CN117580389A - 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 - Google Patents

显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 Download PDF

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CN117580389A CN202210926344.XA CN202210926344A CN117580389A CN 117580389 A CN117580389 A CN 117580389A CN 202210926344 A CN202210926344 A CN 202210926344A CN 117580389 A CN117580389 A CN 117580389A
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Abstract

本申请公开了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，涉及显示技术领域。显示面板包括：层叠设置的层间介质层、平坦化层、以及像素界定层。在显示面板的非像素区内的第一功能层中设置内切结构以及一个或多个电极搭接结构。电极搭接结构包括辅助电极和施加电极，施加电极通过内切结构与显示面板的第一阴极层连接。内切结构用于隔断第一功能层。由于第一功能层中设置有辅助电极和施加电极，通过内切结构，隔断显示面板的层间介质层、平坦化层、像素界定层，将施加电极与辅助电极搭接，辅助电极与阴极层搭接，通过对辅助电极施加辅助电压，可以为显示面板中压降较大的区域提供辅助，使阴极层上电阻分压效果下降，减小了电压压降。

Description

显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。
背景技术
随着有机发光半导体(organic light-emitting diode，OLED)技术的进步，OLED显示面板也朝着大尺寸方向发展。但是大尺寸OLED显示面板在工作时，存在电压降的问题，即电源电压在传输过程中，由于导线或电极电阻分压造成实际加载在元器件两端电压降低，使得OLED显示面板亮度显示不均。因此，通常可以在OLED显示面板上制作额外的辅助电极，给OLED面板中压降较大的区域提供辅助，使OLED显示面板显示的画面均匀。
现有技术中，通常采用倒梯形隔离柱的方法，隔离OLED功能层，再通过磁控溅射等方法，使得阴极与辅助电极连接。但是，采用该方法需要制作倒梯形隔离柱，使整个工艺成本较高，且工艺流程相对复杂。
发明内容
本申请提供了一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置，用于解决显示面板，尤其是大尺寸OLED显示面板中由于阴极电阻分压导致的电压压降问题。
所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板划分为像素区和非像素区，所述像素区用于显示图像，所述显示面板包括层叠设置的：层间介质层、平坦化层以及像素界定层。在所述非像素区内设置有内切结构以及一个或多个电极搭接结构，一个或多个所述电极搭接结构位于第一功能层中，所述电极搭接结构包括辅助电极以及位于所述辅助电极之上的施加电极，所述施加电极与所述辅助电极连接，所述第一功能层为所述层间介质层、平坦化层中的任一个；
所述内切结构从所述像素界定层贯穿到所述第一功能层的上表面，所述施加电极通过所述内切结构露出所述第一功能层的上表面以与所述显示面板的第一阴极层连接，所述内切结构用于隔断所述第一功能层以及所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层之上的功能层。
本申请实施例提供的一种显示面板，由于第一功能层中设置有辅助电极，且辅助电极上方还设置有施加电极，再通过在显示面板设置内切结构，隔断显示面板的层间介质层、平坦化层、像素界定层。将施加电极与辅助电极搭接，在辅助电极上设置阴极层，实现阴极层与辅助电极的搭接，通过对辅助电极施加辅助电压，可以为显示面板中压降较大的区域提供了辅助，使阴极层上电阻分压效果下降，减小了电压压降。本申请实施例采用施加电极作为桥梁，阴极层制备无需绕过隔断物，因此本申请方案避免了成本高昂的倒梯形隔离柱。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述内切结构包括开设在所述第一功能层的上表面的第一接触孔以及贯穿所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中除所述第一功能层之外的功能层的第二接触孔，所述第二接触孔的位置和所述第一接触孔的位置相对，且所述第一接触孔的尺寸大于所述第二接触孔的尺寸，所述辅助电极通过所述第一接触孔露出所述第一功能层，所述第一接触孔的尺寸小于或等于所述辅助电极的尺寸，所述辅助电极的尺寸大于或等于所述施加电极的尺寸。在本申请的一个可能的实现方式中，所述第一功能层为所述层间介质层，或者，所述第一功能层为所述平坦化层。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述施加电极与所述辅助电极之间有OLED功能层，所述OLED功能层的尺寸小于所述施加电极，所述施加电极包裹所述OLED功能层。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述第一功能层为所述层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述平坦化层接触，所述辅助电极以及所述施加电极均位于所述层间介质层，所述层间介质层的上表面开设有用于露出所述施加电极的第一接触孔。
在本申请的一个可能的实现方式中，多个所述电极搭接结构的分布状态为点阵式、渐变分布式或不规则分布，每个所述电极搭接结构位于一个所述内切结构中。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述显示面板还包括挡板电极，所述挡板电极位于第二功能层，所述第二功能层为所述层间介质层、所述平坦化层以及所述像素界定层中与所述第一功能层接触的功能层，所述挡板电极位于所述第二功能层具有的接触孔的侧边。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述挡板电极的材料为钛铝钛、钼、钨、钼钨合金中的一种或多种。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述辅助电极为图形化辅助电极，所述图形化辅助电极内部存在镂空区域。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述显示面板还包括基板，所述基板由下至上依次包括：基底、位于所述基底上的缓冲层以及栅极绝缘层，所述层间介质层设于所述栅极绝缘层之上。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述像素区设置有所述显示面板的子像素及所述子像素的驱动TFT。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述驱动TFT包括：源漏电极、半导体层、第一栅极层、第二栅极层以及阳极，所述源漏电极位于所述平坦化层，所述源漏电极中的源极与所述半导体层连接；所述半导体层设于所述像素区，位于所述基板的缓冲层之上；所述第一栅极层和所述第二栅极层均设于所述显示面板的像素区，所述第一栅极层位于所述层间介质层中，所述第二栅极层位于所述层间介质层或者所述平坦化层；所述阳极设于所述显示面板的所述像素界定层中，与所述源极连接。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述显示面板还包括OLED功能层、第二阴极层以及薄膜封装层，所述第二阴极层连接填充在所述内切结构中的第一阴极层，所述第二阴极层位于所述OLED功能层之上，所述第一阴极层与所述施加电极接触；所述薄膜封装层位于所述第一阴极层和所述第二阴极层之上，用于封装所述第一阴极层和所述第二阴极层；所述OLED功能层与所述像素界定层的上表面接触，所述内切结构从所述OLED功能层贯穿到所述第一功能层的上表面，位于所述像素区的OLED功能层与设于所述像素界定层中的阳极接触。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述薄膜封装层的材料选自氮化硅和/或树脂，或者所述薄膜封装层采用氮化硅叠层。
第二方面，提供了一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：在基板上由下至上依次形成层间介质层、平坦化层、以及像素界定层；在第一功能层中制备辅助电极，所述第一功能层为所述层间介质层、平坦化层中的任一个；在所述层间介质层、所述平坦化层以及所述像素界定层之间形成从所述像素界定层贯穿到所述第一功能层的上表面的内切结构，所述内切结构用于隔断所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层上的功能层，以露出位于所述第一功能层中的所述辅助电极；通过所述内切结构在所述第一功能层中制备位于所述辅助电极上且与所述辅助电极接触的施加电极；在所述内切结构中填充阴极材料形成所述显示面板的第一阴极层，以使得所述第一阴极层与所述施加电极接触，得到所述显示面板。
在本申请的一个可能的实现方式中，在所述层间介质层、所述平坦化层以及所述像素界定层之间形成从所述像素界定层贯穿到所述第一功能层的上表面的内切结构，包括：在所述第一功能层刻蚀出第一接触孔；在所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层之下的功能层刻蚀第二接触孔，所述第一接触孔的位置和所述第二接触孔的位置相对，以得到所述内切结构，其中，所述第二接触孔的尺寸大于所述第一接触孔的尺寸。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述在所述第一功能层刻蚀出第一接触孔，包括：采用刻蚀法在所述第一功能层上刻蚀出第一接触孔；所述在所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层之下的功能层刻蚀第二接触孔，包括：采用酸性刻蚀液体在所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层上的功能层上刻蚀所述第二接触孔。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述方法还包括：在所述显示面板的像素区制作位于所述第一功能层中的第二栅极层的过程中，在所述显示面板的非像素区中制备位于所述第一功能层中的所述辅助电极。
在本申请的一个可能的实现方式中，所述辅助电极为图形化辅助电极，在所述第一功能层中制备所述辅助电极之前，所述方法还包括：制备图形化辅助电极，所述图形化辅助电极包括图形区域和非图形区域，所述图形区域贯穿所述图形化辅助电极。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
第四方面，提供了一种电子设备，所述设备包括显示装置，所述显示装置具有上述的显示面板。
可以理解的是，上述第二方面、第三方面以及第四方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种显示面板的俯视图；
图2是本申请实施例提供的一种显示面板的剖视图；
图3是本申请实施例提供的一种显示面板的内切结构图；
图4是本申请实施例提供的一种具有挡板电极的显示面板结构图；
图5是本申请实施例提供的一种具有图形化辅助电极的显示面板示意图；
图6是本申请实施例提供的一种显示面板内部结构图；
图7是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法。
具体实施方式
为了便于清楚描述本申请实施例的技术方案，在本申请的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。例如，第一部件和第二部件仅仅是为了区分不同的部件，并不对其先后顺序进行限定。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
需要说明的是，本申请中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
在对本申请实施例进行详细地解释说明之前，先对本申请实施例的应用场景予以说明。
本申请可以应用显示面板中，尤其是在中大尺寸OLED显示面板中，由于显示面板的面积越来越大，电压降的问题也越来越显现，这导致了OLED显示面板显示的亮度不均匀。因此，在制作OLED显示面板的过程中，在面板上制作额外的辅助电极，给OLED显示面板中压降较大的区域提供辅助，使OLED显示面板的画面显示均匀。
目前业界常采用的方法为在OLED显示面板的基底表面制备图形化的辅助电极，在辅助电极上方及侧边制备像素界定层，并通过侧面刻蚀像素界定层得到内切结构，利用该内切结构隔断OLED显示面板的发光功能层；在隔断发光功能层后，第二电极层沿着内切结构搭接辅助电极，最后通过在辅助电极上施加辅助电压，来解决中大尺寸OLED显示面板的电压降问题。但是该方法实现的难度较高，在定点侧面刻蚀像素界定层制备内切结构后，如何有效隔断发光功能层而使其不沿着侧面搭接的难度较高，若发光功能层被隔断，此时第二电极层实际生产中也容易被隔断，其次，对于OLED制成也需要新的工艺要求，增大了成本。
倒梯形隔离柱的方法也是常用的方法之一，倒梯形隔离柱隔离OLED显示面板的发光功能层，通过磁控溅射等方法，使得阴极与辅助电极连接。但是，制备倒梯形隔离柱需要在现有OLED工艺制程上，额外增加特定的材料、工艺，也增大了成本。
下面对本申请实施例提供的一种显示面板、显示面板的制备方法及OLED显示装置进行详细地解释说明。
本申请实施例提供的一种显示面板10，包括显示区101、一个或多个电极搭接结构102以及非显示区103。电极搭接结构102设置在显示面板10的显示区101，如图1所示。具体的，电极搭接结构102的具体分布在显示面板100的显示像素之间，多个电极搭接结构102的分布状态可以为点阵式、密度渐变式、不规则分布等，图1所示为点阵式分布。
其中，显示面板10的显示区101分为像素区与非像素区，在像素区制备OLED子像素及其驱动薄膜晶体管，用于实现显示功能。在非像素区制备电极搭接结构，用于将OLED阴极层与提前预设的辅助电极搭接，在辅助电极上施加辅助电压以解决OLED显示面板的电压降问题，实现OLED显示面板的亮度均匀。
在本申请一个实施例中，如图2所示为一种显示面板20，显示面板20划分为像素区201和非像素区202，像素区201用于显示图像。显示面板20包括层叠设置的：层间介质层240、平坦化层250、像素界定层260。在非像素区202内设置有内切结构以及一个或多个电极搭接结构，一个或多个电极搭接结构位于第一功能层中。电极搭接结构包括辅助电极205以及位于辅助电极205之上的施加电极206，施加电极206与辅助电极205连接。第一功能层为层间介质层240、平坦化层250中的任意一个。内切结构从像素界定层260贯穿到第一功能层的上表面，施加电极206通过内切结构露出第一功能层的上表面以与显示面板的阴极层281连接，内切结构用于隔断层间介质层240以及层间介质层240、平坦化层250以及像素界定层260中位于层间介质层240以上的功能层。
其中，施加电极206与辅助电极205之间有OLED功能层271。施加电极206的尺寸大于OLED功能层271的尺寸，如图2所示，施加电极206包裹OLED功能层271，施加电极206隔断OLED功能层271，通过两端与辅助电极205连接。
本申请实施例提供的一种显示面板，由于第一功能层中设置有辅助电极，且辅助电极上方还设置有施加电极，再通过在显示面板设置内切结构，隔断显示面板的层间介质层、平坦化层、像素界定层。将施加电极与辅助电极搭接，在辅助电极上设置阴极层，实现阴极层与辅助电极的搭接。由于在没有辅助电极和施加电极之前，面阴极存在压降，实际效果是显示面板两端电压降低，从而造成显示亮度下降。通过添加辅助电极和施加电极，OLED阴极的电压不通过面阴极，而是通过辅助电极和施加电极，这样消除了面阴极压降。因此，本申请实施例通过对辅助电极施加辅助电压，可以为显示面板中压降较大的区域提供辅助，使阴极层上电阻分压效果下降，减小了电压压降。本申请实施例采用施加电极作为桥梁，阴极层制备无需绕过隔断物，因此本申请方案避免了成本高昂的倒梯形隔离柱。
可以理解的是，层间介质层240、平坦化层250、像素界定层260中每个功能层均包括两个表面，比如，上表面和下表面。在本申请的一个实施例中，层间介质层240的上表面与平坦化层250的下表面接触，平坦化层250的上表面与像素界定层260的上表面接触，层间介质层240的下表面与基板接触。换言之，层间介质层240位于基板的上表面。
可选的，本申请实施例中的显示面板可以为OLED显示面板。
在本申请的一个可能的实施例中，层间介质层240中填充的材料为氮化硅。平坦化层250选自树脂(Resin)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。平坦化层250的材料与像素界定层260的材料相同。
其中，层间介质层240中填充的材料还可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)中的一种。
在本申请的一个实施例中，内切结构包括开设在第一功能层的上表面的第一接触孔以及贯穿层间介质层240、平坦化层250以及像素界定层260中除第一功能层之外的功能层的第二接触孔。第二接触孔的位置和第一接触孔的位置相对，且第一接触孔的尺寸大于第二接触孔的尺寸。辅助电极205通过第一接触孔露出第一功能层。第一接触孔的尺寸小于或等于辅助电极205的尺寸，辅助电极205的尺寸大于或等于施加电极206的尺寸。
在本申请一种可能的实现方式中，以第一功能层为层间介质层240为例，如图2所示，内切结构可以分为两个区域，第一区域203和第二区域204。第一区域203隔断平坦化层250、像素界定层260以及OLED功能层270。第二区域204用于隔断层间介质层240。其中，OLED功能层270位于像素界定层260上。辅助电极205位于层间介质层240，施加电极206位于辅助电极205上，其中，施加电极206充满第二区域204。阴极层281设置在辅助电极205之上。如图2所示，阴极层205主要包括位于OLED功能层270上的部分以及填充在第一区域203中的部分。
其中，图2为显示面板为剖面图，接触孔即在面板上刻蚀孔洞，通常接触孔的截面形状为圆形。第一接触孔与第二接触孔可以都为圆孔，接触孔的尺寸代表圆形接触孔的直径。可以理解的是，接触孔的截面形状也可以是其它的形状，本申请不做限制。
在本申请一种可能的实现方式中，如图2所示，以第一功能层为层间介质层240为例，在层间介质层240上开设第一接触孔可以形成如图2中的第二区域204。在平坦化层250、像素界定层260上开设贯穿的第二接触孔可以形成如图2中的第一区域203。第一接触孔位于辅助电极205的上方，且第一接触孔的尺寸小于或等于辅助电极205的尺寸，以便于辅助电极205露出层间介质层240。
在本申请的一个实施例中，第一功能层为层间介质层240的情况下，如图2所示，层间介质层240包括第一层间介质层242以及位于第一层间介质层242之上的第二层间介质层241。辅助电极205以及施加电极206均位于第二层间介质层241，第二层间介质层241的上表面与平坦化层250接触。第二层间介质层241的上表面开设有用于露出施加电极206的第一接触孔。
具体的，第一层间介质层242的下表面与基板中的栅极绝缘层230接触，第一层间介质层242的上表面与第二层间介质层241的下表面接触。
在本申请的一个可能的实施例中，如图2所示，层间介质层240中还有第一栅极层62，第二栅极层63，平坦化层250中还有源漏电极60，像素界定层260中还有阳极64。具体的，第一栅极层62位于第一层间介质层242中，第二栅极层63位于第二层间介质层241中。
在本申请一种可能的实现方式中，以第一功能层为平坦化层250为例，如图3所示，内切结构可以分为两个区域，第一区域203和第二区域204。第一区域203用于隔断像素界定层260以及OLED功能层270。其中，在制备OLED功能层270时，不可避免的在内切结构中会形成OLED功能层271，即在辅助电极205上会形成OLED功能层271，施加电极206用于隔断OLED功能层271。第二区域204用于隔断平坦化层250。其中，OLED功能层270位于像素界定层260上。辅助电极205位于平坦化层250，施加电极206也位于平坦化层250，且施加电极206位于辅助电极205上，与辅助电极205接触实现连接，其中，施加电极206充满第二区域204。阴极层281设置在辅助电极205之上。如图2所示，阴极层205主要包括位于OLED功能层270上的部分以及填充在第一区域203中的部分。在本申请的一个实施例中，以第一功能层为平坦化层250为例，如图3所示，第二区域204用于隔断平坦化层250。在第二区域204用于隔断平坦化层250的情况下，第一区域203用于隔断像素界定层260和OLED功能层270，辅助电极205位于平坦化层250，阴极层位于像素界定层260，且与施加电极206连接。
可以理解的是，显示面板的内切结构，即第一接触孔和第二接触孔可以在不同的膜层，即根据辅助电极位置的不同，内切结构也位于不同膜层，可以隔断OLED功能层270、像素界定层260、平坦化层250以及层间介质层240，也可以隔断OLED功能层270、像素界定层260以及平坦化层250。
在本申请的一个实施例中，如图4所示，显示面板还包括挡板电极401。挡板电极401位于第二功能层，第二功能层为层间介质层240、平坦化层250以及像素界定层260中与第一功能层接触的功能层，挡板电极位于第二功能层具有的接触孔的侧边。作为一种示例，挡板电极上开设有通孔，该通孔的位置与第一接触孔的位置相对，且该通孔的尺寸与第二接触孔的尺寸相等。
在本申请一种可能的实现方式中，以第一功能层为层间介质层240为例，辅助电极205位于层间介质层240上，施加电极206设于层间介质层240中，第二功能层为平坦化层250，挡板电极401位于第一接触孔的两侧，挡板电极401的设置是为了防止或减缓第一接触孔和第二接触孔构成的内切结构，刻蚀过程中拐角处被过度刻蚀。
作为一种示例，挡板电极401的材料为钛铝钛材料。
在本申请的一个实施例中，如图5中的(a)所示，辅助电极500为图形化辅助电极，中间为镂空区域，即对辅助电极进行镂空处理。图形化辅助电极用于增大辅助电极500和施加电极206的接触面积。辅助电极500不是图形化辅助电极时，施加电极206与辅助电极500的接触面积为两者接触面的面积，当辅助电极500为图形化辅助电极时，辅助电极500镂空区域充满施加电极206，与施加电极206的接触面积增加了侧面积。可以理解的是，镂空区域的形状可以是任何形状，本申请不做限制。
具体的，图5中的(a)为辅助电极500的剖视图，图5中的(b)为辅助电极500的俯视图，虚线501为辅助电极500的截面，镂空区域502为在辅助电极500上通过如刻蚀的方法制作的图形，即将辅助电极500贯穿。可以理解为，辅助电极500与第一层间介质层242存在高度差，即镂空区域502使施加电极206为第一层间介质层242与OLED功能层271的厚度之差，非镂空区域为第一层间介质层的厚度与辅助电极500加上OLED功能层271的厚度之差，利用高度差更有效的地隔断第一层间介质层242，且辅助电极500的镂空区域的侧面或边角处裸露，增加了辅助电极500与施加电极206的接触面积。图形化辅助电极与下方基底的高度差二次隔断OLED功能层，进一步提升所述电极搭接结构的导通效果。
在本申请的一个实施例中，如图2所示，显示面板20还包括：基底210、缓冲(Buffer)层220以及栅极绝缘层230。Buffer层220位于基底210上，栅极绝缘层230位于Buffer层220上。层间介质层240位于栅极绝缘层230上。
在本申请的一个实施例中，显示面板的像素区设置有子像素及子像素的驱动TFT。如图6中的(a)所示，辅助电极205位于第二层间介质层241中，驱动TFT包括：源漏电极60、半导体层61、第一栅极层62、第二栅极层63、以及阳极64。源漏电极60位于平坦化层250中，其中，源漏电极603与半导体层61连接。半导体层61设于像素区，位于缓冲层220之上。第一栅极层62和第二栅极层63均设于像素区，62第一栅极层位于层间介质层240中，第二栅极层63位于层间介质层240中的第二层间介质层241或者平坦化层250。阳极64设于像素界定层260中，与源漏电极604连接。
在本申请的一个实施例中，显示面板还包括OLED功能层270、第二阴极层280以及薄膜封装层290，如图6中的(c)所示。第二阴极层280与在内切结构中的第一阴极层281连接，第一阴极层281与施加电极206接触。薄膜封装层290位于第二阴极层280以及第一阴极层281之上，用于封装第二阴极层280和第一阴极层281。OLED功能层270与像素界定层260的上表面接触，相应的，内切结构从OLED功能层270贯穿到第一功能层(如层间结介质层240)的上表面，位于像素区的OLED功能层与设于像素界定层中的阳极接触。
作为一种示例，薄膜封装层290的材料选自氮化硅和/或树脂，或者采用氮化硅叠层。
本实施例提供了一种显示面板的制备方法，如图7所示，方法包括：
步骤701、在基板上由下至上依次形成层间介质层、平坦化层、以及像素界定层。
其中平坦化层250的材料可以选自树脂(Resin)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)中的一种或多种。在一些实施例中，平坦化层250的材料与像素界定层260的材料相同。层间介质层240为氮化硅。其中，x的范围为0～5，y的范围为0～5，在此处不做限定。
作为一种示例，按照传统显示面板制程工艺制备如图6中的(a)所示的显示面板结构，该结构包括层间介质层240，平坦化层250以及像素界定层260，其中，层间介质层240包括第一层间介质层242和第二层间介质层241。
步骤702、在第一功能层中制备辅助电极，第一功能层为层间介质层、平坦化层中的任意一个。
作为一种示例，以第一功能层为层间介质层240为例，如图6中的(a)，辅助电极205位于第一层间介质层241，在制备第二栅极层63的同时，制备辅助电极205。辅助电极的材料为钼。源漏电极60位于平坦化层250，半导体层61位于栅极绝缘层230，第一栅极层62位于第二层间介质层242，阳极64位于像素界定层260。
步骤703、在层间介质层240、平坦化层250以及像素界定层260之间形成从像素界定层贯穿到第一功能层的上表面的内切结构，内切结构隔断层间介质层240、平坦化层250以及像素界定层260中位于第一功能层上的功能层，以露出位于第一功能层中的辅助电极205。
在本申请的一个实施例中，内切结构包括在第一功能层刻蚀出第一接触孔，在层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于第一功能层上方的功能层上刻蚀第二接触孔。第一接触孔的位置和第二接触孔的位置相对。其中，第二接触孔的尺寸大于第一接触孔的尺寸。
作为一种示例，如图6中的(b)，第一功能层为层间介质层240中的第二层间介质层241，区域1和区域2为内切结构。其中，区域1为第一接触孔，区域2为第二接触孔。
在本申请的一个可能的实现方式中，在第一功能层刻蚀出第一接触孔，包括：采用刻蚀法，如湿法光刻技术，利用碱性刻蚀液在第一功能层上刻蚀出第一接触孔，其中碱性刻蚀液可以是碳酸氢钠溶液、氢氧化钾溶液、四甲基氢氧化铵溶液等。在另一种可能的实现方式中，第一接触孔还可以用干法刻蚀，如利用氧气、氟化氢等气体进行刻蚀。在层间介质层240、平坦化层250以及像素界定层260中位于第一功能层下的功能层刻蚀第二接触孔，包括采用酸性刻蚀液体在层间介质层240、平坦化层250以及像素界定层260中位于第一功能层之下的功能层刻蚀第二接触孔。
步骤704、通过内切结构在第一功能层中制备位于辅助电极上且与辅助电极接触的施加电极。
在本申请的一个实施例中，制备施加电极206采用喷墨打印的方式，将施加电极206银浆喷墨于第一接触孔中填充，银浆与辅助电极205两边连接实现导通。
在步骤704之前，制备OLED功能层270，采用蒸镀的方式，不可避免的在内切结构中，即辅助电极205之上也蒸镀了一层OLED功能层271。通过施加电极206，隔断OLED功能271，并与辅助电极205连接。
步骤705、在内切结构中填充阴极材料形成显示面板的第一阴极层281，以使得第一阴极层281与施加电极106接触，得到显示面板。
作为一种示例，如图6中的(c)，在内切结构中的第一接触孔中，填充施加电极206，施加电极206与辅助电极205接触。施加电极206上方设置第一阴极层281。施加电极206的制备通过喷墨等方式填充第一接触孔。
在本申请的一个实施例中，显示面板的制备方法还包括，制备图形化辅助电极，如图5中的(b)。辅助电极500的图形区域502为第一层间介质层242的厚度，其他区域为第一层间介质层的厚度与辅助电极500厚度之差，利用高度差更有效的地隔断第一层间介质层242，且辅助电极500的图形区域的侧面或边角处裸露，增加了辅助电极500与施加电极206的接触面积。
在本申请的一个实施例中，显示面板的制备方法还包括，蒸镀显示面板的OLED功能层270，OLED功能层270位于像素界定层260之上。在施加电极206上和OLED功能层270上蒸镀显示面板的第一阴极层281和第二阴极层280，在第一阴极层281和第二阴极层280上蒸镀显示面板的薄膜封装层290，如图6中的(c)。
其中，通过蒸镀的方法，将第一阴极层281制备在施加电极206之上，将第二阴极层280制备在OLED功能层270上，第一阴极层281和第二阴极层280连接形成显示面板的阴极层。其中，阴极材料为镁银，薄膜封装层材料为无机层与有机层交替的叠层，其中无机层通常为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种，还可以使用氧化铝或氧化镁，有机层为树脂类材料，比如，六甲基二硅醚、聚甲基丙烯酸甲酯等。
本申请实施例提供了一种显示装置，显示装置包括上述的显示面板，以及用于封装显示面板的封装层。
上述实施例中可以通过引入施加电极作为桥梁，实现辅助电极与阴极层的连接，在本申请的另一个可能的实施例中，可以不引入施加电极，而是采用特殊工艺使阴极层跨越内切结构与辅助电极直接相连。比如采用磁控溅射、倾斜蒸镀等工艺制备阴极，同时增加阴极层厚度。
在本申请的另一个可能的实施例中，本方案内切结构可一并制备于AA孔区，用于隔绝水氧侧面穿透。在该区域，不设置施加电极，利用内切结构隔断OLED功能层与OLED阴极，完全隔断水氧的侧面穿透路径。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/计算机设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/计算机设备实施例仅仅是示意性的，例如，模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板划分为像素区和非像素区，所述像素区用于显示图像，所述显示面板包括层叠设置的：层间介质层、平坦化层以及像素界定层，
在所述非像素区内设置有内切结构以及一个或多个电极搭接结构，一个或多个所述电极搭接结构位于第一功能层中，所述电极搭接结构包括辅助电极以及位于所述辅助电极之上的施加电极，所述施加电极与所述辅助电极连接，所述第一功能层为所述层间介质层、平坦化层中的任一个；
所述内切结构从所述像素界定层贯穿到所述第一功能层的上表面，所述施加电极通过所述内切结构露出所述第一功能层的上表面以与所述显示面板的第一阴极层连接，所述内切结构隔断所述第一功能层以及所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层之上的功能层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述内切结构包括开设在所述第一功能层的上表面的第一接触孔以及贯穿所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中除所述第一功能层之外的功能层的第二接触孔，所述第二接触孔的位置和所述第一接触孔的位置相对，且所述第一接触孔的尺寸大于所述第二接触孔的尺寸，所述辅助电极通过所述第一接触孔露出所述第一功能层，所述第一接触孔的尺寸小于或等于所述辅助电极的尺寸，所述辅助电极的尺寸大于或等于所述施加电极的尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述施加电极与所述辅助电极之间有OLED功能层，所述施加电极的尺寸大于所述OLED功能层的尺寸，所述施加电极包裹所述OLED功能层。
4.根据权利要求1～3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一功能层为所述层间介质层，所述层间介质层的上表面与所述平坦化层接触，所述辅助电极以及所述施加电极均位于所述层间介质层，所述层间介质层的上表面开设有用于露出所述施加电极的第一接触孔。
5.根据权利要求1～4任一项所述的显示面板，其特征在于，多个所述电极搭接结构的分布状态为点阵式、渐变分布式或不规则分布；
每个所述电极搭接结构位于一个所述内切结构中。
6.根据权利要求1～5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括挡板电极，
所述挡板电极位于第二功能层，所述第二功能层为所述层间介质层、所述平坦化层以及所述像素界定层中与所述第一功能层接触的功能层，所述挡板电极位于所述第二功能层具有的接触孔的侧边。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述挡板电极的材料为钛铝钛、钼、钨、钼钨合金中的一种或多种。
8.根据权利要求1～7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极为图形化辅助电极，所述图形化辅助电极存在镂空区域。
9.根据权利要求1～8任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括基板，所述基板由下至上依次包括：基底、位于所述基底上的缓冲层以及栅极绝缘层，所述层间介质层设于所述栅极绝缘层之上。
10.根据权利要求1～9任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括OLED功能层、第二阴极层以及薄膜封装层，所述第二阴极层连接填充在所述内切结构中的第一阴极层，所述第二阴极层位于所述OLED功能层之上，所述第一阴极层与所述施加电极接触；
所述薄膜封装层位于所述第一阴极层和所述第二阴极层之上，用于封装所述第一阴极层和所述第二阴极层；
所述OLED功能层与所述像素界定层的上表面接触，所述内切结构从所述OLED功能层贯穿到所述第一功能层的上表面。
11.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上由下至上依次形成层间介质层、平坦化层、以及像素界定层；
在第一功能层中制备辅助电极，所述第一功能层为所述层间介质层、平坦化层中的任意一个；
在所述层间介质层、所述平坦化层以及所述像素界定层之间形成从所述像素界定层贯穿到所述第一功能层的上表面的内切结构，所述内切结构隔断所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层上的功能层，以露出位于所述第一功能层中的所述辅助电极；
通过所述内切结构在所述第一功能层中制备位于所述辅助电极上且与所述辅助电极接触的施加电极；
在所述内切结构中填充阴极材料形成所述显示面板的第一阴极层，以使得所述第一阴极层与所述施加电极接触，得到所述显示面板。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述层间介质层、所述平坦化层以及所述像素界定层之间形成从所述像素界定层贯穿到所述第一功能层的上表面的内切结构，包括：
在所述第一功能层刻蚀出第一接触孔；
在所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层之下的功能层刻蚀第二接触孔，所述第一接触孔的位置和所述第二接触孔的位置相对，以得到所述内切结构，其中，所述第二接触孔的尺寸大于所述第一接触孔的尺寸。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述第一功能层刻蚀出第一接触孔，包括：
采用刻蚀法在所述第一功能层上刻蚀出第一接触孔；
所述在所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层上的功能层上刻蚀第二接触孔，包括：
采用酸性刻蚀液体在所述层间介质层、平坦化层以及像素界定层中位于所述第一功能层之下的功能层刻蚀所述第二接触孔。
14.根据权利要求11～13任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述显示面板的像素区制作位于所述第一功能层中的第二栅极层的过程中，在所述显示面板的非像素区中制备位于所述第一功能层中的所述辅助电极。
15.根据权利要求11～13任一项所述的方法，其特征在于，所述辅助电极为图形化辅助电极，在所述第一功能层中制备所述辅助电极之前，所述方法还包括：
制备图形化辅助电极，所述图形化辅助电极包括镂空区域和非镂空区域。
16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～10任一项所述的显示面板。
17.一种电子设备，其特征在于，所述设备包括显示装置，所述显示装置具有权利要求1～10任一项所述的显示面板。
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