KR20210083679A - 전계발광 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 전계발광 표시장치는, 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역의 외측에 위치하는 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상의 상기 표시영역에 제1 및 제2 방향을 따라 위치하는 다수의 부화소와; 상기 다수의 부화소 각각에 위치하며, 제1 전극과 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광다이오드와; 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되고, 상기 제1 전극의 가장자리와 중첩하는 제1 뱅크와; 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소 열에 열에 대응하고 상기 비표시영역까지 연장된 개구부를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되는 제2 뱅크를 포함하고, 상기 발광층은 상기 개구부에 대응하여 제1 정공보조층과 발광물질층 및 전자보조층을 포함하며, 상기 제1 정공보조층은 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 이격된다.
이에 따라, 용액 공정으로 발광층 형성 시, 노즐 간 편차를 최소화하고, 표시영역에서 발광층의 두께를 균일하게 할 수 있다.

Description

전계발광 표시장치{Electroluminescent Display Device}
본 발명은 전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히, 대면적 및 고해상도를 갖는 전계발광 표시장치에 관한 것이다.
평판표시장치 중 하나인 전계발광 표시장치(Electroluminescent Display Device)는 자체 발광형이기 때문에 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)에 비해 시야각 등이 우수하며, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 및 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.
또한, 전계발광 표시장치는 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며, 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.
전계발광 표시장치는 적, 녹, 청색 부화소로 구성된 다수의 화소를 포함하며, 적, 녹, 청색 부화소를 선택적으로 발광시켜 다양한 컬러 영상을 표시한다.
적, 녹, 청색 부화소는 각각 적, 녹, 청색 발광층을 포함하며, 일반적으로 각 발광층은 미세 금속 마스크(fine metal mask)를 이용하여 발광물질을 선택적으로 증착하는 진공 열 증착(vacuum thermal evaporation) 공정을 통해 형성된다.
그러나, 이러한 증착 공정은 마스크 구비 등에 의해 제조 비용을 증가시키며, 마스크의 제작 편차와, 처짐, 쉐도우 효과(shadow effect) 등에 의해 대면적 및 고해상도 표시장치에 적용하기 어려운 문제가 있다.
본 발명은, 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 대면적 및 고해상도를 갖는 전계발광 표시장치를 제공하고자 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 전계발광 표시장치는, 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역의 외측에 위치하는 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상의 상기 표시영역에 제1 및 제2 방향을 따라 위치하는 다수의 부화소와; 상기 다수의 부화소 각각에 위치하며, 제1 전극과 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광다이오드와; 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되고, 상기 제1 전극의 가장자리와 중첩하는 제1 뱅크와; 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소 열에 열에 대응하고 상기 비표시영역까지 연장된 개구부를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되는 제2 뱅크를 포함하고, 상기 발광층은 상기 개구부에 대응하여 제1 정공보조층과 발광물질층 및 전자보조층을 포함하며, 상기 제1 정공보조층은 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 이격된다.
상기 발광물질층 및 상기 전자보조층은 상기 비표시영역까지 연장되며, 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 접촉한다.
상기 발광층은 상기 제1 정공보조층과 상기 발광물질층 사이에 제2 정공보조층을 더 포함하고, 상기 제2 정공보조층은 상기 비표시영역까지 연장되며, 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 접촉한다.
상기 제2 정공보조층은 상기 제1 정공보조층의 측면과 접촉한다.
상기 제2 정공보조층은 상기 비표시영역에서 상기 제1 뱅크와 접촉한다.
상기 비표시영역에서 상기 제2 정공 보조층의 최소 두께는 상기 표시영역에서 상기 제2 정공보조층의 최대 두께보다 두껍다.
상기 제1 뱅크는 친수성 특성을 가지며, 상기 제2 뱅크는 소수성 특성을 가진다.
상기 제1 뱅크와 상기 제2 뱅크는 일체로 이루어진다.
상기 발광층은 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소의 상기 제1 전극 상부 및 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이의 상기 제1 뱅크 상부에 형성되고 일체로 이루어진다.
상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 적어도 하나의 박막트랜지스터와 연결된다.
본 발명은 전계발광 표시장치의 제조 방법은, 영상을 표시하며 제1 및 제2 방향을 따라 위치하는 다수의 부화소를 포함하는 표시영역과 상기 표시영역의 외측에 위치하는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상부의 각 부화소에 제1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이에, 상기 제1 전극의 가장자리와 중첩하는 제1 뱅크를 형성하는 단계와; 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소 열에 대응하고 상기 비표시영역까지 연장된 개구부를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 제2 뱅크를 형성하는 단계와; 상기 개구부에 대응하는 상기 제1 전극 상부에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 발광층을 형성하는 단계는, 제1 정공보조층을 형성하는 단계와, 발광물질층을 형성하는 단계 및 전자보조층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 정공보조층은 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 이격된다.
상기 제1 정공보조층을 형성하는 단계는 상기 비표시영역에 대응하는 상기 제1 정공보조층을 제거하는 단계를 포함한다.
상기 발광층을 형성하는 단계는, 상기 제1 정공보조층을 형성하는 단계와 상기 발광물질층을 형성하는 단계 사이에 제2 정공보조층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 정공보조층은 상기 비표시영역까지 연장되며, 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 접촉한다.
본 발명에서는, 각 부화소의 발광층을 용액 공정에 의해 형성함으로써, 미세 금속 마스크를 생략하여 제조 비용을 줄일 수 있으며, 대면적 및 고해상도를 갖는 표시장치를 구현할 수 있다.
또한, 동일 색의 부화소 간의 발광층이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화할 수 있으며, 각 부화소에 형성되는 발광층의 두께를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 얼룩(mura)을 방지하여 표시장치의 화질 저하를 막을 수 있다.
게다가, 비표시영역에서 발광층의 제1 정공보조층을 제거함으로써, 표시영역 내에서 발광층의 두께를 균일하게 할 수 있으며, 균일한 발광 이미지를 확보하고 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 하나의 화소영역을 나타내는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 5는 도 3의 II-II'선에 대응하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 위치에 대한 발광층 두께를 도시한 그래프이다.
도 7a 내지 7j는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 제조 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 다수의 화소(pixel)를 포함하고, 각 화소는 적, 녹, 청색 부화소(sub pixels)를 포함하며, 각 부화소에 해당하는 화소영역은 도 1과 같은 구성을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 하나의 화소영역을 나타내는 회로도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 전계발광 표시장치는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)을 포함하고, 각 화소영역(P)에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 발광다이오드(De)가 형성된다.
보다 상세하게, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 게이트 전극은 게이트 배선(GL)에 연결되고 소스 전극은 데이터 배선(DL)에 연결된다. 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극은 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 드레인 전극에 연결되고, 소스 전극은 고전위 전압(VDD)에 연결된다. 발광다이오드(De)의 애노드(anode)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 드레인 전극에 연결되고, 캐소드(cathode)는 저전위 전압(VSS)에 연결된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 드레인 전극에 연결된다.
이러한 전계발광 표시장치의 영상표시 동작을 살펴보면, 게이트 배선(GL)을 통해 인가된 게이트 신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되고, 이때, 데이터 배선(DL)으로 인가된 데이터 신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다.
구동 박막트랜지스터(Td)는 데이터 신호에 따라 턴-온 되어 발광다이오드(De)를 흐르는 전류를 제어하여 영상을 표시한다. 발광다이오드(De)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 전달되는 고전위 전압(VDD)의 전류에 의하여 발광한다.
즉, 발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양은 데이터 신호의 크기에 비례하고, 발광다이오드(De)가 방출하는 빛의 세기는 발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양에 비례하므로, 화소영역(P)은 데이터 신호의 크기에 따라 상이한 계조를 표시하고, 그 결과 전계발광 표시장치는 영상을 표시한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호에 대응되는 전하를 일 프레임(frame) 동안 유지하여 발광다이오드(De)를 흐르는 전류의 양을 일정하게 하고 발광다이오드(De)가 표시하는 계조를 일정하게 유지시키는 역할을 한다.
한편, 화소영역(P)에는 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(Ts, Td)와 스토리지 커패시터(Cst) 외에 다른 박막트랜지스터와 커패시터가 더 추가될 수도 있다.
즉, 전계발광 표시장치에서는, 데이터 신호가 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트 전극에 인가되어, 발광다이오드(De)가 발광하여 계조를 표시하는 상대적으로 긴 시간 동안 구동 박막트랜지스터(Td)가 턴-온 된 상태를 유지하는데, 이러한 데이터 신호의 장시간 인가에 의하여 구동 박막트랜지스터(Td)는 열화(deterioration)될 수 있다. 이에 따라, 구동 박막트랜지스터(Td)의 이동도(mobility) 및/또는 문턱전압(threshold voltage: Vth)이 변하게 되며, 전계발광 표시장치의 화소영역(P)은 동일한 데이터 신호에 대하여 상이한 계조를 표시하게 되고, 휘도 불균일이 나타나 전계발광 표시장치의 화질이 저하된다.
따라서, 이러한 구동 박막트랜지스터(Td)의 이동도 및/또는 문턱전압의 변화를 보상하기 위해, 각 화소영역(P)에는 전압 변화를 감지하기 위한 적어도 하나의 센싱 박막트랜지스터 및/또는 커패시터가 더 추가될 수 있으며, 센싱 박막트랜지스터 및/또는 커패시터는 기준 전압을 인가하고 센싱전압을 출력하기 위한 기준 배선과 연결될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 단면도로, 하나의 화소영역을 도시한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 기판(110) 상부에 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 차광패턴(112)이 형성된다. 기판(110)은 유리기판이나 플라스틱기판일 수 있다. 일례로, 플라스틱 기판으로 폴리이미드가 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
또한, 차광패턴(112)은 알루미늄(Al)이나 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 단일층 또는 다중층 구조일 수 있다. 일례로, 차광 패턴(112)은 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)의 하부층과 구리(Cu)의 상부층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있으며, 상부층의 두께가 하부층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
차광패턴(112) 상부에는 절연물질로 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 실질적으로 기판(110) 전면에 위치한다. 버퍼층(120)은 산화실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기물질로 형성될 수 있으며, 단일층 또는 다중층 구조를 가질 수 있다.
버퍼층(120) 상부에는 패터닝된 반도체층(122)이 형성된다. 반도체층(122)은 차광패턴(112)과 중첩하여 위치한다. 이러한 반도체층(122)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 차광패턴(112)은 반도체층(122)으로 입사되는 빛을 차단하여 반도체층(122)이 빛에 의해 열화되는 것을 방지한다.
이와 달리, 반도체층(122)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있으며, 이 경우, 반도체층(122)의 양 가장자리에 불순물이 도핑되어 있을 수 있다. 또한, 차광패턴(112)은 생략될 수도 있다.
반도체층(122) 상부에는 절연물질로 이루어진 게이트 절연막(130)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 이때, 반도체층(122)이 산화물 반도체 물질로 이루어질 경우, 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)으로 형성될 수 있다. 이와 달리, 반도체층(122)이 다결정 실리콘으로 이루어질 경우, 게이트 절연막(130)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(130) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 게이트 전극(132)이 반도체층(122)의 중앙에 대응하여 형성된다. 게이트 전극(132)은 알루미늄(Al)이나 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 단일층 또는 다중층 구조일 수 있다. 일례로, 게이트 전극(132)은 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)의 하부층과 구리(Cu)의 상부층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있으며, 상부층의 두께가 하부층의 두께보다 두꺼울 수 있다.
또한, 게이트 절연막(130) 상부에는 게이트 전극(132)과 동일 공정을 통해 게이트 배선(도시하지 않음)과 제1 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 게이트 배선은 제1 방향을 따라 연장되고, 제1 커패시터 전극은 게이트 전극(132)에 연결된다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 게이트 절연막(130)이 기판(110) 전면에 형성되어 있으나, 게이트 절연막(130)은 게이트 전극(132)과 동일한 모양으로 패턴될 수도 있다.
게이트 전극(132) 상부에는 절연물질로 이루어진 층간 절연막(140)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 층간 절연막(140)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성되거나, 포토 아크릴(photo acryl)이나 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다.
층간 절연막(140)은 반도체층(122)의 양측 상면을 노출하는 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 가진다. 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트 전극(132)의 양측에 게이트 전극(132)과 이격되어 위치한다. 여기서, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 게이트 절연막(130) 내에도 형성된다. 이와 달리, 게이트 절연막(130)이 게이트 전극(132)과 동일한 모양으로 패턴될 경우, 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)은 층간 절연막(140) 내에만 형성된다.
층간 절연막(140) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 소스 및 드레인 전극(142, 144)이 형성된다. 소스 및 드레인 전극(142, 144)은 알루미늄(Al)이나 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 단일층 또는 다중층 구조일 수 있다. 일례로, 소스 및 드레인 전극(142, 144)은 몰리브덴-티타늄 합금(MoTi)의 하부층과 구리(Cu)의 상부층을 포함하는 이중층 구조를 가질 수 있으며, 상부층의 두께가 하부층의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이와 달리, 소스 및 드레인 전극(142, 144)은 삼중층 구조를 가질 수도 있다.
또한, 층간 절연막(140) 상부에는 소스 및 드레인 전극(142, 144)과 동일 공정을 통해 제2 방향을 따라 연장되는 데이터 배선(도시하지 않음)과 전원 배선(도시하지 않음) 및 제2 커패시터 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다.
소스 및 드레인 전극(142, 144)은 게이트 전극(132)을 중심으로 이격되어 위치하며, 각각 제1 및 제2 컨택홀(140a, 140b)을 통해 반도체층(122)의 양측과 접촉한다. 도시하지 않았지만, 데이터 배선은 제2 방향을 따라 연장되고 게이트 배선과 교차하여 각 화소영역을 정의하며, 고전위 전압을 공급하는 전원 배선은 데이터 배선과 이격되어 위치한다. 제2 커패시터 전극은 드레인 전극(144)과 연결되고, 제1 커패시터 전극과 중첩하여 둘 사이의 층간 절연막(140)을 유전체로 스토리지 커패시터를 이룬다. 이와 달리, 제1 커패시터 전극이 드레인 전극(144)과 연결되고, 제2 커패시터 전극이 게이트 전극(132)과 연결될 수도 있다.
한편, 반도체층(122)과, 게이트 전극(132), 그리고 소스 및 드레인 전극(142, 144)은 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다. 여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층(122)의 일측, 즉, 반도체층(122)의 상부에 게이트 전극(132)과 소스 및 드레인 전극(142, 144)이 위치하는 코플라나(coplanar) 구조를 가진다.
이와 달리, 박막트랜지스터(Tr)는 반도체층의 하부에 게이트 전극이 위치하고 반도체층의 상부에 소스 및 드레인 전극이 위치하는 역 스태거드(inverted staggered) 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 반도체층은 산화물 반도체 물질 또는 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 구동 박막트랜지스터(도 1의 Td)에 해당하며, 구동 박막트랜지스터(Tr)와 동일한 구조의 스위칭 박막트랜지스터(도시하지 않음)가 각 화소영역의 기판(110) 상에 더 형성된다. 구동 박막트랜지스터(Tr)의 게이트 전극(132)은 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극(도시하지 않음)에 연결되고 구동 박막트랜지스터(Tr)의 소스 전극(142)은 전원 배선(도시하지 않음)에 연결된다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극(도시하지 않음)과 소스 전극(도시하지 않음)은 게이트 배선 및 데이터 배선과 각각 연결된다.
또한, 구동 박막트랜지스터(Tr)와 동일한 구조의 센싱 박막트랜지스터가 각 화소영역의 기판(110) 상에 더 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
소스 및 드레인 전극(142, 144) 상부에는 절연물질로 패시베이션층(150)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 패시베이션층(150)은 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다.
패시베이션층(150) 상부에는 절연물질로 오버코트층(155)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 오버코트층(155)은 포토 아크릴이나 벤조사이클로부텐과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다. 이러한 오버코트층(155)의 상면은 평탄할 수 있다.
오버코트층(155)은 패시베이션층(150)과 함께 드레인 전극(144)을 노출하는 드레인 컨택홀(155a)을 가진다. 여기서, 드레인 컨택홀(155a)은 제2 컨택홀(140b)과 이격되어 형성될 수 있다. 이와 달리, 드레인 컨택홀(155a)은 제2 컨택홀(140b) 바로 위에 형성될 수도 있다.
오버코트층(155) 상부에는 비교적 일함수가 높은 도전성 물질로 제1 전극(162)이 형성된다. 제1 전극(162)은 각 화소영역마다 형성되고, 드레인 컨택홀(155a)을 통해 드레인 전극(144)과 접촉한다. 일례로, 제1 전극(162)은 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium zinc oxide: IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 발광다이오드의 빛이 기판(110)과 반대 방향으로 출력되는 상부 발광 방식(top emission type)일 수 있으며, 이에 따라, 제1 전극(162)은 투명 도전성 물질 하부에 반사율이 높은 금속 물질로 형성되는 반사전극 또는 반사층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사전극 또는 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-palladium-copper: APC) 합금이나 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 전극(162)은 ITO/APC/ITO나 ITO/Ag/ITO 또는 ITO/Al/ITO의 3중층 구조를 가질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
제1 전극(162) 상부에는 절연물질로 뱅크(172, 174)가 형성된다. 뱅크(172, 174)는 친수성의 제1 뱅크(172)와 소수성의 제2 뱅크(174)를 포함할 수 있다.
보다 상세하게, 제1 뱅크(172)는 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩하고, 제1 전극(162)의 가장자리를 덮으며, 제1 전극(162)의 중앙부를 노출한다. 이러한 제1 뱅크(172)는 친수성 특성을 갖는 물질, 일례로, 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 폴리이미드로 형성될 수도 있다.
제1 뱅크(172) 상부에는 제2 뱅크(174)가 형성된다. 이때, 제2 뱅크(174)의 적어도 상면은 소수성이며, 제2 뱅크(174)의 측면은 소수성 또는 친수성일 수 있다.
제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 좁은 폭을 가지고 제1 뱅크(172) 상부에 위치하며, 제1 뱅크(172)의 가장자리를 노출한다. 제2 뱅크(174)의 두께는 제1 뱅크(172)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 제2 뱅크(174)는 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩할 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 제1 전극(162)과 중첩하지 않고 이격될 수도 있다.
이러한 제2 뱅크(174)는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 친수성 특성을 갖는 유기절연물질로 형성되고 소수성 처리될 수도 있다.
여기서, 도시하지 않은 제1 전극(162)의 다른 가장자리 상부에는 제1 뱅크(172)만이 위치할 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 제1 전극(162)의 가장자리 상부에 제1 뱅크(172)와 제2 뱅크(174)가 형성되어 있으나, 제1 뱅크(172)가 생략되고 제2 뱅크(174)만이 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩하며 제1 전극(162)의 가장자리를 덮을 수 있다.
도 2에서는 제1 뱅크(172)와 제2 뱅크(174)가 다른 물질로 분리되어 형성되어 있으나, 친수성의 제1 뱅크(172)와 소수성의 제2 뱅크(174)는 동일 물질로 이루어지고, 일체로 형성될 수도 있다. 일례로, 상면이 소수성인 유기물층을 기판(110) 전면에 형성한 다음, 투과부와 차단부 및 반투과부를 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 이를 패터닝함으로써, 서로 다른 폭과 두께를 갖는 제1 뱅크(172)와 제2 뱅크(174)를 형성할 수도 있다.
한편, 드레인 컨택홀(155a)은 제1 및 제2 뱅크(172, 174)와 이격되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이와 달리, 드레인 컨택홀(155a)은 제1 및 제2 뱅크(172, 174) 하부에 위치할 수도 있다.
다음, 제1 및 제2 뱅크(172, 174)를 통해 노출된 제1 전극(162) 상부에는 발광층(180)이 형성된다.
도시하지 않았지만, 발광층(180)은 제1 전극(162) 상부로부터 순차적으로 위치하는 제1 전하보조층과, 발광물질층(light-emitting material layer), 그리고 제2 전하보조층을 포함할 수 있다. 발광물질층은 적, 녹, 청색 발광물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 이러한 발광물질은 인광화합물 또는 형광화합물과 같은 유기발광물질이거나 양자 점(quantum dot)과 같은 무기발광물질일 수 있다.
제1 전하보조층은 정공보조층(hole auxiliary layer)일 수 있으며, 정공보조층은 정공주입층(hole injection layer: HIL)과 정공수송층(hole transport layer: HTL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 전하보조층은 전자보조층(electron auxiliary layer)일 수 있으며, 전자보조층은 전자주입층(electron injection layer: EIL)과 전자수송층(electron transport layer: ETL) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
이러한 발광층(180)은 용액 공정(solution process)을 통해 형성된다. 이에 따라, 공정을 단순화하고 대면적 및 고해상도의 표시장치를 제공할 수 있다. 용액 공정으로는 스핀 코팅법이나 잉크젯 프린팅법 또는 스크린 프린팅법이 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
여기서, 용액이 건조될 때, 제2 뱅크(174)에 인접한 부분과 다른 부분에서는 용매의 증발 속도에 차이가 있다. 즉, 제2 뱅크(174) 근처에서 용매의 증발 속도가 다른 부분에서보다 빠르며, 이에 따라, 제2 뱅크(174) 근처에서 발광층(180)은 제2 뱅크(174)에 가까워질수록 그 높이가 높아진다.
한편, 발광층(180) 중에서, 전자보조층은 증착 공정을 통해 형성될 수도 있다. 이때, 전자보조층은 실질적으로 기판(110) 전면에 형성될 수 있다.
발광층(180) 상부에는 비교적 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어진 제2 전극(190)이 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 여기서, 제2 전극(190)은 알루미늄(aluminum)이나 마그네슘(magnesium), 은(silver) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극(190)은 발광층(180)으로부터의 빛이 투과될 수 있도록 상대적으로 얇은 두께를 가진다. 이와 달리, 제2 전극(190)은 인듐-갈륨-옥사이드(indium-gallium-oxide: IGO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
제1 전극(162)과 발광층(180) 및 제2 전극(190)은 발광다이오드(De)를 이룬다. 여기서, 제1 전극(162)은 애노드(anode)의 역할을 하고, 제2 전극(190)은 캐소드(cathode)의 역할을 할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 발광다이오드(De)의 발광층(180)으로부터의 빛이 기판(110)과 반대 방향, 즉, 제2 전극(190)을 통해 외부로 출력되는 상부 발광 방식일 수 있으며, 이러한 상부 발광 방식은 동일 면적의 하부 발광 방식 대비 보다 넓은 발광영역을 가질 수 있으므로, 휘도를 향상시키고 소비 전력을 낮출 수 있다.
이때, 각 화소영역의 발광다이오드(De)는 방출하는 빛의 파장에 따라 마이크로 캐비티 효과에 해당하는 소자 두께를 가질 수 있으며, 이에 따라, 광 효율을 높일 수 있다. 여기서, 소자 두께는 제1 전극(162)과 제2 전극(190) 사이의 거리로 정의될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
또한, 제2 전극(190) 상부의 실질적으로 기판(110) 전면에는 보호층 및/또는 봉지층(도시하지 않음)이 형성되어, 외부에서 유입되는 수분이나 산소를 차단함으로써 발광다이오드(De)를 보호할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는 발광층(180)을 용액 공정에 의해 형성함으로써, 미세 금속 마스크를 생략하여 제조 비용을 줄일 수 있으며, 대면적 및 고해상도를 갖는 표시장치를 구현할 수 있다.
그런데, 용액 공정을 이용하여 발광층(180)을 형성하는 경우, 한 번에 다수의 부화소 각각에 용액이 적하(drop)되며, 이를 위해 각 부화소에는 서로 다른 노즐이 사용된다. 이때, 노즐 간의 적하량 편차에 따라 각 부화소에 형성되는 박막 두께의 편차가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 동일 색의 부화소 간의 발광층(180)이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화하며, 각 부화소에 형성되는 박막 두께를 균일하게 한다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 구성에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 개략적인 평면도로, 뱅크 구성을 중심으로 도시한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 영상을 표시하는 표시영역(DA)과 표시영역(DA)의 외측에 위치하는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 여기서, 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 상하에만 위치하는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 이와 달리, 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 좌우에도 위치할 수 있다.
표시영역(DA)에는 다수의 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)가 위치한다. 이때, 제1 방향을 따라 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)가 순차적으로 위치하며, 제1 방향에 수직한 제2 방향을 따라 동일 색의 부화소(R, G, B)가 위치한다. 여기서, 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)는 사각형 형태를 가지는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않으며, 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)는 모서리가 곡선형태의 사각형이나 타원형 등 다양한 모양을 가질 수 있다.
표시영역(DA)에서 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이 및 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에는 친수성의 제1 뱅크(172)가 위치한다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략되어 있을 수 있다. 즉, 제1 뱅크(172)는 제2 방향을 따라 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에 위치하며 제1 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
또한, 제1 뱅크(172)는 비표시영역(NDA)에도 위치하며, 모든 부화소(R, G, B)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
이어, 제1 뱅크(172) 상부에는 소수성의 제2 뱅크(174)가 위치한다. 표시영역(DA)에서 제2 뱅크(174)는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열에 대응하여 개구부(176)를 가지며, 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에 위치한다. 이에 따라, 개구부(176)는 제2 방향을 따라 연장되며, 개구부(176)의 제2 방향의 길이는 제1 방향의 길이, 즉, 폭보다 길다. 다시 말하면, 개구부(176)는 제1 방향에 평행한 단변을 가지며, 제2 방향에 평행한 장변을 가진다. 이때, 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 좁은 폭을 가질 수 있다.
또한, 제2 뱅크(174)는 비표시영역(NDA)에도 위치하며, 제2 뱅크(174)의 개구부(176)는 비표시영역(NDA)까지 연장된다. 비표시영역(NDA)에서 개구부(176)를 통해 제1 뱅크(172)의 상면이 노출된다.
한편, 도시하지 않았지만, 비표시영역(NDA)에는 다수의 더미 부화소가 구비될 수 있으며, 제2 뱅크(174)의 개구부(176)는 더미 부화소에 대응하여 형성될 수 있다. 이때, 더미 부화소는 표시영역(DA)의 각 부화소 열의 상하 각각에 하나 이상 배치될 수 있다. 이러한 더미 부화소는 연결 구조를 제외하고 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)와 실질적으로 동일한 구성을 가질 수 있다. 이와 달리, 더미 부화소는 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)와 다른 구성을 가질 수도 있다.
앞서 언급한 바와 같이, 개구부(176) 내에는 발광층이 형성되며, 발광층은 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 그런데, 특정 용액을 사용하여 형성되는 정공수송층(HTL)의 경우, 가장자리 쪽으로 갈수록 두께가 두꺼워진다. 이에 따라, 표시영역(DA) 내에서 정공수송층(HTL)의 두께가 불균일해지고, 이는 표시영역(DA) 내에서 발광층의 두께 불균일을 유발한다. 이러한 발광층의 불균일한 두께에 의해 발광 이미지의 품질이 저하되고, 표시장치의 수명을 저하시킨다. 따라서, 본 발명에서는 비표시영역에서의 발광층 구조를 변경하여 발광층의 두께 균일도를 개선한다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 단면 구조에 대해 도 4와 도 5를 참조하여 설명한다.
도 4는 도 3의 I-I'선에 대응하는 단면도이고, 도 5는 도 3의 II-II'선에 대응하는 단면도이다.
도 4와 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는, 기판(110) 상에 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)이 정의되고, 표시영역(DA)에는 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)에 각각 대응하는 다수의 화소영역(P)이 정의된다. 이러한 기판(110) 상의 각 화소영역(P)에는 차광패턴(112)이 형성되고, 차광패턴(112) 상부의 실질적으로 기판(110) 전면에 버퍼층(120)이 형성되며, 버퍼층(120)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)에 모두 위치한다.
이어, 버퍼층(120) 상부의 각 화소영역(P)에는 박막트랜지스터(Tr)가 형성된다. 박막트랜지스터(Tr)는 차광패턴(112)에 대응하여 위치하며, 차광패턴(112)과 중첩한다. 박막트랜지스터(Tr) 상부의 실질적으로 기판(110) 전면에는 패시베이션층(150)과 오버코트층(155)이 순차적으로 형성되고, 패시베이션층(150)과 오버코트층(155)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)에 모두 위치한다. 다음, 오버코트층(155) 상부의 각 화소영역(P)에는 비교적 높은 일함수를 갖는 도전성 물질로 제1 전극(162)이 형성된다.
여기서, 박막트랜지스터(Tr)는 도 2에 도시된 바와 같은 구성을 가질 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 또한, 도시하지 않았지만, 버퍼층(120)과 패시베이션층(150) 사이에는 게이트 절연막과 층간 절연막이 더 형성될 수 있다.
오버코트층(155)은 패시베이션층(150)과 함께 박막트랜지스터(Tr)의 일부, 즉, 드레인 전극을 노출하는 드레인 컨택홀(155a)을 가지며, 제1 전극(162)은 드레인 컨택홀(155a)을 통해 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극과 접촉한다.
한편, 비표시영역(NDA)에 더미 부화소가 구비될 경우, 화소영역(P)과의 단차를 균일하게 하기 위해, 각 더미 부화소의 버퍼층(120)과 패시베이션층(150) 사이에는 화소영역(P)의 박막트랜지스터(Tr)와 동일한 구성을 가지는 더미 박막트랜지스터(도시하지 않음)가 형성될 수 있으며, 각 더미 부화소의 오버코트층(155) 상부에는 더미 전극(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 여기서, 오버코트층(155)과 패시베이션층(150)은 더미 박막트랜지스터를 노출하는 드레인 컨택홀을 가지지 않으며, 이에 따라, 더미 전극은 더미 박막트랜지스터에 연결되지 않는다.
그러나, 더미 부화소의 구성은 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 더미 박막트랜지스터와 더미 전극 중 적어도 하나는 생략될 수도 있다.
다음, 제1 전극(162) 상부에는 친수성의 제1 뱅크(172)가 형성된다. 제1 뱅크(172)는 제1 전극(162)의 가장자리와 중첩하며, 제1 전극(162)의 가장자리를 덮는다. 제1 뱅크(172)는 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이 및 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에 형성된다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략되고, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에만 형성될 수도 있다.
또한, 제1 뱅크(172)는 실질적으로 비표시영역(NDA)의 전면에 형성될 수 있다.
한편, 비표시영역(NDA)에 더미 부화소가 구비될 경우, 제1 뱅크(172)는 더미 전극의 가장자리와 중첩하고 더미 전극의 중앙을 노출할 수도 있다.
이러한 제1 뱅크(172)는 친수성 특성을 갖는 물질, 일례로, 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 폴리이미드로 형성될 수도 있다.
또한, 제1 뱅크(172) 상부에는 소수성의 제2 뱅크(174)가 형성된다. 제2 뱅크(174)는 제1 뱅크(172)보다 두꺼운 두께를 가지며, 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에만 형성되고, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에는 형성되지 않는다. 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 폭은 제1 뱅크(172)의 폭보다 좁다.
제2 뱅크(174)는 동일 색의 부화소(R, G, B) 열에 대응하여 개구부(176)를 가지며, 개구부(176)를 통해 동일 색의 부화소(R, G, B) 열의 제1 전극(162)과 제1 전극(162) 사이의 제1 뱅크(172)를 노출한다. 이러한 개구부(176)는 비표시영역(NDA)까지 연장되며, 비표시영역(NDA)의 제1 뱅크(172)를 노출한다.
앞서 언급한 바와 같이, 제1 뱅크(172)는 인접한 서로 다른 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 생략될 수 있으며, 이러한 경우 제2 뱅크(174)는 도 4의 제1 전극(162)의 가장자리와 접촉 및 중첩하며 제1 전극(162)의 가장자리를 덮는다.
제2 뱅크(174)는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질로 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 친수성 특성을 갖는 유기물질로 형성된 후 소수성 처리될 수 있다.
한편, 친수성의 제1 뱅크(172)와 소수성의 제2 뱅크(174)는 동일 물질로 이루어지고, 일체로 형성될 수도 있다.
각 화소영역(P)의 제2 뱅크(174)의 개구부(176)를 통해 노출된 제1 전극(162) 상부에는 발광층(180)이 형성된다.
또한, 인접한 동일 색의 부화소(R, G, B) 사이에서 제2 뱅크(174)의 개구부(176)를 통해 노출된 제1 뱅크(172) 상부에도 발광층(180)이 형성된다. 즉, 도 5의 인접한 화소영역(P) 사이에서 제2 뱅크(174)의 개구부(176)를 통해 노출된 제1 뱅크(172) 상부에도 발광층(180)이 형성된다. 이때, 제1 뱅크(172) 상부의 발광층(180)은 인접한 화소영역(P)의 제1 전극(162) 상부의 발광층(180)과 연결되어 일체로 형성된다.
이러한 발광층(180)은 제1 정공보조층(182)과 제2 정공보조층(184), 발광물질층(186) 및 전자보조층(188)을 포함한다.
여기서, 제1 정공보조층(182)은 정공주입층(HIL)이고, 제2 정공보조층(184)은 정공수송층(HTL)일 수 있다. 이때, 제2 정공보조층(184)의 두께는 제1 정공보조층(182)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 또한, 전자보조층(188)은 전자수송층(ETL)일 수 있다. 도시하지 않았지만, 발광층(180)은 전자보조층(188) 상부에 전자주입층(EIL)을 더 포함할 수 있다.
발광물질층(186)은 적, 녹, 청색 부화소(R, G, B)에 각각 대응하여 적, 녹, 청색 발광물질층(186r, 186g, 186b)을 포함한다.
한편, 앞서 언급한 바와 같이, 제2 뱅크(174)의 개구부(176)는 비표시영역(NDA)까지 연장되며, 이에 따라, 발광층(180)은 비표시영역(NDA)에도 형성된다. 비표시영역(NDA)의 발광층(180)은 표시영역(DA)의 화소영역(P)의 발광층(180)과 연결되어 일체로 형성된다.
여기서, 발광층(180)의 제1 정공보조층(182)은 비표시영역(NDA)에서 제거된다. 이에 따라, 제1 정공보조층(182)은 비표시영역(NDA)의 제2 뱅크(174)와 이격되며, 비표시영역(NDA)에서 제1 뱅크(172)의 상면을 노출한다.
반면, 발광층(180)의 제2 정공보조층(184)과 발광물질층(186) 및 전자보조층(188)은 비표시영역(NDA)의 제2 뱅크(174)와 접촉한다. 이때, 제2 정공보조층(184)과 발광물질층(186)은 비표시영역(NDA)의 제2 뱅크(174)의 측면과 접촉하고, 전자보조층(188)은 비표시영역(NDA)의 제2 뱅크(174)의 측면 및 상면과 접촉한다.
또한, 제2 정공보조층(184)은 비표시영역(NDA)에서 노출된 제1 뱅크(172)와 접촉한다. 이러한 제2 정공보조층(184)은 제1 정공보조층(182)의 측면을 덮으며, 제1 정공보조층(182)의 측면과 접촉한다.
이때, 비표시영역(NDA)에서 제2 정공보조층(184)의 두께는 표시영역(DA)에서 제2 정공보조층(184)의 두께보다 두껍다. 특히, 비표시영역(NDA)에서 제2 정공보조층(184)의 최소 두께는 표시영역(DA)에서 제2 정공보조층(184)의 최대 두께보다 두꺼울 수 있다.
따라서, 제2 정공보조층(184)은 비표시영역(NDA)과 표시영역(DA)에서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 즉, 제2 뱅크(174)에 인접한 부분을 제외하고, 비표시영역(NDA)에서 기판(110)에 대한 제2 정공보조층(184)의 상면의 높이는 표시영역(DA)에서 기판(110)에 대한 제2 정공보조층(184)의 상면의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다.
또한, 발광물질층(188)은 비표시영역(NDA)과 표시영역(DA)에서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 즉, 제2 뱅크(174)에 인접한 부분을 제외하고, 비표시영역(NDA)에서 기판(110)에 대한 발광물질층(186)의 상면의 높이는 표시영역(DA)에서 기판(110)에 대한 발광물질층(186)의 상면의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다.
여기서, 제1 및 제2 정공보조층(182, 184)과 발광물질층(186)의 각각은 용액 공정을 통해 형성된다. 이에 따라, 공정을 단순화하고 대면적 및 고해상도의 표시장치를 제공할 수 있다. 이때, 동일 색의 부화소(R, G, B) 열, 일례로, 녹색 부화소(G) 열에 대응하는 각 화소영역(P)에 서로 다른 노즐을 통해 적하된 용액은 서로 연결되며, 이러한 용액을 건조하여 제1 및 제2 정공보조층(182, 184)과 발광물질층(186)의 각각을 형성한다. 따라서, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화하며, 각 화소영역(P)에 형성되는 박막 두께를 균일하게 할 수 있다.
용액 공정으로는 스핀 코팅법이나 잉크젯 프린팅법 또는 스크린 프린팅법이 사용될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 이때, 용액이 건조될 때, 제2 뱅크(174)에 인접한 부분과 다른 부분에서 용매의 증발 속도는 차이가 있다. 즉, 제2 뱅크(174) 근처에서 용매의 증발 속도가 다른 부분에서보다 빠르며, 이에 따라, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 제1 및 제2 정공보조층(182, 184)과 발광물질층(186)의 각각은 제2 뱅크(174)에 가까워질수록 그 높이가 높아진다.
반면, 전자보조층(188)은 열 증착 공정(thermal evaporation process)을 통해 형성된다. 이에 따라, 전자보조층(188)은 실질적으로 기판(110) 전면에 형성된다. 즉, 전자보조층(188)은 제2 뱅크(174)의 상면과 측면에도 형성되며, 제2 뱅크(174)의 상면 및 측면과 접촉한다.
이와 달리, 전자보조층(188)은 용액 공정을 통해 형성될 수도 있다. 이 경우, 제1 및 제2 정공보조층(182, 184) 그리고 발광물질층(186)과 마찬가지로, 전자보조층(188)은 제2 뱅크(174)의 개구부(176) 내에만 형성될 수 있으며, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 제2 뱅크(174)에 가까워질수록 그 높이가 높아질 수 있다.
다음, 발광층(180) 상부에는 비교적 낮은 일함수를 갖는 도전성 물질로 제2 전극(190)이 형성된다. 여기서, 제2 전극(190)은 제2 뱅크(174)의 상부에도 형성된다. 이러한 제2 전극(190)은, 전자보조층(188)이 용액 공정을 형성될 경우, 제2 뱅크(174)의 상면 및 측면과 접촉할 수 있다.
제1 전극(162)과 발광층(180) 및 제2 전극(190)은 발광다이오드(De)를 구성한다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는, 동일 색의 부화소(R, G, B) 간의 발광층(180)이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화할 수 있으며, 각 부화소(R, G, B)에 형성되는 발광층(180)의 두께를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 얼룩(mura)을 방지하여 표시장치의 화질 저하를 막을 수 있다.
또한, 비표시영역(NDA)에서 발광층(180)의 제1 정공보조층(182)을 제거함으로써, 제2 정공보조층(184)의 상면이 비표시영역(NDA)과 표시영역(DA)에서 실질적으로 동일한 높이를 가지도록 할 수 있다. 이에 따라, 발광층(180)의 두께를 표시영역(DA) 내에서 균일하게 할 수 있으며, 균일한 발광 이미지를 확보하고 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 위치에 대한 발광층 두께를 도시한 그래프이다. 여기서, 가로축(X축)은 전계발광 표시장치의 표시영역에서 상대적 위치를 나타내며, X축에서 1로 갈수록 표시영역의 가장자리, 즉, 비표시영역에 가까워지고, X축에서 5로 갈수록 표시영역의 중앙에 가까워진다. 또한, 세로축(Y축)은 정규화된(normalized) 상대적 두께를 나타낸다.
그래프1(G1)은 기준예(Ref)로서, 제1 정공보조층, 즉, 정공주입층(HIL)의 두께를 나타낸다.
또한, 그래프2(G2)와 그래프3(G3)은 실험예로, 본 발명의 실시예에 따라 비표시영역의 제1 정공보조층이 제거된 전계발광 표시장치의 발광층 두께를 나타낸다. 이때, 그래프2(G2)는 측정값으로, 제1 및 제2 정공보조층의 두께의 합(Ex), 즉, 정공주입층(HIL)과 정공수송층(HTL)의 두께의 합을 나타낸다. 그래프3(G3)은 계산값으로, 제2 정공보조층의 두께(Ex(c))를 나타내며, 제2 정공보조층의 두께(Ex(c))는 제1 및 제2 정공보조층의 두께의 합(Ex)에서 제1 정공보조층의 두께(Ref)를 뺀 값으로 구해진다.
한편, 그래프4(G4)와 그래프5(G5)는 비교예로, 비표시영역의 제1 정공보조층을 제거하지 않은 전계발광 표시장치의 발광층 두께를 나타낸다. 이때, 그래프4(G4)는 측정값으로, 제1 및 제2 정공보조층의 두께의 합(Com)을 나타낸다. 그래프5(G5)는 계산값으로, 제2 정공보조층의 두께(Com(c))를 나타내며, 제2 정공보조층의 두께(Com(c))는 제1 및 제2 정공보조층의 두께의 합(Com)에서 제1 정공보조층의 두께(Ref)를 뺀 값으로 구해진다.
도 6에 도시한 바와 같이, 실험예(G2, G3)의 발광층은, 비교예(G4, G5)의 발광층에 비해 표시영역의 각 위치, 즉, X축 상의 위치1 내지 5에서 상대적 두께 차이가 크지 않으며, 이에 따라, 실험예(G2, G3)의 발광층은, 표시영역 내에서 비교예(G4, G5)의 발광층에 비해 균일한 두께를 가짐을 알 수 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 제조 과정을 도 7a 내지 도 7j를 참조하여 상세히 설명한다.
도 7a 내지 7j는 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 제조 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7a에 도시한 바와 같이, 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)이 정의된 기판(110) 상에 도전성 물질을 증착하고 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 패터닝함으로써, 표시영역(DA)의 각 화소영역(P)에 차광패턴(112)을 형성한다. 이어, 차광패턴(112) 상부에 무기절연물질을 증착하여 실질적으로 기판(110) 전면에 버퍼층(120)을 형성한다.
다음, 버퍼층(120) 상부에 박막을 증착하고 사진식각공정을 통해 패터닝하는 과정을 반복함으로써, 표시영역(DA)의 각 화소영역(P)에 도 2와 같은 구성을 갖는 하나 이상의 박막트랜지스터(Tr)를 형성한다. 이때, 박막트랜지스터(Tr)는 차광패턴(112)과 중첩하도록 형성된다.
이어, 박막트랜지스터(Tr) 상부에 무기절연물질을 실질적으로 기판(110) 전면에 증착하여 패시베이션층(150)을 형성하고, 패시베이션층(150) 상부에 유기절연물질을 실질적으로 기판(110) 전면에 도포하여 오버코트층(155)을 형성한 후, 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 오버코트층(155)과 패시베이션층(150)을 식각함으로써, 박막트랜지스터(Tr)의 드레인 전극을 노출하는 드레인 컨택홀(155a)을 형성한다.
다음, 오버코트층(155) 상부에 비교적 일함수가 높은 도전성 물질을 증착한 후, 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 패터닝함으로써 표시영역(DA)의 각 화소영역(P)에 제1 전극(162)을 형성한다.
일례로, 제1 전극(162)은 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide: ITO)나 인듐-징크-옥사이드(indium zinc oxide: IZO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 또한, 제1 전극(162)은 투명 도전성 물질 하부에 반사율이 높은 금속 물질로 형성되는 반사전극 또는 반사층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사전극 또는 반사층은 알루미늄-팔라듐-구리(aluminum-paladium-copper: APC) 합금이나 은(Ag)으로 이루어질 수 있으며, 제1 전극(162)은 ITO/APC/ITO나 ITO/Ag/ITO의 3중층 구조를 가질 수 있다.
다음, 제1 전극(162) 상부에 절연물질로 제1 뱅크(172)를 형성한다. 제1 뱅크(172)는 친수성 특성을 갖는 물질, 일례로, 산화 실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질을 실질적으로 기판(110) 전면에 증착 후, 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이와 달리, 제1 뱅크(172)는 폴리이미드를 도포 후 패터닝함으로써 형성될 수도 있다.
제1 뱅크(172)는 표시영역(DA)에서 인접한 화소영역(P) 사이에 위치하며, 제1 전극(162)의 가장자리를 덮는다. 이러한 제1 뱅크(172)는 동일 색의 화소영역(P) 사이에만 위치할 수 있다. 또한, 제1 뱅크(172)는 실질적으로 비표시영역(NDA)의 전면에도 형성된다.
이어, 제1 뱅크(172) 상부에 절연물질로 제2 뱅크(174)를 형성한다. 제2 뱅크(174)는 소수성 특성을 갖는 유기절연물질을 실질적으로 기판(110) 전면에 도포 후 마스크를 이용한 사진식각공정을 통해 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이와 달리, 제2 뱅크(174)는 친수성 특성을 갖는 유기절연물질을 도포 후 사진식각공정을 통해 패터닝하고, 소수성 처리를 실시함으로써 형성될 수도 있다.
이러한 제2 뱅크(174)는 표시영역(DA)에서 인접한 다른 색의 화소영역(P) 사이에 위치하고, 동일 색의 화소영역(P) 열에 대응하여 개구부(176)를 가지며, 개구부(176)를 통해 동일 색의 화소영역(P) 열의 제1 전극(162)과 제1 전극(162) 사이의 제1 뱅크(172)를 노출한다. 또한, 제2 뱅크(174)의 개구부(176)는 비표시영역(NDA)까지 연장되며, 비표시영역(NDA)의 제1 뱅크(172)를 노출한다.
다음, 도 7b에 도시한 바와 같이, 다수의 노즐을 포함하는 분사장치(도시하지 않음)를 이용하여 제1 용액을 적하함으로써 개구부(176)를 통해 노출된 제1 전극(162)과 제1 뱅크(172) 상부에 제1 용액층(182a)을 형성한다.
이때, 제2 뱅크(174)의 적어도 상면은 소수성 특성을 가지므로, 제1 용액층(182a)이 제2 뱅크(174) 상면까지 도포되더라도 인접한 다른 색의 화소영역(P)으로 제1 용액층(182a)이 넘쳐 흐르는 것을 방지할 수 있다.
다음, 도 7c에 도시한 바와 같이, 제1 용액층(도 7b의 182a)을 건조하여 표시영역(DA)의 개구부(176) 내의 제1 전극(162) 상부에 제1 정공보조층(182)을 형성한다. 이러한 제1 정공보조층(182)은 정공주입층(HIL)일 수 있다.
여기서, 제1 정공보조층(182)은 개구부(176) 내의 제1 뱅크(172) 상부에도 형성되며, 하나의 개구부(176)에서 제1 뱅크(172) 상부의 제1 정공보조층(182)은 인접한 화소영역(P)의 제1 전극(162) 상부의 제1 정공보조층(182)과 연결되어 일체로 형성된다.
또한, 제1 정공보조층(182)은 비표시영역(NDA)의 개구부(176) 내의 제1 뱅크(172) 상부에도 형성되며, 하나의 개구부(176)에서 비표시영역(NDA)의 제1 뱅크(172) 상부의 제1 정공보조층(182)은 표시영역(DA)의 제1 전극(162) 상부의 제1 정공보조층(182)과 연결되어 일체로 이루어진다.
이때, 진공 건조(vacuum dry) 공정을 수행함으로써 제1 용액층(도 7b의 182a) 내의 용매를 증발시킬 수 있다. 일례로, 진공 건조 공정은 수 분 내지 수십 분 동안 진행될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
용액이 건조될 때, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 용매의 건조 속도는 다른 부분과 다르므로, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 제1 정공보조층(182)은 제2 뱅크(174)에 가까워질수록 그 높이가 높아질 수 있다.
다음, 도 7d에 도시한 바와 같이, 레이저(도시하지 않음)를 이용하여 비표시영역(NDA)의 제1 정공보조층(182)을 제거한다. 이에 따라, 제1 정공보조층(182)은 비표시영역(NDA)의 제2 뱅크(174)와 이격되며, 비표시영역(NDA)의 제1 뱅크(172)의 상면이 노출된다.
이어, 열을 가하여 제1 정공보조층(182)을 경화한다. 일례로, 제1 정공보조층(182)은 섭씨 100도 이상의 온도에서 수십 분 내지 수백 분 동안 경화될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
다음, 도 7e에 도시한 바와 같이, 다수의 노즐을 포함하는 분사장치(도시하지 않음)를 이용하여 제2 용액을 적하함으로써 개구부(176) 내의 제1 정공보조층(182) 상부에 제2 용액층(184a)을 형성한다.
이러한 제2 용액층(184a)은 제1 정공보조층(182)의 표면에너지 대비 60% 이하의 표면에너지를 가질 수 있다. 제1 정공보조층(182)의 표면에너지 대비 제2 용액층(184a)의 표면에너지가 낮아질수록 젖음성이 강화되어 가장자리 쪽으로 잉크 밀림 현상이 발생한다. 이에 따라, 제2 용액층(184a)으로부터 형성되는 박막의 두께가 가장자리로 갈수록 두꺼워질 수 있는데, 본 발명에서는 비표시영역(NDA)의 제1 정공보조층(182)을 제거함으로써, 박막의 두께를 균일하게 할 수 있다.
다음, 도 7f에 도시한 바와 같이, 제2 용액층(도 7e의 184a)을 건조하여 개구부(176) 내의 제1 정공보조층(182) 상부에 제2 정공보조층(184)을 형성한다. 이러한 제2 정공보조층(184)은 정공수송층(HTL)일 수 있다.
이때, 진공 건조(vacuum dry) 공정을 수행함으로써 제2 용액층(도 7e의 184a) 내의 용매를 증발시킬 수 있다. 용액이 건조될 때, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 용매의 건조 속도는 다른 부분과 다르므로, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 제2 정공보조층(184)은 제2 뱅크(174)에 가까워질수록 그 높이가 높아질 수 있다. 일례로, 제2 용액층(도 7e의 184a)의 진공 건조 공정은 수 분 내지 수십 분 동안 진행될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
여기서, 표시영역(DA)에서 인접한 화소영역(P)의 제2 정공보조층(184)은 서로 연결되어 일체로 형성된다. 또한, 제2 정공보조층(184)은 비표시영역(NDA)에도 형성되며, 비표시영역(NDA)의 제2 뱅크(174)와 접촉한다. 비표시영역(NDA)의 제2 정공보조층(184)은 표시영역(DA)의 제2 정공보조층(184)과 연결되어 일체로 이루어진다.
이때, 비표시영역(NDA)의 제1 정공보조층(182)이 제거되어 있으므로, 제2 정공보조층(184)은 비표시영역(NDA)의 제1 뱅크(172) 상부에도 형성되고, 제1 뱅크(172)와 접촉한다. 이러한 제2 정공보조층(184)은 제1 정공보조층(182)의 측면을 덮으며 제1 정공보조층(182)의 측면과 접촉한다.
이러한 제2 정공보조층(184)은 비표시영역(NDA)과 표시영역(DA)에서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 즉, 제2 뱅크(174)에 인접한 부분을 제외하고, 비표시영역(NDA)에서 기판(110)에 대한 제2 정공보조층(184)의 상면의 높이는 표시영역(DA)에서 기판(110)에 대한 제2 정공보조층(184)의 상면의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다.
따라서, 비표시영역(NDA)에서 제2 정공보조층(184)의 두께는 표시영역(DA)에서 제2 정공보조층(184)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 특히, 비표시영역(NDA)에서 제2 정공보조층(184)의 최소 두께는 표시영역(DA)에서 제2 정공보조층(184)의 최대 두께보다 두꺼울 수 있다.
한편, 제2 정공보조층(184)의 두께는 제1 정공보조층(182)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
이어, 열을 가하여 제2 정공보조층(184)을 경화한다. 일례로, 제2 정공보조층(184)은 섭씨 100도 이상의 온도에서 수십 분 내지 수백 분 동안 경화될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
다음, 도 7g에 도시한 바와 같이, 다수의 노즐을 포함하는 분사장치(도시하지 않음)를 이용하여 제3 용액을 적하함으로써 개구부(176) 내의 제2 정공보조층(184) 상부에 제3 용액층(186a)을 형성한다. 제3 용액층(186a)은 적, 녹, 청색 발광물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
다음, 도 7h에 도시한 바와 같이, 제3 용액층(도 7g의 186a)을 건조하여 개구부(176) 내의 제2 정공보조층(184) 상부에 발광물질층(186)을 형성한다. 이때, 진공 건조(vacuum dry) 공정을 수행함으로써 제3 용액층(도 7g의 186a) 내의 용매를 증발시킬 수 있다. 용액이 건조될 때, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 용매의 건조 속도는 다른 부분과 다르므로, 제2 뱅크(174)와 인접한 부분에서 발광물질층(186)은 제2 뱅크(174)에 가까워질수록 그 높이가 높아질 수 있다. 일례로, 제3 용액층(도 7g의 186a)의 진공 건조 공정은 수 분 내지 수십 분 동안 진행될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
여기서, 표시영역(DA)에서 인접한 화소영역(P)의 발광물질층(186)은 서로 연결되어 일체로 형성된다. 또한, 발광물질층(186)은 비표시영역(NDA)에도 형성되며, 비표시영역(NDA)의 제2 뱅크(174)와 접촉한다. 비표시영역(NDA)의 발광물질층(186)은 표시영역(DA)의 발광물질층(186)과 연결되어 일체로 이루어진다.
이러한 발광물질층(186)은 비표시영역(NDA)과 표시영역(DA)에서 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 즉, 제2 뱅크(174)에 인접한 부분을 제외하고, 비표시영역(NDA)에서 발광물질층(186)의 두께는 표시영역(DA)에서 발광물질층(186)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.
이어, 열을 가하여 발광물질층(186)을 경화한다. 일례로, 발광물질층(186)은 섭씨 100도 이상의 온도에서 수십 분 내지 수백 분 동안 경화될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
다음, 도 7i에 도시한 바와 같이, 발광물질층(186) 상부에 유기물질 및/또는 무기물질을 증착하여 실질적으로 기판(110) 전면에 전자보조층(188)을 형성한다. 이에 따라, 전자보조층(188)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA) 모두에 형성되며, 전자보조층(188)은 비표시영역(NDA)에서 제2 뱅크(174)의 상면 및 측면에도 형성된다. 전자보조층(188)은 비표시영역(NDA)에서 제2 뱅크(174)의 상면 및 측면과 접촉할 수 있다.
이러한 전자보조층(188)은 전자수송층(ETL)일 수 있으며, 전자보조층(188) 상부에 전자주입층(EIL)이 더 형성될 수 있다.
제1 정공보조층(182)과 제2 정공보조층(184), 발광물질층(186) 및 전자보조층(188)은 발광층(180)을 이룬다.
다음, 도 7j에 도시한 바와 같이, 전자보조층(188) 상부에 비교적 일함수가 낮은 도전성 물질을 스퍼터링 등의 방법으로 증착하여 실질적으로 기판(110) 전면에 제2 전극(190)을 형성한다. 제2 전극(192)은 알루미늄(aluminum)이나 마그네슘(magnesium), 은(silver) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 전극(190)은 발광층(180)으로부터의 빛이 투과될 수 있도록 상대적으로 얇은 두께를 가진다. 이와 달리, 제2 전극(190)은 인듐-갈륨-옥사이드(indium-gallium-oxide: IGO)와 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는, 용액 공정에 의해 발광층(180)의 적어도 일부를 형성함으로써 대면적 및 고해상도를 갖는 표시장치를 구현할 수 있다.
게다가, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에서는, 동일 색의 화소영역(P) 간의 발광층(180)이 서로 연결되어 일체로 형성되도록 함으로써, 노즐 간의 적하량 편차를 최소화할 수 있으며, 각 화소영역(P)에 형성되는 박막 두께를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라, 얼룩(mura)을 방지하여 표시장치의 화질 저하를 막을 수 있다.
또한, 비표시영역(NDA)에서 제1 정공보조층(182)을 제거함으로써, 비표시영역(NDA)과 표시영역(DA)에서 제2 정공보조층(184)의 상면 높이를 균일하게 한다. 이에 따라, 표시영역(DA) 내에서 발광층(180)의 두께를 균일하게 할 수 있으며, 균일한 발광 이미지를 확보하고 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
R, G, B: 적, 녹, 청색 부화소 110: 기판
120: 버퍼층 150: 패시베이션층
155: 오버코트층 155a: 드레인 컨택홀
162: 제1 전극 172: 제1 뱅크
174: 제2 뱅크 176: 개구부
180: 발광층 182: 제1 정공보조층
184: 제2 정공보조층 186: 발광물질층
188: 전자보조층 190: 제2 전극
Tr: 박막트랜지스터 De: 발광다이오드

Claims (13)

  1. 영상을 표시하는 표시영역과 상기 표시영역의 외측에 위치하는 비표시영역이 정의된 기판과;
    상기 기판 상의 상기 표시영역에 제1 및 제2 방향을 따라 위치하는 다수의 부화소와;
    상기 다수의 부화소 각각에 위치하며, 제1 전극과 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광다이오드와;
    상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되고, 상기 제1 전극의 가장자리와 중첩하는 제1 뱅크와;
    상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소 열에 열에 대응하고 상기 비표시영역까지 연장된 개구부를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 형성되는 제2 뱅크
    를 포함하고,
    상기 발광층은 상기 개구부에 대응하여 제1 정공보조층과 발광물질층 및 전자보조층을 포함하며,
    상기 제1 정공보조층은 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 이격되는 전계발광 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광물질층 및 상기 전자보조층은 상기 비표시영역까지 연장되며, 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 접촉하는 전계발광 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 제1 정공보조층과 상기 발광물질층 사이에 제2 정공보조층을 더 포함하고, 상기 제2 정공보조층은 상기 비표시영역까지 연장되며, 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 접촉하는 전계발광 표시장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 정공보조층은 상기 제1 정공보조층의 측면과 접촉하는 전계발광 표시장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 정공보조층은 상기 비표시영역에서 상기 제1 뱅크와 접촉하는 전계발광 표시장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 비표시영역에서 상기 제2 정공 보조층의 최소 두께는 상기 표시영역에서 상기 제2 정공보조층의 최대 두께보다 두꺼운 전계발광 표시장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 뱅크는 친수성 특성을 가지며, 상기 제2 뱅크는 소수성 특성을 가지는 전계발광 표시장치.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 뱅크와 상기 제2 뱅크는 일체로 이루어지는 전계발광 표시장치.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소의 상기 제1 전극 상부 및 상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이의 상기 제1 뱅크 상부에 형성되고 일체로 이루어지는 전계발광 표시장치.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 적어도 하나의 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 적어도 하나의 박막트랜지스터와 연결되는 전계발광 표시장치.
  11. 영상을 표시하며 제1 및 제2 방향을 따라 위치하는 다수의 부화소를 포함하는 표시영역과 상기 표시영역의 외측에 위치하는 비표시영역이 정의된 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상부의 각 부화소에 제1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제2 방향을 따라 인접한 부화소 사이에, 상기 제1 전극의 가장자리와 중첩하는 제1 뱅크를 형성하는 단계와;
    상기 제2 방향을 따라 배열된 부화소 열에 대응하고 상기 비표시영역까지 연장된 개구부를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 인접한 부화소 사이에 제2 뱅크를 형성하는 단계와;
    상기 개구부에 대응하는 상기 제1 전극 상부에 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 발광층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 발광층을 형성하는 단계는, 제1 정공보조층을 형성하는 단계와, 발광물질층을 형성하는 단계 및 전자보조층을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 정공보조층은 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 이격되는 전계발광 표시장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 정공보조층을 형성하는 단계는 상기 비표시영역에 대응하는 상기 제1 정공보조층을 제거하는 단계를 포함하는 전계발광 표시장치의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 발광층을 형성하는 단계는, 상기 제1 정공보조층을 형성하는 단계와 상기 발광물질층을 형성하는 단계 사이에 제2 정공보조층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 정공보조층은 상기 비표시영역까지 연장되며, 상기 비표시영역의 상기 제2 뱅크와 접촉하는 전계발광 표시장치의 제조 방법.
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WO2024065591A1 (zh) * 2022-09-30 2024-04-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

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