JP2020095961A - 電界発光表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】大面積および高解像度を有する電界発光表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に第１および第２方向に沿って配列された複数の副画素と、前記複数の副画素のそれぞれに位置し、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードと、前記第２方向に沿って隣接した副画素間に形成され、前記第１電極の端部と重なる第１バンク１７２と、前記第２方向に沿って配列された副画素の列に対応して開口部を有し、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される第２バンク１７４と、前記第２方向に沿って向かい合う前記第２バンクの側面に形成される第３バンク１７６とを備える電界発光表示装置。これにより、溶液工程で発光層を形成する際、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化して均一な厚さの発光層を形成し、溶液が中央に集まることを防止することができる。【選択図】図３
Description
本発明は、電界発光表示装置およびその製造方法に関するものであり、特に大面積および高解像度を有する電界発光表示装置およびその製造方法に関するものである。
平板表示装置の１つである電界発光表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は、自己発光型であるため、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）に比べて視野角などが優れており、バックライトが不要なことから軽量・薄型が可能であり、消費電力の面でも有利である。
また、電界発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速い上に、全て固体であるため、外部からの衝撃に強く、使用温度範囲も広い。特に製造コストの面で安いというメリットを有する。
電界発光表示装置は、赤色・緑色・青色の副画素で構成された複数の画素を含み、赤色・緑色・青色の副画素を選択的に発光させて様々なカラーの映像を表示する。
赤色・緑色・青色の副画素は、それぞれ赤色・緑色・青色の発光層を含み、一般的に各発光層は、微細金属マスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を用いて発光物質を選択的に蒸着する真空熱蒸着（ｖａｃｕｕｍ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）工程により形成される。
電界発光表示装置は、赤色・緑色・青色の副画素で構成された複数の画素を含み、赤色・緑色・青色の副画素を選択的に発光させて様々なカラーの映像を表示する。
赤色・緑色・青色の副画素は、それぞれ赤色・緑色・青色の発光層を含み、一般的に各発光層は、微細金属マスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を用いて発光物質を選択的に蒸着する真空熱蒸着（ｖａｃｕｕｍ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）工程により形成される。
しかしながら、かかる蒸着工程は、マスクの準備などによって製造コストを増加させ、マスク製作のばらつきや、垂れ、影効果（ｓｈａｄｏｗ ｅｆｆｅｃｔ）などのため、大面積および高解像度の表示装置に適用するには難しいという問題があった。
本開示は、大面積および高解像度を有する電界発光表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記のような目的を達成するため、本発明の電界発光表示装置は、基板に第１方向に沿って配列された異色の複数の副画素と、第２方向に沿って配列された同色の複数の副画素とを含む、基板の上に配列された複数の副画素と、前記複数の副画素のそれぞれに位置し、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードと、前記第２方向に沿って隣接した副画素間に形成され、前記第１電極の端部と重なる第１バンクと、前記第２方向に沿って配列された副画素の列に対応して開口部を有し、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される第２バンクと、前記開口部に対応し、前記第２方向に沿って向かい合う前記第２バンクの側面に形成される第３バンクとを備える。
前記第１バンクおよび前記第３バンクは、親水性を有し、前記第２バンクは、疎水性を有する。
前記第１バンクおよび前記第３バンクは、親水性を有し、前記第２バンクは、疎水性を有する。
前記第３バンクは、前記第１バンクより高い表面エネルギーを有することができる。
前記第３バンクは、前記第２バンクの上面に部分的に形成することができる。
前記第１バンクは、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される部分を含むことができる。
前記第３バンクは、前記第２バンクの上面に部分的に形成することができる。
前記第１バンクは、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される部分を含むことができる。
前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される前記第１バンクの部分は、前記第２バンクの下部に形成される。
前記発光層は、前記第２方向に沿って配列された副画素の前記第１電極の上部、および前記第２方向に沿って隣接した副画素間の前記第１バンクの上部に形成され、一体に構成される。
前記発光層は、前記第２バンクの前記開口部の中央部より前記開口部の端部でさらに高い高さを有する。
前記第１バンクと前記第２バンクは、ハーフトーンマスク工程により形成される。
前記発光層は、溶液工程により形成される。
前記発光層は、溶液工程により形成される。
本発明の電界発光表示装置の製造方法は、第１方向に沿って配列された異色の複数の副画素と、第２方向に沿って配列された同色の複数の副画素とを含む複数の副画素が定義された基板の上の各副画素に第１電極を形成する段階と、前記第２方向に沿って隣接した副画素間に、前記第１電極の端部と重なる第１バンクを形成する段階と、前記第１バンクの上部において、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に、前記第２方向に沿って配列された副画素の列に対応した開口部を有した第２バンクを形成する段階と、前記開口部に対応し、前記第１電極および前記第１バンクを覆いながら前記第２バンクを露出するフォトレジストパターンを形成する段階と、露出された前記第２バンクの上面および側面に第１絶縁パターンを形成し、前記フォトレジストパターンの上部に第２絶縁パターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンおよび前記第２絶縁パターンを取り除いて、前記第２バンクの側面に第３バンクを形成する段階と、前記開口部内に前記第３バンクと接触する溶液層を形成する段階と、前記溶液層を乾燥させて発光層を形成する段階と、前記発光層の上部に第２電極を形成する段階とを含む。
本発明の電界発光表示装置の製造方法は、前記第３バンクを形成する段階前に、前記第２バンクの上面の前記第１絶縁パターンを選択的に取り除く段階をさらに含むことができる。
ここで、前記第１バンクおよび前記第３バンクは、親水性を有し、前記第２バンクは、疎水性を有する。
前記第３バンクは、前記第１バンクより高い表面エネルギーを有する。
前記第３バンクは、前記第１バンクより高い表面エネルギーを有する。
本発明では、各副画素の発光層を溶液工程によって形成することにより、マスクを省略して製造コストを減らすことができ、大面積および高解像度を有する表示装置を具現化することができる。
また、同色の副画素間の発光層が互いに接続され、一体に形成されるようにすることで、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化することができ、各副画素に形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。その結果、ムラを防止し、表示装置の画質低下を防ぐことができる。
さらに、同色の副画素列の両端に対応し、疎水性を有するバンクの側面に親水性を有するバンクを形成することにより、溶液が中央に集まることを防止し、同色の副画素列の両端付近に発光層が形成されないという不具合を防止することができる。
以下、図面を参照し、本発明の実施例に係る電界発光表示装置について詳細に説明する。
本発明の実施例に係る電界発光表示装置は、映像を具現化する表示領域と、表示領域を取り囲む非表示領域を有し、表示領域には複数の画素（ピクセル）が配置される。１つの画素は、赤色・緑色・青色の副画素（サブピクセル）を含み、各副画素に該当する画素領域は、図１のような構成を有することができる。
本発明の実施例に係る電界発光表示装置は、映像を具現化する表示領域と、表示領域を取り囲む非表示領域を有し、表示領域には複数の画素（ピクセル）が配置される。１つの画素は、赤色・緑色・青色の副画素（サブピクセル）を含み、各副画素に該当する画素領域は、図１のような構成を有することができる。
図１は、本発明の実施例に係る電界発光表示装置の１つの画素領域を示す回路図である。
図１に示すように、本発明の電界発光表示装置は、互いに交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬを含み、各画素領域Ｐには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓと駆動薄膜トランジスタＴｄ、ストレージキャパシタＣｓｔ、そして発光ダイオードＤｅが形成される。
図１に示すように、本発明の電界発光表示装置は、互いに交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬを含み、各画素領域Ｐには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓと駆動薄膜トランジスタＴｄ、ストレージキャパシタＣｓｔ、そして発光ダイオードＤｅが形成される。
さらに詳細に、スイッチング薄膜トランジスタＴｓのゲート電極はゲート配線ＧＬに接続され、ソース電極はデータ配線ＤＬに接続される。駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極は、スイッチング薄膜トランジスタＴｓのドレイン電極に接続され、ソース電極は、高電位電圧ＶＤＤに接続される。発光ダイオードＤｅのアノードは、駆動薄膜トランジスタＴｄのドレイン電極に接続され、カソードは、低電位電圧ＶＳＳに接続される。そして、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびドレイン電極に接続される。
かかる電界発光表示装置における映像表示動作を説明すると、ゲート配線ＧＬを通じて印加されたゲート信号によってスイッチング薄膜トランジスタＴｓがターンオンし、そのとき、データ配線ＤＬに印加されたデータ信号がスイッチング薄膜トランジスタＴｓを通じ、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびストレージキャパシタＣｓｔの一電極に印加される。
駆動薄膜トランジスタＴｄは、データ信号によってターンオンし、発光ダイオードＤｅを流れる電流を制御して映像を表示する。発光ダイオードＤｅは、駆動薄膜トランジスタＴｄを介して伝達される高電位電圧ＶＤＤの電流により発光する。
すなわち、発光ダイオードＤｅを流れる電流量は、データ信号のサイズに比例し、発光ダイオードＤｅの放出光の強度は、発光ダイオードＤｅを流れる電流量に比例するので、画素領域Ｐは、データ信号のサイズによって異なる階調を表示し、その結果、電界発光表示装置は映像を表示する。
すなわち、発光ダイオードＤｅを流れる電流量は、データ信号のサイズに比例し、発光ダイオードＤｅの放出光の強度は、発光ダイオードＤｅを流れる電流量に比例するので、画素領域Ｐは、データ信号のサイズによって異なる階調を表示し、その結果、電界発光表示装置は映像を表示する。
ストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号に対応する電荷を１フレームの間保持し、発光ダイオードＤｅを流れる電流量を一定にして、発光ダイオードＤｅが表示する階調を一定に保つ役割をする。
一方、画素領域Ｐには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓおよび駆動薄膜トランジスタＴｄとストレージキャパシタＣｓｔの以外、他の薄膜トランジスタやキャパシタをさらに形成することもできる。
すなわち、電界発光表示装置では、データ信号が駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極に印加され、発光ダイオードＤｅが発光して階調を表示する相対的に長時間、駆動薄膜トランジスタＴｄがターンオンした状態を保つが、かかるデータ信号の長時間の印加により、駆動薄膜トランジスタＴｄは劣化（ｄｅｔｅｒｉｏｒａｔｉｏｎ）する恐れがある。そのため、駆動薄膜トランジスタＴｄの移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）、および／または閾値電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔａｇｅ：Ｖｔｈ）が変わり、電界発光表示装置の画素領域Ｐは、同じデータ信号に対して異なる階調を表示することになり、輝度の不均一によって電界発光表示装置の画質が低下する。
したがって、かかる駆動薄膜トランジスタＴｄの移動度、および／または閾値電圧の変化を補うため、各画素領域Ｐには、電圧の変化を感知するための、少なくとも１つのセンシング薄膜トランジスタ、および／またはキャパシタをさらに形成することができる。センシング薄膜トランジスタ、および／またはキャパシタは、基準電圧を印加し、センシング電圧を出力するための基準配線に接続することができる。
図２は、本発明の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、１つの画素領域を示す。
図２に示すように、基板１１０の上部にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は、実質的に基板１１０の全面に位置する。基板１１０は、ガラス基板であってもよく、プラスチック基板であってもよい。一例に、プラスチック基板としてポリイミドを用いることができるが、これに限定されるものではない。バッファー層１２０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機物質で形成することができ、単層または多層に構成することができる。
バッファー層１２０の上部には、パターニングされた半導体層１２２を形成する。半導体層１２２は、酸化物半導体物質からなり得るが、この場合、半導体層１２２の下部には遮光パターン（不図示）をさらに形成することができ、遮光パターンは、半導体層１２２への入射光を遮断し、半導体層１２２が光によって劣化することを防止する。これとは異なって、半導体層１２２は、多結晶シリコンで形成することもできるが、この場合、半導体層１２２の両端部に不純物がドープされてもよい。
半導体層１２２の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜１３０が実質的に基板１１０の全面に形成される。ゲート絶縁膜１３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成することができる。このとき、半導体層１２２が酸化物半導体物質からなった場合、ゲート絶縁膜１３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）から形成してもよい。これとは異なって、半導体層１２２が多結晶シリコンからなった場合、ゲート絶縁膜１３０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成してもよく、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で形成してもよい。
ゲート絶縁膜１３０の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極１３２が、半導体層１２２の中央に対応して形成される。また、ゲート絶縁膜１３０の上部には、ゲート配線（不図示）と第１キャパシタ電極（不図示）を形成することができる。ゲート配線は第１方向に沿って延び、第１キャパシタ電極はゲート電極１３２に接続される。
一方、本発明の実施例では、ゲート絶縁膜１３０が基板１１０の全面に形成されているが、ゲート絶縁膜１３０は、ゲート電極１３２と同じ形にパターニングされてもよい。
ゲート電極１３２の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜１４０が、実質的に基板１１０の全面に形成される。層間絶縁膜１４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成してもよく、フォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質で形成してもよい。
ゲート電極１３２の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜１４０が、実質的に基板１１０の全面に形成される。層間絶縁膜１４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質で形成してもよく、フォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質で形成してもよい。
層間絶縁膜１４０は、半導体層１２２の両側上面を露出する第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂを有する。第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂは、ゲート電極１３２の両側に、ゲート電極１３２と離隔して位置する。ここで、第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂは、ゲート絶縁膜１３０内にも形成される。これとは異なって、ゲート絶縁膜１３０がゲート電極１３２と同じ形にパターニングされた場合、第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂは、層間絶縁膜１４０内にのみ形成される。
層間絶縁膜１４０の上部には、金属のような導電性物質からソース電極１４２およびドレイン電極１４４が形成される。また、層間絶縁膜１４０の上部には、第２方向に沿って延びるデータ配線（不図示）と電源配線（不図示）、第２キャパシタ電極（不図示）が形成されてもよい。
ソースおよびドレイン電極１４２、１４４は、ゲート電極１３２を中心にして離隔して位置し、それぞれ第１および第２コンタクトホール１４０ａ、１４０ｂを介して半導体層１２２の両側に接触する。図面には示していないが、データ配線は第２方向に沿って延び、ゲート配線と交差して各画素領域を定義し、高電位電圧を供給する電源配線は、データ配線と離隔して位置する。第２キャパシタ電極は、ドレイン電極１４４に接続され、第１キャパシタ電極と重なり、その間の層間絶縁膜１４０を誘電体としてストレージキャパシタを構成する。これとは異なって、第１キャパシタ電極がドレイン電極１４４に接続され、第２キャパシタ電極がゲート電極１３２に接続されてもよい。
一方、半導体層１２２と、ゲート電極１３２、そしてソースおよびドレイン電極１４２、１４４は、薄膜トランジスタを構成する。ここで、薄膜トランジスタは、半導体層１２２の一側、すなわち、半導体層１２２の上部に、ゲート電極１３２とソースおよびドレイン電極１４２、１４４が位置するコプラナー構造を有する。
これとは異なって、薄膜トランジスタは、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソースおよびドレイン電極が位置する逆スタッガード（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有することができる。この場合、半導体層は、酸化物半導体物質、または非晶質シリコンから形成することができる。
ここで、薄膜トランジスタは、駆動薄膜トランジスタに該当し、駆動薄膜トランジスタと同じ構造のスイッチング薄膜トランジスタ（不図示）が、各画素領域の基板１１０上にさらに形成される。駆動薄膜トランジスタのゲート電極１３２は、スイッチング薄膜トランジスタのドレイン電極（不図示）に接続され、駆動薄膜トランジスタのソース電極１４２は、電源配線（不図示）に接続される。また、スイッチング薄膜トランジスタのゲート電極（不図示）とソース電極（不図示）は、ゲート配線とデータ配線にそれぞれ接続される。
また、駆動薄膜トランジスタと同じ構造のセンシング薄膜トランジスタが、各画素領域の基板１１０上にさらに形成されてもよいが、これに制限されるものではない。
ソースおよびドレイン電極１４２、１４４の上部には、オーバーコート層１５０が実質的に基板１１０の全面に、絶縁物質から形成される。オーバーコート層１５０は、フォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質から形成することができる。かかるオーバーコート層１５０は、平坦な上面を有することができる。
ソースおよびドレイン電極１４２、１４４の上部には、オーバーコート層１５０が実質的に基板１１０の全面に、絶縁物質から形成される。オーバーコート層１５０は、フォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質から形成することができる。かかるオーバーコート層１５０は、平坦な上面を有することができる。
一方、オーバーコート層１５０の下部には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質からなる絶縁膜をさらに形成することができる。
オーバーコート層１５０は、ドレイン電極１４４を露出するドレインコンタクトホール１５０ａを有する。ここで、ドレインコンタクトホール１５０ａは、第２コンタクトホール１４０ｂと離隔して形成されてもよく、第２コンタクトホール１４０ｂの直上に形成されてもよい。
オーバーコート層１５０は、ドレイン電極１４４を露出するドレインコンタクトホール１５０ａを有する。ここで、ドレインコンタクトホール１５０ａは、第２コンタクトホール１４０ｂと離隔して形成されてもよく、第２コンタクトホール１４０ｂの直上に形成されてもよい。
オーバーコート層１５０の上部には、比較的に仕事関数の高い導電性物質から第１電極１６２が形成される。第１電極１６２は、各画素領域に形成され、ドレインコンタクトホール１５０ａを介してドレイン電極１４４に接触する。一例に、第１電極１６２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質から形成することができるが、これに制限されるものではない。
一方、本発明の実施例に係る電界発光表示装置は、発光ダイオードの光が基板１１０とは反対方向へ出力されるトップエミッションタイプであり得る。したがって、第１電極１６２は、透明導電性物質の下部に反射率の高い金属物質から形成される反射電極、または反射層をさらに含むことができる。例えば、反射電極または反射層は、アルミニウム・パラジウム・銅（ＡＰＣ）の合金や銀（Ａｇ）から形成することができる。このとき、第１電極１６２は、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ、またはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有することができるが、これに制限されるものではない。
第１電極１６２の上部には、第１バンク１７２が絶縁物質から形成される。第１バンク１７２は、第１電極１６２の端部に重なり、第１電極１６２の端部を覆いながら第１電極１６２の中央部を露出する。かかる第１バンク１７２は親水性を有し、一例に第１バンク１７２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。これとは異なって、第１バンク１７２は、ポリイミドから形成してもよい。
第１バンク１７２の上部には、第２バンク１７４が絶縁物質から形成される。第２バンク１７４は、第１バンク１７２より狭い幅を持ち、第１バンク１７２の上部に位置して第１バンク１７２の端部を露出する。第２バンク１７４は、疎水性を有し、第１バンク１７２より厚くてもよい。かかる第２バンク１７４は、疎水性を有する有機絶縁物質から形成してもよく、親水性を有する有機絶縁物質から形成して疎水性処理を施してもよい。
一方、図面に示していない第１電極１６２の他端部の上部には、第１バンク１７２のみが位置してもよい。また、図２において、第１電極１６２の端部の上部に第１および第２バンク１７２、１７４が形成されているが、第１バンク１７２を省略し、第２バンク１７４のみが第１電極１６２の端部に重なって、第１電極１６２の端部を覆うこともできる。
第１および第２バンク１７２、１７４を介して露出された第１電極１６２の上部には、発光層１８０が形成される。
第１および第２バンク１７２、１７４を介して露出された第１電極１６２の上部には、発光層１８０が形成される。
図面に示していないが、発光層１８０は、第１電極１６２の上部から順次位置する第１電荷補助層と、発光物質層（ｌｉｇｈｔ-ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ）、そして第２電荷補助層を含むことができる。発光物質層は、赤色・緑色・青色の発光物質のうち、いずれか１つからなり得るが、これに制限されるものではない。かかる発光物質は、燐光化合物や蛍光化合物のような有機発光物質であってもよく、量子ドットのような無機発光物質であってもよい。
第１電荷補助層は、正孔補助層（ｈｏｌｅ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）であり得る。そして、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）と正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のうち、少なくとも１つを含むことができる。また、第２電荷補助層は、電子補助層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｕｘｉｌｉａｒｙ ｌａｙｅｒ）であり得る。そして、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）と電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）のうち、少なくとも１つを含むことができる。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではない。
ここで、発光層１８０は、溶液工程により形成される。そのため、工程を単純化し、大面積および高解像度の表示装置を提供することができる。溶液工程には、スピンコート法やインクジェットプリント法、またはスクリーンプリント法を用いることができるが、これに制限されるものではない。このとき、溶液が乾燥する際の、第２バンク１７４と隣接した部分における溶媒の乾燥速度は、他の部分と異なるため、第２バンク１７４と隣接した部分における発光層１８０は、第２バンク１７４に近づくほどその高さが高くなり得る。
一方、発光層１８０において、電子補助層は、蒸着工程により形成することもできる。このとき、電子補助層は、実質的に基板１１０の全面に形成されてもよい。
一方、発光層１８０において、電子補助層は、蒸着工程により形成することもできる。このとき、電子補助層は、実質的に基板１１０の全面に形成されてもよい。
発光層１８０の上部には、比較的に仕事関数の低い導電性物質からなる第２電極１９０が、実質的に基板１１０の全面に形成される。ここで、第２電極１９０は、アルミニウムやマグネシウム、銀、またはこれらの合金から形成することができる。このとき、第２電極１９０は、発光層１８０からの光が透過できるよう、相対的に厚さが薄い。これとは異なって、第２電極１９０は、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）のような透明導電性物質から形成することができるが、これに制限されるものではない。
第１電極１６２と発光層１８０、および第２電極１９０は、発光ダイオードＤｅを構成する。ここで、第１電極１６２はアノードの役割をし、第２電極１９０はカソードの役割をすることができるが、これに制限されるものではない。
前述した通り、本発明の実施例に係る電界発光表示装置は、発光ダイオードＤｅの発光層１８０からの光が基板１１０とは反対方向、すなわち、第２電極１９０を介して外部へ出力されるトップエミッションタイプであり得る。かかるトップエミッションタイプは、同じ面積に対比してさらに広い発光領域を有することができるので、輝度を向上させ、消費電力を低下させることができる。
このとき、各画素領域の発光ダイオードＤｅは、放出する光の波長に応じてマイクロキャビティ効果に該当する素子の厚さを有することができる。その結果、光効率を高めることができる。
一方、第２電極１９０の上部における実質的な基板１１０の全面には、保護層および／または封止層（不図示）が形成され、外部からの水分や酸素を遮断することで、発光ダイオードＤｅを保護することができる。
＜第１実施例＞
図３は、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置の概略的な平面図であって、バンクの構成を中心に示す。
図３は、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置の概略的な平面図であって、バンクの構成を中心に示す。
図３に示すように、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置は、赤色・緑色・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを含み、第１方向に沿って赤色・緑色・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂが順次位置し、第２方向に沿って同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂが位置する。ここで、赤色・緑色・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、四角形状と示したが、これに制限されるものではなく、その角が丸みを帯びた四角形状や楕円形状など、様々な形を有することができる。
隣接した同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間、および隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間には、第１バンク１７２が位置する。これとは異なって、第１バンク１７２は、隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間において省略されてもよい。すなわち、第１バンク１７２は、第２方向に沿って隣接した副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間において、第１方向に延びて形成されてもよい。
また、第１バンク１７２は、全ての副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを取り囲むように形成されてもよい。
また、第１バンク１７２は、全ての副画素Ｒ、Ｇ、Ｂを取り囲むように形成されてもよい。
続いて、第１バンク１７２の上部には、第２バンク１７４が位置する。第２バンク１７４は、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの列に対応して開口部１７４ａを有し、隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間に位置する。このとき、隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間において、第２バンク１７４は、第１バンク１７２より幅が狭くてもよい。
一方、第２方向に沿って向かい合う第２バンク１７４の側面には、第３バンク１７６が形成される。すなわち、第３バンク１７６は、開口部１７４ａの短辺に対応する第２バンク１７４の側面に形成される。
第１および第３バンク１７２、１７６は、親水性を有し、第２バンク１７４は、疎水性を有する。ここで、第３バンク１７６は、第１バンク１７２より高い親水性を有してもよい。すなわち、第３バンク１７６は、第１バンク１７２より高い表面エネルギーを有することができる。これとは異なって、第１および第３バンク１７２、１７６は、同等の親水性を有してもよい。
かかる本発明の電界発光表示装置の断面構造について、図４および図５を参照して説明する。
図４は、図３のＩＶ‐ＩＶ’線に対応する断面図であり、図５は、図３のＶ‐Ｖ’線に対応する断面図である。
図４および図５に示すように、赤色・緑色・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応する複数の画素領域Ｐが定義された基板１１０上に、バッファー層１２０とゲート絶縁膜１３０、層間絶縁膜１４０およびオーバーコート層１５０が順次形成され、オーバーコート層１５０上の各画素領域Ｐには、第１電極１６２が形成される。
図面に示していないが、基板１１０とオーバーコート層１５０の間には、図２のような構成を有する１つ以上の薄膜トランジスタおよびキャパシタを形成することができ、１つ以上の薄膜トランジスタは、第１電極１６２に接続することができる。
第１電極１６２上には、第１バンク１７２が形成される。第１バンク１７２は、第１電極１６２の端部と重なり、第１電極１６２の端部を覆う。第１バンク１７２は、隣接した同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間および隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間に形成される。これとは異なって、第１バンク１７２は、隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間において省略され、隣接した同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間においてのみ形成されてもよい。
第１バンク１７２は、親水性を有する物質、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。これとは異なって、第１バンク１７２は、ポリイミドから形成してもよい。
また、第１バンク１７２の上部には、第２バンク１７４が形成される。第２バンク１７４は、第１バンク１７２より厚く、隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間においてのみ形成され、隣接した同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間には形成されない。隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間において、第２バンク１７４は、第１バンク１７２よりその幅が狭い。
第２バンク１７４は、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの列に対応して開口部１７４ａを有し、開口部１７４ａを介して、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの列の第１電極１６２および第１電極１６２間の第１バンク１７２を露出する。
ここで、第１バンク１７２が、隣接した異色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間において省略された場合、第２バンク１７４は、図４の第１電極１６２の端部に接触・重畳して第１電極１６２の端部を覆う。
第２バンク１７４は、疎水性を有する有機絶縁物質から形成してもよく、親水性を有する有機物質から形成した後、疎水性処理を施してもよい。
第１バンク１７６と第２バンク１７４は、ハーフトーンマスク工程により形成することができる。
第１バンク１７６と第２バンク１７４は、ハーフトーンマスク工程により形成することができる。
次に、第２バンク１７４の側面には、第３バンク１７６が形成される。このとき、第３バンク１７６は、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの列の両端部、すなわち、開口部１７４ａの短辺に形成される。
第３バンク１７６は、親水性を有する物質、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質から形成することができる。これとは異なって、第３バンク１７６は、ポリイミドから形成してもよい。
ここで、第３バンク１７６は、第１バンク１７２と異なる物質からなり、第１バンク１７２より高い親水性を有してもよい。すなわち、第３バンク１７６は、第１バンク１７２より高い表面エネルギーを有することができる。これとは異なって、第３バンク１７６は、第１バンク１７２と同じ物質からなり、第１バンク１７２と同等の親水性を有してもよい。
各画素領域Ｐの第２バンク１７４の開口部１７４ａを介して露出された第１電極１６２の上部には、発光層１８０が形成される。ここで、赤色の副画素Ｒには赤色の発光層が形成され、緑色の副画素Ｇには緑色の発光層が形成され、青色の副画素Ｂには青色の発光層が形成される。
また、隣接した同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間において、第２バンク１７４の開口部１７４ａを介して露出された第１バンク１７２の上部にも発光層１８０が形成される。すなわち、図５の隣接した青色の副画素Ｂ間において、第２バンク１７４の開口部１７４ａを介して露出された第１バンク１７２の上部にも青色の発光層１８０が形成される。このとき、第１バンク１７２の上部の発光層１８０は、隣接した画素領域Ｐにおける第１電極１６２の上部の発光層１８０と接続され、一体に形成される。
このような発光層１８０は、溶液工程により形成される。ここで、同色の副画素の列、例えば、青色の副画素Ｂの列に対応する各画素領域Ｐに、互いに異なるノズルを通して滴下した溶液が互いに繋がり、かかる溶液を乾燥させて発光層１８０を形成する。それにより、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化し、各画素領域Ｐに形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。
また、第２バンク１７４の側面の第３バンク１７６は、親水性を有するので、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの列の両端部において溶液を保持する力を増加させ、溶液が中央に集まることを防ぐことができる。それにより、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの列の両端部付近に発光層１８０が形成されないという不具合を防止することができる。
次に、発光層１８０および第２バンク１７４の上部には、第２電極１９０が形成される。このとき、第２電極１９０は、第３バンク１７６の上面および側面にも形成され、第３バンク１７６の上面および側面と接触する。
第１電極１６２と発光層１８０および第２電極１９０は、発光ダイオードＤｅを構成する。
このように、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置では、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ間における発光層１８０が互いに接続され、一体に形成されるようにすることで、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化することができ、各副画素Ｒ、Ｇ、Ｂに形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。その結果、ムラを防止し、表示装置の画質低下を防ぐことができる。
また、第２バンク１７４の側面に、親水性を有する第３バンク１７６を形成することで、溶液が中央に集まることを防ぎ、同色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの列の両端部付近に発光層１８０が形成されないという不具合を防止することができる。
かかる本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置の製造過程を、図６ａないし図６ｈを参照し、詳細に説明する。
図６ａないし図６ｈは、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置の製造過程を概略的に示す断面図である。
図６ａに示すように、赤色・緑色・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応する複数の画素領域Ｐが定義された基板１１０上に、バッファー層１２０とゲート絶縁膜１３０、層間絶縁膜１４０およびオーバーコート層１５０を、絶縁物質から順次形成する。バッファー層１２０とゲート絶縁膜１３０のそれぞれは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を実質的に基板１１０の全面に蒸着することで形成することができる。層間絶縁膜１４０は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を実質的に基板１１０の全面に蒸着することで形成してもよく、フォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質を実質的に基板１１０の全面に塗布することで形成してもよい。オーバーコート層１５０は、フォトアクリルやベンゾシクロブテンのような有機絶縁物質を実質的に基板１１０の全面に塗布することで形成することができる。
図面に示していないが、基板１１０とオーバーコート層１５０の間には、図２のような構成を有する１つ以上の薄膜トランジスタおよびキャパシタを形成することができる。
続いて、オーバーコート層１５０上の各画素領域Ｐに、導電性物質から第１電極１６２を形成する。第１電極１６２は、比較的に仕事関数の高い導電性物質を蒸着した後、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることで形成することができる。
例えば、第１電極１６２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質から形成することができるが、これに制限されるものではない。また、第１電極１６２は、透明導電性物質の下部に反射率の高い金属物質から形成される反射電極、または反射層をさらに含むことができる。例えば、反射電極または反射層は、アルミニウム・パラジウム・銅（ＡＰＣ）の合金や銀（Ａｇ）から形成することができ、第１電極１６２は、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ、またはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有することができる。
例えば、第１電極１６２は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質から形成することができるが、これに制限されるものではない。また、第１電極１６２は、透明導電性物質の下部に反射率の高い金属物質から形成される反射電極、または反射層をさらに含むことができる。例えば、反射電極または反射層は、アルミニウム・パラジウム・銅（ＡＰＣ）の合金や銀（Ａｇ）から形成することができ、第１電極１６２は、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ、またはＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層構造を有することができる。
次に、第１電極１６２の上部に、第１バンク１７２を絶縁物質から形成する。第１バンク１７２は、親水性を有する物質、一例に酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を蒸着した後、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることで形成することができる。これとは異なって、第１バンク１７２は、ポリイミドを塗布した後、パターニングすることで形成してもよい。
第１バンク１７２は、隣接した画素領域Ｐ間に位置し、第１電極１６２の端部を覆う。かかる第１バンク１７２は、同色の画素領域Ｐ間にのみ位置することができる。
続いて、第１バンク１７２の上部に、第２バンク１７４を絶縁物質から形成する。第２バンク１７４は、疎水性を有する有機絶縁物質を塗布した後、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程によりパターニングすることで形成することができる。これとは異なって、第２バンク１７４は、親水性を有する有機絶縁物質を塗布した後、フォトリソグラフィ工程によりパターニングし、疎水性処理を施すことで形成してもよい。
かかる第２バンク１７４は、隣接した異色の画素領域Ｐ間に位置し、同色の画素領域Ｐの列に対応して開口部１７４ａを有し、開口部１７４ａを介して同色の画素領域Ｐの列の第１電極１６２および第１電極１６２間の第１バンク１７２を露出する。
次に、図６ｂに示すように、フォトレジストを塗布した後、現像してフォトレジストパターン２００を形成する。
次に、図６ｂに示すように、フォトレジストを塗布した後、現像してフォトレジストパターン２００を形成する。
フォトレジストパターン２００は、開口部１７４ａ内に位置し、同色の画素領域Ｐの列の第１電極１６２および第１電極１６２間の第１バンク１７２を覆い、両端部の第２バンク１７４を露出する。また、フォトレジストパターン２００は、第２バンク１７４の下部の第１バンク１７２の上面を部分的に露出することができる。
図面に示していないが、フォトレジストパターン２００は、異色の画素領域Ｐ間における第２バンク１７４の上面および側面を覆うように形成することができる。
次に、図６ｃに示すように、第１および第２絶縁パターン１７６ａ、１７６ｂを絶縁物質から形成する。第１絶縁パターン１７６ａは、露出された第２バンク１７４の上面および側面に形成され、第２絶縁パターン１７６ｂは、フォトレジストパターン２００の上部に形成されて、第１絶縁パターン１７６ａと第２絶縁パターン１７６ｂは互いに分離することができる。ここで、第１絶縁パターン１７６ａは、部分的に露出された第１バンク１７２の上面にも形成されてもよい。
第１および第２絶縁パターン１７６ａ、１７６ｂは、親水性を有する物質、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような無機絶縁物質を蒸着することで形成することができる。これとは異なって、第１および第２絶縁パターン１７６ａ、１７６ｂは、ポリイミドから形成してもよい。
次に、図６ｄに示すように、第２バンク１７４の上面の第１絶縁パターン（図６ｃの１７６ａ）を取り除き、第２バンク１７４の側面に第３バンク１７６を形成する。
このとき、フォトレジストパターン２００の上部の第２絶縁パターン１７６ｂも部分的に、または完全に取り除いてもよい。
このとき、フォトレジストパターン２００の上部の第２絶縁パターン１７６ｂも部分的に、または完全に取り除いてもよい。
続いて、図６ｅに示すように、フォトレジストパターン（図６ｄの２００）および第２絶縁パターン１７６ｂを取り除く。このとき、リフトオフ工程によりフォトレジストパターン（図６ｄの２００）を取り除くことで、第２絶縁パターン１７６ｂを共に取り除いてもよい。それにより、開口部１７４ａ内の第１電極１６２と第１バンク１７２が露出される。
次に、図６ｆに示すように、複数のノズルを含む噴射装置（不図示）を用いて発光物質溶液を滴下することで、開口部１７４ａを介して露出された第１電極１６２および第１バンク１７２の上部に、溶液層１８０ａを形成する。
このとき、第２バンク１７４は疎水性を有するので、溶液層１８０ａが第２バンク１７４の上面まで塗布されても隣接した異色の画素領域Ｐへ溶液層１８０ａが溢れ出すことを防止することができる。
また、第３バンク１７６は親水性を有するので、開口部１７４ａの両端部において第３バンク１７６が溶液層１８０ａを保持し、溶液が中央に集まることを防止することができる。
次に、図６ｇに示すように、溶液層（図６ｆの１８０ａ）を乾燥させ、開口部１７４ａ内の第１電極１６２の上部に発光層１８０を形成する。このとき、真空乾燥工程を行うことで、溶液層（図６ｆの１８０ａ）内の溶媒を蒸発させることができる。溶液が乾燥する際、第２バンク１７４と隣接した部分における溶媒の乾燥速度は、他の部分と異なるため、第３バンク１７６と隣接した部分における発光層１８０は、第３バンク１７６に近づくほどその高さが高くなり得る。
ここで、発光層１８０は、開口部１７４ａ内の第１バンク１７２の上部にも形成される。第１バンク１７２の上部の発光層１８０は、隣接した画素領域Ｐにおける第１電極１６２の上部の発光層１８０と接続され、一体に形成される。
次に、図６ｈに示すように、発光層１８０の上部に、比較的に仕事関数の低い導電性物質をスパッタリングなどの方法で蒸着し、実質的に基板１１０の全面に第２電極１９０を形成する。第２電極１９０は、アルミニウムやマグネシウム、銀、またはこれらの合金から形成することができる。このとき、第２電極１９０は、発光層１８０からの光が透過できるよう、相対的に厚さが薄い。これとは異なって、第２電極１９０は、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）のような透明導電性物質から形成することができるが、これに制限されるものではない。
このように、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置では、溶液工程により発光層１８０を形成することで、大面積および高解像度を有する表示装置を具現化することができる。
さらに、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置では、同色の画素領域Ｐ間における発光層１８０が互いに接続され、一体に形成されるようにすることで、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化することができ、各画素領域Ｐに形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。その結果、ムラを防止し、表示装置の画質低下を防ぐことができる。
また、開口部１７４ａの短辺に対応する第２バンク１７４の側面に、親水性の第３バンク１７６を形成することで、溶液が中央に集まることを防ぎ、発光層１８０の形成不具合を防止することができる。
＜第２実施例＞
図７は、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、第１実施例とは第３バンクの構造の面で異なる。同一部分には同一符号を付与し、これに対する説明は省略したり簡略化したりする。
図７は、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、第１実施例とは第３バンクの構造の面で異なる。同一部分には同一符号を付与し、これに対する説明は省略したり簡略化したりする。
図７に示すように、赤色・緑色・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応する複数の画素領域Ｐが定義された基板１１０上に、オーバーコート層１５０が形成され、オーバーコート層１５０上の各画素領域Ｐには、第１電極１６２が形成される。
第１電極１６２上には、親水性を有する第１バンク１７２が形成される。第１バンク１７２は、第１電極１６２の端部と重なり、第１電極１６２の端部を覆う。第１バンク１７２は、隣接した同色の画素領域Ｐ間に形成される。また、第１バンク１７２は、隣接した異色の画素領域Ｐ間にも形成されてもよい。
第１バンク１７２の上部には、疎水性を有する第２バンク１７４が形成される。第２バンク１７４は、同色の画素領域Ｐの列に対応して開口部１７４ａを有し、開口部１７４ａを介して、同色の画素領域Ｐの列の第１電極１６２および第１電極１６２間の第１バンク１７２を露出する。また、第２バンク１７４は、隣接した異色の画素領域Ｐ間に形成される。
第２バンク１７４の側面には、親水性を有する第３バンク２７６が形成される。このとき、第３バンク２７６は、同色の画素領域Ｐの列の両端部、すなわち、開口部１７４ａの短辺に対応して形成される。ここで、第３バンク２７６は、第２バンク１７４の上面にも形成される。一方、第３バンク２７６は、隣接した異色の画素領域Ｐ間に位置する第２バンク１７４の上面には形成されない。
各画素領域Ｐの第２バンク１７４の開口部１７４ａを介して露出された第１電極１６２の上部には、溶液工程により発光層１８０が形成される。また、第２バンク１７４の開口部１７４ａを介して露出された第１バンク１７２の上部にも発光層１８０が形成され、第１バンク１７２の上部の発光層１８０は、隣接した画素領域Ｐにおける第１電極１６２の上部の発光層１８０と接続され、一体に形成される。
次に、発光層１８０の上部には、第２電極１９０が形成される。このとき、第２電極１９０は、第３バンク２７６の上面および側面にも形成され、第３バンク２７６の上面および側面と接触する。また、第２電極１９０は、隣接した異色の画素領域Ｐ間に形成される第２バンク１７４の上面および側面にも形成される。
このように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置では、同色の画素領域Ｐ間における発光層１８０が互いに接続され、一体に形成されるようにすることで、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化することができ、各画素領域Ｐに形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。その結果、ムラを防止し、表示装置の画質低下を防ぐことができる。
また、第２バンク１７４の側面に、親水性を有する第３バンク２７６を形成することで、溶液が中央に集まることを防ぎ、同色の画素領域Ｐの列の両端部付近に発光層１８０が形成されないという不具合を防止することができる。
さらに、第２実施例に係る電界発光表示装置は、第１実施例に比べて第３バンク２７６の形成が容易であり、工程が簡単であるというメリットを有する。
このとき、第２実施例に係る電界発光表示装置では、図６ｂのようにフォトレジストパターン２００を形成し、図６ｃのように第１および第２絶縁パターン１７６ａ、１７６ｂを形成した後、フォトレジストパターン２００および第２絶縁パターン１７６ｂを取り除くことで、第１絶縁パターン１７６ａからなる第３バンク２７６を形成することができる。
＜第３実施例＞
図８は、本発明の第３実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、第１実施例とは第３バンクの構造の面で異なる。同一部分には同一符号を付与し、これに対する説明は省略したり簡略化したりする。
図８は、本発明の第３実施例に係る電界発光表示装置の概略的な断面図であって、第１実施例とは第３バンクの構造の面で異なる。同一部分には同一符号を付与し、これに対する説明は省略したり簡略化したりする。
図８に示すように、赤色・緑色・青色の副画素Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応する複数の画素領域Ｐが定義された基板１１０上に、オーバーコート層１５０が形成され、オーバーコート層１５０上の各画素領域Ｐには、第１電極１６２が形成される。
第１電極１６２上には、親水性を有する第１バンク１７２が形成される。第１バンク１７２は、第１電極１６２の端部と重なり、第１電極１６２の端部を覆う。第１バンク１７２は、隣接した同色の画素領域Ｐ間に形成される。また、第１バンク１７２は、隣接した異色の画素領域Ｐ間にも形成されてもよい。
第１バンク１７２の上部には、疎水性を有する第２バンク１７４が形成される。第２バンク１７４は、同色の画素領域Ｐの列に対応して開口部１７４ａを有し、開口部１７４ａを介して、同色の画素領域Ｐの列の第１電極１６２および第１電極１６２間の第１バンク１７２を露出する。また、第２バンク１７４は、隣接した異色の画素領域Ｐ間に形成される。
第２バンク１７４の側面には、親水性を有する第３バンク３７６が形成される。このとき、第３バンク３７６は、同色の画素領域Ｐの列の両端部、すなわち、開口部１７４ａの短辺に対応して形成される。ここで、第３バンク３７６は、第２バンク１７４の上面にも部分的に形成され、第２バンク１７４の上面を露出する。一方、第３バンク３７６は、隣接した異色の画素領域Ｐ間に位置する第２バンク１７４の上面には形成されない。
各画素領域Ｐの第２バンク１７４の開口部１７４ａを介して露出された第１電極１６２の上部には、溶液工程により発光層１８０が形成される。また、第２バンク１７４の開口部１７４ａを介して露出された第１バンク１７２の上部にも発光層１８０が形成され、第１バンク１７２の上部の発光層１８０は、隣接した画素領域Ｐにおける第１電極１６２の上部の発光層１８０と接続され、一体に形成される。
次に、発光層１８０および第２バンク１７４の上部には、第２電極１９０が形成される。このとき、第２電極１９０は、第３バンク３７６の上面および側面にも形成され、第３バンク３７６の上面および側面と接触する。また、第２電極１９０は、隣接した異色の画素領域Ｐ間に形成される第２バンク１７４の上面および側面にも形成される。
このように、本発明の第３実施例に係る電界発光表示装置では、同色の画素領域Ｐ間における発光層１８０が互いに接続され、一体に形成されるようにすることで、ノズル間における滴下量のばらつきを最小化することができ、各画素領域Ｐに形成される薄膜の厚さを均一にすることができる。その結果、ムラを防止し、表示装置の画質低下を防ぐことができる。
また、第２バンク１７４の側面に、親水性を有する第３バンク３７６を形成することで、溶液が中央に集まることを防ぎ、同色の画素領域Ｐの列の両端部付近に発光層１８０が形成されないという不具合を防止することができる。
さらに、第３実施例に係る電界発光表示装置は、第１実施例に比べて第３バンク３７６の形成が容易であり、工程が簡単である。また、疎水性を有する第２バンク１７４が露出されているので、第２実施例に比べて隣接した異色の画素領域Ｐへ溶液が溢れ出すことを防止することができる。
以上、本発明の好適な実施例を参照して説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲において、本発明を種々に修正および変更できることを理解できるであろう。
Ｒ、Ｇ、Ｂ…赤色・緑色・青色の副画素、１１０…基板、１５０…オーバーコート層、１６２…第１電極、１７２…第１バンク、１７４…第２バンク、１７４ａ…開口部、１７６、２７６、３７６…第３バンク、１８０…発光層、１９０…第２電極、Ｄｅ…発光ダイオード
Claims (14)
- 第１方向に沿って配列された異色の複数の副画素と、第２方向に沿って配列された同色の複数の副画素とを含む、基板の上に配列された複数の副画素と、
前記複数の副画素のそれぞれに位置し、第１電極、発光層、および第２電極を含む発光ダイオードと、
前記第２方向に沿って隣接した副画素間に形成され、前記第１電極の端部と重なる第１バンクと、
前記第２方向に沿って配列された副画素の列に対応して開口部を有し、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される第２バンクと、
前記開口部に対応し、前記第２方向に沿って向かい合う前記第２バンクの側面に形成される第３バンクと、
を備える電界発光表示装置。 - 前記第１バンクおよび前記第３バンクは、親水性を有し、前記第２バンクは、疎水性を有する、請求項１に記載の電界発光表示装置。
- 前記第３バンクは、前記第１バンクより高い表面エネルギーを有する、請求項２に記載の電界発光表示装置。
- 前記第３バンクは、前記第２バンクの上面に部分的に形成される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
- 前記第１バンクは、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される部分を含む、請求項１に記載の電界発光表示装置。
- 前記第１方向に沿って隣接した副画素間に形成される前記第１バンクの部分は、前記第２バンクの下部に形成される、請求項５に記載の電界発光表示装置。
- 前記発光層は、前記第２方向に沿って配列された副画素の前記第１電極の上部、および前記第２方向に沿って隣接した副画素間の前記第１バンクの上部に形成され、一体に構成される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
- 前記発光層は、前記第２バンクの前記開口部の中央部より前記開口部の端部でさらに高い高さを有する、請求項１に記載の電界発光表示装置。
- 前記第１バンクと前記第２バンクは、ハーフトーンマスク工程により形成される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
- 前記発光層は、溶液工程により形成される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
- 第１方向に沿って配列された異色の複数の副画素と、第２方向に沿って配列された同色の複数の副画素とを含む複数の副画素が定義された基板の上の各副画素に第１電極を形成する段階と、
前記第２方向に沿って隣接した副画素間に、前記第１電極の端部と重なる第１バンクを形成する段階と、
前記第１バンクの上部において、前記第１方向に沿って隣接した副画素間に、前記第２方向に沿って配列された副画素の列に対応した開口部を有した第２バンクを形成する段階と、
前記開口部に対応し、前記第１電極および前記第１バンクを覆いながら前記第２バンクを露出するフォトレジストパターンを形成する段階と、
露出された前記第２バンクの上面および側面に第１絶縁パターンを形成し、前記フォトレジストパターンの上部に第２絶縁パターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンおよび前記第２絶縁パターンを取り除いて、前記第２バンクの側面に第３バンクを形成する段階と、
前記開口部内に前記第３バンクと接触する溶液層を形成する段階と、
前記溶液層を乾燥させて発光層を形成する段階と、
前記発光層の上部に第２電極を形成する段階と、
を含む、電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第３バンクを形成する段階の前に、前記第２バンクの上面の前記第１絶縁パターンを選択的に取り除く段階をさらに含む、請求項１１に記載の電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第１バンクおよび前記第３バンクは、親水性を有し、前記第２バンクは、疎水性を有する、請求項１１または請求項１２に記載の電界発光表示装置の製造方法。
- 前記第３バンクは、前記第１バンクより高い表面エネルギーを有する、請求項１３に記載の電界発光表示装置の製造方法。
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