JP7410918B2 - 透明表示装置 - Google Patents

透明表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7410918B2
JP7410918B2 JP2021189189A JP2021189189A JP7410918B2 JP 7410918 B2 JP7410918 B2 JP 7410918B2 JP 2021189189 A JP2021189189 A JP 2021189189A JP 2021189189 A JP2021189189 A JP 2021189189A JP 7410918 B2 JP7410918 B2 JP 7410918B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
transparent
electrode
display device
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021189189A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022104551A (ja
Inventor
ジュンホ ユン
フメイル ペク
インスン ユ
サンビン イ
Original Assignee
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド filed Critical エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
Publication of JP2022104551A publication Critical patent/JP2022104551A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7410918B2 publication Critical patent/JP7410918B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は表示装置に関し、特に発光部と透明部を含む透明表示装置に関する。
平板表示装置の一つである電界発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は自体発光型であるため液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）に比べて視野角などが優秀であり、バックライトが不要であるため軽量および薄型が可能であり、消費電力の側面でも有利である。
また、電界発光表示装置は直流低電圧駆動が可能で、応答速度が速く、全て固体であるため、外部衝撃に強く使用温度範囲も広く、特に製造費用の側面でも安価である長所を有している。
最近、電界発光表示装置を利用した透明表示装置が広く開発されている。透明表示装置は画面の背景が見えるディスプレイであり、映像情報と周辺環境情報を共に見せることができる長所がある。
このような電界発光表示装置を利用した透明表示装置の各画素は多数の発光部を含み、多数の発光部を選択的に発光させて多様なカラー映像を表示する。
多数の発光部はそれぞれ発光層を含み、一般的に各発光層は微細金属マスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を利用して発光物質を選択的に蒸着する真空熱蒸着（ｖａｃｕｕｍ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）工程を通じて形成される。
しかし、電界発光表示装置を利用した透明表示装置の場合、発光部の面積が相対的に小さいため、蒸着工程を通じて発光層を形成するのが容易でない。
また、このような蒸着工程はマスクの具備などによって製造費用を増加させ、マスクの製作偏差と、垂れ、シャドウ効果（ｓｈａｄｏｗ ｅｆｆｅｃｔ）等によって大面積および高解像度表示装置に適用し難い問題がある。
本発明は、前記問題点を解決するために提示されたもので、大面積および高解像度を有する透明表示装置を提供しようとする。
前記目的を達成するために、本発明の透明表示装置は、第１方向に沿って配置された第１、第２、第３発光部と第１および第２透明部を含む画素が定義された基板と；前記第１、第２、第３発光部のそれぞれに備えられ、第１電極と発光層および第２電極を含む発光ダイオードと；前記第１方向に垂直な第２方向に沿って延び前記第２電極と電気的に連結される補助電極を含み、前記第１発光部と前記補助電極は前記第１透明部と前記第２発光部の間に位置し、前記第２透明部は前記第１発光部と前記第２発光部の間に位置する第１部分を含み、前記第１透明部は前記第２透明部より高い透過率を有する。
前記第１発光部の発光層は前記第２透明部まで延びる。
前記補助電極は前記第２透明部と前記第２発光部の間に位置する。
前記第２発光部は前記第１発光部より大きく、前記第３発光部より小さい面積を有する。
前記第２透明部は前記第１発光部と前記第１透明部の間に位置する第２部分をさらに含む。
前記第２方向に沿って前記第２部分の長さが前記第１部分の長さより長い。
本発明の透明表示装置は、第１、第２、第３開口部と補助コンタクトホールを有するバンクをさらに含み、前記第１開口部は前記第１発光部と前記第２透明部に対応し、前記第２開口部は前記第１透明部に対応し、前記第３開口部は前記第２および第３発光部のそれぞれに対応し、前記補助コンタクトホールは前記補助電極に対応する。
前記バンクは親水性の第１バンクと疏水性の第２バンクを含む。
前記第１バンクと前記第２バンクは一体に形成される。
前記第２方向に沿って隣接した発光部の発光層は互いに連結されて一体に形成される。
本発明の透明表示装置は、前記基板と前記第１電極の間に少なくとも一つの薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１電極は前記少なくとも一つの薄膜トランジスタと連結される。
本発明の透明表示装置は、前記第１電極と同一物質で同一層に形成される連結パターンをさらに含み、前記第２電極は前記連結パターンを通じて前記補助電極と電気的に連結される。
前記補助電極は前記第１発光部と重なる。
本発明の透明表示装置は、前記基板と前記第１電極の間に少なくとも一つの薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１発光部の第１電極と連結される前記少なくとも一つの薄膜トランジスタは前記第２発光部または前記第３発光部に位置する。
前記第１バンクは前記第２方向に沿って隣接した同じ色の副画素の間に位置し、前記第２バンクは隣接した互いに異なる色の副画素の間に位置する。
本発明では、各画素が発光部と透明部を含むことによって、発光部を通じて映像情報を表示しながら、透明部を通じて背景のような周辺環境情報を共に見せることができる。本発明では、各画素が発光部と透明部を含むことによって、発光部を通じて映像情報を表示しながら、透明部を通じて背景のような周辺環境情報を共に見せることができる。
また、赤、緑、青色の副画素の発光部の面積を互いに異ならせることによって、各副画素に備えられる発光ダイオードの寿命を最適化して透明表示装置の寿命を向上させることができる。
また、上部発光方式を適用することによって、輝度を向上させ消費電力を低くすることができる。この時、連結パターンを通じて第２電極を補助電極と電気的に連結することによって、第２電極の抵抗を低くすることができる。
また、発光層の少なくとも一部を溶液工程によって形成することによって、微細金属マスクを省略して製造費用を減らすことができ、大面積および高解像度を有する表示装置を具現することができる。
また、最も小さい面積を有し、最も厚い厚さの発光層が形成される第１発光部の両側に第１透明部より低い透過率を有する第２透明部を具備して、発光層が第２透明部まで延びるようにすることによって、隣接した第１および第２発光部の間の混色を防止することができる。
また、補助電極を隣接した第２透明部と第２発光部の間に配置して隣接した第１および第２発光部の間の混色をさらに防止することができる。
また、補助電極を第１発光部の下部に配置して補助電極の幅を増加させることによって、第２電極の抵抗をさらに低くすることができる。
本発明の実施例に係る透明表示装置の一つの画素を示す回路図である。 本発明の第１実施例に係る透明表示装置の概略的な平面図である。 本発明の第１実施例に係る透明表示装置の概略的な断面図である。 本発明の第１実施例に係る透明表示装置のバンク構造を概略的に図示した平面図である。 図４のＩＩ－ＩＩ’線に対応する断面図である。 図４のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に対応する断面図である。 本発明の第２実施例に係る透明表示装置の概略的な平面図である。 本発明の第２実施例に係る透明表示装置のバンク構造を概略的に図示した平面図である。 図８のＩＶ－ＩＶ’線に対応する断面図である。 図８のＶ－Ｖ’線に対応する断面図である。 図８のＶＩ－ＶＩ’線に対応する断面図である。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例に係る透明表示装置について詳細に説明する。
本発明の実施例に係る透明表示装置は電界発光表示装置を利用して映像を表示する。このような電界発光表示装置を利用した透明表示装置は映像を表示するために表示領域に多数の画素（ｐｉｘｅｌ）を含み、各画素は第１、第２、第３副画素（ｓｕｂ ｐｉｘｅｌｓ）を含み、第１、第２、第３副画素は図１のような構成を有することができる。
図１は、本発明の実施例に係る透明表示装置の一つの画素を示す回路図である。
図１に図示した通り、本発明の実施例に係る透明表示装置は、互いに交差して第１、第２、第３副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を定義するゲート配線ＧＬとデータ配線ＤＬを含み、第１、第２、第３副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のそれぞれは発光部ＥＡと透明部ＴＡを含む。これに伴い、一つの画素は３個の発光部ＥＡと３個の透明部ＴＡを含むことができる。
これとは異なり、第１、第２、第３副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の透明部ＴＡは互いに連結されて一体に備えられ得る。すなわち、一つの画素は３個の発光部ＥＡと１個の透明部ＴＡを含むことができ、これに制限されない。一例として、第１、第２、第３副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３はそれぞれ赤、緑、青色の副画素であり得る。
このような本発明の実施例に係る透明表示装置は、発光部ＥＡを通じて映像情報を表示しながら、透明部ＴＡを通じて背景のような周辺環境情報を共に見せてくれる。
各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の発光部ＥＡにはスイッチング薄膜トランジスタＴ１と駆動薄膜トランジスタＴ２、ストレージキャパシタＣｓｔ、そして発光ダイオードＤｅが形成される。
より詳細には、ゲート配線ＧＬは横方向に沿って延び、データ配線ＤＬは縦方向に沿って延び、第１、第２、第３副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は横方向に沿って順次配列される。各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の発光部ＥＡと透明部ＴＡは縦方向に沿って配列され得る。
各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の発光部ＥＡでスイッチング薄膜トランジスタＴ１のゲート電極はゲート配線ＧＬに連結され、ソース電極はデータ配線ＤＬに連結される。駆動薄膜トランジスタＴ２のゲート電極はスイッチング薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極に連結され、ソース電極は高電位電圧ＶＤＤに連結される。発光ダイオードＤｅのアノード（ａｎｏｄｅ）は駆動薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極に連結され、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は低電位電圧ＶＳＳに連結される。ストレージキャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＴ２のゲート電極とドレイン電極に連結される。
このような電界発光表示装置を利用した透明表示装置の映像表示動作を詳察すると、ゲート配線ＧＬを通じて印加されたゲート信号によりスイッチング薄膜トランジスタＴ１がターン－オン（ｔｕｒｎ－ｏｎ）され、この時、データ配線ＤＬから印加されたデータ信号がスイッチング薄膜トランジスタＴ１を通じて駆動薄膜トランジスタＴ２のゲート電極とストレージキャパシタＣｓｔの一電極に印加される。
駆動薄膜トランジスタＴ２はデータ信号によりターン－オンされて発光ダイオードＤｅを流れる電流を制御して映像を表示する。発光ダイオードＤｅは駆動薄膜トランジスタＴ２を通じて伝達される高電位電圧ＶＤＤの電流によって発光する。
すなわち、発光ダイオードＤｅを流れる電流の量はデータ信号の大きさに比例し、発光ダイオードＤｅが放出する光の強さは発光ダイオードＤｅを流れる電流の量に比例するため、各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３はデータ信号の大きさにより異なる階調を表示し、その結果透明表示装置は映像を表示する。
ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電荷を一フレーム（ｆｒａｍｅ）の間維持して発光ダイオードＤｅを流れる電流の量を一定にし、発光ダイオードＤｅが表示する階調を一定に維持させる役割をする。
一方、各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３にはスイッチングおよび駆動薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２とストレージキャパシタＣｓｔの他に、他の薄膜トランジスタとキャパシタがさらに追加されてもよい。
すなわち、透明表示装置に使われる電界発光表示装置では、データ信号が駆動薄膜トランジスタＴ２のゲート電極に印加されて、発光ダイオードＤｅが発光して階調を表示する相対的に長時間の間駆動薄膜トランジスタＴ２がターン－オンされた状態を維持するが、このようなデータ信号の長時間の印加によって駆動薄膜トランジスタＴ２は劣化（ｄｅｔｅｒｉｏｒａｔｉｏｎ）され得る。これに伴い、駆動薄膜トランジスタＴ２の移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）および／または閾値電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔａｇｅ：Ｖｔｈ）が変わることになり、各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は同じデータ信号に対して異なる階調を表示することになり、輝度ムラが現れて表示装置の画質が低下する。
したがって、このような駆動薄膜トランジスタＴ２の移動度および／または閾値電圧の変化を補償するために、各副画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３には電圧の変化を感知するための少なくとも一つのセンシング薄膜トランジスタおよび／またはキャパシタがさらに追加され得、センシング薄膜トランジスタおよび／またはキャパシタは基準電圧を印加しセンシング電圧を出力するための基準配線と連結され得る。
このような透明表示装置に使われる電界発光表示装置は、発光方向により下部発光方式（ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）と上部発光方式（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）に分かれる。下部発光方式では発光ダイオードＤｅからの光がアノードを通じて薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２が形成された基板側に出力され、上部発光方式では発光ダイオードＤｅからの光がカソードを通じて基板の反対方向側に出力される。一般的に電界発光表示装置では薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２が発光ダイオードＤｅの下部に形成されるため、下部発光方式では薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２により有効発光面積が制限されて、上部発光方式は下部発光方式より広い有効発光面積を有する。したがって、上部発光方式が下部発光方式に比べて開口率が高いため、大面積および高解像度表示装置に広く利用される。
この時、カソードは主に金属物質を利用して形成されるため、上部発光方式表示装置で光がカソードを通じて出力されるために、カソードは相対的に薄い厚さを有さなければならない。これに伴い、カソードの抵抗（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が高くなることになり、大面積高解像度表示装置ではカソードの抵抗によって低電位電圧降下（ＶＳＳ ｖｏｌｔａｇｅ ｄｒｏｐ）が発生することになり、輝度ムラの問題が発生し得る。したがって、本発明の実施例に係る透明表示装置はカソードの抵抗を低くすることができる構造を有する。
一方、本発明の発光ダイオードＤｅの発光層は溶液工程を通じて形成される。これに伴い、工程を単純化し大面積および高解像度の表示装置を提供することができる。
ところが、解像度が高くなるにつれて画素の面積が減ることになり、これによって溶液工程を通じて形成される隣接した互いに異なる色の副画素の発光層が連結されて混色が発生することになる。特に、発光部と透明部を含む透明表示装置は発光部の面積が相対的に小さいため、解像度が高くなるにつれて混色が発生する可能性が高い。本発明の透明表示装置はこのような混色を防止できる構造を提示する。
図２は、本発明の第１実施例に係る透明表示装置の概略的な平面図である。
図２に図示した通り、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００で、一つの画素Ｐは発光部ＥＡと透明部ＴＡを含む。この時、一つの画素Ｐは３個の発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と２個の透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含むことができ、各発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３は面積を除いて実質的に同じ構成を有する。
より詳細には、一つの画素Ｐは第１、第２、第３副画素、一例として、赤、緑、青色の副画素を含み、発光部ＥＡは赤、緑、青色の副画素にそれぞれ対応する第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３を含むことができる。また、透明部ＴＡは第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含み、第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２は互いに異なる透過率を有する。ここで、同一面積を基準として第１透明部ＴＡ１の透過率が第２透明部ＴＡ２の透過率より大きい。
第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２は、図面上の縦方向であるＹ方向に沿って配置される。ここで、Ｙ方向が第１方向と定義され、図面上の横方向であるＸ方向が第２方向と定義され得る。これとは異なり、Ｘ方向が第１方向と定義され、Ｙ方向が第２方向と定義されてもよい。
第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１透明部ＴＡ１はＹ方向に沿って順次配置され、第２透明部ＴＡ２は第１発光部ＥＡ１の両側に配置され得る。すなわち、第２透明部ＴＡ２は隣接した第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間に位置する第１部分と、隣接した第１発光部ＥＡ１と第１透明部ＴＡ１の間に位置する第２部分を含むことができる。ここで、第１発光部ＥＡ１と第１透明部ＴＡ１の間に位置する第２透明部ＴＡ２の第２部分は省略されてもよい。
第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３は互いに異なる面積を有することができる。一例として、緑色の副画素の第２発光部ＥＡ２の面積は赤色の副画素の第１発光部ＥＡ１の面積より大きく、青色の副画素の第３発光部ＥＡ３の面積より小さくてもよく、これに制限されない。
各副画素に備えられる発光ダイオードは互いに異なる特性を有する発光物質で形成されるため、発光ダイオード間に寿命および効率に差が存在し、このような発光ダイオード間の寿命差によって表示装置の寿命が低下し得る。しかし、本発明では赤、緑、青色の副画素の第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３の面積を異ならせることによって、各副画素に備えられる発光ダイオードの寿命および効率を最適化し、これに伴い、表示装置の寿命低下の問題を解決して表示装置の寿命を向上させることができる。
この時、第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３はＸ方向に沿って同一の長さを有し、Ｙ方向に沿って互いに異なる幅を有することができる。一例として、緑色の副画素の第２発光部ＥＡ２の幅は赤色の副画素の第１発光部ＥＡ１の幅より大きく、青色の副画素の第３発光部ＥＡ３の幅より小さくてもよい。
このような第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２は四角形の形態を有するものとして図示したが、これに制限されず、第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２は角が曲線形態の四角形であるか楕円状などの多様な形状を有することができる。
一方、隣接した第１および第２発光部ＥＡ１、ＥＡ２の間、より詳細には、隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間には信号配線１１４、１１６が位置する。信号配線１１４、１１６は低電位電圧ＶＳＳを供給する低電位配線１１４と高電位電圧ＶＤＤを供給する高電位配線１１６を含む。低電位配線１１４と高電位配線１１６はＸ方向に延び、Ｙ方向に沿って交互に配置される。すなわち、Ｙ方向に沿って隣接した画素Ｐのうち一つには低電位配線１１４が位置し、他の一つには高電位配線１１６が位置する。このような低電位配線１１４と高電位配線１１６は同一層に同一物質で形成される。しかし、本発明はこれに制限されない。これとは異なり、低電位配線１１４と高電位配線１１６は他層に同一物質で形成されたり、他層に異なる物質で形成されてもよい。
このような低電位配線１１４に対応してコンタクトホール１７０ｄが形成され、低電位配線１１４はコンタクトホール１７０ｄを通じて発光ダイオードのカソード（図示せず）と電気的に連結される。
このような本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００の断面構造について、図３を参照して詳細に説明する。
図３は本発明の第１実施例に係る透明表示装置の概略的な断面図であって、図２のＩ－Ｉ’線に対応し、図２を共に参照して説明する。
前述した通り、発光部ＥＡは第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３を含み、透明部ＴＡは第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含むが、第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３のそれぞれは実質的に同じ構成を有するため、図３では第１発光部ＥＡ１の構成のみを図示する。
図３に図示した通り、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００では、発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含む画素Ｐが定義された基板１００上に金属のような第１導電性物質で遮光パターン１１２と低電位配線である第１補助電極１１４が形成される。遮光パターン１１２は各発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に位置し、第１補助電極１１４は隣接した第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間、より詳細には、隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間に位置する。
基板１００はガラス基盤やプラスチック基板であり得る。一例として、プラスチック基板としてポリイミドが使われ得、これに制限されない。
遮光パターン１１２と第１補助電極１１４はアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、遮光パターン１１２と第１補助電極１１４はモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。
一方、前述した通り、基板１００上の他の画素Ｐの隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間には第１補助電極１１４と同一物質で高電位配線１１６が形成される。
次に、遮光パターン１１２および第１補助電極１１４の上部にはバッファー層１２０が実質的に基板１００の全面に形成される。バッファー層１２０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得、単一層または多重層で形成され得る。
ここで、バッファー層１２０は遮光パターン１１２の上部の第１ホール１２０ａと第１補助電極１１４の上部の第２ホール１２０ｂを有する。遮光パターン１１２の上面は第１ホール１２０ａを通じて部分的に露出し、第１補助電極１１４の上面は第２ホール１２０ｂを通じて部分的に露出する。
バッファー層１２０の上部にはパターニングされた半導体層１２２とキャパシタ電極１２４が形成される。半導体層１２２とキャパシタ電極１２４は遮光パターン１１２の上部に互いに離隔して位置する。遮光パターン１１２は半導体層１２２に入射する光を遮断して半導体層１２２が光によって劣化することを防止する。
半導体層１２２とキャパシタ電極１２４は多結晶シリコンからなり得、半導体層１２２の量縁およびキャパシタ電極１２４には不純物がドープされていてもよい。これとは異なり、半導体層１２２とキャパシタ電極１２４は酸化物半導体物質からなってもよい。
半導体層１２２の上部には絶縁物質からなるゲート絶縁膜１３０および金属のような第２導電性物質からなるゲート電極１３２が順次形成される。ゲート絶縁膜１３０とゲート電極１３２は半導体層１２２の中央に対応して位置する。
ゲート絶縁膜１３０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。ここで、半導体層１２２が酸化物半導体物質からなる場合、ゲート絶縁膜１３０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成されることが好ましい。
また、ゲート電極１３２はアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、ゲート電極１３２はモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。
図示した通り、ゲート絶縁膜１３０はゲート電極１３２と実質的に同一形状のパターンとなり得る。この時、ゲート絶縁膜１３０の幅がゲート電極１３２の幅より広くてもよく、これに伴い、ゲート絶縁膜１３０の上面縁は露出され得る。これとは異なり、ゲート絶縁膜１３０の幅はゲート電極１３２の幅と同一であってもよい。またはゲート絶縁膜１３０はパターンとならず、実質的に基板１００の全面に形成されてもよい。
一方、ゲート電極１３２と同一物質で同一層にゲート配線（図示せず）がさらに形成され得る。
ゲート電極１３２の上部には絶縁物質からなる層間絶縁膜１４０が実質的に基板１００の全面に形成される。層間絶縁膜１４０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。これとは異なり、層間絶縁膜１４０はフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）やベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）のような有機絶縁物質で形成されてもよい。
層間絶縁膜１４０は第１、第２、第３、第４コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃ、１４０ｄを有する。第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂは半導体層１２２の両縁をそれぞれ露出する。第３コンタクトホール１４０ｃは遮光パターン１１２の上面の一部を露出し、第１ホール１２０ａ内に位置する。これとは異なり、第１ホール１２０ａが省略され、第３コンタクトホール１４０ｃは層間絶縁膜１４０だけでなくバッファー層１２０内にも形成されて遮光パターン１１２の上面の一部を露出してもよい。第４コンタクトホール１４０ｄは第１補助電極１１４の上面の一部を露出し、第２ホール１２０ｂ内に位置する。これとは異なり、第２ホール１２０ｂが省略され、第４コンタクトホール１４０ｄは層間絶縁膜１４０だけでなくバッファー層１２０内にも形成されて第１補助電極１１４の上面の一部を露出してもよい。
層間絶縁膜１４０の上部には金属のような第３導電性物質からなるソースおよびドレイン電極１４２、１４４と第２補助電極１４６が形成される。ソースおよびドレイン電極１４２、１４４と第２補助電極１４６はアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つで形成され得、単一層または多重層構造であり得る。一例として、ソースおよびドレイン電極１４２、１４４と第２補助電極１４６はモリブデン－チタン合金（ＭｏＴｉ）の下部層と銅（Ｃｕ）の上部層を含む二重層構造を有することができ、上部層の厚さが下部層の厚さより厚くてもよい。これとは異なり、ソースおよびドレイン電極１４２、１４４と第２補助電極１４６は三重層構造を有してもよい。
ソースおよびドレイン電極１４２、１４４はそれぞれ第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂを通じて半導体層１２２の両縁と接触する。また、ドレイン電極１４４は第３コンタクトホール１４０ｃを通じて遮光パターン１１２と接触し、キャパシタ電極１２４と重なる。キャパシタ電極１２４は遮光パターン１１２およびドレイン電極１４４と重なってストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を形成する。
一方、第２補助電極１４６は第４コンタクトホール１４０ｄを通じて第１補助電極１１４と接触する。このような第２補助電極１４６は省略されてもよい。
また、層間絶縁膜１４０の上部には第３導電性物質でデータ配線（図示せず）がさらに形成され得る。
半導体層１２２とゲート電極１３２、そしてソースおよびドレイン電極１４２、１４４は薄膜トランジスタＴｒをなす。ここで、薄膜トランジスタＴｒは半導体層１２２の一側、すなわち、半導体層１２２の上部にゲート電極１３２とソースおよびドレイン電極１４２、１４４が位置するコプラナー（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を有する。
これとは異なり、薄膜トランジスタＴｒは半導体層の下部にゲート電極が位置して半導体層の上部にソースおよびドレイン電極が位置する逆スタッガード（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有することができる。この場合、半導体層は酸化物半導体物質または非晶質シリコンからなり得る。
ここで、薄膜トランジスタＴｒは図１の駆動薄膜トランジスタＴ２に該当し、図示してはいないが、このような薄膜トランジスタＴｒのような構成を有するスイッチング薄膜トランジスタ（図１のＴ１）がさらに形成され得る。
ソースおよびドレイン電極１４２、１４４と第２補助電極１４６の上部には絶縁物質からなる保護層（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、１５０）が実質的に基板１００の全面に形成される。保護層１５０は酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。
次に、保護層１５０の上部には絶縁物質でオーバーコート層１５５が実質的に基板１００の全面に形成される。オーバーコート層１５５はフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）やベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）のような有機絶縁物質で形成され得る。このようなオーバーコート層１５５は下部膜による段差をなくし、実質的に平坦な上面を有する。
ここで、保護層１５０とオーバーコート層１５５のうち一つは省略されてもよいため、一例として、保護層１５０が省略され得、これに制限されない。
オーバーコート層１５５は保護層１５０と共にドレイン電極１４４を露出するドレインコンタクトホール１５５ａを有する。また、オーバーコート層１５５は保護層１５０と共に第２補助電極１４６を露出する第５コンタクトホール１５５ｂを有する。
オーバーコート層１５５の上部の各発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３には比較的高い仕事関数を有する第１電極１６０が形成される。第１電極１６０はドレインコンタクトホール１５５ａを通じてドレイン電極１４４と接触する。
一例として、第１電極１６０はインジウム－ティン－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）やインジウム－ジンク－オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）のような透明導電性物質で形成され得、これに制限されない。
一方、本発明の実施例に係る電界発光表示装置は、発光ダイオードの光が基板１００と反対方向に出力される上部発光方式であり得、これに伴い、第１電極１６０は透明導電性物質の下部に反射率が高い金属物質で形成される反射電極または反射層をさらに含むことができる。例えば、反射電極または反射層はアルミニウム－パラジウム－銅（ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｐａｌｌａｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）合金や銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）またはモリブデン（Ｍｏ）で形成され得る。この時、第１電極１６０はＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯやＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯまたはＩＴＯ／Ｍｏ／ＩＴＯの３重層構造を有することができ、これに制限されない。
また、オーバーコート層１５５の上部の隣接した第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間、より詳細には、隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間には第１電極１６０と同一物質で連結パターン１６２が形成される。連結パターン１６２は第５コンタクトホール１５５ｂを通じて第２補助電極１４６と接触する。
第１電極１６０と連結パターン１６２の上部には絶縁物質でバンク１７０が形成される。バンク１７０は第１電極１６０と連結パターン１６２それぞれの縁と重なって覆う。
バンク１７０は第１発光部ＥＡ１および第２透明部ＴＡ２に対応する第１開口部１７０ａと第１透明部ＴＡ１に対応する第２開口部１７０ｂを有する。第１発光部ＥＡ１で第１開口部１７０ａを通じて第１電極１６０が露出し、第１透明部ＴＡ１で第２開口部１７０ｂを通じてオーバーコート層１５５の上面が露出する。
また、バンク１７０は隣接した第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間、より詳細には、隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間に補助コンタクトホール１７０ｄを有する。このような補助コンタクトホール１７０ｄを通じて連結パターン１６２の一部が露出する。
図示してはいないが、バンク１７０は第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３のそれぞれに対応する第３開口部をさらに含み、これについて詳細に後述する。
このようなバンク１７０は親水性の第１バンク１７２と疏水性の第２バンク１７４を含み、第２バンク１７４が第１バンク１７２の上部に位置する。第２バンク１７４は第１バンク１７２より狭い幅を有し、第１バンク１７２の縁を露出する。また、第２バンク１７４の厚さは第１バンク１７２の厚さより厚くてもよい。
ここで、第２バンク１７４が実質的に第１および第２開口部１７０ａ、１７０ｂと補助コンタクトホール１７０ｄを有する。
これに伴い、第１発光部ＥＡ１で第１バンク１７２は第１電極１６０の縁と重なって接触し、第２バンク１７４は第１電極１６０と離隔して位置する。この時、第２バンク１７４と第１電極１６０の間の領域が第２透明部ＴＡ２となる。
第１バンク１７２は親水性の特性を有する物質、一例として、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成され得る。これとは異なり、第１バンク１７２はポリイミドで形成されてもよい。
また、第２バンク１７４の少なくとも上面は疏水性であり、第２バンク１７４の側面は疏水性または親水性であり得る。このような第２バンク１７４は疏水性の特性を有する有機絶縁物質で形成され得る。これとは異なり、第２バンク１７４は親水性の特性を有する有機絶縁物質で形成され、疏水性処理されてもよい。
第１バンク１７２と第２バンク１７４が他の物質で分離されて形成されているが、親水性の第１バンク１７２と疏水性の第２バンク１７４は同一物質からなり、一体に形成されてもよい。一例として、上面が疏水性である有機物層を基板１００の全面に形成した後、透過部と遮断部および反透過部を含むハーフトーンマスクを利用してこれをパターニングすることによって、互いに異なる幅と厚さを有する第１バンク１７２と第２バンク１７４を形成してもよい。
これとは異なり、第１バンク１７２は省略されてもよい。
露出した第１電極１６０の上部には発光層１８０が形成される。発光層１８０の対向する側面は第２バンク１７４で囲まれる。ここで、第１発光部ＥＡ１の第１電極１６０の上部の発光層１８０は第２透明部ＴＡ２まで延びる。すなわち、発光層１８０は第１発光部ＥＡ１および第２透明部ＴＡ２の双方に位置する。
このような発光層１８０は第１バンク１７２の側面および上面と接触し、第２バンク１７４の側面と接触する。
図示してはいないが、発光層１８０は発光物質層（ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ）を含む。発光物質層は赤、緑、青色の発光物質のうちいずれか一つからなり得、これに制限されない。このような発光物質はリン光化合物または蛍光化合物のような有機発光物質や量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）のような無機発光物質であり得る。
また、発光層１８０は発光物質層の下部の第１電荷補助層と発光物質層の上部の第２電荷補助層をさらに含むことができる。
第１電荷補助層は正孔補助層（ｈｏｌｅ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）であり得、正孔補助層は正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）と正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができる。また、第２電荷補助層は電子補助層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）であり得、電子補助層は電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）と電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明はこれに制限されない。
このような発光層１８０は溶液工程（ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）を通じて形成される。これに伴い、工程を単純化し大面積および高解像度の表示装置を提供することができる。溶液工程としてはスピンコート法やインクジェットプリンティング法またはスクリーンプリンティング法が使われ得、これに制限されない。
ここで、溶液が乾燥される時、第２バンク１７４に隣接した部分と他の部分では溶媒の蒸発速度に差がある。すなわち、第２バンク１７４付近で溶媒の蒸発速度が他の部分でより速く、これに伴い、第２バンク１７４付近で発光層１８０は第２バンク１７４に近づくほどその高さが高くなる。
一方、発光層１８０の中で、電子補助層は熱蒸着工程（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）を通じて形成されてもよい。この時、電子補助層は実質的に基板１００の全面に形成され得る。
発光層１８０と第２バンク１７４、そして連結パターン１６２の上部には、比較的仕事関数が低い導電性物質からなる第２電極１９０が実質的に基板１００の全面、より詳細には、多数の画素Ｐが備えられる表示領域の全面に形成される。これに伴い、第２電極１９０は第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２の全てに形成される。
第２電極１９０はアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）またはこれらの合金で形成され得る。この時、第２電極１９０は発光層１８０からの光が透過できるように相対的に薄い厚さを有する。一例として、第２電極１９０は５～１０ｎｍの厚さを有することができる。
このような第２電極１９０はバンク１７０の上面および側面と接触する。より具体的には、第２電極１９０は第２バンク１７４の上面および側面と接触し、第１バンク１７２の上面および側面とも接触することができる。
一方、第２電極１９０は補助コンタクトホール１７０ｄを通じて連結パターン１６２と電気的に連結される。これに伴い、第２電極１９０は連結パターン１６２を通じて第１および第２補助電極１１４、１４６と電気的に連結される。この時、第２電極１９０は連結パターン１６２と直接接触することができる。これとは異なり、発光層１８０の電子補助層が実質的に基板１００の全面に形成される場合、第２電極１９０は連結パターン１６２と間接的に接触してもよい。
また、第１透明部ＴＡ１で第２電極１９０はオーバーコート層１５５の上面と接触する。
このような本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００で、第２透明部ＴＡ２には第１透明部ＴＡ１に比べて第１バンク１７２と発光層１８０がさらに形成される。これに伴い、第１透明部ＴＡ１の透過率は第２透明部ＴＡ２の透過率より高い。
第１電極１６０と発光層１８０および第２電極１９０は発光ダイオードＤｅをなす。ここで、第１電極１６０はアノードの役割をし、第２電極１９０はカソードの役割をすることができるが、これに制限されない。
前述した通り、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００は、発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に備えられる発光ダイオードＤｅの発光層１８０からの光が基板１００と反対方向、すなわち、第２電極１９０を通じて外部に出力される上部発光方式であり得、このような上部発光方式は同一面積の下部発光方式に比べてより広い発光領域を有することができるため、輝度を向上させ消費電力を低くすることができる。
この時、各副画素の発光ダイオードＤｅは放出する光の波長によりマイクロキャビティ効果に該当する素子の厚さを有することができ、これに伴い、光効率を上げることができる。ここで、素子の厚さは発光層１８０の厚さ、すなわち、第１電極１６０と第２電極１９０の間の距離と定義され得る。例えば、第２発光部ＥＡ２の素子の厚さは第１発光部ＥＡ１の素子の厚さより小さく、第３発光部ＥＡ３の素子の厚さより大きくてもよい。
一方、第２電極１９０の上部の実質的に基板１００の全面には、保護膜および／または封止層（図示せず）が形成されて外部から流入する水分や酸素を遮断することによって、発光ダイオードＤｅを保護することができる。
また、第２電極１９０の上部の実質的に基板１００の全面にはキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ ｌａｙｅｒ）（図示せず）が形成され得る。このようなキャッピング層は比較的高い屈折率を有する絶縁物質で形成され得、表面プラズマ共振（ｓｕｒｆａｃｅ ｐｌａｓｍａ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）によりキャッピング層に沿って移動する光の波長が増幅し、これによってピーク（ｐｅａｋ）の強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）が増加して上部発光方式表示装置での光効率を向上させることができる。一例として、キャッピング層は有機膜や無機膜の単一膜または有機／無機積層膜の形態で形成され得る。
本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００では、隣接した副画素間の発光層１８０が互いに連結されて一体に形成されるようにすることによって、ノズル間の滴下量の偏差を最小化することができる。このような発光部と透明部の構成はバンク構造を通じて具現され得、これについて図４～図６を参照して詳細に説明する。
図４は、本発明の第１実施例に係る透明表示装置のバンク構造を概略的に図示した平面図である。
図４に図示した通り、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００の一つの画素Ｐは発光部と透明部を含み、発光部は第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３を含み、透明部は第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含む。
第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１透明部ＴＡ１はＹ方向に沿って順次配置され、第２透明部ＴＡ２は隣接した第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間および隣接した第１発光部ＥＡ１と第１透明部ＴＡ１の間に位置する。
また、隣接した第１透明部ＴＡ１と第２発光部ＥＡ２の間にはＸ方向に沿って延びた低電位配線である第１補助電極１１４または高電位配線１１６が位置し、第１補助電極１１４と高電位配線１１６はＹ方向に沿って隣接した画素Ｐに交互に配置される。
このような第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２はバンク１７０によって定義される。
バンク１７０は第１、第２、第３開口部１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃを有する。第１開口部１７０ａは第１発光部ＥＡ１と第２透明部ＴＡ２に対応し、第２開口部１７０ｂは第１透明部ＴＡ１に対応し、第３開口部１７０ｃは第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３のそれぞれに対応する。
ここで、第１、第３開口部１７０ａ、１７０ｃはＸ方向に沿って隣接した同じ色の副画素列の発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に対応して一つずつ備えられ得る。
また、バンク１７０は補助コンタクトホール１７０ｄをさらに有する。補助コンタクトホール１７０ｄは隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間に位置し第１補助電極１１４と重なる。一方、補助コンタクトホール１７０ｄは高電位配線１１６の上部には形成されない。
補助コンタクトホール１７０ｄはＸ方向に沿って隣接した画素Ｐごとに形成され得る。この場合、カソードである第２電極と第１補助電極１１４の間の電気的接触面積を増加させて接触特性を向上させることができる。これとは異なり、補助コンタクトホール１７０ｄはＸ方向に沿って隣接した二つの画素Ｐごとに形成されてもよい。この場合、補助コンタクトホール１７０ｄのパターニング過程で発生する不良を減らすことができる。
このようなバンク１７０は親水性の第１バンク１７２と疏水性の第２バンク１７４を含み、第２バンク１７４が実質的に第１、第２、第３開口部１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃと補助コンタクトホール１７０ｄを有する。
ここで、Ｘ方向に沿って隣接した同じ色の副画素の間には第１バンク１７２が位置し、Ｙ方向に沿って隣接した互いに異なる色の副画素の間には第２バンク１７４が位置する。すなわち、Ｘ方向に沿って隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３の間には第１バンク１７２が位置し、Ｙ方向に沿って隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３の間には第２バンク１７４が位置する。また、第２バンク１７４は発光部と透明部の間、具体的には、第３発光部ＥＡ３と第１透明部ＴＡ１の間および第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２の間にも位置する。その上、第２バンク１７４は第１透明部ＴＡ１と第２透明部ＴＡ２の間にも位置する。
一方、第１バンク１７２は第２透明部ＴＡ２にも位置する。これに伴い、第１発光部ＥＡ１の発光層は第２透明部ＴＡ２まで延びる。
このような本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００では、第１および第３開口部１７０ａ、１７０ｃにより同じ色の副画素間の発光層が互いに連結されて一体に形成されるようにすることによって、ノズル間の滴下量の偏差を最小化することができ、各副画素に形成される発光層の厚さを均一にすることができる。これに伴い、ムラ（ｍｕｒａ）を防止して表示装置の画質低下を防止できる。
このような本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００の断面構造を図５と図６に図示する。
図５は図４のＩＩ－ＩＩ’線に対応する断面図であり、図６は図４のＩＩＩ－ＩＩＩ’線に対応する断面図であり、図３と図４を共に参照して説明する。
図５と図６に図示した通り、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００では、基板１００上に発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含む画素Ｐが定義される。ここで、第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３は互いに異なる幅を有する。一例として、第２発光部ＥＡ２の幅は第１発光部ＥＡ１の幅より大きく第３発光部ＥＡ３の幅より小さい。
第１発光部ＥＡ１と第２透明部ＴＡ２は第１透明部ＴＡ１と第２発光部ＥＡ２の間に位置し、第２透明部ＴＡ２は第１発光部ＥＡ１の両側に位置する。
このような基板１００上の第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２との間には第１補助電極１１４が形成される。第１補助電極１１４の上部の実質的に基板１００の全面にバッファー層１２０が形成され、バッファー層１２０の上部の各副画素の発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に対応して薄膜トランジスタＴｒが形成される。
ここで、薄膜トランジスタＴｒは図３に図示されたものと同一の構成を有することができる。
引き続き、薄膜トランジスタＴｒの上部の実質的に基板１００の全面には保護層１５０とオーバーコート層１５５が順次形成され、オーバーコート層１５５の上部の各副画素の発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３には第１電極１６０が形成される。
図示してはいないが、バッファー層１２０と保護層１５０の間には少なくとも一つの絶縁層がさらに形成され得る。
オーバーコート層１５５は保護層１５０と共に薄膜トランジスタＴｒの一部、すなわち、ドレイン電極を露出するドレインコンタクトホール１５５ａを有し、第１電極１６０はドレインコンタクトホール１５５ａを通じて薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極と接触する。
一方、オーバーコート層１５５の上部の第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２の間には第１電極１６０と同一物質で連結パターン１６２が形成される。この時、オーバーコート層１５５は第１補助電極１１４に対応してコンタクトホール１５５ｃを有し、連結パターン１６２はコンタクトホール１５５ｃを通じて第１補助電極１１４と電気的に連結される。ここで、コンタクトホール１５５ｃが保護層１５０とバッファー層１２０にも形成されたものとして図示されたが、これに制限されない。これとは異なり、連結パターン１６２と第１補助電極１１４の間には第２補助電極（図示せず）がさらに形成され得、この場合、コンタクトホール１５５ｃはオーバーコート層１５５と保護層１５０にのみ形成され得、バッファー層１２０は第２補助電極を露出する他のコンタクトホールを有することができる。
次に、第１電極１６０と連結パターン１６２の上部にはバンク１７０が形成される。このようなバンク１７０は第１発光部ＥＡ１と第２透明部ＴＡ２に対応する第１開口部１７０ａと、第１透明部ＴＡ１に対応する第２開口部１７０ｂ、そして第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３のそれぞれに対応する第３開口部１７０ｃを有する。また、バンク１７０は第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２の間に、第１補助電極１１４に対応する補助コンタクトホール１７０ｄを有する。
バンク１７０は親水性の第１バンク１７２と疏水性の第２バンク１７４を含む。
この時、第１バンク１７２は隣接した同じ色の副画素の間に形成される。反面、第２バンク１７４は隣接した互いに異なる色の副画素の間にのみ形成され、隣接した同じ色の副画素の間に位置する第１バンク１７２を露出する。これに伴い、第２バンク１７４は隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３の間に形成され、第１バンク１７２は隣接した第３発光部ＥＡ３の間に形成される。図示してはいないが、第１バンク１７２は隣接した第１発光部ＥＡ１の間および隣接した第２発光部ＥＡ２の間にも形成される。
また、第２バンク１７４は隣接した第１透明部ＴＡ１と第２透明部ＴＡ２の間および隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間にも形成される。
一方、第１バンク１７２は第２透明部ＴＡ２にも形成される。また、第１バンク１７２は第２バンク１７４の下部にも形成され得る。これに伴い、第１バンク１７２は隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３の間に形成され、隣接した第１透明部ＴＡ１と第２透明部ＴＡ２の間および隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間にも形成される。
第１および第３開口部１７０ａ、１７０ｃを通じて露出した第１電極１６０の上部には発光層１８０が形成される。発光層１８０は第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３にそれぞれ対応する赤、緑、青色発光層１８０ｒ、１８０ｇ、１８０ｂを含む。赤色発光層１８０ｒは第１発光部ＥＡ１だけでなく、第２透明部ＴＡ２にも形成される。
赤、緑、青色発光層１８０ｒ、１８０ｇ、１８０ｂは互いに異なる厚さを有する。一例として、緑色発光層１８０ｇの厚さが赤色発光層１８０ｒの厚さより小さく青色発光層１８０ｂの厚さより大きい。
ここで、発光層１８０は隣接した同じ色の副画素の間で露出した第１バンク１７２の上部にも形成され、第１バンク１７２の上部の発光層１８０は隣接した第１電極１６０の上部の発光層１８０と連結されて一体に形成される。すなわち、図６に図示した通り、第３発光部ＥＡ３の間の第１バンク１７２の上部に青色発光層１８０ｂが形成され、第１バンク１７２の上部に青色発光層１８０ｂは隣接した第３発光部ＥＡ３の青色発光層１８０ｂと連結されて一体に形成される。
このような発光層１８０は溶液工程を通じて形成される。ここで、同じ色の副画素列に対応して互いに異なるノズルを通じて滴下された溶液は互いに連結され、このような溶液を乾燥して発光層１８０を形成する。これに伴い、ノズル間の滴下量の偏差を最小化し、各副画素に形成される薄膜厚さを均一にすることができる。
この時、最も小さい幅を有する第１発光部ＥＡ１に形成され最も厚い厚さを有する赤色発光層１８０ｒは第１発光部ＥＡ１だけでなく第２透明部ＴＡ２にも形成されることによって、溶液が滴下される領域を十分に確保することができる。また、第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間の第１補助電極１１４および補助コンタクトホール１７０ｄにより、赤色発光層１８０ｒと緑色発光層１８０ｇの間の距離を増加させることができる。したがって、赤色発光層１８０ｒと緑色発光層１８０ｇの間の混色を防止することができる。
次に、発光層１８０の上部には第２電極１９０が形成される。第１電極１６０と発光層１８０および第２電極１９０は発光ダイオードＤｅを構成する。
ここで、第２電極１９０は実質的に基板１００の全面、より詳細には、多数の画素が備えられる表示領域の全面に形成される。すなわち、第２電極１９０は第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２全てに形成され、バンク１７０の上部にも形成される。
このような第２電極１９０は補助コンタクトホール１７０ｄを通じて第１補助電極１１４と電気的に連結される。具体的には、第２電極１９０は補助コンタクトホール１７０ｄを通じて連結パターン１６２と電気的に連結され、連結パターン１６２はコンタクトホール１５５ｃを通じて第１補助電極１１４と電気的に連結される。これに伴い、第２電極１９０は連結パターン１６２を通じて第１補助電極１１４と電気的に連結される。ここで、第２電極１９０は連結パターンと直接接触することができる。
また、第２電極１９０は第１透明部ＴＡ１で第２開口部１７０ｂを通じて露出したオーバーコート層１５５と接触する。
このような本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００で、第２透明部ＴＡ２には第１透明部ＴＡ１に比べて第１バンク１７２と発光層１８０がさらに形成される。これに伴い、第１透明部ＴＡ１の透過率は第２透明部ＴＡ２の透過率より高い。
このように、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００は一つの画素Ｐが発光部ＥＡと透明部ＴＡを含むことによって、発光部ＥＡを通じて映像情報を表示しながら、透明部ＴＡを通じて背景のような周辺環境情報を共に見せることができる。
また、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００では発光層１８０の少なくとも一部を溶液工程によって形成することによって、微細金属マスクを省略して製造費用を減らすことができ、大面積および高解像度を有する表示装置を具現することができる。
また、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００は上部発光方式を適用することによって、輝度を向上させ消費電力を低くすることができる。ここで、第２電極１９０は光を透過させるために比較的薄い厚さを有するように形成されて抵抗が高くなることになるが、連結パターン１６２を通じて第２電極１９０を第１補助電極１１４と電気的に連結することによって第２電極１９０の抵抗を低くすることができる。
また、本発明の第１実施例に係る透明表示装置１０００では、同じ色の副画素間の発光層１８０が互いに連結されて一体に形成されるようにすることによって、ノズル間の滴下量の偏差を最小化することができ、各副画素に形成される発光層１８０の厚さを均一にすることができる。
また、最も小さい面積を有する第１発光部ＥＡ１の両側に第２透明部ＴＡ２を具備して、最も厚い厚さを有する第１発光部ＥＡ１の発光層１８０ｒが第２透明部ＴＡ２まで延びるようにすることによって、第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間の混色を防止することができる。
また、第１補助電極１１４を第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間、より詳細には、第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間に配置して、第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間の混色をさらに防止することができ、補助コンタクトホール１７０ｄの面積を増加させることができるため、第２電極１９０と連結パターン１６２の接触面積を増加させて第２電極１９０と連結パターン１６２の間の接触特性を向上させることができる。
本発明で第１補助電極は第１発光部ＥＡ１と重なるように備えられてもよい。このような本発明の第２実施例に係る透明表示装置について図７を参照して詳細に説明する。
図７は、本発明の第２実施例に係る透明表示装置の概略的な平面図である。
図７に図示した通り、本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００で、一つの画素Ｐは発光部ＥＡと透明部ＴＡを含む。この時、一つの画素Ｐは第１、第２、第３副画素、一例として、赤、緑、青色の副画素にそれぞれ対応する第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含むことができる。
第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２は互いに異なる透過率を有する。ここで、同一面積を基準として第１透明部ＴＡ１の透過率が第２透明部ＴＡ２の透過率より大きい。
第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１透明部ＴＡ１は第１方向、すなわち、Ｙ方向に沿って順次配置され、第２透明部ＴＡ２は第１発光部ＥＡ１の両側に配置され得る。すなわち、第２透明部ＴＡ２は隣接した第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間に位置する第１部分と、隣接した第１発光部ＥＡ１と第１透明部ＴＡ１の間に位置する第２部分を含むことができる。ここで、第１発光部ＥＡ１と第１透明部ＴＡ１の間に位置する第２透明部ＴＡ２の第２部分は省略されてもよい。
第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３は互いに異なる面積を有することができる。一例として、緑色の副画素の第２発光部ＥＡ２の面積は赤色の副画素の第１発光部ＥＡ１面積より大きく、青色の副画素の第３発光部ＥＡ３の面積より小さくてもよく、これに制限されない。
この時、第２方向、すなわち、Ｘ方向に沿って第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３は同一の長さを有し、第１発光部ＥＡ１は第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３より小さい長さを有することができる。また、Ｙ方向に沿って第１および第２発光部ＥＡ１、ＥＡ２は第３発光部ＥＡ３より小さい幅を有し、第１および第２発光部ＥＡ１、ＥＡ２は同じであるか異なる幅を有することができる。
一方、第１発光部ＥＡ１と重なって信号配線２１４、２１６が位置する。信号配線２１４、２１６は低電位電圧ＶＳＳを供給する低電位配線である第１補助電極２１４と高電位電圧ＶＤＤを供給する高電位配線２１６を含む。
ここで、第１発光部ＥＡ１の幅は第１補助電極２１４または高電位配線２１６の幅より大きくてもよい。
第１補助電極２１４と高電位配線２１６はＸ方向に延び、Ｙ方向に沿って交互に配置される。すなわち、Ｙ方向に沿って隣接した画素Ｐの中の一つには第１補助電極２１４が位置し、他の一つには高電位配線２１６が位置する。第１補助電極２１４と高電位配線２１６は同一層に同一物質で形成され得る。しかし、本発明はこれに制限されない。このような第１補助電極２１４に対応してコンタクトホール２７０ｄが形成され、第１補助電極２１４はコンタクトホール２７０ｄを通じて発光ダイオードのカソード（図示せず）と電気的に連結される。ここで、コンタクトホール２７０ｄは第２透明部ＴＡ２の第２部分と第２部分の間に位置する。
一方、画素Ｐごとに第２透明部ＴＡ２の第１および第２部分の長さは異なり得る。すなわち、第１補助電極２１４が位置する画素Ｐで第２透明部ＴＡ２の第２部分の長さは第１部分の長さより大きくてもよい。これとは異なり、高電位配線２１６が位置する画素Ｐで第２透明部ＴＡ２の第１および第２部分の長さは同じであってもよい。しかし、本発明はこれに制限されず、高電位配線２１６が位置する画素Ｐで第２透明部ＴＡ２の第２部分の長さは第１部分の長さより大きくてもよい。
このような発光部と透明部の構成はバンク構造を通じて具現され得、これについて図８～図１０を参照して詳細に説明する。
図８は、本発明の第２実施例に係る透明表示装置のバンク構造を概略的に図示した平面図である。
図８に図示した通り、本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００の第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２はバンク２７０により定義される。
バンク２７０は第１、第２、第３開口部２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃを有する。第１開口部２７０ａは第１発光部ＥＡ１と第２透明部ＴＡ２に対応し、第２開口部２７０ｂは第１透明部ＴＡ１に対応し、第３開口部２７０ｃは第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３のそれぞれに対応する。
ここで、第１および第３開口部２７０ａ、２７０ｃはＸ方向に沿って隣接した同じ色の副画素列の発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３に対応して一つずつ備えられ得る。
また、バンク２７０は補助コンタクトホール２７０ｄをさらに有する。補助コンタクトホール２７０ｄは第２透明部ＴＡ２の第１および第２部分の間に位置して第１補助電極２１４と重なる。一方、補助コンタクトホール２７０ｄは高電位配線２１６の上部には形成されない。
補助コンタクトホール２７０ｄはＸ方向に沿って隣接した画素Ｐごとに形成され得る。この場合、カソードである第２電極と第１補助電極２１４の間の電気的接触面積を増加させて接触特性を向上させることができる。これとは異なり、補助コンタクトホール２７０ｄはＸ方向に沿って隣接した二つの画素Ｐごとに形成されてもよい。この場合、補助コンタクトホール２７０ｄのパターニング過程で発生する不良を減らすことができる。
このようなバンク２７０は親水性の第１バンク２７２と疏水性の第２バンク２７４を含み、第２バンク２７４が実質的に第１、第２、第３開口部２７０ａ、２７０ｂ、２７０ｃと補助コンタクトホール２７０ｄを有する。
Ｘ方向に沿って隣接した同じ色の副画素の間には第１バンク２７２が位置し、Ｙ方向に沿って隣接した互いに異なる色の副画素の間には第２バンク２７４が位置する。すなわち、Ｘ方向に沿って隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３間には第１バンク２７２が位置し、Ｙ方向に沿って隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３間には第２バンク２７４が位置する。また、第２バンク２７４は発光部と透明部の間、具体的には、第３発光部ＥＡ３と第１透明部ＴＡ１の間および第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２の間にも位置する。その上、第２バンク２７４は第１透明部ＴＡ１と第２透明部ＴＡ２の間にも位置する。
ここで、第２バンク２７４は補助コンタクトホール２７０ｄに対応して突出部を有する。これに伴い、補助コンタクトホール２７０ｄに対応する第１開口部２７０ａの幅は第１発光部ＥＡ１に対応する第１開口部２７０ａの幅より小さい。
一方、第１バンク２７２は第２透明部ＴＡ２にも位置する。これに伴い、第１発光部ＥＡ１の発光層は第２透明部ＴＡ２まで延びる。
このような本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００では、第１および第３開口部２７０ａ、２７０ｃにより同じ色の副画素間の発光層が互いに連結されて一体に形成されるようにすることによって、ノズル間の滴下量の偏差を最小化することができ、各副画素に形成される発光層の厚さを均一にすることができる。これに伴い、ムラ（ｍｕｒａ）を防止して表示装置の画質低下を防止できる。
このような本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００の断面構造を図９～図１１に図示する。
図９は、図８のＩＶ－ＩＶ’線に対応する断面図であり、図１０は図８のＶ－Ｖ’線に対応する断面図であり、図１１は図８のＶＩ－ＶＩ’線に対応する断面図であり、図８を共に参照して説明する。
図９と図１０および図１１に図示した通り、本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００では、基板２００上に発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と透明部ＴＡ１、ＴＡ２を含む画素Ｐが定義される。ここで、第１および第２発光部ＥＡ１、ＥＡ２は第３発光部ＥＡ３より小さい幅を有し、第１および第２発光部ＥＡ１、ＥＡ２は同一幅を有するか互いに異なる幅を有する。
第１発光部ＥＡ１と第２透明部ＴＡ２は第１透明部ＴＡ１と第２発光部ＥＡ２の間に位置し、第２透明部ＴＡ２は第１発光部ＥＡ１の両側に位置する。
このような基板２００さんの第１発光部ＥＡ１には第１補助電極２１４が形成される。第１補助電極２１４の上部の実質的に基板２００の全面にバッファー層２２０が形成され、バッファー層２２０の上部の第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３に対応して薄膜トランジスタＴｒが形成される。具体的には、第１および第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は第２発光部ＥＡ２に位置し、第３薄膜トランジスタＴｒ３は第３発光部ＥＡ３に位置する。これとは異なり、第１薄膜トランジスタＴｒ１は第３発光部ＥＡ３に位置してもよい。
ここで、第１、第２、第３薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３のそれぞれは、図３に図示された薄膜トランジスタＴｒのような構成を有することができる。
引き続き、薄膜トランジスタＴｒの上部の実質的に基板２００の全面には保護層２５０とオーバーコート層２５５が順次形成され、オーバーコート層２５５の上部の各副画素の発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３には第１電極２６０が形成される。
図示してはいないが、バッファー層２２０と保護層２５０の間には少なくとも一つの絶縁層がさらに形成され得る。
オーバーコート層２５５は保護層２５０と共に薄膜トランジスタＴｒの一部、すなわち、ドレイン電極を露出するドレインコンタクトホール２５５ａを有し、第１電極２６０はドレインコンタクトホール２５５ａを通じて薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極と接触する。
ここで、第１発光部ＥＡ１の第１電極２６０は第２発光部ＥＡ２の第１薄膜トランジスタＴｒ１と電気的に連結される。すなわち、第１補助電極２１４が形成される第１発光部ＥＡ１にはカップリングを防止するために薄膜トランジスタが形成されず、第１薄膜トランジスタＴｒ１は第２または第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３に形成される。このような第１発光部ＥＡ１の第１電極２６０は第２透明部ＴＡ２と第２または第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３の間で別途のコンタクトホールおよび／またはパターンを通じて第１薄膜トランジスタＴｒ１と連結され得る。これとは異なり、第１発光部ＥＡ１の第１電極２６０は第２または第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３で第１薄膜トランジスタＴｒ１と連結されてもよい。
一方、オーバーコート層２５５の上部の第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２の間には第１電極２６０と同一物質で連結パターン２６２が形成される。具体的には、連結パターン２６２は第２透明部ＴＡ２の第２部分と第２発光部ＥＡ２の間に位置する。このような連結パターン２６２は第１補助電極２１４と重なる。
オーバーコート層２５５は第１補助電極２１４に対応してコンタクトホール２５５ｃを有し、連結パターン２６２はコンタクトホール２５５ｃを通じて第１補助電極２１４と電気的に連結される。ここで、コンタクトホール２５５ｃが保護層２５０とバッファー層２２０にも形成されたものとして図示されたが、これに制限されない。これとは異なり、連結パターン２６２と第１補助電極２１４の間には第２補助電極（図示せず）がさらに形成され得、この場合、コンタクトホール２５５ｃはオーバーコート層２５５と保護層２５０にのみ形成され得、バッファー層２２０は第２補助電極を露出する他のコンタクトホールを有することができる。
次に、第１電極２６０と連結パターン２６２の上部にはバンク２７０が形成される。このようなバンク２７０は第１発光部ＥＡ１と第２透明部ＴＡ２に対応する第１開口部２７０ａと、第１透明部ＴＡ１に対応する第２開口部２７０ｂ、そして第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３のそれぞれに対応する第３開口部２７０ｃを有する。また、バンク２７０は第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２の間、より詳細には、第２発光部ＥＡ２と第２透明部ＴＡ２の第２部分の間に、第１補助電極２１４に対応する補助コンタクトホール２７０ｄを有する。
第１開口部２７０ａを通じて第１発光部ＥＡ１の第１電極２６０が露出し、第２開口部２７０ｂを通じて第１透明部ＴＡ１のオーバーコート層２５５の上面が露出し、第３開口部２７０ｃを通じて第２および第３発光部ＥＡ２、ＥＡ３それぞれの第１電極２６０が露出する。また、補助コンタクトホール２７０ｄを通じて連結パターン２６２が露出する。
バンク２７０は親水性の第１バンク２７２と疏水性の第２バンク２７４を含む。
この時、第１バンク２７２は隣接した同じ色の副画素の間に形成される。反面、第２バンク２７４は隣接した互いに異なる色の副画素の間にのみ形成され、隣接した同じ色の副画素の間に位置する第１バンク２７２を露出する。これに伴い、第２バンク２７４は隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３の間に形成され、第１バンク２７２は隣接した第３発光部ＥＡ３の間に形成される。図示してはいないが、第１バンク２７２は隣接した第１発光部ＥＡ１の間および隣接した第２発光部ＥＡ２の間にも形成される。
また、第２バンク２７４は隣接した第１透明部ＴＡ１と第２透明部ＴＡ２の間および隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間にも形成される。
一方、第１バンク２７２は第２透明部ＴＡ２にも形成される。また、第１バンク２７２は第２バンク２７４の下部にも形成され得る。これに伴い、第１バンク２７２は隣接した第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３の間に形成され、隣接した第１透明部ＴＡ１と第２透明部ＴＡ２の間および隣接した第２透明部ＴＡ２と第２発光部ＥＡ２の間にも形成される。
第１および第３開口部２７０ａ、２７０ｃを通じて露出した第１電極２６０の上部には発光層２８０が形成される。発光層２８０は第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３にそれぞれ対応する赤、緑、青色発光層２８０ｒ、２８０ｇ、２８０ｂを含む。赤色発光層２８０ｒは第１発光部ＥＡ１だけでなく、第２透明部ＴＡ２にも形成される。
赤、緑、青色発光層２８０ｒ、２８０ｇ、２８０ｂは互いに異なる厚さを有する。一例として、緑色発光層１８０ｇの厚さが赤色発光層１８０ｒの厚さより小さく青色発光層２８０ｂの厚さより大きい。
ここで、発光層２８０は隣接した同じ色の副画素の間で露出した第１バンク２７２の上部にも形成され、第１バンク２７２の上部の発光層２８０は隣接した第１電極２６０の上部の発光層２８０と連結されて一体に形成される。すなわち、図１１に図示した通り、第３発光部ＥＡ３の間の第１バンク２７２の上部に青色発光層２８０ｂが形成され、第１バンク２７２の上部に青色発光層２８０ｂは隣接した第３発光部ＥＡ３の青色発光層２８０ｂと連結されて一体に形成される。
このような発光層２８０は溶液工程を通じて形成される。ここで、同じ色の副画素列に対応して互いに異なるノズルを通じて滴下された溶液は互いに連結され、このような溶液を乾燥して発光層２８０を形成する。これに伴い、ノズル間の滴下量の偏差を最小化し、各副画素に形成される薄膜厚さを均一にすることができる。
この時、最も小さい幅を有する第１発光部ＥＡ１に形成され最も厚い厚さを有する赤色発光層２８０ｒは第１発光部ＥＡ１だけでなく第２透明部ＴＡ２にも形成されることによって、溶液が滴下される領域を十分に確保することができる。したがって、赤色発光層２８０ｒと緑色発光層２８０ｇの間の混色を防止することができる。
次に、発光層２８０の上部には第２電極２９０が形成される。第１電極２６０と発光層２８０および第２電極２９０は発光ダイオードＤｅを構成する。
ここで、第２電極２９０は実質的に基板２００の全面、より詳細には、多数の画素が備えられる表示領域の全面に形成される。すなわち、第２電極２９０は第１、第２、第３発光部ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３と第１および第２透明部ＴＡ１、ＴＡ２全てに形成され、バンク２７０の上部にも形成される。
このような第２電極２９０は補助コンタクトホール２７０ｄを通じて第１補助電極２１４と電気的に連結される。具体的には、第２電極２９０は補助コンタクトホール２７０ｄを通じて連結パターン２６２と電気的に連結され、連結パターン２６２はコンタクトホール２５５ｃを通じて第１補助電極２１４と電気的に連結される。これに伴い、第２電極２９０は連結パターン２６２を通じて第１補助電極２１４と電気的に連結される。ここで、第２電極２９０は連結パターンと直接接触することができる。
また、第２電極２９０は第１透明部ＴＡ１で第２開口部２７０ｂを通じて露出したオーバーコート層２５５と接触する。
このような本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００で、第２透明部ＴＡ２には第１透明部ＴＡ１に比べて第１バンク２７２と発光層２８０がさらに形成される。これに伴い、第１透明部ＴＡ１の透過率は第２透明部ＴＡ２の透過率より高い。
このように、本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００は一つの画素Ｐが発光部ＥＡと透明部ＴＡを含むことによって、発光部ＥＡを通じて映像情報を表示しながら、透明部ＴＡを通じて背景のような周辺環境情報を共に見せることができる。
また、本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００では発光層２８０の少なくとも一部を溶液工程によって形成することによって、微細金属マスクを省略して製造費用を減らすことができ、大面積および高解像度を有する表示装置を具現することができる。
また、本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００は上部発光方式を適用することによって、輝度を向上させ消費電力を低くすることができる。ここで、第２電極２９０は光を透過させるために比較的薄い厚さを有するように形成されて抵抗が高くなることになるが、連結パターン２６２を通じて第２電極２９０を第１補助電極２１４と電気的に連結することによって第２電極２９０の抵抗を低くすることができる。
また、本発明の第２実施例に係る透明表示装置２０００では、同じ色の副画素間の発光層２８０が互いに連結されて一体に形成されるようにすることによって、ノズル間の滴下量の偏差を最小化することができ、各副画素に形成される発光層２８０の厚さを均一にすることができる。
また、最も小さい面積を有する第１発光部ＥＡ１の両側に第２透明部ＴＡ２を具備して、最も厚い厚さを有する第１発光部ＥＡ１の発光層２８０ｒが第２透明部ＴＡ２まで延びるようにすることによって、第１発光部ＥＡ１と第２発光部ＥＡ２の間の混色を防止することができる。
また、第１補助電極２１４を第１発光部ＥＡ１下部に配置して、第１補助電極２１４の幅を増加させることができるため、第２電極２９０の抵抗をさらに低くすることができる。その上、補助コンタクトホール２７０ｄの面積を増加させることができるため、第２電極２９０と連結パターン２６２の接触面積を増加させて接触特性を向上させることができる。
前記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野の通常の技術者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更できることが理解できるであろう。
１００：基板
１６０：第１電極
１６２：連結パターン
１７０：バンク
１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃ：第１、第２、第３開口部
１７０ｄ：補助コンタクトホール
１８０：発光層
１９０：第２電極
Ｄｅ：発光ダイオード
ＥＡ１、ＥＡ２、ＥＡ３：第１、第２、第３発光部
ＴＡ１、ＴＡ２：第１、第２透明部

Claims (20)

  1. 第１方向に沿って配置された第１、第２、第３発光部と第１および第２透明部を含む画素が定義された基板と、
    前記第１、第２、第３発光部のそれぞれに備えられ、第１電極と発光層および第２電極を含む発光ダイオードと、
    前記第１方向に垂直な第２方向に沿って延び前記第２電極と電気的に連結される補助電極を含み、
    前記第２透明部は前記第１発光部と前記第２発光部の間に位置する第１部分および前記第１発光部と前記画素に隣接する別の画素の第１透明部の間に位置する第２部分を含み、前記第１発光部と前記補助電極は前記第１透明部と前記第２透明部の前記第２部分の間に位置し、
    前記第１発光部は前記第１部分および前記第２部分の間に配置され、
    前記第１透明部は前記第２透明部より高い透過率を有し、平面視において前記第１透明部は前記第２透明部よりも大きい、透明表示装置。
  2. 前記第１発光部の発光層は前記第２透明部まで延びる、請求項１に記載の透明表示装置。
  3. 前記補助電極は前記第２透明部と前記第２発光部の間に位置する、請求項１に記載の透明表示装置。
  4. 前記第２発光部は前記第１発光部より大きく、前記第３発光部より小さい面積を有する、請求項１に記載の透明表示装置。
  5. 前記補助電極は前記第１部分および前記第２発光部の間、または前記第１部分および前記第２部分の間に配置される、請求項１に記載の透明表示装置。
  6. 前記第２方向に沿って前記第２部分の長さが前記第１部分の長さより長い、請求項１に記載の透明表示装置。
  7. 第１、第２、第３開口部と補助コンタクトホールを有するバンクをさらに含み、
    前記第１開口部は前記第１発光部と前記第２透明部に対応し、前記第２開口部は前記第１透明部に対応し、前記第３開口部は前記第２および第３発光部のそれぞれに対応し、前記補助コンタクトホールは前記補助電極に対応する、請求項１に記載の透明表示装置。
  8. 前記バンクは親水性の第１バンクと疏水性の第２バンクを含む、請求項７に記載の透明表示装置。
  9. 前記第１バンクと前記第２バンクは一体に形成される、請求項８に記載の透明表示装置。
  10. 前記第２方向に沿って隣接した発光部の発光層は互いに連結されて一体に形成される、請求項７に記載の透明表示装置。
  11. 前記基板と前記第１電極の間に少なくとも一つの薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１電極は前記少なくとも一つの薄膜トランジスタと連結される、請求項１～請求項１０のいずれか一項に記載の透明表示装置。
  12. 前記第１電極と同一物質で同一層に形成される連結パターンをさらに含み、
    前記第２電極は前記連結パターンを通じて前記補助電極と電気的に連結される、請求項１に記載の透明表示装置。
  13. 前記補助電極は前記第１発光部と重なる、請求項１に記載の透明表示装置。
  14. 前記基板と前記第１電極の間に少なくとも一つの薄膜トランジスタをさらに含み、前記第１発光部の第１電極と連結される前記少なくとも一つの薄膜トランジスタは前記第２発光部または前記第３発光部に位置する、請求項１３に記載の透明表示装置。
  15. 前記第１バンクは前記第２方向に沿って隣接した同じ色の副画素の間に位置し、前記第２バンクは隣接した互いに異なる色の副画素の間に位置する、請求項８に記載の透明表示装置。
  16. 前記第１部分および前記第２部分は前記第１バンクと重なる、請求項８に記載の透明表示装置。
  17. 前記補助電極は前記第１方向に沿った第１透明領域よりも幅が狭い、請求項１に記載の透明表示装置。
  18. 前記第１部分は、平面視において前記第１発光部よりも小さい、請求項１に記載の透明表示装置。
  19. 前記発光層は、湾曲した上面を有する部分を含み、前記第１部分および前記第２部分は湾曲した上面を有する前記部分に対応する、請求項１に記載の透明表示装置。
  20. 前記第１発光部、前記第２発光部、および前記第３発光部は前記第１方向に沿って順次配置され、
    前記第１発光部および前記第２発光部の間の距離が、前記第２発光部および前記第３発光部の距離よりも大きい、請求項１に記載の透明表示装置。
JP2021189189A 2020-12-28 2021-11-22 透明表示装置 Active JP7410918B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0184998 2020-12-28
KR1020200184998A KR20220093874A (ko) 2020-12-28 2020-12-28 투명표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022104551A JP2022104551A (ja) 2022-07-08
JP7410918B2 true JP7410918B2 (ja) 2024-01-10

Family

ID=81972249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021189189A Active JP7410918B2 (ja) 2020-12-28 2021-11-22 透明表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11839108B2 (ja)
JP (1) JP7410918B2 (ja)
KR (1) KR20220093874A (ja)
CN (1) CN114695445A (ja)
DE (1) DE102021134453A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102613734B1 (ko) * 2018-12-24 2023-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN117580389A (zh) * 2022-08-03 2024-02-20 华为技术有限公司 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011186427A (ja) 2010-03-05 2011-09-22 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
US20160035807A1 (en) 2013-09-27 2016-02-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Oled pixel structure and oled display device
US20160141339A1 (en) 2014-11-18 2016-05-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20170287994A1 (en) 2016-03-29 2017-10-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
JP2017199675A (ja) 2016-04-29 2017-11-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2018189937A (ja) 2016-11-10 2018-11-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の駆動方法
JP2019121801A (ja) 2017-12-29 2019-07-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2019153569A (ja) 2018-03-01 2019-09-12 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置
JP2020095961A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 電界発光表示装置およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105633297B (zh) * 2014-11-25 2018-04-20 乐金显示有限公司 透视有机发光显示装置及其制造方法
KR102475504B1 (ko) * 2015-08-20 2022-12-09 엘지디스플레이 주식회사 투명표시패널 및 이를 포함하는 투명표시장치
KR20180077855A (ko) 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011186427A (ja) 2010-03-05 2011-09-22 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置
US20160035807A1 (en) 2013-09-27 2016-02-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Oled pixel structure and oled display device
US20160141339A1 (en) 2014-11-18 2016-05-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN105609531A (zh) 2014-11-18 2016-05-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置
US20170287994A1 (en) 2016-03-29 2017-10-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
JP2017199675A (ja) 2016-04-29 2017-11-02 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2018189937A (ja) 2016-11-10 2018-11-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の駆動方法
US20200057330A1 (en) 2016-11-10 2020-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
JP2019121801A (ja) 2017-12-29 2019-07-22 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2019153569A (ja) 2018-03-01 2019-09-12 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置
JP2020095961A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 電界発光表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220093874A (ko) 2022-07-05
CN114695445A (zh) 2022-07-01
US11839108B2 (en) 2023-12-05
DE102021134453A1 (de) 2022-06-30
US20220208865A1 (en) 2022-06-30
JP2022104551A (ja) 2022-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11398535B2 (en) Electroluminescent display device with bank between same color sub-pixels
CN111326549B (zh) 电致发光显示装置及其制造方法
US11605681B2 (en) Electroluminescent display device
JP7410918B2 (ja) 透明表示装置
US11903235B2 (en) Transparent display device
US11594701B2 (en) Electroluminescent display device and method of manufacturing the same
KR20200066959A (ko) 투명표시장치
CN113130565A (zh) 电致发光显示装置
US11864440B2 (en) Electroluminescent display device
US11917847B2 (en) Electroluminescent display device including a conductive bank disposed between a second electrode and a connection pattern
JP7451657B2 (ja) 電界発光表示装置およびその製造方法
JP7308244B2 (ja) 電界発光表示装置
US11825693B2 (en) Transparent display device
JP2022087051A (ja) 電界発光表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221201

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20230301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230808

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231130

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7410918

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150