、ダミー画素回路の輝度を測定して温度ごとの劣化特性を生成することにより、焼き付きの補正を精度よく行うことができる。

なお、本発明の実施の形態は本発明を具現化するための一例を示したものであり、本発明の実施の形態において明示したように、本発明の実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本発明の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本発明は実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。

また、本発明の実施の形態において説明した処理手順は、これら一連の手順を有する方法として捉えてもよく、また、これら一連の手順をコンピュータに実行させるためのプログラム乃至そのプログラムを記憶する記録媒体として捉えてもよい。この記録媒体として、例えば、ＣＤ（Compact Disc）、ＭＤ（MiniDisc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、メモリカード、ブルーレイディスク（Blu-ray Disc（登録商標））等を用いることができる。

１００ 表示装置
１１０ ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）
１２０ 水平セレクタ（ＨＳＥＬ）
１２１ 表示画素用セレクタ部
１２２ ダミー画素用セレクタ部
１３０ 電源スキャナ（ＤＳＣＮ）
１４０ 画素アレイ部
１４１ 温度センサ
１５０ ダミー画素発光信号生成部
２００ 焼き付き補正部
２２０ 輝度劣化情報積算部
２２１ 輝度劣化情報更新部
２２２ 輝度劣化情報保持部
２３０ 輝度劣化補正パターン生成部
２３１ 基準輝度特性情報供給部
２３２ 対象輝度特性情報生成部
２３３ 輝度劣化補正値算出部
２３４ 輝度劣化補正パターン保持部
２４０ 輝度劣化補正演算部
３００ ダミー画素アレイ部
３１１ ダミー画素回路
３１２ 輝度センサ
４００ 輝度劣化特性供給部
４１０ ダミー画素劣化情報生成部
４２０ ダミー画素劣化情報保持部
４３０ 温度情報取得部
４４０ 温度条件変換部
４６０ 劣化特性生成部
４７０ 劣化特性保持部
５００ ダミー画素アレイ部
５４０ ダミー画素発光信号生成部
５４５ 焼き付き補正部
５５０ 輝度劣化特性供給部
５７０ ダミー画素劣化情報保持部
５９０ 劣化特性生成部
６００ 画素回路
６１０ 書込みトランジスタ
６２０ 駆動トランジスタ
６３０ 保持容量
６４０ 発光素子

Claims (9)

1. 互いに異なる特定温度において特定の階調値で発光する複数の特定発光素子の各々の輝度を時間の経過に伴って測定した測定結果を取得して当該測定結果から画素回路の輝度の劣化に関する輝度劣化特性を前記特定温度ごとに生成して供給する輝度劣化特性供給部と、
   前記画素回路における発光素子の発光時における温度条件に応じた輝度の劣化に関する輝度劣化情報を、前記画素回路の環境温度と、当該環境温度に対応する前記輝度劣化特性とに基づいて生成して供給する輝度劣化情報供給部と、
   所定状態における前記画素回路に供給される映像信号と当該映像信号に応じて発光される輝度との相関の特性を示す輝度特性と、前記供給された輝度劣化情報とに基づいて、前記画素回路ごとの輝度の劣化に関する輝度劣化値を算出する輝度劣化値算出部と、
   前記輝度劣化値に基づいて、前記画素回路に入力される映像信号の階調値を補正する補正部と
   を具備する信号処理装置。
2. 前記輝度劣化情報供給部は、
   前記輝度劣化情報を保持する輝度劣化情報保持部と、
   前記輝度劣化特性の各々と前記補正前に前記画素回路について生成された輝度劣化情報と前記画素回路に入力される前記映像信号の階調値とに基づいて、前記画素回路の輝度の劣化に関する新たな劣化量を輝度劣化情報に順次加算した値により前記保持された輝度劣化情報を更新する輝度劣化情報更新部と
   を備える請求項１記載の信号処理装置。
3. 前記所定状態は、前記輝度の劣化が前記画素回路に生じていない状態である請求項１記載の信号処理装置。
4. 映像信号の階調値を補正する信号処理回路と、
   前記映像信号に応じた駆動電流が発光素子に供給されると前記駆動電流に応じた輝度で当該発光素子が発光する複数の画素回路と、
   互いに異なる特定温度において特定の階調値で発光する複数の特定発光素子と
   を具備し、
   前記信号処理回路は、
   前記複数の特定発光素子の各々の輝度を時間の経過に伴って測定した測定結果を取得して当該測定結果から画素回路の輝度の劣化に関する輝度劣化特性を前記特定温度ごとに生成して供給する輝度劣化特性供給部と、
   前記画素回路における前記発光素子の発光時における温度条件に応じた輝度の劣化に関する輝度劣化情報を、前記画素回路の環境温度と、当該環境温度に対応する前記輝度劣化特性とに基づいて生成して供給する輝度劣化情報供給部と、
   所定状態における前記画素回路に供給される映像信号と当該映像信号に応じて発光される輝度との相関の特性を示す輝度特性と、前記供給された輝度劣化情報とに基づいて、前記画素回路ごとの輝度の劣化に関する輝度劣化値を算出する輝度劣化値算出部と、
   前記輝度劣化値に基づいて、前記画素回路に入力される映像信号の階調値を補正する補正部と
   を備える表示装置。
5. 前記環境温度を測定する温度センサと、
   前記複数の特定発光素子のうち前記測定された環境温度に対応する発光素子に映像信号を供給する映像信号供給部と
   をさらに具備する請求項４記載の表示装置。
6. 前記複数の特定発光素子の各々の温度を当該特定発光素子に対応する前記特定温度に制御する温度制御部をさらに具備する請求項４記載の表示装置。
7. 映像信号の階調値を補正する信号処理回路と、
   前記映像信号に応じた駆動電流が発光素子に供給されると前記駆動電流に応じた輝度で発光素子が発光する複数の画素回路と、
   互いに異なる特定温度において特定の階調値で発光する複数の特定発光素子と
   を具備し、
   前記信号処理回路は、
   前記複数の特定発光素子の各々の輝度を時間の経過に伴って測定した測定結果を取得して当該測定結果から画素回路の輝度の劣化に関する輝度劣化特性を前記特定温度ごとに生成して供給する輝度劣化特性供給部と、
   前記画素回路における前記発光素子の発光時における温度条件に応じた輝度の劣化に関する輝度劣化情報を、前記画素回路の環境温度と、当該環境温度に対応する前記輝度劣化特性とに基づいて生成して供給する輝度劣化情報供給部と、
   所定状態における前記画素回路に供給される映像信号と当該映像信号に応じて発光される輝度との相関の特性を示す輝度特性と、前記供給された輝度劣化情報とに基づいて、前記画素回路ごとの輝度の劣化に関する輝度劣化値を算出する輝度劣化値算出部と、
   前記輝度劣化値に基づいて、前記画素回路に入力される映像信号の階調値を補正する補正部と
   を備える電子機器。
8. 互いに異なる特定温度において特定の階調値で発光する複数の特定発光素子の各々の輝度を時間の経過に伴って測定した測定結果を取得して当該測定結果から画素回路の輝度の劣化に関する輝度劣化特性を前記特定温度ごとに生成して供給する輝度劣化特性供給手順と、
   前記画素回路における発光素子の発光時における温度条件に応じた輝度の劣化に関する輝度劣化情報を、前記画素回路の環境温度と、当該環境温度に対応する前記輝度劣化特性とに基づいて生成して供給する輝度劣化情報供給手順と、
   所定状態における前記画素回路に供給される映像信号と当該映像信号に応じて発光される輝度との相関の特性を示す輝度特性と、前記供給された輝度劣化情報とに基づいて、前記画素回路ごとの輝度の劣化に関する輝度劣化値を算出する輝度劣化値算出手順と、
   前記輝度劣化値に基づいて、前記画素回路に入力される映像信号の階調値を補正する補正手順と
   を具備する信号処理方法。
9. 互いに異なる特定温度において特定の階調値で発光する複数の特定発光素子の各々の輝度を時間の経過に伴って測定した測定結果を取得して当該測定結果から画素回路の輝度の劣化に関する輝度劣化特性を前記特定温度ごとに生成して供給する輝度劣化特性供給手順と、
   前記画素回路における発光素子の発光時における温度条件に応じた輝度の劣化に関する輝度劣化情報を、前記画素回路の環境温度と、当該環境温度に対応する前記輝度劣化特性とに基づいて生成して供給する輝度劣化情報供給手順と、
   所定状態における前記画素回路に供給される映像信号と当該映像信号に応じて発光される輝度との相関の特性を示す輝度特性と、前記供給された輝度劣化情報とに基づいて、前記画素回路ごとの輝度の劣化に関する輝度劣化値を算出する輝度劣化値算出手順と、
   前記輝度劣化値に基づいて、前記画素回路に入力される映像信号の階調値を補正する補正手順と
   をコンピュータに実行させるプログラム。