KR102484209B1 - 전계발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수소 및 수분으로부터 발광층 및 박막 트랜지스터를 보호할 수 있는 전계발광 표시 장치를 제공하는 것으로, 화상을 표시하는 액티브 영역 및 액티브 영역을 둘러싸는 더미 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되어 액티브 영역에 발광 영역을 정의하고 더미 영역에 더미 발광 영역을 정의하는 뱅크, 발광 영역 및 더미 발광 영역에 각각 배치되는 발광층 및 더미 발광층, 및 더미 발광 영역의 더미 발광층 하부에 배치되는 희생층을 포함한다.
이러한, 본 발명의 전계발광 표시 장치는 더미 발광 영역에 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층을 배치함으로써, 수소 및 수분이 발광층과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거할 수 있는 효과가 있다.

Description

전계발광 표시 장치{Electroluminescent Display Device}
본 발명은 전계발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 수소 및 수분으로부터 발광층 및 박막 트랜지스터를 보호할 수 있는 전계발광 표시 장치에 관한 것이다.
전계발광 표시 장치는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 구조로 이루어져, 상기 두 개의 전극 사이의 전계에 의해 상기 발광층이 발광함으로써 화상을 표시하는 장치이다.
상기 발광층은 전자와 정공의 결합에 의해 엑시톤(exciton)이 생성되고 생성된 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 유기물로 이루어질 수도 있고, 퀀텀 도트(quantum dot)와 같은 무기물로 이루어질 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 하여 종래의 전계발광 표시 장치에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 전계발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 전계발광 표시 장치는 기판(10), 회로 소자층(20), 제1 전극(30), 뱅크(40), 발광층(50), 제2 전극(60), 및 봉지층(70)을 포함한다.
상기 회로 소자층(20)은 상기 기판(10) 상에 형성된다. 회로 소자층(20)에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 커패시터, 평탄화층 등이 형성된다.
상기 제1 전극(30)은 회로 소자층(20) 상에 형성된다. 제1 전극(30)은 화소 별로 패턴 형성되어 있으며, 전계발광 표시 장치의 양극(anode)으로 기능한다.
상기 뱅크(40)는 매트릭스 구조로 형성되어 발광 영역을 정의한다.
상기 발광층(50)은 뱅크(40)에 의해 정의된 발광 영역에 형성된다.
상기 제2 전극(60)은 발광층(50) 상에 형성된다. 제2 전극(60)은 화소의 공통층으로 형성되어 있으며, 전계발광 표시 장치의 음극(cathode)으로 기능한다.
상기 봉지층(70)은 제2 전극(60) 상에 형성된다. 봉지층(70)은 수분에 취약한 발광층(50) 및 박막 트랜지스터를 보호한다.
이와 같은 종래의 전계발광 표시 장치의 경우, 봉지층(70)을 형성하는 공정 중에 발생하는 수소가 발광층(50) 및 박막 트랜지스터에 영향을 주어 휘점이 발생할 수 있다.
또한, 종래의 전계발광 표시 장치는 평탄화층에서 기체가 빠져나가는 아웃개싱(outgassing) 현상이 발생하는 경우, 수분에 취약한 발광층(50)에 열화(degradation)가 발생하여 화상품질이 저하될 수 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 수소 및 수분으로부터 발광층 및 박막 트랜지스터를 보호할 수 있는 전계발광 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 화상을 표시하는 액티브 영역 및 액티브 영역을 둘러싸는 더미 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되어 액티브 영역에 발광 영역을 정의하고 더미 영역에 더미 발광 영역을 정의하는 뱅크, 발광 영역 및 더미 발광 영역에 각각 배치되는 발광층 및 더미 발광층, 및 더미 발광 영역의 더미 발광층 하부에 배치되는 희생층을 포함하는 전계발광 표시 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 발광하는 발광층이 배치되는 액티브 영역 및 발광하지 않는 더미 발광층이 배치되는 더미 영역을 포함하는 기판, 및 더미 영역에 배치되며, 발광층보다 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층을 포함하는 전계발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 더미 발광 영역에 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층을 배치함으로써, 수소 및 수분이 발광층과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 더미 영역에 희생층을 배치함으로써, 수소 및 수분이 박막 트랜지스터에 영향을 주어 휘점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 수분에 취약한 발광층에 열화(degradation)가 발생하여 화상품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래의 전계발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 액티브 영역과 더미 영역을 도시한 개략적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다.
본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제 1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. "적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제 1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제 1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다. "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하에서는 본 발명에 따른 전계발광 표시 장치의 바람직한 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 액티브 영역(AA), 더미 영역(DA), 및 패드 영역(PA)을 포함한다.
상기 액티브 영역(AA)은 화상을 표시하는 표시 영역으로 기능한다. 액티브 영역(AA)에는 복수의 화소가 배치되고, 복수의 화소 각각에는 발광 영역이 마련된다.
구체적으로, 액티브 영역(AA)에 배치된 화소에는 게이트 배선(gate line), 데이터 배선(data line), 전원 배선(power line), 및 기준 배선(reference line) 등의 신호 배선이 형성된다. 또한, 액티브 영역(AA)에 배치된 화소에는 상기 신호 배선을 통해 인가되는 신호의 전달을 스위칭하기 위한 복수의 박막 트랜지스터가 형성되며, 상기 복수의 박막 트랜지스터에 의해 구동되어 발광하는 발광소자가 형성된다.
상기 더미 영역(DA)은 액티브 영역(AA)을 둘러싸도록 배치된다.
구체적으로, 더미 영역(DA)은 액티브 영역(AA)의 상하좌우 외곽에 배치된다. 더미 영역(DA)에는 복수의 더미 화소가 배치되고, 복수의 더미 화소 각각에는 더미 발광 영역이 마련된다. 상기 더미 영역(DA)은 화상을 표시하는 표시 영역이 아니기 때문에, 더미 영역(DA)에 배치된 더미 화소는 액티브 영역(AA)에 배치된 화소와는 상이한 구조로 이루어진다. 예를 들어, 더미 영역(DA)에 구비된 더미 화소는 신호 배선, 박막 트랜지스터, 및 발광소자 중 적어도 하나를 구비하지 않거나 또는 불완전하게 구비함으로써, 더미 영역(DA)에 구비된 더미 화소에서는 발광이 일어나지 않는다. 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나면 더미 영역(DA)에서 발생된 누설 광에 의해서 전계발광 표시 장치의 표시품질이 저하될 수 있다.
이와 같은 더미 영역(DA)은 액티브 영역(AA)의 중앙부와 외곽부 사이의 공정 오차 발생을 방지하는 역할을 한다. 이에 대해서 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
액티브 영역(AA)에 복수의 화소를 형성하기 위해서는 다수의 적층 공정과 다수의 마스크 공정이 수행된다. 상기 적층 공정은 물리적 증착 공정, 화학적 증착 공정, 코팅 공정, 또는 잉크젯 공정 등을 통해서 소정의 절연층, 금속층, 또는 유기층 등을 형성하는 공정이고, 상기 마스크 공정은 적층 공정에 의해 형성된 절연층, 금속층, 또는 유기층 등을 당업계에 공지된 포토리소그라피 공정을 통해 소정의 형태로 패턴 형성하는 공정이다.
이와 같이 액티브 영역(AA)에 다수의 적층 공정과 다수의 마스크 공정을 수행할 경우 공정 특성상 액티브 영역(AA)의 중앙부와 가장자리 사이에 공정 오차가 발생할 가능성이 있다. 따라서, 액티브 영역(AA)의 가장자리에 더미 영역(DA)을 형성함으로써, 오차가 발생한다 하더라도 그 오차가 액티브 영역(AA) 내부에 발생하지 않고 더미 영역(DA)에 발생하도록 한다.
특히, 발광소자 내의 발광층을 잉크젯 공정으로 형성할 경우, 발광층의 건조가 기판의 중앙부와 가장자리 사이에서 차이가 발생할 수 있는데, 이 경우에 더미 영역(DA)이 마련되지 있지 않으면, 액티브 영역(AA)의 중앙부와 가장자리 사이의 발광이 균일하지 않게 되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 액티브 영역(AA)의 외곽에 더미 영역(DA)이 형성됨으로써, 발광소자 내의 발광층을 잉크젯 공정으로 형성하는 경우에 있어서, 액티브 영역(AA)과 더미 영역(DA) 사이에 발광층의 건조가 불 균일하게 될 수는 있지만 액티브 영역(AA) 내부에서는 전체적으로 발광층의 건조가 균일하게 될 수 있다.
상기 패드 영역(PA)은 더미 영역(DA)의 외곽에 배치된다.
상기 패드 영역(PA)에는 게이트 구동부 또는 데이터 구동부 등의 회로 구동부가 마련되어 있다. 상기 회로 구동부는 더미 영역(DA)의 상하좌우 중 적어도 하나의 외곽에 형성될 수 있다. 패드 영역(PA)에 마련되는 회로 구동부는 더미 영역(DA)을 경유하여 액티브 영역(AA) 내에 회로 소자에 연결되어 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 액티브 영역과 더미 영역을 도시한 개략적인 평면도이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에는 액티브 영역(AA)이 배치되고, 상기 액티브 영역(AA)의 외곽에는 더미 영역(DA)이 배치된다. 도 3은 상기 기판(100)의 좌상측 영역을 간략하게 도시한 것이다.
상기 액티브 영역(AA)에는 복수의 화소(P)들이 배치된다. 상기 복수의 화소(P)들은 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광을 방출할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 더미 영역(DA)에는 복수의 더미 화소(DP)들이 배치된다.
상기 복수의 화소(P)들 및 상기 복수의 더미 화소(DP)들은 도시된 바와 같이 행렬로 배열될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. 복수의 더미 화소(DP) 중 일부는 화소(P)가 배열된 열과 상이한 열에 배열될 수 있다. 또한, 복수의 더미 화소(DP) 중 일부는 화소(P)가 배열된 열과 동일한 열에 배열될 수 있다
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다.
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 기판(100) 상에 배치된 액티브 영역(AA) 및 더미 영역(DA)을 포함한다.
상기 기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 기판(100)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 상부 발광(Top emisison) 방식으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 기판(100)의 재료로 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 발광된 광이 하부쪽으로 방출되는 하부 발광(Bottom emisison) 방식으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 기판(100)의 재료로 투명한 재료가 이용될 수 있다.
기판(100) 상의 액티브 영역(AA)에는 회로 소자층(200), 제1 전극(300), 뱅크(400), 발광층(500), 제2 전극(600), 봉지층(700)이 형성된다.
상기 회로 소자층(200)은 기판(100) 상에 형성된다. 회로 소자층(200)은 액티브층(210), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(230), 층간 절연막(240), 소스 전극(250a), 드레인 전극(250b), 패시베이션층(260), 및 평탄화층(270)을 포함할 수 있다.
상기 액티브층(210)은 기판(100) 상에 형성된다. 액티브층(210)은 실리콘계 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도시하지는 않았지만, 기판(100)과 액티브층(210) 사이에 차광층이 추가로 구비되어 액티브층(210)으로 광이 진입하는 것을 차단함으로써 액티브층(210)이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
상기 게이트 절연막(220)은 액티브층(210) 상에 형성되어, 액티브층(210)과 게이트 전극(230)을 절연시킨다.
상기 게이트 전극(230)은 게이트 절연막(220) 상에 형성된다.
상기 층간 절연막(240)은 게이트 전극(230) 상에 형성되어, 게이트 전극(230)을 상기 소스 및 드레인 전극(250a, 250b)과 절연시킨다.
상기 소스 전극(250a)과 상기 드레인 전극(250b)은 층간 절연막(240) 상에서 서로 마주하면서 이격된다. 소스 전극(250a)과 드레인 전극(250b)은 각각 층간 절연막(240)과 게이트 절연막(220) 상에 마련된 콘택홀을 통해서 액티브층(210)의 일단과 타단에 연결된다.
상기 패시베이션층(260)은 소스 전극(250a)과 드레인 전극(250b) 상에 형성되어, 박막 트랜지스터를 보호한다.
상기 평탄화층(270)은 패시베이션층(260) 상에 형성되어 기판(100) 위의 표면을 평탄화시킨다.
이와 같이, 회로 소자층(200)은 게이트 전극(230), 액티브층(210), 소스 전극(250a), 및 드레인 전극(250b)을 구비한 박막 트랜지스터를 포함한다. 도 4에는 게이트 전극(230)이 액티브층(210)의 위에 형성되는 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 게이트 전극(230)이 액티브층(210)의 아래에 형성되는 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조의 박막 트랜지스터가 상기 회로 소자층(200)에 형성될 수도 있다.
상기 회로 소자층(200)에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 화소 별로 배치된다. 상기 신호 배선들은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선을 포함할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터에 해당한다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.
상기 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 전원 배선에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 제1 전극(300)에 공급하는 역할을 한다.
상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 게이트 배선 또는 별도의 센싱 배선에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 배선으로 공급한다.
상기 커패시터는 구동 박막 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 구동 박막 트랜지스터의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치가 상부 발광 방식인 경우, 박막 트랜지스터가 발광층(500)의 하부에 배치되더라도 박막 트랜지스터에 의해 광 방출이 영향을 받지 않기 때문에, 박막 트랜지스터가 발광층(500)의 하부에 배치될 수 있다.
상기 제1 전극(300)은 회로 소자층(200) 상에 형성된다. 제1 전극(300)은 복수의 화소(P)들 별로 패턴 형성되며, 전계발광 표시 장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치가 상부 발광 방식인 경우, 제1 전극(300)은 발광층(500)에서 발광된 광을 상부쪽으로 반사시키기 위한 반사물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(300)은 투명한 도전물질과 반사물질의 적층구조로 이루어질 수 있다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치가 하부 발광 방식인 경우, 제1 전극(300)은 투명한 도전물질로 이루어진다.
제1 전극(300)은 평탄화층(270)과 패시베이션층(260)에 마련된 콘택홀을 통해서 박막 트랜지스터의 드레인 전극(250b)과 연결된다. 제1 전극(300)이 평탄화층(270)과 패시베이션층(260)에 마련된 콘택홀을 통해서 박막 트랜지스터의 소스 전극(250a)과 연결되는 것도 가능하다.
상기 뱅크(400)는 복수의 화소(P)들 사이에 형성된다. 뱅크(400)는 전체적으로 매트릭스 구조로 형성되면서 개별 화소(P) 내에 발광 영역을 정의한다. 뱅크(400)는 제1 전극(300)의 양끝 단을 가리면서 평탄화층(270) 상에 형성된다. 따라서, 복수의 화소(P) 별로 패턴 형성된 복수의 제1 전극(300)들이 뱅크(400)에 의해 절연될 수 있다.
상기 발광층(500)은 제1 전극(300) 상에 형성된다. 발광층(500)은 뱅크(400)에 의해 정의된 발광 영역에 형성된다. 발광층(500)은 복수의 화소(P)들마다 서로 상이한 색상의 광을 발광하도록 마련될 수 있다. 예로서, 발광층(500)은 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광을 발광하도록 마련될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 발광층(500)은 백색(White)의 광을 발광하도록 마련될 수도 있으며, 이 경우에는 발광층(500)에서 발광된 광의 진행경로에 복수의 화소(P)별로 컬러 필터가 추가로 구비될 수 있다.
발광층(500)은 마스크를 이용한 증발법(evaporation)으로 복수의 화소(P) 별로 패턴 형성될 수도 있고, 잉크젯 장비 등을 이용한 용액 공정으로 마스크 없이 복수의 화소(P) 별로 패턴 형성될 수도 있다. 경우에 따라서, 발광층(500)은 마스크를 이용하지 않고 증발법(evaporation)으로 복수의 화소(P) 영역 및 그들 사이의 경계 영역에 전체적으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 발광층(500)은 백색(White)의 광을 발광하도록 구비될 수 있다. 즉, 발광층(500)은 복수의 화소(P) 사이의 경계 영역에 해당하는 뱅크(400)의 상면에도 형성될 수 있다.
이와 같은 발광층(500)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 유기발광층(Organic Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer) 중 적어도 하나의 유기층을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(600)은 발광층(500) 상에 형성되며, 전계발광 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 제2 전극(600)은 발광층(500) 뿐만 아니라 뱅크(400) 상에도 형성될 수 있다. 따라서, 제2 전극(600)은 복수의 화소(P)에 공통된 전압을 인가하는 공통 전극으로 기능할 수 있다.
상기 봉지층(700)은 제2 전극(600) 상에 형성된다. 봉지층(700)은 액티브 영역(AA)을 덮도록 배치되며, 더미 영역(DA)까지 덮도록 배치될 수 있다. 봉지층(700)은 박막 트랜지스터, 제1 전극(300), 발광층(500), 및 제2 전극(600)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위해, 봉지층(700)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.
기판(100) 상의 더미 영역(DA)에는 회로 소자층(200), 뱅크(400), 희생층(450), 더미 발광층(550), 제2 전극(600), 및 봉지층(700)형성된다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 회로 소자층(200)은 액티브 영역(AA)에 형성된 회로 소자층(200)과 동일한 구조로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다.
다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 더미 영역(DA)에 형성된 회로 소자층(200)은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선 등의 신호 배선 중 일부가 구비되지 않거나 또는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 중 일부가 구비되지 않을 수 있으며, 그에 따라 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나지 않을 수 있다. 경우에 따라, 더미 영역(DA)에 형성된 회로 소자층(200)은 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터 중 어느 하나가 동작하지 않도록 불완전하게 구성될 수도 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)는 복수의 더미 화소(DP)들 사이에 형성된다. 더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)는 개별 더미 화소(DP) 내에 더미 발광 영역을 정의한다. 도면에는 더미 영역(DA)에 하나의 더미 화소(DP)만을 도시하였지만, 더미 영역(DA)에는 복수의 더미 화소(DP)가 형성된다.
더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)는 액티브 영역(AA)에 형성된 뱅크(400)와 유사하게 전체적으로 매트릭스 구조로 형성되어 개별 더미 화소(DP) 내에 더미 발광 영역을 정의한다. 결국, 뱅크(400)는 액티브 영역(AA)과 더미 영역(DA) 전체에서 매트릭스 구조로 형성된다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 희생층(450)은 평탄화층(270) 상에 형성된다. 희생층(450)은 더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)들 사이에 형성되며, 따라서 더미 영역(DA)의 더미 발광 영역에 배치된다. 희생층(450)을 액티브 영역(AA)의 발광 영역에 형성하는 경우, 거칠기(roughness)가 증가하여 발광층(500)에 영향을 줄 수 있으며, 이에 따라 전계발광 표시 장치의 화상 품질이 저하될 수 있기 때문에 액티브 영역(AA)에는 희생층(450)을 형성하지 않는다.
한편, 종래의 전계발광 표시 장치는 평탄화층(270)에서 기체가 빠져나가는 아웃개싱(outgassing) 현상이 발생하는 경우, 수분에 취약한 발광층(500)에 열화(degradation)가 발생하는 문제점이 있었다. 또한, 종래의 전계발광 표시 장치는 봉지층(700)을 형성하는 공정 중에 발생하는 수소가 발광층(500) 및 박막 트랜지스터에 영향을 주어 휘점이 발생하는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 더미 발광 영역에 희생층(450)을 형성한다. 희생층(450)은 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어지며, 일 예로 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나, 또는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어질 수 있다. 희생층(450)은 발광층(500)보다 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어짐으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거한다. 이러한, 희생층(450)은 액티브 영역(AA)을 둘러싸는 더미 영역(DA)에 배치됨으로써, 액티브 영역(AA) 끝 단의 박막 트랜지스터들을 보호할 수 있다.
희생층(450)은 물리적 증착 공정, 화학적 증착 공정, 또는 코팅 공정등을 통해서 형성될 수도 있고, 잉크젯 장비 등을 이용한 용액 공정으로 마스크 없이 복수의 더미 화소 별로 패턴 형성될 수도 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 더미 발광층(550)은 희생층(450) 상에 형성된다. 더미 영역(DA)에 배치된 발광층(500)은 액티브 영역(AA)에 배치된 발광층(500)과 동일한 물질로 동일한 두께로 형성될 수 있다.
더미 영역(DA)은 화상을 표시하는 표시 영역이 아니기 때문에, 더미 영역(DA)에 배치된 더미 화소(DP)는 발광이 일어나지 않도록 구성된다. 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나면 더미 영역(DA)에서 발생된 누설광에 의해서 전계발광 표시 장치의 표시품질이 저하될 수 있다.
이와 같이 더미 화소(DP)에서 발광이 일어나지 않도록 하기 위해서, 더미 영역(DA)에 배치된 회로 소자층(200)에 박막 트랜지스터를 구성하지 않거나, 더미 영역(DA)에 제1 전극(300)을 배치하지 않을 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 제2 전극(600)은 액티브 영역(AA)에 형성된 제2 전극(600)에서 연장된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 더미 영역(DA)에는 제2 전극(600)이 형성되지 않을 수도 있으며, 그에 따라 상기 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나지 않을 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 봉지층(700)은 액티브 영역(AA)에 형성된 봉지층(700)에서 연장된 구조로 형성될 수 있다. 봉지층(700)은 무기절연물로 이루어질 수도 있고 무기절연물과 유기절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 더미 발광 영역에 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층(450)을 배치함으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 수소 및 수분이 박막 트랜지스터에 영향을 주어 휘점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 수분에 취약한 발광층에 열화(degradation)가 발생하여 화상품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다. 이는 더미 영역(DA)에 제1 전극(300)이 추가된 것을 제외하고 전술한 도 4에 따른 전계발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 기판(100) 상의 더미 영역(DA)에 회로 소자층(200), 제1 전극(300), 뱅크(400), 희생층(450), 더미 발광층(550), 제2 전극(600), 및 봉지층(700)이 형성된다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 제1 전극(300)은 액티브 영역(AA)에 형성된 제1 전극(300)과 동일한 구조로 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 다만, 더미 영역(DA)에는 박막 트랜지스터가 형성되지 않을 수도 있으며, 그에 따라 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나지 않을 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 뱅크(400)는 더미 영역(DA)에 구비된 제1 전극(300)의 양 끝단을 가리면서 평탄화층(270) 상에 형성된다. 따라서, 복수의 더미 화소(DP) 별로 형성된 복수의 제1 전극(300)들이 상기 뱅크(400)에 의해 절연될 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 본 발명의 제2 실시예에 따른 희생층(450)은 제1 전극(300) 상에 형성된다. 구체적으로, 희생층(450)은 더미 발광 영역에 배치되어 제1 전극(300)과 더미 발광층(550) 사이에 배치된다. 따라서, 더미 영역(DA)의 더미 발광 영역에 배치된 희생층(450)에 의해서 제1 전극(300)과 더미 발광층(550)을 연결하지 않을 수 있으며, 그에 따라 상기 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나지 않을 수 있다.
희생층(450)은 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어지며, 일 예로 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나, 또는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어질 수 있다. 희생층(450)은 발광층(500)보다 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어짐으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거한다. 이러한, 희생층(450)은 액티브 영역(AA)을 둘러싸는 더미 영역(DA)에 배치됨으로써, 액티브 영역(AA) 끝 단의 박막 트랜지스터들을 보호할 수 있다.
희생층(450)은 물리적 증착 공정, 화학적 증착 공정, 또는 코팅 공정등을 통해서 형성될 수도 있고, 잉크젯 장비 등을 이용한 용액 공정으로 마스크 없이 복수의 더미 화소 별로 패턴 형성될 수도 있다.
이와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 더미 발광 영역에 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층(450)을 배치함으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 수소 및 수분이 박막 트랜지스터에 영향을 주어 휘점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 수분에 취약한 발광층에 열화(degradation)가 발생하여 화상품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다. 이는 더미 발광층(550)의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 4에 따른 전계발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 기판(100) 상의 더미 영역(DA)에 더미 홈(DH)이 마련된 회로 소자층(200), 뱅크(400), 희생층(450), 더미 발광층(550), 제2 전극(600), 및 봉지층(700)이 형성된다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 회로 소자층(200)은 박막 트랜지스터가 생략되며, 기판(100) 상에 배치되는 게이트 절연막(220), 게이트 절연막(220) 상에 배치되는 층간 절연막(240), 및 층간 절연막(240) 상에 배치되는 평탄화층(270)을 포함한다. 액티브 영역(AA)에 패시베이션층(260)이 마련되는 경우, 더미 영역(DA)에도 층간 절연막(240) 상에 패시베이션층(260)이 더 포함될 수 있다.
이러한, 회로 소자층(200)은 뱅크(400)들 사이에 마련된 더미 발광 영역에 게이트 절연막(220), 층간 절연막(240), 패시베이션층(260), 및 평탄화층(270)이 제거된 더미 홈(DH)이 마련된다. 더미 홈(DH)은 기판(100) 상에 마련된다. 회로 소자층(200)은 더미 홈(DH)이 마련되며 박막 트랜지스터가 생략되기 때문에, 더미 영역(DA)에서 발광이 일어나지 않을 수 있다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 본 발명의 제3 실시예에 따른 희생층(450)은 회로 소자층(200)의 더미 홈(DH)에 배치된다. 이러한 희생층(450)은 기판(100) 상의 더미 홈(DH)에 배치되어, 회로 소자층(200)보다 두껍게 형성됨으로써 많은 양의 수소 및 수분을 흡수하여 제거할 수 있다. 특히, 희생층(450)이 회로 소자층(200)의 더미 홈(DH)에 배치됨으로써, 액티브 영역(AA)의 박막 트랜지스터와 더 가깝게 배치될 수 있어 박막 트랜지스터로 유입될 수 있는 수분 및 수소를 효과적으로 제거할 수 있다.
희생층(450)은 액티브 영역(AA)에 형성된 제1 전극(300)의 높이까지 마련될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 제1 전극(300)의 높이보다 두껍게 형성될 수 있다. 희생층(450)이 액티브 영역(AA)에 형성된 제1 전극(300)의 높이까지 마련되는 경우, 희생층(450) 상에 배치되는 더미 발광층(550)과 액티브 영역(AA)에 배치된 발광층(500)의 높이가 동일하게 형성될 수 있다.
희생층(450)은 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어지며, 일 예로 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나, 또는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어질 수 있다. 희생층(450)은 발광층(500)보다 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어짐으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거한다. 이러한, 희생층(450)은 액티브 영역(AA)을 둘러싸는 더미 영역(DA)에 배치됨으로써, 액티브 영역(AA) 끝 단의 박막 트랜지스터들을 보호할 수 있다.
희생층(450)은 물리적 증착 공정, 화학적 증착 공정, 또는 코팅 공정등을 통해서 형성될 수도 있고, 잉크젯 장비 등을 이용한 용액 공정으로 마스크 없이 복수의 더미 화소 별로 패턴 형성될 수도 있다.
이와 같이 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 더미 발광 영역에 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층(450)을 배치함으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 수소 및 수분이 박막 트랜지스터에 영향을 주어 휘점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 수분에 취약한 발광층에 열화(degradation)가 발생하여 화상품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계발광 표시 장치의 단면도로서, 도 3의 I-I’의 단면도이다. 이는 더미 발광층(550)의 형태가 변경된 것을 제외하고 전술한 도 5에 따른 전계발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 기판(100) 상의 더미 영역(DA)에 더미 홈(DH)이 마련된 회로 소자층(200), 뱅크(400), 희생층(450), 더미 발광층(550), 제2 전극(600), 및 봉지층(700)이 형성된다.
상기 더미 영역(DA)에 형성된 본 발명의 제4 실시예에 따른 희생층(450)은 회로 소자층(200)의 더미 홈(DH)에 배치된다. 구체적으로, 희생층(450)은 기판(100) 상의 더미 홈(DH)에 배치되어 더미 홈(DH)의 형태를 따라 마련되며, 기판(100) 상에서 뱅크(400) 상면까지 연장되어 마련될 수 있다. 이러한 희생층(450)은 더미 홈(DH)의 형태를 따라 마련됨으로써, 액티브 영역(AA)에 형성된 박막 트랜지스터와 발광층(500)에 보다 가깝게 배치될 수 있어 박막 트랜지스터와 발광층(500)으로 유입될 수 있는 수분 및 수소를 효과적으로 제거할 수 있다. 희생층(450)은 뱅크(400) 상면까지 마련될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
희생층(450)은 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어지며, 일 예로 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나, 또는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어질 수 있다. 희생층(450)은 발광층(500)보다 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어짐으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거한다. 이러한, 희생층(450)은 액티브 영역(AA)을 둘러싸는 더미 영역(DA)에 배치됨으로써, 액티브 영역(AA) 끝 단의 박막 트랜지스터들을 보호할 수 있다.
희생층(450)은 물리적 증착 공정, 화학적 증착 공정, 또는 코팅 공정등을 통해서 형성될 수도 있고, 잉크젯 장비 등을 이용한 용액 공정으로 마스크 없이 복수의 더미 화소 별로 패턴 형성될 수도 있다.
이와 같이 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 더미 발광 영역에 수소 및 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층(450)을 배치함으로써, 수소 및 수분이 발광층(500)과 박막 트랜지스터에 영향을 미치지 못하도록 사전 차단하며 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계발광 표시 장치는 수소 및 수분이 박막 트랜지스터에 영향을 주어 휘점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 수분에 취약한 발광층에 열화(degradation)가 발생하여 화상품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 200: 회로 소자층
300: 제1 전극 400: 뱅크
450: 희생층 500: 발광층
600: 제2 전극 700: 봉지층

Claims (12)

  1. 화상을 표시하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸는 더미 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되어 상기 액티브 영역에 발광 영역을 정의하고 상기 더미 영역에 더미 발광 영역을 정의하는 뱅크;
    상기 발광 영역 및 상기 더미 발광 영역에 각각 배치되는 발광층 및 더미 발광층; 및
    상기 더미 발광 영역의 상기 더미 발광층 하부에 배치되는 희생층을 포함하고,
    상기 희생층은 상기 더미 발광층보다 수소 또는 수분에 반응성이 큰 물질인 전계발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 희생층은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나, 또는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 배치되는 층간 절연막; 및
    상기 층간 절연막 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 희생층은 상기 평탄화층과 상기 더미 발광층 사이에 배치되는 전계발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 배치되는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 상에 배치되는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 전극을 더 포함하고,
    상기 희생층은 상기 제1 전극과 상기 더미 발광층 사이에 배치되는 전계발광 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 배치되는 층간 절연막; 및
    상기 층간 절연막 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 더미 발광 영역은 상기 게이트 절연막, 상기 층간 절연막, 및 상기 평탄화층이 제거된 더미 홈을 가지며,
    상기 희생층은 상기 더미 홈에 배치된 전계발광 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 액티브 영역의 상기 평탄화층 상에 배치되어 상기 발광층과 접촉하는 제1 전극을 더 포함하고,
    상기 희생층은 상기 기판 상에 배치되며, 상기 기판으로부터 상기 제1 전극의 높이에 대응되는 높이까지 구비되는 전계발광 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치되는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 배치되는 층간 절연막; 및
    상기 층간 절연막 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 뱅크는 상기 평탄화층 상에 배치되며,
    상기 더미 발광 영역에는 상기 게이트 절연막, 상기 층간 절연막, 및 상기 평탄화층이 제거된 더미 홈이 마련되고,
    상기 희생층은 상기 더미 홈의 형태를 따라 마련되며, 상기 기판 상에서 상기 뱅크 상면까지 연장되어 배치되는 전계발광 표시 장치.
  9. 화상을 표시하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역을 둘러싸는 더미 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되어 상기 액티브 영역에 발광 영역을 정의하고 상기 더미 영역에 더미 발광 영역을 정의하는 뱅크;
    상기 발광 영역 및 상기 더미 발광 영역에 각각 배치되는 발광층 및 더미 발광층; 및
    상기 더미 발광 영역에 배치되며, 상기 발광층 및 상기 더미 발광층보다 수소 또는 수분에 반응성이 큰 물질로 이루어진 희생층을 포함하는 전계발광 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 희생층은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나, 또는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 중 어느 하나를 포함하는 화합물로 이루어진 전계발광 표시 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 평탄화층; 및
    상기 평탄화층 상에 배치된 제1 전극을 더 포함하고,
    상기 희생층은 상기 제1 전극과 상기 더미 발광층 사이에 배치되는 전계발광 표시 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판 상의 액티브 영역에는 박막 트랜지스터가 더 포함되고,
    상기 기판 상의 더미 영역에는 박막 트랜지스터가 포함되지 않으며, 더미 홈이 마련되고, 상기 희생층은 상기 더미 홈에 배치된 전계발광 표시 장치.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019008962A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
CN111937495B (zh) * 2018-03-30 2023-08-15 夏普株式会社 显示装置
CN108336123B (zh) * 2018-04-04 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及其制备方法、显示装置
CN112331808B (zh) * 2019-12-30 2023-07-28 广东聚华印刷显示技术有限公司 弱粘性薄膜、喷墨印刷显示面板及其制备方法与显示装置
WO2022058657A1 (en) * 2020-09-17 2022-03-24 Lumineq Oy A transparent thin film electroluminescent display element and a method
KR20220120793A (ko) * 2021-02-23 2022-08-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
EP4336485A4 (en) * 2021-12-23 2024-04-17 Boe Technology Group Co Ltd DISPLAY DEVICE
WO2023126748A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005067352A1 (en) 2004-01-08 2005-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
JP2010257713A (ja) 2009-04-23 2010-11-11 Sharp Corp 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US20130076231A1 (en) 2002-04-18 2013-03-28 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing an electric optical device in which external connection terminals are formed
US20140306601A1 (en) 2013-04-15 2014-10-16 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device and method of fabricating the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050057154A1 (en) * 2003-07-30 2005-03-17 Optrex Corporation Organic EL display device and method for fabricating the same
KR100554494B1 (ko) * 2003-12-30 2006-03-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CN101853876A (zh) * 2010-02-04 2010-10-06 友达光电股份有限公司 一种主动矩阵有机发光二极体面板结构
KR101773188B1 (ko) 2010-10-29 2017-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102201827B1 (ko) * 2014-09-16 2021-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법
JP2019008962A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130076231A1 (en) 2002-04-18 2013-03-28 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing an electric optical device in which external connection terminals are formed
WO2005067352A1 (en) 2004-01-08 2005-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
JP2010257713A (ja) 2009-04-23 2010-11-11 Sharp Corp 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US20140306601A1 (en) 2013-04-15 2014-10-16 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device and method of fabricating the same

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