CN111937495B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在显示区域(DA)中形成的阳极(作为第一电极的第一像素电极)(22)的内侧开口(第一开口)(HA)比在虚拟显示区域(DB)中形成的阳极(作为第一电极的第二像素电极)(22)的内侧开口(第二开口)(HB)大。另外，形成在显示区域(DA)中的发光层(第一发光层)(24)具有与形成在虚拟显示区域(DB)中的发光层(第二发光层)(24)相同的形状和相同的大小。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(electroluminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在此，如以下专利文献1所述，提出了有机EL显示装置例如在显示区域的外侧设置虚拟像素，测定虚拟像素的发光亮度，并基于该测定结果校正发光元件的输入显示数据。
现有技术文献
专利文献
特开2007-187761号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在如上所述的现有的有机EL显示装置中，虚拟像素具有与显示区域内设置的有效显示像素相同的结构。因此，在现有技术的有机EL显示装置中，需要以与有效显示像素相同的制造精度设置虚拟像素，并且不能防止该有机EL显示装置的制造成品率降低。
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种即使在设置了虚拟像素的情况下，也能够防止制造成品率降低的显示装置。
解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明所涉及的显示装置其具备：第一电极；平坦化膜，其形成在所述第一电极的上层，并且覆盖所述第一电极的端部；发光层，其形成在所述第一电极的上层；以及第二电极，其形成在所述发光层的上层的显示装置，所述显示装置具有显示区域、虚拟显示区域及检测所述虚拟显示区域的发光亮度的亮度传感器区域，形成在所述显示区域中的所述第一电极即第一像素电极的内部开口的第一开口，比形成在所述虚拟显示区域中的所述第一电极即第二像素电极的内部开口的第二开口大，在所述显示区域形成的所述发光层即第一发光层具有与在所述虚拟显示区域形成的所述发光层即第二发光层相同的形状和相同的大小。
发明效果
根据本发明，能够提供即使在设置了虚拟像素的情况下，也能够防止制造成品率降低的显示装置。
附图说明
图1是示出本发明一实施方式所涉及的有机EL显示装置的主要部分的构成的侧视图。
图2是示出上述有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图3的(a)和图3的(b)分别是说明图2所示的显示区域和虚拟显示区域中的子像素的结构的俯视图。
图4的(a)和图4的(b)分别是说明图2所示的显示区域和虚拟显示区域中的子像素的结构的截面图。
图5的(a)和图5的(b)分别是说明第一比较例和第二比较例的子像素结构中的问题点的图，图5的(c)是说明本实施方式的虚拟显示区域中的子像素的效果的图。
图6是说明上述有机EL显示装置中的数据信号的补偿电路的构成示例的图。
图7是说明上述虚拟显示区域中的子像素的驱动示例的图。
图8是说明上述有机EL显示装置中的亮度劣化的具体示例的图表。
图9(a)和图9的(b)是示出一实施方式所涉及的有机EL显示装置的另一构成示例的主要部分结构的俯视图。
图10是示出一实施方式涉及的有机EL显示装置的另一构成示例的主要部分结构的俯视图。
图11是示出一实施方式涉及的有机EL显示装置的另一构成示例的主要部分结构的俯视图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。并且，本发明并不限定于下面的各实施方式。另外，在以下的说明中，以将本发明适用于有机EL显示装置的情况作为示例说明。另外，各图中的构成部件的尺寸不是忠实地表示实际的构成部件的尺寸以及各构成部件的尺寸比例等的尺寸。
《一实施方式》
图1是示出本发明一实施方式所涉及的有机EL显示装置的主要部分的构成的侧视图。图2是示出上述有机EL显示装置的概略构成的俯视图。图3的(a)和图3的(b)分别是说明图2所示的显示区域和虚拟显示区域中的子像素的结构的俯视图。图4的(a)和图4的(b)分别是说明图2所示的显示区域和虚拟显示区域中的子像素的结构的截面图。
如图1和图2所示，有机EL显示装置1包括例如矩形状的进行图像显示的显示区域DA、依次设置在显示区域DA的周围的虚拟显示区域DB(图2中由斜线部分示出)以及边框区域F。另外，在边框区域F中，端子部E设置在该边框区域F的端部，规定显示区域DA的后述的多个发光元件上设置的配线(图未示)与端子部E连接。此外，该端子部E例如连接有图略的柔性印刷电路基板，信号及电源电压等经由该柔性印刷电路基板供给像素。
另外，在显示区域DA中，设置有作为多个第一像素的多个子像素。具体而言，如图3的(a)所示，在显示区域DA中，设置有用于进行红色显示的红色用的子像素P1r、用于进行绿色显示的绿色用的子像素P1g以及用于进行蓝色显示的蓝色用的子像素P1b。然后，在显示区域DA中，相邻的三个子像素P1r、P1g和P1b(以下统称为“子像素P1”。)构成一个像素。另外，该子像素P1也称为有效显示像素。
另外，在虚拟显示区域DB，设置有作为多个第二像素的多个子像素。具体而言，如图3的(b)所示，在虚拟显示区域DB中，设置有用于进行红色显示的红色用的子像素P2r、用于进行绿色显示的绿色用的子像素P2g以及用于进行蓝色显示的蓝色用的子像素P2b。然后，在虚拟显示区域DB，相邻的三个子像素P2r、P2g和P2b(以下统称为“子像素P2”。)构成一个像素。另外，该子像素P2也称为虚拟像素。
另外，在有机EL显示装置1中，设置有用于检测虚拟显示区域DB的发光亮度的亮度传感器区域DC。具体而言，亮度传感器区域DC如图1中由十字线部分来所示，例如，在俯视时，在与构成框状的虚拟显示区域DB的四边对应的四个虚拟显示区域部分中，与上侧的一边对应的虚拟显示区域部分相对地设置。另外，在该亮度传感器区域DC中，在对向基板40中设置有光电二极管等至少一个光接收元件(图未示)，在该光接收元件中检测来自上述子像素P2的光的亮度(发光亮度)。另外，对向基板40是设置在形成有上述子像素P1的基材10上的构成，从而对向基板40覆盖显示区域DA、虚拟显示区域DB及边框区域F，该对向基板40包含后述的功能膜等。
另外，在上述说明中，对以与上侧的一边对应的虚拟显示区域部分相对的方式设置了亮度传感器区域DC的情况进行了说明，但本实施方式的亮度传感器区域DC不限于此，如果在虚拟显示区域DB的多个子像素P2中，只要设置有用于检测来自至少一个子像素P2的光的亮度的上述光接收元件(亮度传感器)的区域，则不受任何限制。
另外，在虚拟显示区域DB中，在与亮度传感器区域DC相对的子像素P2中，该有机EL显示装置1的显示面侧(即发光侧)被上述光接收元件覆盖，因此来自该子像素P2的光不被用户看到。因此，来自该子像素P2的光对上述显示面上的信息显示没有贡献，如后详细说明的那样，用于上述子像素P1的劣化补偿。
另一方面，在虚拟显示区域DB中，在不与亮度传感器区域DC相对的子像素P2中，该光则被用户看到，来自该子像素P2的光与来自上述子像素P1的光共同显示信息，或相互独立显示信息。即，在本实施方式的有机EL显示装置1中，通过减小亮度传感器区域DC，能够使该显示面上的有效显示区域更宽。
如图4的(a)和图4的(b)所示，本实施方式的有机EL显示装置1是向上发光的顶部发射型，并且从下侧开始依次具有基材10、树脂层12、底涂层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6、粘结层38以及功能层39。
基材10例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)构成。另外，树脂层12例如使用聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂等。
势垒层3是防止水、氧气等异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如可以由通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、或这些层的层叠膜构成。
TFT层4包括半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜(栅极绝缘膜)16、比无机绝缘膜16更上层的栅极G、比栅极G更上层的无机绝缘膜18、比无机绝缘膜18更上层的电容电极C、比电容电极C更上层的无机绝缘膜20、比无机绝缘膜20更上层的源极S、漏极D及比源极S、漏极D更上层的平坦化膜21。
另外，在TFT层4中，薄膜晶体管Tr(发光控制晶体管)被构成为包括半导体膜15、栅极G、漏极D及源极S。另外，源极S通过接触孔CH连接到半导体膜15的源极区域，漏极D连接到半导体膜15的漏极区域。
另外，半导体膜15由例如利用低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体。尽管在图4的(a)和图4的(b)中示出了使用具有顶栅极结构的薄膜晶体管Tr的情况，但是本实施方式不限于此，也可以使用具有底栅结构的薄膜晶体管。
栅极绝缘膜16、18、20可以由例如通过CVD法形成的，氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。
平坦化膜21可以由例如聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的感光性有机材料构成。
栅极G、源极S及漏极D例如由包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)和铜(Cu)中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。
发光元件层5(例如，有机发光二极管层)包括形成在平坦化膜21的上层的阳极22、有源区域(与发光元件层5重叠的区域)中的规定子像素P1或P2的边缘罩23、形成在阳极22的上层的发光层24以及形成在发光层24的上层的阴极25。发光元件(例如，有机发光二极管：OLED)被配置为包括阳极22、发光层24以及阴极25。另外，该说明之外，在显示装置1中，阳极22和阴极25可以在上下方向上相反地配置。
边缘罩23包围阳极22的端部。另外，作为构成边缘罩23的材料，例如可举出聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机膜。
发光层24通过蒸镀法或喷墨法，形成在被边缘罩23包围的区域(发光区域)。在发光元件层5是有机发光二极管(OLED)层的情况下，例如，在比边缘罩23的底面(阳极电极22露出的部分)更上层依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层24、电子传输层、电子注入层。这里，除了发光层24以外可以是共通层。
阳极22由例如ITO(Indium Tin Oxide)和包括Ag的合金的层叠构成，并具有光反射性。另外，阳极22是第一电极的一示例。阴极25例如由ITO、IZO(Indium Zinc Oxide)等透光性导电材料构成。另外，阴极25是第二电极的一示例。
当发光元件层5是OLED层时，空穴和电子通过像素电极22和上部电极25之间的驱动电流在发光层24内复合，由此产生的激子落到基态，从而放出光。阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，因此从发光层24放出的光朝向上方，成为顶部发光。
发光元件层5不限于OLED元件的情况，也可以是无机发光二极管或量子点发光二极管。
密封层6具有透光性，且包含覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机密封膜27及比有机密封膜27更上层的无机密封膜28。无机密封层26及28可以由例如通过使用掩模的CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或这些层的层叠膜构成。有机密封膜27是比无机密封膜26及28厚的透光性有机膜，可以由聚酰亚胺或丙烯酸等可涂覆的光敏有机材料构成。具体地，有机密封膜27例如通过喷墨法在无机密封膜26上涂布包含上述感光性有机材料的墨水之后，通过UV照射使其硬化而形成。该密封层6覆盖发光元件层5，并防止水、氧气等异物渗透到发光元件层5中。
功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等。
此处，具体说明上述子像素P1及P2的结构。
如图3的(a)和图4的(a)所示，子像素P1包括阳极(第一像素电极)22、具有开口(第一开口)HA的边缘罩23、配置在比边缘罩23更上层的发光层(第一发光层)24。在子像素P1中，边缘罩23包围开口HA的整个周围。发光层24形成为至少完全填充开口HA。发光层24的面积大于开口HA的面积。发光层24中与开口HA重叠的范围有助于显示区域DA中的信息显示。
如图3的(b)和图4的(b)所示，子像素P2包括阳极(第二像素电极)22、具有开口(第二开口)HB的边缘罩23、配置在比边缘罩23更上层且与子像素P1的发光层24相同形状且相同大小的发光层(第二发光层)24。在子像素P2中，边缘罩23包围开口HB的整个周围。发光层24形成为至少完全填充开口HB。发光层24的面积大于开口HB的面积。发光层24中与开口HB重叠的范围有助于虚拟显示区域DB中的信息显示。另外，在子像素P2中，阳极22的大小构成为与子像素P1中的阳极22的大小相同(参照图3的(a)和图3的(b)。)。但是，在子像素P2中，由于开口HB比子像素P1的开口HA小，所以也可以使子像素P2的阳极22的大小比子像素P1的阳极22小。
上述“相同的形状和相同的大小”是指在使用具有相同形状和相同大小的掩模图案的掩模将发光层24的发光材料分别蒸镀在显示区域DA以及虚拟显示区域DB上时，相同形状和相同大小的发光层24最终形成在显示区域DA和虚拟显示区域DB中。因此，子像素P1的发光层24和子像素P2的发光层24不必完全是相同形状和相同的大小。
如图3的(a)和图3的(b)所示，形成在显示区域DA中的阳极(22)的内部开口的开口HA大于形成在虚拟显示区域DB中的阳极22的内部开口的开口HB。并且，形成在显示区域DA中的发光层24具有与形成在虚拟显示区域DB中的发光层24相同的形状和相同的大小。在制造有机EL显示装置1时，对于显示区域DA以及虚拟显示区域DB两个，通过相同大小的掩模开口蒸镀发光层24，该掩模开口形成在用于蒸镀发光材料的精细金属掩模(未图示)上。换而言之，精细金属掩模中的与显示区域DA对应的范围内形成的掩模开口的大小相同于精细金属掩模中的与虚拟显示区域DB对应的范围内形成的掩模开口的大小。
即，如上所述，由于开口HB小于开口HA，因此即使在虚拟显示区域DB上蒸镀发光材料时的蒸镀图案的精度低，发光层24也被形成为在周边显示区域DB中完全覆盖开口HB。因此，可以在虚拟显示区域DB中形成正常作用的子像素P2。在周边显示区域DB中配置这种子像素P2，从而有机EL显示装置1在显示区域DA基础上还可以使用虚拟显示区域DB显示信息。这样，在有机EL显示装置1中，可以将现有有机EL显示装置上什么都不显示的显示区域DA的周边部分(虚拟区域)用作可显示信息的虚拟显示区域DB。因此，相比现有技术，有机EL显示装置1可以使显示面中可显示的整个区域的面积更大。
此处，参照图5，具体说明使虚拟显示区域DB中的子像素P2的开口HB变小时的效果。图5的(a)和图5的(b)分别是说明第一比较例和第二比较例的子像素结构中的问题点的图，图5的(c)是说明本实施方式的虚拟显示区域中的子像素的效果的图。
如图5的(a)和图5的(b)的第一比较例和第二比较例所示，在虚拟显示区域DB的子像素P2中，使用与上述子像素P1相同大小的边缘罩23的开口HA的情况下，该开口HA和发光层24的蒸镀图案，即发光层24的形成图案偏离时，在第一比较例和第二比较例的子像素P2中，如图5的(a)和图5的(b)中由点区域C1和C2分别表示的那样，有效的发光面积比边缘罩23的开口HA小。其结果，在第一比较例和第二比较例的子像素P2中，每个子像素P2的发光面积不同，并且不能控制发光面积，不能正常地用作劣化补偿的测量像素。
与此相对，在本实施方式中，在虚拟显示区域DB的子像素P2的边缘罩23中，使用了比上述开口HA小的开口HB，因此，如图5的(c)所示，即使该开口HB与发光层24的形成图案偏离的情况下，如在(c)中由点区域E1所示，该些开口HB与发光层24可以完全重叠，能够控制子像素P2中的有效发光面积，能够得到一定的发光面积。即，在本实施方式中，能够容易地在虚拟显示区域DB中形成正常发挥作用的子像素P2。
另外，如图4的(a)所示，在显示区域DA中，为了使发光层24充分发光，无法重叠在发光层24中填充于开口HA的位置上设置接触孔。因此，在显示区域DA中，如图4(a)所示，薄膜晶体管Tr的接触孔形成在不与开口HA重叠的位置。
另一方面，在虚拟显示区域DB中，发光层24中不重叠在开口HB上的部分不作为有效的发光层24起作用。因此，在虚拟显示区域DB中，可以使阳极22比显示区域DA小，也可以使用阳极22的层作为辅助布线(在图3、图4中，使阳极22的大小与显示区域DA及虚拟显示与区域DB相同)。另外，如后面说明的那样，在虚拟显示区域DB中，也可以共用像素电路，因此，能够在该空的空间41中设置附加的薄膜晶体管。此外，包括附加的薄膜晶体管的单片栅极驱动器或单片源极驱动器等各种显示控制电路可以形成在虚拟显示区域DB中。因此，在本实施例中，可以实现有机EL显示装置1具有形成在虚拟显示区域DB中的显示控制电路。
接着，参照图6～图8，具体地说明使用本实施方式的有机EL显示装置1中的子像素P2的劣化补偿。图6是说明上述有机EL显示装置中的数据信号的补偿电路的构成示例的图。图7是说明上述虚拟显示区域中的子像素的驱动示例的图。图8是说明上述有机EL显示装置中的亮度劣化的具体示例的图表。
首先，参照图8，具体地说明有机EL显示装置的子像素的发光元件(发光元件层5)的老化。
一般来说，发光亮度根据电流量而变化的电流驱动型发光元件随着时间的经过并且随着流动的电流量而劣化。例如，在红色发光元件中，如图8所示，当初始亮度为100％时，亮度根据时间的经过和提供给发光元件的电流量而降低。具体地说，如果发光元件以与低灰度(例如灰度值10)和中间灰度(例如灰度值100)分别对应的电流值被发光驱动，则亮度如图8中直线I1和直线I2所示对应于时间的经过(发光时间的合计时间)而降低。另外，该发光元件例如根据来自作为数据线驱动电路(源驱动器)的数据信号生成部75(图6)的数据信号来进行发光驱动，该数据信号提供与256灰度(灰度值0～灰度值255中的任一个灰度值)对应的电流值。这样，在发光元件中，亮度根据时间的经过和电流量而降低(即，发光元件劣化)，因此如果在发光元件中测量不同电流量(即，与至少两个灰度的灰度值对应的电流量)的劣化数据，则推测根据其他电流量来发光时的发光元件的劣化量。也就是说，在红色、蓝色和绿色的各子像素的发光元件中，根据至今为止输入的数据信号，求出流向各颜色的子像素的发光元件的总电流量，根据该求出的总电流量和劣化数据，可以推测该子像素的劣化量，可以求出发光期望的亮度的数据信号。
因此，如图6所示，本实施方式的有机EL显示装置1包括数据信号补偿部71、电流量存储部72、亮度传感器信号测量部73、劣化数据存储部74和数据信号产生部75。进一步地，在本实施方式的有机EL显示装置1中，显示区域DA的子像素P1的发光元件以发光的期间联动，向虚拟显示区域DB的子像素P2输入具有不同灰度值的多个劣化观测用数据信号，使子像素P2的发光元件发光的方式构成。
具体地说，例如，如图7所示，上层的各两个红色、绿色和蓝色的子像素P2r、P2g和P2b中，输入对应于低灰度(例如，灰度值10)的劣化观测用数据信号，进行发光驱动。另外，在下层的各两个红色、绿色和蓝色的子像素P2r’、P2g’和P2b’中，输入对应于中间灰度(例如灰度值100)的劣化观测用数据信号，进行发光驱动(关于各颜色，使用两个子像素P2进行说明，但是，这是为了提高亮度以便于测量，也可以是一个子像素P2，还可以使用三个以上的子像素P2)。如上所述，使用具有低灰度和中间灰度的各灰度值的两种劣化观测数据信号的原因如下：在显示区域DA的子像素P1的发光元件中，几乎没有在全部时间都以最高亮度(在本实施例中为灰度值255)持续发光，并且在虚拟显示区域DB中输入的劣化观测用数据信号，即使最高也只要输入相当于中间灰度的劣化观测用数据信号就足够，只要至少测量两个灰度的劣化量，则能够推测显示区域DA的子像素P1的发光元件的劣化量。
返回到图6，在有机EL显示装置1中，用于从外部执行信息显示的视频信号被输入到数据信号补偿部71。另外，电流量存储部72存储至今为止流过上述多个子像素P1的发光元件(发光元件层5)的电流量。亮度传感器信号测量部73通过输入来自设置在上述亮度传感器区域DC中的上述光接收元件的检测信号，来测量在虚拟显示区域DB中发光的子像素P2的发光亮度。另外，劣化数据存储部74存储来自亮度传感器信号测量部73的测量结果数据。即，在劣化数据存储部74中存储要被测量的子像素P2的发光元件的劣化量。从数据信号补偿部71根据上述视频信号、存储在电流量存储部72中的电流量、存储在劣化数据存储部74中的劣化量(对应于图8)，推测多个子像素P1的劣化量，将从外部输入的视频信号转换为发光所期望的亮度的数据信号，输出到数据信号生成部75。然后，数据信号产生部75向显示区域DA的多个子像素P1输出劣化补偿后的数据信号。如上所述，在本实施方式的有机EL显示装置1中，可以通过考虑子像素P1的发光元件的劣化来补偿。
在如上所述构成的本实施方式的有机EL显示装置1中，在虚拟显示区域DB中形成的阳极(作为第一电极的第二像素电极)22的内侧开口(第二开口)HB，比在显示区域DA中形成的阳极(作为第一电极的第一画素电极)22的开口(第一开口)HA小。另外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，形成在显示区域DA中的发光层(第一发光层)24具有与形成在虚拟显示区域DB中的发光层(第二发光层)24相同的形状和相同的大小。由此，在本实施方式的有机EL显示装置1中，如参考图5所说明的，即使在设置了子像素(虚拟像素)P2的情况下，也可以防止制造成品率降低。
另外，在本实施方式的有机EL显示装置1中，设置有用于检测虚拟显示区域DB的发光亮度的亮度传感器区域DC，如参考图6所说明的，能够进行考虑了子像素P1的发光元件的劣化的补偿。其结果，可以容易地配置具有优异显示品质(发光品质)的高性能有机EL显示装置1。
(有机EL显示装置1的另一构成示例)
图9的(a)和图9的(b)是示出一实施方式所涉及的有机EL显示装置的另一构成示例的主要部分结构的俯视图。在图9的(a)中，有机EL显示装置1包括显示区域DA、虚拟显示区域DB、边框区域F以及剪切部51。虚拟显示区域DB相当于边框区域F的一部分。换而言之，在边框区域F的一部分中形成有多个子像素P2。在显示区域DA的内部，形成有剪切了显示区域DA的一部分的剪切部51。虚拟显示区域DB形成在显示区域DA的周边且形成在剪切部51的周边。更详细而言，虚拟显示区域DB在有机EL显示装置1的平面方向的显示区域DA与剪切部51之间，并以包围剪切部51的方式形成。
在图9(b)中，有机EL显示装置1包括显示区域DA、虚拟显示区域DB、边框区域F以及切口部52。边框区域F以包围显示区域DA的方式形成。在有机EL显示装置1的端部形成有剪切了显示区域DA的一部分以及边框区域F的一部分的切口部52。虚拟显示区域DB相当于边框区域F的一部分。换而言之，在边框区域F的一部分中形成有多个子像素P2。虚拟显示区域DB形成在显示区域DA的周边且形成在切口部52的周边。更详细而言，虚拟显示区域DB在有机EL显示装置1的平面方向的显示区域DA与切口部52之间，并以与切口部52相接的方式形成。
另外，如以上说明所述，子像素P2r、P2g和P2b可以分别由多个子像素P2构成。例如，如图10所示，分别将两个子像素P2r1、P2g1和P2b1设为子像素P2r1、P2g1和P2b1，也可以分别将两个子像素P2r2、P2g2和P2b2设为子像素P2r2、P2g2和P2b2。如上所述，在构成子像素P2r1、P2g1以及P2b1、子像素P2r2、P2g2以及P2b2的情况下，由例如灰度值10的劣化观测用数据信号来驱动的子像素P2存在多个。由此，能够减轻子像素P2的发光元件的劣化的偏差，并且，通过测量来自多个子像素P2的发光元件的亮度，即使光接收元件(亮度传感器)的灵敏度低，也能够测量亮度。
另外，除了上述说明以外，例如多个子像素P2r可以分别具有像素电路，也可以分别输入劣化观测用数据信号，如图7所示，子像素P2r的多个阳极(第二像素电极)22电连接，还可以输入相同的劣化观测用数据信号，并且，如图11所示，例如两个子像素P2r具有多个共同的阳极(第二像素电极)22，并且可以输入相同的劣化观测用数据信号。或者，即使阳极22独立的，也可以构成为共用像素电路(共用驱动晶体管等)。通过这样设置，对于虚拟显示区域DB，能够共用像素电路，在空的空间形成单片门驱动器或单片源驱动器等各种显示控制电路。
另外，在上述说明中，说明了作为劣化观测用数据信号而使用了两种灰度(低灰度及中间灰度)的数据信号的情况，但不限于两种灰度，通过求出三种灰度或以上灰度的劣化量，能够进一步提高推测的精度，子像素P1可以更容易地以期望的亮度发光。
进而，在上述说明中，对使用了一定的灰度的劣化观测用数据信号的情况进行了说明，但是本实施方式并不限定于此，也可以例如通过求出平均了每个帧的全部子像素(第一像素)P1中的数据信号的视频信号，并将其作为劣化观测用数据信号输入到虚拟显示区域DB的子像素P2中，使其发光，测定亮度，求出平均的持续输入视频信号时的劣化量。在这样的构成的情况下，可以省略电流量存储部72的设置。另外，将各颜色的全部子像素P1的劣化视为平均的持续输入视频信号时的劣化，能够统一简便地补偿。此时，对于相同颜色的子像素P1，也可以由多个子像素P1构成。
另外，在上述说明中，对子像素P1及P2说明了具有红色、蓝色及绿色的结构，但子像素P1及P2的发光色不限于此，例如也可以是品红、黄色、白色等。
另外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括QLED(Quantum-dot light emitting diode，量子点发光二极管)的显示装置，该QLED是使用了含量子点层的发光元件。
产业上的利用可能性
本发明适用于即使在设置了虚拟像素的情况下，也能够防止制造成品率降低的显示装置。
附图标记说明
1 有机EL显示装置
22 阳极(第一电极、第一像素电极、第二像素电极)
24 发光层(第一发光层、第二发光层)
25 阴极(第二电极)
DA 显示区域
DB 虚拟显示区域
DC 亮度传感器区域
P1 子像素(第一像素)
P2 子像素(第二像素)

Claims (11)

1.一种显示装置，其具备：
第一电极；
边缘罩，其形成在所述第一电极的上层，并且覆盖所述第一电极的端部；
发光层，其形成在所述第一电极的上层；以及
第二电极，其形成在所述发光层的上层，
所述显示装置特征在于，
所述显示装置具有显示区域、虚拟显示区域及检测所述虚拟显示区域的发光亮度的亮度传感器区域，
在所述显示区域中形成的所述第一电极即第一像素电极上形成并被所述边缘罩包围的第一开口比在所述虚拟显示区域中形成的所述第一电极即第二像素电极上形成并被所述边缘罩包围的第二开口大，
在所述显示区域形成的所述发光层即第一发光层具有与在所述虚拟显示区域形成的所述发光层即第二发光层相同的形状和相同的大小。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，进一步具备：形成于所述显示区域，具有所述第一发光层的多个第一像素；以及
形成于所述虚拟显示区域，具有所述第二发光层的多个第二像素，
数据信号输入到所述多个第一像素，在所述多个第一像素发光的期间，劣化观测用数据信号被输入到所述多个第二像素，所述多个第二像素发光。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述劣化观测用数据信号包括第一劣化观测用数据信号和比所述第一劣化观测用数据信号具有更高灰度值的第二劣化观测用数据信号，
所述多个第二像素中的一个和另一个分别根据所述第一劣化观测用数据信号和所述第二劣化观测用数据信号发光。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，根据所述第一劣化观测用数据信号发光的第二像素和根据所述第二劣化观测用数据信号发光的第二像素分别存在多个。
5.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述劣化观测用数据信号是对每个帧的全部所述第一像素中的数据信号进行平均后的视频信号。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，根据所述劣化观测用数据信号发光的第二像素存在多个。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二像素电极比所述第一像素电极小。
8.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个第二像素的所述第二像素电极相互电连接。
9.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第二像素电极比所述第一像素电极大，并且所述多个第二像素共用所述第二像素电极。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区域的内部，形成有剪切了所述显示区域的一部分的剪切部，
所述虚拟显示区域形成为在所述剪切部和所述显示区域之间包围所述剪切部。
11.如权利要求1至10中任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括边框区域，被形成为包围所述显示区域，
在所述显示装置的端部形成有剪切了所述显示区域的一部分以及所述边框区域的一部分的切口部，
所述虚拟显示区域在所述切口部与所述显示区域之间，以与所述切口部相接的方式形成。
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